JP2847413B2 - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
- Publication number
- JP2847413B2 JP2847413B2 JP2019613A JP1961390A JP2847413B2 JP 2847413 B2 JP2847413 B2 JP 2847413B2 JP 2019613 A JP2019613 A JP 2019613A JP 1961390 A JP1961390 A JP 1961390A JP 2847413 B2 JP2847413 B2 JP 2847413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist material
- general formula
- branched
- photosensitive compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体素子等の製造に於て用いられるレジス
ト材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として400n
m以下の光源、例えば365nmのｉ線光、300nm以下の遠紫
外線、例えば248.4nmのkrFエキシマレーザー等を用いて
ポジ型のパターンを形成する際のレジスト材料に関す
る。
ト材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として400n
m以下の光源、例えば365nmのｉ線光、300nm以下の遠紫
外線、例えば248.4nmのkrFエキシマレーザー等を用いて
ポジ型のパターンを形成する際のレジスト材料に関す
る。
［従来の技術］ 近年、半導体デバイスの高密度集積化に判い、微細加
工、中でもフォトリソグラフィに用いられる露光装置の
光源は益々、短波長化し、今まではkrFエキシマレーザ
（248.4nm）光が検討されるまでになってている。しか
しながらこの波長に適したレジスト材料は未だ適当なも
のが見出されていない。
工、中でもフォトリソグラフィに用いられる露光装置の
光源は益々、短波長化し、今まではkrFエキシマレーザ
（248.4nm）光が検討されるまでになってている。しか
しながらこの波長に適したレジスト材料は未だ適当なも
のが見出されていない。
例えば、krFエキシマレーザ光に対してかなり感光性
が高く、光透過率も良いと言われているMP2400（シプレ
イ社製）を用いた場合、ベースポリマーのノボラック樹
脂自身の露光光に対する大きな表面吸収や感光剤のナフ
トキノンジアジド系化合物の光反応性が良くない為、現
像後のパターン形状は非常に悪く使用出来ない。また、
krFエキシマレーザ光や遠紫外光を光源とするレジスト
材料として248.4nm付近の光に対する透過性が高い樹脂
と分子内に 基を有する感光性化合物より成るレジスト材料が開発さ
れている。（例えば、特開昭64−80944号公報；特開平
１−154048号公報；特開平１−155339号公報等）。
が高く、光透過率も良いと言われているMP2400（シプレ
イ社製）を用いた場合、ベースポリマーのノボラック樹
脂自身の露光光に対する大きな表面吸収や感光剤のナフ
トキノンジアジド系化合物の光反応性が良くない為、現
像後のパターン形状は非常に悪く使用出来ない。また、
krFエキシマレーザ光や遠紫外光を光源とするレジスト
材料として248.4nm付近の光に対する透過性が高い樹脂
と分子内に 基を有する感光性化合物より成るレジスト材料が開発さ
れている。（例えば、特開昭64−80944号公報；特開平
１−154048号公報；特開平１−155339号公報等）。
さらに分子内に 基と−SO2Cl基を有する感光性化合物と248.4nm付近で高
い光透過性を有する樹脂より成るパターン形成材料も開
発されている。（例えば、特開平１−188852号公報;Y.T
aniら、SPIE′s 1989 Sympo.,1086−03等）。第４図を
用いて、このレジスト材料によるパターン形成方法を示
す。半導体基板１上にレジスト材料５を回転塗布し、1.
0μｍのレジスト材料膜を得る（第４図（ａ））。な
お、基板１上には酸化膜、導電膜、絶縁膜が形成されて
いる場合が多い。次に248.4nmのkrFエキシマレーザ光３
でマスク４を介し選択的に露光する（第４図（ｂ））。
そして最後に通常のアルカリ現像液（0.24％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液）を用いて現像を行
うことによりレジスト材料５の露光部を溶解除去しパタ
ーン5aを得る（第４図（ｃ））。このレジスト材料膜
（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線を第５図に示
す。使用樹脂が１μｍ厚で70％であるのに対し、このレ
ジスト材料の露光後の透過率は40％と低く、十分な光褪
色性が得られていないことがわかる。また、パターン形
成実験の結果、パターンのアスペクト比は約70度と十分
なパターン形状は得られていない。更にこのレジスト材
料膜（１μｍ）のγ特性を第６図に示すが、このレジス
ト材料の感度は約140〜150mJ/cm2であった。
い光透過性を有する樹脂より成るパターン形成材料も開
発されている。（例えば、特開平１−188852号公報;Y.T
aniら、SPIE′s 1989 Sympo.,1086−03等）。第４図を
用いて、このレジスト材料によるパターン形成方法を示
す。半導体基板１上にレジスト材料５を回転塗布し、1.
0μｍのレジスト材料膜を得る（第４図（ａ））。な
お、基板１上には酸化膜、導電膜、絶縁膜が形成されて
いる場合が多い。次に248.4nmのkrFエキシマレーザ光３
でマスク４を介し選択的に露光する（第４図（ｂ））。
そして最後に通常のアルカリ現像液（0.24％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液）を用いて現像を行
うことによりレジスト材料５の露光部を溶解除去しパタ
ーン5aを得る（第４図（ｃ））。このレジスト材料膜
（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線を第５図に示
す。使用樹脂が１μｍ厚で70％であるのに対し、このレ
ジスト材料の露光後の透過率は40％と低く、十分な光褪
色性が得られていないことがわかる。また、パターン形
成実験の結果、パターンのアスペクト比は約70度と十分
なパターン形状は得られていない。更にこのレジスト材
料膜（１μｍ）のγ特性を第６図に示すが、このレジス
ト材料の感度は約140〜150mJ/cm2であった。
基を有する感光性化合物を含むレジスト材料を使用する
場合、一般的にその感度は100〜300mJ/cm2程度であり、
高出力の割にエネルギー効率が良くないkrFエキシマレ
ーザ光（248.4nm）を用いての実用化は困難な状況にあ
る。また、近年、露光エネルギー量を低減させる手段と
して露光により発生した酸を媒体とする化学増幅型のレ
ジスト材料が提案され［H.Itoら、Polym.Eng.Sci.,23
巻,1021頁（1983年）］、これに関して種々の報告がな
されている。（例えば、W.R.Brunsvoldら,SPIE′s 1989
Sympo.,1086−40;T.Neenanら,SPIE′s 1989 Sympo.,10
86−01）。しかしながら、これ等化学増幅型レジスト材
料に使用される樹脂は比較的、芳香環を多く有すること
に起因して248.4nm付近の光透過性が不十分であった
り、樹脂の耐熱性が乏しい等の問題がある。
場合、一般的にその感度は100〜300mJ/cm2程度であり、
高出力の割にエネルギー効率が良くないkrFエキシマレ
ーザ光（248.4nm）を用いての実用化は困難な状況にあ
る。また、近年、露光エネルギー量を低減させる手段と
して露光により発生した酸を媒体とする化学増幅型のレ
ジスト材料が提案され［H.Itoら、Polym.Eng.Sci.,23
巻,1021頁（1983年）］、これに関して種々の報告がな
されている。（例えば、W.R.Brunsvoldら,SPIE′s 1989
Sympo.,1086−40;T.Neenanら,SPIE′s 1989 Sympo.,10
86−01）。しかしながら、これ等化学増幅型レジスト材
料に使用される樹脂は比較的、芳香環を多く有すること
に起因して248.4nm付近の光透過性が不十分であった
り、樹脂の耐熱性が乏しい等の問題がある。
また、感光性化合物に関しては、例えばトリフェニル
スルホニウムテトラフルオロボレイトのようなオニウム
塩の場合は溶液安定性が乏しくレジスト材料を調製した
直後ではその本来の性能を発揮するが半導体製造ライン
に於て実用化することは困難であると言われているし、
2,6−ジニトロベンジルのスルホ酸エステルの場合は化
合物としての安定性は認められるが露光により生成する
２−ニトロ−６−ニトロソベンズアルデヒドが一般に使
われている現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液）に溶解しないため、現像処理後、露光部に
スカムが残存したり、パターン形状が悪くなる等の問題
が生ずる。また、トリス（メタンスルホニルオキシ）ベ
ンゼンは前記感光性化合物と比べて感度が低いため化学
増幅型レジストの感光性化合物としては適さない。
スルホニウムテトラフルオロボレイトのようなオニウム
塩の場合は溶液安定性が乏しくレジスト材料を調製した
直後ではその本来の性能を発揮するが半導体製造ライン
に於て実用化することは困難であると言われているし、
2,6−ジニトロベンジルのスルホ酸エステルの場合は化
合物としての安定性は認められるが露光により生成する
２−ニトロ−６−ニトロソベンズアルデヒドが一般に使
われている現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液）に溶解しないため、現像処理後、露光部に
スカムが残存したり、パターン形状が悪くなる等の問題
が生ずる。また、トリス（メタンスルホニルオキシ）ベ
ンゼンは前記感光性化合物と比べて感度が低いため化学
増幅型レジストの感光性化合物としては適さない。
［発明が解決しようとする問題点］ このように 基を有する感光性化合物を含むレジスト材料の場合に
は、感光性化合物の光褪色性が悪いことと 基を光反応させなければならないことから、良好なパタ
ーン形状が得られ難く、且つ露光エネルギー量を多く必
要とする。また、化学増幅型レジスト材料については樹
脂の248.4nm付近の光透過性を改善するか、樹脂の耐熱
性を向上させない限り使用に供し得ないし、また同時に
感光性化合物に関してはより低い露光エネルギー量で酸
を発生し、且つ溶液安定性があり、しかも生成物が現像
液に溶解するという特性が求められている。
は、感光性化合物の光褪色性が悪いことと 基を光反応させなければならないことから、良好なパタ
ーン形状が得られ難く、且つ露光エネルギー量を多く必
要とする。また、化学増幅型レジスト材料については樹
脂の248.4nm付近の光透過性を改善するか、樹脂の耐熱
性を向上させない限り使用に供し得ないし、また同時に
感光性化合物に関してはより低い露光エネルギー量で酸
を発生し、且つ溶液安定性があり、しかも生成物が現像
液に溶解するという特性が求められている。
［発明の目的］ 本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので、ｉ
線光や、遠紫外光、例えばkrFエキシマレーザ光等によ
る露光後に高い透過性を有し、且つ耐熱性を有する樹脂
と、高感度（低露光エネルギー量）で効率良く酸を発生
し、且つ溶液中で安定で、しかも現状用いられている現
像液に溶解可能な感光性化合物とを含んで成るレジスト
材料を提供することを目的とする。
線光や、遠紫外光、例えばkrFエキシマレーザ光等によ
る露光後に高い透過性を有し、且つ耐熱性を有する樹脂
と、高感度（低露光エネルギー量）で効率良く酸を発生
し、且つ溶液中で安定で、しかも現状用いられている現
像液に溶解可能な感光性化合物とを含んで成るレジスト
材料を提供することを目的とする。
［発明の構成］ 上記目的を達成するため、本発明は下記の構成より成
る。
る。
「酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けてアルカリ
可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付与
する成分とから構成される耐熱性樹脂と、露光により酸
を発生する下記一般式［Ｉ］で示される感光性化合物
と、この両者を溶解可能な溶剤とを含んで成ることを特
徴とするレジスト材料。
可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱性を付与
する成分とから構成される耐熱性樹脂と、露光により酸
を発生する下記一般式［Ｉ］で示される感光性化合物
と、この両者を溶解可能な溶剤とを含んで成ることを特
徴とするレジスト材料。
［式中、Ｒ▲1 0▼、Ｒ▲2 0▼、Ｒ▲3 0▼は夫々独立して
水素原子、ハロゲン原子、直鎖状，分枝状又は環状のア
ルキル基、ハロアルキル基、−OR▲6 0▼は直鎖状又は分
枝状のアルキル基、アルキル置換シリル基、テトラヒド
ロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、ハロアルキル
基、アルコキシアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルキ
ルオキシカルボニル基を表わす。）、ニトロ基、ニトリ
ル基、アミド基又は−COOR▲7 0▼基（但し、Ｒ▲7 0▼は
直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。）を表わし、
Ｒ▲4 0▼、Ｒ▲5 0▼は夫々独立して水素原子、ハロゲン
原子、直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基、ハロアル
キル基、−OR▲8 0▼（但し、Ｒ▲8 0▼は直鎖状又は分枝
状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又はニトリル基
を表わし、X0は炭素原子、フェニル基又はナフチル基を
表わし、ｎは０〜３の整数を表わす。」 本発明のレジスト材料は露光エネルギー量を出来るだ
け低減させるため、化学増幅を利用したものである。即
ち、本発明のレジスト材料は露光により酸発生剤から発
生した酸の雰囲気下、加熱により化学変化を受けてアル
カリ可溶性となる官能基を有する成分と、樹脂に耐熱性
を付与する成分即ち加熱に対し樹脂全体が軟化すること
を抑止する機能を有する成分とから構成される耐熱性樹
脂（以下、「本発明に係る樹脂」と略記する。）と新規
な感光性化合物とを併せ用いる点に特徴を有する新規な
レジスト材料である。本発明に係る酸雰囲気下、加熱に
よりアルカリ可溶性となる官能基を有する成分（以下、
「特定の官能基を有する成分」と略記する。）としては
例えば酸で脱離する保護基を有するｐ−ヒドロキシスチ
レン誘導体やｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導
体等のモノマーが挙げられる。具体例としては例えばｐ
−メトキシスチレン、ｐ−イソプロポキシスチレン、ｐ
−tert−ブトキシスチレン、ｐ−メトキシメトキシスチ
レン、ｐ−イソプロポキシメトキシスチレン、ｐ−テト
ラヒドロピラニルオキシスチレン、ｐ−テトラヒドロフ
ラニルオキシスチレン、ｐ−トリメチルシリルオキシス
チレン、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン、ｐ−イソプロポキシカルボニルオキシスチレン、或
はこれ等ｐ−ヒドロキシスチレン誘導体と同様の保護基
を有するｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導体等
が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではな
い。また、樹脂に耐熱性を付与する成分としてはこの成
分の使用により樹脂全体が100℃以上の加熱、より好ま
しくは140℃以上の加熱でも軟化することを抑止出来る
ものであればいずれにても良いが、例えばｐ−ヒドロキ
シスチレン、ｐ−クロルスチレン、スチレン、α−メチ
ルスチレン、フマロニトリル、マレイン酸モノイソプロ
ピル、マレイン酸モノtert−ブチル、マレイン酸ジtert
−ブチル、マレイン酸モノシクロヘキシル、無水マレイ
ン酸、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−置換フェニルマレ
イミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイ
ミド等のモノマーがより一般的なものとして挙げられ
る。
水素原子、ハロゲン原子、直鎖状，分枝状又は環状のア
ルキル基、ハロアルキル基、−OR▲6 0▼は直鎖状又は分
枝状のアルキル基、アルキル置換シリル基、テトラヒド
ロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、ハロアルキル
基、アルコキシアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルキ
ルオキシカルボニル基を表わす。）、ニトロ基、ニトリ
ル基、アミド基又は−COOR▲7 0▼基（但し、Ｒ▲7 0▼は
直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。）を表わし、
Ｒ▲4 0▼、Ｒ▲5 0▼は夫々独立して水素原子、ハロゲン
原子、直鎖状，分枝状又は環状のアルキル基、ハロアル
キル基、−OR▲8 0▼（但し、Ｒ▲8 0▼は直鎖状又は分枝
状のアルキル基を表わす。）、ニトロ基又はニトリル基
を表わし、X0は炭素原子、フェニル基又はナフチル基を
表わし、ｎは０〜３の整数を表わす。」 本発明のレジスト材料は露光エネルギー量を出来るだ
け低減させるため、化学増幅を利用したものである。即
ち、本発明のレジスト材料は露光により酸発生剤から発
生した酸の雰囲気下、加熱により化学変化を受けてアル
カリ可溶性となる官能基を有する成分と、樹脂に耐熱性
を付与する成分即ち加熱に対し樹脂全体が軟化すること
を抑止する機能を有する成分とから構成される耐熱性樹
脂（以下、「本発明に係る樹脂」と略記する。）と新規
な感光性化合物とを併せ用いる点に特徴を有する新規な
レジスト材料である。本発明に係る酸雰囲気下、加熱に
よりアルカリ可溶性となる官能基を有する成分（以下、
「特定の官能基を有する成分」と略記する。）としては
例えば酸で脱離する保護基を有するｐ−ヒドロキシスチ
レン誘導体やｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導
体等のモノマーが挙げられる。具体例としては例えばｐ
−メトキシスチレン、ｐ−イソプロポキシスチレン、ｐ
−tert−ブトキシスチレン、ｐ−メトキシメトキシスチ
レン、ｐ−イソプロポキシメトキシスチレン、ｐ−テト
ラヒドロピラニルオキシスチレン、ｐ−テトラヒドロフ
ラニルオキシスチレン、ｐ−トリメチルシリルオキシス
チレン、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン、ｐ−イソプロポキシカルボニルオキシスチレン、或
はこれ等ｐ−ヒドロキシスチレン誘導体と同様の保護基
を有するｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導体等
が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではな
い。また、樹脂に耐熱性を付与する成分としてはこの成
分の使用により樹脂全体が100℃以上の加熱、より好ま
しくは140℃以上の加熱でも軟化することを抑止出来る
ものであればいずれにても良いが、例えばｐ−ヒドロキ
シスチレン、ｐ−クロルスチレン、スチレン、α−メチ
ルスチレン、フマロニトリル、マレイン酸モノイソプロ
ピル、マレイン酸モノtert−ブチル、マレイン酸ジtert
−ブチル、マレイン酸モノシクロヘキシル、無水マレイ
ン酸、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−置換フェニルマレ
イミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイ
ミド等のモノマーがより一般的なものとして挙げられ
る。
本発明に係る樹脂は例えば下記一般式［II］又は［II
I］であらわすことが出来る。
I］であらわすことが出来る。
［式中、R1はメチル基、イソプロピル基、tert−ブチル
基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、テト
ラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリメ
チルシリル基、tert−ブトキシカルボニル基又はイソプ
ロポキシカルボニル基を表わし、R2は水素原子、ハロゲ
ン原子又はメチル基を表わし、R3は水素原子、ｐ−ヒド
ロキシフェニル基、ｐ−クロルフェニル基、フェニル
基、シアノ基又は−COOR7（但し、R7は炭素数３〜10の
分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わ
す。）を表わし、R4及びR6は夫々独立して水素原子、メ
チル基又はハロゲン原子を表わし、R5は水素原子、シア
ノ基又は−COOR8（但し、R8は炭素数３〜10の分岐状又
は環状のアルキル基、又は水素原子を表わす）を表し、
R9は水素原子又は−COOR10（但し、R10は炭素数３〜10
の分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わ
す。）を表わし、ｋ及びｌは夫々独立して自然数を表わ
す。］ ［式中、Ｘは酸素原子又はＮ−（CH2）ｑ−R11（但し、
R11は炭素数１〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
ル基又は置換基を有していても良いフェニル基を表わ
し、ｑは０又は自然数を表わす。）を表わし、ｌ′及び
ｐは夫々独立して０又は自然数を表わし、R1,R2,R3,R4,
R5,R6,R9及びｋは前記と同じ。］ これら一般式［II］又は［III］で表わされる化合物
は、本発明に係る樹脂の代表的なものであるが、本発明
に係る樹脂は勿論これらの化合物に限定されるものでは
ない。
基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、テト
ラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリメ
チルシリル基、tert−ブトキシカルボニル基又はイソプ
ロポキシカルボニル基を表わし、R2は水素原子、ハロゲ
ン原子又はメチル基を表わし、R3は水素原子、ｐ−ヒド
ロキシフェニル基、ｐ−クロルフェニル基、フェニル
基、シアノ基又は−COOR7（但し、R7は炭素数３〜10の
分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わ
す。）を表わし、R4及びR6は夫々独立して水素原子、メ
チル基又はハロゲン原子を表わし、R5は水素原子、シア
ノ基又は−COOR8（但し、R8は炭素数３〜10の分岐状又
は環状のアルキル基、又は水素原子を表わす）を表し、
R9は水素原子又は−COOR10（但し、R10は炭素数３〜10
の分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わ
す。）を表わし、ｋ及びｌは夫々独立して自然数を表わ
す。］ ［式中、Ｘは酸素原子又はＮ−（CH2）ｑ−R11（但し、
R11は炭素数１〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
ル基又は置換基を有していても良いフェニル基を表わ
し、ｑは０又は自然数を表わす。）を表わし、ｌ′及び
ｐは夫々独立して０又は自然数を表わし、R1,R2,R3,R4,
R5,R6,R9及びｋは前記と同じ。］ これら一般式［II］又は［III］で表わされる化合物
は、本発明に係る樹脂の代表的なものであるが、本発明
に係る樹脂は勿論これらの化合物に限定されるものでは
ない。
本発明に係る樹脂の具体例としては例えば、ｐ−イソ
プロポキシスチレンとα−メチルスチレン共重合体、ｐ
−テトラヒドロピラニルオキシスチレンとｐ−ヒドロキ
シスチレン共重合体、ｐ−tert−ブトキシスチレンと−
ヒドロキシスチレン共重合体、ｐ−tert−ブトキシカル
ボニルオキシスチレンとマレイン酸モノシクロヘキシル
エステル共重合体、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキ
シスチレンとα−メチルスチレン共重合体、ｐ−tert−
ブトキシスチレンとフマロニトリル共重合体、ｐ−メト
キシメトキシスチレンとｐ−クロルスチレン共重合体、
ｐ−メトキシメトキシスチレンとマレイン酸モノシクロ
ヘキシルエステル及び無水マレイン酸との共重合体、ｐ
−テトラヒドロフラニルオキシスチレンとＮ−メチルマ
レイミド共重合体、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキ
シスチレンとｐ−ヒドロキシスチレン及び無水マレイン
酸との共重合体、ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチ
レンとｐ−ヒドロキシスチレン及びフマロニトリルとの
共重合体、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ンとｐ−ヒドロキシスチレン及びＮ−ブチルマレイミド
との共重合体、ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレ
ンとｐ−ヒドロキシスチレン及びＮ−フェニルマレイミ
ドとの共重合体等が挙げられるが、これ等に限定される
ものではない。
プロポキシスチレンとα−メチルスチレン共重合体、ｐ
−テトラヒドロピラニルオキシスチレンとｐ−ヒドロキ
シスチレン共重合体、ｐ−tert−ブトキシスチレンと−
ヒドロキシスチレン共重合体、ｐ−tert−ブトキシカル
ボニルオキシスチレンとマレイン酸モノシクロヘキシル
エステル共重合体、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキ
シスチレンとα−メチルスチレン共重合体、ｐ−tert−
ブトキシスチレンとフマロニトリル共重合体、ｐ−メト
キシメトキシスチレンとｐ−クロルスチレン共重合体、
ｐ−メトキシメトキシスチレンとマレイン酸モノシクロ
ヘキシルエステル及び無水マレイン酸との共重合体、ｐ
−テトラヒドロフラニルオキシスチレンとＮ−メチルマ
レイミド共重合体、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキ
シスチレンとｐ−ヒドロキシスチレン及び無水マレイン
酸との共重合体、ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチ
レンとｐ−ヒドロキシスチレン及びフマロニトリルとの
共重合体、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ンとｐ−ヒドロキシスチレン及びＮ−ブチルマレイミド
との共重合体、ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレ
ンとｐ−ヒドロキシスチレン及びＮ−フェニルマレイミ
ドとの共重合体等が挙げられるが、これ等に限定される
ものではない。
本発明に係る樹脂は、上記特定の官能基を有する成分
（モノマー）１種又は２種以上と樹脂に耐熱性を付与す
る成分（モノマー）１種又は２種以上とを共重合体製造
法の常法に従って共重合させることにより容易に得るこ
とができる。即ち、上記特定の官能基を有する成分（モ
ノマー）１種又は２種以上と樹脂に耐熱性を付与する成
分（モノマー）１種又は２種以上とを例えばベンゼン、
トルエン等の有機溶媒中、ラジカル重合開始剤［例えば
アゾビスイソブチロニトリル 2,2′−アゾビス（2,4−
ジメチルワレロニトリル）、2,2′−アゾビス（２−メ
チルプロピオン酸メチル）等のアゾ系重合開始剤や過酸
化ベンゾイル、過酸化ラウロイル等の過酸化物系重合開
始剤等］の存在下、窒素気流中50〜100℃で１〜10時間
重合反応させればよく、反応後は高分子化合物取得法の
常法に従って後処理を行ないこれを単離すればよい。
（モノマー）１種又は２種以上と樹脂に耐熱性を付与す
る成分（モノマー）１種又は２種以上とを共重合体製造
法の常法に従って共重合させることにより容易に得るこ
とができる。即ち、上記特定の官能基を有する成分（モ
ノマー）１種又は２種以上と樹脂に耐熱性を付与する成
分（モノマー）１種又は２種以上とを例えばベンゼン、
トルエン等の有機溶媒中、ラジカル重合開始剤［例えば
アゾビスイソブチロニトリル 2,2′−アゾビス（2,4−
ジメチルワレロニトリル）、2,2′−アゾビス（２−メ
チルプロピオン酸メチル）等のアゾ系重合開始剤や過酸
化ベンゾイル、過酸化ラウロイル等の過酸化物系重合開
始剤等］の存在下、窒素気流中50〜100℃で１〜10時間
重合反応させればよく、反応後は高分子化合物取得法の
常法に従って後処理を行ないこれを単離すればよい。
本発明に係る樹脂は、また、市販のポリ（ｐ−ビニル
フェノール）のような重合体に前記特定の官能基を化学
反応により適宜導入する方法によっても容易に得ること
ができることは言うまでもない。
フェノール）のような重合体に前記特定の官能基を化学
反応により適宜導入する方法によっても容易に得ること
ができることは言うまでもない。
本発明に係る樹脂の重量平均分子量（▲▼）は通
常1,000〜40,000程度、好ましくは3,000〜20,000程度で
ある。
常1,000〜40,000程度、好ましくは3,000〜20,000程度で
ある。
本発明で用いられる一般式［Ｉ］で示される感光性化
合物に於て、Ｒ▲1 0▼,R▲2 0▼,R▲3 0▼で示されるハロ
ゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとしては、塩
素，臭素，弗素，沃素が挙げられ、直鎖状，分枝状又は
環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル基のアル
キル基、Ｒ▲6 0▼で示される直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基のアルキル基、同じくＲ▲6 0▼で示されるアルキル
置換シリル基のアルキル基、同ハロアルキル基のアルキ
ル基、同アルコキシアルキル基のアルキル基及びアルコ
キシ基のアルキル基、同直鎖状又は分枝状のアルキルオ
キシカルボニル基のアルキル基及びＲ▲7 0▼で示される
直鎖状又は分枝状のアルキル基のアルキル基としては、
例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ア
ミル基，ヘキシル基，オクチル基，デシル基等炭素数１
〜10のアルキル基が挙げられる。また、Ｒ▲4 0▼,R▲5 0
▼で示されるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲ
ンとしては塩素，臭素，弗素，沃素が挙げられ、直鎖
状，分枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロア
ルキル基のアルキル基及びＲ▲8 0▼で示される直鎖状又
は分枝状のアルキル基のアルキル基としては、例えばメ
チル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，アミル基，
ヘキシル基，オクチル基，デシル基等炭素数１〜10のア
ルキル基が挙げられる。
合物に於て、Ｒ▲1 0▼,R▲2 0▼,R▲3 0▼で示されるハロ
ゲン原子及びハロアルキル基のハロゲンとしては、塩
素，臭素，弗素，沃素が挙げられ、直鎖状，分枝状又は
環状のアルキル基のアルキル基、ハロアルキル基のアル
キル基、Ｒ▲6 0▼で示される直鎖状又は分枝状のアルキ
ル基のアルキル基、同じくＲ▲6 0▼で示されるアルキル
置換シリル基のアルキル基、同ハロアルキル基のアルキ
ル基、同アルコキシアルキル基のアルキル基及びアルコ
キシ基のアルキル基、同直鎖状又は分枝状のアルキルオ
キシカルボニル基のアルキル基及びＲ▲7 0▼で示される
直鎖状又は分枝状のアルキル基のアルキル基としては、
例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ア
ミル基，ヘキシル基，オクチル基，デシル基等炭素数１
〜10のアルキル基が挙げられる。また、Ｒ▲4 0▼,R▲5 0
▼で示されるハロゲン原子及びハロアルキル基のハロゲ
ンとしては塩素，臭素，弗素，沃素が挙げられ、直鎖
状，分枝状又は環状のアルキル基のアルキル基、ハロア
ルキル基のアルキル基及びＲ▲8 0▼で示される直鎖状又
は分枝状のアルキル基のアルキル基としては、例えばメ
チル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，アミル基，
ヘキシル基，オクチル基，デシル基等炭素数１〜10のア
ルキル基が挙げられる。
本発明で用られる一般式［Ｉ］で示される感光性化合
物の内、特に好ましいものとしては下記一般式［I a］
で示される化合物が挙げられる。
物の内、特に好ましいものとしては下記一般式［I a］
で示される化合物が挙げられる。
（式中、Ｒ▲1 0▼〜Ｒ▲5 0▼、X0及びｎは前記と同
じ。） 即ち、本発明者は露光により酸を発生する感光性化合
物について鋭意研究の途上、ベンゼンスルホン酸エステ
ルに電子吸引基であるニトロ基を導入すると、より好ま
しくはスルホニル基のオルト位にニトロ基を導入する
と、露光によりニトロ基の効果でスルホニル基が励起さ
れてスルホン酸エステルが解離しやすくなり、レジスト
膜に存在する水の影響で低露光量でニトロベンゼンスル
ホン酸が効率良く生成することを見出し、本発明を完成
するに至った。
じ。） 即ち、本発明者は露光により酸を発生する感光性化合
物について鋭意研究の途上、ベンゼンスルホン酸エステ
ルに電子吸引基であるニトロ基を導入すると、より好ま
しくはスルホニル基のオルト位にニトロ基を導入する
と、露光によりニトロ基の効果でスルホニル基が励起さ
れてスルホン酸エステルが解離しやすくなり、レジスト
膜に存在する水の影響で低露光量でニトロベンゼンスル
ホン酸が効率良く生成することを見出し、本発明を完成
するに至った。
一般式［I a］で示される化合物の中の代表的なもの
としては、例えば下記一般式［I b］、［I c］及び［I
d］で示される化合物を挙げることができる。
としては、例えば下記一般式［I b］、［I c］及び［I
d］で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ▲1 0▼〜Ｒ▲5 0▼及びｎは前記と同じ。） 本発明で用いられる溶剤としては、樹脂と感光性化合
物の両者を溶解可能なものであれば何れにても良いが、
通常は365nm及び248.4nm付近に吸収を有しないものがよ
き好ましく用いられる。より具体的にはエチルセロソル
ブアセテート、メチルセロソルブアセテート、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、乳酸エチル、乳酸メチ
ル、ジオキサン又はエチレングリコールモノイソプロピ
ルエーテル等が挙げられるが勿論これ等に限定されるも
のではない。
物の両者を溶解可能なものであれば何れにても良いが、
通常は365nm及び248.4nm付近に吸収を有しないものがよ
き好ましく用いられる。より具体的にはエチルセロソル
ブアセテート、メチルセロソルブアセテート、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、乳酸エチル、乳酸メチ
ル、ジオキサン又はエチレングリコールモノイソプロピ
ルエーテル等が挙げられるが勿論これ等に限定されるも
のではない。
本発明に係る樹脂は300nm以上の波長領域で光の吸収
がなく、365nmのｉ線光には極めて高い光透過性を有し
ている。また、酸発生剤についてもｉ線光でも酸が発生
する事が確認されており、化学増幅作用が利用出来る。
従って、本発明のレジスト材料は化学増幅方法を利用し
て低露光量のkrFエキシマレーザ光（248.4nm）やｉ線光
（365nm）を用いてパターン形成可能なレジスト材料で
ある。
がなく、365nmのｉ線光には極めて高い光透過性を有し
ている。また、酸発生剤についてもｉ線光でも酸が発生
する事が確認されており、化学増幅作用が利用出来る。
従って、本発明のレジスト材料は化学増幅方法を利用し
て低露光量のkrFエキシマレーザ光（248.4nm）やｉ線光
（365nm）を用いてパターン形成可能なレジスト材料で
ある。
「作用」 本発明の作用について説明すると、先ず、krFエキシ
マレーザ光、ｉ線光等で露光された部位は例えば下記
（Ａ）で示される光反応に従って酸が発生する。
マレーザ光、ｉ線光等で露光された部位は例えば下記
（Ａ）で示される光反応に従って酸が発生する。
露光工程に続いて加熱処理すると下記（Ｂ）の反応式
に従って樹脂の官能基が酸により化学変化を受け、アル
カリ可溶性となり、現像の際、現像液に溶出してくる。
に従って樹脂の官能基が酸により化学変化を受け、アル
カリ可溶性となり、現像の際、現像液に溶出してくる。
他方、未露光部は酸が発生しない為、加熱処理しても
化学変化は起らず、アルカリ可溶性基の発現はない。ま
た、樹脂自身の耐熱性が高い為、加熱処理時、樹脂の軟
化は認められない、このように本発明のレジスト材料を
用いてパターン形成を行った場合には露光部と未露光部
との間でアルカリ現像液に対して大きな溶解度差を生
じ、しかも、未露光部の樹脂が加熱処理時、軟化しない
のでその結果、良好なコントラストを有したポジ型のパ
ターンが形成される。また、前記反応式（Ｂ）で示され
るように露光で発生した酸は触媒的に作用する為、露光
は必要な酸を発生させるだけでよく、露光エネルギー量
の低減が可能となる。
化学変化は起らず、アルカリ可溶性基の発現はない。ま
た、樹脂自身の耐熱性が高い為、加熱処理時、樹脂の軟
化は認められない、このように本発明のレジスト材料を
用いてパターン形成を行った場合には露光部と未露光部
との間でアルカリ現像液に対して大きな溶解度差を生
じ、しかも、未露光部の樹脂が加熱処理時、軟化しない
のでその結果、良好なコントラストを有したポジ型のパ
ターンが形成される。また、前記反応式（Ｂ）で示され
るように露光で発生した酸は触媒的に作用する為、露光
は必要な酸を発生させるだけでよく、露光エネルギー量
の低減が可能となる。
［実施例］ 以下に実施例、参考例を挙げて本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれ等に何ら制約を受けるものでは
ない。
明するが、本発明はこれ等に何ら制約を受けるものでは
ない。
参考例 1. ｐ−tert−ブトキシスチレン88g及びフマロニトリル3
9gを2,2′−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチ
ル）の存在下、トルエン溶媒中、窒素気流下、90℃で２
時間重合反応させた。反応後、反応液をメタノール中に
注入させて晶析させ、析出晶を濾取、乾燥してｐ−tert
−ブトキシスチレン−フマロニトリル共重合体（▲
▼約10.000） 120gを得た。
9gを2,2′−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチ
ル）の存在下、トルエン溶媒中、窒素気流下、90℃で２
時間重合反応させた。反応後、反応液をメタノール中に
注入させて晶析させ、析出晶を濾取、乾燥してｐ−tert
−ブトキシスチレン−フマロニトリル共重合体（▲
▼約10.000） 120gを得た。
実施例 1. 下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ｐ−tert−ブトキシスチレン− フマロニトリル共重合体 第１図を用いて上記レジスト材料を使用したパターン
形成方法を説明する。半導体等の基板１上に上記レジス
ト材料２を回転塗布し、90℃、90秒間ホットプレートで
ソフトベーク後、1.0μｍの膜厚のレジスト材料膜を得
た（第１図（ａ））。次に248.4nmのkrFエキシマレーザ
光３をマスク４を介して選択的に露光した（第１図
（ｂ））。そして130℃、90秒間ホットプレートでベー
ク後、アルカリ現像液（2.38％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液）で60秒間現像することにより、
レジスト材料２の露光部のみを溶解除去し、ポジ型パタ
ーン2aを得た（第１図（）ｃ）。このレジスト材料膜
（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線を第２図に示
す。露光前後の透過率はほとんど変化せず、露光後も約
65％と高い透過性を示している。また、この時のポジ型
パターンのアスペクト比は約87度の好形状の0.3μｍラ
インアンドスペースパターンであった。更にこのレジス
ト材料膜（１μｍ）のγ特性を第３図に示す。この材料
は最小露光量10mJ/cm2という高感度であった。
形成方法を説明する。半導体等の基板１上に上記レジス
ト材料２を回転塗布し、90℃、90秒間ホットプレートで
ソフトベーク後、1.0μｍの膜厚のレジスト材料膜を得
た（第１図（ａ））。次に248.4nmのkrFエキシマレーザ
光３をマスク４を介して選択的に露光した（第１図
（ｂ））。そして130℃、90秒間ホットプレートでベー
ク後、アルカリ現像液（2.38％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液）で60秒間現像することにより、
レジスト材料２の露光部のみを溶解除去し、ポジ型パタ
ーン2aを得た（第１図（）ｃ）。このレジスト材料膜
（１μｍ）の露光前後の紫外線分光曲線を第２図に示
す。露光前後の透過率はほとんど変化せず、露光後も約
65％と高い透過性を示している。また、この時のポジ型
パターンのアスペクト比は約87度の好形状の0.3μｍラ
インアンドスペースパターンであった。更にこのレジス
ト材料膜（１μｍ）のγ特性を第３図に示す。この材料
は最小露光量10mJ/cm2という高感度であった。
実施例 2. 実施例１に於て樹脂を下記に示すスチレン系樹脂に変
更し、それ以外は実施例１と同様にしてレジスト材料を
調製し、実施例１と同様の実験を行った。
更し、それ以外は実施例１と同様にしてレジスト材料を
調製し、実施例１と同様の実験を行った。
ｐ−tert−ブトキシスチレン− ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（▲▼約13,0
00） その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた、
このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約15mJ
/cm2の露光エネルギー量でパターン形成が可能であっ
た。
00） その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた、
このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約15mJ
/cm2の露光エネルギー量でパターン形成が可能であっ
た。
実施例 3. 実施例１に於て感光性化合物を下記に示す化合物に変
更し、それ以外は実施例１と同様にしてレジスト材料を
調製し、実施例１と同様の実験を行った。
更し、それ以外は実施例１と同様にしてレジスト材料を
調製し、実施例１と同様の実験を行った。
その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた。
このレジスト材料を用いてポジ型パターンは約12mJ/cm2
の露光エネルギー量でパターン形成が可能であった。
このレジスト材料を用いてポジ型パターンは約12mJ/cm2
の露光エネルギー量でパターン形成が可能であった。
実施例 4. 実施例２に於て感光性化合物を下記に示す化合物に変
更し、それ以外は実施例２と同様にしてレジスト材料を
調製し、実施例２と同様の実験を行った。
更し、それ以外は実施例２と同様にしてレジスト材料を
調製し、実施例２と同様の実験を行った。
その結果、実施例２と同様の良好な結果が得られた。
このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約12mJ
/cm2の露光エネルギー量でパターン形成が可能であっ
た。
このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約12mJ
/cm2の露光エネルギー量でパターン形成が可能であっ
た。
実施例 5. ｐ−メトキシメトキシスチレン− マレイン酸系共重合体（▲▼約15,00） 上記の組成で調製されたレジスト材料を用いて実施例
１と同様の実験を行った。
１と同様の実験を行った。
その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた。
このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約18mJ
/cm2の露光エネルギー量でパターン形成が可能であっ
た。
このレジスト材料を用いて得たポジ型パターンは約18mJ
/cm2の露光エネルギー量でパターン形成が可能であっ
た。
［発明の効果］ 本発明に係るレジスト材料を400nm以下の光源例えば3
65nmのｉ線光、300nm以下の遠紫外光（Deep UV）、例
えばkrFエキシマレーザ光（248.4nm）等の露光用レジス
ト材料として用いた場合には、サブミクロンオーダーの
形状の良い微細なパターンが容易に得られる。従って本
発明は、半導体産業等に於ける超微細パターンの形成に
とって大きな価値を有するものである。
65nmのｉ線光、300nm以下の遠紫外光（Deep UV）、例
えばkrFエキシマレーザ光（248.4nm）等の露光用レジス
ト材料として用いた場合には、サブミクロンオーダーの
形状の良い微細なパターンが容易に得られる。従って本
発明は、半導体産業等に於ける超微細パターンの形成に
とって大きな価値を有するものである。
尚、本レジスト材料はｉ線光や遠紫外光、krFエキシ
マレーザ光で特に効果を発揮するが、電子線やＸ線でも
充分使用が可能である。
マレーザ光で特に効果を発揮するが、電子線やＸ線でも
充分使用が可能である。
第１図〜第３図は実施例１で得られた結果を示し、第１
図は本発明のレジスト材料を用いたパターン形成方法の
工程断面図、第２図は本発明のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第３
図は本発明のレジスト材料のγ特性図を夫々示す。また
第４図は従来のレジスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、第５図は従来のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第６
図は従来のレジスト材料のγ特性図である。 １……基板、２……本発明のレジスト材料膜、３……kr
Fエキシマレーザ光、４……マスク、５……従来のレジ
スト材料膜、2a……本発明のレジスト材料膜で得られた
パターン、5a……従来のレジスト材料膜で得られたパタ
ーン。
図は本発明のレジスト材料を用いたパターン形成方法の
工程断面図、第２図は本発明のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第３
図は本発明のレジスト材料のγ特性図を夫々示す。また
第４図は従来のレジスト材料を用いたパターン形成方法
の工程断面図、第５図は従来のレジスト材料の紫外線分
光曲線図（但し、実線は露光前、破線は露光後）、第６
図は従来のレジスト材料のγ特性図である。 １……基板、２……本発明のレジスト材料膜、３……kr
Fエキシマレーザ光、４……マスク、５……従来のレジ
スト材料膜、2a……本発明のレジスト材料膜で得られた
パターン、5a……従来のレジスト材料膜で得られたパタ
ーン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 桂二 埼玉県川越市大字的場1633番地 和光純 薬工業株式会社東京研究本部内 (56)参考文献 特開 昭61−3141（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/18
Claims (7)
- 【請求項１】酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けて
アルカリ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱
性を付与する成分とから構成される耐熱性樹脂と、露光
により酸を発生する下記一般式［Ｉ］で示される感光性
化合物と、この両者を溶解可能な溶剤とを含んで成るこ
とを特徴とするレジスト材料。 ［式中、Ｒ▲1 0▼、Ｒ▲2 0▼、Ｒ▲3 0▼は夫々独立して
水素原子、ハロゲン原子、直鎖状，分枝状又は環状のア
ルキル基、ハロアルキル基、−OR▲6 0▼（但し、Ｒ▲6 0
▼は直鎖状又は分枝状のアルキル基、アルキル置換シリ
ル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル
基、ハロアルキル基、アルコキシアルキル基、直鎖状又
は分枝状のアルキルオキシカルボニル基を表わす。）、
ニトロ基、ニトリル基、アミド基又は−COOR▲7 0▼基
（但し、Ｒ▲7 0▼は直鎖状又は分枝状のアルキル基を表
わす。）を表わし、Ｒ▲4 0▼、Ｒ▲5 0▼は夫々独立して
水素原子、ハロゲン原子、直鎖状，分枝状又は環状のア
ルキル基、ハロアルキル基、−OR▲8 0▼（但し、Ｒ▲8 0
▼は直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。）、ニト
ロ基又はニトリル基を表わし、X0は炭素原子、フェニル
基又はナフチル基を表わし、ｎは０〜３の整数を表わ
す。］ - 【請求項２】一般式［Ｉ］で示される感光性化合物が、
下記一般式［I a］で示される感光性化合物である、請
求項（１）に記載のレジスト材料。 （式中、Ｒ▲1 0▼〜Ｒ▲5 0▼、X0及びｎは前記と同
じ。） - 【請求項３】一般式［I a］で示される感光性化合物
が、下記一般式［I b］で示される感光性化合物であ
る、請求項（２）に記載のレジスト材料。 （式中、Ｒ▲1 0▼〜Ｒ▲5 0▼は前記と同じ。） - 【請求項４】一般式［I a］で示される感光性化合物
が、下記一般式［I c］で示される感光性化合物であ
る、請求項（２）に記載のレジスト材料。 （式中、Ｒ▲1 0▼〜Ｒ▲5 0▼は前記と同じ。） - 【請求項５】一般式［I a］で示される感光性化合物
が、下記一般式［I d］で示される感光性化合物であ
る、請求項（２）に記載のレジスト材料。 （式中、Ｒ▲1 0▼〜Ｒ▲5 0▼及びｎは前記と同じ。） - 【請求項６】酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けて
アルカリ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱
性を付与する成分とから構成される耐熱性樹脂が下記一
般式［II］ ［式中、R1はメチル基、イソプロピル基、tert−ブチル
基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、テト
ラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基。ノリメ
チルシリル基、tert−ブトキシカルボニル基又はイソプ
ロポキシカルボニル基を表わし、R2は水素原子、ハロゲ
ン原子又はメチル基を表わし、R3は水素原子、ｐ−ヒド
ロキシフェニル基、ｐ−クロルフェニル基、フェニル
基、シアノ基又は−COOR7（但し、R7は炭素数３〜10の
分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表わ
す。）を表わし、R4及びR6が夫々独立して水素原子、メ
チル基又はハロゲン原子を表わし、R5は水素原子、シア
ノ基又は−COOR8（但し、R8は炭素数３〜10の分岐状又
は環状のアルキル基、又は水素原子を表わす。）を表わ
し、R9は水素原子又は−COOR10（但し、R10は炭素数３
〜10の分岐状又は環状のアルキル基、又は水素原子を表
わす。）を表わし、ｋ及び１は夫々独立して自然数を表
わす。］で示される樹脂である請求項（１）〜（５）の
何れかに記載のレジスト材料。 - 【請求項７】酸雰囲気下で加熱により化学変化を受けて
アルカリ可溶性となる官能基を有する成分と樹脂に耐熱
性を付与する成分とから構成される耐熱性樹脂が下記一
般式［III］ ［式中、Ｘは酸素原子又はＮ−（CH2）ｑ−R11（但し、
R11は炭素数１〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
ル基又は置換基を有していても良いフェニル基を表わ
し、ｑは０又は自然数を表わす。）を表わし、１′及び
ｐは夫々独立して０又は自然数を表わし、R1,R2,R3,R4,
R5,R6,R9及びｋは前記と同じ。］で示される樹脂である
請求項（１）〜（５）の何れかに記載のレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019613A JP2847413B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019613A JP2847413B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223862A JPH03223862A (ja) | 1991-10-02 |
| JP2847413B2 true JP2847413B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=12004036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019613A Expired - Lifetime JP2847413B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847413B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2847414B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1999-01-20 | 和光純薬工業株式会社 | レジスト材料 |
| JP2849666B2 (ja) * | 1990-08-01 | 1999-01-20 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料 |
| DE4136213A1 (de) * | 1991-11-02 | 1993-05-06 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen, De | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| JPH06214395A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| TW288112B (ja) * | 1993-06-02 | 1996-10-11 | Sumitomo Chemical Co | |
| TW502133B (en) | 1999-06-10 | 2002-09-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Resist composition, agent and method for reducing substrate dependence thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2847414B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1999-01-20 | 和光純薬工業株式会社 | レジスト材料 |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2019613A patent/JP2847413B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03223862A (ja) | 1991-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2715881B2 (ja) | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 | |
| US5585222A (en) | Resist composition and process for forming resist pattern | |
| KR100377809B1 (ko) | 네거티브형 포토레지스트조성물 | |
| JP4056208B2 (ja) | 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
| KR100195583B1 (ko) | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 | |
| JP3008594B2 (ja) | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 | |
| JP3235771B2 (ja) | 橋かけポリマー | |
| JPH03289658A (ja) | ポジ画像の形成方法 | |
| JPH03223860A (ja) | 新規レジスト材料 | |
| JPH06214387A (ja) | 放射感応性混合物 | |
| JP3228193B2 (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| KR100587756B1 (ko) | 레지스트 조성물 | |
| KR20010018905A (ko) | 두 개의 이중결합을 가지는 가교제를 단량체로 포함하는 포토레지스트용 공중합체 | |
| JP2005194498A (ja) | 新規の重合体及びこれを含有した化学増幅型レジスト | |
| JP2847414B2 (ja) | レジスト材料 | |
| JP2847413B2 (ja) | レジスト材料 | |
| JP3022412B2 (ja) | ネガ型フォトレジスト材料、およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2747735B2 (ja) | レジスト材料 | |
| US5328973A (en) | Radiation-sensitive mixture with a polymeric binder containing units of α,β-unsaturated carboxamides | |
| CN1099052C (zh) | 光致抗蚀剂共聚物及其组合物 | |
| JP3024621B2 (ja) | レジスト材料用酸発生剤 | |
| JP3510502B2 (ja) | 化学増幅型フォトレジストの溶解抑制剤及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 | |
| JPH03223863A (ja) | レジスト材料 | |
| JP4288025B2 (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| JP2006022335A (ja) | 酸に不安定な保護基を有するフェノール樹脂 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101106 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101106 Year of fee payment: 12 |