JPS5964245A - 静電チヤツク - Google Patents
静電チヤツクInfo
- Publication number
- JPS5964245A JPS5964245A JP17125582A JP17125582A JPS5964245A JP S5964245 A JPS5964245 A JP S5964245A JP 17125582 A JP17125582 A JP 17125582A JP 17125582 A JP17125582 A JP 17125582A JP S5964245 A JPS5964245 A JP S5964245A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- silicone
- silicone rubber
- electrostatic chuck
- copper pattern
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は静電チャック、詳しくは静電チャックの絶縁I
IWの改良に関する。
IWの改良に関する。
(2)技術の背景
物体を保持し、固定する方法、いわゆるチャッキングの
方法としては117通には機械的方法によるメカニカル
ヂャソクか、またそれか不可能あるいは望ましくない場
合には、yL空チ中ツク、静電チャック等の方法がとら
れている。このうし静電チャックは静電引力を原理とす
る方法で、比較的軽量で真空中でのM作を要するものに
右利である。
方法としては117通には機械的方法によるメカニカル
ヂャソクか、またそれか不可能あるいは望ましくない場
合には、yL空チ中ツク、静電チャック等の方法がとら
れている。このうし静電チャックは静電引力を原理とす
る方法で、比較的軽量で真空中でのM作を要するものに
右利である。
特に静電チャックが有利な場合として、真空中または極
めて低圧下に行われる半導体装置製造」ニイ■がントげ
られる。メカニカルチーレソクはいかなる形態のもので
あれ、表面の−+t1;をチャッキングの腕がおお・)
ことになり、ウェハのその部分には半導体装置を作るこ
とはできないたりでなく、チャッキングの力はご<−i
++にしかかからないのでウェハを押しつりてそりを矯
正し°ζ・12坦化するような1」的を達成したい場合
等には不通′ζある。静電ナヤノクは真空中でも用いる
ことかでき、チャッキングの11(■は必要でなく、チ
ャッキングの力も一様にかかるので、前記した」二稈に
おLJるチャッキング方法としては非垢′にr百〇であ
る。
めて低圧下に行われる半導体装置製造」ニイ■がントげ
られる。メカニカルチーレソクはいかなる形態のもので
あれ、表面の−+t1;をチャッキングの腕がおお・)
ことになり、ウェハのその部分には半導体装置を作るこ
とはできないたりでなく、チャッキングの力はご<−i
++にしかかからないのでウェハを押しつりてそりを矯
正し°ζ・12坦化するような1」的を達成したい場合
等には不通′ζある。静電ナヤノクは真空中でも用いる
ことかでき、チャッキングの11(■は必要でなく、チ
ャッキングの力も一様にかかるので、前記した」二稈に
おLJるチャッキング方法としては非垢′にr百〇であ
る。
静電・y・ヤノク1は第1図に示す構造のもので、平面
状の電極21−に絶縁物3を介しご被吸着物(試料)4
を設置し2、電極2と被吸着物4の間に電圧を印加し゛
C吸宥せしめる。これで(41られる吸着力Fば次の(
1)式で表される。
状の電極21−に絶縁物3を介しご被吸着物(試料)4
を設置し2、電極2と被吸着物4の間に電圧を印加し゛
C吸宥せしめる。これで(41られる吸着力Fば次の(
1)式で表される。
■パ−ε−V ・・・ (1)
ここでεは誘電率、■は印加した電圧、dは絶縁物1−
の厚さ、Sは電極面積を表す。
の厚さ、Sは電極面積を表す。
例えば半導体ウェハの処理にプラズマを利用する場合、
第2図に示す装置が用いられる。第2図以下で、既に図
示した部分と同じ部分は同一符号を付して示すこととし
、第2図において、5は真空に保ノこれた処理チェンバ
、6はプラスマ発生用の高周波(+117)発振器7に
接続された′11i極、8は静電吸着のための電圧発生
電源を示ず。lti’f+ ?Ii (−・トソク1は
、冷却用ブロック9上に配置されたア月ベニウム(八β
)扱10、 へ7!仮lo上に配置された絶縁膜3から
成り、絶縁)模3内に配置された第1図の電極2に対応
するルjパターン(図示せず)が電源8に接&にされ、
静電吸着によって試料4を保持する。他方冷却用ソl:
J 、、り9には冷却水が図ボの如く供給されjJ+出
される。
第2図に示す装置が用いられる。第2図以下で、既に図
示した部分と同じ部分は同一符号を付して示すこととし
、第2図において、5は真空に保ノこれた処理チェンバ
、6はプラスマ発生用の高周波(+117)発振器7に
接続された′11i極、8は静電吸着のための電圧発生
電源を示ず。lti’f+ ?Ii (−・トソク1は
、冷却用ブロック9上に配置されたア月ベニウム(八β
)扱10、 へ7!仮lo上に配置された絶縁膜3から
成り、絶縁)模3内に配置された第1図の電極2に対応
するルjパターン(図示せず)が電源8に接&にされ、
静電吸着によって試料4を保持する。他方冷却用ソl:
J 、、り9には冷却水が図ボの如く供給されjJ+出
される。
図示の静電チャックは、真空チャックが真空中では使用
不能であろノこめ開発され、1ト1パターンにjm電し
たとき牛する吸着力を利用するものであるが、処理千−
7−ンハ5内は真?1ヒ、がっ、1000 ’C+、’
i!度のl!’il ?A!rに保たれ、他力j1(イ
″〜1は150 ’C程度の温度に1牙:ち)こいので
、3同パターンの糸色ケ厳と、4色縁股3と試料4のけ
イ;11性に注意が払われている。
不能であろノこめ開発され、1ト1パターンにjm電し
たとき牛する吸着力を利用するものであるが、処理千−
7−ンハ5内は真?1ヒ、がっ、1000 ’C+、’
i!度のl!’il ?A!rに保たれ、他力j1(イ
″〜1は150 ’C程度の温度に1牙:ち)こいので
、3同パターンの糸色ケ厳と、4色縁股3と試料4のけ
イ;11性に注意が払われている。
(3)従来技術と間J点
1iL来の絶縁膜にはほとんとの場合jljE機系の薄
扱か用いられ、かがる絶縁膜はΣfs3図の断面図に小
される11°4成のものである。tliJパターンずな
ゎら′電極2 +、1. tlil 4/jを辿′帛℃
エノチンクでパターニングして作られ、それは第1図の
絶縁物3に対応するj、Q4機糸の薄様3a内に配置さ
れる。ン1シ扱3aについては、それの形成かe:If
シ<、電極(j’lilバクーン)2の接清か容易にな
し11,1ないたりでノiく、 np扱1゜との11X
1になんら(iii iq二ず1没が段&Jられてぃな
いので、試料4に加えられる静電吸;11カが試:l゛
I /E”:体にゎたって均一に加えられず、試料と絶
縁膜とのなしのが良くないという問題がある。
扱か用いられ、かがる絶縁膜はΣfs3図の断面図に小
される11°4成のものである。tliJパターンずな
ゎら′電極2 +、1. tlil 4/jを辿′帛℃
エノチンクでパターニングして作られ、それは第1図の
絶縁物3に対応するj、Q4機糸の薄様3a内に配置さ
れる。ン1シ扱3aについては、それの形成かe:If
シ<、電極(j’lilバクーン)2の接清か容易にな
し11,1ないたりでノiく、 np扱1゜との11X
1になんら(iii iq二ず1没が段&Jられてぃな
いので、試料4に加えられる静電吸;11カが試:l゛
I /E”:体にゎたって均一に加えられず、試料と絶
縁膜とのなしのが良くないという問題がある。
絶縁膜3に有機系1M脂薄j模を用いることも提案され
たが、それは前記した弾性の点では’A)果かあるもの
の熱伝導率の点で問題がある。前記した如く、処理チェ
ンバ5内は1000℃程瓜の10」温状態にあり、試料
を冷却する目的で冷却手段か設けられるのであるが、絶
縁11Q 3か樹脂刊料製のものであると、冷却手段が
その機能を十分に達しf47ないことになる。
たが、それは前記した弾性の点では’A)果かあるもの
の熱伝導率の点で問題がある。前記した如く、処理チェ
ンバ5内は1000℃程瓜の10」温状態にあり、試料
を冷却する目的で冷却手段か設けられるのであるが、絶
縁11Q 3か樹脂刊料製のものであると、冷却手段が
その機能を十分に達しf47ないことになる。
(4)発明の1」的
本発明は上記従来の問題点に渇み、試料との接触面41
vが増大せしめられ、試料に良くなじめ、放熱効果か大
で、試料の剥離か容易になされうる絶縁膜を其備した静
電チャックを提供することを1」的とする。
vが増大せしめられ、試料に良くなじめ、放熱効果か大
で、試料の剥離か容易になされうる絶縁膜を其備した静
電チャックを提供することを1」的とする。
(5)発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、金IFjX板の上に
放熱性シリコーンプリプレーグから成る第1に色縁股と
、該第1絶縁股上に電極として形成されノこt同パター
ンと、該tl=1パターン」−にシリコーンコムから成
る第2絶縁映が設りられC成ることを11!f徴とする
静電チャックを提供することによって達成され、また、
前記第2絶縁映は放メソシ性シリコーンコムシー1−に
よっ゛C構成してもよく、更に、前記第1絶W3、膜は
格子状のl+I’iか形成されたノリコーンコムによっ
て+14成してもよい。
放熱性シリコーンプリプレーグから成る第1に色縁股と
、該第1絶縁股上に電極として形成されノこt同パター
ンと、該tl=1パターン」−にシリコーンコムから成
る第2絶縁映が設りられC成ることを11!f徴とする
静電チャックを提供することによって達成され、また、
前記第2絶縁映は放メソシ性シリコーンコムシー1−に
よっ゛C構成してもよく、更に、前記第1絶W3、膜は
格子状のl+I’iか形成されたノリコーンコムによっ
て+14成してもよい。
(0)発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第4図に本発明の第1実施例か1υj面図で示され、同
図においζ、20はへI2板、21は第1絶縁+1Q、
22は第2絶縁膜、23は銅パターンを示す。 A I
24及20の下刃には第2図に示した冷却用ブロック9
に力1似の冷却用ブI−ノックが配置される。銅パター
ン23は第1図の電極2に対応する。
図においζ、20はへI2板、21は第1絶縁+1Q、
22は第2絶縁膜、23は銅パターンを示す。 A I
24及20の下刃には第2図に示した冷却用ブロック9
に力1似の冷却用ブI−ノックが配置される。銅パター
ン23は第1図の電極2に対応する。
第11色縁lj東21はシリニl−ンこコムをカラスク
l’1スに浸透させノこシリコーンブリブレーク20の
上に接着することによっ゛(形成され、第1絶縁脱21
の上にtljlパターン23が接着され、この#liI
パターン2;3の上には、シリmlーンゴムをスクリー
ン印刷を数回給・(り返して100.+1mのj′7.
さのものにした第2絶縁1ts)2zか形成される。
l’1スに浸透させノこシリコーンブリブレーク20の
上に接着することによっ゛(形成され、第1絶縁脱21
の上にtljlパターン23が接着され、この#liI
パターン2;3の上には、シリmlーンゴムをスクリー
ン印刷を数回給・(り返して100.+1mのj′7.
さのものにした第2絶縁1ts)2zか形成される。
第1絶に3、膜のシリコーンプリプレーグは200μm
の1!I′さのものであり、これによってB4に20と
銅パターン23との間を絶縁し、それと同時に静電チャ
ック面に弾性をもたせ、試料(被吸着物)との密省性を
良好なものとすると同時に、8s’C料の放熱性を+l
’tiめることが可能となる。
の1!I′さのものであり、これによってB4に20と
銅パターン23との間を絶縁し、それと同時に静電チャ
ック面に弾性をもたせ、試料(被吸着物)との密省性を
良好なものとすると同時に、8s’C料の放熱性を+l
’tiめることが可能となる。
第5図は第4図の実施例を製造する工程のフロ−チャー
トである。Δはアルミ加工を示し、この工程において、
アルミニウム仮20は平面度が0.01mm程度に仕上
げられるか、その表面は粗く凹凸に加工される。
トである。Δはアルミ加工を示し、この工程において、
アルミニウム仮20は平面度が0.01mm程度に仕上
げられるか、その表面は粗く凹凸に加工される。
Bはシリコーンプリプレーグ製作」二程を示し、この工
程でガラスフ1」スに放り15性シリコーンゴムを浸透
さ−Uて第1絶縁11tA21を作る。
程でガラスフ1」スに放り15性シリコーンゴムを浸透
さ−Uて第1絶縁11tA21を作る。
Cは銅板接着、パターン形成工程を示し、この工程で銅
(及をエツチングして銅パターンを形成し、それを第1
絶縁股21にプレス接着するくI〕)。
(及をエツチングして銅パターンを形成し、それを第1
絶縁股21にプレス接着するくI〕)。
巳はスクリーン印刷による薄膜形成工程で放!;1シ性
シリコーンゴノ、のスクリーン印刷を数回繰り返し第2
絶縁映(シリ−2−ンコノ・−1−ヶインク)22を形
成する。
シリコーンゴノ、のスクリーン印刷を数回繰り返し第2
絶縁映(シリ−2−ンコノ・−1−ヶインク)22を形
成する。
1・゛はキュアー上程°C、プラズマ処理によって第2
絶縁股22の表面を硬化し、次いでソリコーンゴムを(
1旧4)シ、これによって絶縁膜は完成する(G)。i
ii+記した硬化によって試れ1が絶縁膜から見合よ<
P:I[脱されうる。
絶縁股22の表面を硬化し、次いでソリコーンゴムを(
1旧4)シ、これによって絶縁膜は完成する(G)。i
ii+記した硬化によって試れ1が絶縁膜から見合よ<
P:I[脱されうる。
第6図と第7図は本発明の第2実施例の断面図と当該第
2実施例を製造する工程の)IU−チャー1・で、第4
図にンバした部分および第5図に示した工程と同し部分
おまひ工程は同じ名1号で示す。
2実施例を製造する工程の)IU−チャー1・で、第4
図にンバした部分および第5図に示した工程と同し部分
おまひ工程は同じ名1号で示す。
第7図の工程においては、第2絶縁股として、ノリコー
ンコムコーう一インク22の代りにシリコ−ンゴム・シ
ート22aを接着しく]))、キJ、アー(12)の後
にこのシリコーンコムシーI・をラソピンクにより10
0.czmの厚さまてIJ 川しく F’ ) 、絶M
i膜は完成する(G)。第2実施例の)hi造は第4図
に示す構造と同(4νごあるか、第2絶FfJA II
A 22 aか、第4図に示したシリコーンコムコーチ
インクに代えてシリコーンゴムシートである点が異なる
。
ンコムコーう一インク22の代りにシリコ−ンゴム・シ
ート22aを接着しく]))、キJ、アー(12)の後
にこのシリコーンコムシーI・をラソピンクにより10
0.czmの厚さまてIJ 川しく F’ ) 、絶M
i膜は完成する(G)。第2実施例の)hi造は第4図
に示す構造と同(4νごあるか、第2絶FfJA II
A 22 aか、第4図に示したシリコーンコムコーチ
インクに代えてシリコーンゴムシートである点が異なる
。
またこの第2実施例においては、第2絶縁映22aの平
面度が高められ、試料(被吸着物)の接触をより確実に
することが可能となる。
面度が高められ、試料(被吸着物)の接触をより確実に
することが可能となる。
第8図は本発明の第3実施例を示し、第1絶縁11A2
1aとして、シリコーンゴムに格子状に溝24を付ける
。第3実施例においてはより弾性を増ず゛ ことができ
、試料(被吸着物)とのなしみが良くなる効果がある。
1aとして、シリコーンゴムに格子状に溝24を付ける
。第3実施例においてはより弾性を増ず゛ ことができ
、試料(被吸着物)とのなしみが良くなる効果がある。
(7)発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、シリコ
ーンゴムを均一な厚さでコーティングすることができる
ので、一定の品質の、放熱性のよい静電チャックの製造
が可能となる。また、第1絶縁膜に弾性のあるシリコー
ンプリプレーグを用いることにより、チャック表面の弾
性を増大させるという効果がある。更に、第2絶縁膜を
プラズマ硬化処理によりキュアーすることにより、試料
(被吸着物)の剥離が良好になされる効果があり、これ
らの効果は、半導体装置製造歩留りの向上に寄与すると
ころ大である。
ーンゴムを均一な厚さでコーティングすることができる
ので、一定の品質の、放熱性のよい静電チャックの製造
が可能となる。また、第1絶縁膜に弾性のあるシリコー
ンプリプレーグを用いることにより、チャック表面の弾
性を増大させるという効果がある。更に、第2絶縁膜を
プラズマ硬化処理によりキュアーすることにより、試料
(被吸着物)の剥離が良好になされる効果があり、これ
らの効果は、半導体装置製造歩留りの向上に寄与すると
ころ大である。
第1図は従来の静電チャックの断面図、第2図は静電チ
ャックが用いられるプラズマ処理装置の断面図、第3図
は従来の静電チャックの絶縁膜の断面図、第4図、第6
図、第8図は本発明の第1、第2、第3実施例の断面図
、第5図と第7図は本発明の第1実施例と第2実施例を
製造する工程のフローチャートである。 2−電極、3−絶縁膜、4−試料、5−処理チェンバ、
6−電極、7−1(1’発振器、電源、20− へl
板、21.21a−第1絶縁膜、22.22a−第2船
色縁膜、23−11″Iパターン、A−−−へl加」二
工程、B−シリコーンプリプレーグ製作工程、C−銅板
接着、パターン形成工程、D−プレス接着工程、E−−
一第2絶縁膜形成工程、F−キュア一工程、 F’−シ
リコーンゴムシーl−研磨工程、G−・−完成 第1図 第2図 ts4図 0 第5図 第6図 第8図 第7図
ャックが用いられるプラズマ処理装置の断面図、第3図
は従来の静電チャックの絶縁膜の断面図、第4図、第6
図、第8図は本発明の第1、第2、第3実施例の断面図
、第5図と第7図は本発明の第1実施例と第2実施例を
製造する工程のフローチャートである。 2−電極、3−絶縁膜、4−試料、5−処理チェンバ、
6−電極、7−1(1’発振器、電源、20− へl
板、21.21a−第1絶縁膜、22.22a−第2船
色縁膜、23−11″Iパターン、A−−−へl加」二
工程、B−シリコーンプリプレーグ製作工程、C−銅板
接着、パターン形成工程、D−プレス接着工程、E−−
一第2絶縁膜形成工程、F−キュア一工程、 F’−シ
リコーンゴムシーl−研磨工程、G−・−完成 第1図 第2図 ts4図 0 第5図 第6図 第8図 第7図
Claims (2)
- (1)金属板の上に放熱性シリコーンプリプレーグから
成る第1絶縁股と、該第1絶縁膜上に電極として形成さ
れた銅パターンと、該荊パターン上にシリコーンゴムが
ら成る第2絶縁+1Qが設けられC成ることを特徴とす
る静電チャック。 - (2)前記第2絶縁股が放t:ハ性シリコーンコムシー
トであることを特徴とする特許i1i’?求の範囲第1
項記載の静電チャック。 (31Ml記第1絶縁膜が格子状の溝が形成されたシリ
コーンゴムであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17125582A JPS5964245A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 静電チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17125582A JPS5964245A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 静電チヤツク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5964245A true JPS5964245A (ja) | 1984-04-12 |
JPH0255175B2 JPH0255175B2 (ja) | 1990-11-26 |
Family
ID=15919928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17125582A Granted JPS5964245A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 静電チヤツク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5964245A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62157752A (ja) * | 1985-12-29 | 1987-07-13 | Kyocera Corp | 静電チヤツク |
JPS63283037A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
JPH03187240A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Nikon Corp | 静電チヤツク |
US6071630A (en) * | 1996-03-04 | 2000-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
EP1850376A2 (en) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US7352555B2 (en) | 2004-12-06 | 2008-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
EP1986228A1 (en) | 2007-04-26 | 2008-10-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17125582A patent/JPS5964245A/ja active Granted
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62157752A (ja) * | 1985-12-29 | 1987-07-13 | Kyocera Corp | 静電チヤツク |
JPS63283037A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
JPH0587177B2 (ja) * | 1988-07-16 | 1993-12-15 | Tomoegawa Paper Co Ltd | |
JPH03187240A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Nikon Corp | 静電チヤツク |
US6071630A (en) * | 1996-03-04 | 2000-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US7352555B2 (en) | 2004-12-06 | 2008-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
EP1850376A2 (en) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
EP1850376A3 (en) * | 2006-04-28 | 2010-01-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US7667943B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-02-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
EP1986228A1 (en) | 2007-04-26 | 2008-10-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0255175B2 (ja) | 1990-11-26 |
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