JP2000058438A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JP2000058438A
JP2000058438A JP10242549A JP24254998A JP2000058438A JP 2000058438 A JP2000058438 A JP 2000058438A JP 10242549 A JP10242549 A JP 10242549A JP 24254998 A JP24254998 A JP 24254998A JP 2000058438 A JP2000058438 A JP 2000058438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
substrate
processing
cooling
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10242549A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3517121B2 (ja
Inventor
Yuji Matsuyama
雄二 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP24254998A priority Critical patent/JP3517121B2/ja
Priority to KR1019990027673A priority patent/KR100637943B1/ko
Priority to US09/371,833 priority patent/US6224274B1/en
Publication of JP2000058438A publication Critical patent/JP2000058438A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3517121B2 publication Critical patent/JP3517121B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱による基板上の膜厚変化を防止し，かつ装
置のメインテナンスを容易にする。 【解決手段】 ウェハＷを搬送する第１搬送装置９０
と，第２搬送装置１００とを対向して配置し，第１搬送
装置９０と第２搬送装置１００との間に冷却処理装置群
２０を配置する。第１搬送装置９０の両側に第１熱処理
装置群３０と，第２熱処理装置群５０を配置し，第２搬
送装置１００の両側に第１液処理装置群７０と，第２液
処理装置群８０とを配置する。第１搬送装置９０は，冷
却処理装置群２０と，第１熱処理装置群３０及び第２熱
処理装置群５０に属する各装置の間でウェハＷを搬送
し，第２搬送装置１００は，冷却処理装置群２０と，第
１液処理装置群７０及び第２液処理装置群８０に属する
各装置の間でウェハＷを搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンを露光
した後に，このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は，従来から塗布現像処理装置が使用されている。
【０００３】この塗布現像処理装置には，ウェハを加熱
する加熱装置，加熱処理後のウェハを冷却する冷却装置
と，ウェハに対してレジスト液を塗布してレジスト膜を
形成するレジスト塗布装置およびウェハに現像液を供給
して所定の現像処理を行う現像処理装置の液処理装置と
が個別に備えられている。これらの熱処理装置および液
処理装置に対するウェハの搬送は搬送装置によって行わ
れており，搬送装置にはウェハを保持した状態で各装置
にウェハを搬入出可能なピンセットが上下に例えば３本
装備されている。
【０００４】このうち最上部のピンセットは通常レジス
ト塗布装置からのウェハの搬出専用に使用されており，
処理温度の高い加熱装置に対してウェハを搬入出しない
ようにしている。従って最上部のピンセットは加熱装置
の熱で暖まることがなく，このピンセットに保持された
ウェハは当該ピンセットからの熱の影響を受けないよう
になっている。これにより，温度に敏感なレジスト膜に
熱的な悪影響を与えないようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら今日のウ
ェハの大口径化に応じて，加熱装置や液処理装置等も大
型化する傾向にある。従って，塗布現像処理装置内は加
熱装置や液処理装置がさらに集約配置されるようにな
り，加熱装置から発せられる熱の影響を液処理装置が受
けやすくなる。そして，加熱装置も大型化するために，
加熱装置からより多くの熱が発生するようになる。その
結果，例えばレジスト膜等，処理液の膜厚変化が起こる
おそれが生じる。
【０００６】またピンセットも大型化するために，加熱
装置から搬出されたウェハを保持するピンセットはより
多くの熱を帯びるようになる。従って，このピンセット
に蓄積された熱の影響が，処理液の供給されたウェハ，
例えばレジストが塗布されているウェハに対して及ぶお
それがある。この場合にも，レジスト膜の膜厚変化が起
こるおそれが生じる。
【０００７】さらに塗布現像処理装置内で液処理装置や
加熱装置や搬送装置等を高い集約度で配置すると，メイ
ンテナンスが困難になる。
【０００８】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり，液処理装置や加熱装置等が大型化しても，熱
による処理液の膜厚変化を防止可能な新しい処理装置を
提供することを第１の目的としている。また本発明は，
液処理装置や加熱装置等が集約配置されてもメインテナ
ンスが容易な処理装置を提供することを第２の目的とし
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，基板に対して所定の処理を行う
処理装置であって，基板に処理液を供給して処理を行う
複数の液処理装置と，基板を所定温度に加熱する複数の
加熱装置と，基板を所定温度に冷却する複数の冷却装置
と，基板を搬送する第１の搬送装置と，第２の搬送装置
とを備え，第１の搬送装置と第２の搬送装置は，冷却装
置を挟んで対向して配置され，第１の搬送装置の両側
に，加熱装置が配置され，第２の搬送装置の両側に，液
処理装置が配置され，第１の搬送装置は，加熱装置と冷
却装置との間で基板を搬送するように構成され，第２の
搬送装置は，液処理装置と冷却装置との間で基板を搬送
するように構成されたことを特徴とする，処理装置が提
供される。
【００１０】請求項１に記載の処理装置にあっては，液
処理装置に基板を搬送する第２搬送装置は加熱直後の熱
い基板を搬送することがない。従って，第２搬送装置に
備えられた基板を保持する保持部材は熱を帯びないた
め，この保持部材から発せられる輻射熱で基板上の膜厚
が変化することを防止できる。また，冷却装置を挟んで
各搬送装置が対向して配置され，第１の搬送装置の両側
に加熱装置が，第２の搬送装置の両側に液処理装置が夫
々配置されている。従って，液処理装置と加熱装置との
間に空間が形成され，加熱装置から発せられる熱の伝達
を抑制することができる。その結果，液処理装置に及ぶ
熱の影響を抑えられ，基板に対する所定の液処理が可能
となる。さらに，第１の搬送装置及び第２の搬送装置の
外方側には装置が配置されておらず，また冷却装置の両
側には空間が形成されているために，液処理装置，加熱
装置，冷却装置等のメンテナンスを容易に行うことが可
能である。
【００１１】請求項２によれば，基板に対して所定の処
理を行う処理装置であって，基板に処理液を供給して処
理を行う複数の液処理装置と，基板を所定温度に加熱す
る複数の加熱装置と，前記加熱装置の下方に設けられる
基板の受け渡し部と，基板を所定温度に冷却する複数の
冷却装置と，基板を搬送する第１の搬送装置と，第２の
搬送装置とを備え，第１の搬送装置と第２の搬送装置
は，冷却装置を挟んで対向して配置され，第１の搬送装
置の両側に，加熱装置が配置され，第２の搬送装置の両
側に，液処理装置が配置され，第１の搬送装置は，加熱
装置と冷却装置との間で基板を搬送するように構成さ
れ，第２の搬送装置は，液処理装置と冷却装置との間で
基板を搬送するように構成され，前記各受け渡し部は，
第１の搬送装置側及びその反対側に各々基板の搬入出口
が設けられていることを特徴とする，処理装置が提供さ
れる。
【００１２】請求項２の処理装置にあっては，受け渡し
部に２つの基板の搬入出口が設けられているので，上記
作用効果に加えて，一側にカセットステーションを配置
し，他側に中継部を配置すると，カセットステーション
と中継部との間で基板を円滑に搬送することができる。
【００１３】請求項３によれば，基板に対して所定の処
理を行う処理装置であって，基板に処理液を供給して処
理を行う複数の液処理装置と，基板を所定温度に加熱す
る複数の加熱装置と，前記加熱装置の下方に設けられる
基板の受け渡し部と，基板を所定温度に冷却する複数の
冷却装置と，基板を搬送する第１の搬送装置と，第２の
搬送装置と，基板に対して露光処理を行う露光処理装置
との中継部とを備え，第１の搬送装置と第２の搬送装置
は，冷却装置を挟んで対向して配置され，第１の搬送装
置の両側に，加熱装置が配置され，第２の搬送装置の両
側に，液処理装置が配置され，前記中継部は，第１搬送
装置の外方に配置され，第１の搬送装置は，加熱装置と
冷却装置と中継部との間で基板を搬送するように構成さ
れ，第２の搬送装置は，液処理装置と冷却装置との間で
基板を搬送するように構成され，前記各受け渡し部のう
ち，一の加熱装置の下方に設けられた受け渡し部は，第
１の搬送装置側に基板の搬入出口が設けられ，前記各受
け渡し部のうち，他の加熱装置の下方に設けられた受け
渡し部は，第１の搬送装置側及びその反対側に各々基板
の搬入出口が設けられていることを特徴とする，処理装
置が提供される。
【００１４】請求項３の処理装置にあっては，一の受け
渡し部に２つの搬入出口を設けてあるので，加熱装置の
搬入出口のある側に配置したカセットステーションとこ
の加熱装置との間で基板を円滑に搬送することができ
る。また，加熱装置から第１搬送装置で基板を直接中継
部に搬送することも可能である。その結果，搬送装置の
効率のよい運用が可能になると共に，中継部の簡素化も
図ることができる。
【００１５】請求項４に記載の発明は，請求項１に記載
の処理装置において，前記各加熱装置，各冷却装置，各
液処理装置は多段に積み重ねられていることを特徴とし
ている。かかる構成によれば，加熱装置，冷却装置及び
液処理装置の床占有面積を増大させることなく，基板の
処理能力を増加させることが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき，本発明
の好適な実施の形態について説明する。図１は第１の実
施の形態にかかる塗布現像処理装置の外観を平面から見
た様子を示している。
【００１７】塗布現像処理装置１は，例えば２５枚のウ
ェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置１に
搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出し
たりするためのカセットステーション２と，ウェハＷに
対して枚葉式に所定の処理を施す各種のベーキング装置
やレジスト塗布装置等を多段配置してなる処理ステーシ
ョン３と，この処理ステーション３に隣接する露光装置
４との間でウェハＷの受け渡しを行う中継部としてのイ
ンターフェイス部５とを並列に接続した構成を有してい
る。
【００１８】カセットステーション２では図１に示すよ
うに，載置部となるカセット載置台１０上の位置決め突
起１０ａの位置に複数のカセットＣが，ウェハＷの出入
口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上
下方向）に沿って一列に載置自在である。そして，この
カセットＣの配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に
収納されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能なウェハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動
可能であり，各カセットＣに対して選択的にアクセスで
きるようになっている。このウェハ搬送体１１はθ方向
にも回転自在に構成されており，後述する第１熱処理装
置群３０のエクステンションクーリング装置３１，３２
に対してもウェハＷの搬入出ができるように構成されて
いる。
【００１９】処理ステーション３においては中央部に冷
却処理装置群２０が配置されている。この冷却処理装置
群２０は図２に示すように，ウェハＷを所定温度に冷却
する冷却装置２１，２２，２３，２４が，下から順に例
えば４段に積み重ねられている。これらの冷却装置２
１，２２，２３，２４は基本的に同一の機能及び構成を
有しており，最下段に位置する冷却装置２１について説
明すれば，冷却装置２１は載置したウェハＷを冷却自在
な冷却載置台２５と，冷却載置台２５に設けられた孔２
６からシリンダ２７の駆動で上下動自在に形成された例
えば３本の昇降ピン２８とが備えられている。そして，
冷却載置台２５の内部には，例えば２３℃に温度調整さ
れた恒温水等が流通する循環路（図示せず）が設けられ
ている。これによって，冷却載置台２５上に載置された
ウェハＷは冷却されるようになっている。また最上段の
冷却装置２４の上部には，ウェハＷを載置自在な載置台
２９，２９が多段に備えられている。
【００２０】冷却処理装置群２０の一側には，載置され
たウェハＷを所定温度で熱処理する各種熱処理装置から
なる第１熱処理装置群３０及び第２熱処理装置群５０が
配置されている。第１熱処理装置群３０は図３に示すよ
うに，ウェハＷを待機させると共に，待機中のウェハＷ
を所定温度に冷却可能な受け渡し部としてのエクステン
ションクーリング装置３１，３２と，レジストとウェハ
Ｗとの定着性を高めるアドヒージョン装置３３と，ウェ
ハＷの位置合わせを行うアライメント装置３４と，ウェ
ハＷを待機させるエクステンション装置３５と，レジス
ト塗布後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置
３６，３７，３８と，現像処理後のウェハＷを加熱処理
するポストベーキング装置３９，４０，４１等が，下か
ら順に例えば１０段に重ねられている。そして，エクス
テンションクーリング装置３１には，カセットステーシ
ョン２側にウェハＷが通過自在なウェハ搬入出口４２
と，インターフェイス部５側にウェハＷが通過自在なウ
ェハ搬入出口４３とがそれぞれ設けられており，エクス
テンションクーリング装置３２には，カセットステーシ
ョン２側にウェハ搬入出口４４と，インターフェイス部
５側にウェハ搬入出口４５とがそれぞれ設けられてい
る。第２熱処理装置群５０は，エクステンションクーリ
ング装置５１，５２と，プリベーキング装置５３，５
４，５５と，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポス
トエクスポージャベーキング装置５６，５７と，ポスト
ベーキング装置５８，５９，６０等が，下から順に例え
ば１０段に重ねられている。そして，エクステンション
クーリング装置５１には，カセットステーション２側に
ウェハ搬入出口６１と，インターフェイス部５側にウェ
ハ搬入出口６２とが設けられており，エクステンション
クーリング装置５２には，カセットステーション２側に
ウェハ搬入出口６３と，インターフェイス部５側にウェ
ハ搬入出口６４とが設けられている。
【００２１】冷却処理装置群２０の他側には，ウェハＷ
に対する液処理を行う第１液処理装置群７０と第２液処
理装置群８０とが配置されている。第１液処理装置群７
０は図４に示すように，カップＣＰ内のウェハＷに対し
てレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト
塗布装置７１と，カップＣＰ内のウェハＷに対して現像
液を供給して現像処理する現像処理装置７２，７３とが
下から順に，例えば３段に積み重ねられている。第２液
処理装置群８０は，第１液処理装置群７０の場合と同様
に，レジスト塗布装置８１と，現像処理装置８２，８３
とが下から順に，例えば３段に積み重ねられている。
【００２２】第１熱処理装置群３０と第２熱処理装置群
５０との間には，ウェハＷを搬送する第１搬送装置９０
が配置されており，第１液処理装置群７０と第２液処理
装置群８０との間には第２搬送装置１００が配置されて
いる。第１搬送装置９０と第２搬送装置１００とは基本
的に同一の機能及び構成を有しており，第１搬送装置９
０の構成を図５に基づいて説明すると，第１搬送装置９
０は上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段９
１が装備されている。ウェハ搬送手段９１はモータ９２
の回転駆動力により回転する回転軸９３に支持されてお
り，このウェハ搬送手段９１はθ方向に回転自在となる
ように構成されている。そして，ウェハ搬送手段９１の
搬送基台９４上には，ウェハＷを保持する２本のピンセ
ット９５，９６が各々上下に装備されている。これらの
ピンセット９５，９６は基本的に同一の構成を有してお
り，搬送基台９４に内蔵されたモータ（図示せず）によ
り各々独立して前後移動自在となっている。
【００２３】第１搬送装置９０は，冷却処理装置群２０
と，第１熱処理装置群３０及び第２熱処理装置群５０に
属する各装置との間でウェハＷを搬送するように構成さ
れており，これらの各装置群２０，３０，５０に属する
各種装置に対するウェハＷの搬入出は，ピンセット９
５，９６毎に独立して行うことができるように構成され
ている。第２搬送装置１００は，冷却処理装置群２０
と，第１液処理装置群７０及び第２液処理装置群８０に
属する各装置との間でウェハＷを搬送するように構成さ
れており，これらの各装置群２０，７０，８０に属する
各種装置に対するウェハの搬入出は，ピンセット１０
５，１０６毎に独立して行うことができるようになって
いる。
【００２４】インタフェイス部５には，第２熱処理装置
群５０にアクセス可能なウェハＷを搬送するウェハ搬送
体１１０が設けられている。ウェハ搬送体１１０はレー
ル１１１に沿ったＸ方向，Ｚ方向（図１の垂直方向）の
移動及びθ方向の回転が自在となるように構成されてお
り，露光装置４と，第２熱処理装置群５０に属するエク
ステンションクーリング装置５１，５２との間でウェハ
Ｗを搬送自在となっている。そして，ウェハ搬送体１１
０によるエクステンションクーリング装置５１に対する
ウェハＷの搬入出はウェハ搬入出口６２を通じて行わ
れ，エクステンションクーリング装置５１に対するウェ
ハＷの搬入出はウェハ搬入出口６４を通じて行われる。
【００２５】本発明における第１の実施形態にかかる塗
布現像処理装置１は以上のように構成されており，まず
カセットステーション２においてウェハ搬送体１１がカ
セットＣにアクセスして未処理のウェハＷを１枚取り出
す。次いで，このウェハＷをウェハ搬送体１１が第１熱
処理装置群３０のアライメント装置３４に搬送する。
【００２６】その後，アライメント調整されたウェハＷ
を第１搬送装置９０のピンセット９６に保持させた状態
で，第１熱処理装置群３０内のアドヒージョン装置３３
に搬入する。次いで，疎水化処理が終了したウェハＷを
第１搬送装置９０のピンセット９５に保持させた状態で
冷却処理装置装置群２０に搬送し，例えば冷却装置２１
に搬入する。
【００２７】冷却装置２１の冷却載置台２５上で所定温
度に冷却されたウェハＷは，今度は第２搬送装置１００
のピンセット１０６によって取り出され，第１液処理装
置群７０に属する，例えばレジスト塗布装置７１に搬送
される。このレジスト塗布装置７１でレジスト液が塗布
されたウェハＷは，第２搬送装置１００のピンセット１
０５に保持された状態で，冷却処理装置群２０に設けら
れた載置台２９上に載置される。
【００２８】次いで，このウェハＷは，第１搬送装置９
０のピンセット９６に保持された後，載置台２９から第
２熱処理装置群５０に属する，例えばプリベーキング装
置５３に搬送される。プリベーキング装置５３において
所定の加熱処理が終了したウェハＷは，第１搬送装置９
０のピンセット９５に保持された状態でウェハ搬入出口
６１より進入し，エクステンションクーリング装置５１
に搬入される。その後，このウェハＷはエクステンショ
ンクーリング装置５１にウェハ搬入出口６２から進入し
たウェハ搬送体１１０により取り出されて，露光装置４
に搬送される。そして露光装置４において所定の露光処
理がウェハＷに対して施される。
【００２９】露光処理後のウェハＷはウェハ搬送体１１
０に保持された状態で，ウェハ搬入出口６４を通じて第
２熱処理装置群５０のエクステンションクーリング装置
５２に搬入される。次いで，ウェハＷはエクステンショ
ンクーリング装置５２から第１搬送装置９０のピンセッ
ト９６に保持され，同じ第２熱処理装置群５０内のポス
トエクスポージャベーキング装置５７に搬入され，所定
の加熱処理が施される。
【００３０】かかる加熱処理が施されたウェハＷは第１
搬送装置９０のピンセット９５に保持された状態で，冷
却処理装置群２０に搬送されて冷却装置２３に搬入され
る。冷却装置２３において所定温度まで冷却されたウェ
ハＷは，第２搬送装置１００のピンセット１０６によっ
て冷却装置２３から取り出され，第２液処理装置群８０
に属する現像処理装置８２に搬入される。
【００３１】この現像処理装置８２で現像処理が終了し
たウェハＷは，第２搬送装置１００のピンセット１０５
によって現像処理装置８２から取り出され，そのまま冷
却処理装置群２０に搬送され，載置台２９上に一旦載置
される。その後，ウェハＷは第１搬送装置９０のピンセ
ット９５に保持され，冷却処理装置群２０から第１熱処
理装置群３０に搬送され，第１熱処理装置群３０に属す
るポストベーキング装置４１に搬入され，現像処理後の
加熱処理がウェハＷに対して施される。
【００３２】その後，ウェハＷは第１搬送装置９０のピ
ンセット９６に保持された状態でウェハ搬入出口４５か
らエクステンションクーリング装置３２に搬入され，こ
のエクステンションクーリング装置３２において所定温
度まで冷却処理される。次いで，ウェハＷはウェハ搬入
出口４４を通じてエクステンションクーリング装置３２
からウェハ搬送体１１によって搬出され，その後カセッ
ト載置台１０に搬送される。そしてカセット載置台１０
上に載置された処理後のウェハＷを収納するカセットＣ
に収納される。こうして，一連の塗布現像処理工程を終
了する。
【００３３】本発明の第１実施の形態にかかる塗布現像
処理装置１では，第１搬送装置９０と第２搬送装置１０
０とを分離配置し，第１搬送装置９０は冷却処理装置群
２０と熱処理装置群３０，５０との間でウェハＷを搬送
し，第２搬送装置１００は冷却処理装置群２０と液処理
装置群７０，８０との間でウェハＷを搬送するようにな
っている。従って，第２搬送装置１００のピンセット１
０５，１０６は加熱処理直後の高温のウェハＷを保持す
ることがない。その結果，ピンセット１０５，１０６に
は熱が蓄積せず，ピンセット１０５，１０６からの輻射
熱でウェハＷ上のレジスト膜の膜厚が変化することを防
止することができる。
【００３４】熱処理装置群３０，５０と液処理装置群７
０，８０との間には空間が形成されているために，熱処
理装置群３０，５０に属する加熱装置で発生する熱が液
処理装置群７０，８０に伝わることをこの空間で抑制す
ることができる。従って，液処理装置群７０，８０で
は，ウェハＷに対して所定の熱処理を好適に施すことが
できる。そして，第１搬送装置９０と第２搬送装置１０
０の外方側に他の装置が配置されておらず，また冷却処
理装置群２０の両側に前記空間が形成されているため
に，処理ステーション３に属する各装置のメインテナン
スが容易である。
【００３５】第１熱処理装置群３０のエクステンション
クーリング装置３１に設けられたウェハ搬入出口４２及
びエクステンションクーリング装置３２に設けられたウ
ェハ搬入出口４４により，カセットステーション２と第
１熱処理装置群３０との間でウェハＷの受け渡しが円滑
に行われる。エクステンションクーリング装置３１のウ
ェハ搬入出口４３及びエクステンションクーリング装置
３２のウェハ搬入出口４５により，第１熱処理装置群３
０と第１搬送装置９０との間でウェハＷの受け渡しが円
滑に行われる。また，第２熱処理装置群５０のエクステ
ンションクーリング装置５１に設けられたウェハ搬入出
口６１及びエクステンションクーリング装置５２に設け
られたウェハ搬入出口６３により，第１搬送装置９０と
第２熱処理装置群５０との間でウェハＷの受け渡しが円
滑に行われる。エクステンションクーリング装置５１の
ウェハ搬入出口６２及びエクステンションクーリング装
置５２のウェハ搬入出口６４により，第２熱処理装置群
５０とインターフェイス部５との間でウェハＷの搬送が
円滑に行われる。従って，カセットステーション２から
インターフェイス部５までウェハＷを円滑に搬送するこ
とが可能となる。
【００３６】なお本発明では，カセットステーション
２，処理ステーション３，インターフェイス部５とが並
列に配置された第１の実施の形態にかかる塗布現像処理
装置１以外にも，次に説明する第２の実施の形態にかか
る塗布現像処理装置１２０を提案することが可能であ
る。
【００３７】この塗布現像処理装置１２０は図６に示す
ように，カセットステーション２と処理ステーション３
とを並列に配置し，かつ処理ステーション３に対してイ
ンターフェイス部５を第１搬送装置９０の外方側に配置
している。第２熱処理装置群５０に属するエクステンシ
ョンクーリング装置５１，５２には第１搬送装置９０の
配置する側にだけウェハ搬入出口６１，６３が夫々設け
られている。さらに，インターフェイス部１２１には例
えばウェハＷを載置自在なウェハ載置台１２２，１２
３，１２４が設けられており，これらのウェハ載置台１
２２，１２３，１２４には第１搬送装置９０がアクセス
自在となっている。
【００３８】この塗布現像処理装置１２０によれば，第
２熱処理装置群５０と第２液処理装置群８０との間に空
きスペースが生じ，この空きスペースから冷却処理装置
群２０を始めとする各種装置のメインテナンスを容易に
行うことができる。
【００３９】また第１搬送装置９０によって，第２熱処
理装置群５０とインターフェイス部１２１との間でウェ
ハＷを直接搬送することができるために，このインター
フェイス部１２１には，本発明の第１の実施の形態で記
載したウェハ搬送体１１０が不要となる。従って，イン
ターフェイス部５の更なる構造簡素化を図ることが可能
である。
【００４０】またこのような塗布現像処理装置１２０の
配置により，第２熱処理装置群５０のエクステンション
クーリング装置５１，５２にウェハ搬入出口６２，６４
を夫々設けることが不要となる。従って，エクステンシ
ョンクーリング装置５１，５２の構造簡素化をも図るこ
とができる。
【００４１】なお，上記実施の形態ではウェハＷを基板
として使用した例を挙げて説明したが，本発明に使用さ
れる基板はこれに限らず，例えばＬＣＤ基板等であって
もよい。
【００４２】
【発明の効果】請求項１〜４に記載の発明では，第２の
搬送装置は加熱処理直後の基板を搬送しないために，保
持した基板の輻射熱で暖まることがない。従って，搬送
中にこの輻射熱による基板上の膜厚変化を防止すること
ができる。また，液処理装置と加熱装置との間に形成さ
れる空間により，加熱装置で発生した熱が液処理装置に
対して伝わらず所定の液処理を好適に行うことができ
る。さらに各液処理装置，各加熱装置，各冷却装置のメ
インテナンスも容易である。
【００４３】特に請求項２，３に記載の発明では，受け
渡し部に設けられた２つの搬入出口により，基板の円滑
な搬送が可能となる。
【００４４】特に請求項３に記載の発明では，中継部の
構造簡素化を図ることができる。
【００４５】特に請求項４に記載の発明では，各加熱装
置，各冷却装置，各液処理装置を多段に積み重ねること
により，これらの装置の床占有面積を増大させることな
く，基板の処理能力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる塗布現像処
理装置の平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置に装備された冷却処理
装置群の断面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置に装備された冷却処理
装置群と各熱処理装置群との構成を示す説明図である。
【図４】図１の塗布現像処理装置に装備された各液処理
装置群の構成を示す説明図である。
【図５】図１の塗布現像処理装置に装備された第１搬送
装置の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態にかかる塗布現像処
理装置の平面図である。
【符号の説明】 １ 塗布現像処理装置 ２ カセットステーション ３ 処理ステーション ５ インターフェイス部 ２０ 冷却処理装置群 ３０ 第１熱処理装置群 ５０ 第２熱処理装置群 ７０ 第１液処理装置群 ８０ 第２液処理装置群 ９０ 第１搬送装置 １００ 第２搬送装置 Ｃ カセット Ｗ ウェハ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に対して所定の処理を行う処理装置
    であって，基板に処理液を供給して処理を行う複数の液
    処理装置と，基板を所定温度に加熱する複数の加熱装置
    と，基板を所定温度に冷却する複数の冷却装置と，基板
    を搬送する第１の搬送装置と，第２の搬送装置とを備
    え，第１の搬送装置と第２の搬送装置は，冷却装置を挟
    んで対向して配置され，第１の搬送装置の両側に，加熱
    装置が配置され，第２の搬送装置の両側に，液処理装置
    が配置され，第１の搬送装置は，加熱装置と冷却装置と
    の間で基板を搬送するように構成され，第２の搬送装置
    は，液処理装置と冷却装置との間で基板を搬送するよう
    に構成されたことを特徴とする，処理装置。
  2. 【請求項２】 基板に対して所定の処理を行う処理装置
    であって，基板に処理液を供給して処理を行う複数の液
    処理装置と，基板を所定温度に加熱する複数の加熱装置
    と，前記加熱装置の下方に設けられる基板の受け渡し部
    と，基板を所定温度に冷却する複数の冷却装置と，基板
    を搬送する第１の搬送装置と，第２の搬送装置とを備
    え，第１の搬送装置と第２の搬送装置は，冷却装置を挟
    んで対向して配置され，第１の搬送装置の両側に，加熱
    装置が配置され，第２の搬送装置の両側に，液処理装置
    が配置され，第１の搬送装置は，加熱装置と冷却装置と
    の間で基板を搬送するように構成され，第２の搬送装置
    は，液処理装置と冷却装置との間で基板を搬送するよう
    に構成され，前記各受け渡し部は，第１の搬送装置側及
    びその反対側に各々基板の搬入出口が設けられているこ
    とを特徴とする，処理装置。
  3. 【請求項３】 基板に対して所定の処理を行う処理装置
    であって，基板に処理液を供給して処理を行う複数の液
    処理装置と，基板を所定温度に加熱する複数の加熱装置
    と，前記加熱装置の下方に設けられる基板の受け渡し部
    と，基板を所定温度に冷却する複数の冷却装置と，基板
    を搬送する第１の搬送装置と，第２の搬送装置と，基板
    に対して露光処理を行う露光処理装置との中継部とを備
    え，第１の搬送装置と第２の搬送装置は，冷却装置を挟
    んで対向して配置され，第１の搬送装置の両側に，加熱
    装置が配置され，第２の搬送装置の両側に，液処理装置
    が配置され，前記中継部は，第１搬送装置の外方に配置
    され，第１の搬送装置は，加熱装置と冷却装置と中継部
    との間で基板を搬送するように構成され，第２の搬送装
    置は，液処理装置と冷却装置との間で基板を搬送するよ
    うに構成され，前記各受け渡し部のうち，一の加熱装置
    の下方に設けられた受け渡し部は，第１の搬送装置側に
    基板の搬入出口が設けられ，前記各受け渡し部のうち，
    他の加熱装置の下方に設けられた受け渡し部は，第１の
    搬送装置側及びその反対側に各々基板の搬入出口が設け
    られていることを特徴とする，処理装置。
  4. 【請求項４】 前記各加熱装置，各冷却装置，各液処理
    装置は多段に積み重ねられていることを特徴とする，請
    求項１に記載の処理装置。
JP24254998A 1998-08-12 1998-08-12 処理装置 Expired - Fee Related JP3517121B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24254998A JP3517121B2 (ja) 1998-08-12 1998-08-12 処理装置
KR1019990027673A KR100637943B1 (ko) 1998-08-12 1999-07-09 처리장치
US09/371,833 US6224274B1 (en) 1998-08-12 1999-08-11 Semiconductor processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24254998A JP3517121B2 (ja) 1998-08-12 1998-08-12 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000058438A true JP2000058438A (ja) 2000-02-25
JP3517121B2 JP3517121B2 (ja) 2004-04-05

Family

ID=17090766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24254998A Expired - Fee Related JP3517121B2 (ja) 1998-08-12 1998-08-12 処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6224274B1 (ja)
JP (1) JP3517121B2 (ja)
KR (1) KR100637943B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324599A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Semes Co Ltd ベーク装置
JP2010157586A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 乾燥装置
JP2017041588A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7442386B2 (ja) 2020-05-14 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3517121B2 (ja) * 1998-08-12 2004-04-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6402508B2 (en) * 1999-12-09 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
US6379056B1 (en) * 2000-09-12 2002-04-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
DE10142124A1 (de) * 2001-08-30 2003-03-27 Henkel Kgaa Umhüllte Wirkstoffzubereitung für den Einsatz in teilchenförmigen Wasch- und Reinigungsmitteln
JP2008198879A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS517121A (ja) * 1974-07-05 1976-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Mizushoryosatsukinzaino seizoho
US5826129A (en) * 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3033009B2 (ja) * 1994-09-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
TW309503B (ja) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3069945B2 (ja) * 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3568301B2 (ja) * 1995-11-16 2004-09-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3225344B2 (ja) * 1996-01-26 2001-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2859849B2 (ja) 1996-05-20 1999-02-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
JP3421521B2 (ja) 1996-11-11 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3579228B2 (ja) * 1997-01-24 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH1145928A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19990024867A (ko) * 1997-09-09 1999-04-06 김광교 반도체 제조용 스피너의 웨이퍼 반송장치
JP3517121B2 (ja) * 1998-08-12 2004-04-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324599A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Semes Co Ltd ベーク装置
JP4612015B2 (ja) * 2006-06-02 2011-01-12 株式会社 細美事 ベーク装置
JP2010157586A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 乾燥装置
JP2017041588A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10573546B2 (en) 2015-08-21 2020-02-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP7442386B2 (ja) 2020-05-14 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000016916A (ko) 2000-03-25
US6224274B1 (en) 2001-05-01
KR100637943B1 (ko) 2006-10-23
JP3517121B2 (ja) 2004-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8375884B2 (en) Substrate processing apparatus
JPH1074818A (ja) 処理装置
JP3542919B2 (ja) 基板処理装置
KR100480668B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3774283B2 (ja) 処理システム
US6292250B1 (en) Substrate process apparatus
JP3914690B2 (ja) 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
US6287025B1 (en) Substrate processing apparatus
JP3517121B2 (ja) 処理装置
JP3441681B2 (ja) 処理装置
JP2000353648A (ja) 基板処理装置
JP4083371B2 (ja) 基板処理装置
JP3504822B2 (ja) 基板処理装置および基板処理用露光装置
JP2001168009A (ja) 基板処理装置
JP4053728B2 (ja) 加熱・冷却処理装置及び基板処理装置
JP4021138B2 (ja) 基板処理装置
JP2001168004A (ja) 基板処理装置
KR100666354B1 (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
JP3568301B2 (ja) 基板処理装置
JP3340956B2 (ja) 塗布現像処理装置
JP3340945B2 (ja) 塗布現像処理装置
JP4014192B2 (ja) 基板処理装置
JP3648438B2 (ja) 基板処理装置
JP3639150B2 (ja) 処理装置
JP2007027780A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040122

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100130

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160130

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees