JPH0636331A - 半導体レーザ制御回路 - Google Patents
半導体レーザ制御回路Info
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- JPH0636331A JPH0636331A JP4213500A JP21350092A JPH0636331A JP H0636331 A JPH0636331 A JP H0636331A JP 4213500 A JP4213500 A JP 4213500A JP 21350092 A JP21350092 A JP 21350092A JP H0636331 A JPH0636331 A JP H0636331A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生時と消去時のように、発光パワーが大幅
に変化する半導体レーザの制御回路において、広帯域
で、高精度の制御を可能にする。 【構成】 発光パワー検出用受光素子からの検出信号に
より発光パワーを制御する半導体レーザ制御回路におい
て、半導体レーザの発光パワーに応じて受光素子に印加
する逆バイアス電圧を変化させる。 【効果】 受光素子への入射光量が多いときは、受光素
子へ印加する逆バイアスを高くして受光素子の飽和を回
避し、入射光量が少ないときは、逆バイアスを低くして
暗電流を低減しているので、広帯域で、精度のよい半導
体レーザ制御回路が実現できる。
に変化する半導体レーザの制御回路において、広帯域
で、高精度の制御を可能にする。 【構成】 発光パワー検出用受光素子からの検出信号に
より発光パワーを制御する半導体レーザ制御回路におい
て、半導体レーザの発光パワーに応じて受光素子に印加
する逆バイアス電圧を変化させる。 【効果】 受光素子への入射光量が多いときは、受光素
子へ印加する逆バイアスを高くして受光素子の飽和を回
避し、入射光量が少ないときは、逆バイアスを低くして
暗電流を低減しているので、広帯域で、精度のよい半導
体レーザ制御回路が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク装置やレ
ーザプリンタ、光カードドライブ装置等の半導体レーザ
を備えた光情報記録装置における光源の制御回路に係
り、特に、再生時（リード時）と消去時（イレース時）
のように、発光パワーが大幅に変化する半導体レーザ制
御回路において、広帯域で、高精度の制御を可能にした
半導体レーザ制御回路に関する。
ーザプリンタ、光カードドライブ装置等の半導体レーザ
を備えた光情報記録装置における光源の制御回路に係
り、特に、再生時（リード時）と消去時（イレース時）
のように、発光パワーが大幅に変化する半導体レーザ制
御回路において、広帯域で、高精度の制御を可能にした
半導体レーザ制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体レーザを備えた光情報
記録装置においては、再生時に、光ディスクからの戻り
光の影響による再生パワー変動を抑制するために、高周
波重畳回路を使用する駆動回路が知られている。しか
し、高周波重畳回路は、体積的に大であるから実装上問
題がある上、コストアップにもなる、という不都合があ
る。
記録装置においては、再生時に、光ディスクからの戻り
光の影響による再生パワー変動を抑制するために、高周
波重畳回路を使用する駆動回路が知られている。しか
し、高周波重畳回路は、体積的に大であるから実装上問
題がある上、コストアップにもなる、という不都合があ
る。
【０００３】また、このような高周波重畳回路を使用し
ない半導体レーザ制御回路では、半導体レーザの発光パ
ワーを制御するための制御回路を必要とする。このよう
な半導体レーザ制御回路は、制御帯域として数十ＭHzを
必要とするので、回路を形成する個々の回路構成部品の
帯域も要求される上に、発光パワー検出用の受光素子
（フォトダイオード）の帯域も問題になる。
ない半導体レーザ制御回路では、半導体レーザの発光パ
ワーを制御するための制御回路を必要とする。このよう
な半導体レーザ制御回路は、制御帯域として数十ＭHzを
必要とするので、回路を形成する個々の回路構成部品の
帯域も要求される上に、発光パワー検出用の受光素子
（フォトダイオード）の帯域も問題になる。
【０００４】そして、発光パワー検出用受光素子の帯域
を上げるためには、この受光素子に印加する逆バイアス
電圧を高くする必要があることが知られている。他方、
逆バイアス電圧を印加すると、発光パワー検出用受光素
子の暗電流が増加する、という問題が生じる。
を上げるためには、この受光素子に印加する逆バイアス
電圧を高くする必要があることが知られている。他方、
逆バイアス電圧を印加すると、発光パワー検出用受光素
子の暗電流が増加する、という問題が生じる。
【０００５】ここで、発光パワー検出用受光素子に印加
する逆バイアス電圧と、発光パワー検出用受光素子の周
波数特性についての測定例を説明する。図５は、発光パ
ワー検出用受光素子に印加する逆バイアス電圧とその周
波数特性の一測定例を示す図である。図において、横軸
は逆バイアス電圧、縦軸は周波数を示す。
する逆バイアス電圧と、発光パワー検出用受光素子の周
波数特性についての測定例を説明する。図５は、発光パ
ワー検出用受光素子に印加する逆バイアス電圧とその周
波数特性の一測定例を示す図である。図において、横軸
は逆バイアス電圧、縦軸は周波数を示す。
【０００６】例えば、発光パワー検出用受光素子の目標
帯域を４０ＭHzとすれば、リード時に、発光パワー検出
用受光素子への入射光量が１ｍＷのときは、約１０Ｖの
逆バイアス電圧でよいが、イレース時には、発光パワー
検出用受光素子への入射光量が７ｍＷになるので、約２
０Ｖの逆バイアス電圧を印加する必要がある。このよう
に、発光パワー検出用受光素子の目標帯域を高くする
と、発光パワー検出用受光素子への入射光量の変化に応
じて、逆バイアス電圧を変化させる必要がある。
帯域を４０ＭHzとすれば、リード時に、発光パワー検出
用受光素子への入射光量が１ｍＷのときは、約１０Ｖの
逆バイアス電圧でよいが、イレース時には、発光パワー
検出用受光素子への入射光量が７ｍＷになるので、約２
０Ｖの逆バイアス電圧を印加する必要がある。このよう
に、発光パワー検出用受光素子の目標帯域を高くする
と、発光パワー検出用受光素子への入射光量の変化に応
じて、逆バイアス電圧を変化させる必要がある。
【０００７】ところが、すでに述べたように、逆バイア
ス電圧を高くすると、暗電流が増加する。図６は、受光
素子の逆バイアス電圧と暗電流との関係の一特性例を示
す図である。図において、横軸は逆バイアス電圧
（Ｖ）、縦軸は暗電流（Ａ）を示す。
ス電圧を高くすると、暗電流が増加する。図６は、受光
素子の逆バイアス電圧と暗電流との関係の一特性例を示
す図である。図において、横軸は逆バイアス電圧
（Ｖ）、縦軸は暗電流（Ａ）を示す。
【０００８】この図６に示すように、逆バイアス電圧が
変化すると、暗電流も変動する。そのため、次のような
問題が生じる。一般に、半導体レーザの制御は、発光パ
ワー検出用受光素子の検出電流によって行われる。
変化すると、暗電流も変動する。そのため、次のような
問題が生じる。一般に、半導体レーザの制御は、発光パ
ワー検出用受光素子の検出電流によって行われる。
【０００９】この検出電流に、暗電流が含まれると、こ
れが制御系のオフセットとなり、制御誤差が大きくな
る。今、仮りに、発光パワー検出用受光素子の逆バイア
ス電圧を２０Ｖの一定値にすると、図６に示すように、
暗電流Ｉｄ（Ａ）も一定となる。
れが制御系のオフセットとなり、制御誤差が大きくな
る。今、仮りに、発光パワー検出用受光素子の逆バイア
ス電圧を２０Ｖの一定値にすると、図６に示すように、
暗電流Ｉｄ（Ａ）も一定となる。
【００１０】ところが、発光パワー検出用受光素子に入
射する光量によって生じる検出出力は、イレース時には
７ｍＷ、リード時には１ｍＷである。したがって、リー
ド時における発光パワー検出用受光素子の検出電流に対
する暗電流の割合いが大きくなり、リード時のパワー制
御誤差が大きくなる。
射する光量によって生じる検出出力は、イレース時には
７ｍＷ、リード時には１ｍＷである。したがって、リー
ド時における発光パワー検出用受光素子の検出電流に対
する暗電流の割合いが大きくなり、リード時のパワー制
御誤差が大きくなる。
【００１１】また、発光パワー検出用受光素子の逆バイ
アス電圧を１０Ｖの一定値に保った場合、リード時に
は、４０ＭHzの帯域があるが、イレース時には、発光パ
ワー検出用受光素子が飽和するため、帯域がでない（存
在しない）ことになる。以上のように、従来の半導体レ
ーザ制御回路では、発光パワー検出用受光素子の特性上
の制約によって、検出電流が異なるリード時とイレース
時とに共通する逆バイアス電圧を設定することができ
ず、また、暗電流により、リード時とイレース時とで発
光パワー制御系に誤差が生じる、等の不都合があった。
アス電圧を１０Ｖの一定値に保った場合、リード時に
は、４０ＭHzの帯域があるが、イレース時には、発光パ
ワー検出用受光素子が飽和するため、帯域がでない（存
在しない）ことになる。以上のように、従来の半導体レ
ーザ制御回路では、発光パワー検出用受光素子の特性上
の制約によって、検出電流が異なるリード時とイレース
時とに共通する逆バイアス電圧を設定することができ
ず、また、暗電流により、リード時とイレース時とで発
光パワー制御系に誤差が生じる、等の不都合があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この発明では、従来の
半導体レーザ制御回路におけるこのような不都合を解決
し、イレース時とリード時のように、発光パワーのレベ
ルが異なる動作時に、逆バイアス電圧の変化に過因して
生じる暗電流による制御誤差が発生しないようにすると
共に、必要な帯域が充分に確保されるようにした半導体
レーザ制御回路を提供することを目的とする。
半導体レーザ制御回路におけるこのような不都合を解決
し、イレース時とリード時のように、発光パワーのレベ
ルが異なる動作時に、逆バイアス電圧の変化に過因して
生じる暗電流による制御誤差が発生しないようにすると
共に、必要な帯域が充分に確保されるようにした半導体
レーザ制御回路を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１に、光
情報記録装置における半導体レーザ制御回路であり、光
源である半導体レーザから出射された光の一部を受光
し、該半導体レーザの発光パワーを検出する受光素子
と、該受光素子により検出された信号によって半導体レ
ーザの発光パワーを制御する制御手段と、該制御手段か
らの制御信号に応じて前記半導体レーザを駆動する駆動
手段、とを具備する半導体レーザ制御回路において、前
記半導体レーザの発光パワーに応じて前記受光素子に印
加する逆バイアス電圧を変化させるように構成してい
る。
情報記録装置における半導体レーザ制御回路であり、光
源である半導体レーザから出射された光の一部を受光
し、該半導体レーザの発光パワーを検出する受光素子
と、該受光素子により検出された信号によって半導体レ
ーザの発光パワーを制御する制御手段と、該制御手段か
らの制御信号に応じて前記半導体レーザを駆動する駆動
手段、とを具備する半導体レーザ制御回路において、前
記半導体レーザの発光パワーに応じて前記受光素子に印
加する逆バイアス電圧を変化させるように構成してい
る。
【００１４】第２に、光情報記録装置における半導体レ
ーザ制御回路であり、光源である半導体レーザから出射
された光の一部を受光し、該半導体レーザの発光パワー
を検出する受光素子と、該受光素子により検出された信
号によって半導体レーザの発光パワーを制御する制御手
段と、該制御手段からの制御信号に応じて前記半導体レ
ーザを駆動する駆動手段、とを具備する半導体レーザ制
御回路において、前記半導体レーザの発光パワーに応じ
て前記受光素子への入射光量を変化させる手段を備えた
構成である。
ーザ制御回路であり、光源である半導体レーザから出射
された光の一部を受光し、該半導体レーザの発光パワー
を検出する受光素子と、該受光素子により検出された信
号によって半導体レーザの発光パワーを制御する制御手
段と、該制御手段からの制御信号に応じて前記半導体レ
ーザを駆動する駆動手段、とを具備する半導体レーザ制
御回路において、前記半導体レーザの発光パワーに応じ
て前記受光素子への入射光量を変化させる手段を備えた
構成である。
【００１５】第３に、上記第２の半導体レーザ制御回路
において、フィルタと、記録タイミング生成回路と、印
加電圧制御回路とを備え、半導体レーザの発光パワーに
応じて前記受光素子への入射光量を変化させるように構
成している。
において、フィルタと、記録タイミング生成回路と、印
加電圧制御回路とを備え、半導体レーザの発光パワーに
応じて前記受光素子への入射光量を変化させるように構
成している。
【００１６】
【作用】この発明では、発光パワー検出用受光素子への
入射光量が多いときは、受光素子へ印加する逆バイアス
を高くして受光素子の飽和を回避し、入射光量が少ない
ときは、受光素子へ印加する逆バイアスを低くして暗電
流を低減することによって、発光パワーのレベルが異な
るイレース時とリード時でも、広帯域で、制御精度のよ
い半導体レーザ制御回路を実現している（請求項１の発
明）。また、発光パワー検出用受光素子へ印加する逆バ
イアス電圧を一定値に保ち、発光パワー検出用受光素子
への入射光量が多いときは、フィルタによって入射光量
を低減させることにより、暗電流の影響を除去して、広
帯域で、制御精度が高く、かつ、高速度の半導体レーザ
制御回路を実現している（請求項２と請求項３の発
明）。
入射光量が多いときは、受光素子へ印加する逆バイアス
を高くして受光素子の飽和を回避し、入射光量が少ない
ときは、受光素子へ印加する逆バイアスを低くして暗電
流を低減することによって、発光パワーのレベルが異な
るイレース時とリード時でも、広帯域で、制御精度のよ
い半導体レーザ制御回路を実現している（請求項１の発
明）。また、発光パワー検出用受光素子へ印加する逆バ
イアス電圧を一定値に保ち、発光パワー検出用受光素子
への入射光量が多いときは、フィルタによって入射光量
を低減させることにより、暗電流の影響を除去して、広
帯域で、制御精度が高く、かつ、高速度の半導体レーザ
制御回路を実現している（請求項２と請求項３の発
明）。
【００１７】
【実施例１】この発明の半導体レーザ制御回路につい
て、図面を参照しながら、その実施例を詳細に説明す
る。この実施例は、請求項１の発明に対応する。以下の
説明では、理解を容易にするために、発光パワーのレベ
ルが著しく異なるリード時とイレース時を中心に説明す
るが、ライト時についても、同様に実施することができ
ることはいうまでもない。
て、図面を参照しながら、その実施例を詳細に説明す
る。この実施例は、請求項１の発明に対応する。以下の
説明では、理解を容易にするために、発光パワーのレベ
ルが著しく異なるリード時とイレース時を中心に説明す
るが、ライト時についても、同様に実施することができ
ることはいうまでもない。
【００１８】図１は、この発明の半導体レーザ制御回路
について、その要部構成の一実施例を示す機能ブロック
図である。図において、１は半導体レーザ、２はカップ
リングレンズ、３はビームスプリッタ、４は対物レン
ズ、５は再生信号モニタ用受光素子、６は発光パワー検
出用受光素子、７は光ディスク、８は電圧昇圧器、９は
切換えスイッチで、ＡとＢはその端子、１０は切換えス
イッチ制御部、１１は記録タイミング生成回路、１２は
第１のＩ／Ｖ変換アンプ、１３はリードパワー制御回
路、１４はピークパワー制御回路、１５は半導体レーザ
駆動回路、１６は第２のＩ／Ｖ変換アンプを示し、ま
た、Ｌはレーザ光、Ｖ１とＶ２は逆バイアス電圧を示
す。
について、その要部構成の一実施例を示す機能ブロック
図である。図において、１は半導体レーザ、２はカップ
リングレンズ、３はビームスプリッタ、４は対物レン
ズ、５は再生信号モニタ用受光素子、６は発光パワー検
出用受光素子、７は光ディスク、８は電圧昇圧器、９は
切換えスイッチで、ＡとＢはその端子、１０は切換えス
イッチ制御部、１１は記録タイミング生成回路、１２は
第１のＩ／Ｖ変換アンプ、１３はリードパワー制御回
路、１４はピークパワー制御回路、１５は半導体レーザ
駆動回路、１６は第２のＩ／Ｖ変換アンプを示し、ま
た、Ｌはレーザ光、Ｖ１とＶ２は逆バイアス電圧を示
す。
【００１９】半導体レーザ１から出射されたレーザ光Ｌ
は、カップリングレンズ２を通過して平行光となり、ビ
ームスプリッタ３へ入射される。入射されたレーザ光Ｌ
の一部は、対物レンズ４を介して、光ディスク７上に集
光される。
は、カップリングレンズ２を通過して平行光となり、ビ
ームスプリッタ３へ入射される。入射されたレーザ光Ｌ
の一部は、対物レンズ４を介して、光ディスク７上に集
光される。
【００２０】集光されたレーザ光Ｌは、光ディスク７で
反射され、再び、対物レンズ４、ビームスプリッタ３を
介して、再生信号モニタ用受光素子５で検出される。検
出された光の強弱が、電気信号に変換されて、第２のＩ
／Ｖ変換アンプ１６から、図示しない信号検出系へ与え
られる。
反射され、再び、対物レンズ４、ビームスプリッタ３を
介して、再生信号モニタ用受光素子５で検出される。検
出された光の強弱が、電気信号に変換されて、第２のＩ
／Ｖ変換アンプ１６から、図示しない信号検出系へ与え
られる。
【００２１】この際、半導体レーザ１から出射されたレ
ーザ光Ｌの一部は、ビームスプリッタ３を通って発光パ
ワー検出用受光素子６へ入射され、この受光素子６の検
出信号によって、半導体レーザ１の発光量が制御され
る。特に、光ディスク装置においては、記録、再生、あ
るいは消去パワーを、それぞれ異なったレベルで制御し
なければならない。
ーザ光Ｌの一部は、ビームスプリッタ３を通って発光パ
ワー検出用受光素子６へ入射され、この受光素子６の検
出信号によって、半導体レーザ１の発光量が制御され
る。特に、光ディスク装置においては、記録、再生、あ
るいは消去パワーを、それぞれ異なったレベルで制御し
なければならない。
【００２２】従来の光ピックアップ装置の構成と動作
は、以上のとおりである。ここで、発光パワー検出用受
光素子６により検出された信号によって半導体レーザ１
の発光パワーを制御する制御手段は、第１のＩ／Ｖ変換
アンプ１２と、リードパワー制御回路１３と、ピークパ
ワー制御回路１４とによって構成されている。
は、以上のとおりである。ここで、発光パワー検出用受
光素子６により検出された信号によって半導体レーザ１
の発光パワーを制御する制御手段は、第１のＩ／Ｖ変換
アンプ１２と、リードパワー制御回路１３と、ピークパ
ワー制御回路１４とによって構成されている。
【００２３】また、この制御手段からの制御信号に応じ
て半導体レーザ１を駆動する駆動手段は、半導体レーザ
駆動回路１５である。なお、光ディスク装置に限らず、
半導体レーザを使用する電子機器では、レーザプリンタ
や光カード装置においても、同様に、半導体レーザの発
光パワーの制御が不可欠である。
て半導体レーザ１を駆動する駆動手段は、半導体レーザ
駆動回路１５である。なお、光ディスク装置に限らず、
半導体レーザを使用する電子機器では、レーザプリンタ
や光カード装置においても、同様に、半導体レーザの発
光パワーの制御が不可欠である。
【００２４】次に、この発明の半導体レーザ制御回路に
固有の動作について述べる。ここでは、リード時に、発
光パワー検出用受光素子６に入射する光量をＰＲとし、
イレース時に、受光素子６に入射する光量をＰＥとす
る。受光素子６への入射光量がＰＲの場合には、切換え
スイッチ制御部１０の制御によって切換えスイッチ９の
接続を端子Ａ側に切換え、発光パワー検出用受光素子６
に印加される逆バイアス電圧をＶ１にする。
固有の動作について述べる。ここでは、リード時に、発
光パワー検出用受光素子６に入射する光量をＰＲとし、
イレース時に、受光素子６に入射する光量をＰＥとす
る。受光素子６への入射光量がＰＲの場合には、切換え
スイッチ制御部１０の制御によって切換えスイッチ９の
接続を端子Ａ側に切換え、発光パワー検出用受光素子６
に印加される逆バイアス電圧をＶ１にする。
【００２５】他方、受光素子６への入射光量がＰＥの場
合には、切換えスイッチ制御部１０の制御により、切換
えスイッチ９の接続を端子Ｂ側に切換える。この場合
に、発光パワー検出用受光素子６に印加される電圧は、
先の電圧Ｖ１が電圧昇圧器８によって昇圧された電圧Ｖ
２（Ｖ２＞Ｖ１）である。
合には、切換えスイッチ制御部１０の制御により、切換
えスイッチ９の接続を端子Ｂ側に切換える。この場合
に、発光パワー検出用受光素子６に印加される電圧は、
先の電圧Ｖ１が電圧昇圧器８によって昇圧された電圧Ｖ
２（Ｖ２＞Ｖ１）である。
【００２６】したがって、半導体レーザの制御帯域を狭
めることなしに、精度の高い制御回路が実現される。こ
の場合の切換えスイッチ制御部１０の制御動作は、記録
タイミング生成回路１１によって生成される動作タイミ
ング信号によって行われる。
めることなしに、精度の高い制御回路が実現される。こ
の場合の切換えスイッチ制御部１０の制御動作は、記録
タイミング生成回路１１によって生成される動作タイミ
ング信号によって行われる。
【００２７】図２は、図１に示したこの発明の半導体レ
ーザ制御回路について、その動作を説明するタイムチャ
ートである。図において、ＰＥはイレース時の入射光量
レベル、ＰＲはリード時の入射光量レベルを示す。
ーザ制御回路について、その動作を説明するタイムチャ
ートである。図において、ＰＥはイレース時の入射光量
レベル、ＰＲはリード時の入射光量レベルを示す。
【００２８】この図２に示すように、この実施例では、
記録タイミング生成回路１１からの出力によって制御さ
れるタイミング、すなわち、リード時とイレース時と
で、発光パワー検出用受光素子６に印加する逆バイアス
電圧を切換えることにより、入射光量が多いときは、受
光素子６へ印加する逆バイアスを高くして受光素子６の
飽和を回避し、入射光量が少ないときは、受光素子６へ
印加する逆バイアスを低くして暗電流を低減させてい
る。したがって、リード時とイレース時とで、検出電流
に対する暗電流の割合いがほぼ一定に保たれ、制御誤差
が少なくなるので、高精度の制御が可能になる。
記録タイミング生成回路１１からの出力によって制御さ
れるタイミング、すなわち、リード時とイレース時と
で、発光パワー検出用受光素子６に印加する逆バイアス
電圧を切換えることにより、入射光量が多いときは、受
光素子６へ印加する逆バイアスを高くして受光素子６の
飽和を回避し、入射光量が少ないときは、受光素子６へ
印加する逆バイアスを低くして暗電流を低減させてい
る。したがって、リード時とイレース時とで、検出電流
に対する暗電流の割合いがほぼ一定に保たれ、制御誤差
が少なくなるので、高精度の制御が可能になる。
【００２９】
【実施例２】この発明の半導体レーザ制御回路につい
て、第２の実施例を詳細に説明する。この実施例は、請
求項２の発明に対応する。この第２の実施例では、フィ
ルタを使用し、このフィルタの位置を移動させることに
よって透過率を変化させ、逆バイアス電圧は一定とし
て、暗電流の影響を除去する構成である。
て、第２の実施例を詳細に説明する。この実施例は、請
求項２の発明に対応する。この第２の実施例では、フィ
ルタを使用し、このフィルタの位置を移動させることに
よって透過率を変化させ、逆バイアス電圧は一定とし
て、暗電流の影響を除去する構成である。
【００３０】図３は、この発明の半導体レーザ制御回路
について、その要部構成の他の一実施例を示す機能ブロ
ック図である。図における符号は図１と同様であり、ま
た、２１はフィルタ、２２はフィルタ移動装置を示す。
について、その要部構成の他の一実施例を示す機能ブロ
ック図である。図における符号は図１と同様であり、ま
た、２１はフィルタ、２２はフィルタ移動装置を示す。
【００３１】この図３に示すように、ビームスプリッタ
３と発光パワー検出用受光素子６との間に、発光パワー
検出用受光素子６への入射光量を低減させるためのフィ
ルタ２１を挿入する。このフィルタ２１は、フィルタ移
動装置２２によって、実線の位置と破線の位置との移動
が可能である。
３と発光パワー検出用受光素子６との間に、発光パワー
検出用受光素子６への入射光量を低減させるためのフィ
ルタ２１を挿入する。このフィルタ２１は、フィルタ移
動装置２２によって、実線の位置と破線の位置との移動
が可能である。
【００３２】この場合に、フィルタ２１としては、その
透過率が、（ＰＲ／ＰＥ）×１００％のものを使用す
る。まず、発光パワー検出用受光素子６への入射光量が
少ないＰＲの場合には、フィルタ２１を破線の位置にお
く。
透過率が、（ＰＲ／ＰＥ）×１００％のものを使用す
る。まず、発光パワー検出用受光素子６への入射光量が
少ないＰＲの場合には、フィルタ２１を破線の位置にお
く。
【００３３】また、入射光量が多いＰＥの場合には、フ
ィルタ移動装置２２によって実線の位置まで移動させ
る。このような動作により、発光パワー検出用受光素子
６に入射する光量は、常にＰＲのときと同様に一定の状
態に制御される。
ィルタ移動装置２２によって実線の位置まで移動させ
る。このような動作により、発光パワー検出用受光素子
６に入射する光量は、常にＰＲのときと同様に一定の状
態に制御される。
【００３４】したがって、逆バイアス電圧を一定値（Ｖ
１）にすることができる。このように、発光パワー検出
用受光素子６に入射する光量を一定に保つことによっ
て、制御系のダイナミックレンジを広くとることが可能
になる。すなわち、発光パワー検出用受光素子６の広帯
域化が実現されるので、高速度の半導体レーザ制御回路
が得られる。なお、この第２の実施例でも、フィルタ２
１の移動のタイミングは、先の図２と同様である。
１）にすることができる。このように、発光パワー検出
用受光素子６に入射する光量を一定に保つことによっ
て、制御系のダイナミックレンジを広くとることが可能
になる。すなわち、発光パワー検出用受光素子６の広帯
域化が実現されるので、高速度の半導体レーザ制御回路
が得られる。なお、この第２の実施例でも、フィルタ２
１の移動のタイミングは、先の図２と同様である。
【００３５】
【実施例３】この発明の半導体レーザ制御回路につい
て、第３の実施例を詳細に説明する。この実施例は、請
求項３の発明に対応する。先の第２の実施例では、フィ
ルタの位置を物理的に移動させて受光素子への入射光量
を変化させることにより、受光素子への入射光量が一定
となるように構成しているが、この第３の実施例では、
フィルタへの印加電圧を変化させて透過率を変化させる
ことによって、受光素子への入射光量を一定にしてい
る。
て、第３の実施例を詳細に説明する。この実施例は、請
求項３の発明に対応する。先の第２の実施例では、フィ
ルタの位置を物理的に移動させて受光素子への入射光量
を変化させることにより、受光素子への入射光量が一定
となるように構成しているが、この第３の実施例では、
フィルタへの印加電圧を変化させて透過率を変化させる
ことによって、受光素子への入射光量を一定にしてい
る。
【００３６】図４は、この発明の半導体レーザ制御回路
について、その要部構成の第３の実施例を示す機能ブロ
ック図である。図における符号は図１と同様であり、ま
た、３１はフィルタ、３２は印加電圧制御回路を示す。
について、その要部構成の第３の実施例を示す機能ブロ
ック図である。図における符号は図１と同様であり、ま
た、３１はフィルタ、３２は印加電圧制御回路を示す。
【００３７】この図４に示すように、ビームスプリッタ
３と発光パワー検出用受光素子６との間に、発光パワー
検出用受光素子６への入射光量を低減させるためのフィ
ルタ３１を挿入する。このフィルタ３１は、ある電圧
（例えばＶ３）を印加すると、その透過率が変化する液
晶等で構成される。この電圧Ｖ３は、印加電圧制御回路
３２によって制御される。
３と発光パワー検出用受光素子６との間に、発光パワー
検出用受光素子６への入射光量を低減させるためのフィ
ルタ３１を挿入する。このフィルタ３１は、ある電圧
（例えばＶ３）を印加すると、その透過率が変化する液
晶等で構成される。この電圧Ｖ３は、印加電圧制御回路
３２によって制御される。
【００３８】例えば、発光パワー検出用受光素子６への
入射光量が少ないＰＲの場合には、フィルタ３１の透過
率を１００％とし（印加電圧制御回路３２は不動作）、
入射光量が多いＰＥの場合には、印加電圧制御回路３２
によってある電圧Ｖ３を印加して、その透過率を（ＰＲ
／ＰＥ）×１００％のように制御する。このような動作
によって、先の第２の実施例の場合と同様に、発光パワ
ー検出用受光素子６に入射する光量が、常にＰＲのとき
と同じ一定状態に制御されるので、逆バイアス電圧を一
定値（Ｖ１）にすることができる。
入射光量が少ないＰＲの場合には、フィルタ３１の透過
率を１００％とし（印加電圧制御回路３２は不動作）、
入射光量が多いＰＥの場合には、印加電圧制御回路３２
によってある電圧Ｖ３を印加して、その透過率を（ＰＲ
／ＰＥ）×１００％のように制御する。このような動作
によって、先の第２の実施例の場合と同様に、発光パワ
ー検出用受光素子６に入射する光量が、常にＰＲのとき
と同じ一定状態に制御されるので、逆バイアス電圧を一
定値（Ｖ１）にすることができる。
【００３９】そして、発光パワー検出用受光素子６に入
射する光量が一定であることによって、制御系のダイナ
ミックレンジを広くとることが可能になる。その上、液
晶フィルタの透過率を変化させる動作は、高速制御が可
能であるから、先の第２の実施例の場合に比べて、一層
高速化に適する。
射する光量が一定であることによって、制御系のダイナ
ミックレンジを広くとることが可能になる。その上、液
晶フィルタの透過率を変化させる動作は、高速制御が可
能であるから、先の第２の実施例の場合に比べて、一層
高速化に適する。
【００４０】以上のような動作により、発光パワー検出
用受光素子６の広帯域化が実現されるので、高速度の半
導体レーザ制御回路が得られる。なお、この第３の実施
例でも、フィルタ３１へ印加する印加電圧制御回路３２
のタイミングは、先の図２と同様である。
用受光素子６の広帯域化が実現されるので、高速度の半
導体レーザ制御回路が得られる。なお、この第３の実施
例でも、フィルタ３１へ印加する印加電圧制御回路３２
のタイミングは、先の図２と同様である。
【００４１】
【発明の効果】請求項１の発明では、発光パワー検出用
受光素子への入射光量が多いときは、受光素子へ印加す
る逆バイアスを高くすることによって、受光素子の飽和
を回避し、また、入射光量が少ないときは、受光素子へ
印加する逆バイアスを低くすることによって、暗電流を
低減している。したがって、広帯域で、精度のよい半導
体レーザ制御回路を実現することが可能になる。
受光素子への入射光量が多いときは、受光素子へ印加す
る逆バイアスを高くすることによって、受光素子の飽和
を回避し、また、入射光量が少ないときは、受光素子へ
印加する逆バイアスを低くすることによって、暗電流を
低減している。したがって、広帯域で、精度のよい半導
体レーザ制御回路を実現することが可能になる。
【００４２】請求項２の発明では、フィルタの透過率を
変化させることによって、発光パワー検出用受光素子へ
の入射光量が多い場合でも少ない場合でも、常に一定の
入射光量となるように制御している。このように、発光
パワー検出用受光素子への入射光量が常に一定であれ
ば、逆バイアス電圧を変化させる必要がなくなるので、
制御系のダイナミックレンジを広くとることが可能にな
り、請求項１の発明と同様の効果が得られる。
変化させることによって、発光パワー検出用受光素子へ
の入射光量が多い場合でも少ない場合でも、常に一定の
入射光量となるように制御している。このように、発光
パワー検出用受光素子への入射光量が常に一定であれ
ば、逆バイアス電圧を変化させる必要がなくなるので、
制御系のダイナミックレンジを広くとることが可能にな
り、請求項１の発明と同様の効果が得られる。
【００４３】請求項３の発明では、液晶フィルタによっ
て発光パワー検出用受光素子への入射光量を変化させる
ことにより、入射光量を常に一定の値に保つように制御
している。したがって、先の請求項１や請求項２の発明
と同様の効果が得られる上、液晶フィルタの透過率を変
化させる動作は、高速制御が可能であるから、高速処理
の光ディスク装置にも充分に対応することができる。
て発光パワー検出用受光素子への入射光量を変化させる
ことにより、入射光量を常に一定の値に保つように制御
している。したがって、先の請求項１や請求項２の発明
と同様の効果が得られる上、液晶フィルタの透過率を変
化させる動作は、高速制御が可能であるから、高速処理
の光ディスク装置にも充分に対応することができる。
【図１】この発明の半導体レーザ制御回路について、そ
の要部構成の一実施例を示す機能ブロック図である。
の要部構成の一実施例を示す機能ブロック図である。
【図２】図１に示したこの発明の半導体レーザ制御回路
について、その動作を説明するタイムチャートである。
について、その動作を説明するタイムチャートである。
【図３】この発明の半導体レーザ制御回路について、そ
の要部構成の他の一実施例を示す機能ブロック図であ
る。
の要部構成の他の一実施例を示す機能ブロック図であ
る。
【図４】この発明の半導体レーザ制御回路について、そ
の要部構成の第３の実施例を示す機能ブロック図であ
る。
の要部構成の第３の実施例を示す機能ブロック図であ
る。
【図５】発光パワー検出用受光素子に印加する逆バイア
ス電圧とその周波数特性の一測定例を示す図である。
ス電圧とその周波数特性の一測定例を示す図である。
【図６】受光素子の逆バイアス電圧と暗電流との関係の
一特性例を示す図である。
一特性例を示す図である。
１ 半導体レーザ ２ カップリングレンズ ３ ビームスプリッタ ４ 対物レンズ ５ 再生信号モニタ用受光素子 ６ 発光パワー検出用受光素子 ７ 光ディスク ８ 電圧昇圧器 ９ 切換えスイッチ １０ 切換えスイッチ制御部 １１ 記録タイミング生成回路 １２ 第１のＩ／Ｖ変換アンプ １３ リードパワー制御回路 １４ ピークパワー制御回路 １５ 半導体レーザ駆動回路 １６ 第２のＩ／Ｖ変換アンプ ２１ フィルタ ２２ フィルタ移動装置 ３１ フィルタ ３２ 印加電圧制御回路
Claims (3)
- 【請求項１】 光情報記録装置における半導体レーザ制
御回路であり、 光源である半導体レーザから出射された光の一部を受光
し、該半導体レーザの発光パワーを検出する受光素子
と、 該受光素子により検出された信号によって半導体レーザ
の発光パワーを制御する制御手段と、 該制御手段からの制御信号に応じて前記半導体レーザを
駆動する駆動手段、とを具備する半導体レーザ制御回路
において、 前記半導体レーザの発光パワーに応じて前記受光素子に
印加する逆バイアス電圧を変化させることを特徴とする
半導体レーザ制御回路。 - 【請求項２】 光情報記録装置における半導体レーザ制
御回路であり、 光源である半導体レーザから出射された光の一部を受光
し、該半導体レーザの発光パワーを検出する受光素子
と、 該受光素子により検出された信号によって半導体レーザ
の発光パワーを制御する制御手段と、 該制御手段からの制御信号に応じて前記半導体レーザを
駆動する駆動手段、とを具備する半導体レーザ制御回路
において、 前記半導体レーザの発光パワーに応じて前記受光素子へ
の入射光量を変化させる手段を備えたことを特徴とする
半導体レーザ制御回路。 - 【請求項３】 請求項２の半導体レーザ制御回路におい
て、 フィルタと、記録タイミング生成回路と、印加電圧制御
回路とを備え、 半導体レーザの発光パワーに応じて前記受光素子への入
射光量を変化させることを特徴とする半導体レーザ制御
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4213500A JPH0636331A (ja) | 1992-07-18 | 1992-07-18 | 半導体レーザ制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4213500A JPH0636331A (ja) | 1992-07-18 | 1992-07-18 | 半導体レーザ制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636331A true JPH0636331A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16640228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4213500A Pending JPH0636331A (ja) | 1992-07-18 | 1992-07-18 | 半導体レーザ制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006309886A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Almedio Inc | 光出力計測装置 |
| JP2007149144A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Funai Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| JP2019176463A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置およびカメラシステム、ならびに、撮像装置の駆動方法 |
-
1992
- 1992-07-18 JP JP4213500A patent/JPH0636331A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006309886A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Almedio Inc | 光出力計測装置 |
| JP2007149144A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Funai Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| JP4609288B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-01-12 | 船井電機株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JP2019176463A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置およびカメラシステム、ならびに、撮像装置の駆動方法 |
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