JPH03147534A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPH03147534A JPH03147534A JP1288323A JP28832389A JPH03147534A JP H03147534 A JPH03147534 A JP H03147534A JP 1288323 A JP1288323 A JP 1288323A JP 28832389 A JP28832389 A JP 28832389A JP H03147534 A JPH03147534 A JP H03147534A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 58
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- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学式情報記録再生装置等に用いられる光ピ
ックアップに係り、詳しくは、半導体レーザの光出力を
検出する光出力検出器の検出出力を調整可能にした光ピ
ックアップに関するもので〔従来の技術〕 第３図に示すように、従来の光ピックアップ１１におい
て、半導体レーザ１２から出射されたレーザ光は、コリ
メートレンズ１３で平行光に変換され、ビームスブスリ
ッタ１４により透過光と反射光とに分離される。このう
ち透過光は、対物レンズ１５により記録担体１６上に集
光され、情報の記録や再生等に利用される。一方、反射
光は、出力端子１７・１８間に接続されたフォトダイオ
ードＰ Ｄ、、に入射し、ここで電気信号に変換される
。そして、この電気信号は、半導体レーザ１２の光出力
を検出するための検出出力として光ピックアップ１１外
部の回路に供給される。
ックアップに係り、詳しくは、半導体レーザの光出力を
検出する光出力検出器の検出出力を調整可能にした光ピ
ックアップに関するもので〔従来の技術〕 第３図に示すように、従来の光ピックアップ１１におい
て、半導体レーザ１２から出射されたレーザ光は、コリ
メートレンズ１３で平行光に変換され、ビームスブスリ
ッタ１４により透過光と反射光とに分離される。このう
ち透過光は、対物レンズ１５により記録担体１６上に集
光され、情報の記録や再生等に利用される。一方、反射
光は、出力端子１７・１８間に接続されたフォトダイオ
ードＰ Ｄ、、に入射し、ここで電気信号に変換される
。そして、この電気信号は、半導体レーザ１２の光出力
を検出するための検出出力として光ピックアップ１１外
部の回路に供給される。
ところで、上記光ピックアップ１１における半導体レー
ザ１２は、その特性上、温度や経時変化、あるいは供給
される電流により光出力が大幅に変化している。このた
め、安定した光出力を得るには、上記のように、半導体
レーザ１２から出射されるレーザ光の一部をフォトダイ
オードＰＤに一定のカップリングで受光させ、フォトダ
イオードＰＤ＋ｔの検出出力に応じて半導体レーザ１２
の光出力を調整することが不可欠となる。そこで、光学
式情報記録再生装置では、通常、光ピックアップ１１外
部にＡ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌ）回路（図示しない）が設けられており、このＡＰＣ
回路により半導体レーザ１２の光出力を調整し、記録環
体１６に適正な光量のレーザ光を集光させるようになっ
ている。
ザ１２は、その特性上、温度や経時変化、あるいは供給
される電流により光出力が大幅に変化している。このた
め、安定した光出力を得るには、上記のように、半導体
レーザ１２から出射されるレーザ光の一部をフォトダイ
オードＰＤに一定のカップリングで受光させ、フォトダ
イオードＰＤ＋ｔの検出出力に応じて半導体レーザ１２
の光出力を調整することが不可欠となる。そこで、光学
式情報記録再生装置では、通常、光ピックアップ１１外
部にＡ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌ）回路（図示しない）が設けられており、このＡＰＣ
回路により半導体レーザ１２の光出力を調整し、記録環
体１６に適正な光量のレーザ光を集光させるようになっ
ている。
ところが、上記従来の光ピックアップ１１では、フォト
ダイオードＰＤ、の検出出力が光ピックアップ１１毎に
ばらつ（ため、ＡＰＣ回路により半導体レーザ１２の光
出力を正確に調整することが困難となっていた。以下に
、上記フォトダイオードＰＤ＋＋の検出出力がばらつく
理由を説明する。
ダイオードＰＤ、の検出出力が光ピックアップ１１毎に
ばらつ（ため、ＡＰＣ回路により半導体レーザ１２の光
出力を正確に調整することが困難となっていた。以下に
、上記フォトダイオードＰＤ＋＋の検出出力がばらつく
理由を説明する。
情報の記録を行う記録可能型の光ピックアップ１１は、
５ｍＷ〜１５ｍＷ程度の高出力のレーザ光を得るため、
通常、ビームスプリッタ１４の透過率が高く設定され、
半導体レーザ１２から出射されるレーザ光を効率良く記
録担体１６上に照射するようになされている。これは、
半導体レーザ１２が、現在量産されているもので、最大
の光出力がせいぜい４０ｍＷ程度であるため、ビームス
プリッタ１４の透過率を高く設定しないと、高出力のレ
ーザ光が得られないからである。
５ｍＷ〜１５ｍＷ程度の高出力のレーザ光を得るため、
通常、ビームスプリッタ１４の透過率が高く設定され、
半導体レーザ１２から出射されるレーザ光を効率良く記
録担体１６上に照射するようになされている。これは、
半導体レーザ１２が、現在量産されているもので、最大
の光出力がせいぜい４０ｍＷ程度であるため、ビームス
プリッタ１４の透過率を高く設定しないと、高出力のレ
ーザ光が得られないからである。
ここで、ビームスプリッタ１４により反射され、フォト
ダイオードＰＤ、に入射するレーザ光の光ＩＩは、ビー
ムスプリッタ１４を透過したレーザ光の光量を！、とす
ると、ビームスプリッタ１４の透過率Ｔおよび反射率Ｒ
により、 １ ” Ｉ ｔ ・Ｒ／Ｔ で表される。上記透過率Ｒおよび反射率Ｔの精度は、現
在の量産技術において±５％以下に抑えることが困難で
あるため、記録可能型の光ピックアップ１１に用いられ
るビームスプリッタ１４の一般的な透過率Ｔ、および反
射率Ｒの値は、それぞれ０．７±０・０５．０．３苓０
・０５となっている。従って、光量■は、上式より、 １＝（０，４３±０・１）・■。
ダイオードＰＤ、に入射するレーザ光の光ＩＩは、ビー
ムスプリッタ１４を透過したレーザ光の光量を！、とす
ると、ビームスプリッタ１４の透過率Ｔおよび反射率Ｒ
により、 １ ” Ｉ ｔ ・Ｒ／Ｔ で表される。上記透過率Ｒおよび反射率Ｔの精度は、現
在の量産技術において±５％以下に抑えることが困難で
あるため、記録可能型の光ピックアップ１１に用いられ
るビームスプリッタ１４の一般的な透過率Ｔ、および反
射率Ｒの値は、それぞれ０．７±０・０５．０．３苓０
・０５となっている。従って、光量■は、上式より、 １＝（０，４３±０・１）・■。
となり、変動幅にすれば±２３％にも及ぶことになる。
すなわち、光量Ｉｔを一定としたときに、光ピックアッ
プ１１は、フォトダイオードＰＤ、。
プ１１は、フォトダイオードＰＤ、。
の検出信号が最も大きいものと最も小さいものとの間に
１．６倍もの差が生じる。光量Ｉｔは、記録担体１６に
照射されるレーザ光の光量と比例関係にあるため、記録
担体１６に対し所定の記録光出力または再生光出力を設
定した場合、フォトダイオードＰＤ、、の検出出力も、
光ピックアップ１１毎に上記の出力差を有することにな
る。
１．６倍もの差が生じる。光量Ｉｔは、記録担体１６に
照射されるレーザ光の光量と比例関係にあるため、記録
担体１６に対し所定の記録光出力または再生光出力を設
定した場合、フォトダイオードＰＤ、、の検出出力も、
光ピックアップ１１毎に上記の出力差を有することにな
る。
ところで、記録可能型の光ピックアップ１１により記録
を行う場合、対物レンズ１５からの出射光量が再生時の
５〜ｌＯ倍必要となる。このため、記録時において対物
レンズ１５からの出射光量を正しく制御するには、再生
時と同様、フォトダイオードＰＤ＋＋から後段の各回路
が飽和しないことが前提条件となる。通常、フォトダイ
オードＰＤ、は、広いダイナミックレンジを有するので
飽和の問題が生じることはないが、フォトダイオードＰ
Ｄ、、に接続されるＡＰＣ回路等の回路は、電源電圧以
上の出力が得られないことから、設計の際にこの点を考
慮する必要がある。すなわち、上記回路の設計において
は、高出力のレーザ光が出射される記録時に飽和しない
ように、そのゲインを設定しなければならない。
を行う場合、対物レンズ１５からの出射光量が再生時の
５〜ｌＯ倍必要となる。このため、記録時において対物
レンズ１５からの出射光量を正しく制御するには、再生
時と同様、フォトダイオードＰＤ＋＋から後段の各回路
が飽和しないことが前提条件となる。通常、フォトダイ
オードＰＤ、は、広いダイナミックレンジを有するので
飽和の問題が生じることはないが、フォトダイオードＰ
Ｄ、、に接続されるＡＰＣ回路等の回路は、電源電圧以
上の出力が得られないことから、設計の際にこの点を考
慮する必要がある。すなわち、上記回路の設計において
は、高出力のレーザ光が出射される記録時に飽和しない
ように、そのゲインを設定しなければならない。
従って、フォトダイオードＰＤ、、の検出出力のばらつ
きが前述のように大きい場合、フォトダイオードＰＤ＋
ｔの検出出力が最も大きい光ピックアップ１１では、記
録時にＡＰＣ回路等の回路が飽和しないように、そのゲ
インを設定しなければならない。一方、フォトダイオー
ドＰＤ、、の検出出力が最も小さい光ピックアップ１１
では、上記回路のダイナミックレンジを有効に利用する
ことができな（なる。すなわち、この光ピックアップ１
１の場合、再生時において、フォトダイオードＰＤ、の
検出出力が、低レベルかつ低Ｓ／Ｎ状態で得られるため
、半導体レーザ１２の光出力を所望通りに調整すること
ができなくなるという問題が生じる。さらに、フォトダ
イオードＰＤ、の検出出力をアナログ−ディジタル変換
して、ディジタ生処理にて半導体レーザ１２の光出力を
制御する場合、フォトダイオードＰ Ｄ、、の検出出力
が小さい光ピックアップ１１では、１ビツト当たりの分
解能が低いために、半導体レーザ１２の光出力の設定精
度が著しく低下することになる。
きが前述のように大きい場合、フォトダイオードＰＤ＋
ｔの検出出力が最も大きい光ピックアップ１１では、記
録時にＡＰＣ回路等の回路が飽和しないように、そのゲ
インを設定しなければならない。一方、フォトダイオー
ドＰＤ、、の検出出力が最も小さい光ピックアップ１１
では、上記回路のダイナミックレンジを有効に利用する
ことができな（なる。すなわち、この光ピックアップ１
１の場合、再生時において、フォトダイオードＰＤ、の
検出出力が、低レベルかつ低Ｓ／Ｎ状態で得られるため
、半導体レーザ１２の光出力を所望通りに調整すること
ができなくなるという問題が生じる。さらに、フォトダ
イオードＰＤ、の検出出力をアナログ−ディジタル変換
して、ディジタ生処理にて半導体レーザ１２の光出力を
制御する場合、フォトダイオードＰ Ｄ、、の検出出力
が小さい光ピックアップ１１では、１ビツト当たりの分
解能が低いために、半導体レーザ１２の光出力の設定精
度が著しく低下することになる。
また、近年では、情報の転送レートを向上させるために
、ビームスプリッタ１４の透過率を高めて対物レンズ１
５からの出射光量を増大させる必要が生じているが、前
述のように、ビームスプリッタ１４の精度を±５％以下
に抑えることが困難であることから、フォトダイオード
ＰＤ、、の検出出力のばらつきがさらに大きくなる。そ
れゆえ、従来の光ピックアップ１１では、情報の転送レ
ートの向上を図ることが事実上困難となっていた。
、ビームスプリッタ１４の透過率を高めて対物レンズ１
５からの出射光量を増大させる必要が生じているが、前
述のように、ビームスプリッタ１４の精度を±５％以下
に抑えることが困難であることから、フォトダイオード
ＰＤ、、の検出出力のばらつきがさらに大きくなる。そ
れゆえ、従来の光ピックアップ１１では、情報の転送レ
ートの向上を図ることが事実上困難となっていた。
そこで、上記のような問題を解消するために、光ピック
アップ１１に応じてＡＰＣ回路のゲインを調整すること
が考えられるが、このために、製造過程においてゲイン
調整の工程を設ける必要がある他に、ＡＰＣ回路の汎用
性が損なわれるといった問題が生じる。また、出荷後の
メインテナンスにおいて、光ピックアップ１１を交換す
る場合等、光ピックアップ１１に応じてＡＰＣ回路のゲ
インを調整しなければならいといった不都合が生じる。
アップ１１に応じてＡＰＣ回路のゲインを調整すること
が考えられるが、このために、製造過程においてゲイン
調整の工程を設ける必要がある他に、ＡＰＣ回路の汎用
性が損なわれるといった問題が生じる。また、出荷後の
メインテナンスにおいて、光ピックアップ１１を交換す
る場合等、光ピックアップ１１に応じてＡＰＣ回路のゲ
インを調整しなければならいといった不都合が生じる。
本発明に係る光ピックアップは、上記の課題を解決する
ためになされたものであって、レーザ光を出射する半導
体レーザと、半導体レーザの出射光を記録担体へ導く光
学系と、半導体レーザの出射光の出力を検出する光出力
検出器とを備えた光ピンクアップにおいて、上記光出力
検出器の検出出力を調整する検出出力調整手段を備えて
いることを特徴としている。
ためになされたものであって、レーザ光を出射する半導
体レーザと、半導体レーザの出射光を記録担体へ導く光
学系と、半導体レーザの出射光の出力を検出する光出力
検出器とを備えた光ピンクアップにおいて、上記光出力
検出器の検出出力を調整する検出出力調整手段を備えて
いることを特徴としている。
なお、上記検出出力調整手段は、主に光出力検出器の検
出出力を電気的に調整するものが考えられるが、光出力
検出器に入射するレーザ光の光量を調整するようなもの
であってもよい。
出出力を電気的に調整するものが考えられるが、光出力
検出器に入射するレーザ光の光量を調整するようなもの
であってもよい。
上記の構成によれば、光学系の精度により光出力検出器
の検出出力が光ピックアップ毎にばらっいていても、光
ピックアップからの出射光量に対する光出力検出器の検
出出力を検出出力調整手段で調整することにより、光出
力検出器の検出出力のばらつきをなくすことができる。
の検出出力が光ピックアップ毎にばらっいていても、光
ピックアップからの出射光量に対する光出力検出器の検
出出力を検出出力調整手段で調整することにより、光出
力検出器の検出出力のばらつきをなくすことができる。
それゆえ、ＡＰＣ回路のゲイン調整を省いて、ＡＰＣ回
路のゲイン調整に伴うコスト上昇を抑制することができ
るとともに、光ピックアップの交換等のメインテナンス
を容易にすることができる。また、ＡＰＣ回路の広いダ
イナミックレンジを有効に利用して、半導体レーザの光
出力をＳ／Ｎの良い状態で高精度に制御することができ
る。
路のゲイン調整に伴うコスト上昇を抑制することができ
るとともに、光ピックアップの交換等のメインテナンス
を容易にすることができる。また、ＡＰＣ回路の広いダ
イナミックレンジを有効に利用して、半導体レーザの光
出力をＳ／Ｎの良い状態で高精度に制御することができ
る。
なお、上記の構成によれば、光学系の精度以外の要因か
ら光検出器の検出出力がばらつく場合でも、検出出力調
整手段による調整で、上記検出出力のばらつきをなくす
ことができるのは勿論である。
ら光検出器の検出出力がばらつく場合でも、検出出力調
整手段による調整で、上記検出出力のばらつきをなくす
ことができるのは勿論である。
〔実施例１〕
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
の通りである。
第１図に示すように、本実施例に係る光ピックアップ１
は、半導体レーザ２と、光学系３と、光出力検出器とし
てのフォトダイオードＰＤ、と、検出出力調整手段とし
ての可変抵抗Ｒｖとを備えている。
は、半導体レーザ２と、光学系３と、光出力検出器とし
てのフォトダイオードＰＤ、と、検出出力調整手段とし
ての可変抵抗Ｒｖとを備えている。
光学系３は、半導体レーザ２から出射されたレーザ光を
平行光に変換するコリメートレンズ４と、コリメートレ
ンズ４を経たレーザ光を所定の透過率で透過させるとと
もに、所定の反射率で反射させるビームスプリンタ５と
、ビームスプリッタ５を透過したレーザ光を記録担体７
に集光させる対物レンズ６とからなっている。
平行光に変換するコリメートレンズ４と、コリメートレ
ンズ４を経たレーザ光を所定の透過率で透過させるとと
もに、所定の反射率で反射させるビームスプリンタ５と
、ビームスプリッタ５を透過したレーザ光を記録担体７
に集光させる対物レンズ６とからなっている。
フォトダイオードＰＤ、は、カソードが出力端子８に接
続され、アノードが出力端子９に接続されるとともに可
変抵抗Ｒｖを介して接地されている。このフォトダイオ
ードＰＤ、は、ビームスプリッタ５により反射されたレ
ーザ光を受光しうる位置に配されている。そして、可変
抵抗Ｒｖは、光ピックアップｌが量産される場合、光ピ
ックアップｌ毎で生じるフォトダイオードＰＤ、の検出
出力のばらつきを打ち消すような範囲で、抵抗値ｒが調
整可能となっている。
続され、アノードが出力端子９に接続されるとともに可
変抵抗Ｒｖを介して接地されている。このフォトダイオ
ードＰＤ、は、ビームスプリッタ５により反射されたレ
ーザ光を受光しうる位置に配されている。そして、可変
抵抗Ｒｖは、光ピックアップｌが量産される場合、光ピ
ックアップｌ毎で生じるフォトダイオードＰＤ、の検出
出力のばらつきを打ち消すような範囲で、抵抗値ｒが調
整可能となっている。
上記の構成にお・いて、半導体レーザ２から出射された
レーザ光は、コリメートレンズ４により平行光に変換さ
れる。ビームスプリッタ５を透過したレーザ光は、対物
レンズ６により記録担体７に集光される一方、ビームス
プリッタ５により反射されたレーザ光は、フォトダイオ
ードＰＤ、に入射する。すると、フォトダイオードＰＤ
、には、光電流１、が流れ、さらに、この光電流■１が
可変抵抗Ｒｖに流れることにより、 ＶＬ＝ＩＬ −ｒ なる一定の検出出力が出力端子９に発生する。
レーザ光は、コリメートレンズ４により平行光に変換さ
れる。ビームスプリッタ５を透過したレーザ光は、対物
レンズ６により記録担体７に集光される一方、ビームス
プリッタ５により反射されたレーザ光は、フォトダイオ
ードＰＤ、に入射する。すると、フォトダイオードＰＤ
、には、光電流１、が流れ、さらに、この光電流■１が
可変抵抗Ｒｖに流れることにより、 ＶＬ＝ＩＬ −ｒ なる一定の検出出力が出力端子９に発生する。
ここで、可変抵抗Ｒｖの抵抗値ｒは、検出出力ｖＬが、
光ピックアップｌを搭載する装置本体に設けられ、可変
抵抗Ｒｖの次段に接続される回路に適した値となるよう
に設定されるか、あるいは、上記の回路が、記録時に飽
和しないように、検出出力ｖＬに対しゲインが調整され
ておればよい。
光ピックアップｌを搭載する装置本体に設けられ、可変
抵抗Ｒｖの次段に接続される回路に適した値となるよう
に設定されるか、あるいは、上記の回路が、記録時に飽
和しないように、検出出力ｖＬに対しゲインが調整され
ておればよい。
このように、可変抵抗Ｒｖにより検出出力ｖＬが調整可
能となることから、光ピックアップ１によらず一定の検
出出力ＶＬを得ることができる。
能となることから、光ピックアップ１によらず一定の検
出出力ＶＬを得ることができる。
〔実施例２〕
続いて、本発明の他の実施例を第２図に基づいて説明す
る。
る。
なお、半導体レーザ２および光学系３は、第１図に示し
た前記実施例１と同様の配置構成であるので、第２図に
おいて図示を省略するとともに、その説明を省略する。
た前記実施例１と同様の配置構成であるので、第２図に
おいて図示を省略するとともに、その説明を省略する。
また、前記実施例１と同様の機能を有する部材には同一
の符号を付記し、その説明を省略する。
の符号を付記し、その説明を省略する。
第２図に示すように、本実施例に係る光ピックアップ１
は、電流−電圧変換回路１０および可変抵抗Ｒ，／から
なる検出出力調整手段１１を備えている。この光ピック
アップｌにおいて、フォトダイオードＰＤ、は、カソー
ドが出力端子８に接続されるとともに、アノードが電流
−電圧変換回路１０におけるオペアンプ１２の反転入力
に接続されている。オペアンプ１２は、非反転入力が抵
抗Ｒ１および抵抗Ｒ１と並列に設けられたコンデンサＣ
５を介して接地されるとともに、反転入力と出力との間
にコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とが並列に接続されている
。また、オペアンプ１２の出力は、可変抵抗Ｒｖ’を介
して接地されている。
は、電流−電圧変換回路１０および可変抵抗Ｒ，／から
なる検出出力調整手段１１を備えている。この光ピック
アップｌにおいて、フォトダイオードＰＤ、は、カソー
ドが出力端子８に接続されるとともに、アノードが電流
−電圧変換回路１０におけるオペアンプ１２の反転入力
に接続されている。オペアンプ１２は、非反転入力が抵
抗Ｒ１および抵抗Ｒ１と並列に設けられたコンデンサＣ
５を介して接地されるとともに、反転入力と出力との間
にコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とが並列に接続されている
。また、オペアンプ１２の出力は、可変抵抗Ｒｖ’を介
して接地されている。
そして、可変抵抗Ｒｖ′の可動端子は、出力端子９に接
続されている。
続されている。
上記の構成では、前記実施例１と同様に、可変抵抗Ｒν
′によりフォトダイオードＰＤ、の検出出力が調整可能
となっているが、フォトダイオードＰＤ＋ と可変抵抗
ＲＶ’ との間に電流−電圧変換回路１０を設け、オペ
アンプ１２の反転入力に流し込まれたフォトダイオード
ＰＤ、の光電流を電圧に変換する点が実施例１と異なる
。このため、本実施例による光ピックアップは、電流−
電圧変換回路１０において周波数帯域を任意に設定でき
る利点を有している。
′によりフォトダイオードＰＤ、の検出出力が調整可能
となっているが、フォトダイオードＰＤ＋ と可変抵抗
ＲＶ’ との間に電流−電圧変換回路１０を設け、オペ
アンプ１２の反転入力に流し込まれたフォトダイオード
ＰＤ、の光電流を電圧に変換する点が実施例１と異なる
。このため、本実施例による光ピックアップは、電流−
電圧変換回路１０において周波数帯域を任意に設定でき
る利点を有している。
なお、前記実施例１および本実施例は、フォトダイオー
ドＰＤ、の検出出力を電気的に調整するものであるが、
本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、フ
ォトダイオードＰＤ、におけるレーザ光が入射する部分
にフィルタ等を挿入して、フォトダイオードＰＤ、の検
出出力を光学的に調整してもよい。また、前記実施例１
および本実施例においては、ビームスプリッタ５で分離
されたレーザ光により半導体レーザ２の光出力を検出す
る光ピックアップｌについて述べたが、これ以外の方法
により上記光出力を検出するものであってもよい。例え
ば、半導体レーザ２のパッケージ内に設けられているＰ
ＩＮフォトダイオードを光検出器として利用し、半導体
レーザ２の光出力を検出するものなどである。
ドＰＤ、の検出出力を電気的に調整するものであるが、
本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、フ
ォトダイオードＰＤ、におけるレーザ光が入射する部分
にフィルタ等を挿入して、フォトダイオードＰＤ、の検
出出力を光学的に調整してもよい。また、前記実施例１
および本実施例においては、ビームスプリッタ５で分離
されたレーザ光により半導体レーザ２の光出力を検出す
る光ピックアップｌについて述べたが、これ以外の方法
により上記光出力を検出するものであってもよい。例え
ば、半導体レーザ２のパッケージ内に設けられているＰ
ＩＮフォトダイオードを光検出器として利用し、半導体
レーザ２の光出力を検出するものなどである。
・本発明に係る光ピックアップは、以上のように、光出
力検出器の検出出力を調整する検出出力調整手段を備え
ているので、光学系の精度等により光出力検出器の検出
出力が光ピックアップ毎にばらついていても、光出力検
出器の検出出力を検出出力調整手段で調整することによ
り、上記のような光出力検出器の検出出力のばらつきを
なくすことができる。それゆえ、ＡＰＣ回路のゲイン調
整を省いて、ＡＰＣ回路のゲイン調整に伴うコスト上昇
を抑制することができるとともに、光ピックアップ交換
等のメインテナンスを容易にする等の効果を奏する。ま
た、Ａ、ＰＣ回路の広いダイナミックレンジを有効に利
用して、半導体レーザの光出力をＳ／Ｈの良い状態で高
精度に制御することができるという効果も併せて奏する
。
力検出器の検出出力を調整する検出出力調整手段を備え
ているので、光学系の精度等により光出力検出器の検出
出力が光ピックアップ毎にばらついていても、光出力検
出器の検出出力を検出出力調整手段で調整することによ
り、上記のような光出力検出器の検出出力のばらつきを
なくすことができる。それゆえ、ＡＰＣ回路のゲイン調
整を省いて、ＡＰＣ回路のゲイン調整に伴うコスト上昇
を抑制することができるとともに、光ピックアップ交換
等のメインテナンスを容易にする等の効果を奏する。ま
た、Ａ、ＰＣ回路の広いダイナミックレンジを有効に利
用して、半導体レーザの光出力をＳ／Ｈの良い状態で高
精度に制御することができるという効果も併せて奏する
。
第１図は本発明の一実施例を示すものであって、光ピッ
クアップの構成を示す説明図である。 第２図は本発明の他の実施例を示すものであって、光ピ
ックアップにおける検出出力調整手段の構成を示す回路
図である。 第３図は従来例を示すものであって、光ビックアンプの
構成を示す説明図である。 ２は半導体レーザ、３は光学系、ＰＤ、はフォトダイオ
ード（光出力検出器）、Ｒｖは可変抵抗（検出出力調整
手段）、検出出力調整手段１１である。 第 図 璽−一−− °−−−■ − −」
クアップの構成を示す説明図である。 第２図は本発明の他の実施例を示すものであって、光ピ
ックアップにおける検出出力調整手段の構成を示す回路
図である。 第３図は従来例を示すものであって、光ビックアンプの
構成を示す説明図である。 ２は半導体レーザ、３は光学系、ＰＤ、はフォトダイオ
ード（光出力検出器）、Ｒｖは可変抵抗（検出出力調整
手段）、検出出力調整手段１１である。 第 図 璽−一−− °−−−■ − −」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光を出射する半導体レーザと、半導体レーザ
の出射光を記録担体へ導く光学系と、半導体レーザの出
射光の出力を検出する光出力検出器とを備えた光ピック
アップにおいて、 上記光出力検出器の検出出力を調整する検出出力調整手
段を備えていることを特徴とする光ピックアップ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1288323A JP2934264B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 光ピックアップ |
| EP90120598A EP0426035B1 (en) | 1989-11-02 | 1990-10-26 | Optical head |
| DE69024329T DE69024329T2 (de) | 1989-11-02 | 1990-10-26 | Optischer Kopf |
| US08/001,922 US5515350A (en) | 1989-11-02 | 1993-01-07 | Optical head with adjustable output power detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1288323A JP2934264B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 光ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147534A true JPH03147534A (ja) | 1991-06-24 |
| JP2934264B2 JP2934264B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=17728695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1288323A Expired - Fee Related JP2934264B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 光ピックアップ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5515350A (ja) |
| EP (1) | EP0426035B1 (ja) |
| JP (1) | JP2934264B2 (ja) |
| DE (1) | DE69024329T2 (ja) |
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| JP3382846B2 (ja) * | 1998-05-11 | 2003-03-04 | 日本電気株式会社 | 光ヘッド及び光ヘッドに於ける光源出力のモニター方法 |
| US7072590B2 (en) * | 2001-03-26 | 2006-07-04 | Avago Technologies General Ip Pte. Ltd. | Fiber optic receiver with an adjustable bandwidth post-amplifier |
| DE10160378A1 (de) * | 2001-12-10 | 2003-06-18 | Thomson Brandt Gmbh | Wiedergabe- oder Aufzeichnungsgerät für unterschiedliche optische Aufzeichnungsträger |
| KR100594239B1 (ko) * | 2004-01-28 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 디지털 전위차계를 이용한 포토 다이오드의 감도 조정장치 및 방법 |
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| US4675749A (en) * | 1984-03-16 | 1987-06-23 | Pioneer Electronic Corporation | Disc player system with digital information demodulation operation |
| JPS60247836A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-07 | Nippon Gakki Seizo Kk | 光学式情報再生装置 |
| JPH0680554B2 (ja) * | 1985-02-08 | 1994-10-12 | オリンパス光学工業株式会社 | ２値化信号発生回路 |
| FR2584223B1 (fr) * | 1985-06-28 | 1994-06-17 | Thomson Alcatel Gigadisc | Memoire optique a suivi de piste echantillonne pour support d'information pregrave. |
| US4685097A (en) * | 1985-07-25 | 1987-08-04 | Laser Magnetic Storage International Company | Power control system for a semiconductor laser |
| JP2615553B2 (ja) * | 1985-11-14 | 1997-05-28 | 富士通株式会社 | レーザ制御装置 |
| JPS62150732U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | ||
| JPH01112533A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光ディスク装置 |
| GB2229268A (en) * | 1989-02-27 | 1990-09-19 | Philips Nv | Radiation emitting arrangement monitoring and controlling system |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1288323A patent/JP2934264B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-26 EP EP90120598A patent/EP0426035B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-26 DE DE69024329T patent/DE69024329T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-07 US US08/001,922 patent/US5515350A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02246027A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0426035B1 (en) | 1995-12-20 |
| DE69024329D1 (de) | 1996-02-01 |
| EP0426035A2 (en) | 1991-05-08 |
| JP2934264B2 (ja) | 1999-08-16 |
| DE69024329T2 (de) | 1996-08-22 |
| EP0426035A3 (en) | 1991-10-09 |
| US5515350A (en) | 1996-05-07 |
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