JPH0282522A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0282522A JPH0282522A JP23404988A JP23404988A JPH0282522A JP H0282522 A JPH0282522 A JP H0282522A JP 23404988 A JP23404988 A JP 23404988A JP 23404988 A JP23404988 A JP 23404988A JP H0282522 A JPH0282522 A JP H0282522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- wafer
- wafer boats
- loaded
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＣＭ明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、縦型熱処理装置に関する。
（従来の技術）
従来、半導体ウェハ等の被処理基板を加熱して薄膜形成
、熱拡散等の処理を施す加熱処理装置としては、反応管
をほぼ水平に配設した横型熱処理装置が主に用いられて
いたが、近年は、反応管をほぼ垂直に配設した縦型熱処
理装置が用いられるようになってきた。
、熱拡散等の処理を施す加熱処理装置としては、反応管
をほぼ水平に配設した横型熱処理装置が主に用いられて
いたが、近年は、反応管をほぼ垂直に配設した縦型熱処
理装置が用いられるようになってきた。
すなわち、このような縦型熱処理装置では、石英等から
なる円筒状の反応管およびその周囲を囲繞する如く設け
られたヒータ、均熱管、断熱材等から構成された反応炉
本体はほぼ垂直に配設されている。そして、処理用基板
保持具、例えば石英製ウェハボートに間隔を設けて積層
する如く多数の半導体ウェハを配置して、例えば上下動
可能とされたボートエレベータによって、反応管内へ下
方から半導体ウェハをロード・アンロードするよう構成
されている。なお、半導体ウェハを搬送する場合、通常
樹脂製の搬送用基板保持具いわゆるウェハカセットを用
いる。このため、このウェハカセットから半導体ウェハ
をウェハボート（処理用基板保持具）に移載する移載装
置も開発されている。
なる円筒状の反応管およびその周囲を囲繞する如く設け
られたヒータ、均熱管、断熱材等から構成された反応炉
本体はほぼ垂直に配設されている。そして、処理用基板
保持具、例えば石英製ウェハボートに間隔を設けて積層
する如く多数の半導体ウェハを配置して、例えば上下動
可能とされたボートエレベータによって、反応管内へ下
方から半導体ウェハをロード・アンロードするよう構成
されている。なお、半導体ウェハを搬送する場合、通常
樹脂製の搬送用基板保持具いわゆるウェハカセットを用
いる。このため、このウェハカセットから半導体ウェハ
をウェハボート（処理用基板保持具）に移載する移載装
置も開発されている。
このような縦型熱処理装置では、反応管内壁とウェハボ
ートとを非接触でロード◆アンロード可能である、占有
面積が少ない、処理半導体ウエハの大口径化が容易であ
る等の利点を有する。
ートとを非接触でロード◆アンロード可能である、占有
面積が少ない、処理半導体ウエハの大口径化が容易であ
る等の利点を有する。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような縦型熱処理装置においても、
さらに設置面積の縮小化あるいは処理能力の向上等が当
然要求される。
さらに設置面積の縮小化あるいは処理能力の向上等が当
然要求される。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることのできる縦型熱
処理装置を提供しようとするものである。
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることのできる縦型熱
処理装置を提供しようとするものである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、ほぼ垂直に設けられた少なくとも２
つの反応炉本体と、これらの反応炉本体の間に設けられ
搬送用基板保持具から処理用基板保持具に被処理基板を
移載する機構と、前記被処理基板を載置された前記処理
用基板保持具を前記各反応炉本体にロード・アンロード
する機構とを備えたことを特徴とする。
つの反応炉本体と、これらの反応炉本体の間に設けられ
搬送用基板保持具から処理用基板保持具に被処理基板を
移載する機構と、前記被処理基板を載置された前記処理
用基板保持具を前記各反応炉本体にロード・アンロード
する機構とを備えたことを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明の縦型熱処理装置では、従来に較べて
設置面積の縮小化および装置コストの低減を可能とし、
生産性の向上を図ることができる。
設置面積の縮小化および装置コストの低減を可能とし、
生産性の向上を図ることができる。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
筐体１は、例えばクリーンルームの境界に沿って水平方
向に接続して設けられた３つの筐体１ ａ ｓｌｂ、ｌ
ｃから構成されている。これらの筐体１ａ−１ｃのうち
、両側に設けられた筐体１ａ１１Ｃ内には、それぞれ例
えば石英等から円筒状に構成された反応管およびその周
囲を囲繞する如く設けられた抵抗加熱ヒータ、均熱管、
断熱材等から構成された２つの反応炉本体２ ａ ｓ
２ ｂがほぼ垂直に配設されている。また、これらの反
応炉本体２ ａ ｓ ２ ｂの下部には、上下動可能に
構成され、反応炉本体２ａ、２ｂ内に、処理用基板保持
具に設けられた被処理基板例えばウェハボート３８％３
ｂに載置された多数の半導体ウェハ４を、ロード・アン
ロードする機構としてボートエレベータ５ａ、５ｂがそ
れぞれ設けられている。
向に接続して設けられた３つの筐体１ ａ ｓｌｂ、ｌ
ｃから構成されている。これらの筐体１ａ−１ｃのうち
、両側に設けられた筐体１ａ１１Ｃ内には、それぞれ例
えば石英等から円筒状に構成された反応管およびその周
囲を囲繞する如く設けられた抵抗加熱ヒータ、均熱管、
断熱材等から構成された２つの反応炉本体２ ａ ｓ
２ ｂがほぼ垂直に配設されている。また、これらの反
応炉本体２ ａ ｓ ２ ｂの下部には、上下動可能に
構成され、反応炉本体２ａ、２ｂ内に、処理用基板保持
具に設けられた被処理基板例えばウェハボート３８％３
ｂに載置された多数の半導体ウェハ４を、ロード・アン
ロードする機構としてボートエレベータ５ａ、５ｂがそ
れぞれ設けられている。
また、上記筐体１８〜１ｃのうち中央に設けられた筐体
１ｂには、複数の搬送用基板保持具、例えば４つのウェ
ハカセット６ａ〜６ｄを載置可能に構成されたウェハカ
セット収容部７が設けられている。そして、この筐体１
ｂ内には、ウェハカセット６ａ〜６ｄから上記ウェハボ
ー）３ａｓ ３ｂに半導体ウェハ４を移載する移載機構
８と、この移載機構８によって半導体ウェハ４を移載さ
れたウェハボート３ａ１３ｂを搬送してボートエレベー
タ５ ａ ｓ ５ ｂ上に載置する搬送機構９が設けら
れている。
１ｂには、複数の搬送用基板保持具、例えば４つのウェ
ハカセット６ａ〜６ｄを載置可能に構成されたウェハカ
セット収容部７が設けられている。そして、この筐体１
ｂ内には、ウェハカセット６ａ〜６ｄから上記ウェハボ
ー）３ａｓ ３ｂに半導体ウェハ４を移載する移載機構
８と、この移載機構８によって半導体ウェハ４を移載さ
れたウェハボート３ａ１３ｂを搬送してボートエレベー
タ５ ａ ｓ ５ ｂ上に載置する搬送機構９が設けら
れている。
上記構成のこの実施例の縦型熱処理装置では、ウェハカ
セット収容部７に配置するウェハカセット６ａ〜６ｄの
うち、例えばウェハカセット６ａに反応炉本体２ａ用の
処理用ウェハ、ウェハカセット６ｂに反応炉本体２ａ用
のダミーウェハを収容し、カセット６ｄに反応炉本体２
ｂ用の処理用ウェハ、ウェハカセット６ｃに反応炉本体
２ｂ用のダミーウェハを収容しておく。
セット収容部７に配置するウェハカセット６ａ〜６ｄの
うち、例えばウェハカセット６ａに反応炉本体２ａ用の
処理用ウェハ、ウェハカセット６ｂに反応炉本体２ａ用
のダミーウェハを収容し、カセット６ｄに反応炉本体２
ｂ用の処理用ウェハ、ウェハカセット６ｃに反応炉本体
２ｂ用のダミーウェハを収容しておく。
そして、移載機構８によって、これらのウェハカセット
６ａ〜６ｄから搬送機構９に保持されたウェハボート３
ａ、３ｂに一枚ずつ移載する。なお、ウェハボート３ａ
、３ｂの上部および下部には、数枚例えば３枚程度ずつ
ダミーウェハを配置し、これらの間に処理用ウェハを複
数例えば２５枚配置するが、連続して処理を行う場合は
、ダミーウェハはウェハボー）３ａ、３ｂに載置したま
まとし、処理用ウェハのみロード・アンロードする。
６ａ〜６ｄから搬送機構９に保持されたウェハボート３
ａ、３ｂに一枚ずつ移載する。なお、ウェハボート３ａ
、３ｂの上部および下部には、数枚例えば３枚程度ずつ
ダミーウェハを配置し、これらの間に処理用ウェハを複
数例えば２５枚配置するが、連続して処理を行う場合は
、ダミーウェハはウェハボー）３ａ、３ｂに載置したま
まとし、処理用ウェハのみロード・アンロードする。
移載機構８による移載が終了すると、次に搬送機構９に
よってウェハボート３ａ、３ｂを搬送してボートエレベ
ータ５ ａ ｓ Ｓ ｂ上に載置し、ボートエレベータ
５ ａ ｓ ５ ｂにより反応炉本体２ａ。
よってウェハボート３ａ、３ｂを搬送してボートエレベ
ータ５ ａ ｓ Ｓ ｂ上に載置し、ボートエレベータ
５ ａ ｓ ５ ｂにより反応炉本体２ａ。
２ｂ内にロードする。この後、反応炉本体２ａ。
２ｂ内を所定温度例えば１２００度程度に加熱し、所定
のガス例えば５ｉＨ２ＣＪ！２、Ｈ２、ＨＣβを流通さ
せて半導体ウェハ４の処理、例えばシリコンエピタキシ
ャル成長を行う。
のガス例えば５ｉＨ２ＣＪ！２、Ｈ２、ＨＣβを流通さ
せて半導体ウェハ４の処理、例えばシリコンエピタキシ
ャル成長を行う。
この時、例えばシリコンエピタキシャル成長の場合、昇
温に例えば３０分、処理に例えば６０分°、降温に例え
ば３０分程度の時間を要する。したがって、最初の処理
を開始する時刻にある程度のずれを設定しておけば、−
台の移載機構８および搬送機構９で順次反応炉本体２
ａ ｓ ２ ｂに半導体ウェハ４をロード・アンロード
することができ、効率良く処理を行うことができる。
温に例えば３０分、処理に例えば６０分°、降温に例え
ば３０分程度の時間を要する。したがって、最初の処理
を開始する時刻にある程度のずれを設定しておけば、−
台の移載機構８および搬送機構９で順次反応炉本体２
ａ ｓ ２ ｂに半導体ウェハ４をロード・アンロード
することができ、効率良く処理を行うことができる。
また、これらの移載機構８および搬送機構９を２つの反
応炉本体２ａ％ ２ｂで共用することにより、従来の縦
型熱処理装置を２台設ける場合に較べて装置の製造コス
トを低減することができるとともに、装置の設置面積の
縮小化を図ることができる。
応炉本体２ａ％ ２ｂで共用することにより、従来の縦
型熱処理装置を２台設ける場合に較べて装置の製造コス
トを低減することができるとともに、装置の設置面積の
縮小化を図ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の縦型熱処理装置によれば
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることができる。
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を示
す上面図、第２図は第１図の正面図である。 １８〜ＩＣ・・・・・・筐体、２ａ、２ｂ・・・・・・
反応炉本体、３ａ、３ｂ・・・・・・ウェハボート、４
・・・・・・半導体ウェハ、５ａ、５ｂ・・・・・・ボ
ートエレベータ、６ａ〜６ｄ・・・・・・ウェハカセッ
ト、７・・・・・・ウェハカセット収容部、８・・・・
・・移載機構、９・・・・・・搬送機構。 出願人 チル相模株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − （ほか１名）
す上面図、第２図は第１図の正面図である。 １８〜ＩＣ・・・・・・筐体、２ａ、２ｂ・・・・・・
反応炉本体、３ａ、３ｂ・・・・・・ウェハボート、４
・・・・・・半導体ウェハ、５ａ、５ｂ・・・・・・ボ
ートエレベータ、６ａ〜６ｄ・・・・・・ウェハカセッ
ト、７・・・・・・ウェハカセット収容部、８・・・・
・・移載機構、９・・・・・・搬送機構。 出願人 チル相模株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − （ほか１名）
Claims (1)
- （１）ほぼ垂直に設けられた少なくとも２つの反応炉本
体と、これらの反応炉本体の間に設けられ搬送用基板保
持具から処理用基板保持具に被処理基板を移載する機構
と、前記被処理基板を載置された前記処理用基板保持具
を前記各反応炉本体にロード・アンロードする機構とを
備えたことを特徴とする縦型熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234049A JP2740849B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234049A JP2740849B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282522A true JPH0282522A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2740849B2 JP2740849B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=16964771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234049A Expired - Lifetime JP2740849B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2740849B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
| US5571325A (en) * | 1992-12-21 | 1996-11-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Subtrate processing apparatus and device for and method of exchanging substrate in substrate processing apparatus |
| JP2007106558A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Duplo Seiko Corp | 搬送装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144821A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 従型熱処理炉用ウエハ移換装置 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63234049A patent/JP2740849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144821A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 従型熱処理炉用ウエハ移換装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137613A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造装置 |
| US5571325A (en) * | 1992-12-21 | 1996-11-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Subtrate processing apparatus and device for and method of exchanging substrate in substrate processing apparatus |
| JP2007106558A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Duplo Seiko Corp | 搬送装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2740849B2 (ja) | 1998-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6607602B1 (en) | Device for processing semiconductor wafers | |
| KR100613171B1 (ko) | 반도체 기판 냉각 방법 및 장치 | |
| US5178639A (en) | Vertical heat-treating apparatus | |
| JP2020188255A (ja) | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 | |
| TWI360183B (ja) | ||
| KR0147387B1 (ko) | 종형 열처리 장치 | |
| JPH0282522A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2004018215A (ja) | フラット・パネル・ディスプレイ用熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP3115164B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2000058438A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0272618A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2784436B2 (ja) | 基板の熱処理方法 | |
| JP2639424B2 (ja) | 搬送方法 | |
| JP2726903B2 (ja) | 熱処理炉用基板保持具の搬送装置 | |
| JP2004055880A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3412735B2 (ja) | ウエーハ熱処理装置 | |
| JP2888369B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2003142552A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0294627A (ja) | 熱処理方法 | |
| JPH02111046A (ja) | ボートへのウエハ移換え方法 | |
| JP2740848B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH0319327A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3976090B2 (ja) | ウエーハ熱処理装置におけるウエーハ装填方法 | |
| JPH02101738A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH10189612A (ja) | 半導体熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090130 Year of fee payment: 11 |