JPH01192118A - レジスト膜除去装置 - Google Patents
レジスト膜除去装置Info
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レジスト膜除去装置の改良に関し、
イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層が
形成されているレジスト膜を除去するために、まづ、レ
ジスト膜外周部の変質層を除去し、次に、すでに変質層
が除去されているレジスト膜を除去するという２工程を
順次切り替えて実行しうる一つの装置を使用して、イオ
ン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層が形成
されているレジスト膜を除去することを可能にしたレジ
スト膜除去装置を提供することを目的とし、上部に反応
ガス流入口を有し、下部に真空ポンプに接続された排気
口を有する真空容器よりなり、真空容器は、メツシュ状
に孔が形成されておりガスの通過を可能とする第２の電
極によって上下に区画され、真空容器の上部区画には、
第１の電極を有し、真空容器の下部区画には、冷却・加
熱装置と、半導体ウェーハを載置するサセプタを兼ねる
第３の電極とを有し、第１の電極と第２の電極とは、相
互に切り替えられる切り替え手段を介してラジオ周波を
切り替え印加するラジオ周波発生装置に接続されている
レジスト膜除去装置をもうて構成される。
形成されているレジスト膜を除去するために、まづ、レ
ジスト膜外周部の変質層を除去し、次に、すでに変質層
が除去されているレジスト膜を除去するという２工程を
順次切り替えて実行しうる一つの装置を使用して、イオ
ン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層が形成
されているレジスト膜を除去することを可能にしたレジ
スト膜除去装置を提供することを目的とし、上部に反応
ガス流入口を有し、下部に真空ポンプに接続された排気
口を有する真空容器よりなり、真空容器は、メツシュ状
に孔が形成されておりガスの通過を可能とする第２の電
極によって上下に区画され、真空容器の上部区画には、
第１の電極を有し、真空容器の下部区画には、冷却・加
熱装置と、半導体ウェーハを載置するサセプタを兼ねる
第３の電極とを有し、第１の電極と第２の電極とは、相
互に切り替えられる切り替え手段を介してラジオ周波を
切り替え印加するラジオ周波発生装置に接続されている
レジスト膜除去装置をもうて構成される。
本発明は、レジスト膜除去装置の改良に関する。
特に、イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変
質層が形成されているレジスト膜を除去するための工程
を短縮することが可能にするためになされたレジスト膜
除去装置の改良に関する。
質層が形成されているレジスト膜を除去するための工程
を短縮することが可能にするためになされたレジスト膜
除去装置の改良に関する。
［従来の技術］
半導体ウェーハ上にレジストマスクを形成し、このレジ
ストマスクを介して、上記の半導体ウェーハに不純物を
イオン注入すると、第４図に示すように、レジスト１１
１３１の外周部にレジストと不純物とが結合してできる
変質層３２が形成される。
ストマスクを介して、上記の半導体ウェーハに不純物を
イオン注入すると、第４図に示すように、レジスト１１
１３１の外周部にレジストと不純物とが結合してできる
変質層３２が形成される。
この変質層３２を除去するには、プラズマエツチング法
を使用することが適切であり、低温リアクティブイオン
エツチング装置（以下低温ＲＩＥ装置という、）が使用
される。
を使用することが適切であり、低温リアクティブイオン
エツチング装置（以下低温ＲＩＥ装置という、）が使用
される。
第２図は、低温ＲＩＥ装置の構成図である０石英製の真
空容器１中に第１の電極２と第２の電極３とが設けられ
、第２の電極３は接地され、１０℃程度に冷却されてい
る。第２の電極３上に半導体ウェーハ５を載置し、ガス
排気ロアに連通された真空ホンプ８を使用して容器内を
真空にした後、ガス給気口６から酸素を供給して、容器
内の酸素ガス圧を１．０ Ｔｏｒｒ程度に保持する。
空容器１中に第１の電極２と第２の電極３とが設けられ
、第２の電極３は接地され、１０℃程度に冷却されてい
る。第２の電極３上に半導体ウェーハ５を載置し、ガス
排気ロアに連通された真空ホンプ８を使用して容器内を
真空にした後、ガス給気口６から酸素を供給して、容器
内の酸素ガス圧を１．０ Ｔｏｒｒ程度に保持する。
第１の電極２と第２の電極３との間に、ラジオ周波発生
装置４が発生するラジオ周波を印加して、酸素をプラズ
マ化し、このプラズマを半導体ウェーハ５に作用させ、
半導体ウェーハ５上に形成されているレジスト膜周辺部
の変質層３２をエツチング除去する。
装置４が発生するラジオ周波を印加して、酸素をプラズ
マ化し、このプラズマを半導体ウェーハ５に作用させ、
半導体ウェーハ５上に形成されているレジスト膜周辺部
の変質層３２をエツチング除去する。
ところで、低温ＲＩＥ装置を使用して、変質層３２が除
去されているレジスト膜３１まで除去しようとすると、
プラズマの作用によって、レジスト中に含まれている、
鉄、ニッケル、アルミニウム等の重金属が半導体層中に
拡散し、半導体層を汚染してしまう。
去されているレジスト膜３１まで除去しようとすると、
プラズマの作用によって、レジスト中に含まれている、
鉄、ニッケル、アルミニウム等の重金属が半導体層中に
拡散し、半導体層を汚染してしまう。
かかる重金属による半導体層の汚染を避けるために、上
記のように低温ＲＩＥ装置を使用して、レジスト膜３１
の周辺部の変質層３２を除去した後、ダウンフローアッ
シング装置を使用して、変質されていなかったレジスト
膜３１を除去する。
記のように低温ＲＩＥ装置を使用して、レジスト膜３１
の周辺部の変質層３２を除去した後、ダウンフローアッ
シング装置を使用して、変質されていなかったレジスト
膜３１を除去する。
第３図はダウンフロー型アッシング装置の構成図である
。
。
石英製の真空容器１１中に、第１の電極１２と、第２の
電極１３とが設けられている。ガス排気口１７に接続さ
れた真空ポンプ１８を使用して、真空容器１１内を真空
にした後、ガス供給口１６から、酸素９０％・窒素１０
％の混合ガスを供給して、真空容器１１内のガス圧力を
１．Ｑ Ｔｏｒｒ程度に保持する。加熱装置（図示せず
）をもって２００℃程度に加熱されているサセプタ１４
上に半導体ウェーハ５を載置し、第１の電極１２と第２
の電極１３との間に、ラジオ周波発生装置１５が発生す
るラジオ周波を印加し、酸素をプラズマ化する。
電極１３とが設けられている。ガス排気口１７に接続さ
れた真空ポンプ１８を使用して、真空容器１１内を真空
にした後、ガス供給口１６から、酸素９０％・窒素１０
％の混合ガスを供給して、真空容器１１内のガス圧力を
１．Ｑ Ｔｏｒｒ程度に保持する。加熱装置（図示せず
）をもって２００℃程度に加熱されているサセプタ１４
上に半導体ウェーハ５を載置し、第１の電極１２と第２
の電極１３との間に、ラジオ周波発生装置１５が発生す
るラジオ周波を印加し、酸素をプラズマ化する。
このプラズマ発生頭載と他の領域とは、メツシュ状に孔
が形成され、接地されている板１９をもって仕切られて
いるので、プラズマ中の非帯電物質である酸素ラジカル
と窒素ラジカルのみが、メツシュ状の孔を有する板１９
を通過して下方に流れ、サセプタ１４上に載置された半
導体ウェーハ上に到達し、変質層３２が既に除去されて
いるレジスト膜３１をアッシング除去する。なお、酸素
中に窒素ガスを混入する目的は、アッシングレートを増
加させるためであ゛る。
が形成され、接地されている板１９をもって仕切られて
いるので、プラズマ中の非帯電物質である酸素ラジカル
と窒素ラジカルのみが、メツシュ状の孔を有する板１９
を通過して下方に流れ、サセプタ１４上に載置された半
導体ウェーハ上に到達し、変質層３２が既に除去されて
いるレジスト膜３１をアッシング除去する。なお、酸素
中に窒素ガスを混入する目的は、アッシングレートを増
加させるためであ゛る。
イオン注入用マスクとして使用されて、表面に変質層が
形成されているレジスト膜を除去するには、まづ、低温
ＲｆＥ装置等を使用して、レジスト膜外周部の変質層を
除去し、次に、ダウンフロー型アッシング装置等を使用
して、すでに変質層が除去されているレジスト膜を除去
するという□２工程が必要であり、また、装置も２種類
必要である。
形成されているレジスト膜を除去するには、まづ、低温
ＲｆＥ装置等を使用して、レジスト膜外周部の変質層を
除去し、次に、ダウンフロー型アッシング装置等を使用
して、すでに変質層が除去されているレジスト膜を除去
するという□２工程が必要であり、また、装置も２種類
必要である。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
上記の二工程を順次切り替えて実行しうる一つの装置を
使用して、イオン注入用マスクとして使用されて、表面
に変質層が形成されているレジスト膜を除去することを
可能にしたレジスト膜除去装置を提供することにある。
上記の二工程を順次切り替えて実行しうる一つの装置を
使用して、イオン注入用マスクとして使用されて、表面
に変質層が形成されているレジスト膜を除去することを
可能にしたレジスト膜除去装置を提供することにある。
上記の目的は、上部に反応ガス流入口（２６）を有し、
下部に真空ポンプ（２８）に接続された排気口（２７）
を有する真空容器（２１）よりなり、該真空容器（２１
）は、メツシュ状に孔が形成されておりガスの通過を可
能とする第２の電極（２３）によって上下に区画され、
前記真空容器（２１）の上部区画には、第１の電極（２
２）を有し、前記真空容器（２１）の下部区画には、冷
却・加熱装置と、半導体ウェーハ（５）を載置するサセ
プタを兼ねる第３の電極（２４）とを有し、前記第１の
電極（２２）と前記第２の電極（２３）とは、相互に切
り替えられる切り替え手段（２９）を介してラジオ周波
を切り替え印加するラジオ周波発生装置（２５）に接続
されているレジスト膜除去装置によって達成される。
下部に真空ポンプ（２８）に接続された排気口（２７）
を有する真空容器（２１）よりなり、該真空容器（２１
）は、メツシュ状に孔が形成されておりガスの通過を可
能とする第２の電極（２３）によって上下に区画され、
前記真空容器（２１）の上部区画には、第１の電極（２
２）を有し、前記真空容器（２１）の下部区画には、冷
却・加熱装置と、半導体ウェーハ（５）を載置するサセ
プタを兼ねる第３の電極（２４）とを有し、前記第１の
電極（２２）と前記第２の電極（２３）とは、相互に切
り替えられる切り替え手段（２９）を介してラジオ周波
を切り替え印加するラジオ周波発生装置（２５）に接続
されているレジスト膜除去装置によって達成される。
１つの真空容器内に、第１の電極２２と第２の電極２３
と第３の電極２４とを設け、第１の電極２２と第２の電
極２３とを相互に切り替える切り替え手段２９を使用し
て、第２の電極２３と第３の電極２４との間にラジオ周
波を印加してプラズマを発生し、このプラズマを半導体
ウェーハ５に作用させて半導体ウェーハ５上に形成され
ているレジスト膜周辺部の変質層をエツチング除去し、
次に、切り替え手段２９を使用して、第１の電極２２と
第２の電極２３との間にラジオ周波を印加してプラズマ
を発生し、プラズマ中の非帯電粒子である酸素ラジカル
、窒素ラジカルのみを、第２の電極２３に設けられてい
るメツシュ状の孔を通して真空容器２１の下部区画に移
動し、此処で半導体ウェーハ５に接触させ、半導体ウェ
ーハ５上に形成されている、変質層３２が既に除去され
ているレジスト膜３１をアッシング除去する。
と第３の電極２４とを設け、第１の電極２２と第２の電
極２３とを相互に切り替える切り替え手段２９を使用し
て、第２の電極２３と第３の電極２４との間にラジオ周
波を印加してプラズマを発生し、このプラズマを半導体
ウェーハ５に作用させて半導体ウェーハ５上に形成され
ているレジスト膜周辺部の変質層をエツチング除去し、
次に、切り替え手段２９を使用して、第１の電極２２と
第２の電極２３との間にラジオ周波を印加してプラズマ
を発生し、プラズマ中の非帯電粒子である酸素ラジカル
、窒素ラジカルのみを、第２の電極２３に設けられてい
るメツシュ状の孔を通して真空容器２１の下部区画に移
動し、此処で半導体ウェーハ５に接触させ、半導体ウェ
ーハ５上に形成されている、変質層３２が既に除去され
ているレジスト膜３１をアッシング除去する。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係るレジ
スト膜除去装置について説明する。
スト膜除去装置について説明する。
第１ａ図参照
２１は真空容器であり、メツシュ状に孔が形成されガス
の通過を可能とする第２の電極２３によって上下二つの
領域に区画されており、上部の区画には反応ガス流入口
２６が設けられており、下部の区画には真空ポンプ２８
に接続された排気口２７が設けられている。この真空容
器２１内の上部の区画に第１の電極２２が設けられ、下
部の区画に、冷却・加熱装置（図示せず）を有し、半導
体ウェーハ５を載置するサセプタを兼ねる第３の電極２
４が設けられている。
の通過を可能とする第２の電極２３によって上下二つの
領域に区画されており、上部の区画には反応ガス流入口
２６が設けられており、下部の区画には真空ポンプ２８
に接続された排気口２７が設けられている。この真空容
器２１内の上部の区画に第１の電極２２が設けられ、下
部の区画に、冷却・加熱装置（図示せず）を有し、半導
体ウェーハ５を載置するサセプタを兼ねる第３の電極２
４が設けられている。
２５はラジオ周波発生装置であり、第１の電極２２と第
２の電極２３と切り替える切り替え手段２９を介して、
第２の電極２３と第３の電極２４との間と、第１の電極
２２と第２の電極２３との間とに、ラジオ周波を印加す
る。
２の電極２３と切り替える切り替え手段２９を介して、
第２の電極２３と第３の電極２４との間と、第１の電極
２２と第２の電極２３との間とに、ラジオ周波を印加す
る。
サセプタを兼ねる第３の電極２４上に半導体ウェーハ５
を載置し、ポンプ２８を使用して真空容器１内を真空に
し、反応ガス流入口２６から酸素を送入し、真空容器１
内の酸素ガス圧を１．０ Ｔｏｒｒ程度に保持する。
を載置し、ポンプ２８を使用して真空容器１内を真空に
し、反応ガス流入口２６から酸素を送入し、真空容器１
内の酸素ガス圧を１．０ Ｔｏｒｒ程度に保持する。
切り替え手段２９を使用して、第１の電極２２と第２の
電極２３とをペアとし、このペアと、接地された第３の
電極２４との間に、ラジオ周波発生装置２５が発生する
ラジオ周波を印加し、第２の電極２３とサセプタを兼ね
る第３の電極２４との間にプラズマを発生する。
電極２３とをペアとし、このペアと、接地された第３の
電極２４との間に、ラジオ周波発生装置２５が発生する
ラジオ周波を印加し、第２の電極２３とサセプタを兼ね
る第３の電極２４との間にプラズマを発生する。
上記プラズマを、サセプタを兼ねる第３の電極２４上に
載置された半導体ウェーハ５に作用させ、半導体ウェー
ハ５上に形成されているレジスト膜の変質層３２をエツ
チング除去する。なお、エツチング反応効果を高めるた
め、第３の電極２４を冷却装置（図示せず）を使用して
１０℃程度に冷却することは有効である。
載置された半導体ウェーハ５に作用させ、半導体ウェー
ハ５上に形成されているレジスト膜の変質層３２をエツ
チング除去する。なお、エツチング反応効果を高めるた
め、第３の電極２４を冷却装置（図示せず）を使用して
１０℃程度に冷却することは有効である。
第１ｂ図参照
次に、反応ガスとして、酸素に約１０％の窒素を混入し
た混合ガスを送入し、真空容器１内のガス圧を、１．０
τｏｒｒ程度に保持する。
た混合ガスを送入し、真空容器１内のガス圧を、１．０
τｏｒｒ程度に保持する。
切り替え手段２９を使用して、第１の電極２２と、接地
された第２の電極２３との間に、ラジオ周波を印加し、
第１の電極２２と、接地された第２の電極２３との間に
プラズマを発生する。プラズマ中の非帯電粒子である酸
素ラジカル、窒素ラジカルのみが第２の電極２３に設け
られている孔を通ってダウンフローし、サセプタを兼ね
る第３の電極２４上に載置された半導体ウェーハ５上に
到達し、半導体ウェーハ５上に形成されている変質層３
２が既に除去されているレジスト膜３１をアッシング除
去する。
された第２の電極２３との間に、ラジオ周波を印加し、
第１の電極２２と、接地された第２の電極２３との間に
プラズマを発生する。プラズマ中の非帯電粒子である酸
素ラジカル、窒素ラジカルのみが第２の電極２３に設け
られている孔を通ってダウンフローし、サセプタを兼ね
る第３の電極２４上に載置された半導体ウェーハ５上に
到達し、半導体ウェーハ５上に形成されている変質層３
２が既に除去されているレジスト膜３１をアッシング除
去する。
なお、反応効果を高めるため、第３の電極２４を加熱手
段（図示せず）によって２００°Ｃ程度に加熱すること
は有効である。
段（図示せず）によって２００°Ｃ程度に加熱すること
は有効である。
以上説明せるとおり、本発明に係るレジスト膜除去装置
は、上部に反応ガス流入口を有し、下部に真空ポンプに
接続された排気口を有する真空容器よりなり、該真空容
器は、メツシュ状に孔が形成されておりガスの通過を可
能とする第２の電極によって上下に区画され、前記真空
容器の上部区画には、第１の電極を有し、前記真空容器
の下部区画には、冷却・加熱装置と、半導体ウェーハを
載置する第３の電極とををし、前記第１の電極と前記第
２の電極とは、相互に切り替えられる切り替え手段を介
してラジオ周波を切り替え印加するラジオ周波発生装置
に接続されているので、まず、第１の電極と第２の電極
とを相互に切り替える切り替え手段を使用して、第２の
電極と第３の電極との間にラジオ周波を印加してプラズ
マを発生し、このプラズマを半導体ウェーハに作用させ
て半導体ウェーハ上に形成されているレジスト膜周辺部
の変質層をエツチング除去し、次に、切り替え手段を使
用して、第１の電極と第２の電極との間にラジオ周波を
印加してプラズマを発生し、プラズマ中の非帯電粒子で
ある酸素ラジカル、窒素ラジカルのみを、第２の電極に
設けられているメツシュ状の孔を通して真空容器の下部
区画に移動し、此処で半導体ウェーハに接触させ、半導
体ウェーハ上に形成されている、変質層が既に除去され
ているレジスト膜をアッシング除去することがてきる、
一つの装置を使用して、短縮された工程で、レジスト変
質層とレジスト膜との双方を除去することができる。
は、上部に反応ガス流入口を有し、下部に真空ポンプに
接続された排気口を有する真空容器よりなり、該真空容
器は、メツシュ状に孔が形成されておりガスの通過を可
能とする第２の電極によって上下に区画され、前記真空
容器の上部区画には、第１の電極を有し、前記真空容器
の下部区画には、冷却・加熱装置と、半導体ウェーハを
載置する第３の電極とををし、前記第１の電極と前記第
２の電極とは、相互に切り替えられる切り替え手段を介
してラジオ周波を切り替え印加するラジオ周波発生装置
に接続されているので、まず、第１の電極と第２の電極
とを相互に切り替える切り替え手段を使用して、第２の
電極と第３の電極との間にラジオ周波を印加してプラズ
マを発生し、このプラズマを半導体ウェーハに作用させ
て半導体ウェーハ上に形成されているレジスト膜周辺部
の変質層をエツチング除去し、次に、切り替え手段を使
用して、第１の電極と第２の電極との間にラジオ周波を
印加してプラズマを発生し、プラズマ中の非帯電粒子で
ある酸素ラジカル、窒素ラジカルのみを、第２の電極に
設けられているメツシュ状の孔を通して真空容器の下部
区画に移動し、此処で半導体ウェーハに接触させ、半導
体ウェーハ上に形成されている、変質層が既に除去され
ているレジスト膜をアッシング除去することがてきる、
一つの装置を使用して、短縮された工程で、レジスト変
質層とレジスト膜との双方を除去することができる。
第１．ａ図は、本発明の一実施例に係るレジスト膜除去
装置の構成図であり、レジスト変質層除去工程を示す０
、 ・ 第１ｂ図は、本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装
置の構成図であり、レジスト膜除去工程を示す。 第２図は、従来技術に係るＲＩＥ装置の構成図である。 第３図は、従来技術に係るダウンフロー型アッシング装
置の構成図である。 １１４４図は、レジスト変質層を有するレジスト膜の断
面図である。 １．１１．２１・・・真空容器、 ２．１２・・・従来技術に係る第１の電極、２２・・・
本発明の一実施例に係る第１の電極、３．１３・・・従
来技術に係る第２の電極、２３・・・本発明の一実施例
に係る第２の電極、１４・・・従来技術に係るサセプタ
、 ２４・・・本発明の一実施例に係るサセプタを兼ねる第
３の電極、 ４．１５．２５・・・ラジオ周波発生装置、５・・・半
導体ウェーハ、 ６．１６．２６・・・反応ガス流入口、７．１７．２７
・・・ガス排気口、 ８．１Ｂ、２Ｂ・・・ポンプ、 ３１・・・レジスト膜、 ３２・・・レジスト変質層。 本発明 第１ａ図 本発明 第２図 従来技術
装置の構成図であり、レジスト変質層除去工程を示す０
、 ・ 第１ｂ図は、本発明の一実施例に係るレジスト膜除去装
置の構成図であり、レジスト膜除去工程を示す。 第２図は、従来技術に係るＲＩＥ装置の構成図である。 第３図は、従来技術に係るダウンフロー型アッシング装
置の構成図である。 １１４４図は、レジスト変質層を有するレジスト膜の断
面図である。 １．１１．２１・・・真空容器、 ２．１２・・・従来技術に係る第１の電極、２２・・・
本発明の一実施例に係る第１の電極、３．１３・・・従
来技術に係る第２の電極、２３・・・本発明の一実施例
に係る第２の電極、１４・・・従来技術に係るサセプタ
、 ２４・・・本発明の一実施例に係るサセプタを兼ねる第
３の電極、 ４．１５．２５・・・ラジオ周波発生装置、５・・・半
導体ウェーハ、 ６．１６．２６・・・反応ガス流入口、７．１７．２７
・・・ガス排気口、 ８．１Ｂ、２Ｂ・・・ポンプ、 ３１・・・レジスト膜、 ３２・・・レジスト変質層。 本発明 第１ａ図 本発明 第２図 従来技術
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上部に反応ガス流入口（２６）を有し、下部に真空ポ
ンプ（２８）に接続された排気口（２７）を有する真空
容器（２１）よりなり、 該真空容器（２１）は、メッシュ状に孔が形成されてお
りガスの通過を可能とする第２の電極（２３）によって
上下に区画され、 前記真空容器（２１）の上部区画には、第１の電極（２
２）を有し、 前記真空容器（２１）の下部区面には、冷却・加熱装置
と、半導体ウェーハ（５）を載置するサセプタを兼ねる
第３の電極（２４）とを有し、前記第１の電極（２２）
と前記第２の電極（２３）とは、相互に切り替えられる
切り替え手段（２９）を介してラジオ周波を切り替え印
加するラジオ周波発生装置（２５）に接続されて なることを特徴とするレジスト膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015977A JP2681360B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レジスト膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015977A JP2681360B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レジスト膜除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192118A true JPH01192118A (ja) | 1989-08-02 |
| JP2681360B2 JP2681360B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=11903752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015977A Expired - Lifetime JP2681360B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レジスト膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681360B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453578B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 실리콘 에피택셜층 성장공정 전의 기판 사전 세정방법 |
| JP2005303302A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Headway Technologies Inc | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 |
| US7464717B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a CVD chamber |
| WO2010010706A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | レジストトリミング方法及びトリミング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685827A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Fujitsu Ltd | Plasma etching treating method and treatment device |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63015977A patent/JP2681360B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685827A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Fujitsu Ltd | Plasma etching treating method and treatment device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453578B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 실리콘 에피택셜층 성장공정 전의 기판 사전 세정방법 |
| US7464717B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a CVD chamber |
| US7465357B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Computer-readable medium that contains software for executing a method for cleaning a CVD chamber |
| US7500445B2 (en) * | 2003-01-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
| US7654224B2 (en) | 2003-01-27 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
| JP2005303302A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Headway Technologies Inc | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 |
| JP4732781B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2011-07-27 | ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 |
| WO2010010706A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | レジストトリミング方法及びトリミング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681360B2 (ja) | 1997-11-26 |
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