JPH0279430A

JPH0279430A - ウエハの乾燥方法

Info

Publication number: JPH0279430A
Application number: JP23110788A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Yonemura; 均米村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1988-09-14
Filing date: 1988-09-14
Publication date: 1990-03-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、ウェハの乾燥方法に関し、更に詳しくは半
導体シリコンウェハやガラスフォトマスク等の表面に付
着した水滴を除去、乾燥させるための方法に係るもので
ある。

［発明の概要］本発明は、ウェハの乾燥方法において、ウェハをスピン
ナー乾燥するに際し、相対湿度８０％以上の雰囲気で乾
燥を行なうことにより、水滴の自然乾燥を防止し、水が
蒸発してウェハ上に溶解物が残留してできるウォターマ
ークの発生を防止すると共に、ウェハに静電荷が帯電す
るのを防止するようにしたものである。

［従来の技術］従来、この種のウェハの乾燥方法としては、例えば、実
公昭６２−２１００２号及び実公昭６２−２ＩＱ０３号
公報に開示されたものがある。

これら両者とも、ウェハを回転させて水滴を遠心力で振
り切るスピンナー乾燥法を用いるものであって、例えば
、第２図に示す如く、ケーシングｌ内のロータ２にウェ
ハ３を支持し、このロータ２を高速回転させて水滴を吸
気口４側から排気口５側に流れる空気にのせてケーシン
グｌ外へ水を排除させるようになっている。

また、他の方法としては、高純度のイソプロピルアルコ
ール（Ｉ　ＰＡ）の蒸気にウェハを晒し、蒸留されたイ
ソプロピルアルコールをウェハに凝縮させてウェハ表面
上の水がイソプロピルアルコールに置換されるのを待ち
、次にイソプロピルアルコールを蒸発させて、ウェハを
乾燥させるＩＰＡ乾燥が知られている。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、このような従来の乾燥方法においては、
以下のような問題点がある。

スピンナー乾燥法にあっては、ウェハを、撥水性を有す
るテフロンキャリアに乗せることが多く、この場合ウェ
ハに空気との摩擦により静電気が生じ、テフロンキャリ
アが絶縁体であるため、ウェハに空気との摩擦で生じた
静電気が帯電するという問題点があった。また、回転に
より水滴がウェハ表面から振り切られる前に、水が蒸発
し、溶解物がウェハ表面に残留し所謂ウォータマークが
できる問題点がある。なお、ウォータマークの防止対策
としては、回転を２段階にして、先ず低速で回わした後
、高速回転を行なうことや、ケーシング内に固定翼を設
け、振り飛ばされた水滴が再びウェハに戻ってこないよ
うに気流を工夫する対策が講じられているが、根本的な
解決を図ることはできない問題があった。

一方、ＩＰＡ乾燥法においては、凝縮したＩＰＡ中の不
純物が蒸発後に残る問題があり、また、トレンチなどの
ように、段差の奥に入った水の置換が完全に行なえない
などの問題点がある。

本発明は、このような諸問題に着目して成されたもので
あって、ウォータマークができず、しかも静電気が滞り
にくいウェハの乾燥方法を得んとするものである。

［課題を解決するための手段］そこで、本発明は、ウェハをスピンナー乾燥するに際し
、相対湿度８０％以上の雰囲気で乾燥を行なうことを、
その解決手段としている。

［作用］相対湿度８０％以上の雰囲気中でウェハをスピンナー乾
燥することにより、水の蒸発がほとんど無い状態で水滴
を振り切る作用がある。

［実施例］以下、本発明に係るウェハの乾燥方法の詳細を図面に示
す実施例に基づいて説明する。

第１図は、本発明を適用した乾燥装置の断面図である。

図中、１０は略円筒形状のケーシングであり、上端面中
央に吸気口１０ａが、下端面周縁部に排気口１０ｂが設
けられている。そして、ケーシング内Ｏ内には、複数の
ウェハＩｆが収納、支持される円筒形状のロータ１２が
回転駆動軸１３により回転可能に設けられている。

また、ロータ１２の側壁には、多数の孔１２ａが開設さ
れており、ロータ１２が回転した場合にウェハ１１から
振り切られた水滴をロータ１２の外へ排出できるように
なっている。ケーシングｌＯ内には、ロータＩ２を周回
する位置に複数の固定翼１４がケーシングｌＯと一体に
配設されている。

排気口１０ａには、吸気パイプＩ５が導通するように接
続されていて、上流側から清浄空気が導入されるように
なっている。また吸気パイプ１５の中間部は縮径部１５
ａとなっており、この縮径部１５ａ内には水供給装置１
６から純水を供給するノズル１６ａが配されている。こ
のように縮径部１５ａと水供給装置１６とが噴霧装置１
７を構成しており、縮径部１５ａの上流側にはスロット
ルバルブ１８が配設され、下流側にはＨＥＰＡフィルタ
等を応用したミストセパレータ１９が配設されている。

さらに、スロットルバルブ１８の上流側には、加熱ヒー
タ２０が設けられていて、予め加熱させた空気を噴霧装
置１７へ供給することにより霧を水蒸気化させるように
なっている。なお、水蒸気化しきれなかった霧はミスト
セパレータ１９で捕捉されるようになっている。

かかるミストセパレータ１９と前記吸気口１０１との間
には、吸気パイプ１５に、流速センサ２１、温度センサ
２２及び湿度センサ２３が設けられている。

また、ケーシングｌＯ内にも、固定翼１４の外側の空間
に、温度センサ２４及び湿度センサ２５が配されている
。さらに、ケーシングｌＯの外側には、低温ヒータ２６
が配設されている。

このような構成において、先ず、ウェハ１１をロータ１
２の支持部（図示省略）に支持し、吸気パイプ１５側か
らケーシング１０内に水蒸気が混じった空気を導入させ
、ケーシング１０内の相対湿度が８０％以上になったら
回転駆動軸１３を、駆動してロータ１２を回転させる。

このように、ケーシング１０内の雰囲気を相対湿度８０
％以上にすることにより、ウニ／％１１表面の水滴は蒸
発しにくくなり、遠心力による振り切りのみで水滴を飛
ばすこととなり、水に溶けていた不純物がウェハに残る
ことがなくなる。なお、相対湿度は、８０％以上、特に
１００％近い湿度で確実に水の蒸発を抑制する。

このような相対湿度は、流速センサ２１．温度センサ２
２，２４．湿度センサ２３，２５の検出値に基づき、加
熱ヒータ２０．スロットルバルブ１８、水供給装置、空
気導入量等を制御することにより調節することができる
。

以上、実施例について説明したが、この他に各種の設計
変更が可能である。

例えば、上記実施例においては、噴霧装置１７で霧を発
生させているが、超音波を利用した霧発生装置等を用い
ても勿論よい。また、水蒸気を別の手段を用いて吸気パ
イプ１５内に供給してもよい。

［発明の効果］以上の説明で明らかなように、本発明に係るウェハの乾
燥方法においては、相対湿度８０％以上という高い雰囲
気中でスピンナー乾燥させたことにより、ウェハ表面の
水分が蒸発せず、回転による振り切りのみで水分を除去
するため、水分中の不純物がウェハ表面に凝集して付着
するウォータマークが出来るのを防止する効果がある。

そのため、ウェハが用いられる半導体装置などの性能を
向上させる効果がある。

また、このような高い湿度中で乾燥させることにより、
従来におけるような空気（比較的乾いた）との摩擦によ
る静電気の帯電が生じるのを防止する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るウェハの乾燥方法を適用した乾燥
装置を示す断面図、第２図は従来例を示す断面図である
。１１・・・ウェハ、１２・・・ロータ、１５・・・吸気
パイプ、１７・・・噴霧装置、１９・・・ミストセパレ
ータ。ちづアミ　　来　ゼリ第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ウェハをスピンナー乾燥するに際し、相対湿度８
０％以上の雰囲気で乾燥を行なうことを特徴するウェハ
の乾燥方法。