JPH0287047A - 表面検査装置 - Google Patents

表面検査装置

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JPH0287047A
JPH0287047A JP23837988A JP23837988A JPH0287047A JP H0287047 A JPH0287047 A JP H0287047A JP 23837988 A JP23837988 A JP 23837988A JP 23837988 A JP23837988 A JP 23837988A JP H0287047 A JPH0287047 A JP H0287047A
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wafer
light
mirror
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scanning
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JP23837988A
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Hiroya Katsume
啓谷 勝目
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/89Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
    • G01N21/8901Optical details; Scanning details

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、物体表面の微少な塵等を、光散乱によって検
出する表面検査装置に係わり、特に、半導体製造におけ
るウェーハ表面の塵、欠陥等を、定量的に検出するため
の検査装置に好適であり、検出精度の高い表面検査装置
に関するものである。
「従来の技術」 近年、半導体デバイスの高集積化に伴い1回路パターン
幅はますます微細化され、サブミクロン時代を迎えてい
る。この様な半導体製造プロセスでは、プロセス中に発
生する塵が製品の分留りを低下させる要因となっていた
。そこで、ウェーハ表面上に付着した塵を検出して、プ
ロセスラインの塵管理を行っていた。この鏡面ウェーハ
上に付着している塵等を検出する方法には、ウェーハ上
の塵に光を照射し、その散乱光を検出することにより、
塵の大きさ、数、位置等を定量的に検出する方法が採用
されている。ところが近年、半導体デバイスの高集積化
に伴い、回路パターン幅がますます微細化される傾向に
あり、ビームスポットを絞った強いビームを走査する必
要があった。この光ビームの走査方式には、第6図に示
す様に3種類の走査方法がある7第6図(a)に示す走
査方式は回転走査方式であり、ビームスボ・・Iトを固
定し、ウェーハ側のみを回転と同時に直線運動させ、渦
巻、1kに走査する方式である5この方式は、走査速度
に限界があり、更に、中心部と周辺部の走査速度が大き
く異なってしまう問題点があった。
第6図(b)に示す走査方式は直線走査方式であり、ビ
ームスボ・ソト自体を走査させ、ウェーハ側を直線運動
させる方式である7この方式は、例えば振動ミラー或は
ポリゴンミラーと、ウェーハ移動機構により実現するこ
とができる9第6図(C)に示す走査方式はハイブリ・
ソド走査方式であり、ビームスボ・7 ト自体を走査さ
せ、ウェーハ側を回転及び直線運動させる方式である9
第6図(b)(c)に示す直線走査方式とハイブリ・・
Iド走査方式は、ビームの走査手段を必要とする。ビー
ムスボ・ソトをウェーハ上を短時間にくまなく走査させ
るなめには、高速走査手段が必要であった。この高速走
査手段には、スキャナーやポリゴンミラーが採用されて
いた、特にポリゴンミラーは、スキャナーと比較して走
査周期を2〜3桁分短縮することができるので、表面検
出装置に採用されることが多かった。そして表面検査装
置においては、第5図に示す様に、ウェーハ100を水
平に載置し1、光ビームを45度の入射角でウェーハ1
00に照射することが望ましいとされていた。しかした
がらポリゴンミラー200の回転軸は、通常鉛直方向に
軸止されているので、ポリゴンミラー200から出力さ
れた光ビームは水平方向になっている。そこで、はぼ4
5度の入射角でウェーハ100に照射される様にミラー
300を配置させていた、 「発明が解決しようとする課題」 しかしたがら、上記従来型の表面検査装置に採用されて
いたミラー300は、ビームの歪に与える影響が大きく
、極めて高度なミラー面精度及び組立8度が要求されて
いた9そして、ミラー300は反射面の増加となり、光
量の損失の原因となる問題点があった。更に、このミラ
ー300の存在は、省スペース化にも弊害となり、特殊
な加工を必要とするのでゴス1〜ア・ツブの原因となる
という問題点があった。そこで、このミラー300を省
略し、ポリゴンミラー200のミラー面を、光ビームの
最終的な入射角に合わせるために、ポリゴンミラー20
0の回転軸を傾かせることが考えられた、しかしたがら
、ポリゴンミラー200は高速かつ高精度に回転させる
必要があり1回転軸を傾かせた状態で、この粂件を満足
させるモータの軸受には、静圧型気体軸受以外見あたら
なかった、ここで気体軸受とは、気体の粘性を利用し、
隙間内の気体の圧力を高くして物体を浮上させる方式で
ある。この気体軸受には、第7図に示す様に圧力発生の
原理により動圧型と静圧型に分類することができる9第
7図(a)に示す動圧型気体軸受け、2つの面が相対的
に移動し、隙間が移動方向にだんだん狭くなる形状であ
る、くさび状隙間400が採用されており、面の相対的
な移動により、気体がその粘性でひきずられ、くさび状
隙間400に押し込められて圧力を生じる様に構成され
ている。従って、動圧ラジアル気体軸受の場合には、荷
重がかかると回転軸が偏心し、軸受隙間に、くさび状隙
間400が形成される。回転軸の回転により、気体がく
さび状隙間400に押し込められ、圧力が生じ、荷重を
支えることができる。次に、第7図(b)に示す静圧型
気体軸受け、外部から加圧した気体を、絞り500を通
して隙間内に導入し、その静圧により浮上させるもので
ある。この絞り500は、隙間が変化した時に隙間内の
圧力を加減し、軸受に剛性を与えるものである。上述し
た様に、回転軸が傾いたポリゴンミラー200用のモー
タには、動圧型気体軸受を採用することができなかっな
。なぜならば、回転軸が停止している時には、くさび状
隙間400には圧力が生ぜず1回転初期において、偏心
した回転軸が軸受面に接触して損傷してしまうからであ
る。
これに対して、静圧型気体軸受け、外部から加圧気体を
隙間内に圧送しているので、動圧型気体軸受の様な問題
点がないが、外部に圧力発生装置を必要とし、設備が複
雑となってコストがかがる上、圧力発生装置のポンプ等
から塵や振動等が発生し、表面検査装置の測定精度に影
響を与えるという問題点があった。
「課題を解決するための手段」 本発明は上記課題に鑑み案出されたもので、略水平に配
置され、被検査ウェーハを載置させるための被検査ウェ
ーハ受け部と、該被検査ウェーハに対して細い光束を射
出するための光源部と、この光源部から射出した光束を
、Fθレンズを介して前記被検査ウェーハ上に走査させ
るための回転ミラー部と、この回転ミラー部を傾いた回
転軸で回転させ、前記光源部から射出した光束を、Fθ
レンズを介して前記被検査ウェーハ上に走査させるため
のセラミ・ツクから構成された動圧型気体軸受を備えた
モータ部と、前記回転ミラー部による走査光束により生
じた前記被検査ウェーハの散乱光を検出するための受光
部とから構成されている。
1作用」 以上の様に構成された本発明は、回転ミラー部が光源部
から射出された光束を、Fθレンズを介して、被検査ウ
ェーj)受け部に載置されたウェーハに対して走査させ
る9そして、セラミ・ツクから構成された動圧型気体軸
受を備えたモータ部が、回転軸の傾いた回転ミラー部を
回転させ、光源部から射出された光束を、Fθレンズを
介してウェーハ上に走査さぜることができる9更に、受
光部が、回転ミラー部による走査光束によって生じた散
乱光を受光することができる、 「実施例」 本発明の実施例を図面に基すいて説明する。第1図は、
本実施例の構成を示すもので、表面検査装置本体1は、
レーザ光発生手段21と光ファイバ31と第1の受光素
子4とからなっている、この表面検査装置本体1には、
被検査物であるウェーハ10が、被検査ウェーハ受け部
上に載置されている。レーザ光発生手段21は光源に相
当するものであり1本実施例ではアルゴンイオンレーザ
が採用されている9光フアイバ31は検出光学系3を形
成するもので、ウェーハ10上の塵による散乱光を受光
素子4に導くためのものである。この光ファイバ31の
端面を被測定ウェーハ10の経方向に並べているので、
受光皇子に散乱光を導くことができる。この受光素子4
は光電子増倍管()オトマル)を採用することができる
が、他の受光素子であってもよい、即ち、レーザ光を受
光できるものであれば足りる7この様に構成された本実
施例は、レーザ発生手段21により発生したレーザ光を
、ウェーハ10に照射すると、ウェーハ10上で正反射
光が生じる9この際、ウェーハ10上に塵が叶着してい
ると、散乱光が発生する。
この散乱光を光ファイバ31が、受光素子4に導く様に
なっている。
次に1本実施例の光字系を詳細に説明する9本実施例の
光学系は、照射光学系2と検出光学系3とから構成され
ている7照射光学系2は、レーザ光発生手段(アルゴン
イオンレーザ)21と、ビームエキスパンダ22と、第
1のミラー231と第2のミラー232と、ポリゴンミ
ラー24と、Fθレンズ25とからなっている9レ一ザ
光発生手段21は、高輝度の照射を行うための光源であ
り、アルゴンイオンレーザのみならず、He −Neレ
ーザやレーザダイオード等を採用することができる。レ
ーザ光発生手段21で発生したレーザ光は、ビームエキ
スパンダ22で拡大され、第1、第2のミラー231.
232を介してポリゴンミラー24に送られる。ポリゴ
ンミラー24は。
定の速度で回転しており、Fθレンズ25との組合せに
より、被測定ウェーハlO上で集光されたレーザ光を一
定速度で走査することができる。このポリゴンミラー2
4の回転軸は、被測定ウェーハ10に対して傾いた状態
に位置決めされている、そして、このポリゴンミラー2
4の回転軸には。
このポリゴンミラー24を高速回転させるためのモータ
27が収り付けられている、この様に構成された本実施
例では、約10ミクロン(μm)程度のビームスポット
を走査させることができる。
検出光学系3は、光ファイバ31とからなっており、入
射された散乱光を受光素子4に導く様になっている。
次に第4図に基いて、本実施例の演算処理システムを説
明する。判別手段8は、受光素子4からの出力信号によ
り、ウェーハ1o上の塵を判別するためのものである。
この判別手段8は、プリアンプ81と、加算器82と、
A、/Dコンバータ94と、コンパレータ83と、バッ
ファメモリ84と、データ処理回路85と、メインメモ
リ86と、CPU87とから構成されている。プリアン
プ81は、受光索子4(フォトマル)からの出力信号を
電気信号に変換するものであり、その信号は加算器82
で加算される9コンパレータ83は、受光素子からの信
号と、CPU87がらの信号のレベル比較を行うための
ものである。バッファメモリ84は、データを記憶する
ためのものである。
そして、データ処理回路85は、受光素子4からの信号
により、ウェーハ上の塵を認識するためのものである9
データ処理に先立ち、AD変換を行う必要がある9本実
施例では、ウェーハloが載置された被検査つェーハ受
け部であるターンテーブルを回転させながらビーム走査
を行い、散乱光を検出し、その信号の大きさをコンパレ
ータ83により予め設定されたスレ・・/ショルドレベ
ルで比較を行い、A /’ D変換し、位置データと共
にCPU87に送出する。そしてCPU87は、表面検
査装置本体1の演算処理をつかさどるものである、メイ
ンメモリ86は、多数の測定データを格納する際に必要
な、メモリである。DAコンバータ88は、コンパレー
タ83にスレ・ソショルトレベルを設定するためのCP
U87の信号をアナログ信号に変換するものである。こ
の判別手段8には、プリンタ89.FDD (フロ・ソ
ピディスクドライブ)90、CRT91、キーボード9
2が接続されている。プリンタ89は、検査結果を印刷
するものであり、発塵を防止するためにユボ紙等を使用
することが望ましい。FDD99は、検査結果を記憶す
るための物であるが、クリーンルームの集中管理を行っ
ている場合には、データを直接ホストコンピュータに送
信することが望ましい。この際、データ通信プロトコル
には、R3−232C,5EC8を採用することができ
る、CRT91は、検査結果や測定粂件等のモニタを行
うためのもので、CR,Tのみならず、液晶デイスプレ
ィやフ”ラズマディスプレイを用いることができる9キ
ーボード92は、測定モード、ウェーハサイズ、エツジ
力・・Iト量等を入力するためのものである。
なお、照射光学系2の光源には、アルゴンイオンレーザ
21が採用されており、このアルゴンイオンレーザ21
には、レーザ電源211が接続されている。また、レー
ザビームスポットを走査させるなめに、ポリゴンミラー
24を回転させるためのモータ27を駆動させるモータ
ドライバ26が設けられている9更に、ウェーハ10を
載置させるためのターンテーブルを回転させるためのモ
ータ71が設けられており、モータドライバ73で駆動
させる様になっている9また、ウェーハ10を搬送させ
るためにモータ72を増設してもよい9これらのモータ
ドライバ26.73は、シーケンサ74を介してCPU
87によって制御される。
ここで、ポリゴンミラー24を高速回転させるための駆
動手段を、第2図に基すいて説明する。
ポリゴンミラー24には、動圧型気体軸受28が採用さ
れ、モータ27と連結されている。この動圧型気体軸受
28は、動圧ラジアル気体軸受281と動圧スラスト気
体軸受282とからなっている。第3図(a)に示す様
に、動圧ラジアル気体軸受281は、溝付き軸受(ヘリ
ングボーン)であり、軸が回転すると溝により気体が押
し込められ、圧力が生じる様になっている。第3図(b
)に示す様に、動圧スラスト気体軸受282も溝付き軸
受であり、外側吸い込みのスパイラル溝付き軸受けが採
用されている。動圧ラジアル気体軸受と同様に溝に気体
がひきずり込まれて圧力を発生させるものである。なお
、この動圧ラジアル気体軸受281と動圧スラスト気体
軸受282は、共にセラミックから構成されている9な
ぜならば、動圧型気体軸受28は回転初期において、圧
力が十分でないなめ、回転軸が偏心し、軸受面と固体接
触して軸受部を損傷してしまう問題があった。
このため動圧型気体軸受28を、極めて硬度の高いセラ
ミックにより構成することにより、回転初期の固体接触
時においても、傷等が発生することないという効果があ
る。なお、このセラミックは、例えばシリコンカーバイ
ド等が採用される。なお、動圧型気体軸受28は、溝付
き動圧気体軸受に限らず、平面型、多面型、可とう面型
等の何れの種類の動圧型気体軸受28を採用することが
できる。
次に1本実施例の使用法について、説明する2まず、被
検査物であるウェーハ10をターンチーフル上の載置す
る。そして、CRT91を見ながら、測定粂件をキーボ
ード92から入力する。そして、ア!レコ′ンイオンレ
ーザ21を繕区動させる。
そして、CPU87がモータドライバ26を駆動させ、
ポリゴンミラー24を回転させる。このボJゴンミラ−
24とFθレンズ25の組合ぜにより、ビームスポット
をウェーハ10上で走査させることができる。なお、ポ
リゴンミラー24の回転軸は、被測定ウェーハ10に対
して傾かせて軸止されており、ポリゴンミラー24から
発射された光束が、Fθレンズ25を介して45度の入
射角をもって、ウェーハ上10を走査する様に構成され
ている。ウェーハ10面で正反射した光は、外部に逃が
され、ウェーハ10上の塵によって発生した散乱光は、
光ファイバ31によって受光手段4に送られる。CPU
87がモータドライバ73を駆動させ、ウェーハ10が
載置されたターンテーブルを回転させる。光ファイバ3
1によって集光された散乱光は、受光素子(フォトマル
)4で電気信号に変換される。受光素子4には、塵の大
きさに対応した出力電圧信号が生じ、プリアンプ81、
加算器82、コンパレータ83、A 、−’ D変換器
94を介してバッファメモリ84に記憶される。そして
、データ処理回路が塵を認識し、その大きさに応じて識
別記号を付するようになっている。更に、塵の位置も特
定し、CPU87に送出する9この処理をリアルタイム
に行い、データをメインメモリ86に記憶させる。そし
て、メインメモリ86に記憶されたデータは、極座標デ
ータであるので、X−Y座標に変換し、CRT91又は
プリンタ89に出力する。なお、これらのデータ処理は
、ウェーハ10全体に行うが1周辺カット部分を除いた
領域の塵の数を、塵等の大きさに分類して計数すること
もできる。
なお本実施例では、標準粒子による校正方法を採用して
いる。即ち、標準粒子を均一に付着させなウェーハを用
意し、キャリブレーションを行うものである2粒子の散
乱による出力信号は、細いパルス波形となり、粒子の大
きさに対応した高さとなる。これらの波高値を用いてキ
ャリブレーションを行うことができる。
以上の様に構成された本実施例は、ポリゴンミラー24
の回転軸が、ウェーハ1oに対して傾いて軸止されてい
るので、ミラー等を介することなくFθレンズ25に光
束を供給することができ。
45度の入射角で、光束をウェーハ1o上で走査させる
ことができる効果がある9更に、ポリゴンミラー24の
軸受には、セラミ・ツクからなる動圧型気体軸受が採用
されているので、回転初期においても軸受部が損傷せず
、回転軸が傾いていても高速回転が実現できるという効
果がある。
なお、本発明は、半導体ウェーハ1o上の塵、欠陥の検
査装置だけでなく、他の用途の検査装置に応用できるこ
とは言うまでもない9 「効果」 以上の様に構成された本発明は、被検査ウェーハ上は部
と、光源部と、前記光源部から射出した光束を、前記被
検査ウェーハ上に走査させるための回転ミラー部と、こ
の回転ミラー部を傾いた回転軸で回転させ、前記光源部
から射出し、た光束を、Fθレンズを介して前記被検査
ウェーハ上に走査させるためのセラミックから構成され
た動圧型気体軸受を備えたモータ部と、被検査ウェーハ
上の散乱光を検出するための受光部とから構成されてい
るので、ポリゴンミラーから反射された光束が、ミラー
等で方向変化させることなく、所望の入射角度で被検査
ウェーハ上を走査することができるという効果がある。
この方向変化のためのミラーが不用なので、光重の損失
がなく、ミラー面の位置決め誤差、及び組立誤差等によ
る測定精度の低下を防止することができるという卓越し
た効果がある。そして、光束の方向変化のためのミラー
が不用なので、光字系を簡素化することができ、検比感
度を向上させることができる。更に、セラミ・・Iりか
ら構成した動圧型気体軸受を採用しているので、回転初
期においても軸受部が損傷することがなく、傾斜回転軸
を高速回転させることができる効果がある。更に動圧型
気体軸受け、静圧型気体軸受の様な圧力発生手段を必要
としたいので、設備が複雑化したいだけでなく、表面検
査に有害な昨や振動等を発生させないという卓越した効
果がある、
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例を示す図であり、第1図は本実施例
の構成を説明する図であり、第2図はポリゴンミラーの
動圧型気体軸受を説明する図、第3図(a)は動圧型ラ
ジアル気体軸受を示す図、第3図(b)は動圧型スラス
ト気体軸受を示す図、第4図は本実施例の判別手段の構
成を示す図、第5図は従来の表面検査装置の構成を示す
図、第6図は光ビームの走査方式を説明する図であり、
第7図は気体軸受の原理を説明する図である、 1・・・表面検査装置本体 21・・アルゴンイオンレーザ 24・・ポリゴンミラー 25・・Fθレンズ 28・・動圧型気体軸受 281・動圧型ラジアル気体軸受 282・動圧型スラスト気体軸受 3・・・光ファイバ 4・・・受光手段 8・・・判別手段 10・・被検査ウェーハ 動圧型ラジアル5を体軸骨 動圧型スフ又トえ体軸骨 (b) 第3図 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)略水平に配置され、被検査ウェーハを載置させる
    ための被検査ウェーハ受け部と、該被検査ウェーハに対
    して細い光束を射出するための光源部と、この光源部か
    ら射出した光束を、Fθレンズを介して前記被検査ウェ
    ーハ上に走査させるための回転ミラー部と、この回転ミ
    ラー部を傾いた回転軸で回転させ、前記光源部から射出
    した光束を、Fθレンズを介して前記被検査ウェーハ上
    に走査させるためのセラミックから構成された動圧型気
    体軸受を備えたモータ部と、前記回転ミラー部による走
    査光束により生じた前記被検査ウェーハの散乱光を検出
    するための受光部とから構成されたことを特徴とする表
    面検査装置。
JP23837988A 1988-09-22 1988-09-22 表面検査装置 Pending JPH0287047A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6636302B2 (en) 1994-12-08 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anamolies on surfaces
US6888627B2 (en) 1996-06-04 2005-05-03 Kla-Tencor Corporation Optical scanning system for surface inspection
US7084967B2 (en) 1994-12-08 2006-08-01 KLA —Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5813717A (ja) * 1981-07-15 1983-01-26 Teijin Ltd 合成繊維の製造法
JPS6224439A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Mitsubishi Electric Corp 光信号検出回路
JPS62124447A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Canon Inc 表面状態測定装置
JPS62188945A (ja) * 1986-02-14 1987-08-18 Canon Inc 表面状態測定装置
JPS6392915A (ja) * 1986-10-07 1988-04-23 Ibiden Co Ltd 回転多面鏡

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5813717A (ja) * 1981-07-15 1983-01-26 Teijin Ltd 合成繊維の製造法
JPS6224439A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Mitsubishi Electric Corp 光信号検出回路
JPS62124447A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Canon Inc 表面状態測定装置
JPS62188945A (ja) * 1986-02-14 1987-08-18 Canon Inc 表面状態測定装置
JPS6392915A (ja) * 1986-10-07 1988-04-23 Ibiden Co Ltd 回転多面鏡

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6636302B2 (en) 1994-12-08 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anamolies on surfaces
US7084967B2 (en) 1994-12-08 2006-08-01 KLA —Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US6888627B2 (en) 1996-06-04 2005-05-03 Kla-Tencor Corporation Optical scanning system for surface inspection
US7075637B2 (en) 1996-06-04 2006-07-11 Kla-Tencor Corporation Optical scanning system for surface inspection

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