JPH0320954B2 - - Google Patents
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- JPH0320954B2 JPH0320954B2 JP56075489A JP7548981A JPH0320954B2 JP H0320954 B2 JPH0320954 B2 JP H0320954B2 JP 56075489 A JP56075489 A JP 56075489A JP 7548981 A JP7548981 A JP 7548981A JP H0320954 B2 JPH0320954 B2 JP H0320954B2
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インタレース方式採用表示システム
に適合したビデオ出力が得られる２次元固体撮像
装置に関するものである。
に適合したビデオ出力が得られる２次元固体撮像
装置に関するものである。
一般の放送用TVシステムは、各フレーム周期
（1/30又は1/25秒）を２フイールドで表示する
２：１のインタレース方式を採用している。その
ため、既存システムに適合するには、２次元固体
撮像装置はインタレース方式に合つた形式のビデ
オ出力が得られる必要がある。
（1/30又は1/25秒）を２フイールドで表示する
２：１のインタレース方式を採用している。その
ため、既存システムに適合するには、２次元固体
撮像装置はインタレース方式に合つた形式のビデ
オ出力が得られる必要がある。
そこで、従来の２次元固体撮像装置たとえばイ
ンタライン転送構造のCCDイメージセンサでは、
例えば第１図に示すように、マトリクス状に配列
された複数個の光電変換素子P11〜Pnoのうち奇数
行の素子の蓄積情報を、先ず各列に対応して設け
られた垂直転送路１００に転送ゲート１０１を介
し転送して該垂直転送路１００及び水平転送路１
０２を介して奇数フイールドのビデオ信号として
取出し、次に、偶数行の光電変換素子の蓄積情報
を転送ゲート１０１を介し垂直転送路１００に転
送して該垂直転送路１００及び水平転送路１０２
を介して偶数フイールドのビデオ信号として取出
している。第２図は、このときの奇数行および偶
数行の光電変換素子の露光タイミング及びその情
報の垂直転送タイミングを示したものであり、例
えば露光が1/30秒で行なわれる場合、奇数行と偶
数行の露光タイミングを1/60秒異ならせ、他方の
露光期間中に一方の垂直転送を完了するようにし
ている。
ンタライン転送構造のCCDイメージセンサでは、
例えば第１図に示すように、マトリクス状に配列
された複数個の光電変換素子P11〜Pnoのうち奇数
行の素子の蓄積情報を、先ず各列に対応して設け
られた垂直転送路１００に転送ゲート１０１を介
し転送して該垂直転送路１００及び水平転送路１
０２を介して奇数フイールドのビデオ信号として
取出し、次に、偶数行の光電変換素子の蓄積情報
を転送ゲート１０１を介し垂直転送路１００に転
送して該垂直転送路１００及び水平転送路１０２
を介して偶数フイールドのビデオ信号として取出
している。第２図は、このときの奇数行および偶
数行の光電変換素子の露光タイミング及びその情
報の垂直転送タイミングを示したものであり、例
えば露光が1/30秒で行なわれる場合、奇数行と偶
数行の露光タイミングを1/60秒異ならせ、他方の
露光期間中に一方の垂直転送を完了するようにし
ている。
ところで、近時、動面の任意の画面を静止画と
して得たいという要求が強く、そのため最近のビ
デオシステムにおいては静止画を得るスチル機構
が付加されているものが多い。しかしながら、従
来の２次元固体撮像装置では前述の如く奇数フイ
ールドと偶数フイールドとで露光タイミングにず
れがあるため、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して２フイールドで１画面を構成したのでは、
動きのある被写体の場合画像にずれを生じ、画面
がちらちらして落ち着きのないものとなつてしま
う。そこで、これを防ぐため現状のビデオシステ
ムにおいては、静止画を出す場合、通常１フイー
ルドだけを再生することにしており、従つて解像
力が半分に低下し、画質が劣化する欠点があつ
た。
して得たいという要求が強く、そのため最近のビ
デオシステムにおいては静止画を得るスチル機構
が付加されているものが多い。しかしながら、従
来の２次元固体撮像装置では前述の如く奇数フイ
ールドと偶数フイールドとで露光タイミングにず
れがあるため、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して２フイールドで１画面を構成したのでは、
動きのある被写体の場合画像にずれを生じ、画面
がちらちらして落ち着きのないものとなつてしま
う。そこで、これを防ぐため現状のビデオシステ
ムにおいては、静止画を出す場合、通常１フイー
ルドだけを再生することにしており、従つて解像
力が半分に低下し、画質が劣化する欠点があつ
た。
本発明はこのような従来の欠点を改善したもの
であり、その目的は、ビデオ出力がインタレース
方式採用表示システムに適合する２次元固体撮像
装置において、高品質の静止画が得られるように
することにある。従つて、本発明の構成は下記に
示す通りである。即ち、本発明は、マトリクス状
に配列された複数個の光電変換素子と、該複数個
の光電変換素子の各列に対応して設けられた第１
及び第２の垂直転送路と、該第１及び第２の垂直
転送路で転送されてきた信号を並列直列変換して
同一の出力段に出力する単一の水平転送路と、前
記複数個の光電変換素子のうち奇数行の光電変換
素子の蓄積情報は前記第１の垂直転送路に、偶数
行の光電変換素子の蓄積情報は前記第２の垂直転
送路にそれぞれ同時に転送するゲート手段と、前
記第１及び第２の垂直転送路並びに前記水平転送
路の転送制御を行なつて先ず第１の垂直転送路に
転転送された前記奇数行の光電変換素子の蓄積情
報を奇数フイールドのビデオ信号として出力さ
せ、次に前記第２の垂直転送路に転送された前記
偶数行の光電変換素子の蓄積情報を偶数フイール
ドのビデオ信号として出力させる転送制御部とを
具備したことを特徴とする２次元固体撮像装置と
しての構成を有するものである。以下実施例につ
いて詳細に説明する。
であり、その目的は、ビデオ出力がインタレース
方式採用表示システムに適合する２次元固体撮像
装置において、高品質の静止画が得られるように
することにある。従つて、本発明の構成は下記に
示す通りである。即ち、本発明は、マトリクス状
に配列された複数個の光電変換素子と、該複数個
の光電変換素子の各列に対応して設けられた第１
及び第２の垂直転送路と、該第１及び第２の垂直
転送路で転送されてきた信号を並列直列変換して
同一の出力段に出力する単一の水平転送路と、前
記複数個の光電変換素子のうち奇数行の光電変換
素子の蓄積情報は前記第１の垂直転送路に、偶数
行の光電変換素子の蓄積情報は前記第２の垂直転
送路にそれぞれ同時に転送するゲート手段と、前
記第１及び第２の垂直転送路並びに前記水平転送
路の転送制御を行なつて先ず第１の垂直転送路に
転転送された前記奇数行の光電変換素子の蓄積情
報を奇数フイールドのビデオ信号として出力さ
せ、次に前記第２の垂直転送路に転送された前記
偶数行の光電変換素子の蓄積情報を偶数フイール
ドのビデオ信号として出力させる転送制御部とを
具備したことを特徴とする２次元固体撮像装置と
しての構成を有するものである。以下実施例につ
いて詳細に説明する。
第３図は本発明実施例装置の説明図であり、Ｐ
はフオトダイオード等の光電変換素子、３００，
３０１はCCD，BBD等で構成された第１及び第
２の垂直アナログ転送レジスタ、３０２，３０３
は第１及び第２の転送ゲート、３０４は垂直転送
ゲート、３０５はCCD，BBD等で構成された水
平アナログ転送レジスタであり、この水平アナロ
グ転送レジスタ３０５及び第１、第２の垂直アナ
ログ転送レジスタ３００，３０１は遮光されてお
り、光電変換素子Ｐに光照射があつても転送レジ
スタ中の信号はそのまま保持される構成となつて
いる。また、３０６は転送ゲート制御部、３０７
は垂直転送制御部、３０８は水平転送制御部、３
０９はビデオ出力端子、φP1，φP2はゲートロツ
ク、φV1，φV2，φ′V1，φ′V2は垂直転送クロツク、
φH1，φH2は水平転送クロツクである。
はフオトダイオード等の光電変換素子、３００，
３０１はCCD，BBD等で構成された第１及び第
２の垂直アナログ転送レジスタ、３０２，３０３
は第１及び第２の転送ゲート、３０４は垂直転送
ゲート、３０５はCCD，BBD等で構成された水
平アナログ転送レジスタであり、この水平アナロ
グ転送レジスタ３０５及び第１、第２の垂直アナ
ログ転送レジスタ３００，３０１は遮光されてお
り、光電変換素子Ｐに光照射があつても転送レジ
スタ中の信号はそのまま保持される構成となつて
いる。また、３０６は転送ゲート制御部、３０７
は垂直転送制御部、３０８は水平転送制御部、３
０９はビデオ出力端子、φP1，φP2はゲートロツ
ク、φV1，φV2，φ′V1，φ′V2は垂直転送クロツク、
φH1，φH2は水平転送クロツクである。
本実施例の２次元固体撮像装置は、同図に示す
ように、複数個の光電変換素子Ｐがマトリクス状
に配列され、この光電変換素子の各列に対応して
第１及び第２の２個の垂直アナログ転送レジスタ
３００，３０１が設けられている。
ように、複数個の光電変換素子Ｐがマトリクス状
に配列され、この光電変換素子の各列に対応して
第１及び第２の２個の垂直アナログ転送レジスタ
３００，３０１が設けられている。
第１の転送ゲート３０２は複数個の光電変換素
子Ｐのうちの奇数行の素子の蓄積情報を第１の垂
直アナログ転送レジスタ３００に転送するための
ものであり、第２の転送ゲート３０３は偶数行の
素子の蓄積情報を第２の垂直アナログ転送レジス
タ３０１に転送するためのものである。これら第
１及び第２の転送ゲート３０２，３０３は転送制
御部３０６からのゲートクロツクφP1によつて両
者とも同タイミングで開閉制御される。
子Ｐのうちの奇数行の素子の蓄積情報を第１の垂
直アナログ転送レジスタ３００に転送するための
ものであり、第２の転送ゲート３０３は偶数行の
素子の蓄積情報を第２の垂直アナログ転送レジス
タ３０１に転送するためのものである。これら第
１及び第２の転送ゲート３０２，３０３は転送制
御部３０６からのゲートクロツクφP1によつて両
者とも同タイミングで開閉制御される。
第１、第２の垂直アナログ転送レジスタ３０
０，３０１は、光電変換素子Ｐから転送された信
号を順次上方にシフトして垂直転送ゲート３０４
を介して水平アナログ転送レジスタ３０５に送り
込むものであり、水平アナログ転送レジスタ３０
５は、該転送された信号を並列−直列変換してビ
デオ出力端子３０９にビデオ信号として出力す
る。第１の垂直アナログ転送レジスタ３００は垂
直転送制御部からの２相の垂直転送クロツクφV1，
φV2によつて転送制御され、第２の垂直アナログ
転送レジスタは２相の垂直転送クロツクφ′V1，
φ′V2によつて転送制御されている。また、水平ア
ナログ転送レジスタ３０５は水平転送制御部３０
８からの２相の水平転送クロツクφH1，φH2によつ
て制御される。なお、垂直転送ゲート３０４は転
送ゲート制御部３０６からのゲートクロツクφP2
によつて開閉制御される。
０，３０１は、光電変換素子Ｐから転送された信
号を順次上方にシフトして垂直転送ゲート３０４
を介して水平アナログ転送レジスタ３０５に送り
込むものであり、水平アナログ転送レジスタ３０
５は、該転送された信号を並列−直列変換してビ
デオ出力端子３０９にビデオ信号として出力す
る。第１の垂直アナログ転送レジスタ３００は垂
直転送制御部からの２相の垂直転送クロツクφV1，
φV2によつて転送制御され、第２の垂直アナログ
転送レジスタは２相の垂直転送クロツクφ′V1，
φ′V2によつて転送制御されている。また、水平ア
ナログ転送レジスタ３０５は水平転送制御部３０
８からの２相の水平転送クロツクφH1，φH2によつ
て制御される。なお、垂直転送ゲート３０４は転
送ゲート制御部３０６からのゲートクロツクφP2
によつて開閉制御される。
第４図は第３図示装置を動作させた場合におけ
る奇数行と偶数行の光電変換素子の露光タイミン
グ、第１及び第２の垂直アナログ転送レジスタ３
００，３０１の転送タイミングおよびビデオ出力
信号の時間的変化を示す線図である。
る奇数行と偶数行の光電変換素子の露光タイミン
グ、第１及び第２の垂直アナログ転送レジスタ３
００，３０１の転送タイミングおよびビデオ出力
信号の時間的変化を示す線図である。
同図に示すように、本実施例装置においては、
奇数行の光電変換素子と偶数行の光電変換素子と
の露光タイミングは同一であり、奇数、偶数列と
も同一のゲートクロツクφP1のタイミングで第１
又は第２の垂直アナログ転送レジスタ３００，３
０１にその蓄積情報が転送される。そして、先ず
第１の垂直アナログ転送レジスタ３００の内容が
クロツクφV1，φV2によつて垂直転送ゲート３０４
を介して水平アナロゲ転送レジスタ３０５に送り
込まれて奇数フイールドのビデオ信号として外部
に読出され、次に第２の垂直アナログ転送レジス
タ３０１の内容がクロツクφ′V1，φ′V2によつて水
平アナログ転送レジスタ３０５に転送され偶数フ
イールドのビデオ信号としてビデオ出力端子３０
９から出力される。前述したように、第１、第２
の垂直アナログ転送レジスタ３００，３０１は、
光照射の影響を受けずにそのまま信号を転送する
ものであるから、奇数行と偶数行の光電変換素子
は同一期間中の被写体の画素情報を表わすことに
なり、従つて、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して２フイールドで１画面を構成しても、ちら
つきはなく、高品質で高画質の静止画を得ること
が可能となる。
奇数行の光電変換素子と偶数行の光電変換素子と
の露光タイミングは同一であり、奇数、偶数列と
も同一のゲートクロツクφP1のタイミングで第１
又は第２の垂直アナログ転送レジスタ３００，３
０１にその蓄積情報が転送される。そして、先ず
第１の垂直アナログ転送レジスタ３００の内容が
クロツクφV1，φV2によつて垂直転送ゲート３０４
を介して水平アナロゲ転送レジスタ３０５に送り
込まれて奇数フイールドのビデオ信号として外部
に読出され、次に第２の垂直アナログ転送レジス
タ３０１の内容がクロツクφ′V1，φ′V2によつて水
平アナログ転送レジスタ３０５に転送され偶数フ
イールドのビデオ信号としてビデオ出力端子３０
９から出力される。前述したように、第１、第２
の垂直アナログ転送レジスタ３００，３０１は、
光照射の影響を受けずにそのまま信号を転送する
ものであるから、奇数行と偶数行の光電変換素子
は同一期間中の被写体の画素情報を表わすことに
なり、従つて、奇数、偶数フイールドを交互に再
生して２フイールドで１画面を構成しても、ちら
つきはなく、高品質で高画質の静止画を得ること
が可能となる。
第５図は光電変換素子Ｐ、第１及び第２の垂直
アナログ転送レジスタ３００，３０１の一実施例
を表わす素子断面図であり、第３図におけるＡ−
A′線に沿う断面を示したものであつて、５００
はＰ形半導体基板、５０１はn+半導体領域、５
０２，５０３はn-半導体領域、５０４はチャネ
ルストツプ、５０５，５０６はSiO2等から成る
絶縁層、５０７，５０８は第１及び第２の転送ゲ
ート電極、５０９，５１０は金属電極である。
アナログ転送レジスタ３００，３０１の一実施例
を表わす素子断面図であり、第３図におけるＡ−
A′線に沿う断面を示したものであつて、５００
はＰ形半導体基板、５０１はn+半導体領域、５
０２，５０３はn-半導体領域、５０４はチャネ
ルストツプ、５０５，５０６はSiO2等から成る
絶縁層、５０７，５０８は第１及び第２の転送ゲ
ート電極、５０９，５１０は金属電極である。
この実施例では、Ｐ形半導体基板５００とn+
半導体領域５０１から成るフオトダイオードを光
電変換素子Ｐとし、n-半導体領域５０２と金属
電極５０９から成る埋め込みチヤンネル形CCD
を第１の垂直アナログ転送レジスタ３００の１エ
レメントとし、n-半導体領域５０３と金属電極
５１０から成る埋め込みチャンネル形CCDを第
２の垂直アナログ転送レジスタ３０１の１エレメ
ントとしたものである。第６図は第５図示素子の
ポテンシヤル図であり、転送ゲート電極５０７，
５０８に電圧を印加しないときは同図の破線６０
０に示す如く光電変換部は電位の壁によつて囲ま
れるが、ゲート電極５０７，５０８及び金属電極
５０９，５１０に電圧を印加すると実線６０１に
示す如く電位の壁が低下して光電変換部の蓄積電
荷が転送部に移される。また垂直転送を行なうと
きは、ゲート電極５０７，５０８の印加電圧を零
にして金属電極５０９，５１０に２相の垂直転送
クロツクφV1，φV2，φ′V1，φ′V2を加え、転送部分
のポテンシヤルの深さのみを上下させるものであ
る。
半導体領域５０１から成るフオトダイオードを光
電変換素子Ｐとし、n-半導体領域５０２と金属
電極５０９から成る埋め込みチヤンネル形CCD
を第１の垂直アナログ転送レジスタ３００の１エ
レメントとし、n-半導体領域５０３と金属電極
５１０から成る埋め込みチャンネル形CCDを第
２の垂直アナログ転送レジスタ３０１の１エレメ
ントとしたものである。第６図は第５図示素子の
ポテンシヤル図であり、転送ゲート電極５０７，
５０８に電圧を印加しないときは同図の破線６０
０に示す如く光電変換部は電位の壁によつて囲ま
れるが、ゲート電極５０７，５０８及び金属電極
５０９，５１０に電圧を印加すると実線６０１に
示す如く電位の壁が低下して光電変換部の蓄積電
荷が転送部に移される。また垂直転送を行なうと
きは、ゲート電極５０７，５０８の印加電圧を零
にして金属電極５０９，５１０に２相の垂直転送
クロツクφV1，φV2，φ′V1，φ′V2を加え、転送部分
のポテンシヤルの深さのみを上下させるものであ
る。
ところで、本発明の如く光電変換素子の各列に
対応して２本の垂直転送路を設ける構成では、ど
うしても開口率が低下するのは否めない。従つ
て、本発明では素子の構造を工夫して受光面積を
極力大きくすることが望ましい。その一方法は、
例えば第５図における金属電極５０９，５１０に
ゲート電極５０７，５０８の機能を持たせてゲー
ト電極５０７，５０８を省略し、その分受光面積
を大きくした構造の固体撮像素子を用いることで
あり、他の有効な方法は、例えば特開昭55−
39404号公報あるいは特開昭55−27772号公報にみ
られるように、素子全面に光電変換材料層を設け
その下部に転送路を設けた所謂２階建構造の固体
撮像素子を用いることである。
対応して２本の垂直転送路を設ける構成では、ど
うしても開口率が低下するのは否めない。従つ
て、本発明では素子の構造を工夫して受光面積を
極力大きくすることが望ましい。その一方法は、
例えば第５図における金属電極５０９，５１０に
ゲート電極５０７，５０８の機能を持たせてゲー
ト電極５０７，５０８を省略し、その分受光面積
を大きくした構造の固体撮像素子を用いることで
あり、他の有効な方法は、例えば特開昭55−
39404号公報あるいは特開昭55−27772号公報にみ
られるように、素子全面に光電変換材料層を設け
その下部に転送路を設けた所謂２階建構造の固体
撮像素子を用いることである。
第７図はこの種２階建構造の固体撮像素子の一
例を表わす素子断面図であり、第５図と同様に第
３図におけるＡ−A′線に沿う断面を示す。この
素子は、Ｐ形半導体基板７００と、この基板内に
ダイオードを形成する如く設けられたn+領域７
０１と、BBD動作の際における電位の井戸とな
るn+領域７０２と、この領域上にゲート酸化膜
７０３を介してn+領域７０１と重なりを有する
ように設けられたゲート電極７０４と、絶縁膜７
０５によつて半導体基板７００及びゲート電極７
０４と電気的に分離されるようにしてn+領域７
０１上に設けられた電極７０６と、この上に設け
られた正孔阻止層７０７と、その上層に設けられ
た例えば（Zo1-XCdXTe）1-y（Io2Te3）yよりなる光
導電体７０８と、この上に形成された透明電極７
０９とを備え、光導電体７０８中で入射光量に応
じて発生した電子−正孔対の電子を電極７０６を
通じてn+領域７０１に導き、これをゲート電極
７０４を動作させてn+領域７０２に転送するよ
うにしたものであり、光導電体７０８が光受光部
となるから極めて開口率が高くなるものである。
例を表わす素子断面図であり、第５図と同様に第
３図におけるＡ−A′線に沿う断面を示す。この
素子は、Ｐ形半導体基板７００と、この基板内に
ダイオードを形成する如く設けられたn+領域７
０１と、BBD動作の際における電位の井戸とな
るn+領域７０２と、この領域上にゲート酸化膜
７０３を介してn+領域７０１と重なりを有する
ように設けられたゲート電極７０４と、絶縁膜７
０５によつて半導体基板７００及びゲート電極７
０４と電気的に分離されるようにしてn+領域７
０１上に設けられた電極７０６と、この上に設け
られた正孔阻止層７０７と、その上層に設けられ
た例えば（Zo1-XCdXTe）1-y（Io2Te3）yよりなる光
導電体７０８と、この上に形成された透明電極７
０９とを備え、光導電体７０８中で入射光量に応
じて発生した電子−正孔対の電子を電極７０６を
通じてn+領域７０１に導き、これをゲート電極
７０４を動作させてn+領域７０２に転送するよ
うにしたものであり、光導電体７０８が光受光部
となるから極めて開口率が高くなるものである。
第８図は第７図示素子を駆動する信号波形を示
す線図であり、ゲート電極７０４に高電位の読み
込みパルスrpが印加されると、n+領域７０１か
らn+領域７０２に電子が移送され、この移送さ
れた電子のうち奇数列の光電変換素子に対応する
ものは、ゲート電極７０４に加えられる低電位の
第１の転送パルス列tp1によつて垂直転送され、
偶数列に対応するものは第２の転送パルス列tp2
によつて垂直転送される。
す線図であり、ゲート電極７０４に高電位の読み
込みパルスrpが印加されると、n+領域７０１か
らn+領域７０２に電子が移送され、この移送さ
れた電子のうち奇数列の光電変換素子に対応する
ものは、ゲート電極７０４に加えられる低電位の
第１の転送パルス列tp1によつて垂直転送され、
偶数列に対応するものは第２の転送パルス列tp2
によつて垂直転送される。
なお、第７図示素子をCCD動作させる場合に
は、領域７０２に代えて、n+領域７０１からの
電子の注入を阻止するための電位障壁となるp+
領域７１０を設ければ良い。
は、領域７０２に代えて、n+領域７０１からの
電子の注入を阻止するための電位障壁となるp+
領域７１０を設ければ良い。
以上の説明から判るように、本発明に依れば、
光電変換素子の各列に対応して２本の垂直転送路
を設け、奇数列、偶数列の露光タイミングを同一
のものとして素子情報を同時に垂直転送路に転送
し、偶数列の情報を垂直転送路に一時待機させて
おいて先ず奇数行の情報を奇数フイールドのビデ
オ信号として読出し、その後偶数列の情報を偶数
フイールドのビデオ信号として読出すようにした
ものであり、奇数、偶数フイールドのビデオ信号
が同一露光タイミングのものであるから、奇数、
偶数フイールドを交互に再生して２フイールドで
１画面を構成しても、画面はちらつかず、高品質
で高画質の静止画が得られる利点がある。
光電変換素子の各列に対応して２本の垂直転送路
を設け、奇数列、偶数列の露光タイミングを同一
のものとして素子情報を同時に垂直転送路に転送
し、偶数列の情報を垂直転送路に一時待機させて
おいて先ず奇数行の情報を奇数フイールドのビデ
オ信号として読出し、その後偶数列の情報を偶数
フイールドのビデオ信号として読出すようにした
ものであり、奇数、偶数フイールドのビデオ信号
が同一露光タイミングのものであるから、奇数、
偶数フイールドを交互に再生して２フイールドで
１画面を構成しても、画面はちらつかず、高品質
で高画質の静止画が得られる利点がある。
なお、本発明は前述した実施例にのみ限定され
るものではなく、光電変換素子、垂直及び水平転
送路の構造は従来知られている任意のものを自由
に使用し得るものである。
るものではなく、光電変換素子、垂直及び水平転
送路の構造は従来知られている任意のものを自由
に使用し得るものである。
第１図は従来の２次元固体撮像装置の構成説明
図、第２図はその動作説明図、第３図は本発明実
施例装置の構成説明図、第４図はその動作説明
図、第５図及び第７図は第３図における光電変換
素子と垂直転送路のそれぞれ異なる実施例を示す
素子断面図、第６図は第５図示素子のポテンシヤ
ル図、第８図は第７図示素子を駆動する信号波形
を示す線図である。 Ｐは光電変換素子、３００，３０１は第１及び
第２の垂直アナログ転送レジスタ、３０５は水平
アナログ転送レジスタ、３０６は転送ゲート制御
部、３０７は垂直転送制御部、３０８は水平転送
制御部である。
図、第２図はその動作説明図、第３図は本発明実
施例装置の構成説明図、第４図はその動作説明
図、第５図及び第７図は第３図における光電変換
素子と垂直転送路のそれぞれ異なる実施例を示す
素子断面図、第６図は第５図示素子のポテンシヤ
ル図、第８図は第７図示素子を駆動する信号波形
を示す線図である。 Ｐは光電変換素子、３００，３０１は第１及び
第２の垂直アナログ転送レジスタ、３０５は水平
アナログ転送レジスタ、３０６は転送ゲート制御
部、３０７は垂直転送制御部、３０８は水平転送
制御部である。
Claims (1)
- １ マトリクス状に配列された複数個の光電変換
素子と、該複数個の光電変換素子の各列に対応し
て設けられた第１及び第２の垂直転送路と、該第
１及び第２の垂直転送路で転送されてきた信号を
並列直列変換して同一の出力段に出力する単一の
水平転送路と、前記複数個の光電変換素子のうち
奇数行の光電変換素子の蓄積情報は前記第１の垂
直転送路に、偶数行の光電変換素子の蓄積情報は
前記第２の垂直転送路にそれぞれ同時に転送する
ゲート手段と、前記第１及び第２の垂直転送路並
びに前記水平転送路の転送制御を行なつて先ず第
１の垂直転送路に転送された前記奇数行の光電変
換素子の蓄積情報を奇数フイールドのビデオ信号
として出力させ、次に前記第２の垂直転送路に転
送された前記偶数行の光電変換素子の蓄積情報を
偶数フイールドのビデオ信号として出力させる転
送制御部とを具備したことを特徴とする２次元固
体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56075489A JPS57190471A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Two-dimensional solid state image pickup device |
| US06/379,494 US4455575A (en) | 1981-05-19 | 1982-05-18 | Two-dimensional solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56075489A JPS57190471A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Two-dimensional solid state image pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57190471A JPS57190471A (en) | 1982-11-24 |
| JPH0320954B2 true JPH0320954B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=13577744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56075489A Granted JPS57190471A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Two-dimensional solid state image pickup device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4455575A (ja) |
| JP (1) | JPS57190471A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847379A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPS58117776A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-13 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPS5966277A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-14 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US4745481A (en) * | 1984-01-30 | 1988-05-17 | Shoichi Tanaka | Solidstate imaging device |
| JPS60236586A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 電子的撮像装置 |
| JPS6238677A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| NL8602616A (nl) * | 1986-10-17 | 1988-05-16 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Beeldopneeminrichting. |
| KR930009132A (ko) * | 1991-10-04 | 1993-05-22 | 김광호 | 고체 촬영 소자 |
| US5663761A (en) * | 1993-09-02 | 1997-09-02 | Sony Corporation | Solid-state image pick-up apparatus with two channels |
| DE69512863T2 (de) * | 1994-11-11 | 2000-04-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Ansteuerverfahren dafür |
| US5614950A (en) * | 1995-08-02 | 1997-03-25 | Lg Semicon Co., Ltd. | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor |
| JP3360512B2 (ja) * | 1996-01-09 | 2002-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその読み出し方法 |
| US6690421B1 (en) * | 1996-10-30 | 2004-02-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Structure of solid state image pickup device |
| KR100263474B1 (ko) * | 1998-01-16 | 2000-08-01 | 김영환 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2002111989A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mega Chips Corp | 画像処理回路 |
| JP4139641B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2008-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP4020041B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2007-12-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置 |
| KR20080053635A (ko) * | 2006-12-11 | 2008-06-16 | 삼성전자주식회사 | 촬영장치 및 그의 정지영상 촬영방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524735A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electric charge transfer type image pick-up equipment |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1020656A (en) * | 1973-03-22 | 1977-11-08 | Choong-Ki Kim | Buried-channel charge-coupled linear imaging device |
| JPS55122375U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-30 | ||
| JPS55163951A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-20 | Toshiba Corp | Solid-state pickup unit |
| EP0026904A3 (en) * | 1979-10-04 | 1981-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pick-up device |
| JPS5671381A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Canon Inc | Solid-state image sensor |
-
1981
- 1981-05-19 JP JP56075489A patent/JPS57190471A/ja active Granted
-
1982
- 1982-05-18 US US06/379,494 patent/US4455575A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524735A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electric charge transfer type image pick-up equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4455575A (en) | 1984-06-19 |
| JPS57190471A (en) | 1982-11-24 |
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