JPH0319703B2 - - Google Patents
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- JPH0319703B2 JPH0319703B2 JP61240693A JP24069386A JPH0319703B2 JP H0319703 B2 JPH0319703 B2 JP H0319703B2 JP 61240693 A JP61240693 A JP 61240693A JP 24069386 A JP24069386 A JP 24069386A JP H0319703 B2 JPH0319703 B2 JP H0319703B2
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- insulating film
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- semiconductor element
- front surface
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は電子装置に関し、特に薄型可撓性基
板に半導体素子が実装された電子装置に関するも
のである。
板に半導体素子が実装された電子装置に関するも
のである。
[従来の技術]
従来、このような電子装置として厚みが0.76mm
程度の超薄型ICカードがある。ICカードに用い
られる半導体装置の実装方式として、従来のワイ
ヤボンデイング方式と可撓性有機絶縁フイルムを
用いる、いわゆるテープアセンブリ方式(TAB
−テープ・オートメイテツド・ボンデイングとも
いう)が用いられている。このうち、テープアセ
ンブリ方式は超薄型パツケージ化実装、自動化が
可能などの利点があり、将来性が期待されてい
る。そして、このテープアセンブリ方式による半
導体装置の実装形態は色々考えられている。
程度の超薄型ICカードがある。ICカードに用い
られる半導体装置の実装方式として、従来のワイ
ヤボンデイング方式と可撓性有機絶縁フイルムを
用いる、いわゆるテープアセンブリ方式(TAB
−テープ・オートメイテツド・ボンデイングとも
いう)が用いられている。このうち、テープアセ
ンブリ方式は超薄型パツケージ化実装、自動化が
可能などの利点があり、将来性が期待されてい
る。そして、このテープアセンブリ方式による半
導体装置の実装形態は色々考えられている。
第4図は、従来のICカード用半導体素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
図において、半導体素子1の表側表面1aに突
起電極2が形成されている。ポリイミド樹脂やガ
ラスエポキシ樹脂などからなる可撓性有機絶縁フ
イルム30に開口部31が形成されており、可撓
性有機絶縁フイルム30の表側表面30aに、回
路配線32およびこの回路配線32の一方端に電
気的に接続される、半導体装置の外部電極33が
形成されている。回路配線32の他方端にリード
端子34が電気的に接続されており、このリード
端子34は開口部31へ張り出している。可撓性
有機絶縁フイルム30と回路配線32と外部電極
33とリード端子34とはパツケージ基板300
を構成する。半導体素子1はパツケージ基板30
0の開口部31下で可撓性有機絶縁フイルム30
の裏側表面30b側に位置するように配置されて
いる。リード端子34は突起電極2に位置合わせ
して重ねられるように配置されており、このリー
ド端子34は突起電極2に電気的・機械的に接続
されている。半導体素子1の一部、突起電極2、
リード端子34、回転配線32の一部および開口
部31は、エポキシ樹脂などの封止樹脂40で封
止されている。この封止樹脂40は半導体素子1
などを外部からの汚染や機械的影響などから防
ぐ。
起電極2が形成されている。ポリイミド樹脂やガ
ラスエポキシ樹脂などからなる可撓性有機絶縁フ
イルム30に開口部31が形成されており、可撓
性有機絶縁フイルム30の表側表面30aに、回
路配線32およびこの回路配線32の一方端に電
気的に接続される、半導体装置の外部電極33が
形成されている。回路配線32の他方端にリード
端子34が電気的に接続されており、このリード
端子34は開口部31へ張り出している。可撓性
有機絶縁フイルム30と回路配線32と外部電極
33とリード端子34とはパツケージ基板300
を構成する。半導体素子1はパツケージ基板30
0の開口部31下で可撓性有機絶縁フイルム30
の裏側表面30b側に位置するように配置されて
いる。リード端子34は突起電極2に位置合わせ
して重ねられるように配置されており、このリー
ド端子34は突起電極2に電気的・機械的に接続
されている。半導体素子1の一部、突起電極2、
リード端子34、回転配線32の一部および開口
部31は、エポキシ樹脂などの封止樹脂40で封
止されている。この封止樹脂40は半導体素子1
などを外部からの汚染や機械的影響などから防
ぐ。
第5図は、従来のICカードの構成を示す断面
図である。
図である。
図において、塩化ビニル樹脂などからなる可撓
性のカード50の表側に凹部51が形成されてい
る。第4図の半導体装置が回路配線32側を表側
にして凹部51に実装されており、可撓性有機絶
縁フイルム30の表側表面30aがカード50の
表側表面50aと一致するようになつている。こ
の実装は、半導体装置を凹部51に埋め込み、ま
たは半導体装置を凹部51に埋め込んだ後この半
導体装置を凹部51に接着剤で貼付けることによ
つてなされる。半導体装置の表側表面まわりを平
坦化するように、この半導体装置の表側表面およ
びカード50の表側表面50aに膜厚が約80μm
の透明のオーバコート膜60が形成されている。
このオーバコート膜60に開口部61が形成され
て外部電極33の一部が露出しており、この外部
電極33に外部から電気的に接触できるようにな
つている。この例において、ICカードの総厚は
0.76mm程度であり、また、ICカード表面は凹凸の
ない平坦性が要求される。
性のカード50の表側に凹部51が形成されてい
る。第4図の半導体装置が回路配線32側を表側
にして凹部51に実装されており、可撓性有機絶
縁フイルム30の表側表面30aがカード50の
表側表面50aと一致するようになつている。こ
の実装は、半導体装置を凹部51に埋め込み、ま
たは半導体装置を凹部51に埋め込んだ後この半
導体装置を凹部51に接着剤で貼付けることによ
つてなされる。半導体装置の表側表面まわりを平
坦化するように、この半導体装置の表側表面およ
びカード50の表側表面50aに膜厚が約80μm
の透明のオーバコート膜60が形成されている。
このオーバコート膜60に開口部61が形成され
て外部電極33の一部が露出しており、この外部
電極33に外部から電気的に接触できるようにな
つている。この例において、ICカードの総厚は
0.76mm程度であり、また、ICカード表面は凹凸の
ない平坦性が要求される。
なお、第4図においては、封止樹脂40が半導
体素子1の一部を封止する構造の半導体装置につ
いて示したが、これ以外に、封止樹脂が半導体素
子1の裏側表面1bにも形成されて半導体素子1
全体を樹脂封止するような構造の半導体装置も用
いられている。
体素子1の一部を封止する構造の半導体装置につ
いて示したが、これ以外に、封止樹脂が半導体素
子1の裏側表面1bにも形成されて半導体素子1
全体を樹脂封止するような構造の半導体装置も用
いられている。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、従来のICカードにおいて、回路配
線32は、可撓性有機絶縁フイルム30の表側表
面30aに膜厚が一般に約35μmの銅箔などから
なる金属膜を形成し、この金属膜を写真蝕刻法な
どによりパターニングして形成されるため、半導
体装置の仕上がり表面が35μm程度の凹凸を有す
るものとなる。これを防止するために、回路配線
32表面にソルダーレジストと呼ばれる樹脂を塗
布してこの凹凸を小さくしているが、凹凸は完全
にはなくならない。また、可撓性有機絶縁フイル
ム30の表側表面30aに回路配線32、外部電
極33があるため、封止樹脂40の表側表面40
aを平坦にすることが困難である。このため、半
導体装置をカード50に実装後、オーバコート膜
60を施しても半導体装置の表側表面の凹凸を完
全には吸収できず若干の凹凸が残る。また、オー
バコート膜60は約80μmの膜厚を有するので、
0.76mmの厚みのICカードを得るためには、オーバ
コート膜60の膜厚分だけ半導体装置の総厚を薄
くしなければならず、半導体装置の製造がより困
難になつてくる。また、回路配線32は半導体装
置の表面に露出しているため、半導体装置をカー
ド50に実装した後も回路配線32が外部から見
えるためデザイン上見苦しいなどの問題点があつ
た。
線32は、可撓性有機絶縁フイルム30の表側表
面30aに膜厚が一般に約35μmの銅箔などから
なる金属膜を形成し、この金属膜を写真蝕刻法な
どによりパターニングして形成されるため、半導
体装置の仕上がり表面が35μm程度の凹凸を有す
るものとなる。これを防止するために、回路配線
32表面にソルダーレジストと呼ばれる樹脂を塗
布してこの凹凸を小さくしているが、凹凸は完全
にはなくならない。また、可撓性有機絶縁フイル
ム30の表側表面30aに回路配線32、外部電
極33があるため、封止樹脂40の表側表面40
aを平坦にすることが困難である。このため、半
導体装置をカード50に実装後、オーバコート膜
60を施しても半導体装置の表側表面の凹凸を完
全には吸収できず若干の凹凸が残る。また、オー
バコート膜60は約80μmの膜厚を有するので、
0.76mmの厚みのICカードを得るためには、オーバ
コート膜60の膜厚分だけ半導体装置の総厚を薄
くしなければならず、半導体装置の製造がより困
難になつてくる。また、回路配線32は半導体装
置の表面に露出しているため、半導体装置をカー
ド50に実装した後も回路配線32が外部から見
えるためデザイン上見苦しいなどの問題点があつ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、その表側表面を平坦化できる
とともに外から回路配線が見えないICカードを
得ることを目的とする。
になされたもので、その表側表面を平坦化できる
とともに外から回路配線が見えないICカードを
得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係る電子装置は、半導体素子の表側
表面に電極を形成し、第1開口部が形成された可
撓性絶縁フイルムの裏側表面に回路配線およびこ
の回路配線の一方端に電気的に接続される外部電
極を形成し、回路配線の他方端に第1開口部に張
り出したリード端子を電気的に接続し、可撓性絶
縁フイルムに外部電極の一部を露出するように第
2開口部を形成し、可撓性絶縁フイルムと回路配
線と外部電極とリード端子とからパツケージ基板
を構成し、第1開口部下で可撓性絶縁フイルムの
裏側表面側に半導体素子を配置してリード端子を
電極に電気的・機械的に接続し、封止樹脂で半導
体素子の一部または全体、電極、リード端子、回
路配線の一部および第1開口部を封止し、半導体
素子と電極とパツケージ基板と封止樹脂とから半
導体装置を構成し、薄型可撓性基板の表側に形成
された凹部に、半導体装置を可撓性絶縁フイルム
の表側表面が薄型可撓性基板の表側表面に一致す
るようにして実装したものである。」を「この発
明にかかるカード状の電子装置は、前側表面と後
側表面とを有し、第1開口部と第2開口部とが形
成された可撓性ある絶縁フイルムと、可撓性ある
絶縁フイルムの後側表面上に形成され、かつ一端
が第1開口部まで延在されたインナーリードと、
可撓性ある絶縁フイルムの後側表面上に形成さ
れ、第2開口部に露出された露出部を有し、かつ
インナーリードに電気的に接続された外部リード
と、可撓性ある絶縁フイルムの第1開口部の位置
でかつ後側表面側に配置され、表面にインナーリ
ードの一端にそれぞれ電気的に接続される複数の
電極が形成された半導体素子と、少なくとも可撓
性ある絶縁フイルムの第1開口部、半導体素子の
表面およびインナーリードと半導体素子の電極と
の接続部を覆い、可撓性ある絶縁フイルムの前側
表面と同一平面をなす平坦面を有した封止樹脂
と、可撓性ある絶縁フイルムおよび半導体素子が
収容される凹部を有し、可撓性ある絶縁フイルム
の前側表面と同一平面をなす平坦な前側表面を有
する可撓性ある基板とを含む。
表面に電極を形成し、第1開口部が形成された可
撓性絶縁フイルムの裏側表面に回路配線およびこ
の回路配線の一方端に電気的に接続される外部電
極を形成し、回路配線の他方端に第1開口部に張
り出したリード端子を電気的に接続し、可撓性絶
縁フイルムに外部電極の一部を露出するように第
2開口部を形成し、可撓性絶縁フイルムと回路配
線と外部電極とリード端子とからパツケージ基板
を構成し、第1開口部下で可撓性絶縁フイルムの
裏側表面側に半導体素子を配置してリード端子を
電極に電気的・機械的に接続し、封止樹脂で半導
体素子の一部または全体、電極、リード端子、回
路配線の一部および第1開口部を封止し、半導体
素子と電極とパツケージ基板と封止樹脂とから半
導体装置を構成し、薄型可撓性基板の表側に形成
された凹部に、半導体装置を可撓性絶縁フイルム
の表側表面が薄型可撓性基板の表側表面に一致す
るようにして実装したものである。」を「この発
明にかかるカード状の電子装置は、前側表面と後
側表面とを有し、第1開口部と第2開口部とが形
成された可撓性ある絶縁フイルムと、可撓性ある
絶縁フイルムの後側表面上に形成され、かつ一端
が第1開口部まで延在されたインナーリードと、
可撓性ある絶縁フイルムの後側表面上に形成さ
れ、第2開口部に露出された露出部を有し、かつ
インナーリードに電気的に接続された外部リード
と、可撓性ある絶縁フイルムの第1開口部の位置
でかつ後側表面側に配置され、表面にインナーリ
ードの一端にそれぞれ電気的に接続される複数の
電極が形成された半導体素子と、少なくとも可撓
性ある絶縁フイルムの第1開口部、半導体素子の
表面およびインナーリードと半導体素子の電極と
の接続部を覆い、可撓性ある絶縁フイルムの前側
表面と同一平面をなす平坦面を有した封止樹脂
と、可撓性ある絶縁フイルムおよび半導体素子が
収容される凹部を有し、可撓性ある絶縁フイルム
の前側表面と同一平面をなす平坦な前側表面を有
する可撓性ある基板とを含む。
[作用]
この発明においては、可撓性絶縁フイルムの裏
側表面に回路配線を形成し、第1開口部下で可撓
性絶縁フイルムの裏側表面側に半導体素子を配置
し、可撓性絶縁フイルムの表側表面を薄型可撓性
基板の表側表面に一致するようにしているので、
第1開口部の封止樹脂表面を平坦化しかつこの封
止樹脂表面を可撓性絶縁フイルムの表側表面に一
致させることができ、電子装置の表側表面を平坦
化することができる。また、回路配線は可撓性絶
縁フイルムの裏側表面に形成されているので、回
路配線は外から見えない。また、可撓性絶縁フイ
ルムに外部電極の一部が露出するように第2開口
部を形成することによつて、外部電極に外部から
電気的に接触できる。また、電子装置の表側表面
を平坦化できるため、オーバコート膜を形成する
必要がない。
側表面に回路配線を形成し、第1開口部下で可撓
性絶縁フイルムの裏側表面側に半導体素子を配置
し、可撓性絶縁フイルムの表側表面を薄型可撓性
基板の表側表面に一致するようにしているので、
第1開口部の封止樹脂表面を平坦化しかつこの封
止樹脂表面を可撓性絶縁フイルムの表側表面に一
致させることができ、電子装置の表側表面を平坦
化することができる。また、回路配線は可撓性絶
縁フイルムの裏側表面に形成されているので、回
路配線は外から見えない。また、可撓性絶縁フイ
ルムに外部電極の一部が露出するように第2開口
部を形成することによつて、外部電極に外部から
電気的に接触できる。また、電子装置の表側表面
を平坦化できるため、オーバコート膜を形成する
必要がない。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。なお、この実施例の説明において、従来の技
術の説明と重複する部分については適宜その説明
を省略する。
る。なお、この実施例の説明において、従来の技
術の説明と重複する部分については適宜その説明
を省略する。
第1図は、この発明の実施例であるICカード
に用いられる半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
に用いられる半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
図において、開口部31を有する可撓性絶縁フ
イルム30の裏側表面30bに、回路配線32お
よびこの回路配線32の一方端に電気的に接続さ
れる、半導体素子の外部電極33が形成されてい
る。回路配線32の他方端にリード端子34が電
気的に接続されており、このリード端子34は開
口部31へ張り出している。可撓性有機絶縁フイ
ルム30に外部電極33に達する開口部35が形
成されている。この開口部35に外部電極33に
電気的に接続された金属突起部36が形成されて
おり、金属突起部36に外部から電気的に接触で
きるようになつている。金属突起部36は、開口
部35に電気メツキや、蒸着、スパツタなどによ
り金属膜を析出したり、開口部35にこの寸法に
切断した金属箔を貼付けたりして形成される。可
撓性有機絶縁フイルム30と回路配線32と外部
電極33とリード端子34と金属突起部36とは
パツケージ基板301を構成する。半導体素子1
は開口部31下で可撓性有機絶縁フイルム30の
裏側表面30b側に位置するように配置されてい
る。リード端子34は突起電極2に位置合わせし
て重ねられるように配置されており、このリード
端子34は突起電極2に電気的・機械的に接続さ
れている。半導体素子1の一部、突起電極2、リ
ード端子34、回路配線32の一部および開口部
31はエポキシ樹脂などの封止樹脂41で封止さ
れている。そして、封止樹脂41の表側表面41
aは、半導体素子1の表側表面1aまわりを平坦
化するように平坦になつており、かつ可撓性有機
絶縁フイルム30の表側表面30aと一致するよ
うにしている。このような樹脂封止は回路配線3
2、外部電極33が可撓性有機絶縁フイルム30
の裏側表面30bに形成されていることによつて
可能となる。この樹脂封止には、いわゆるトラン
スフアモールド法や、液状の樹脂を半導体素子1
などに滴下して凝固する方法や、所定の形状に成
形された未硬化状態の樹脂を半導体素子1に載
せ、この樹脂を加熱して溶融する方法などが用い
られる。なお、半導体装置の厚みの精度を上げる
ために、封止樹脂の硬化後その表面を研磨して半
導体装置表面をさらに平坦化してもよい。また、
金属突起部36は有機可撓性絶縁フイルム30の
膜厚が薄いときは必要でなく、有機可撓性絶縁フ
イルム30の膜厚が厚くなるにつれて金属突起部
36の突起高さを高くなるようにする。これは、
外部から金属突起部36への電気的接触をより容
易にするためである。
イルム30の裏側表面30bに、回路配線32お
よびこの回路配線32の一方端に電気的に接続さ
れる、半導体素子の外部電極33が形成されてい
る。回路配線32の他方端にリード端子34が電
気的に接続されており、このリード端子34は開
口部31へ張り出している。可撓性有機絶縁フイ
ルム30に外部電極33に達する開口部35が形
成されている。この開口部35に外部電極33に
電気的に接続された金属突起部36が形成されて
おり、金属突起部36に外部から電気的に接触で
きるようになつている。金属突起部36は、開口
部35に電気メツキや、蒸着、スパツタなどによ
り金属膜を析出したり、開口部35にこの寸法に
切断した金属箔を貼付けたりして形成される。可
撓性有機絶縁フイルム30と回路配線32と外部
電極33とリード端子34と金属突起部36とは
パツケージ基板301を構成する。半導体素子1
は開口部31下で可撓性有機絶縁フイルム30の
裏側表面30b側に位置するように配置されてい
る。リード端子34は突起電極2に位置合わせし
て重ねられるように配置されており、このリード
端子34は突起電極2に電気的・機械的に接続さ
れている。半導体素子1の一部、突起電極2、リ
ード端子34、回路配線32の一部および開口部
31はエポキシ樹脂などの封止樹脂41で封止さ
れている。そして、封止樹脂41の表側表面41
aは、半導体素子1の表側表面1aまわりを平坦
化するように平坦になつており、かつ可撓性有機
絶縁フイルム30の表側表面30aと一致するよ
うにしている。このような樹脂封止は回路配線3
2、外部電極33が可撓性有機絶縁フイルム30
の裏側表面30bに形成されていることによつて
可能となる。この樹脂封止には、いわゆるトラン
スフアモールド法や、液状の樹脂を半導体素子1
などに滴下して凝固する方法や、所定の形状に成
形された未硬化状態の樹脂を半導体素子1に載
せ、この樹脂を加熱して溶融する方法などが用い
られる。なお、半導体装置の厚みの精度を上げる
ために、封止樹脂の硬化後その表面を研磨して半
導体装置表面をさらに平坦化してもよい。また、
金属突起部36は有機可撓性絶縁フイルム30の
膜厚が薄いときは必要でなく、有機可撓性絶縁フ
イルム30の膜厚が厚くなるにつれて金属突起部
36の突起高さを高くなるようにする。これは、
外部から金属突起部36への電気的接触をより容
易にするためである。
第2図は、この発明の一実施例であるICカー
ドの構造を示す断面図である。
ドの構造を示す断面図である。
図において、可撓性のカード50の表側に凹部
52が形成されている。第1図の半導体装置が、
可撓性有機絶縁フイルム30の表側表面30aを
カード50の表側表面50aに一致するようにし
て凹部52に実装されている。第1図の半導体装
置はその表側表面が可撓性有機絶縁フイルム30
と封止樹脂41とで平坦化されているため、この
半導体素子をカード50に実装したとき、半導体
装置の表側表面をカード50の表側表面50aと
同一平面に仕上げることが可能となる。このた
め、半導体装置の表側表面およびカード50の表
側表面50aにオーバコート膜を形成する必要が
なく、その分半導体装置の総厚を厚くでき半導体
装置の製造がより容易となる。また、回路配線3
2が可撓性有機絶縁フイルム30の裏側表面30
bに形成されて半導体装置の内部にあるので、回
路配線32は外から見えない。なお、この実施例
において、封止樹脂を半導体素子1の裏側表面1
bにも形成し、半導体素子1全体を樹脂封止する
ようにしてもよい。
52が形成されている。第1図の半導体装置が、
可撓性有機絶縁フイルム30の表側表面30aを
カード50の表側表面50aに一致するようにし
て凹部52に実装されている。第1図の半導体装
置はその表側表面が可撓性有機絶縁フイルム30
と封止樹脂41とで平坦化されているため、この
半導体素子をカード50に実装したとき、半導体
装置の表側表面をカード50の表側表面50aと
同一平面に仕上げることが可能となる。このた
め、半導体装置の表側表面およびカード50の表
側表面50aにオーバコート膜を形成する必要が
なく、その分半導体装置の総厚を厚くでき半導体
装置の製造がより容易となる。また、回路配線3
2が可撓性有機絶縁フイルム30の裏側表面30
bに形成されて半導体装置の内部にあるので、回
路配線32は外から見えない。なお、この実施例
において、封止樹脂を半導体素子1の裏側表面1
bにも形成し、半導体素子1全体を樹脂封止する
ようにしてもよい。
第3図は、この発明の他の実施例であるICカ
ードの構造を示す断面図である。
ードの構造を示す断面図である。
図において、パツケージ基板301の開口部3
1下に容器7が配置されており、この容器7の端
部はパツケージ基板301に接着剤8で接着され
ている。容器7に半導体素子1が収納されてい
る。容器7をパツケージ基板301に接着後開口
部31、容器7内に封止樹脂42が充填され、封
止樹脂42で半導体素子1全体、などが封止され
ている。カード50の表側に凹部53が形成され
ている。この凹部53に、容器7とともに、半導
体素子1と突起電極2とパツケージ基板301と
封止樹脂42とから構成される半導体装置が実装
されている。この方法によると、半導体装置の外
形を揃えるために極めて便利である。
1下に容器7が配置されており、この容器7の端
部はパツケージ基板301に接着剤8で接着され
ている。容器7に半導体素子1が収納されてい
る。容器7をパツケージ基板301に接着後開口
部31、容器7内に封止樹脂42が充填され、封
止樹脂42で半導体素子1全体、などが封止され
ている。カード50の表側に凹部53が形成され
ている。この凹部53に、容器7とともに、半導
体素子1と突起電極2とパツケージ基板301と
封止樹脂42とから構成される半導体装置が実装
されている。この方法によると、半導体装置の外
形を揃えるために極めて便利である。
なお、上記実施例では、半導体装置をカードに
実装したICカードについて示したが、この発明
は、ICカード以外の、半導体装置を薄型可撓性
基板に実装するような他の電子装置にも適用する
ことができる。
実装したICカードについて示したが、この発明
は、ICカード以外の、半導体装置を薄型可撓性
基板に実装するような他の電子装置にも適用する
ことができる。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、可撓性絶縁フ
イルムの裏側表面に回路配線を形成し、第1開口
部下で可撓性絶縁フイルムの裏側表面側に半導体
素子を配置し、可撓性絶縁フイルムの表側表面を
薄型可撓性基板の表側表面に一致するようにして
いるので、第1開口部の封止樹脂表面を平坦化し
かつこの封止樹脂表面を可撓性絶縁フイルムの表
側表面に一致させることができ、電子装置の表側
表面を平坦化することができる。また、回路配線
は可撓性絶縁フイルムの裏側表面に形成されて半
導体装置の内部にあるので、回路配線は外から見
えない。また、可撓性絶縁フイルムに外部電極の
一部が露出するように第2開口部を形成すること
によつて、外部電極に外部から電気的に接触でき
る。また、電子装置の表側表面が平坦化されてい
るためオーバコート膜を形成する必要がなく、そ
の分半導体装置の総厚を厚くでき半導体装置の製
造がより容易になる。
イルムの裏側表面に回路配線を形成し、第1開口
部下で可撓性絶縁フイルムの裏側表面側に半導体
素子を配置し、可撓性絶縁フイルムの表側表面を
薄型可撓性基板の表側表面に一致するようにして
いるので、第1開口部の封止樹脂表面を平坦化し
かつこの封止樹脂表面を可撓性絶縁フイルムの表
側表面に一致させることができ、電子装置の表側
表面を平坦化することができる。また、回路配線
は可撓性絶縁フイルムの裏側表面に形成されて半
導体装置の内部にあるので、回路配線は外から見
えない。また、可撓性絶縁フイルムに外部電極の
一部が露出するように第2開口部を形成すること
によつて、外部電極に外部から電気的に接触でき
る。また、電子装置の表側表面が平坦化されてい
るためオーバコート膜を形成する必要がなく、そ
の分半導体装置の総厚を厚くでき半導体装置の製
造がより容易になる。
第1図は、この発明の実施例であるICカード
に用いられる半導体装置の構造を示す断面図であ
る。第2図は、この発明の一実施例であるICカ
ードの構造を示す断面図である。第3図は、この
発明の他の実施例であるICカードの構造を示す
断面図である。第4図は、従来のICカード用半
導体装置の構造を示す断面図である。第5図は、
従来のICカードの構造を示す断面図である。 図において、1は半導体素子、2は突起電極、
30は可撓性有機絶縁フイルム、31は開口部、
32は回路配線、33は外部電極、34はリード
端子、35は開口部、36は金属突起部、301
はパツケージ基板、41,42は封止樹脂、50
はカード、52,53は凹部、7は容器、8は接
着剤である。なお、各図中同一符号は同一または
相当部分を示す。
に用いられる半導体装置の構造を示す断面図であ
る。第2図は、この発明の一実施例であるICカ
ードの構造を示す断面図である。第3図は、この
発明の他の実施例であるICカードの構造を示す
断面図である。第4図は、従来のICカード用半
導体装置の構造を示す断面図である。第5図は、
従来のICカードの構造を示す断面図である。 図において、1は半導体素子、2は突起電極、
30は可撓性有機絶縁フイルム、31は開口部、
32は回路配線、33は外部電極、34はリード
端子、35は開口部、36は金属突起部、301
はパツケージ基板、41,42は封止樹脂、50
はカード、52,53は凹部、7は容器、8は接
着剤である。なお、各図中同一符号は同一または
相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 前側表面と後側表面とを有し、第1開口部と
第2開口部が形成された可撓性ある絶縁フイルム
と、 前記可撓性ある絶縁フイルムの後側表面上に形
成され、かつ一端が第1開口部まで延在されたイ
ンナーリードと、 前記可撓性ある絶縁フイルムの後側表面上に形
成され、前記第2開口部に露出された露出面を有
し、かつ前記インナーリードに電気的に接続され
た外部リードと、 前記可撓性ある絶縁フイルムの前記第1開口部
の位置でかつ前記後側表面側に配置され、表面に
前記インナーリードの一端にそれぞれ電気的に接
続される複数の電極が形成された半導体素子と、 少なくとも可撓性ある絶縁フイルムの第1開口
部、前記半導体素子の表面および前記インナーリ
ードと前記半導体素子の電極との接続部を覆い、
前記可撓性ある絶縁フイルムの前側表面と同一平
面をなす平坦面を有した封止樹脂と、 前記可撓性ある絶縁フイルムおよび前記半導体
素子が収容される凹部を有し、前記可撓性ある絶
縁フイルムの前側表面と同一平面をなす平坦な前
側表面を有する可撓性ある基板とを含むカード状
の電子装置。 2 さらに、前記第2開口内部に前記外部リード
に電気的に接続される金属膜を備えた特許請求の
範囲第1項に記載の電子装置。 3 さらに、容器を備え、 前記容器は前記第1開口部下に配置されて該容
器の端部が前記可撓性ある基板に接着され、前記
半導体素子は前記容器に収容されており、前記封
止樹脂は前記半導体素子と前記容器との〓間に充
填されている特許請求の範囲第1項または第2項
に記載の電子装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61240693A JPS6394645A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 電子装置 |
US07/107,396 US4907061A (en) | 1986-10-08 | 1987-10-06 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61240693A JPS6394645A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6394645A JPS6394645A (ja) | 1988-04-25 |
JPH0319703B2 true JPH0319703B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=17063296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61240693A Granted JPS6394645A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 電子装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4907061A (ja) |
JP (1) | JPS6394645A (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182631A (en) * | 1988-04-15 | 1993-01-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Film carrier for RF IC |
US6756670B1 (en) * | 1988-08-26 | 2004-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
KR930010072B1 (ko) * | 1990-10-13 | 1993-10-14 | 금성일렉트론 주식회사 | Ccd패키지 및 그 제조방법 |
FR2674681A1 (fr) * | 1991-03-28 | 1992-10-02 | Em Microelectronic Marin Sa | Composant electronique ultramince et procede pour sa fabrication. |
US5151769A (en) * | 1991-04-04 | 1992-09-29 | General Electric Company | Optically patterned RF shield for an integrated circuit chip for analog and/or digital operation at microwave frequencies |
WO1994016544A1 (en) * | 1993-01-15 | 1994-07-21 | Vilyam Lazarevich Sanderov | Process for manufacturing integrated microcircuits |
WO1994016460A1 (en) * | 1993-01-15 | 1994-07-21 | Vilyam Lazarevich Sanderov | Integrated microcircuit |
US5583370A (en) * | 1994-03-04 | 1996-12-10 | Motorola Inc. | Tab semiconductor device having die edge protection and method for making the same |
JP3332654B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2002-10-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置用基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US6022763A (en) * | 1996-05-10 | 2000-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof |
DE19625228C2 (de) * | 1996-06-24 | 1998-05-14 | Siemens Ag | Systemträger für die Montage einer integrierten Schaltung in einem Spritzgußgehäuse |
JPH10326795A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-12-08 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
EP0942392A3 (en) * | 1998-03-13 | 2000-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Chip card |
DE10340129B4 (de) * | 2003-08-28 | 2006-07-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Modul mit Steckkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben |
CN108027892B (zh) * | 2015-09-18 | 2021-04-09 | X卡控股有限公司 | 用于信息携带卡的自定心嵌体和芯层、过程以及得到的产品 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3868724A (en) * | 1973-11-21 | 1975-02-25 | Fairchild Camera Instr Co | Multi-layer connecting structures for packaging semiconductor devices mounted on a flexible carrier |
JPS5211767A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
JPS5230184A (en) * | 1975-09-02 | 1977-03-07 | Sharp Corp | Semiconductor device |
JPS5237769A (en) * | 1975-09-19 | 1977-03-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor device |
US4210926A (en) * | 1977-12-07 | 1980-07-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Intermediate member for mounting and contacting a semiconductor body |
JPS5552250A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Connecting structure in semiconductor integrated circuit |
DE3123198C2 (de) * | 1980-12-08 | 1993-10-07 | Gao Ges Automation Org | Trägerelemente für einen IC-Baustein |
US4701781A (en) * | 1984-07-05 | 1987-10-20 | National Semiconductor Corporation | Pre-testable semiconductor die package |
US4701999A (en) * | 1985-12-17 | 1987-10-27 | Pnc, Inc. | Method of making sealed housings containing delicate structures |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61240693A patent/JPS6394645A/ja active Granted
-
1987
- 1987-10-06 US US07/107,396 patent/US4907061A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6394645A (ja) | 1988-04-25 |
US4907061A (en) | 1990-03-06 |
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