JPH03125474A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH03125474A JPH03125474A JP1263115A JP26311589A JPH03125474A JP H03125474 A JPH03125474 A JP H03125474A JP 1263115 A JP1263115 A JP 1263115A JP 26311589 A JP26311589 A JP 26311589A JP H03125474 A JPH03125474 A JP H03125474A
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、固体撮像装置に関する。
(従来の技術)
半導体を用いた固体撮像装置は、小型、軽量で信頼性も
高いことから、従来の撮像管に代るものとしてその技術
改良が急速に進展している。固体撮像装置の代表的なも
のに、CCD撮像装置がある。
高いことから、従来の撮像管に代るものとしてその技術
改良が急速に進展している。固体撮像装置の代表的なも
のに、CCD撮像装置がある。
第7図(a) (b)は、従来のCCD撮像装置の要部
構成を示す甲面図とそのA−A’断面図である。
構成を示す甲面図とそのA−A’断面図である。
p″′型シリコン基板1に、感光部としてのフォトダイ
オード2、このフォトダイオード2で光電変換されて蓄
積された信号電荷を転送する信号電荷転送部3、および
フォトダイオード2の信号電荷を信号電荷転送部3に読
出すための読出しチャネル部4(通常フィールドシフト
ゲートと呼ばれる)が形成されている。図では一画素に
対応する一個のフォトダイオードのみ示しているが通常
これが複数個マトリクス配列され、そのフォトダイオー
ド配列に沿って複数本の信号電荷転送部が配列されて、
二次元的CCD撮像装置か構成される。フォトダイオー
ド2は、基板1にn型拡散層5が形成されたpn接合ダ
イオードにより構成されている。信号電荷転送部3は、
基板1表面にn型拡散層6が形成され、この上にゲート
絶縁膜7を介して転送電極81.82が形成された埋込
みチャネル型CCDにより構成されている。転送電極8
□は読出しチャネル部4の基板1上にまで延在して配設
されて読出しチャネル部4の転送電極を兼ねている。フ
ォトダイオード2、(、;、号電荷転送部3および読出
しチャネル部4以外の領域の基板表面にはチャネルスト
ッパ層としてn型拡散層9が形成されている。素子形成
された基板表面はCVD絶縁膜10により覆われている
。
オード2、このフォトダイオード2で光電変換されて蓄
積された信号電荷を転送する信号電荷転送部3、および
フォトダイオード2の信号電荷を信号電荷転送部3に読
出すための読出しチャネル部4(通常フィールドシフト
ゲートと呼ばれる)が形成されている。図では一画素に
対応する一個のフォトダイオードのみ示しているが通常
これが複数個マトリクス配列され、そのフォトダイオー
ド配列に沿って複数本の信号電荷転送部が配列されて、
二次元的CCD撮像装置か構成される。フォトダイオー
ド2は、基板1にn型拡散層5が形成されたpn接合ダ
イオードにより構成されている。信号電荷転送部3は、
基板1表面にn型拡散層6が形成され、この上にゲート
絶縁膜7を介して転送電極81.82が形成された埋込
みチャネル型CCDにより構成されている。転送電極8
□は読出しチャネル部4の基板1上にまで延在して配設
されて読出しチャネル部4の転送電極を兼ねている。フ
ォトダイオード2、(、;、号電荷転送部3および読出
しチャネル部4以外の領域の基板表面にはチャネルスト
ッパ層としてn型拡散層9が形成されている。素子形成
された基板表面はCVD絶縁膜10により覆われている
。
この様なCCD撮像装置においては、フォトダイオード
2のn型拡散層5がフローティングであるために、フォ
トダイオード5で光電変換して蓄積した信号型6Iを完
全に電荷転送部3に読出すことが出来ず、一部信号電荷
がフォトダイオード5に残り、この残存電荷が再生画像
上に残像として現れるという問題がある。この残存信号
電荷数は読出し前にフォトダイオードに蓄積されていた
信号電荷数に依存し、蓄積信号電荷数が多いほど残存信
号電荷数が多く、この残存信号が信号電荷読出し部4の
チャネルをリークすることが残像の原因となる。これは
、高精彩画像を得るために多画素化、高密度化し、信号
電荷読出し部4のチャネル長が短くなり、所謂短チヤネ
ル効果が生じると一層顕著に現れる。短チヤネル効果に
よって、信号電荷読出し部4の弱反転状態において流れ
るリーク電流が増大するためである。また残像は次のよ
うな現象により一層顕著に現れる。第6図(C)の電位
分布を用いて説明する。電荷転送部3は読出し前は空乏
化しているが、信号電荷がこの電荷転送部3に読み出さ
れて蓄積されると、転送部3のチャネルの電位は読出し
を行っている開時間と共に変化し、特に短チヤネル効果
が生じている場合には信号電荷読出し部4のチャネル電
位も転送部3のそれにしたがって変化する。すなわち読
み出された信号電荷数が多いほど読出し部のチャネル電
位が低くなるため、フォトダイオードに残存するfル号
電荷数か多くなる。この様な場合残像はより顕著になる
。
2のn型拡散層5がフローティングであるために、フォ
トダイオード5で光電変換して蓄積した信号型6Iを完
全に電荷転送部3に読出すことが出来ず、一部信号電荷
がフォトダイオード5に残り、この残存電荷が再生画像
上に残像として現れるという問題がある。この残存信号
電荷数は読出し前にフォトダイオードに蓄積されていた
信号電荷数に依存し、蓄積信号電荷数が多いほど残存信
号電荷数が多く、この残存信号が信号電荷読出し部4の
チャネルをリークすることが残像の原因となる。これは
、高精彩画像を得るために多画素化、高密度化し、信号
電荷読出し部4のチャネル長が短くなり、所謂短チヤネ
ル効果が生じると一層顕著に現れる。短チヤネル効果に
よって、信号電荷読出し部4の弱反転状態において流れ
るリーク電流が増大するためである。また残像は次のよ
うな現象により一層顕著に現れる。第6図(C)の電位
分布を用いて説明する。電荷転送部3は読出し前は空乏
化しているが、信号電荷がこの電荷転送部3に読み出さ
れて蓄積されると、転送部3のチャネルの電位は読出し
を行っている開時間と共に変化し、特に短チヤネル効果
が生じている場合には信号電荷読出し部4のチャネル電
位も転送部3のそれにしたがって変化する。すなわち読
み出された信号電荷数が多いほど読出し部のチャネル電
位が低くなるため、フォトダイオードに残存するfル号
電荷数か多くなる。この様な場合残像はより顕著になる
。
CCD撮像装置の場合、上述の信号電荷読出しチャネル
部4の短チヤネル効果は、通常のMO3集積回路と異な
りチャネル長4μm程度で生じる。
部4の短チヤネル効果は、通常のMO3集積回路と異な
りチャネル長4μm程度で生じる。
CCD撮像装置の場合、転送電極の面積が通常のMO8
集積回路に比べると大きいためにゲート絶縁膜の破壊が
生じ易く、これを防止する意味でゲート絶縁膜7として
900人程度の厚みを必要とするからである。
集積回路に比べると大きいためにゲート絶縁膜の破壊が
生じ易く、これを防止する意味でゲート絶縁膜7として
900人程度の厚みを必要とするからである。
以上のべた残像の現象は、CCD基板に光電変換膜を積
層した積層型CCD撮像装置においてはより大きく現れ
る。積層型CCD撮像装置では、フォトダイオード2の
部分は信号電荷を蓄積するためだけの蓄積ダイオードと
なるが、光電変換膜をこの蓄積ダイオードに接続する必
要がある。そのためには、ダイオードのn型拡散層5の
不純物濃度を高くすることが必要になる。そうすると、
読出したときの残存信号電荷量がより多くなるからであ
る。
層した積層型CCD撮像装置においてはより大きく現れ
る。積層型CCD撮像装置では、フォトダイオード2の
部分は信号電荷を蓄積するためだけの蓄積ダイオードと
なるが、光電変換膜をこの蓄積ダイオードに接続する必
要がある。そのためには、ダイオードのn型拡散層5の
不純物濃度を高くすることが必要になる。そうすると、
読出したときの残存信号電荷量がより多くなるからであ
る。
この様な問題を解決するものとして従来、信号電荷転送
部のチャネル領域のうち、信号電荷読出しチャネル部に
隣接する部分に信号電荷転送部のチャネル領域のn型拡
散層より低濃度のn型拡散層を設けることが提案されて
いる(特開昭63311757号公報)。これは、通常
のMO8集積回路で短チヤネル効果を抑制する方法とし
て用いられる所謂LDD構造の原理を信号電荷読出し部
に適用したものといえる。しかしこの方法では、新たな
拡散層領域形成のために工程数が増え、またイオン注入
等の工程を要するためにゲート絶縁膜の劣化が生じると
いう問題がある。
部のチャネル領域のうち、信号電荷読出しチャネル部に
隣接する部分に信号電荷転送部のチャネル領域のn型拡
散層より低濃度のn型拡散層を設けることが提案されて
いる(特開昭63311757号公報)。これは、通常
のMO8集積回路で短チヤネル効果を抑制する方法とし
て用いられる所謂LDD構造の原理を信号電荷読出し部
に適用したものといえる。しかしこの方法では、新たな
拡散層領域形成のために工程数が増え、またイオン注入
等の工程を要するためにゲート絶縁膜の劣化が生じると
いう問題がある。
(発明が解決しようとする課題)
以上述べたように従来のCCD撮像装置では、フローテ
ィグの拡散層に蓄積された信号電荷が完全に転送部に読
み出されずに、再生画像上で残像として現われ、特に多
画素化、高密度化した場合に信号電荷読出し部に短チヤ
ネル効果が生じることにより残像現象が大きくなるとい
う問題があった。
ィグの拡散層に蓄積された信号電荷が完全に転送部に読
み出されずに、再生画像上で残像として現われ、特に多
画素化、高密度化した場合に信号電荷読出し部に短チヤ
ネル効果が生じることにより残像現象が大きくなるとい
う問題があった。
本発明は、この様な短チヤネル効果により顕著に現れる
残像現象を効果的に低減した固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
残像現象を効果的に低減した固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明は、信号電荷蓄積部と信号電荷転送部、およびこ
れらの間を繋ぐ信号電荷読出しチャネル部を有する固体
撮像装置において、前記信号電荷読出しチャネル部のゲ
ート絶縁膜の膜厚を信号電荷転送部のそれより薄くした
ことを特徴とする。
れらの間を繋ぐ信号電荷読出しチャネル部を有する固体
撮像装置において、前記信号電荷読出しチャネル部のゲ
ート絶縁膜の膜厚を信号電荷転送部のそれより薄くした
ことを特徴とする。
(作用)
本発明によれば、信号電荷読出し部のゲート絶縁膜を薄
くすることによって、短チヤネル効果が緩和される結果
、信号電荷読出し期間中に信号電荷読出し部のチャネル
を流れるリークが十分小さくなる。これにより、再生画
像上での残像が低減される。読出しチャネル部の面積は
信号電荷転送部のそれに比べると小さいから、この部分
のゲート絶縁膜の膜厚を信号電荷転送部のそれより薄く
することによる信頼性の低下は余り問題にならない。
くすることによって、短チヤネル効果が緩和される結果
、信号電荷読出し期間中に信号電荷読出し部のチャネル
を流れるリークが十分小さくなる。これにより、再生画
像上での残像が低減される。読出しチャネル部の面積は
信号電荷転送部のそれに比べると小さいから、この部分
のゲート絶縁膜の膜厚を信号電荷転送部のそれより薄く
することによる信頼性の低下は余り問題にならない。
(実施例)
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図(a) (b)は、一実施例のCCD撮像装置の
要部構造を示す。第7図(a) (b)と対応する部分
には第7図(a) (b)と同一符号を付して詳細な説
明は省略する。この実施例の構造が従来の構造と異なる
点は、信号電荷読出しチャネル部4のゲート絶縁膜7□
(第1図(a)の平面図の斜線領域)を信号電荷転送
部3のゲート絶縁膜71よりも薄くしていることである
。例えば信号電荷転送部4のゲート絶縁膜7Iの膜厚を
900人とした時、信号電荷読出しチャネル部3のゲー
ト絶縁膜72のそれを600人程度とする。
要部構造を示す。第7図(a) (b)と対応する部分
には第7図(a) (b)と同一符号を付して詳細な説
明は省略する。この実施例の構造が従来の構造と異なる
点は、信号電荷読出しチャネル部4のゲート絶縁膜7□
(第1図(a)の平面図の斜線領域)を信号電荷転送
部3のゲート絶縁膜71よりも薄くしていることである
。例えば信号電荷転送部4のゲート絶縁膜7Iの膜厚を
900人とした時、信号電荷読出しチャネル部3のゲー
ト絶縁膜72のそれを600人程度とする。
第2図(a)〜(d)は、この実施例の構造を得るため
の製造工程例である。p−型シリコン基板1にまず、極
薄い犠牲酸化膜(図示せず)を形成した状態で、(a)
に示すように、フィールド領域にチャネルストッパとな
るn型拡散層9を、感光部2のフォトダイオードを形成
するためのn型拡散層5および、信号電荷転送部3の埋
込みチャネルを形成するためのnJ42拡散層6を、そ
れぞれイオン注入等により形成する。次いで犠牲酸化膜
を除去した後、(b)に示すように、熱酸化によって全
面に信号電荷転送部3のゲート絶縁膜71となる900
人程度の酸化膜を形成する。その後フォトレジスト等の
マスク(図示せず)をパターン形成した信号電荷読出し
チャネル部4の酸化膜を選択エツチングしてその厚みを
減じ、約600人のゲート絶縁膜7□とする。このとき
、この領域の酸化膜を一旦すべてエツチング除去し、マ
スクを除去した後改めて熱酸化を行って600人程度の
ゲート酸絶縁膜72を形成してもよい。但しその場合他
の領域が最終的に900人となるように予め薄い熱酸化
膜を形成しておく。次に(d)に示すように、二層多結
晶シリコン膜の堆積とバターニングを繰り返して、転送
電極81,8□を形成する。
の製造工程例である。p−型シリコン基板1にまず、極
薄い犠牲酸化膜(図示せず)を形成した状態で、(a)
に示すように、フィールド領域にチャネルストッパとな
るn型拡散層9を、感光部2のフォトダイオードを形成
するためのn型拡散層5および、信号電荷転送部3の埋
込みチャネルを形成するためのnJ42拡散層6を、そ
れぞれイオン注入等により形成する。次いで犠牲酸化膜
を除去した後、(b)に示すように、熱酸化によって全
面に信号電荷転送部3のゲート絶縁膜71となる900
人程度の酸化膜を形成する。その後フォトレジスト等の
マスク(図示せず)をパターン形成した信号電荷読出し
チャネル部4の酸化膜を選択エツチングしてその厚みを
減じ、約600人のゲート絶縁膜7□とする。このとき
、この領域の酸化膜を一旦すべてエツチング除去し、マ
スクを除去した後改めて熱酸化を行って600人程度の
ゲート酸絶縁膜72を形成してもよい。但しその場合他
の領域が最終的に900人となるように予め薄い熱酸化
膜を形成しておく。次に(d)に示すように、二層多結
晶シリコン膜の堆積とバターニングを繰り返して、転送
電極81,8□を形成する。
最後に全面にCVD酸化膜を堆積する。
第3図(a)〜(d)は別の製造工程例である。
(a)に示すように各部の拡散層を形成するまでは先の
例と同じである。その後この例では、(b)に 0 示すように信号電荷読出しチャネル部4のゲート絶縁膜
72として好ましい膜厚例えば600人の酸化膜を形成
する。そして(C)に示すように、信号電荷読出しチャ
ネル部4の領域に例えばシリコン窒化膜からなる耐酸化
性マスク21を形成して、熱酸化を行って900人程度
の厚い電荷転送部3のゲート絶縁膜7.を形成する。そ
の後先の例と同様に、(d)に示すように転送電極8□
、8゜を形成する。
例と同じである。その後この例では、(b)に 0 示すように信号電荷読出しチャネル部4のゲート絶縁膜
72として好ましい膜厚例えば600人の酸化膜を形成
する。そして(C)に示すように、信号電荷読出しチャ
ネル部4の領域に例えばシリコン窒化膜からなる耐酸化
性マスク21を形成して、熱酸化を行って900人程度
の厚い電荷転送部3のゲート絶縁膜7.を形成する。そ
の後先の例と同様に、(d)に示すように転送電極8□
、8゜を形成する。
この実施例のCCD撮像装置では、信号電荷読出しチャ
ネル部4のゲート絶縁膜7□が薄いため、短チヤネル効
果が抑制され、信号電荷読出しチャネル部4のチャネル
長が従来と同じであっても、信号電荷読出し期間中弱反
転状態で流れるリーク電流が従来より小さい。従ってフ
ォトダイオードの残留電荷による再生画像上の残像が低
減され、良質の画像が得られる。信号電荷読出しチャネ
ル部4の面積は信号電荷転送部3の面積に比べると小さ
いから、この部分のゲート絶縁膜の膜厚を薄くしたこと
による信頼性の低下はほとんど問題に1 ならない。
ネル部4のゲート絶縁膜7□が薄いため、短チヤネル効
果が抑制され、信号電荷読出しチャネル部4のチャネル
長が従来と同じであっても、信号電荷読出し期間中弱反
転状態で流れるリーク電流が従来より小さい。従ってフ
ォトダイオードの残留電荷による再生画像上の残像が低
減され、良質の画像が得られる。信号電荷読出しチャネ
ル部4の面積は信号電荷転送部3の面積に比べると小さ
いから、この部分のゲート絶縁膜の膜厚を薄くしたこと
による信頼性の低下はほとんど問題に1 ならない。
第4図(a) (b)は、他の実施例のCCD撮像装置
の要部構造である。第1図(a) (b)と対応する部
分には第1図(a) (b)と同一符号を付して詳細な
説明は省略する。この実施例では、第4図(a)に斜線
で示したように、信号電荷読出しチャネル部4のみなら
ず、ここから一部信号電荷転送部3のチャネル領域に食
い込む形で薄いゲート絶縁膜72を形成している。
の要部構造である。第1図(a) (b)と対応する部
分には第1図(a) (b)と同一符号を付して詳細な
説明は省略する。この実施例では、第4図(a)に斜線
で示したように、信号電荷読出しチャネル部4のみなら
ず、ここから一部信号電荷転送部3のチャネル領域に食
い込む形で薄いゲート絶縁膜72を形成している。
この実施例によっても先の実施例と同様の効果が得られ
る。またこの実施例の場合、第4図(b)の断面での基
板内電位分布が第4図(e)のようになることから、信
号電荷転送部3のチャネル内信号電荷が信号電荷読出し
チャネル部4から離れた位置に偏在する状態になる。従
って信号電荷転送部3のチャネル電位の変動による信号
電荷読出しチャネル部4のチャネル電位の変動が小さく
なり、より効果的にリーク電流の低減が図られる。
る。またこの実施例の場合、第4図(b)の断面での基
板内電位分布が第4図(e)のようになることから、信
号電荷転送部3のチャネル内信号電荷が信号電荷読出し
チャネル部4から離れた位置に偏在する状態になる。従
って信号電荷転送部3のチャネル電位の変動による信号
電荷読出しチャネル部4のチャネル電位の変動が小さく
なり、より効果的にリーク電流の低減が図られる。
本発明は、積層型のCCD撮像装置にも適用することが
できる。
できる。
2
第5図は、積層型CCDに適用した実施例の要部構造を
、第1図(b)に対応させて示す断面図である。第1図
と同様にしてCCD基板を形成した後、蓄積ダイオード
となるn型拡散層5上にコンタクト孔が開けられ、中継
用電極11が形成される。その後さらに全面にCVD絶
縁膜12が形成され、これに中継用電極11に対するコ
ンタクト孔が開けられ、各画素の集電電極13が形成さ
れる。この上にアモルファスSi等の光電変換膜14が
堆積され、その表面に透明導電膜15が形成される。
、第1図(b)に対応させて示す断面図である。第1図
と同様にしてCCD基板を形成した後、蓄積ダイオード
となるn型拡散層5上にコンタクト孔が開けられ、中継
用電極11が形成される。その後さらに全面にCVD絶
縁膜12が形成され、これに中継用電極11に対するコ
ンタクト孔が開けられ、各画素の集電電極13が形成さ
れる。この上にアモルファスSi等の光電変換膜14が
堆積され、その表面に透明導電膜15が形成される。
この実施例の積層型CCD撮像装置では、光電変換膜1
4で光電変換された信号電荷(電子)は集電電極13で
集められて中継用電極]1を介してn型拡散層5に蓄積
される。信号電荷読出しの動作は第1図の場合と同様で
ある。
4で光電変換された信号電荷(電子)は集電電極13で
集められて中継用電極]1を介してn型拡散層5に蓄積
される。信号電荷読出しの動作は第1図の場合と同様で
ある。
この実施例においても第1図の実施例と同様に信号電荷
読出しチャネル部のゲート絶縁膜72を信号電荷転送部
のゲート絶縁膜71に比べて薄くしている。これにより
、第1図の実施例と同様に、3 短チヤネル効果による残像を低減することができる。
読出しチャネル部のゲート絶縁膜72を信号電荷転送部
のゲート絶縁膜71に比べて薄くしている。これにより
、第1図の実施例と同様に、3 短チヤネル効果による残像を低減することができる。
第6図は、同様に積層型CCD撮像装置についての第2
図の実施例に対応する実施例の断面構造である。第2図
の実施例と同様に、信号電荷読出しチャネル部の薄いゲ
ート絶縁膜72を一部信号電荷転送部まで食い込む形で
設けている。
図の実施例に対応する実施例の断面構造である。第2図
の実施例と同様に、信号電荷読出しチャネル部の薄いゲ
ート絶縁膜72を一部信号電荷転送部まで食い込む形で
設けている。
この実施例によっても、第2図の実施例と同様の効果が
得られる。
得られる。
本発明は上記実施例に限られるものではなく、その趣旨
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる
。
を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる
。
[発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、多画素化。
高密度化に伴う信号型6I読出しチャネル部のリーク電
流増大に起因する残像を効果的に低減したCCD撮像装
置を得ることができる。
流増大に起因する残像を効果的に低減したCCD撮像装
置を得ることができる。
第1図(a) (b)は本発明の一実施例のCCD撮像
装置の要部構造を示すを平面図とそのA−A’4 断面図、 第2図(a)〜(d)はその製造工程例を説明するため
の断面図、 第3図(a)〜(d)は他の製造工程例を説明するため
の断面図、 第4図(a)〜(c)は他の実施例のCCD撮像装置の
要部構造を示す平面図、そのA−A’断面図および基板
内電位分布を示す図、 第5図は積層型CCD撮像装置に適用した実施例の要部
構造を示す断面図、 第6図は同じく積層型CCD撮像装置に適用した他の実
施例の要部構造を示す断面図、第7図(a)〜(c)は
従来のCCD撮像装置の要部構造を示す平面図、そのA
−A’断面図および基板内電位分布を示す図である。 1・・・p−型シリコン基板、2・・・フォトダイオー
ド(感光部)、3・・・信号電荷転送部、4・・・信号
電荷読出しチャネル部、5・・・n型拡散層、6・・・
n型拡散層、71.72・・・ゲート絶縁膜、81.8
2・・・転送電極、9・・・p型層、10・・・CVD
絶縁膜、5 11・・・中継用電極、12・・・CVD絶縁膜、13
・・・集電電極、14・・・光電変換膜、15・・・透
明導電膜。
装置の要部構造を示すを平面図とそのA−A’4 断面図、 第2図(a)〜(d)はその製造工程例を説明するため
の断面図、 第3図(a)〜(d)は他の製造工程例を説明するため
の断面図、 第4図(a)〜(c)は他の実施例のCCD撮像装置の
要部構造を示す平面図、そのA−A’断面図および基板
内電位分布を示す図、 第5図は積層型CCD撮像装置に適用した実施例の要部
構造を示す断面図、 第6図は同じく積層型CCD撮像装置に適用した他の実
施例の要部構造を示す断面図、第7図(a)〜(c)は
従来のCCD撮像装置の要部構造を示す平面図、そのA
−A’断面図および基板内電位分布を示す図である。 1・・・p−型シリコン基板、2・・・フォトダイオー
ド(感光部)、3・・・信号電荷転送部、4・・・信号
電荷読出しチャネル部、5・・・n型拡散層、6・・・
n型拡散層、71.72・・・ゲート絶縁膜、81.8
2・・・転送電極、9・・・p型層、10・・・CVD
絶縁膜、5 11・・・中継用電極、12・・・CVD絶縁膜、13
・・・集電電極、14・・・光電変換膜、15・・・透
明導電膜。
Claims (4)
- (1)半導体基板に、複数の感光部、信号電荷転送部、
および前記各感光部で光電変換されて蓄積された信号電
荷を前記信号電荷転送部に読出す信号電荷読出しチャネ
ル部が形成された固体撮像装置において、前記信号電荷
読出しチャネル部のゲート絶縁膜を前記信号電荷転送部
のそれより薄くしたことを特徴とする固体撮像装置。 - (2)半導体基板に、複数の感光部、信号電荷転送部、
および前記各感光部で光電変換されて蓄積された信号電
荷を前記信号電荷転送部に読出す信号電荷読出しチャネ
ル部が形成された固体撮像装置において、前記信号電荷
読出しチャネル部およびこれに隣接する前記信号電荷転
送部の一部のゲート絶縁膜を前記信号電荷転送部の残部
のそれより薄くしたことを特徴とする固体撮像装置。 - (3)半導体基板に、複数の信号電荷蓄積部、信号電荷
転送部、および前記各信号電荷蓄積部の信号電荷を前記
信号電荷転送部に読出す信号電荷読出しチャネル部が形
成され、この基板上に光電変換膜が積層形成された固体
撮像装置において、前記信号電荷読出しチャネル部のゲ
ート絶縁膜を前記信号電荷転送部のそれより薄くしたこ
とを特徴とする固体撮像装置。 - (4)半導体基板に、複数の信号電荷蓄積部、信号電荷
転送部、および前記各信号電荷蓄積部の信号電荷を前記
信号電荷転送部に読出す信号電荷読出しチャネル部が形
成され、この基板上に光電変換膜が積層形成された固体
撮像装置において、前記信号電荷読出しチャネル部のゲ
ート絶縁膜を前記信号電荷転送部のそれより薄くしたこ
とを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1263115A JP2877382B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1263115A JP2877382B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03125474A true JPH03125474A (ja) | 1991-05-28 |
JP2877382B2 JP2877382B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=17385038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1263115A Expired - Fee Related JP2877382B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2877382B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048895A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
US7405757B2 (en) * | 2002-07-23 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image sensor and image sensor module |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1263115A patent/JP2877382B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7405757B2 (en) * | 2002-07-23 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image sensor and image sensor module |
JP2007048895A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2877382B2 (ja) | 1999-03-31 |
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