JPH0320954B2 - - Google Patents
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- JPH0320954B2 JPH0320954B2 JP56075489A JP7548981A JPH0320954B2 JP H0320954 B2 JPH0320954 B2 JP H0320954B2 JP 56075489 A JP56075489 A JP 56075489A JP 7548981 A JP7548981 A JP 7548981A JP H0320954 B2 JPH0320954 B2 JP H0320954B2
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インタレース方式採用表示システム
に適合したビデオ出力が得られる2次元固体撮像
装置に関するものである。
に適合したビデオ出力が得られる2次元固体撮像
装置に関するものである。
一般の放送用TVシステムは、各フレーム周期
(1/30又は1/25秒)を2フイールドで表示する
2:1のインタレース方式を採用している。その
ため、既存システムに適合するには、2次元固体
撮像装置はインタレース方式に合つた形式のビデ
オ出力が得られる必要がある。
(1/30又は1/25秒)を2フイールドで表示する
2:1のインタレース方式を採用している。その
ため、既存システムに適合するには、2次元固体
撮像装置はインタレース方式に合つた形式のビデ
オ出力が得られる必要がある。
そこで、従来の2次元固体撮像装置たとえばイ
ンタライン転送構造のCCDイメージセンサでは、
例えば第1図に示すように、マトリクス状に配列
された複数個の光電変換素子P11〜Pnoのうち奇数
行の素子の蓄積情報を、先ず各列に対応して設け
られた垂直転送路100に転送ゲート101を介
し転送して該垂直転送路100及び水平転送路1
02を介して奇数フイールドのビデオ信号として
取出し、次に、偶数行の光電変換素子の蓄積情報
を転送ゲート101を介し垂直転送路100に転
送して該垂直転送路100及び水平転送路102
を介して偶数フイールドのビデオ信号として取出
している。第2図は、このときの奇数行および偶
数行の光電変換素子の露光タイミング及びその情
報の垂直転送タイミングを示したものであり、例
えば露光が1/30秒で行なわれる場合、奇数行と偶
数行の露光タイミングを1/60秒異ならせ、他方の
露光期間中に一方の垂直転送を完了するようにし
ている。
ンタライン転送構造のCCDイメージセンサでは、
例えば第1図に示すように、マトリクス状に配列
された複数個の光電変換素子P11〜Pnoのうち奇数
行の素子の蓄積情報を、先ず各列に対応して設け
られた垂直転送路100に転送ゲート101を介
し転送して該垂直転送路100及び水平転送路1
02を介して奇数フイールドのビデオ信号として
取出し、次に、偶数行の光電変換素子の蓄積情報
を転送ゲート101を介し垂直転送路100に転
送して該垂直転送路100及び水平転送路102
を介して偶数フイールドのビデオ信号として取出
している。第2図は、このときの奇数行および偶
数行の光電変換素子の露光タイミング及びその情
報の垂直転送タイミングを示したものであり、例
えば露光が1/30秒で行なわれる場合、奇数行と偶
数行の露光タイミングを1/60秒異ならせ、他方の
露光期間中に一方の垂直転送を完了するようにし
ている。
ところで、近時、動面の任意の画面を静止画と
して得たいという要求が強く、そのため最近のビ
デオシステムにおいては静止画を得るスチル機構
が付加されているものが多い。しかしながら、従
来の2次元固体撮像装置では前述の如く奇数フイ
ールドと偶数フイールドとで露光タイミングにず
れがあるため、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して2フイールドで1画面を構成したのでは、
動きのある被写体の場合画像にずれを生じ、画面
がちらちらして落ち着きのないものとなつてしま
う。そこで、これを防ぐため現状のビデオシステ
ムにおいては、静止画を出す場合、通常1フイー
ルドだけを再生することにしており、従つて解像
力が半分に低下し、画質が劣化する欠点があつ
た。
して得たいという要求が強く、そのため最近のビ
デオシステムにおいては静止画を得るスチル機構
が付加されているものが多い。しかしながら、従
来の2次元固体撮像装置では前述の如く奇数フイ
ールドと偶数フイールドとで露光タイミングにず
れがあるため、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して2フイールドで1画面を構成したのでは、
動きのある被写体の場合画像にずれを生じ、画面
がちらちらして落ち着きのないものとなつてしま
う。そこで、これを防ぐため現状のビデオシステ
ムにおいては、静止画を出す場合、通常1フイー
ルドだけを再生することにしており、従つて解像
力が半分に低下し、画質が劣化する欠点があつ
た。
本発明はこのような従来の欠点を改善したもの
であり、その目的は、ビデオ出力がインタレース
方式採用表示システムに適合する2次元固体撮像
装置において、高品質の静止画が得られるように
することにある。従つて、本発明の構成は下記に
示す通りである。即ち、本発明は、マトリクス状
に配列された複数個の光電変換素子と、該複数個
の光電変換素子の各列に対応して設けられた第1
及び第2の垂直転送路と、該第1及び第2の垂直
転送路で転送されてきた信号を並列直列変換して
同一の出力段に出力する単一の水平転送路と、前
記複数個の光電変換素子のうち奇数行の光電変換
素子の蓄積情報は前記第1の垂直転送路に、偶数
行の光電変換素子の蓄積情報は前記第2の垂直転
送路にそれぞれ同時に転送するゲート手段と、前
記第1及び第2の垂直転送路並びに前記水平転送
路の転送制御を行なつて先ず第1の垂直転送路に
転転送された前記奇数行の光電変換素子の蓄積情
報を奇数フイールドのビデオ信号として出力さ
せ、次に前記第2の垂直転送路に転送された前記
偶数行の光電変換素子の蓄積情報を偶数フイール
ドのビデオ信号として出力させる転送制御部とを
具備したことを特徴とする2次元固体撮像装置と
しての構成を有するものである。以下実施例につ
いて詳細に説明する。
であり、その目的は、ビデオ出力がインタレース
方式採用表示システムに適合する2次元固体撮像
装置において、高品質の静止画が得られるように
することにある。従つて、本発明の構成は下記に
示す通りである。即ち、本発明は、マトリクス状
に配列された複数個の光電変換素子と、該複数個
の光電変換素子の各列に対応して設けられた第1
及び第2の垂直転送路と、該第1及び第2の垂直
転送路で転送されてきた信号を並列直列変換して
同一の出力段に出力する単一の水平転送路と、前
記複数個の光電変換素子のうち奇数行の光電変換
素子の蓄積情報は前記第1の垂直転送路に、偶数
行の光電変換素子の蓄積情報は前記第2の垂直転
送路にそれぞれ同時に転送するゲート手段と、前
記第1及び第2の垂直転送路並びに前記水平転送
路の転送制御を行なつて先ず第1の垂直転送路に
転転送された前記奇数行の光電変換素子の蓄積情
報を奇数フイールドのビデオ信号として出力さ
せ、次に前記第2の垂直転送路に転送された前記
偶数行の光電変換素子の蓄積情報を偶数フイール
ドのビデオ信号として出力させる転送制御部とを
具備したことを特徴とする2次元固体撮像装置と
しての構成を有するものである。以下実施例につ
いて詳細に説明する。
第3図は本発明実施例装置の説明図であり、P
はフオトダイオード等の光電変換素子、300,
301はCCD,BBD等で構成された第1及び第
2の垂直アナログ転送レジスタ、302,303
は第1及び第2の転送ゲート、304は垂直転送
ゲート、305はCCD,BBD等で構成された水
平アナログ転送レジスタであり、この水平アナロ
グ転送レジスタ305及び第1、第2の垂直アナ
ログ転送レジスタ300,301は遮光されてお
り、光電変換素子Pに光照射があつても転送レジ
スタ中の信号はそのまま保持される構成となつて
いる。また、306は転送ゲート制御部、307
は垂直転送制御部、308は水平転送制御部、3
09はビデオ出力端子、φP1,φP2はゲートロツ
ク、φV1,φV2,φ′V1,φ′V2は垂直転送クロツク、
φH1,φH2は水平転送クロツクである。
はフオトダイオード等の光電変換素子、300,
301はCCD,BBD等で構成された第1及び第
2の垂直アナログ転送レジスタ、302,303
は第1及び第2の転送ゲート、304は垂直転送
ゲート、305はCCD,BBD等で構成された水
平アナログ転送レジスタであり、この水平アナロ
グ転送レジスタ305及び第1、第2の垂直アナ
ログ転送レジスタ300,301は遮光されてお
り、光電変換素子Pに光照射があつても転送レジ
スタ中の信号はそのまま保持される構成となつて
いる。また、306は転送ゲート制御部、307
は垂直転送制御部、308は水平転送制御部、3
09はビデオ出力端子、φP1,φP2はゲートロツ
ク、φV1,φV2,φ′V1,φ′V2は垂直転送クロツク、
φH1,φH2は水平転送クロツクである。
本実施例の2次元固体撮像装置は、同図に示す
ように、複数個の光電変換素子Pがマトリクス状
に配列され、この光電変換素子の各列に対応して
第1及び第2の2個の垂直アナログ転送レジスタ
300,301が設けられている。
ように、複数個の光電変換素子Pがマトリクス状
に配列され、この光電変換素子の各列に対応して
第1及び第2の2個の垂直アナログ転送レジスタ
300,301が設けられている。
第1の転送ゲート302は複数個の光電変換素
子Pのうちの奇数行の素子の蓄積情報を第1の垂
直アナログ転送レジスタ300に転送するための
ものであり、第2の転送ゲート303は偶数行の
素子の蓄積情報を第2の垂直アナログ転送レジス
タ301に転送するためのものである。これら第
1及び第2の転送ゲート302,303は転送制
御部306からのゲートクロツクφP1によつて両
者とも同タイミングで開閉制御される。
子Pのうちの奇数行の素子の蓄積情報を第1の垂
直アナログ転送レジスタ300に転送するための
ものであり、第2の転送ゲート303は偶数行の
素子の蓄積情報を第2の垂直アナログ転送レジス
タ301に転送するためのものである。これら第
1及び第2の転送ゲート302,303は転送制
御部306からのゲートクロツクφP1によつて両
者とも同タイミングで開閉制御される。
第1、第2の垂直アナログ転送レジスタ30
0,301は、光電変換素子Pから転送された信
号を順次上方にシフトして垂直転送ゲート304
を介して水平アナログ転送レジスタ305に送り
込むものであり、水平アナログ転送レジスタ30
5は、該転送された信号を並列−直列変換してビ
デオ出力端子309にビデオ信号として出力す
る。第1の垂直アナログ転送レジスタ300は垂
直転送制御部からの2相の垂直転送クロツクφV1,
φV2によつて転送制御され、第2の垂直アナログ
転送レジスタは2相の垂直転送クロツクφ′V1,
φ′V2によつて転送制御されている。また、水平ア
ナログ転送レジスタ305は水平転送制御部30
8からの2相の水平転送クロツクφH1,φH2によつ
て制御される。なお、垂直転送ゲート304は転
送ゲート制御部306からのゲートクロツクφP2
によつて開閉制御される。
0,301は、光電変換素子Pから転送された信
号を順次上方にシフトして垂直転送ゲート304
を介して水平アナログ転送レジスタ305に送り
込むものであり、水平アナログ転送レジスタ30
5は、該転送された信号を並列−直列変換してビ
デオ出力端子309にビデオ信号として出力す
る。第1の垂直アナログ転送レジスタ300は垂
直転送制御部からの2相の垂直転送クロツクφV1,
φV2によつて転送制御され、第2の垂直アナログ
転送レジスタは2相の垂直転送クロツクφ′V1,
φ′V2によつて転送制御されている。また、水平ア
ナログ転送レジスタ305は水平転送制御部30
8からの2相の水平転送クロツクφH1,φH2によつ
て制御される。なお、垂直転送ゲート304は転
送ゲート制御部306からのゲートクロツクφP2
によつて開閉制御される。
第4図は第3図示装置を動作させた場合におけ
る奇数行と偶数行の光電変換素子の露光タイミン
グ、第1及び第2の垂直アナログ転送レジスタ3
00,301の転送タイミングおよびビデオ出力
信号の時間的変化を示す線図である。
る奇数行と偶数行の光電変換素子の露光タイミン
グ、第1及び第2の垂直アナログ転送レジスタ3
00,301の転送タイミングおよびビデオ出力
信号の時間的変化を示す線図である。
同図に示すように、本実施例装置においては、
奇数行の光電変換素子と偶数行の光電変換素子と
の露光タイミングは同一であり、奇数、偶数列と
も同一のゲートクロツクφP1のタイミングで第1
又は第2の垂直アナログ転送レジスタ300,3
01にその蓄積情報が転送される。そして、先ず
第1の垂直アナログ転送レジスタ300の内容が
クロツクφV1,φV2によつて垂直転送ゲート304
を介して水平アナロゲ転送レジスタ305に送り
込まれて奇数フイールドのビデオ信号として外部
に読出され、次に第2の垂直アナログ転送レジス
タ301の内容がクロツクφ′V1,φ′V2によつて水
平アナログ転送レジスタ305に転送され偶数フ
イールドのビデオ信号としてビデオ出力端子30
9から出力される。前述したように、第1、第2
の垂直アナログ転送レジスタ300,301は、
光照射の影響を受けずにそのまま信号を転送する
ものであるから、奇数行と偶数行の光電変換素子
は同一期間中の被写体の画素情報を表わすことに
なり、従つて、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して2フイールドで1画面を構成しても、ちら
つきはなく、高品質で高画質の静止画を得ること
が可能となる。
奇数行の光電変換素子と偶数行の光電変換素子と
の露光タイミングは同一であり、奇数、偶数列と
も同一のゲートクロツクφP1のタイミングで第1
又は第2の垂直アナログ転送レジスタ300,3
01にその蓄積情報が転送される。そして、先ず
第1の垂直アナログ転送レジスタ300の内容が
クロツクφV1,φV2によつて垂直転送ゲート304
を介して水平アナロゲ転送レジスタ305に送り
込まれて奇数フイールドのビデオ信号として外部
に読出され、次に第2の垂直アナログ転送レジス
タ301の内容がクロツクφ′V1,φ′V2によつて水
平アナログ転送レジスタ305に転送され偶数フ
イールドのビデオ信号としてビデオ出力端子30
9から出力される。前述したように、第1、第2
の垂直アナログ転送レジスタ300,301は、
光照射の影響を受けずにそのまま信号を転送する
ものであるから、奇数行と偶数行の光電変換素子
は同一期間中の被写体の画素情報を表わすことに
なり、従つて、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して2フイールドで1画面を構成しても、ちら
つきはなく、高品質で高画質の静止画を得ること
が可能となる。
第5図は光電変換素子P、第1及び第2の垂直
アナログ転送レジスタ300,301の一実施例
を表わす素子断面図であり、第3図におけるA−
A′線に沿う断面を示したものであつて、500
はP形半導体基板、501はn+半導体領域、5
02,503はn-半導体領域、504はチャネ
ルストツプ、505,506はSiO2等から成る
絶縁層、507,508は第1及び第2の転送ゲ
ート電極、509,510は金属電極である。
アナログ転送レジスタ300,301の一実施例
を表わす素子断面図であり、第3図におけるA−
A′線に沿う断面を示したものであつて、500
はP形半導体基板、501はn+半導体領域、5
02,503はn-半導体領域、504はチャネ
ルストツプ、505,506はSiO2等から成る
絶縁層、507,508は第1及び第2の転送ゲ
ート電極、509,510は金属電極である。
この実施例では、P形半導体基板500とn+
半導体領域501から成るフオトダイオードを光
電変換素子Pとし、n-半導体領域502と金属
電極509から成る埋め込みチヤンネル形CCD
を第1の垂直アナログ転送レジスタ300の1エ
レメントとし、n-半導体領域503と金属電極
510から成る埋め込みチャンネル形CCDを第
2の垂直アナログ転送レジスタ301の1エレメ
ントとしたものである。第6図は第5図示素子の
ポテンシヤル図であり、転送ゲート電極507,
508に電圧を印加しないときは同図の破線60
0に示す如く光電変換部は電位の壁によつて囲ま
れるが、ゲート電極507,508及び金属電極
509,510に電圧を印加すると実線601に
示す如く電位の壁が低下して光電変換部の蓄積電
荷が転送部に移される。また垂直転送を行なうと
きは、ゲート電極507,508の印加電圧を零
にして金属電極509,510に2相の垂直転送
クロツクφV1,φV2,φ′V1,φ′V2を加え、転送部分
のポテンシヤルの深さのみを上下させるものであ
る。
半導体領域501から成るフオトダイオードを光
電変換素子Pとし、n-半導体領域502と金属
電極509から成る埋め込みチヤンネル形CCD
を第1の垂直アナログ転送レジスタ300の1エ
レメントとし、n-半導体領域503と金属電極
510から成る埋め込みチャンネル形CCDを第
2の垂直アナログ転送レジスタ301の1エレメ
ントとしたものである。第6図は第5図示素子の
ポテンシヤル図であり、転送ゲート電極507,
508に電圧を印加しないときは同図の破線60
0に示す如く光電変換部は電位の壁によつて囲ま
れるが、ゲート電極507,508及び金属電極
509,510に電圧を印加すると実線601に
示す如く電位の壁が低下して光電変換部の蓄積電
荷が転送部に移される。また垂直転送を行なうと
きは、ゲート電極507,508の印加電圧を零
にして金属電極509,510に2相の垂直転送
クロツクφV1,φV2,φ′V1,φ′V2を加え、転送部分
のポテンシヤルの深さのみを上下させるものであ
る。
ところで、本発明の如く光電変換素子の各列に
対応して2本の垂直転送路を設ける構成では、ど
うしても開口率が低下するのは否めない。従つ
て、本発明では素子の構造を工夫して受光面積を
極力大きくすることが望ましい。その一方法は、
例えば第5図における金属電極509,510に
ゲート電極507,508の機能を持たせてゲー
ト電極507,508を省略し、その分受光面積
を大きくした構造の固体撮像素子を用いることで
あり、他の有効な方法は、例えば特開昭55−
39404号公報あるいは特開昭55−27772号公報にみ
られるように、素子全面に光電変換材料層を設け
その下部に転送路を設けた所謂2階建構造の固体
撮像素子を用いることである。
対応して2本の垂直転送路を設ける構成では、ど
うしても開口率が低下するのは否めない。従つ
て、本発明では素子の構造を工夫して受光面積を
極力大きくすることが望ましい。その一方法は、
例えば第5図における金属電極509,510に
ゲート電極507,508の機能を持たせてゲー
ト電極507,508を省略し、その分受光面積
を大きくした構造の固体撮像素子を用いることで
あり、他の有効な方法は、例えば特開昭55−
39404号公報あるいは特開昭55−27772号公報にみ
られるように、素子全面に光電変換材料層を設け
その下部に転送路を設けた所謂2階建構造の固体
撮像素子を用いることである。
第7図はこの種2階建構造の固体撮像素子の一
例を表わす素子断面図であり、第5図と同様に第
3図におけるA−A′線に沿う断面を示す。この
素子は、P形半導体基板700と、この基板内に
ダイオードを形成する如く設けられたn+領域7
01と、BBD動作の際における電位の井戸とな
るn+領域702と、この領域上にゲート酸化膜
703を介してn+領域701と重なりを有する
ように設けられたゲート電極704と、絶縁膜7
05によつて半導体基板700及びゲート電極7
04と電気的に分離されるようにしてn+領域7
01上に設けられた電極706と、この上に設け
られた正孔阻止層707と、その上層に設けられ
た例えば(Zo1-XCdXTe)1-y(Io2Te3)yよりなる光
導電体708と、この上に形成された透明電極7
09とを備え、光導電体708中で入射光量に応
じて発生した電子−正孔対の電子を電極706を
通じてn+領域701に導き、これをゲート電極
704を動作させてn+領域702に転送するよ
うにしたものであり、光導電体708が光受光部
となるから極めて開口率が高くなるものである。
例を表わす素子断面図であり、第5図と同様に第
3図におけるA−A′線に沿う断面を示す。この
素子は、P形半導体基板700と、この基板内に
ダイオードを形成する如く設けられたn+領域7
01と、BBD動作の際における電位の井戸とな
るn+領域702と、この領域上にゲート酸化膜
703を介してn+領域701と重なりを有する
ように設けられたゲート電極704と、絶縁膜7
05によつて半導体基板700及びゲート電極7
04と電気的に分離されるようにしてn+領域7
01上に設けられた電極706と、この上に設け
られた正孔阻止層707と、その上層に設けられ
た例えば(Zo1-XCdXTe)1-y(Io2Te3)yよりなる光
導電体708と、この上に形成された透明電極7
09とを備え、光導電体708中で入射光量に応
じて発生した電子−正孔対の電子を電極706を
通じてn+領域701に導き、これをゲート電極
704を動作させてn+領域702に転送するよ
うにしたものであり、光導電体708が光受光部
となるから極めて開口率が高くなるものである。
第8図は第7図示素子を駆動する信号波形を示
す線図であり、ゲート電極704に高電位の読み
込みパルスrpが印加されると、n+領域701か
らn+領域702に電子が移送され、この移送さ
れた電子のうち奇数列の光電変換素子に対応する
ものは、ゲート電極704に加えられる低電位の
第1の転送パルス列tp1によつて垂直転送され、
偶数列に対応するものは第2の転送パルス列tp2
によつて垂直転送される。
す線図であり、ゲート電極704に高電位の読み
込みパルスrpが印加されると、n+領域701か
らn+領域702に電子が移送され、この移送さ
れた電子のうち奇数列の光電変換素子に対応する
ものは、ゲート電極704に加えられる低電位の
第1の転送パルス列tp1によつて垂直転送され、
偶数列に対応するものは第2の転送パルス列tp2
によつて垂直転送される。
なお、第7図示素子をCCD動作させる場合に
は、領域702に代えて、n+領域701からの
電子の注入を阻止するための電位障壁となるp+
領域710を設ければ良い。
は、領域702に代えて、n+領域701からの
電子の注入を阻止するための電位障壁となるp+
領域710を設ければ良い。
以上の説明から判るように、本発明に依れば、
光電変換素子の各列に対応して2本の垂直転送路
を設け、奇数列、偶数列の露光タイミングを同一
のものとして素子情報を同時に垂直転送路に転送
し、偶数列の情報を垂直転送路に一時待機させて
おいて先ず奇数行の情報を奇数フイールドのビデ
オ信号として読出し、その後偶数列の情報を偶数
フイールドのビデオ信号として読出すようにした
ものであり、奇数、偶数フイールドのビデオ信号
が同一露光タイミングのものであるから、奇数、
偶数フイールドを交互に再生して2フイールドで
1画面を構成しても、画面はちらつかず、高品質
で高画質の静止画が得られる利点がある。
光電変換素子の各列に対応して2本の垂直転送路
を設け、奇数列、偶数列の露光タイミングを同一
のものとして素子情報を同時に垂直転送路に転送
し、偶数列の情報を垂直転送路に一時待機させて
おいて先ず奇数行の情報を奇数フイールドのビデ
オ信号として読出し、その後偶数列の情報を偶数
フイールドのビデオ信号として読出すようにした
ものであり、奇数、偶数フイールドのビデオ信号
が同一露光タイミングのものであるから、奇数、
偶数フイールドを交互に再生して2フイールドで
1画面を構成しても、画面はちらつかず、高品質
で高画質の静止画が得られる利点がある。
なお、本発明は前述した実施例にのみ限定され
るものではなく、光電変換素子、垂直及び水平転
送路の構造は従来知られている任意のものを自由
に使用し得るものである。
るものではなく、光電変換素子、垂直及び水平転
送路の構造は従来知られている任意のものを自由
に使用し得るものである。
第1図は従来の2次元固体撮像装置の構成説明
図、第2図はその動作説明図、第3図は本発明実
施例装置の構成説明図、第4図はその動作説明
図、第5図及び第7図は第3図における光電変換
素子と垂直転送路のそれぞれ異なる実施例を示す
素子断面図、第6図は第5図示素子のポテンシヤ
ル図、第8図は第7図示素子を駆動する信号波形
を示す線図である。 Pは光電変換素子、300,301は第1及び
第2の垂直アナログ転送レジスタ、305は水平
アナログ転送レジスタ、306は転送ゲート制御
部、307は垂直転送制御部、308は水平転送
制御部である。
図、第2図はその動作説明図、第3図は本発明実
施例装置の構成説明図、第4図はその動作説明
図、第5図及び第7図は第3図における光電変換
素子と垂直転送路のそれぞれ異なる実施例を示す
素子断面図、第6図は第5図示素子のポテンシヤ
ル図、第8図は第7図示素子を駆動する信号波形
を示す線図である。 Pは光電変換素子、300,301は第1及び
第2の垂直アナログ転送レジスタ、305は水平
アナログ転送レジスタ、306は転送ゲート制御
部、307は垂直転送制御部、308は水平転送
制御部である。
Claims (1)
- 1 マトリクス状に配列された複数個の光電変換
素子と、該複数個の光電変換素子の各列に対応し
て設けられた第1及び第2の垂直転送路と、該第
1及び第2の垂直転送路で転送されてきた信号を
並列直列変換して同一の出力段に出力する単一の
水平転送路と、前記複数個の光電変換素子のうち
奇数行の光電変換素子の蓄積情報は前記第1の垂
直転送路に、偶数行の光電変換素子の蓄積情報は
前記第2の垂直転送路にそれぞれ同時に転送する
ゲート手段と、前記第1及び第2の垂直転送路並
びに前記水平転送路の転送制御を行なつて先ず第
1の垂直転送路に転送された前記奇数行の光電変
換素子の蓄積情報を奇数フイールドのビデオ信号
として出力させ、次に前記第2の垂直転送路に転
送された前記偶数行の光電変換素子の蓄積情報を
偶数フイールドのビデオ信号として出力させる転
送制御部とを具備したことを特徴とする2次元固
体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56075489A JPS57190471A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Two-dimensional solid state image pickup device |
US06/379,494 US4455575A (en) | 1981-05-19 | 1982-05-18 | Two-dimensional solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56075489A JPS57190471A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Two-dimensional solid state image pickup device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57190471A JPS57190471A (en) | 1982-11-24 |
JPH0320954B2 true JPH0320954B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=13577744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56075489A Granted JPS57190471A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Two-dimensional solid state image pickup device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4455575A (ja) |
JP (1) | JPS57190471A (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5847379A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPS58117776A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-13 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPS5966277A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US4745481A (en) * | 1984-01-30 | 1988-05-17 | Shoichi Tanaka | Solidstate imaging device |
JPS60236586A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 電子的撮像装置 |
JPS6238677A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
NL8602616A (nl) * | 1986-10-17 | 1988-05-16 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Beeldopneeminrichting. |
KR930009132A (ko) * | 1991-10-04 | 1993-05-22 | 김광호 | 고체 촬영 소자 |
US5663761A (en) * | 1993-09-02 | 1997-09-02 | Sony Corporation | Solid-state image pick-up apparatus with two channels |
DE69512863T2 (de) * | 1994-11-11 | 2000-04-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Ansteuerverfahren dafür |
US5614950A (en) * | 1995-08-02 | 1997-03-25 | Lg Semicon Co., Ltd. | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor |
JP3360512B2 (ja) * | 1996-01-09 | 2002-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその読み出し方法 |
US6690421B1 (en) * | 1996-10-30 | 2004-02-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Structure of solid state image pickup device |
KR100263474B1 (ko) * | 1998-01-16 | 2000-08-01 | 김영환 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
JP2002111989A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mega Chips Corp | 画像処理回路 |
JP4139641B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2008-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4020041B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2007-12-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置 |
KR20080053635A (ko) * | 2006-12-11 | 2008-06-16 | 삼성전자주식회사 | 촬영장치 및 그의 정지영상 촬영방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS524735A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electric charge transfer type image pick-up equipment |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1020656A (en) * | 1973-03-22 | 1977-11-08 | Choong-Ki Kim | Buried-channel charge-coupled linear imaging device |
JPS55122375U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-30 | ||
JPS55163951A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-20 | Toshiba Corp | Solid-state pickup unit |
EP0026904A3 (en) * | 1979-10-04 | 1981-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pick-up device |
JPS5671381A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Canon Inc | Solid-state image sensor |
-
1981
- 1981-05-19 JP JP56075489A patent/JPS57190471A/ja active Granted
-
1982
- 1982-05-18 US US06/379,494 patent/US4455575A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS524735A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electric charge transfer type image pick-up equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4455575A (en) | 1984-06-19 |
JPS57190471A (en) | 1982-11-24 |
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