JPH03105916A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03105916A JPH03105916A JP24421389A JP24421389A JPH03105916A JP H03105916 A JPH03105916 A JP H03105916A JP 24421389 A JP24421389 A JP 24421389A JP 24421389 A JP24421389 A JP 24421389A JP H03105916 A JPH03105916 A JP H03105916A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置の製造方法において、シリコン層の表
面又はシリサイド層の表面を窒化する方法として、窒素
（Ｎ２）あるいはアンモニア（ＮＨ３ ）中で１０００
℃以上の高温で熱処理する方法や、Ｎ２，ＮＨ３ガスの
プラズマで窒化する方法が行われてきた。
面又はシリサイド層の表面を窒化する方法として、窒素
（Ｎ２）あるいはアンモニア（ＮＨ３ ）中で１０００
℃以上の高温で熱処理する方法や、Ｎ２，ＮＨ３ガスの
プラズマで窒化する方法が行われてきた。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、シリコン層の
表面あるいはシリザイド層の表面の窒化法は、窒化処理
の前に、フッ酸（ＨＦ）溶液中でシリコン層表面あるい
はシリサイド層表面に形成された自然形成の酸化シリコ
ン膜を除去しウェーハを乾燥した後に行っていた。しが
しながら、従来の方法では、フッ酸（ＨＦ）処理後の自
然酸化膜の形戊は避け難くシリコン層表面に均一で安定
な窒化シリコン膜を形成することが非常に困難であると
いう欠点がある。
表面あるいはシリザイド層の表面の窒化法は、窒化処理
の前に、フッ酸（ＨＦ）溶液中でシリコン層表面あるい
はシリサイド層表面に形成された自然形成の酸化シリコ
ン膜を除去しウェーハを乾燥した後に行っていた。しが
しながら、従来の方法では、フッ酸（ＨＦ）処理後の自
然酸化膜の形戊は避け難くシリコン層表面に均一で安定
な窒化シリコン膜を形成することが非常に困難であると
いう欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン層又はシリ
サイド層の表面に設けた絶縁膜を選択的にエッチングし
て開孔部を設ける工程と、前記開孔部に露出した前記シ
リコン層又はシリサイド層の表面をハロゲン系化合物で
処理して前記シリコン層又はシリサイド層の表面に存在
するシリコン原子の結合手をハロゲン又はハロゲン化合
物で終端させる工程と、前記シリコン層又はシリサイド
層の表面を窒化処理して前記シリコン層又はシリサイド
層表面のハロゲン又はハロゲン化合物を窒素と置換して
前記シリコン層又はシリサイド層の表面に窒化シリコン
膜を形成する工程とを含んで構或される。
サイド層の表面に設けた絶縁膜を選択的にエッチングし
て開孔部を設ける工程と、前記開孔部に露出した前記シ
リコン層又はシリサイド層の表面をハロゲン系化合物で
処理して前記シリコン層又はシリサイド層の表面に存在
するシリコン原子の結合手をハロゲン又はハロゲン化合
物で終端させる工程と、前記シリコン層又はシリサイド
層の表面を窒化処理して前記シリコン層又はシリサイド
層表面のハロゲン又はハロゲン化合物を窒素と置換して
前記シリコン層又はシリサイド層の表面に窒化シリコン
膜を形成する工程とを含んで構或される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施例を説明
するための工程順に示した半導体チップの断面図である
。
するための工程順に示した半導体チップの断面図である
。
第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１の上にリン
・珪酸ガラスＭ（以下ＰＳＧ膜と記す）を０．５μｍの
厚さに堆積した後、ボジ型フォトレジスト膜３を塗布し
て写真蝕刻法によりコンタクト孔形成用の１μｍＸ１μ
ｍのパターンを設け、次に、フォトレジスト膜３をマス
クとしてＰＳＧ膜２をＣＦ４／Ｈ２ガスを用いたドライ
エッチング法で除去し、開孔部４を形成する。
・珪酸ガラスＭ（以下ＰＳＧ膜と記す）を０．５μｍの
厚さに堆積した後、ボジ型フォトレジスト膜３を塗布し
て写真蝕刻法によりコンタクト孔形成用の１μｍＸ１μ
ｍのパターンを設け、次に、フォトレジスト膜３をマス
クとしてＰＳＧ膜２をＣＦ４／Ｈ２ガスを用いたドライ
エッチング法で除去し、開孔部４を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜３
を除去し、開孔部４内に露出したシリコン基板１の表面
を温度３ ０ ’Ｃの大気圧下のフフ化水素（ＨＦ）ガ
ス中で３０秒間処理する。このとき、開孔部４内に露出
したシリコン基板１の表面は、フッ素（Ｆ）と結合し、
０．５ｎｍ程度の厚さのＳｉＦｘ層５が形成される。
を除去し、開孔部４内に露出したシリコン基板１の表面
を温度３ ０ ’Ｃの大気圧下のフフ化水素（ＨＦ）ガ
ス中で３０秒間処理する。このとき、開孔部４内に露出
したシリコン基板１の表面は、フッ素（Ｆ）と結合し、
０．５ｎｍ程度の厚さのＳｉＦｘ層５が形成される。
次に、第１図（ｃ）に示すように、アンモニア（ＮＨ３
）ガスのプラズマ中で６００℃の温度で窒化処理を行う
。６００゜Ｃ程度の温度でＦはシリコン基板１の表面よ
り解離し、Ｆの抜けたシリコン基板１の表面は、容易に
プラズマ励起された窒素をとらえ、シリコン基板１の表
面に０． ５ｎｍの厚さの均一な窒化シリコン膜６が形
成される。
）ガスのプラズマ中で６００℃の温度で窒化処理を行う
。６００゜Ｃ程度の温度でＦはシリコン基板１の表面よ
り解離し、Ｆの抜けたシリコン基板１の表面は、容易に
プラズマ励起された窒素をとらえ、シリコン基板１の表
面に０． ５ｎｍの厚さの均一な窒化シリコン膜６が形
成される。
次に、第１図（ｄ）に示すように、８５０℃のＨ２−０
２中でＰＳＧ膜２をリフローして開孔部の鋭角な上端部
を平滑化する。このとき、開孔部４のシリコン基板１の
表面は、窒化シリコン膜６で保護されているのでＰＳＧ
膜２を平滑化するための８ ５ ０ ’Ｃの８２−０２
処理で酸化されることがない。
２中でＰＳＧ膜２をリフローして開孔部の鋭角な上端部
を平滑化する。このとき、開孔部４のシリコン基板１の
表面は、窒化シリコン膜６で保護されているのでＰＳＧ
膜２を平滑化するための８ ５ ０ ’Ｃの８２−０２
処理で酸化されることがない。
次に、第１図（ｅ）に示すように、ＣＦ４／Ｈ２のドラ
イエッチングで、窒化シリコン膜６を除去する。
イエッチングで、窒化シリコン膜６を除去する。
次に、第１図（ｆ）に示すように開孔部４を含む表面に
アルミニム膜７をスバッタ法により堆積してシリコン基
板１と接続する電極を形戒する。
アルミニム膜７をスバッタ法により堆積してシリコン基
板１と接続する電極を形戒する。
ここで、開孔部４のシリコン基板１の表面に存在するシ
リコン原子の結合手をＦの代りにＣ｛等のハロゲンある
いはＮＦ２やＢＦ等のハロケン化物で終端させても良い
。又窒化処理はプラズマ励起法の代りに熱的励起法又は
光励起法を用いてもよい。また、シリコン層の代りにシ
リサイド層を用いても良い。
リコン原子の結合手をＦの代りにＣ｛等のハロゲンある
いはＮＦ２やＢＦ等のハロケン化物で終端させても良い
。又窒化処理はプラズマ励起法の代りに熱的励起法又は
光励起法を用いてもよい。また、シリコン層の代りにシ
リサイド層を用いても良い。
第２図は、本発明の第２の実施例の断面図である。
この実施例では、多結晶シリコン層と硅化モリブデン層
からなるゲート電極を有するｎチャネルＭＯＳ｝−ラン
ジスタに本発明を適用した場合である。
からなるゲート電極を有するｎチャネルＭＯＳ｝−ラン
ジスタに本発明を適用した場合である。
第２図に示すように、ゲート電極を構戒する多結晶シリ
コン層１３と硅化モリブデン層１４の膜厚は各々０，２
μｍである。このトランジスタのゲート酸化膜１２は膜
厚が２０ｎｍあり、ソース・トレイン用のｎ＋型拡散層
１５は、比抵抗１Ω・ｃｍのｐ型シリコン基板１１中に
ヒ素イオンを加速エネルギー５０ｋ ｅ Ｖ ，ドーズ
量１×１ （） １６ｃｍ−２でイオン注入して形成さ
れている。
コン層１３と硅化モリブデン層１４の膜厚は各々０，２
μｍである。このトランジスタのゲート酸化膜１２は膜
厚が２０ｎｍあり、ソース・トレイン用のｎ＋型拡散層
１５は、比抵抗１Ω・ｃｍのｐ型シリコン基板１１中に
ヒ素イオンを加速エネルギー５０ｋ ｅ Ｖ ，ドーズ
量１×１ （） １６ｃｍ−２でイオン注入して形成さ
れている。
ゲート電極を含む表面に堆積した膜厚０、５μｍのＰＳ
Ｇ膜１つにコンタクト用の開孔部１６を設けた後、第１
図（ｂ）〜（ｃ）に示した第１の実施例と同様の工程で
開札部１６に露出した硅化モリブデン層１４の表面を４
０ ０ ’Ｃで窒化する。次に、窒化処理後、膜厚１
μｍのアルミニウム電極配線工８を選択的に設けてゲー
ト電極と接続する。
Ｇ膜１つにコンタクト用の開孔部１６を設けた後、第１
図（ｂ）〜（ｃ）に示した第１の実施例と同様の工程で
開札部１６に露出した硅化モリブデン層１４の表面を４
０ ０ ’Ｃで窒化する。次に、窒化処理後、膜厚１
μｍのアルミニウム電極配線工８を選択的に設けてゲー
ト電極と接続する。
サイド層表面に均一で１．ｎｍ以下の厚さの極めて薄い
シリサイドの窒化物膜を形成した場合、このシリサイド
の窒化物膜はバリア特性が高く、アルミニウム電極配線
とシリサイド層のコンタクト部でシリコンの析出による
コンタクト抵抗の増大を防ぐ効果もある。
シリサイドの窒化物膜を形成した場合、このシリサイド
の窒化物膜はバリア特性が高く、アルミニウム電極配線
とシリサイド層のコンタクト部でシリコンの析出による
コンタクト抵抗の増大を防ぐ効果もある。
以上説明したように本発明は、シリコン層あるいはシリ
サイド層の表面に存在するシリコン原子の結合手をハロ
ゲンあるいはハロゲン化物で終端させた後、窒素と置換
することにより、自然酸化膜がシリコン層あるいはシリ
サイド層表面に形成されない状態で窒化処理を行なうの
で均一な窒化シリコン膜あるいは、シリサイドを形成す
る金属の窒化物と窒化シリコン物の混合膜が容易に得ら
れるという効果を有する。そのため、コンタクト用開孔
部のＨ２−０２処理でＰＳＧ膜を平滑化しても開孔部に
露出したシリコン層を酸化することなしに十分なりフロ
ーが可能である。また、シリ
サイド層の表面に存在するシリコン原子の結合手をハロ
ゲンあるいはハロゲン化物で終端させた後、窒素と置換
することにより、自然酸化膜がシリコン層あるいはシリ
サイド層表面に形成されない状態で窒化処理を行なうの
で均一な窒化シリコン膜あるいは、シリサイドを形成す
る金属の窒化物と窒化シリコン物の混合膜が容易に得ら
れるという効果を有する。そのため、コンタクト用開孔
部のＨ２−０２処理でＰＳＧ膜を平滑化しても開孔部に
露出したシリコン層を酸化することなしに十分なりフロ
ーが可能である。また、シリ
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チ・ンプの断面図、第２
図は本発明の第２の実施例の断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ＰＳＧＩ１ｇ、３・・
・フォトレジスト膜、４・・・開孔部、５・・・ＳｉＦ
ｘ層、６・・・窒化シリコン膜、７・・・アルミニウム
膜、１１・ Ｐ型シリコン基板、ｌ２・・・ゲート酸化
膜、１３・・・多結晶シリコン層、１４・・・硅化モリ
ブデン層、１５・・・Ｎ＋型拡散層、１６・・・開孔部
、１７・・・窒化された硅化モリブデン層、１８・・・
アルミニウム電極配線、ｌ９・・・ＰＳＧ膜。
るための工程順に示した半導体チ・ンプの断面図、第２
図は本発明の第２の実施例の断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ＰＳＧＩ１ｇ、３・・
・フォトレジスト膜、４・・・開孔部、５・・・ＳｉＦ
ｘ層、６・・・窒化シリコン膜、７・・・アルミニウム
膜、１１・ Ｐ型シリコン基板、ｌ２・・・ゲート酸化
膜、１３・・・多結晶シリコン層、１４・・・硅化モリ
ブデン層、１５・・・Ｎ＋型拡散層、１６・・・開孔部
、１７・・・窒化された硅化モリブデン層、１８・・・
アルミニウム電極配線、ｌ９・・・ＰＳＧ膜。
Claims (1)
- シリコン層又はシリサイド層の表面に設けた絶縁膜を選
択的にエッチングして開孔部を設ける工程と、前記開孔
部に露出した前記シリコン層又はシリサイド層の表面を
ハロゲン系化合物で処理して前記シリコン層又はシリサ
イド層の表面に存在するシリコン原子の結合手をハロゲ
ン又はハロゲン化合物で終端させる工程と、前記シリコ
ン層又はシリサイド層の表面を窒化処理して前記シリコ
ン層又はシリサイド層表面のハロゲン又はハロゲン化合
物を窒素と置換して前記シリコン層又はシリサイド層の
表面に窒化シリコン膜を形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24421389A JPH0810681B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24421389A JPH0810681B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105916A true JPH03105916A (ja) | 1991-05-02 |
| JPH0810681B2 JPH0810681B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17115435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24421389A Expired - Fee Related JPH0810681B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810681B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383880B1 (en) * | 2000-10-05 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | NH3/N2-plasma treatment for reduced nickel silicide bridging |
| KR100869865B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2008-11-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24421389A patent/JPH0810681B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383880B1 (en) * | 2000-10-05 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | NH3/N2-plasma treatment for reduced nickel silicide bridging |
| KR100869865B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2008-11-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810681B2 (ja) | 1996-01-31 |
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