JPH0272618A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
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- JPH0272618A JPH0272618A JP22393088A JP22393088A JPH0272618A JP H0272618 A JPH0272618 A JP H0272618A JP 22393088 A JP22393088 A JP 22393088A JP 22393088 A JP22393088 A JP 22393088A JP H0272618 A JPH0272618 A JP H0272618A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、縦型熱処理装置に関する。
(従来の技術)
従来、半導体ウェハ等の被処理基板を加熱して薄膜形成
、熱拡散等の処理を施す加熱処理装置としては、反応管
をほぼ水平に配設した横型熱処理装置が主に用いられて
いたが、近年は、反応管をほぼ垂直に配設した縦型熱処
理装置が用いられるよう、になってきた。
、熱拡散等の処理を施す加熱処理装置としては、反応管
をほぼ水平に配設した横型熱処理装置が主に用いられて
いたが、近年は、反応管をほぼ垂直に配設した縦型熱処
理装置が用いられるよう、になってきた。
すなわち、このような縦型熱処理装置では、石英等から
なる円筒状の反応管およびその周囲を囲繞する如く設け
られたヒータ、均熱管、断熱材等から構成された反応炉
本体はほぼ垂直に配設されている。そして、処理用基板
保持具、例えば石英製ウェハボートに間隔を設けて積層
する如く多数の半導体ウェハを配置して、例えば上下動
可能とされたボートエレベータによって、反応管内へ下
方から半導体ウェハをロード・アンロードするよう構成
されている。なお、半導体ウエノ\を搬送する場合、通
常樹脂製の搬送用基板保持具いわゆるウェハカセットを
用いる。このため、このウエノλカセットから半導体ウ
ニ/\をウェハボート(処理用基板保持具)に移載する
移載装置も開発されている。
なる円筒状の反応管およびその周囲を囲繞する如く設け
られたヒータ、均熱管、断熱材等から構成された反応炉
本体はほぼ垂直に配設されている。そして、処理用基板
保持具、例えば石英製ウェハボートに間隔を設けて積層
する如く多数の半導体ウェハを配置して、例えば上下動
可能とされたボートエレベータによって、反応管内へ下
方から半導体ウェハをロード・アンロードするよう構成
されている。なお、半導体ウエノ\を搬送する場合、通
常樹脂製の搬送用基板保持具いわゆるウェハカセットを
用いる。このため、このウエノλカセットから半導体ウ
ニ/\をウェハボート(処理用基板保持具)に移載する
移載装置も開発されている。
このような縦型熱処理装置では、反応管内壁とウェハボ
ートとを非接触でロード・アンロード可能である、占有
面積が少ない、処理半導体ウエノ\の大口径化が容易で
ある等の利点を有する。
ートとを非接触でロード・アンロード可能である、占有
面積が少ない、処理半導体ウエノ\の大口径化が容易で
ある等の利点を有する。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような縦型熱処理装置においても、
さらに設置面積の縮小化あるいは処理能力の向上等が当
然要求される。
さらに設置面積の縮小化あるいは処理能力の向上等が当
然要求される。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたものて
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることのできる縦型熱
処理装置を提供しようとするものである。
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることのできる縦型熱
処理装置を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明は、ほぼ垂直に設けられた2つの反応炉
本体と、前記反応炉本体に所定の原料ガスを流通させ該
反応炉本体内に設けられた被処理物に所定の処理を施す
1つの原料ガス流通機構とを有し、前記原料ガス流通機
構からの前記原料ガス流路を切替て、前記2つの反応炉
本体で交互に前記処理を施すよう構成されたことを特徴
とする。
本体と、前記反応炉本体に所定の原料ガスを流通させ該
反応炉本体内に設けられた被処理物に所定の処理を施す
1つの原料ガス流通機構とを有し、前記原料ガス流通機
構からの前記原料ガス流路を切替て、前記2つの反応炉
本体で交互に前記処理を施すよう構成されたことを特徴
とする。
(作 用)
上記構成の本発明の縦型熱処理装置では、従来に較べて
設置面積の縮小化および装置コストの低減を可能とし、
生産性の向上を図ることができる。
設置面積の縮小化および装置コストの低減を可能とし、
生産性の向上を図ることができる。
(実施例)
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
筐体1は、例えばクリーンルーム2とメンテナンスルー
ム3の境界に沿って水平方向に接続して設けられた3つ
の筐体1a、lb、lcから構成されている。これらの
筐体1a〜ICのうち、両側に設けられた筐体1a、I
C内には、それぞれ例えば石英等から円筒状に構成され
た反応管およびその周囲を囲繞する如く設けられた抵抗
加熱ヒタ、均熱管、断熱材等から構成された2つの反応
炉本体4a、4bがほぼ垂直に配設されている。
ム3の境界に沿って水平方向に接続して設けられた3つ
の筐体1a、lb、lcから構成されている。これらの
筐体1a〜ICのうち、両側に設けられた筐体1a、I
C内には、それぞれ例えば石英等から円筒状に構成され
た反応管およびその周囲を囲繞する如く設けられた抵抗
加熱ヒタ、均熱管、断熱材等から構成された2つの反応
炉本体4a、4bがほぼ垂直に配設されている。
また、これらの反応炉本体4 a s 4 bの下部に
は、上下動可能に構成され、反応炉本体4 a % 4
b内に、処理用基板保持具に設けられた被処理基板例
えばウェハボート5a、5bに載置された多数の半導体
ウェハ6を、ロード・アンロードする機構としてボート
エレベータ7a、7bがそれぞれ設けられている。
は、上下動可能に構成され、反応炉本体4 a % 4
b内に、処理用基板保持具に設けられた被処理基板例
えばウェハボート5a、5bに載置された多数の半導体
ウェハ6を、ロード・アンロードする機構としてボート
エレベータ7a、7bがそれぞれ設けられている。
また、上記筐体1a〜ICのうち中央に設けられた筐体
1bには、複数の搬送用基板保持具、例えば4つのウェ
ハカセット8a〜8dを載置可能に構成されたウェハカ
セット収容部9が設けられている。そして、この筐体1
b内には、ウェハカセット8a〜8dから上記ウェハボ
ート5a、5bに半導体ウェハ6を移載する移載機構1
0と、この移載機構10によって半導体ウェハ6を移載
されたウェハボート5a15bを搬送してボートエレベ
ータ7 a % 7 b上に載置する搬送機構11が設
けられている。
1bには、複数の搬送用基板保持具、例えば4つのウェ
ハカセット8a〜8dを載置可能に構成されたウェハカ
セット収容部9が設けられている。そして、この筐体1
b内には、ウェハカセット8a〜8dから上記ウェハボ
ート5a、5bに半導体ウェハ6を移載する移載機構1
0と、この移載機構10によって半導体ウェハ6を移載
されたウェハボート5a15bを搬送してボートエレベ
ータ7 a % 7 b上に載置する搬送機構11が設
けられている。
一方、筐体1の後方、すなわちメンテナンスルーム3内
には、筐体1との間に所定距離を設け、これらの間から
作業員が筐体1内にアクセスしてメンテナンス可能とす
る如くガス流通機構12が配設されている。
には、筐体1との間に所定距離を設け、これらの間から
作業員が筐体1内にアクセスしてメンテナンス可能とす
る如くガス流通機構12が配設されている。
このガス流通機構12は、第3図に示すように、原料ガ
ス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18から
構成された原料ガス流通機構と、バジガス供給系19a
、19bおよび予備真空排気系20a、20bから構成
されたパージガス流通機構とから構成されている。
ス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18から
構成された原料ガス流通機構と、バジガス供給系19a
、19bおよび予備真空排気系20a、20bから構成
されたパージガス流通機構とから構成されている。
すなわち、原料ガス流通機構は、弁系15〜18によっ
て反応炉本体4 a % 4 bのどちらかに切替て、
原料ガス供給系13から供給される所定の原料ガス、例
えばS i H2C,g2 、H2、HCJ2を流通さ
せ、主真空排気系14から排気することにより、半導体
ウェハ6の処理、例えばシリコンエピタキシャル成長を
交互に行うよう構成されている。
て反応炉本体4 a % 4 bのどちらかに切替て、
原料ガス供給系13から供給される所定の原料ガス、例
えばS i H2C,g2 、H2、HCJ2を流通さ
せ、主真空排気系14から排気することにより、半導体
ウェハ6の処理、例えばシリコンエピタキシャル成長を
交互に行うよう構成されている。
また、パージガス流通機構は、反応炉本体4 a s4
bでそれぞれ独立に設けられており、例えば反応炉本体
4aでシリコンエピタキシャル成長を行っている間に、
パージガス供給系19bおよび予備真空排気系20bに
よって例えばN2ガス等のパージガスを反応炉本体4b
に流通させ、原料ガス流通前の準備を行うことができる
よう構成されている。
bでそれぞれ独立に設けられており、例えば反応炉本体
4aでシリコンエピタキシャル成長を行っている間に、
パージガス供給系19bおよび予備真空排気系20bに
よって例えばN2ガス等のパージガスを反応炉本体4b
に流通させ、原料ガス流通前の準備を行うことができる
よう構成されている。
上記構成のこの実施例の縦型熱処理装置では、ウェハカ
セット収容部9に配置するウェハカセット8a〜8dの
うち、例えばウェハカセット8aに反応炉本体4a用の
処理用ウェハ、ウェハカセット8bに反応炉本体4a用
のダミーウェハを収容し、カセット8dに反応炉本体4
b用の処理用ウェハ、ウェハカセット8cに反応炉本体
4b用のダミーウェハを収容しておく。
セット収容部9に配置するウェハカセット8a〜8dの
うち、例えばウェハカセット8aに反応炉本体4a用の
処理用ウェハ、ウェハカセット8bに反応炉本体4a用
のダミーウェハを収容し、カセット8dに反応炉本体4
b用の処理用ウェハ、ウェハカセット8cに反応炉本体
4b用のダミーウェハを収容しておく。
そして、移載機構10によって、これらのウェハカセッ
ト8a〜8dから搬送機構11に保持されたウェハボー
ト5a、5bに一枚ずつ移載する。
ト8a〜8dから搬送機構11に保持されたウェハボー
ト5a、5bに一枚ずつ移載する。
なお、ウェハボート5a、5bの上部および下部には、
数枚ずつダミーウェハを配置し、これらの間に処理用ウ
ェハを複数枚配置するが、連続して処理を行う場合は、
ダミーウェハはウェハボート5a、5bに載置したまま
とし、処理用ウェハのみロード・アンロードする。
数枚ずつダミーウェハを配置し、これらの間に処理用ウ
ェハを複数枚配置するが、連続して処理を行う場合は、
ダミーウェハはウェハボート5a、5bに載置したまま
とし、処理用ウェハのみロード・アンロードする。
移載機構10による移載が終了すると、次に搬送機構1
1によってウェハボート5a、5bを搬送してボートエ
レベータ7 a ’−7b上に載置し、ボートエレベー
タ7a、7bにより反応炉本体4a、4b内にロードす
る。この後、反応炉本体4as4b内を所定温度例えば
1200度程度に加熱し、所定のガス例えば5iH2C
℃2、H2、HCJ2を流通させて半導体ウェハ6の処
理、例えばシリコンエピタキシャル成長を行う。
1によってウェハボート5a、5bを搬送してボートエ
レベータ7 a ’−7b上に載置し、ボートエレベー
タ7a、7bにより反応炉本体4a、4b内にロードす
る。この後、反応炉本体4as4b内を所定温度例えば
1200度程度に加熱し、所定のガス例えば5iH2C
℃2、H2、HCJ2を流通させて半導体ウェハ6の処
理、例えばシリコンエピタキシャル成長を行う。
この時、例えばシリコンエピタキシャル成長の場合、昇
温に例えば30分、処理に例えば60分、降温に例えば
30分程度の時間を要する。したがって、最初の処理を
開始する時刻にある程度のずれを設定しておけば、−台
の移載機構10および搬送機構11で順次反応炉本体4
a、4bに半導体ウェハ6をロード・アンロードし、原
料ガス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18
から構成された原料ガス流通機構によって交互に原料ガ
スを流通させ、この間にもう一方の反応炉本体4b。
温に例えば30分、処理に例えば60分、降温に例えば
30分程度の時間を要する。したがって、最初の処理を
開始する時刻にある程度のずれを設定しておけば、−台
の移載機構10および搬送機構11で順次反応炉本体4
a、4bに半導体ウェハ6をロード・アンロードし、原
料ガス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18
から構成された原料ガス流通機構によって交互に原料ガ
スを流通させ、この間にもう一方の反応炉本体4b。
4aにパージガス供給系19b、19aおよび予備真空
排気系20b、20aから構成されたパジガス流通機構
によりパージガスを流通させ、処理前の準備を行うこと
により、効率良く処理を行うことかできる。
排気系20b、20aから構成されたパジガス流通機構
によりパージガスを流通させ、処理前の準備を行うこと
により、効率良く処理を行うことかできる。
また、これらの移載機構10および搬送機構11と、原
料ガス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18
から構成された原料ガス流通機構とを2つの反応炉本体
4a、4bで共用することにより、従来の縦型熱処理装
置を2台設ける場合に較べて装置の製造コストを低減す
ることができるとともに、装置の設置面積の縮小化を図
ることができる。
料ガス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18
から構成された原料ガス流通機構とを2つの反応炉本体
4a、4bで共用することにより、従来の縦型熱処理装
置を2台設ける場合に較べて装置の製造コストを低減す
ることができるとともに、装置の設置面積の縮小化を図
ることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の縦型熱処理装置によれば
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることかできる。
、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの低
減を可能とし、生産性の向上を図ることかできる。
第1図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を示
す上面図、第2図は第1図の正面図、第3図はガス流通
機構の構成図である。 1a〜1c・・・・・・筐体、2・・・・・・クリーン
ルーム、3・・・・・・メンテナンスルーム、4 a
14 b・・・・・・反応炉本体、5a、5b・・・・
・・ウェハボート、6・・・・・・半導体ウェハ、7a
、7b・・・・・・ボートエレベータ、8a〜8d・・
・・・・ウェハカセット、9・・・・・・ウェハカセッ
ト収容部、10・・・・・・移載機構、11・・・・搬
送機構、12・・・・・・ガス流通機構。 出願人 チル相模株式会社
す上面図、第2図は第1図の正面図、第3図はガス流通
機構の構成図である。 1a〜1c・・・・・・筐体、2・・・・・・クリーン
ルーム、3・・・・・・メンテナンスルーム、4 a
14 b・・・・・・反応炉本体、5a、5b・・・・
・・ウェハボート、6・・・・・・半導体ウェハ、7a
、7b・・・・・・ボートエレベータ、8a〜8d・・
・・・・ウェハカセット、9・・・・・・ウェハカセッ
ト収容部、10・・・・・・移載機構、11・・・・搬
送機構、12・・・・・・ガス流通機構。 出願人 チル相模株式会社
Claims (1)
- (1)ほぼ垂直に設けられた 2つの反応炉本体と、前
記反応炉本体に所定の原料ガスを流通させ該反応炉本体
内に設けられた被処理物に所定の処理を施す1つの原料
ガス流通機構とを有し、前記原料ガス流通機構からの前
記原料ガス流路を切替て、前記2つの反応炉本体で交互
に前記処理を施すよう構成されたことを特徴とする縦型
熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63223930A JP2683673B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63223930A JP2683673B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0272618A true JPH0272618A (ja) | 1990-03-12 |
JP2683673B2 JP2683673B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16805940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63223930A Expired - Fee Related JP2683673B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2683673B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1036189A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-10 | Sony Corp | 気相成長装置 |
JP2008032080A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Inaba Denki Sangyo Co Ltd | 配管用又は配線用化粧ダクト |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62117318A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP63223930A patent/JP2683673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62117318A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1036189A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-10 | Sony Corp | 気相成長装置 |
JP2008032080A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Inaba Denki Sangyo Co Ltd | 配管用又は配線用化粧ダクト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2683673B2 (ja) | 1997-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |