JPH03120368A - 化学的蒸着装置の洗浄方法 - Google Patents
化学的蒸着装置の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH03120368A JPH03120368A JP2218867A JP21886790A JPH03120368A JP H03120368 A JPH03120368 A JP H03120368A JP 2218867 A JP2218867 A JP 2218867A JP 21886790 A JP21886790 A JP 21886790A JP H03120368 A JPH03120368 A JP H03120368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- evaporator
- vacuum evaporator
- gas source
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 44
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 21
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 abstract description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 36
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
、本発明は、真空蒸着装置による半導体ウェーハの処理
工程に関し、より詳しくは、タングステンやケイ素化タ
ングステン等の堆積物を、フッ素残渣を残存させること
なく、真空蒸着装置から除去するためのより進歩した洗
浄法に関する。
工程に関し、より詳しくは、タングステンやケイ素化タ
ングステン等の堆積物を、フッ素残渣を残存させること
なく、真空蒸着装置から除去するためのより進歩した洗
浄法に関する。
半導体ウェーハに集積回路構造を形成するために半導体
ウェーハを処理する工程においては、例えばタングステ
ン等の物質を気相成長法（ｃＶＤ）により、ウェーハ上
に堆積するのが望ましく、その態様は全面堆積に続いて
行なうパターン形成工程であっても、また、予めシリコ
ン表面又はアルミニウム表面（その上にタングステンが
選択的に堆積する）をパターン化して露出した酸化膜等
の遮蔽膜へのタングステンの選択的堆積のいずれであっ
ても良い。
ウェーハを処理する工程においては、例えばタングステ
ン等の物質を気相成長法（ｃＶＤ）により、ウェーハ上
に堆積するのが望ましく、その態様は全面堆積に続いて
行なうパターン形成工程であっても、また、予めシリコ
ン表面又はアルミニウム表面（その上にタングステンが
選択的に堆積する）をパターン化して露出した酸化膜等
の遮蔽膜へのタングステンの選択的堆積のいずれであっ
ても良い。
いずれの場合においても、タングステン等の材料の堆積
物は、通常、ＣＶＤ蒸着器内のサセプタ（蒸着操作中半
導体ウェーハを静置するだめの基体または支持体）上に
蓄積するが、かかる堆積物は、サセプタの表面からはが
れて、蒸着器内のウェーハ上に付着するばかりか蒸着器
の容積を変える傾向にあり、また、特に、そのあとに行
なう堆積が選択的堆積である場合には、その堆積の化学
的環境を変動させる傾向にあるので、これを周期的に除
去しなければならない。
物は、通常、ＣＶＤ蒸着器内のサセプタ（蒸着操作中半
導体ウェーハを静置するだめの基体または支持体）上に
蓄積するが、かかる堆積物は、サセプタの表面からはが
れて、蒸着器内のウェーハ上に付着するばかりか蒸着器
の容積を変える傾向にあり、また、特に、そのあとに行
なう堆積が選択的堆積である場合には、その堆積の化学
的環境を変動させる傾向にあるので、これを周期的に除
去しなければならない。
従来、プラズマフッ素食刻（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓ
ｔｅｄｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）を用いてそのよう
な堆積物の除去が行なわれて来た。この方法は、フッ素
ガス源を真空蒸着器内に供給し、該ガスが流れている間
に該蒸着器内でプラズマを点火するものであり、蒸着し
ている間、プラズマはそれを通して蒸着器内にガスを供
給するところのフェースプレートを高周波源に接続する
ことによって点火される。ＣＶＤ蒸着中にウェーハがそ
の上で正常に静止している基体又はサセプタは、接地し
ている。生成したフッ素化学種は、タングステンやケイ
素化タングステン等の堆積物と反応し、その反応生成物
は、減圧排気手段により蒸着器から除去される。
ｔｅｄｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）を用いてそのよう
な堆積物の除去が行なわれて来た。この方法は、フッ素
ガス源を真空蒸着器内に供給し、該ガスが流れている間
に該蒸着器内でプラズマを点火するものであり、蒸着し
ている間、プラズマはそれを通して蒸着器内にガスを供
給するところのフェースプレートを高周波源に接続する
ことによって点火される。ＣＶＤ蒸着中にウェーハがそ
の上で正常に静止している基体又はサセプタは、接地し
ている。生成したフッ素化学種は、タングステンやケイ
素化タングステン等の堆積物と反応し、その反応生成物
は、減圧排気手段により蒸着器から除去される。
この方法は、真空蒸着器内のサセプタからタングステン
やその他の堆積物を充分に除去し得るものであるが、該
洗浄操作は、引き続きフッ素残渣を該真空蒸着器内に残
し、これが、例えば、その後にその中で続けて行なうタ
ングステン堆積を阻害するのである。もし、このタング
ステン堆積の態様が全面堆積である場合には、あそらく
フッ素残渣がタングステン蒸着を抑制するためであろう
が、それによって得られたタングステン膜の厚さが不均
一になる。また、もし、このタングステン蒸着の態様が
選択的蒸着である場合には、蒸着器内におけるフッ素残
渣の存在が、露出したシリコン表面またはアルミニウム
表面へのタングステンの堆積を抑制する。
やその他の堆積物を充分に除去し得るものであるが、該
洗浄操作は、引き続きフッ素残渣を該真空蒸着器内に残
し、これが、例えば、その後にその中で続けて行なうタ
ングステン堆積を阻害するのである。もし、このタング
ステン堆積の態様が全面堆積である場合には、あそらく
フッ素残渣がタングステン蒸着を抑制するためであろう
が、それによって得られたタングステン膜の厚さが不均
一になる。また、もし、このタングステン蒸着の態様が
選択的蒸着である場合には、蒸着器内におけるフッ素残
渣の存在が、露出したシリコン表面またはアルミニウム
表面へのタングステンの堆積を抑制する。
それ故、ＣＶＤタングステン堆積の如き蒸着を行なった
のち、真空蒸着器内のサセプタからタングステンやケイ
素化タングステン等の堆積物を除去するための方法であ
って、洗浄後、蒸着器内にフッ素残渣が残留しないよう
な、より進歩した方法の開発が望まれているのである。
のち、真空蒸着器内のサセプタからタングステンやケイ
素化タングステン等の堆積物を除去するための方法であ
って、洗浄後、蒸着器内にフッ素残渣が残留しないよう
な、より進歩した方法の開発が望まれているのである。
本発明の目的は蒸着器内のサセプタからタングステンや
ケイ素化タングステン等の堆積物を除去する方法であっ
て、サセプタの表面のそのような堆積物を除去するため
の第１回目の洗浄操作によってもなお残存するフッ素残
渣を第２回目の洗浄操作で除去するという点で、より進
歩した堆積物の除去方法を提供することにある。
ケイ素化タングステン等の堆積物を除去する方法であっ
て、サセプタの表面のそのような堆積物を除去するため
の第１回目の洗浄操作によってもなお残存するフッ素残
渣を第２回目の洗浄操作で除去するという点で、より進
歩した堆積物の除去方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、蒸着器内のサセプタからタ
ングステンやケイ素化タングステン等の堆積物を除去す
る方法であって、サセプタの表面のそのような堆積物を
除去するための第１回目の洗浄操作によってもなお残存
するフッ素残渣を第２回目の洗浄操作で除去する場合に
、第２回目の洗浄操作を、プラズマ食刻（ｐＩａｓｍａ
−ａｓｓｉｓｔｅｄｅｔｃｈ）を用いて、フッ素残渣を
水素ガス源と接触させることによって行なう点で、より
進歩した堆積物の除去方法を提供することにある。
ングステンやケイ素化タングステン等の堆積物を除去す
る方法であって、サセプタの表面のそのような堆積物を
除去するための第１回目の洗浄操作によってもなお残存
するフッ素残渣を第２回目の洗浄操作で除去する場合に
、第２回目の洗浄操作を、プラズマ食刻（ｐＩａｓｍａ
−ａｓｓｉｓｔｅｄｅｔｃｈ）を用いて、フッ素残渣を
水素ガス源と接触させることによって行なう点で、より
進歩した堆積物の除去方法を提供することにある。
更に、本発明のもう一つの目的は、タングステンやケイ
素化タングステン等の堆積物を除去するための第１回目
の洗浄操作において、プラズマフッ素食刻（ｐｌａｓｍ
ａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）
を行ない、該洗浄後もなお残存するフッ素残渣を除去す
るため、第２回目の洗浄操作において、プラズマ水素食
刻（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｈｙｄｒｏｇｅ
ｎ ｅｔｃｈ）を行なうことを含んで成る、真空蒸着器
からタングステンやケイ素化タングステン等の堆積物を
除去するためのより進歩した方法を提供することにある
。
素化タングステン等の堆積物を除去するための第１回目
の洗浄操作において、プラズマフッ素食刻（ｐｌａｓｍ
ａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）
を行ない、該洗浄後もなお残存するフッ素残渣を除去す
るため、第２回目の洗浄操作において、プラズマ水素食
刻（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｈｙｄｒｏｇｅ
ｎ ｅｔｃｈ）を行なうことを含んで成る、真空蒸着器
からタングステンやケイ素化タングステン等の堆積物を
除去するためのより進歩した方法を提供することにある
。
本発明のこれら及び他の目的は以下の説明から明らかと
なろう。
なろう。
本発明によれば、ＣＶＤ法で半導体ウェーハ上にタング
ステンやケイ素化タングステン等を堆積した際に残存す
るタングステンやケイ素化タングステン等の堆積物は、
フッ素残渣を残留させることなく、次のようにして、真
空蒸着器内のサセプタから除去される。即ち、まず最初
に真空蒸着器内にフッ素ガス源を流入させ、該フッ素ガ
ス源が流れている間、該蒸着器内でプラズマを点火して
堆積物を除去し、次に、該真空蒸着器内に水素ガス源を
流入させ、該水素ガス源が蒸着器内に流れている間、プ
ラズマを点火し続けて、該蒸着器内に残存している全て
のフッ素残渣を除去するものである。以下に本発明の方
法のフローシートを示す。
ステンやケイ素化タングステン等を堆積した際に残存す
るタングステンやケイ素化タングステン等の堆積物は、
フッ素残渣を残留させることなく、次のようにして、真
空蒸着器内のサセプタから除去される。即ち、まず最初
に真空蒸着器内にフッ素ガス源を流入させ、該フッ素ガ
ス源が流れている間、該蒸着器内でプラズマを点火して
堆積物を除去し、次に、該真空蒸着器内に水素ガス源を
流入させ、該水素ガス源が蒸着器内に流れている間、プ
ラズマを点火し続けて、該蒸着器内に残存している全て
のフッ素残渣を除去するものである。以下に本発明の方
法のフローシートを示す。
気相成長法（ｃＶＤ）による半導体ウェーハ上への堆積
に使用した結果、蒸着器のサセプタ表面に堆積したタン
グステンやケイ素タングステン等の堆積物は、蒸着器内
の圧力を約０．２〜約１Ｔｏｒｒの範囲内に維持し、温
度を約１５０〜約５２５℃の範囲内（全面堆積を行なう
場合は約４５０〜約４７５℃の範囲内が好ましく、選択
的堆積を行なう場合は、約２５０〜約４００℃の範囲内
が好ましい）に維持して、まず、約２０〜約２００標準
立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）の範囲内の流速で
、フッ素ガス源を真空蒸着器に流すことによって除去さ
れる。
に使用した結果、蒸着器のサセプタ表面に堆積したタン
グステンやケイ素タングステン等の堆積物は、蒸着器内
の圧力を約０．２〜約１Ｔｏｒｒの範囲内に維持し、温
度を約１５０〜約５２５℃の範囲内（全面堆積を行なう
場合は約４５０〜約４７５℃の範囲内が好ましく、選択
的堆積を行なう場合は、約２５０〜約４００℃の範囲内
が好ましい）に維持して、まず、約２０〜約２００標準
立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）の範囲内の流速で
、フッ素ガス源を真空蒸着器に流すことによって除去さ
れる。
このフッ素ガス源は、フッ素ラジカルを生成して、該フ
ッ素ラジカルと堆積物との反応を引き起こすことができ
る１種または２種以上のフッ素含有ガスを含んでいても
良い。そのようなフッ素含有ガスの例としては、ＳＦｓ
、ＣＦ４ 、Ｃ２Ｆｇ及びＮ Ｆ ３が挙げられる。
ッ素ラジカルと堆積物との反応を引き起こすことができ
る１種または２種以上のフッ素含有ガスを含んでいても
良い。そのようなフッ素含有ガスの例としては、ＳＦｓ
、ＣＦ４ 、Ｃ２Ｆｇ及びＮ Ｆ ３が挙げられる。
フッ素ガス源は、更に約２００ｓｃｃｍ以下の流速のア
ルゴン、ネオン又はヘリウム等の不活性又は非反応性ガ
スを含んでも良い。そのような不活性ガスをフッ素ガス
源に混合した場合、蒸着器へ流れるガスの総流量は、混
合ガス中の各成分ガスの流量の和である。つまり、蒸着
器内に流入するフッ素含をガスの量は、混合ガス中の不
活性ガスの存在によって減少してはならない。
ルゴン、ネオン又はヘリウム等の不活性又は非反応性ガ
スを含んでも良い。そのような不活性ガスをフッ素ガス
源に混合した場合、蒸着器へ流れるガスの総流量は、混
合ガス中の各成分ガスの流量の和である。つまり、蒸着
器内に流入するフッ素含をガスの量は、混合ガス中の不
活性ガスの存在によって減少してはならない。
フッ素ガス源が真空蒸着器内に流れている間、該真空蒸
着器内においてプラズマを点火する。この点火は該真空
蒸着器内の２つの電極間に接続した高周波源に電圧を加
えることによって行なわれ、この２つの電極は、約５．
０８〜約２５．５ｍｍ（約２００〜約１０００ｍ１ｌｓ
）の範囲内の間隔で配置できる。この２つの電極は、通
常はそれぞれ接地した基体又はサセプタと、フッ素ガス
源がそれを通って真空蒸着器内に噴射されるところのフ
ェースプレートやいわゆるシャワーヘッドを備えており
、それらは直接、高周波源に接続している。
着器内においてプラズマを点火する。この点火は該真空
蒸着器内の２つの電極間に接続した高周波源に電圧を加
えることによって行なわれ、この２つの電極は、約５．
０８〜約２５．５ｍｍ（約２００〜約１０００ｍ１ｌｓ
）の範囲内の間隔で配置できる。この２つの電極は、通
常はそれぞれ接地した基体又はサセプタと、フッ素ガス
源がそれを通って真空蒸着器内に噴射されるところのフ
ェースプレートやいわゆるシャワーヘッドを備えており
、それらは直接、高周波源に接続している。
該真空蒸着器内でプラズマ発生を続けるのに必要な高周
波源の出力は、通常、約５０〜約４００Ｗの範囲内であ
るが、現実の出力量は、該真空蒸着器内のサセプタの大
きさに依存しており、そのサセプタは、更に、その前に
該真空蒸着器内で処理したウェーハの大きさに依存して
いる。
波源の出力は、通常、約５０〜約４００Ｗの範囲内であ
るが、現実の出力量は、該真空蒸着器内のサセプタの大
きさに依存しており、そのサセプタは、更に、その前に
該真空蒸着器内で処理したウェーハの大きさに依存して
いる。
プラズマフッ素食刻（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ
ｆｌｕｏｒｉｎｅｅｔｃｈ）を行なう時間は、出力レ
ベル及びフッ素ガス源の流速のほか、真空蒸着器内のタ
ングステン堆積物又は残留物の厚さに依存している。上
記した範囲内で、流速及び／又は出力レベルが高ければ
、高いほど、タングステン堆積物は、より速やかに除去
される。通常、所要時間はサセプタの表面の堆積物の厚
さ１ミクロンにつき、約３０秒から約２分の範囲内であ
る。
ｆｌｕｏｒｉｎｅｅｔｃｈ）を行なう時間は、出力レ
ベル及びフッ素ガス源の流速のほか、真空蒸着器内のタ
ングステン堆積物又は残留物の厚さに依存している。上
記した範囲内で、流速及び／又は出力レベルが高ければ
、高いほど、タングステン堆積物は、より速やかに除去
される。通常、所要時間はサセプタの表面の堆積物の厚
さ１ミクロンにつき、約３０秒から約２分の範囲内であ
る。
真空蒸着器内のサセプタから上記堆積物を除去したあと
、本発明の方法に従い、生成したフッ素残渣を除去しな
ければならない。これは、次の蒸着工程を汚れのない真
空蒸着器内で行なって、フッ素残渣による妨害を回避す
るためである。
、本発明の方法に従い、生成したフッ素残渣を除去しな
ければならない。これは、次の蒸着工程を汚れのない真
空蒸着器内で行なって、フッ素残渣による妨害を回避す
るためである。
該フッ素残渣は、真空蒸着器内でプラズマの流れを維持
しながら、該真空蒸着器内に水素ガス源を流すことによ
って除去される。水素ガス源は、約１００〜約５００ｓ
ｃｃｍの範囲内の流速で流さなければならず、その他の
条件は、フッ素食刻（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）の
場合と同条件、即ち、圧力を約０，２〜約１Ｔｏｒｒの
範囲内に、温度を約１５０〜約５２５℃の範囲内に維持
しなければならない。
しながら、該真空蒸着器内に水素ガス源を流すことによ
って除去される。水素ガス源は、約１００〜約５００ｓ
ｃｃｍの範囲内の流速で流さなければならず、その他の
条件は、フッ素食刻（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）の
場合と同条件、即ち、圧力を約０，２〜約１Ｔｏｒｒの
範囲内に、温度を約１５０〜約５２５℃の範囲内に維持
しなければならない。
好ましい温度は、フッ素食刻（ｆｌｕｏｒｉ口１ ｅｔ
ｃｈ）に関して説明した如く、サセプタ及び蒸着器の所
期の使用の態様に依存しており、夫々、約４５０〜約４
７５℃又は約２５０〜約４００℃の範囲内である。
ｃｈ）に関して説明した如く、サセプタ及び蒸着器の所
期の使用の態様に依存しており、夫々、約４５０〜約４
７５℃又は約２５０〜約４００℃の範囲内である。
第１回目の洗浄操作の場合と同様に、水素ガス源は、更
に、約２００ｓｃｃｍ以下の流速のアルゴン、ネオンま
たはヘリウム等の不活性又は非反応性ガスを任意に含ん
でも良く、その流速は第２回目の洗浄操作中に真空蒸着
器に流入するガスの総流量を計算するに際して、水素ガ
ス源の流速に加算される。
に、約２００ｓｃｃｍ以下の流速のアルゴン、ネオンま
たはヘリウム等の不活性又は非反応性ガスを任意に含ん
でも良く、その流速は第２回目の洗浄操作中に真空蒸着
器に流入するガスの総流量を計算するに際して、水素ガ
ス源の流速に加算される。
本操作で使用し得る水素含有ガスの例としては、水素（
Ｈ２）、水素化ホウ素（Ｂ２Ｈ１＋）、水素化リン（Ｐ
Ｈ，）及び炭素数１又は２の炭化水素等の有機水素源（
例えば、ＣＨ，及びＣｚＨｇ）があげられるが、Ｈ２を
使用するのが好ましい。洗浄後に行う堆積が全面タング
ステン堆積である場合には、シラン（ＳＩ８４）を水素
源として使用し得る。しかしながら、該後続のタングス
テン堆積が選択的堆積である場合には、シランを使用す
べきではない。
Ｈ２）、水素化ホウ素（Ｂ２Ｈ１＋）、水素化リン（Ｐ
Ｈ，）及び炭素数１又は２の炭化水素等の有機水素源（
例えば、ＣＨ，及びＣｚＨｇ）があげられるが、Ｈ２を
使用するのが好ましい。洗浄後に行う堆積が全面タング
ステン堆積である場合には、シラン（ＳＩ８４）を水素
源として使用し得る。しかしながら、該後続のタングス
テン堆積が選択的堆積である場合には、シランを使用す
べきではない。
というのは、シランは蒸着器内のケイ素残渣を生じ、そ
れは、全面タングステン堆積を妨害しないものの、例え
ば、酸化ケイ素マスク上への選択的タングステン堆積を
妨害することがあるからである。
れは、全面タングステン堆積を妨害しないものの、例え
ば、酸化ケイ素マスク上への選択的タングステン堆積を
妨害することがあるからである。
フッ素残渣と水素含有ガスの反応もプラズマによって促
進され、プラズマは水素ガス源が蒸着器内を流れている
間、該蒸着器内で点火され続ける。
進され、プラズマは水素ガス源が蒸着器内を流れている
間、該蒸着器内で点火され続ける。
フッ素食刻（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）の場合と同
様に、水素含有ガスが蒸着器内を流れている間のプラズ
マの出力レベルは、約５０〜約４００Ｗの範囲内に維持
され、蒸着器内における電極間の間隔は約５．０８〜約
２５．４ｍｍ（約２００〜約１０００ｍ１ｌｓ）の範囲
内に維持される。
様に、水素含有ガスが蒸着器内を流れている間のプラズ
マの出力レベルは、約５０〜約４００Ｗの範囲内に維持
され、蒸着器内における電極間の間隔は約５．０８〜約
２５．４ｍｍ（約２００〜約１０００ｍ１ｌｓ）の範囲
内に維持される。
プラズマ水素食刻（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ
ｈｙｄｒｏｇｅｎｅｔｃｈ）は、蒸着器内のフッ素残渣
を除去するのに約２０秒から約５分の時間を要する。よ
り長い時間をかけても良いが、通常、不必要であり、そ
の上、経済的に無駄である。全てのフッ素残渣を除去す
るのに要する実際の時間も、プラズマの出力及び蒸着器
内を通る水素ガス源の流速に依存する。
ｈｙｄｒｏｇｅｎｅｔｃｈ）は、蒸着器内のフッ素残渣
を除去するのに約２０秒から約５分の時間を要する。よ
り長い時間をかけても良いが、通常、不必要であり、そ
の上、経済的に無駄である。全てのフッ素残渣を除去す
るのに要する実際の時間も、プラズマの出力及び蒸着器
内を通る水素ガス源の流速に依存する。
プラズマ水素食刻（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ
ｈｙ＋ｊｒｏｇｅｎｅｔｃｈ）を行なった時間が全ての
フッ素残渣を除去するのに充分であったか否かは、経験
的に確認できるが、必要ならば、例えば、洗浄後に半導
体ウェーハを全面堆積し、得られたタングステン膜の均
一性を試験することにより確認することができる。もし
、タングステン膜の厚さがウェーハの約１％以上変動し
ていないならば、フッ素残渣は全て除去されていたこと
になる。一方、少しでもフッ素残渣が蒸着器内に残って
いれば、タングステン膜の厚さは、ウェーハ表面の３〜
４％はど変動するであろう。
ｈｙ＋ｊｒｏｇｅｎｅｔｃｈ）を行なった時間が全ての
フッ素残渣を除去するのに充分であったか否かは、経験
的に確認できるが、必要ならば、例えば、洗浄後に半導
体ウェーハを全面堆積し、得られたタングステン膜の均
一性を試験することにより確認することができる。もし
、タングステン膜の厚さがウェーハの約１％以上変動し
ていないならば、フッ素残渣は全て除去されていたこと
になる。一方、少しでもフッ素残渣が蒸着器内に残って
いれば、タングステン膜の厚さは、ウェーハ表面の３〜
４％はど変動するであろう。
好ましい実施態様においては、第１回目の洗浄操作のあ
と、フッ素ガス源の流れを停止、換言すれば、ガスを遮
断し、プラズマも消す。これは、水素ガス源を徐々に流
しながら、フッ素ガス源の停止を徐々に行うことによっ
て、この２種の洗浄操作を同時に行った場合に起こるお
それのある、フッ素ガス源と水素ガス源との間の望まし
からざる反応を避けるためである。蒸着器内への水素ガ
ス源の流入の開始後、プラズマは再点火され、第２回目
の洗浄操作の間、点火し続ける。
と、フッ素ガス源の流れを停止、換言すれば、ガスを遮
断し、プラズマも消す。これは、水素ガス源を徐々に流
しながら、フッ素ガス源の停止を徐々に行うことによっ
て、この２種の洗浄操作を同時に行った場合に起こるお
それのある、フッ素ガス源と水素ガス源との間の望まし
からざる反応を避けるためである。蒸着器内への水素ガ
ス源の流入の開始後、プラズマは再点火され、第２回目
の洗浄操作の間、点火し続ける。
以下に実施例を示して、本発明の洗浄法について更に詳
しく説明する。
しく説明する。
半導体ウェーハへのタングステン蒸着に使用し、その結
果、そのサセプタの表面に平均約１ミクロンの厚さのＣ
ＶＤタングステン堆積物が堆積した真空蒸着器を、まず
、１００ｓｃｃｍの流速でＮ Ｆ ３を流して洗浄した
。その際の該蒸着器内の圧力をＱ、 ７５Ｔｏｒｒに維
持し、ガス温度を４５０℃に維持した。ＮＦ３を流して
いる間、プラズマを該蒸着器内で、２００Ｗの出力レベ
ルで点火し、接地したサセプタ又は基体とフェースプレ
ートとを１２、７ ｍｍ （５００ｍ１ｌｓ）の間隔で
配置した。なお、このフェースプレートは高周波出力源
に接続した電極として機能した。プラズマフッ素食刻（
ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ
ｅｔｃｈ）は２分間行ない、そのあと、ＮＦ３の流れを
遮断し、プラズマも消した。
果、そのサセプタの表面に平均約１ミクロンの厚さのＣ
ＶＤタングステン堆積物が堆積した真空蒸着器を、まず
、１００ｓｃｃｍの流速でＮ Ｆ ３を流して洗浄した
。その際の該蒸着器内の圧力をＱ、 ７５Ｔｏｒｒに維
持し、ガス温度を４５０℃に維持した。ＮＦ３を流して
いる間、プラズマを該蒸着器内で、２００Ｗの出力レベ
ルで点火し、接地したサセプタ又は基体とフェースプレ
ートとを１２、７ ｍｍ （５００ｍ１ｌｓ）の間隔で
配置した。なお、このフェースプレートは高周波出力源
に接続した電極として機能した。プラズマフッ素食刻（
ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ
ｅｔｃｈ）は２分間行ない、そのあと、ＮＦ３の流れを
遮断し、プラズマも消した。
フッ素食刻（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅｔｃｈ）に続き、蒸
着器内の圧力を０．７５Ｔｏｒｒ、温度を４５０℃に維
持したまま、２００ｓｃｃｍの流速で、該蒸着内に水素
（Ｈ２）を流した。蒸着器内に水素を流している間、基
体とフェースプレートの間に出力レベル２００Ｗでプラ
ズマを再点火した。プラズマ水素食刻（ｐｌａｓ＋ｎａ
−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｅｔｃｈ）
は、３０秒間行なった。
着器内の圧力を０．７５Ｔｏｒｒ、温度を４５０℃に維
持したまま、２００ｓｃｃｍの流速で、該蒸着内に水素
（Ｈ２）を流した。蒸着器内に水素を流している間、基
体とフェースプレートの間に出力レベル２００Ｗでプラ
ズマを再点火した。プラズマ水素食刻（ｐｌａｓ＋ｎａ
−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｅｔｃｈ）
は、３０秒間行なった。
次に、本発明の洗浄法の効果をテストするため、洗浄し
たサセプタ上に半導体ウェーハを載せ、該ウェーハにＣ
ＶＤ法によりタングステンを全面堆積して、膜を形成し
た。堆積終了後、ウェーハを蒸着器からとりだし、タン
グステン膜の均一性を試験した結果、厚さの変動は１％
より小さいことが判った。
たサセプタ上に半導体ウェーハを載せ、該ウェーハにＣ
ＶＤ法によりタングステンを全面堆積して、膜を形成し
た。堆積終了後、ウェーハを蒸着器からとりだし、タン
グステン膜の均一性を試験した結果、厚さの変動は１％
より小さいことが判った。
このように、本発明は、まず、プラズマフッ素食刻（ｐ
ｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅ
ｔｃｈ）で、タングステンやケイ素化タングステン等の
堆積物を除去し、次いで、プラズマ水素食刻（ｐｌａｓ
ｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄｈｙｄｒｏｇｅｎ ｅｔｃｈ）
でフッ素残渣を除去することにより、望ましくないフッ
素残渣を残存させることなく、ＣＶＤ蒸着器内のサセプ
タの表面からかかる堆積物を除去するためのより進歩し
た方法を提供するものである。
ｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｅ
ｔｃｈ）で、タングステンやケイ素化タングステン等の
堆積物を除去し、次いで、プラズマ水素食刻（ｐｌａｓ
ｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄｈｙｄｒｏｇｅｎ ｅｔｃｈ）
でフッ素残渣を除去することにより、望ましくないフッ
素残渣を残存させることなく、ＣＶＤ蒸着器内のサセプ
タの表面からかかる堆積物を除去するためのより進歩し
た方法を提供するものである。
Claims (10)
- （１）（ａ）真空蒸着器内にフッ素ガス源を流し、（ｂ
）前記フッ素ガス源が前記真空蒸着器内を流れている間
、前記真空蒸着器内でプラズマを点火し、 （ｃ）そのあと前記真空蒸着器内に水素ガス源を流し、
そして、 （ｄ）前記水素ガス源が前記真空蒸着器内に流れている
間、前記真空蒸着器内でプラズマを点火し続けること、 を特徴とする、真空蒸着器内のサセプタから堆積物を除
去する方法。 - （２）前記真空蒸着器内への前記水素ガス源の前記流入
の開始前に、前記真空蒸着器内の前記フッ素ガス源の流
入を停止し、前記プラズマも消し、しかるのち、前記真
空蒸着器内に前記水素ガス源の前記流入を開始するとき
に前記プラズマを再点火することを特徴とする、請求項
（１）記載の方法。 - （３）前記フッ素ガス源が前記蒸着器内に約２０〜約２
００ｓｃｃｍの範囲内の流速で、流入することを特徴と
する、請求項（２）記載の方法。 - （４）前記フッ素ガス源が前記真空蒸着器内を流れる場
合に、前記プラズマの出力の変動が約５０〜約４００Ｗ
の範囲内であることを特徴とする、請求項（３）記載の
方法。 - （５）前記水素ガス源が前記真空蒸着器内を約１００〜
約５００ｓｃｃｍの範囲内の流速で流れることを特徴と
する、請求項（２）記載の方法。 - （６）前記水素ガス源が前記真空蒸着器内を流れる場合
に、前記プラズマの出力の変動が約５０〜約４００Ｗの
範囲内であることを特徴とする、請求項（５）記載の方
法。 - （７）前記洗浄操作中、前記真空蒸着器の圧力を約０．
２〜約１Ｔｏｒｒの範囲内に維持することを特徴とする
、請求項（２）記載の方法。 - （８）前記洗浄操作中、前記サセプタの温度を約１５０
〜約５２５℃の範囲内に維持することを特徴とする、請
求項（２）記載の方法。 - （９）洗浄操作中、圧力を約０．２〜約１Ｔｏｒｒの範
囲内に維持した真空蒸着器内のサセプタから、堆積物を
除去する方法であって、 （ａ）前記洗浄操作中、前記サセプタを加熱してその温
度を約１５０〜約５２５℃の範囲内に維持し、 （ｂ）前記真空蒸着器内に、約２０〜約２００ｓｃｃｍ
の範囲内の流速でフッ素ガス源を流し、（ｃ）前記フッ
素ガス源が前記真空蒸着器内を流れている間、前記真空
蒸着器内で約５０〜約４００Ｗの範囲内の出力レベルの
プラズマを点火し、 （ｄ）前記真空蒸着器内への前記フッ素ガス源の流れを
停止し、前記プラズマも消し、 （ｅ）そののち、前記真空蒸着器内に約１００〜約５０
０ｓｃｃｍの範囲内の流速で水素ガス源を流し、そして
、 （ｆ）前記水素ガス源が前記真空蒸着器内を流れている
間、前記真空蒸着器内において、約 ５０〜約４００Ｗの範囲内の出力レベルのプラズマを点
火すること、 を特徴とする方法。 - （１０）前記水素ガス源が、Ｈ＿２、Ｂ＿２Ｈ＿６、Ｐ
Ｈ＿３及び炭素数１〜２の炭化水素からなる群から選ば
れた化合物であることを特徴とする、請求項（９）記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39868989A | 1989-08-25 | 1989-08-25 | |
| US398689 | 1989-08-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120368A true JPH03120368A (ja) | 1991-05-22 |
| JP3004696B2 JP3004696B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=23576392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2218867A Expired - Lifetime JP3004696B2 (ja) | 1989-08-25 | 1990-08-20 | 化学的蒸着装置の洗浄方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0418592B1 (ja) |
| JP (1) | JP3004696B2 (ja) |
| KR (1) | KR0181728B1 (ja) |
| DE (1) | DE69029075T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153739A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-06-16 | Air Prod And Chem Inc | 半導体材料のプラズマ除去法 |
| JP2006026809A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Asahi Diamond Industrial Co Ltd | 切断用超砥粒工具 |
| JP2013110152A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Panasonic Corp | 半導体発光装置の製造方法およびプラズマを利用したクリーニング方法 |
| CN115394637A (zh) * | 2022-10-27 | 2022-11-25 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1069610A2 (en) * | 1990-01-08 | 2001-01-17 | Lsi Logic Corporation | Refractory metal deposition process for low contact resistivity to silicon and corresponding apparatus |
| FR2695410B1 (fr) * | 1992-09-04 | 1994-11-18 | France Telecom | Procédé de prétraitement d'un substrat pour le dépôt sélectif de tungstène. |
| TW241375B (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-21 | Air Prod & Chem | |
| JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
| US5714011A (en) * | 1995-02-17 | 1998-02-03 | Air Products And Chemicals Inc. | Diluted nitrogen trifluoride thermal cleaning process |
| US6090705A (en) * | 1998-01-20 | 2000-07-18 | Tokyo Electron Limited | Method of eliminating edge effect in chemical vapor deposition of a metal |
| DE10029523A1 (de) * | 2000-06-21 | 2002-01-10 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen eines PVD- oder CVD-Reaktors sowie von Abgasleitungen desselben |
| US7097716B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect |
| WO2016093431A1 (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 주식회사 티씨케이 | 서셉터 재생방법 |
| CN105702561B (zh) | 2014-12-12 | 2018-09-18 | 韩国东海炭素株式会社 | 半导体处理组件再生方法 |
| US10622214B2 (en) * | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
| KR102424993B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2022-07-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
| CN115637418A (zh) * | 2022-10-12 | 2023-01-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 形成涂层的方法、涂覆装置、零部件及等离子体反应装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127122A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS61143585A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2618445B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1997-06-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド | 反応器チャンバー自己清掃方法 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2218867A patent/JP3004696B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-24 KR KR1019900013074A patent/KR0181728B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-08-24 EP EP90116276A patent/EP0418592B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-24 DE DE69029075T patent/DE69029075T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127122A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS61143585A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153739A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-06-16 | Air Prod And Chem Inc | 半導体材料のプラズマ除去法 |
| JP2006026809A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Asahi Diamond Industrial Co Ltd | 切断用超砥粒工具 |
| JP2013110152A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Panasonic Corp | 半導体発光装置の製造方法およびプラズマを利用したクリーニング方法 |
| CN115394637A (zh) * | 2022-10-27 | 2022-11-25 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910005405A (ko) | 1991-03-30 |
| DE69029075D1 (de) | 1996-12-12 |
| EP0418592A1 (en) | 1991-03-27 |
| JP3004696B2 (ja) | 2000-01-31 |
| EP0418592B1 (en) | 1996-11-06 |
| KR0181728B1 (ko) | 1999-04-15 |
| DE69029075T2 (de) | 1997-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5207836A (en) | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus | |
| US6880561B2 (en) | Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber | |
| KR102158307B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스 | |
| KR100855597B1 (ko) | 육불화황 원격 플라즈마 소스 세정 | |
| JPH03120368A (ja) | 化学的蒸着装置の洗浄方法 | |
| TWI254363B (en) | Chamber cleaning method | |
| KR20040021533A (ko) | 반도체 기판에 막을 형성하는 방법 | |
| WO2006049954A2 (en) | Methods for protecting silicon or silicon carbide electrode surfaces from morphological modification during plasma etch processing | |
| US20060254613A1 (en) | Method and process for reactive gas cleaning of tool parts | |
| JPH07100865B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 | |
| JP2837087B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| KR20010104260A (ko) | 화학 증착챔버 내부의 오염물을 제거하기 위한 가스 반응 | |
| JPH07201738A (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
| US20040007248A1 (en) | Method for improving reliability of reaction apparatus | |
| JP3820212B2 (ja) | Ｃｖｄチャンバクリーニング後にｃｖｄチャンバをコンディショニングする方法 | |
| US20060054183A1 (en) | Method to reduce plasma damage during cleaning of semiconductor wafer processing chamber | |
| JP3507614B2 (ja) | 薄膜成膜装置 | |
| KR20010106232A (ko) | 화학 증착 공정의 개선 방법 | |
| US6467490B1 (en) | Process for using a high nitrogen concentration plasma for fluorine removal from a reactor | |
| KR20010104261A (ko) | 화학 증착을 개선하기 위한 챔버의 조절 | |
| JPH07201847A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0855838A (ja) | 微細加工装置のクリーニング方法 | |
| JPH10147877A (ja) | ガスクリーニング方法 | |
| CN107810289B (zh) | 用于蚀刻和腔室清洗的方法以及用于该方法的气体 | |
| TW202313218A (zh) | 一種晶圓清洗裝置及使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |