JPH03136242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03136242A JPH03136242A JP27444289A JP27444289A JPH03136242A JP H03136242 A JPH03136242 A JP H03136242A JP 27444289 A JP27444289 A JP 27444289A JP 27444289 A JP27444289 A JP 27444289A JP H03136242 A JPH03136242 A JP H03136242A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔ヰ既 要〕
凹みのある表面に形成したポリシリコン膜の一部のポリ
ソリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、このシリコ
ン酸化膜に隣接するこのポリシリコン膜をこのシリコン
酸化膜により分離する半導体装置の製造方法の改良に関
し、 フィールド酸化膜の表面に形成されている凹みの底の部
分のポリシリコン膜が酸化されないでそのまま残り、シ
ョート不良が発生するのを防止することが可能な半導体
装置の製造方法の提供を目的とし、 凹みのある表面に形成したポリシリコン膜の一部のポリ
シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、該シリコン
酸化膜に隣接する前記ポリシリコン膜を前記シリコン酸
化膜により分離する半導体装置の製造方法において、前
記シリコン酸化膜となるポリシリコン膜の表面をエツチ
ングした後、該ポリシリコン膜を熱酸化する工程を含む
よう構成する。
ソリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、このシリコ
ン酸化膜に隣接するこのポリシリコン膜をこのシリコン
酸化膜により分離する半導体装置の製造方法の改良に関
し、 フィールド酸化膜の表面に形成されている凹みの底の部
分のポリシリコン膜が酸化されないでそのまま残り、シ
ョート不良が発生するのを防止することが可能な半導体
装置の製造方法の提供を目的とし、 凹みのある表面に形成したポリシリコン膜の一部のポリ
シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、該シリコン
酸化膜に隣接する前記ポリシリコン膜を前記シリコン酸
化膜により分離する半導体装置の製造方法において、前
記シリコン酸化膜となるポリシリコン膜の表面をエツチ
ングした後、該ポリシリコン膜を熱酸化する工程を含む
よう構成する。
本発明は、凹みのある表面に形成したポリシリコン膜の
一部のポリシリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、
このシリコン酸化膜に隣接するこのポリシリコン膜をこ
のシリコン酸化膜により分離する半導体装置の製造方法
の改良に関するものである。
一部のポリシリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、
このシリコン酸化膜に隣接するこのポリシリコン膜をこ
のシリコン酸化膜により分離する半導体装置の製造方法
の改良に関するものである。
凹みのある表面に形成したポリシリコン膜の一部のポリ
シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、このシリコ
ン酸化膜に隣接するこのポリシリコン膜をこのシリコン
酸化膜により分離する半導体装置の製造方法において、
ポリシリコン膜の膜厚の差異が原因となって、凹みの底
の部分が完全に酸化されず、ポリシリコン膜が残存する
ためショート不良の原因となっている。
シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜にし、このシリコ
ン酸化膜に隣接するこのポリシリコン膜をこのシリコン
酸化膜により分離する半導体装置の製造方法において、
ポリシリコン膜の膜厚の差異が原因となって、凹みの底
の部分が完全に酸化されず、ポリシリコン膜が残存する
ためショート不良の原因となっている。
以上のような状況から、凹みの底の部分に形成されたポ
リシリコン膜が完全に酸化され、ポリシリコン膜が残存
しないようにすることが可能となる′＋導体装置の製造
方法が要望されている。
リシリコン膜が完全に酸化され、ポリシリコン膜が残存
しないようにすることが可能となる′＋導体装置の製造
方法が要望されている。
従来の半導体装置の製造方法を第２図により工程順に説
明する。
明する。
まず半導体基板１１の全表面にシリコン窒化膜を形成し
、第２図（ａｌに示すように、レジスト膜を用いる公知
のフォトリソグラフィー技術により素子形成領域１１ａ
にのみパターニングされたシリコン窒化膜１２を残存さ
せ、素子形成領域１１ａを取り囲む部分を酸化してフィ
ールド酸化膜１３を形成する。
、第２図（ａｌに示すように、レジスト膜を用いる公知
のフォトリソグラフィー技術により素子形成領域１１ａ
にのみパターニングされたシリコン窒化膜１２を残存さ
せ、素子形成領域１１ａを取り囲む部分を酸化してフィ
ールド酸化膜１３を形成する。
つぎに第２図（ｂｌに示すように、フィールド酸化膜１
３の下部に半導体基板１１の素子形成領域１１ａを分離
するＵ溝１４を形成する。この工程においてＵ溝１４の
上部のフィールド酸化膜１３の表面に凹み１３ａが形成
される。
３の下部に半導体基板１１の素子形成領域１１ａを分離
するＵ溝１４を形成する。この工程においてＵ溝１４の
上部のフィールド酸化膜１３の表面に凹み１３ａが形成
される。
ついでシリコン窒化膜１２を除去し、素子形成領域１１
ａ及びフィールド酸化膜１３の全表面に膜厚が３ 、０
００人のポリシリコン膜１５を気相成長法（以下、ＣＶ
Ｄ法と略称する。）により形成し、その表面に膜厚が７
００人のシリコン窒化膜１６をＣＶＤ法により形成する
。
ａ及びフィールド酸化膜１３の全表面に膜厚が３ 、０
００人のポリシリコン膜１５を気相成長法（以下、ＣＶ
Ｄ法と略称する。）により形成し、その表面に膜厚が７
００人のシリコン窒化膜１６をＣＶＤ法により形成する
。
その後、第２図（Ｃ）に示すようにポリシリコン膜１５
を配線層として用いる場合、このポリシリコン膜１５の
一部分のポリシリコン膜１５ａの表面のシリコン窒化膜
１６をレジスト膜を用いる公知のフォトリソグラフィー
技術により窓開けする。
を配線層として用いる場合、このポリシリコン膜１５の
一部分のポリシリコン膜１５ａの表面のシリコン窒化膜
１６をレジスト膜を用いる公知のフォトリソグラフィー
技術により窓開けする。
最後に第２図（ｄｌに示すように、このシリコン窒化膜
１６の窓内のポリシリコン膜１５ａを熱酸化してシリコ
ン酸化膜１７にし、これに隣接する配線層となるポリシ
リコン膜１５を分離する。
１６の窓内のポリシリコン膜１５ａを熱酸化してシリコ
ン酸化膜１７にし、これに隣接する配線層となるポリシ
リコン膜１５を分離する。
この熱酸化工程においては、フィールド酸化膜Ｉ３の表
面に形成されている凹み１３ａのために、ポリシリコン
膜１５ａに部分的な膜厚の差異が生じ、凹み１３ａの底
の部分のポリシリコン膜１５ａが酸化されないでそのま
ま残る障害が発生している。
面に形成されている凹み１３ａのために、ポリシリコン
膜１５ａに部分的な膜厚の差異が生じ、凹み１３ａの底
の部分のポリシリコン膜１５ａが酸化されないでそのま
ま残る障害が発生している。
以上説明した従来の半導体装置の製造方法においては、
第２図（ｄｌに示すようにシリコン窒化膜１６の窓内の
ポリシリコン膜１５ａを酸化してシリコン酸化膜にする
場合に、第３図に示すようにフィールド酸化膜１３の表
面に形成されている凹み１３ａのたきうに、このシリコ
ン窒化ＩＱ１６の窓内のポリシリコン膜１５ａに部分的
な膜厚の差異が生じ、凹み１３ａの底の部分のポリシリ
コン膜１５ａが酸化されないでそのまま残り、ショート
不良の原因になるという問題点があった。
第２図（ｄｌに示すようにシリコン窒化膜１６の窓内の
ポリシリコン膜１５ａを酸化してシリコン酸化膜にする
場合に、第３図に示すようにフィールド酸化膜１３の表
面に形成されている凹み１３ａのたきうに、このシリコ
ン窒化ＩＱ１６の窓内のポリシリコン膜１５ａに部分的
な膜厚の差異が生じ、凹み１３ａの底の部分のポリシリ
コン膜１５ａが酸化されないでそのまま残り、ショート
不良の原因になるという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、フィールド酸化膜の表
面に形成されている凹みの底の部分のポリシリコン膜が
酸化されないでそのまま残り、ショート不良が発生する
のを防止することが可能な半導体装置の製造方法の提供
を目的としたものである。
面に形成されている凹みの底の部分のポリシリコン膜が
酸化されないでそのまま残り、ショート不良が発生する
のを防止することが可能な半導体装置の製造方法の提供
を目的としたものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、凹みのある表面に形
成したポリシリコン膜の一部のポリシリコン膜を酸化し
てシリコン酸化膜にし、このシリコン酸化膜に隣接する
ポリシリコン膜をこのシリコン酸化膜により分離する半
導体装置の製造方法において、このシリコン酸化膜とな
るポリシリコン膜の表面をエツチングした後、このポリ
シリコン膜を熱酸化する工程を含むよう構成する。
成したポリシリコン膜の一部のポリシリコン膜を酸化し
てシリコン酸化膜にし、このシリコン酸化膜に隣接する
ポリシリコン膜をこのシリコン酸化膜により分離する半
導体装置の製造方法において、このシリコン酸化膜とな
るポリシリコン膜の表面をエツチングした後、このポリ
シリコン膜を熱酸化する工程を含むよう構成する。
即ち本発明においては、凹みのある表面にポリシリコン
膜を形成し、その一部のポリシリコン膜を酸化してシリ
コン酸化膜にし、このシリコン酸化膜に隣接するポリシ
リコン膜をこのシリコン酸化膜により分離する場合に、
このポリシリコン膜の表面をウェットエツチングするこ
とにより、このポリシリコン膜の成長時の接合面がエツ
チングされ、ポリシリコン膜の膜厚のバラツキが減少す
るので、その後に熱酸化処理を施すと均一に酸化されて
凹みの底に未酸化のポリシリコン膜が残存し、分離すべ
きポリシリコン膜の間のショート不良の原因になるのを
を防止することが可能となる。
膜を形成し、その一部のポリシリコン膜を酸化してシリ
コン酸化膜にし、このシリコン酸化膜に隣接するポリシ
リコン膜をこのシリコン酸化膜により分離する場合に、
このポリシリコン膜の表面をウェットエツチングするこ
とにより、このポリシリコン膜の成長時の接合面がエツ
チングされ、ポリシリコン膜の膜厚のバラツキが減少す
るので、その後に熱酸化処理を施すと均一に酸化されて
凹みの底に未酸化のポリシリコン膜が残存し、分離すべ
きポリシリコン膜の間のショート不良の原因になるのを
を防止することが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例を工程順に説明
する。
する。
まず第１図（ａｌに示すように、シリコン窒化膜２のパ
ターニング及びフィールド酸化膜３の形成を行い、つぎ
に第１図（ｂ）に示すように、Ｕ溝４の形成、シリコン
窒化膜２の除去、ポリシリコン膜５及びシリコン窒化膜
６の形成を行い、ついで第１図（Ｃ）に示すように、シ
リコン窒化膜６の窓開けを行うまでの工程は、従来と同
じである。
ターニング及びフィールド酸化膜３の形成を行い、つぎ
に第１図（ｂ）に示すように、Ｕ溝４の形成、シリコン
窒化膜２の除去、ポリシリコン膜５及びシリコン窒化膜
６の形成を行い、ついで第１図（Ｃ）に示すように、シ
リコン窒化膜６の窓開けを行うまでの工程は、従来と同
じである。
本発明においては、ここで第１図（ｄ）に示すように、
シリコン窒化膜６の窓内のポリシリコン膜５ａを下記条
件でウェットエツチングを行う。
シリコン窒化膜６の窓内のポリシリコン膜５ａを下記条
件でウェットエツチングを行う。
エツチング液の組成及び比率
弗酸（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３）＝５００ ： １工
ツチング時間−−−−−−−・−一−−−−−−−−・
−−−−１分間このウェットエツチングにより、フィー
ルド酸化膜３の表面に形成されている凹み３ａの位置の
上部に、成長時にポリシリコン膜５の表面に形成された
接合面から図示のようにエツチングされる。
ツチング時間−−−−−−−・−一−−−−−−−−・
−−−−１分間このウェットエツチングにより、フィー
ルド酸化膜３の表面に形成されている凹み３ａの位置の
上部に、成長時にポリシリコン膜５の表面に形成された
接合面から図示のようにエツチングされる。
最後に第１図ｆｅ）に示すように、このシリコン窒化膜
６の窓内のポリシリコン膜５ａを熱酸化してシリコン酸
化膜７にし、これに隣接する配線層となるポリシリコン
膜５を分離する。
６の窓内のポリシリコン膜５ａを熱酸化してシリコン酸
化膜７にし、これに隣接する配線層となるポリシリコン
膜５を分離する。
このようにポリシリコン膜５ａの熱酸化処理を行う前に
ウェットエツチングを行うと、このポリシリコン膜の成
長時の接合面がエツチングされ、ポリシリコン膜の膜厚
のバラツキが減少するので、その後に熱酸化処理を施し
た場合に均一に酸化されて凹み３ａの底部に未酸化のポ
リシリコン膜５ａが残存しなくなり、分離すべきポリシ
リコン膜５の間のショート不良の発生を防止することが
可能となる。
ウェットエツチングを行うと、このポリシリコン膜の成
長時の接合面がエツチングされ、ポリシリコン膜の膜厚
のバラツキが減少するので、その後に熱酸化処理を施し
た場合に均一に酸化されて凹み３ａの底部に未酸化のポ
リシリコン膜５ａが残存しなくなり、分離すべきポリシ
リコン膜５の間のショート不良の発生を防止することが
可能となる。
〔発明の効果］
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡準な工程を追加することにより、ポリシリコン膜の膜
厚を均一にすることができ、フィールド酸化膜の表面に
形成された凹みの底のポリシリコン膜も短時間に絶縁膜
となるシリコン酸化膜に完全に酸化することが可能とな
り、配線層となる隣接のポリシリコン膜のショート不良
を防止することが可能となる等の利点があり、著しい経
済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の
製造方法の提供が可能となる。
簡準な工程を追加することにより、ポリシリコン膜の膜
厚を均一にすることができ、フィールド酸化膜の表面に
形成された凹みの底のポリシリコン膜も短時間に絶縁膜
となるシリコン酸化膜に完全に酸化することが可能とな
り、配線層となる隣接のポリシリコン膜のショート不良
を防止することが可能となる等の利点があり、著しい経
済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の
製造方法の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例を工程順に示す側断面図
、 第２図は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す側
断面図、 第３図は従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す
る模式的側断面図、である。 図において、 ■は半導体基板、 １ａは素子形成領域、 ２はシリコン窒化膜、 ３はフィールド酸化膜、 ３ａは凹み、 ４はＵ溝、 ５はポリシリコン膜、 ５ａはポリシリコン膜、 ６はシリコン窒化膜、 ７はシリコン酸化膜、を示す。 （ｃｌ シリコン窒化膜（６）の窓開は 本発明による一実施例を工程順に示す側断面図案 図（そのｌ） ＋ＣＩ シリコン窒化膜（１６）の窓開は 従Ｖの半導体装置の製造方法を工程＠に示す側断面図案 図（その１） ｆｄ＋ ポリシリコン膜（５ａ）のエツチング ＋ｅ＋ ポリシリコンＩＩ（５ａ）のＱｉ化によるシリコン酸化
Ｈ（７）の形成本発明による一実施例を工程順に示す側
断面図案 図（その２） （ｄｌ ポリシリコンＩＩＩ（１５ａ）のＰ！酸化によるシリコ
ン酸化膜（１７）の形成従来の半導体装置の製造方法を
工程順に示す側断面図案 図（その２） 従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す墨模式的
側断面図第 図
、 第２図は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す側
断面図、 第３図は従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す
る模式的側断面図、である。 図において、 ■は半導体基板、 １ａは素子形成領域、 ２はシリコン窒化膜、 ３はフィールド酸化膜、 ３ａは凹み、 ４はＵ溝、 ５はポリシリコン膜、 ５ａはポリシリコン膜、 ６はシリコン窒化膜、 ７はシリコン酸化膜、を示す。 （ｃｌ シリコン窒化膜（６）の窓開は 本発明による一実施例を工程順に示す側断面図案 図（そのｌ） ＋ＣＩ シリコン窒化膜（１６）の窓開は 従Ｖの半導体装置の製造方法を工程＠に示す側断面図案 図（その１） ｆｄ＋ ポリシリコン膜（５ａ）のエツチング ＋ｅ＋ ポリシリコンＩＩ（５ａ）のＱｉ化によるシリコン酸化
Ｈ（７）の形成本発明による一実施例を工程順に示す側
断面図案 図（その２） （ｄｌ ポリシリコンＩＩＩ（１５ａ）のＰ！酸化によるシリコ
ン酸化膜（１７）の形成従来の半導体装置の製造方法を
工程順に示す側断面図案 図（その２） 従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す墨模式的
側断面図第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凹みのある表面に形成したポリシリコン膜（５）の一
部のポリシリコン膜（５ａ）を酸化してシリコン酸化膜
（７）にし、該シリコン酸化膜（７）に隣接する前記ポ
リシリコン膜（５）を前記シリコン酸化膜（７）により
分離する半導体装置の製造方法において、 前記シリコン酸化膜（７）となるポリシリコン膜（５ａ
）の表面をエッチングした後、該ポリシリコン膜（５ａ
）を熱酸化する工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27444289A JPH03136242A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27444289A JPH03136242A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136242A true JPH03136242A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17541740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27444289A Pending JPH03136242A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03136242A (ja) |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27444289A patent/JPH03136242A/ja active Pending
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