JPS6395644A - 静電チヤツク - Google Patents
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導体又は半導体製の支持板の表面に絶縁膜を
有し、該絶縁膜面に導体又は半導体製の試料を設置し、
前記支持板と該試料との間に電位差を与えることにより
生ずる静電力を利用して該試料を該支持板に吸着固定す
る静電チャックに関するものである。
有し、該絶縁膜面に導体又は半導体製の試料を設置し、
前記支持板と該試料との間に電位差を与えることにより
生ずる静電力を利用して該試料を該支持板に吸着固定す
る静電チャックに関するものである。
近年、真空装置を多用する半導体素子製造工程中に半導
体素子基板(以下ウエノ・という)の着脱搬送や吸着固
定に静電チャックを適用する試みがなされている。
体素子基板(以下ウエノ・という)の着脱搬送や吸着固
定に静電チャックを適用する試みがなされている。
第5図は、その静電チャックの基本構造の断面図を示し
たものである。この静電チャックは、導体又は半導体製
の支持板λの上面に絶縁膜3を備えており、導体または
半導体製の試料/を絶縁膜3に対向させ直流電源≠を用
いて、試料/と支持板λとの間に電位差を与えることで
、試料/と支持板2間に生じる静電力で、試料/をチャ
ッキングするものである。
たものである。この静電チャックは、導体又は半導体製
の支持板λの上面に絶縁膜3を備えており、導体または
半導体製の試料/を絶縁膜3に対向させ直流電源≠を用
いて、試料/と支持板λとの間に電位差を与えることで
、試料/と支持板2間に生じる静電力で、試料/をチャ
ッキングするものである。
この場合、静電力の大きさは理想的には、電位厚)の2
乗に比例すると考えられている。
乗に比例すると考えられている。
従って、絶縁膜3の耐電界強度が高いほど、絶縁膜3の
厚さを薄くでき、低印加電位で大きな静電力、すなわち
チャッキング力が得られそれゆえ、高電界強度の絶縁膜
の形成が静電チャックの性能を左右することになると考
えられていた。
厚さを薄くでき、低印加電位で大きな静電力、すなわち
チャッキング力が得られそれゆえ、高電界強度の絶縁膜
の形成が静電チャックの性能を左右することになると考
えられていた。
この種の絶縁膜には、アルミナ(A403 )系、酸化
硅素(5iO2)系の無機材料が用いられており、プラ
ズマ溶射法、焼成法、電子ビーム蒸着。
硅素(5iO2)系の無機材料が用いられており、プラ
ズマ溶射法、焼成法、電子ビーム蒸着。
スパフタリングあるいは気相成長法等により高電界強度
に耐えられる絶縁膜の形成が可能である。
に耐えられる絶縁膜の形成が可能である。
しかし、実際にこのような高耐圧の膜、を用いて静電チ
ャックに適用してみても、静電力が全く得られなかった
シ、得られても極めて小さく不安定であったり、電圧の
印加又は停止後に静電力が徐々に増大又は徐々に減少す
るといった低応答現象が現われ、静電チャックとして満
足に使えるものではなかった。
ャックに適用してみても、静電力が全く得られなかった
シ、得られても極めて小さく不安定であったり、電圧の
印加又は停止後に静電力が徐々に増大又は徐々に減少す
るといった低応答現象が現われ、静電チャックとして満
足に使えるものではなかった。
このように、従来考えられていたような単に高耐圧の絶
縁膜を用いるだけでは大きな静電力を有する静電チャッ
クを実現することはできなかった。
縁膜を用いるだけでは大きな静電力を有する静電チャッ
クを実現することはできなかった。
また、従来の静電チャックでは静電力の応答性もよくな
かった。
かった。
本発明の目的は、大きな静電力を有する静電チャックを
提供することにある。
提供することにある。
また、本発明の他の目的は、静電力の応答性の高い静電
チャックを提供することにある。
チャックを提供することにある。
本発明は、酸化物系の高絶縁体中の酸素またはより欠乏
ざぜるととも國Cnらと1こ甘し1いる一方の導体又は
半導体組成を増大させた絶縁膜、又は緻密均質化により
体積固有抵抗と比例する膜抵抗の増大が避けられない高
絶縁体に導体、半導体又は低抵抗体材質を混ぜることに
より前記膜抵抗を減少させた絶縁膜を通常の構造の静電
チャックの絶縁物の代わりに用いて構成した静電チャッ
クである。
ざぜるととも國Cnらと1こ甘し1いる一方の導体又は
半導体組成を増大させた絶縁膜、又は緻密均質化により
体積固有抵抗と比例する膜抵抗の増大が避けられない高
絶縁体に導体、半導体又は低抵抗体材質を混ぜることに
より前記膜抵抗を減少させた絶縁膜を通常の構造の静電
チャックの絶縁物の代わりに用いて構成した静電チャッ
クである。
更に本発明の他の態様は前記絶縁膜表面上に微小凸部を
設けた構成の静電チャックである。
設けた構成の静電チャックである。
本発明は、従来の高耐圧な絶縁膜を用いた場合に理想的
な静電力が得られない原因を解明し、その原因を改善す
ることによりなされたものである。
な静電力が得られない原因を解明し、その原因を改善す
ることによりなされたものである。
そこで、静電力発生のメカニズムについて先ず説明する
。
。
第4図は従来構造の静電チャックの静電力の観測結果に
基づいた静電力の発生メカニズムについて示したもので
、吸着板!(第!図の試料/に相当)と絶縁膜乙(第オ
図の絶縁膜3に相当)間には、両者の表面粗度や加工精
度に基づく微小な空間♂が必ず存在する。このため、電
極り(第!図の支持板λに相当)と、吸着板!間の回路
構成は絶縁膜乙ならびに空間♂を絶縁層としたコンデン
サ10の直列接続に等しくなっている。従って、吸着板
オに作用する静電力は吸着板よと絶縁膜を面間(以下吸
着面間と言う)および吸着板!と電極り間(以下吸着板
−電極間と言う)の電荷クーロン力の和となる。ところ
で、第4図において絶縁膜乙の膜抵抗/lに較べ表面抵
抗/2が小さく。
基づいた静電力の発生メカニズムについて示したもので
、吸着板!(第!図の試料/に相当)と絶縁膜乙(第オ
図の絶縁膜3に相当)間には、両者の表面粗度や加工精
度に基づく微小な空間♂が必ず存在する。このため、電
極り(第!図の支持板λに相当)と、吸着板!間の回路
構成は絶縁膜乙ならびに空間♂を絶縁層としたコンデン
サ10の直列接続に等しくなっている。従って、吸着板
オに作用する静電力は吸着板よと絶縁膜を面間(以下吸
着面間と言う)および吸着板!と電極り間(以下吸着板
−電極間と言う)の電荷クーロン力の和となる。ところ
で、第4図において絶縁膜乙の膜抵抗/lに較べ表面抵
抗/2が小さく。
且つ、吸着面間の空間抵抗/3を無限大とすると、接触
点/lの接触抵抗/!は、はとんど零であるため、電流
は絶縁膜6面上を流れ接触点/≠に集中する。この結果
、絶縁膜乙の表面に負電荷/lが蓄積される。従って、
静電力は正・負電荷間のクーロン力によるから、絶縁膜
乙の表面に静電力が作用するが、吸着板!には作用しな
い現象が生ずる。加えて、膜抵抗//・表面抵抗/2あ
るいは空間抵抗13はいずれも有限であるため、これら
の抵抗値が吸着板よと電極り間の電位勾配を変化させ、
蓄積される電荷量を定めるから、これらの抵抗値が静電
力に及ぼす影響は無視できない値となる。
点/lの接触抵抗/!は、はとんど零であるため、電流
は絶縁膜6面上を流れ接触点/≠に集中する。この結果
、絶縁膜乙の表面に負電荷/lが蓄積される。従って、
静電力は正・負電荷間のクーロン力によるから、絶縁膜
乙の表面に静電力が作用するが、吸着板!には作用しな
い現象が生ずる。加えて、膜抵抗//・表面抵抗/2あ
るいは空間抵抗13はいずれも有限であるため、これら
の抵抗値が吸着板よと電極り間の電位勾配を変化させ、
蓄積される電荷量を定めるから、これらの抵抗値が静電
力に及ぼす影響は無視できない値となる。
一方、静電力の低応答性は微小な空間♂を絶縁層とする
吸着面間に貯えられる電荷の充放電時間に起因している
。これは空間♂が微小なため・吸着面間の静電容量Cが
大きくなり、絶縁膜2を介して充放電されるため、静電
容量Cと膜抵抗//の抵抗値孔との積・いわゆる時定数
几・Cが高ま。
吸着面間に貯えられる電荷の充放電時間に起因している
。これは空間♂が微小なため・吸着面間の静電容量Cが
大きくなり、絶縁膜2を介して充放電されるため、静電
容量Cと膜抵抗//の抵抗値孔との積・いわゆる時定数
几・Cが高ま。
って、充放電に時間を要するためである。従って、静電
力の低応答性は、吸着面間の電荷クーロン力に基づいて
いる。但し、吸着板−電極間の電荷クーロン力は静電容
量も小さく、抵抗値もほとんど零であるため高応答であ
る。尚、/7は正電荷である・ このように、静電力の不安定性や低応答性は、絶縁膜乙
の表面抵抗/2を膜抵抗//で除した値(以下、面/膜
抵抗比と言う)が小さいこと、ならびに、吸着面間の静
電容量が大きいことに起因している。また、前者におい
て表面抵抗/2が小さくなる原因は、絶縁膜6面上に大
気中分子、とくに導電性の水酸基分子(0H−)や水蒸
気分子(H20)が吸着するためである。
力の低応答性は、吸着面間の電荷クーロン力に基づいて
いる。但し、吸着板−電極間の電荷クーロン力は静電容
量も小さく、抵抗値もほとんど零であるため高応答であ
る。尚、/7は正電荷である・ このように、静電力の不安定性や低応答性は、絶縁膜乙
の表面抵抗/2を膜抵抗//で除した値(以下、面/膜
抵抗比と言う)が小さいこと、ならびに、吸着面間の静
電容量が大きいことに起因している。また、前者におい
て表面抵抗/2が小さくなる原因は、絶縁膜6面上に大
気中分子、とくに導電性の水酸基分子(0H−)や水蒸
気分子(H20)が吸着するためである。
これは通常起こりうる現象なので面/膜抵抗比を大きく
するためには、膜抵抗を小さくすることが望ましい。
するためには、膜抵抗を小さくすることが望ましい。
本発明では、絶縁膜として酸素の少ない酸化物系絶縁膜
、窒素の少ない窒化物系絶縁膜又は低抵抗材質を混入し
た絶縁膜を用いることにより、1013Ω・俤以下の体
積固有抵抗をもつ絶縁膜を有する静電チャックを実現し
ている。その結果、上述した面/膜抵抗比を大きくする
ことができるので、高い静電力をもつ静電チャックを得
ることができる。
、窒素の少ない窒化物系絶縁膜又は低抵抗材質を混入し
た絶縁膜を用いることにより、1013Ω・俤以下の体
積固有抵抗をもつ絶縁膜を有する静電チャックを実現し
ている。その結果、上述した面/膜抵抗比を大きくする
ことができるので、高い静電力をもつ静電チャックを得
ることができる。
更に、絶縁膜の表面に凹凸をつけることにより、絶縁膜
と試料面の間の空間を大きくした。その結果、絶縁膜と
試料面間の静電容量を小さくでき静電力の応答性を高く
することができる。
と試料面の間の空間を大きくした。その結果、絶縁膜と
試料面間の静電容量を小さくでき静電力の応答性を高く
することができる。
第1図は本発明の実施例の一つを示したものである。シ
ート電極lOOを表面に有するセラミック基板10/か
ら成る支持板102の表面に、シート電極100を覆う
ように絶縁膜103が形成されている。シート電極10
Qには正の電圧が印加されるように電源10IItが接
続されている。本発明の特徴は、絶縁膜103として、
体積固有抵抗が1013Ω・広以下の比較的低抵抗の絶
縁膜を用いる点である。
ート電極lOOを表面に有するセラミック基板10/か
ら成る支持板102の表面に、シート電極100を覆う
ように絶縁膜103が形成されている。シート電極10
Qには正の電圧が印加されるように電源10IItが接
続されている。本発明の特徴は、絶縁膜103として、
体積固有抵抗が1013Ω・広以下の比較的低抵抗の絶
縁膜を用いる点である。
本実施例の7つの態様としては絶縁膜103に5Iox
(x<、2)を用いている。この5iOx(x<2)を
形成するためには、例えばSiをターゲットに電子ビー
ム蒸着をする際、xくλの膜になるように酸素雰囲気の
酸素の流量を制御する。このように制御することによ’
) 5IOX中の半導体物質であるSiOの組成量を増
大させることができ、所望の膜抵抗を有するSiOxを
得ることができる。
(x<、2)を用いている。この5iOx(x<2)を
形成するためには、例えばSiをターゲットに電子ビー
ム蒸着をする際、xくλの膜になるように酸素雰囲気の
酸素の流量を制御する。このように制御することによ’
) 5IOX中の半導体物質であるSiOの組成量を増
大させることができ、所望の膜抵抗を有するSiOxを
得ることができる。
更に本実施例の他の態様によれば絶縁膜103として抵
抗低減材を混入したアルミナを用いている。即ち絶縁膜
103としては、例えばアルミナ(At20. )より
抵抗値が小さくかつ主材であるアルミナとよく混じる抵
抗低減材として例えば金属チタニウムの超微粒子をアル
ミナに混入焼成して形成したアルミナ膜を用いればよい
。
抗低減材を混入したアルミナを用いている。即ち絶縁膜
103としては、例えばアルミナ(At20. )より
抵抗値が小さくかつ主材であるアルミナとよく混じる抵
抗低減材として例えば金属チタニウムの超微粒子をアル
ミナに混入焼成して形成したアルミナ膜を用いればよい
。
第2図は、前述の焼成アルミナ(At203)膜/♂、
焼成酸化硅素(Si02)膜/り、電子ビーム蒸着酸化
硅素膜20および、チタニウム混入焼成アルミナ膜2/
、それぞれにおける静電力と電界強度との関係を真空中
で求めた実験値である。第2−8図に示すように、従来
法で形成した焼成アルミナ(kt、 03)膜/♂およ
び焼成酸化硅素(S10□)膜/りと、本法により形成
した電子ビーム蒸着酸化硅素膜20およびチタニウム混
入焼成アルミナ膜2/との、静電力の大きさを同電界強
度で比較すると、本法の方が7桁ないし2桁はど大きく
、とくにチタニウム混入焼成アルミナ2/は、低電界強
度で高静電力が得られる。
焼成酸化硅素(Si02)膜/り、電子ビーム蒸着酸化
硅素膜20および、チタニウム混入焼成アルミナ膜2/
、それぞれにおける静電力と電界強度との関係を真空中
で求めた実験値である。第2−8図に示すように、従来
法で形成した焼成アルミナ(kt、 03)膜/♂およ
び焼成酸化硅素(S10□)膜/りと、本法により形成
した電子ビーム蒸着酸化硅素膜20およびチタニウム混
入焼成アルミナ膜2/との、静電力の大きさを同電界強
度で比較すると、本法の方が7桁ないし2桁はど大きく
、とくにチタニウム混入焼成アルミナ2/は、低電界強
度で高静電力が得られる。
このように、欠乏法や混入法により膜抵抗の適正化を図
った本法の効果は歴然であシ、かつ、この効果が得られ
る体積固有抵抗の適正な値は1013Ω擺以下であるこ
とも明白である。
った本法の効果は歴然であシ、かつ、この効果が得られ
る体積固有抵抗の適正な値は1013Ω擺以下であるこ
とも明白である。
以上の実験データは、アルミナ(At20s )および
酸化硅素(SiO2)系の絶縁膜に拳法の絶縁膜形成法
を適用した結果の一例を示したにすぎず、これに限るも
のでなく、高電界強度化と膜抵抗の適正化を併せて達成
できればよく、例えば、高体積固有抵抗かつ、高絶縁体
のアルミナ(At203)、窒化硅素(S13N4)、
ベリリア(Bed)、チタン酸バリウム(BaTi03
)あるいは!酸化タンタル(TaO5)などに欠乏法を
、また、これらに種々の。
酸化硅素(SiO2)系の絶縁膜に拳法の絶縁膜形成法
を適用した結果の一例を示したにすぎず、これに限るも
のでなく、高電界強度化と膜抵抗の適正化を併せて達成
できればよく、例えば、高体積固有抵抗かつ、高絶縁体
のアルミナ(At203)、窒化硅素(S13N4)、
ベリリア(Bed)、チタン酸バリウム(BaTi03
)あるいは!酸化タンタル(TaO5)などに欠乏法を
、また、これらに種々の。
純金属や硅素(Si )に代表される半導体材料、ある
いは低抵抗セラミックであるチタニア(Ti0J、チタ
ンカーバイト(TiC)、炭化硅素(SiC)、ジルコ
ニア(ZrO2)などと組合せる混入法が適用できるこ
とは言うまでもない。
いは低抵抗セラミックであるチタニア(Ti0J、チタ
ンカーバイト(TiC)、炭化硅素(SiC)、ジルコ
ニア(ZrO2)などと組合せる混入法が適用できるこ
とは言うまでもない。
一方、静電力の低応答性は、第4図に示す微小な空間g
を絶縁層とする吸着面間の静電容量が大きいことに起因
しておシ、吸着面間の電荷クーロン力であるから、微小
空間とならぬよう吸着面間の空間♂を大きくすることで
、静電容量を小さくし高応答の吸着板−電極間の電荷ク
ーロン力を利用すれば良いことになる。
を絶縁層とする吸着面間の静電容量が大きいことに起因
しておシ、吸着面間の電荷クーロン力であるから、微小
空間とならぬよう吸着面間の空間♂を大きくすることで
、静電容量を小さくし高応答の吸着板−電極間の電荷ク
ーロン力を利用すれば良いことになる。
第3図は、実施例/で述べた本発明の絶縁膜(以下「本
絶縁膜」という)の表面に凹凸をつけた7つの実施例を
示したものである。第J−A図は本絶縁膜面に微小凸部
を形成した実施例の平面図、第3−B図は本絶縁膜面に
微小凸部を形成する説明図である。
絶縁膜」という)の表面に凹凸をつけた7つの実施例を
示したものである。第J−A図は本絶縁膜面に微小凸部
を形成した実施例の平面図、第3−B図は本絶縁膜面に
微小凸部を形成する説明図である。
絶縁膜103と支持板102は実施例/で述べたように
構成されている。本実施例λでは、実施例/の絶縁膜1
03に微小凸部22を備えたことを特徴とする。この微
小凸部を形成するためには、例えば、以下のように形成
する。つまり、第3−B図に示すように回転砥石コ≠の
径は適宜に定めてよいが、砥石≠Oの幅は形成する微小
凸部22間の凹部溝23幅に一致させる。まず、絶縁膜
103に所望する凹部溝23深さの切り込みを与えなが
ら、第j−A図の矢印A、2J−の方向に絶縁膜103
上を等間隔で走査する。この場合・回転砥石24tの送
シピッチは砥石2≠の幅に、所望する微小凸部22の幅
を加えた値にする。つぎに、回転砥石24tと絶縁膜1
03との相対位置をりo0回転させて、同様の加工をす
れば、第J−A図の矢印B2tの方向に回転砥石2≠を
走査させたことになり、絶縁膜103上には直交方向に
一定の間隔で配列した方形状の微小凸部22が残される
。
構成されている。本実施例λでは、実施例/の絶縁膜1
03に微小凸部22を備えたことを特徴とする。この微
小凸部を形成するためには、例えば、以下のように形成
する。つまり、第3−B図に示すように回転砥石コ≠の
径は適宜に定めてよいが、砥石≠Oの幅は形成する微小
凸部22間の凹部溝23幅に一致させる。まず、絶縁膜
103に所望する凹部溝23深さの切り込みを与えなが
ら、第j−A図の矢印A、2J−の方向に絶縁膜103
上を等間隔で走査する。この場合・回転砥石24tの送
シピッチは砥石2≠の幅に、所望する微小凸部22の幅
を加えた値にする。つぎに、回転砥石24tと絶縁膜1
03との相対位置をりo0回転させて、同様の加工をす
れば、第J−A図の矢印B2tの方向に回転砥石2≠を
走査させたことになり、絶縁膜103上には直交方向に
一定の間隔で配列した方形状の微小凸部22が残される
。
このように、回転砥石2≠の幅、切込み深さおよび送り
ピッチを変えることで、所望する大きさと配列の微小凸
部22を絶縁膜103上に容易に形成できる。尚、微小
凸部22の形状が方形になるよう回転砥石21Aの走査
をりOo で示したが、走査の角度を変えることで、3
角形やz角形の形状の微小凸部22も容易に加工できる
こと、ならびに凹部溝の加工を一方向とすると線状の長
方形となり、凸部が小面積となるから、これでもよいこ
となどは言うまでもない。
ピッチを変えることで、所望する大きさと配列の微小凸
部22を絶縁膜103上に容易に形成できる。尚、微小
凸部22の形状が方形になるよう回転砥石21Aの走査
をりOo で示したが、走査の角度を変えることで、3
角形やz角形の形状の微小凸部22も容易に加工できる
こと、ならびに凹部溝の加工を一方向とすると線状の長
方形となり、凸部が小面積となるから、これでもよいこ
となどは言うまでもない。
上記は絶縁膜103上に凸部を形成する一例であって、
これに限るものでなく、凹部の加工により凸部を形成す
るなら、例えばレーザ彫刻法で凹部を熔融蒸発しても形
成できること、また、逆に凸部を直接絶縁膜103上に
、例えば・ボスクの作成に用いられるスクリーン印刷法
等の手段によって、付着形成させても良いことは言うま
でもない。
これに限るものでなく、凹部の加工により凸部を形成す
るなら、例えばレーザ彫刻法で凹部を熔融蒸発しても形
成できること、また、逆に凸部を直接絶縁膜103上に
、例えば・ボスクの作成に用いられるスクリーン印刷法
等の手段によって、付着形成させても良いことは言うま
でもない。
いずれにしても、絶縁膜103上に凹部より、凸部の面
積が小さくなるような段差を設ければ、その面積比に比
例して、ウェハの平面度矯正におけるダスト付着の悪影
響や静電力の低応答性を改善できることになる。
積が小さくなるような段差を設ければ、その面積比に比
例して、ウェハの平面度矯正におけるダスト付着の悪影
響や静電力の低応答性を改善できることになる。
以上説明したように、実施例で示した本発明の絶縁膜は
、大気−真空雰囲気、いずれでも低電界強度で大きな静
電力が得られる利点がある。このことは、低電界強度・
高静電力な分だけ、低電圧で静電チャックを動作でき、
また、絶縁膜を厚く形成できる。低電圧で静電チャック
を動作できることは、半導体素子製造プロセスに適用す
るに当って、素子に対する絶縁破壊等の障害を軽減でき
、また、印加電源の構成も容易となる。一方、絶縁膜を
厚くできることは、絶縁膜上に凹部と凸部より成る段差
が形成でき、これによって電圧の印加や停止に伴なう静
電力の発生や消滅を高応答にでき、静電チャックの着脱
を高速化でき、さらにウェハの平面度矯正におけるダス
トの影響を確率的に防止できる等の効果を生ずる。加え
て、静電チャックが真空雰囲気で導体または半導体材質
をチャッキングできる唯一の手段であることも相まって
、真空装置を多用する半導体素子製造工程、例えば電子
ビームを用いた回路パターンの露光・転写あるいは検査
装置、ならびにドライエツチングやドライコーティング
あるいはイオン注入装置などにおけるウェハの吸着固定
や大気−真空間へ搬送するためのチャックなどに用いれ
ば、回路パターンの微細化や素子の高品質化あるいは自
動化による生産性の向上などに直接または間接的な効果
を発揮できる。
、大気−真空雰囲気、いずれでも低電界強度で大きな静
電力が得られる利点がある。このことは、低電界強度・
高静電力な分だけ、低電圧で静電チャックを動作でき、
また、絶縁膜を厚く形成できる。低電圧で静電チャック
を動作できることは、半導体素子製造プロセスに適用す
るに当って、素子に対する絶縁破壊等の障害を軽減でき
、また、印加電源の構成も容易となる。一方、絶縁膜を
厚くできることは、絶縁膜上に凹部と凸部より成る段差
が形成でき、これによって電圧の印加や停止に伴なう静
電力の発生や消滅を高応答にでき、静電チャックの着脱
を高速化でき、さらにウェハの平面度矯正におけるダス
トの影響を確率的に防止できる等の効果を生ずる。加え
て、静電チャックが真空雰囲気で導体または半導体材質
をチャッキングできる唯一の手段であることも相まって
、真空装置を多用する半導体素子製造工程、例えば電子
ビームを用いた回路パターンの露光・転写あるいは検査
装置、ならびにドライエツチングやドライコーティング
あるいはイオン注入装置などにおけるウェハの吸着固定
や大気−真空間へ搬送するためのチャックなどに用いれ
ば、回路パターンの微細化や素子の高品質化あるいは自
動化による生産性の向上などに直接または間接的な効果
を発揮できる。
第1図は本発明の絶縁膜と支持板の構成図、第2図は従
来法と本性により形成した絶縁膜の体積固有抵抗と電界
強度との実験データ及び従来法と本性により形成した絶
縁膜の静電力と電界強度との実験データ、第j−A図、
第3−B図は絶縁膜面に微小凸部を加工する一実施例の
平面図、第4図は静電力の発生メカニズムを説明するた
めの原理図、第5図は静電チャックの基本構造を示した
断面図で、 /は試料、λは支持板、3は絶縁層、グは直流電源、夕
は吸着板、乙は絶縁膜、♂は空間、りは電極、ioはコ
ンデンサ、//は膜抵抗、/2は表面抵抗、/3は空間
抵抗、/≠は接触点、°/夕は接触抵抗、/乙は負電荷
、/7は正電荷、/lは従来法による焼成アルミナ膜、
/りは従来法による焼成酸化硅素膜1.20は本発明に
よる蒸着酸化硅素膜、2/は本発明によるチタニウム混
入焼成アルミナ膜、22は微小凸部、23は凹部溝、2
≠は回転砥石、2!は矢印A、26は矢印B、100は
シート電極、10/はセラミック基板、102は支持板
、103は本絶縁膜、10弘は直流電源である。 訃 1 回 磨z−ATfEJ 9屏瑣席〔v/crn ) 給Z−13旧
来法と本性により形成した絶縁膜の体積固有抵抗と電界
強度との実験データ及び従来法と本性により形成した絶
縁膜の静電力と電界強度との実験データ、第j−A図、
第3−B図は絶縁膜面に微小凸部を加工する一実施例の
平面図、第4図は静電力の発生メカニズムを説明するた
めの原理図、第5図は静電チャックの基本構造を示した
断面図で、 /は試料、λは支持板、3は絶縁層、グは直流電源、夕
は吸着板、乙は絶縁膜、♂は空間、りは電極、ioはコ
ンデンサ、//は膜抵抗、/2は表面抵抗、/3は空間
抵抗、/≠は接触点、°/夕は接触抵抗、/乙は負電荷
、/7は正電荷、/lは従来法による焼成アルミナ膜、
/りは従来法による焼成酸化硅素膜1.20は本発明に
よる蒸着酸化硅素膜、2/は本発明によるチタニウム混
入焼成アルミナ膜、22は微小凸部、23は凹部溝、2
≠は回転砥石、2!は矢印A、26は矢印B、100は
シート電極、10/はセラミック基板、102は支持板
、103は本絶縁膜、10弘は直流電源である。 訃 1 回 磨z−ATfEJ 9屏瑣席〔v/crn ) 給Z−13旧
Claims (5)
- (1)電極の少なくとも表面に絶縁膜を有し、該絶縁膜
は酸化物又は窒化物であり、前記酸化物の酸素又は前記
窒化物の窒素は化学量論的組成よりも少ないことを特徴
とする静電チャック。 - (2)前記絶縁膜はSiO_x(x<2)であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の静電チャック。 - (3)前記絶縁膜はSi_3N_y(y<4)であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の静電チャッ
ク。 - (4)電極の少なくとも表面に絶縁膜を有し、該絶縁膜
は、体積固有抵抗の高い絶縁体材質に導体、半導体ある
いは低抵抗体材質を混合した絶縁膜であることを特徴と
する静電チャック。 - (5)前記絶縁膜上に凹部と凸部より成る段差を設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項、第4項記載の
静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61242322A JPH0719831B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 静電チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61242322A JPH0719831B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 静電チヤツク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6395644A true JPS6395644A (ja) | 1988-04-26 |
JPH0719831B2 JPH0719831B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17087481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61242322A Expired - Lifetime JPH0719831B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 静電チヤツク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0719831B2 (ja) |
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- 1986-10-13 JP JP61242322A patent/JPH0719831B2/ja not_active Expired - Lifetime
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WO2021117817A1 (ja) | 2019-12-13 | 2021-06-17 | 三井化学株式会社 | ペリクルのデマウント方法、及び、ペリクルのデマウント装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0719831B2 (ja) | 1995-03-06 |
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