JPS5969965A - フレ−ム・トランスフア−型撮像素子 - Google Patents
フレ−ム・トランスフア−型撮像素子Info
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- JPS5969965A JPS5969965A JP57181809A JP18180982A JPS5969965A JP S5969965 A JPS5969965 A JP S5969965A JP 57181809 A JP57181809 A JP 57181809A JP 18180982 A JP18180982 A JP 18180982A JP S5969965 A JPS5969965 A JP S5969965A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は静止画撮影に適したフレーム・トランスファー
型撮像素子に関する。
型撮像素子に関する。
（従来技術）
ンターレースした２フイ一ルド分のビデオ信号を得なけ
ればならない。
ればならない。
然し、フレーム・トランスファー型のＣＣＤ（Ｃｈａｒ
ｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）に於てはこの
様な読み出しは従来不可能とされていた。即ち、第１図
は従来のフレーム・トランスファー型ＣＣＤの構成を示
すもので１は撮像部、２は蓄積部、３は水平転送レジス
タ、４は出力アンプ、５は信号出力端である。
ｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）に於てはこの
様な読み出しは従来不可能とされていた。即ち、第１図
は従来のフレーム・トランスファー型ＣＣＤの構成を示
すもので１は撮像部、２は蓄積部、３は水平転送レジス
タ、４は出力アンプ、５は信号出力端である。
又、ＰＳはセルであって複数のセルが行及び列状に配列
される事によって夫々撮像部１、蓄積部２を構成してい
る。各セルＰＳは図中縦方向に電荷転送機能を有し、又
、水平転送レジスタ３に於ては水平方向の転送機能を有
する。
される事によって夫々撮像部１、蓄積部２を構成してい
る。各セルＰＳは図中縦方向に電荷転送機能を有し、又
、水平転送レジスタ３に於ては水平方向の転送機能を有
する。
尚、φ、〜φ、は夫々撮像部、蓄積部、水平転送部の転
送りロックである。
送りロックである。
又、撮像部以外即ち斜線の部分は遮光されている。この
様に構成された従来のＣＣＤでは、撮像部に入射しだ像
情報は各セルによって標本化されて、電荷情報として蓄
積される。
様に構成された従来のＣＣＤでは、撮像部に入射しだ像
情報は各セルによって標本化されて、電荷情報として蓄
積される。
その後、クロックφ、〜φ、を供給する事によって撮像
部の電荷情報を蓄積部にそつくυ高速で転送し、適当な
時間をかけて、読み出す。
部の電荷情報を蓄積部にそつくυ高速で転送し、適当な
時間をかけて、読み出す。
即ち、蓄積部の情報を１行ずつレジスタ３に転送した後
この行情報をクロックφ、によって１水平走査期間ずつ
読み出す事により標準テレビジョン信号に対応した走査
線信号が順次得られる訳であるが、標準テレビジョン方
式でば２：１のインターレースを行なっている為、１フ
イールド目と２フイールド目とでモニタ画面上の異なる
位置を再生の為に走査する事になる。従って撮像の段階
で互いにインターレースしだ２フイールドのビデオ信号
を得ないと、再生時に画面ブレを起こしたり、解像度が
低下するなどの問題が発生する。
この行情報をクロックφ、によって１水平走査期間ずつ
読み出す事により標準テレビジョン信号に対応した走査
線信号が順次得られる訳であるが、標準テレビジョン方
式でば２：１のインターレースを行なっている為、１フ
イールド目と２フイールド目とでモニタ画面上の異なる
位置を再生の為に走査する事になる。従って撮像の段階
で互いにインターレースしだ２フイールドのビデオ信号
を得ないと、再生時に画面ブレを起こしたり、解像度が
低下するなどの問題が発生する。
然し、第１図示の様な構成の従来のフレーム・トランス
ファー型ＣＣＤでは１一旦撮像した画面の内の奇数フィ
ールドと偶数フィールドとを別々に読み出す事は不可能
とされている。
ファー型ＣＣＤでは１一旦撮像した画面の内の奇数フィ
ールドと偶数フィールドとを別々に読み出す事は不可能
とされている。
（目的）
本発明はこの様な従来技術の問題に鑑み為されたもので
フレーム・トランスファー型ＣＣＤの蓄積部に新規な構
成を採用する事によって高解像度のステル画像の撮像が
可能となる撮像素子を提供する事を目的としている。
フレーム・トランスファー型ＣＣＤの蓄積部に新規な構
成を採用する事によって高解像度のステル画像の撮像が
可能となる撮像素子を提供する事を目的としている。
（実施例）
その為の本発明の撮像素子の構成を実施例に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は本発明の実施例の構成を説明する為の図で第１
Ｖｌと同じｆ）番のものは同じ要素を示す。尚蓄積部２
の水平方向のセル数は撮像部ｌの水平方向のセル数の２
倍となっている。父、本実施例では蓄積部２の垂直方向
のセル数は撮像部１の垂直方向のセル数の半分となって
いるが、一般的には蓄積部の水平方向のセル数は撮像部
の２倍以上、垂直方向は１／２以上あれば良いものであ
る。
Ｖｌと同じｆ）番のものは同じ要素を示す。尚蓄積部２
の水平方向のセル数は撮像部ｌの水平方向のセル数の２
倍となっている。父、本実施例では蓄積部２の垂直方向
のセル数は撮像部１の垂直方向のセル数の半分となって
いるが、一般的には蓄積部の水平方向のセル数は撮像部
の２倍以上、垂直方向は１／２以上あれば良いものであ
る。
又、蓄積部の各セルはやはり行及び列方向にマトリクス
状に配置されておシ、各列は列方向に電荷転送機能を有
する。又、φ２ｏは蓄積部２の内の図中右側からみて偶
数列（Ｅ列）の電荷を列方向に転送する為のクロック、
φ７．は蓄積部２の内の図中右側からみて奇数列（０列
）の電荷を列方向に転送する為のクロックである。
状に配置されておシ、各列は列方向に電荷転送機能を有
する。又、φ２ｏは蓄積部２の内の図中右側からみて偶
数列（Ｅ列）の電荷を列方向に転送する為のクロック、
φ７．は蓄積部２の内の図中右側からみて奇数列（０列
）の電荷を列方向に転送する為のクロックである。
又、６は本発明に係る切換手段としてのゲートであって
蓄積部の水平方向のセル数と同数のセル数を有し、各セ
ルには電極（不図示）が夫々設けられておりこの各電極
にローレベルの電圧を印加した時に所定の高さのポテン
シャル障壁が形成される様構成されている。
蓄積部の水平方向のセル数と同数のセル数を有し、各セ
ルには電極（不図示）が夫々設けられておりこの各電極
にローレベルの電圧を印加した時に所定の高さのポテン
シャル障壁が形成される様構成されている。
又、ゲート６の各セルは蓄積部２の水平方向の各セルに
対応している。
対応している。
即ち、ゲート６のセルＸは蓄積部のＥ列に対応しており
、セルＹは０列に対応している。従ってセルＹのポテン
シャルが高く、セルＸのポテンシャルが低くなると、撮
像部の電荷はＥ列に転送可能となり、０列には転送され
ない。
、セルＹは０列に対応している。従ってセルＹのポテン
シャルが高く、セルＸのポテンシャルが低くなると、撮
像部の電荷はＥ列に転送可能となり、０列には転送され
ない。
この様にしてゲート６の各セルＸ１Ｙの電極に夫々ゲー
ト制御信号ＳＧ１．、ＳＧ２を供給する事によシ、撮像
部の電荷の蓄積部への転送は選択的に制御される。
ト制御信号ＳＧ１．、ＳＧ２を供給する事によシ、撮像
部の電荷の蓄積部への転送は選択的に制御される。
第３図は本発明の撮像素子を用いた撮像、−記録、再生
システムの構成図であって撮像トリガースイッチ８の作
動によって起動される信号源７は、モード切換スイッチ
９のメチル（Ｓ）又はムービー（Ｍ）の各モードに応じ
て第４図又は第５図の如きタイミングの化′号を形成す
る。
システムの構成図であって撮像トリガースイッチ８の作
動によって起動される信号源７は、モード切換スイッチ
９のメチル（Ｓ）又はムービー（Ｍ）の各モードに応じ
て第４図又は第５図の如きタイミングの化′号を形成す
る。
°又、撮像素子の出力端５を介して得られたビデオ信号
はプロセス回路ＩＯに於てサンプルホールド、γ補正、
アパーチャー補正等の信号処理を受けた後変調等を行な
う記録回路１１及び記録ヘッド１２を介して記録媒体１
３に記録される。又プロセス回路１０の出力をその壕１
テレビジョンモニタ１６に於てモニタする事もできる。
はプロセス回路ＩＯに於てサンプルホールド、γ補正、
アパーチャー補正等の信号処理を受けた後変調等を行な
う記録回路１１及び記録ヘッド１２を介して記録媒体１
３に記録される。又プロセス回路１０の出力をその壕１
テレビジョンモニタ１６に於てモニタする事もできる。
又、１４は再生ヘッドで、該ヘッドによシビツクアップ
された信号は再生回路で適宜の復調を施した後やはりモ
ニタ１６に於てモニタする事ができる。
された信号は再生回路で適宜の復調を施した後やはりモ
ニタ１６に於てモニタする事ができる。
第４図は＠３図示構成に於ける信号源７の出）Ｌ／ ス
ｉｊ ハイレベルの時に撮像素子内のポテンシャルレベ
ルヲ低くシ、ローレベルの時ポテンシャルレベルを高く
する様構成されている。撮像トリガースイッチを作動さ
せると、先ず高速のクロックφいφ、。、φ１８、φ３
を供給すると共にゲート制御信号Ｓ０１、Ｓ０２を共に
開く事によって不要な電荷が排出される。〔期間（４−
１）〕 次いで所定の蓄積時間ＴＩＮＴが経過するとＣ期間（４
−２） ］、クロックφ、によシ撮像部１の電荷を１行
ずつ第２図中下方にシフトする。
ｉｊ ハイレベルの時に撮像素子内のポテンシャルレベ
ルヲ低くシ、ローレベルの時ポテンシャルレベルを高く
する様構成されている。撮像トリガースイッチを作動さ
せると、先ず高速のクロックφいφ、。、φ１８、φ３
を供給すると共にゲート制御信号Ｓ０１、Ｓ０２を共に
開く事によって不要な電荷が排出される。〔期間（４−
１）〕 次いで所定の蓄積時間ＴＩＮＴが経過するとＣ期間（４
−２） ］、クロックφ、によシ撮像部１の電荷を１行
ずつ第２図中下方にシフトする。
又、このシフトされる各行の情報のうち奇数行の情報に
対してはゲー）Ｘを開き偶数行の情報に対してはゲート
Ｙを開く様に信号ＳＧＩ、を夫々図の様に夫々奇数行、
偶数行のシフトに合わせて交互に供給する事により撮像
部の奇数行の情報は蓄積部のＥ列に、偶数行の情報は０
列に振）分けて蓄積する。〔期間（４−３）〕撮像部の
１フレ一ム分の情報をこの様にして撮り分けて蓄積部に
移した状態は第２図に示されており、第２図中ダッシュ
記号のついたものは撮像部の各セルの情報と夫々対応し
ている。
対してはゲー）Ｘを開き偶数行の情報に対してはゲート
Ｙを開く様に信号ＳＧＩ、を夫々図の様に夫々奇数行、
偶数行のシフトに合わせて交互に供給する事により撮像
部の奇数行の情報は蓄積部のＥ列に、偶数行の情報は０
列に振）分けて蓄積する。〔期間（４−３）〕撮像部の
１フレ一ム分の情報をこの様にして撮り分けて蓄積部に
移した状態は第２図に示されており、第２図中ダッシュ
記号のついたものは撮像部の各セルの情報と夫々対応し
ている。
次いて期間（’４−４）に於て上記の過程を経て蓄積部
２に蓄積された情報のうち、Ｅ列に蓄積された情報の読
み出しをクロックφ、。及びφ３により行なう。
２に蓄積された情報のうち、Ｅ列に蓄積された情報の読
み出しをクロックφ、。及びφ３により行なう。
又、その後で期間（４−５）に於て蓄積部の０列に蓄積
された情報をクロックφ２．及びφ、によりＪ＠次読み
出す。
された情報をクロックφ２．及びφ、によりＪ＠次読み
出す。
又、第５図はスイッチ９をムービー撮像モード（Ｍ）側
に切換えた場合の信号源の出力パルスのタイミング図で
期間（５−１）の間に第４図のタイミングと同様に、撮
像部の奇数行の情報を蓄積部のＥ列に、偶数行の情報を
０列に振シ分けて蓄積させ、期間（５−２）に於てＥ列
の情報と０列の情報とを同時に一行分ずつシフトする事
によって両方の列の電荷信号をレジスタ３の各セルに於
て加算し、次いでレジスタ３をクロックφ３によって駆
動する事によりこの加算された情報を読み出す。
に切換えた場合の信号源の出力パルスのタイミング図で
期間（５−１）の間に第４図のタイミングと同様に、撮
像部の奇数行の情報を蓄積部のＥ列に、偶数行の情報を
０列に振シ分けて蓄積させ、期間（５−２）に於てＥ列
の情報と０列の情報とを同時に一行分ずつシフトする事
によって両方の列の電荷信号をレジスタ３の各セルに於
て加算し、次いでレジスタ３をクロックφ３によって駆
動する事によりこの加算された情報を読み出す。
この様なシーケンスを繰り返す事によυ撮像部の奇数行
の情報と偶数行の情報を２行ずつ加算して１行として読
み出す。この場合期間（５−２）に於て加算される行の
組み合わせは第２図に於ける（Ａｌ−Ａ４）と（Ｂｌ〜
Ｂ４）、（Ｃ１〜Ｃ４）と（ＤＩ〜Ｄ４）、（Ｅｌ〜Ｅ
４）と（Ｆｌ〜Ｆ４）、（Ｇｌ〜Ｇ’４）と（Ｈ１〜Ｈ
４）の組み合わせである。
の情報と偶数行の情報を２行ずつ加算して１行として読
み出す。この場合期間（５−２）に於て加算される行の
組み合わせは第２図に於ける（Ａｌ−Ａ４）と（Ｂｌ〜
Ｂ４）、（Ｃ１〜Ｃ４）と（ＤＩ〜Ｄ４）、（Ｅｌ〜Ｅ
４）と（Ｆｌ〜Ｆ４）、（Ｇｌ〜Ｇ’４）と（Ｈ１〜Ｈ
４）の組み合わせである。
その後期間（５−３）に於て再び撮像部の情報を蓄積部
に転送する事によって、期間（５−１）から（５−３）
迄の間に撮像部に形成された電荷信号は蓄積部内に期間
（５−１）と同様の方法で振り分けられて蓄積される。
に転送する事によって、期間（５−１）から（５−３）
迄の間に撮像部に形成された電荷信号は蓄積部内に期間
（５−１）と同様の方法で振り分けられて蓄積される。
その後期間（５−４）に於てこの蓄積された情報を加算
しつつ読み出す訳であるが、この時、クロックφｔｏと
φ２．とを１パルス分ずらす事によって加算されるべき
情報の組み合わせが変化する様にしている。
しつつ読み出す訳であるが、この時、クロックφｔｏと
φ２．とを１パルス分ずらす事によって加算されるべき
情報の組み合わせが変化する様にしている。
即ち、第５図ではクロックφ、０をφ２１よシ先行して
１パルス出力するので撮像部の（Ａｌ−Ａ４）はそのま
ま加算されずに読み出され、（Ｂｌ〜Ｂ４）と（Ｃ１〜
Ｃ４）、（Ｄｉ〜Ｄ４）と（Ｅｌ〜Ｅ４）、（Ｆｌ〜Ｆ
４）と（Ｇｌ〜Ｃ，４）夫々が加勢：されて１行として
読み出され、最後に（Ｈ１〜Ｈ４）が１行として読み出
される訳である。
１パルス出力するので撮像部の（Ａｌ−Ａ４）はそのま
ま加算されずに読み出され、（Ｂｌ〜Ｂ４）と（Ｃ１〜
Ｃ４）、（Ｄｉ〜Ｄ４）と（Ｅｌ〜Ｅ４）、（Ｆｌ〜Ｆ
４）と（Ｇｌ〜Ｃ，４）夫々が加勢：されて１行として
読み出され、最後に（Ｈ１〜Ｈ４）が１行として読み出
される訳である。
従って期間（５−２）に於て読み出される信号と（５−
４）に於て読み出される信号とは互いにインターレース
した関係となる。
４）に於て読み出される信号とは互いにインターレース
した関係となる。
而も２行分加算しているから素子の感度も向上する。
第６図は本発明の撮像素子の第２の実施例を示す図で、
本実施例は、第２図実施例と比較して撮像部１と蓄積部
２０間の切換手段としてのゲート６を省略したものであ
る。尚、第２図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
本実施例は、第２図実施例と比較して撮像部１と蓄積部
２０間の切換手段としてのゲート６を省略したものであ
る。尚、第２図と同じ符番のものは同じ要素を示す。
第７図はこの第２の実施例の要部の模式図であって本実
施例は単相駆動の例でＣ８はチャネル・ストッパー、Ｐ
Ｓｌは撮像部１にクロックφ、を供給する為のポリ・シ
リコン電極で、半導体基板内の互いにポテンシャル・レ
ベルの異ナルＡ領域とＢ領域の表面を罹っている。
施例は単相駆動の例でＣ８はチャネル・ストッパー、Ｐ
Ｓｌは撮像部１にクロックφ、を供給する為のポリ・シ
リコン電極で、半導体基板内の互いにポテンシャル・レ
ベルの異ナルＡ領域とＢ領域の表面を罹っている。
又、ＰＳ２０とＰＳ２１は蓄積部内の互いにポテンシャ
ル・レベルの異なるＡ′領領域Ｂ′領域の表面を覆って
おシ、夫々のクロックφ２ｏ、φ２１をＥ列、０列に印
加する為のものである。
ル・レベルの異なるＡ′領領域Ｂ′領域の表面を覆って
おシ、夫々のクロックφ２ｏ、φ２１をＥ列、０列に印
加する為のものである。
又、撮像部のＣ領域及びＤ領域及び蓄積部のＣ′領域Ｄ
り領域は夫々イオン注入等によシ半導体基板内に形成さ
れたポテンシャル・レベルが一定の仮想電極（Ｖｉｒｔ
ｕａ／ Ｅｅｅｃｔｒｏｄｅ ）領域であって、この様
な仮想電極構造は、例えば特開昭５５−１１３９４号公
報に見られる様なもので良い。
り領域は夫々イオン注入等によシ半導体基板内に形成さ
れたポテンシャル・レベルが一定の仮想電極（Ｖｉｒｔ
ｕａ／ Ｅｅｅｃｔｒｏｄｅ ）領域であって、この様
な仮想電極構造は、例えば特開昭５５−１１３９４号公
報に見られる様なもので良い。
又、各領域Ａ、Ｂ、’ ＣＸＤ、Ａ’、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ
′のポテンシャルレベルＰ （Ａ）、Ｐ （Ｂ）、Ｐ
（Ｃ）、Ｐ （Ｄ）、Ｐ（Ａ’）、Ｐ（Ｂ’）、Ｐ（Ｃ
’）、Ｐ（Ｄ’）には例えば次の様な関係がある。
′のポテンシャルレベルＰ （Ａ）、Ｐ （Ｂ）、Ｐ
（Ｃ）、Ｐ （Ｄ）、Ｐ（Ａ’）、Ｐ（Ｂ’）、Ｐ（Ｃ
’）、Ｐ（Ｄ’）には例えば次の様な関係がある。
即ち、
Ｐ （Ａ、） −Ｐ （Ａ’）、Ｐ （Ｂ）−Ｐ （Ｂ
’）、Ｐ （Ｃ） ＝Ｐ （Ｃ’）、Ｐ （Ｄ） ＝
Ｐ （Ｄ’）又、電杉Ｐｓｉ、Ｉ） Ｓ ２０、ＰＳ２
１にローレベルの信号が加わっている時 Ｐ （Ａ） ＞ Ｐ （Ｂ） ＞ Ｐ （Ｃ） ＞ Ｐ
（Ｄ）Ｐ （Ａ’） ’＞ Ｐ （Ｂ’） ＞ Ｐ
（Ｃ’） ＞Ｐ （Ｄ’）一方電極Ｐｓｉ、ＰＳ２０、
ＰＳ２１にハイレベルの信号が加わっている時 Ｐ （Ｃ） ＞ Ｐ （Ｄ） ＞Ｐ （Ａ） ＞ Ｐ
（Ｂ）Ｐ （Ｃ’） ＞ Ｐ （Ｄ’） ＞ Ｐ （Ａ
’） ＞ Ｐ （Ｂ’）となる様設定されている。
’）、Ｐ （Ｃ） ＝Ｐ （Ｃ’）、Ｐ （Ｄ） ＝
Ｐ （Ｄ’）又、電杉Ｐｓｉ、Ｉ） Ｓ ２０、ＰＳ２
１にローレベルの信号が加わっている時 Ｐ （Ａ） ＞ Ｐ （Ｂ） ＞ Ｐ （Ｃ） ＞ Ｐ
（Ｄ）Ｐ （Ａ’） ’＞ Ｐ （Ｂ’） ＞ Ｐ
（Ｃ’） ＞Ｐ （Ｄ’）一方電極Ｐｓｉ、ＰＳ２０、
ＰＳ２１にハイレベルの信号が加わっている時 Ｐ （Ｃ） ＞ Ｐ （Ｄ） ＞Ｐ （Ａ） ＞ Ｐ
（Ｂ）Ｐ （Ｃ’） ＞ Ｐ （Ｄ’） ＞ Ｐ （Ａ
’） ＞ Ｐ （Ｂ’）となる様設定されている。
第８図はこの様なポテンシャル・レベルの状態を模式的
に表わした図で実線は各電極にローレベルの信号を印加
した時、破線はハイレベルの信号を印加した時の状態で
ある。仮想電極領域Ｃ１ＤＳＣ′、Ｄ′は常に一定のポ
テンシャルに維持されている。
に表わした図で実線は各電極にローレベルの信号を印加
した時、破線はハイレベルの信号を印加した時の状態で
ある。仮想電極領域Ｃ１ＤＳＣ′、Ｄ′は常に一定のポ
テンシャルに維持されている。
従って例えばクロックφ、を一旦ハイレベルにした後ロ
ーレベルに落とすとこの立下υに於て領域Ｂに主に蓄積
されていた電荷は図の様にＤ領域に転送をれる。即ち、
各電極へのクロックの立下シに於てＢ→Ｄ又はＢ′→Ｄ
′の転送が行なわれる。
ーレベルに落とすとこの立下υに於て領域Ｂに主に蓄積
されていた電荷は図の様にＤ領域に転送をれる。即ち、
各電極へのクロックの立下シに於てＢ→Ｄ又はＢ′→Ｄ
′の転送が行なわれる。
又、Ｄ又はＤ′にある電荷は各電極をハイレベルにする
事によりＢ領域又はＢ′領域に転送される。即ちクロッ
クの立上りに於てＤ−＋Ｂ又はＤ′→Ｂ′への転送が行
なわれる。
事によりＢ領域又はＢ′領域に転送される。即ちクロッ
クの立上りに於てＤ−＋Ｂ又はＤ′→Ｂ′への転送が行
なわれる。
この様に構成されているのでクロックφ１に同期してク
ロックφｔｏとφ７．を交互に供給すれば撮像部の各行
の情報は蓄積部の０列とＥ列に交互に振り分けられる。
ロックφｔｏとφ７．を交互に供給すれば撮像部の各行
の情報は蓄積部の０列とＥ列に交互に振り分けられる。
（効果）
以上説明した如く、本発明によればフレーかトランスフ
ァー型の撮像素子に於て蓄積部の水平方向のセル数を撮
像部の水平方向セル数の２倍以上とする事によシ互いに
インターレースした２つのフィールド信号を１回の撮像
信号から得る事ができ、而も動画撮像に於ても各フィー
ルドの信号を互いにインターレースさせる事ができる。
ァー型の撮像素子に於て蓄積部の水平方向のセル数を撮
像部の水平方向セル数の２倍以上とする事によシ互いに
インターレースした２つのフィールド信号を１回の撮像
信号から得る事ができ、而も動画撮像に於ても各フィー
ルドの信号を互いにインターレースさせる事ができる。
而もこの場合に感度も向上させる事ができる。
又、本発明のフレーム・トランスファー型撮像素子は、
ＭＯ８Ｘ−Ｙアドレス型の撮像素子などに比べて撮像部
の開口率が大きい為極めて明るく、而も高解像度のメチ
ル画像信号が得られるという効果も有する。
ＭＯ８Ｘ−Ｙアドレス型の撮像素子などに比べて撮像部
の開口率が大きい為極めて明るく、而も高解像度のメチ
ル画像信号が得られるという効果も有する。
第１図は従来のフレーム・トランスファー型撮像素子の
構成図、 第２図は本発明のフレーム・トランスファー型撮像素子
の構成模式図、 第３図は本発明の撮像素子を用いた撮像、記録、再生回
路システムの概略図、 第４図は第３図示回路を用いた静止画撮像時のタイミン
グ図、 第５図は第３図示回路を用いた動画撮影時のタイミング
図、 第６図は本発明の撮像素子の第２の実施例を示す図、 第７図は第６図示撮像素子の要部構造図、第８図は第７
図示構造に於けるポテンシャル状態を示す図である。 １・・・撮像部、 ２・・・蓄積部、３・・・水平シ
フトレジスタ、 ４ アンプ、 ６・・ゲート０
構成図、 第２図は本発明のフレーム・トランスファー型撮像素子
の構成模式図、 第３図は本発明の撮像素子を用いた撮像、記録、再生回
路システムの概略図、 第４図は第３図示回路を用いた静止画撮像時のタイミン
グ図、 第５図は第３図示回路を用いた動画撮影時のタイミング
図、 第６図は本発明の撮像素子の第２の実施例を示す図、 第７図は第６図示撮像素子の要部構造図、第８図は第７
図示構造に於けるポテンシャル状態を示す図である。 １・・・撮像部、 ２・・・蓄積部、３・・・水平シ
フトレジスタ、 ４ アンプ、 ６・・ゲート０
Claims (2)
- （１） 撮像部と蓄積部とを有するフレーム・トラン
スファー型撮像素子に於て、蓄積部の水平方向のセル数
を撮像部の水平方向のセル数の２倍以上とした事を特徴
とするフレーム・トランスファー型撮像素子。 - （２）行及び列を形成するセルから成る撮像部及び蓄積
部とを有するフレーム・トランスファー型撮像素子に於
て、蓄積部の水平方向のセル数を撮像部の水平方向のセ
ル数の２倍以上とすると共に、撮像部の各列の情報を蓄
積部の所定の複数の列の１つに選択的に導ひく切換手段
とを有するフレーム・トランスファー型撮像素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP57181809A JPS5969965A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | フレ−ム・トランスフア−型撮像素子 |
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Family
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