JPH0278431A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH0278431A JPH0278431A JP1141606A JP14160689A JPH0278431A JP H0278431 A JPH0278431 A JP H0278431A JP 1141606 A JP1141606 A JP 1141606A JP 14160689 A JP14160689 A JP 14160689A JP H0278431 A JPH0278431 A JP H0278431A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は処理液供給機構に関する。
(従来の技術)
処理液により所望の処理を行なう工程、例えば半導体の
製造におけるアドヒージョン処理工程においては、クリ
ーンルーム内に設置された半導体製造装置内に処理装置
を設け、処理装置内に設置された半導体ウェハに処理液
を供給して所定の処理を行なう。従来、このような処理
液を、半導体製造装置に内蔵又は隣接配置された貯蔵タ
ンクに貯蔵しておき、この貯蔵タンクから半導体ウェハ
に処理液を供給している。そして、ウェハの処理により
タンク内の処理液貯蔵量が所定量以丁に減少すると、ア
ラームが発せられるようにしておき、オペレータがアラ
ームを確認した時点で、オペレータがクリーンルーム内
に入り、処理液が満たされた新たなタンクに交換する。
製造におけるアドヒージョン処理工程においては、クリ
ーンルーム内に設置された半導体製造装置内に処理装置
を設け、処理装置内に設置された半導体ウェハに処理液
を供給して所定の処理を行なう。従来、このような処理
液を、半導体製造装置に内蔵又は隣接配置された貯蔵タ
ンクに貯蔵しておき、この貯蔵タンクから半導体ウェハ
に処理液を供給している。そして、ウェハの処理により
タンク内の処理液貯蔵量が所定量以丁に減少すると、ア
ラームが発せられるようにしておき、オペレータがアラ
ームを確認した時点で、オペレータがクリーンルーム内
に入り、処理液が満たされた新たなタンクに交換する。
そして、更に交換後の貯蔵タンクに適宜のガスを補充す
る等の予備処理作業を行なう。
る等の予備処理作業を行なう。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、貯蔵タンクの交換をオペレータが行なう
場合には、その期間が長く半導体製造装置の停止時間が
長い。また、オペレータがクリーンルーム内にダストを
持ち込むことになり、クリーンルーム内の清浄度を維持
する観点から好ましくない。更に、処理液の種類によっ
ては人体に有害なものもあり、オペレータに危険が及ぶ
虞がある。
場合には、その期間が長く半導体製造装置の停止時間が
長い。また、オペレータがクリーンルーム内にダストを
持ち込むことになり、クリーンルーム内の清浄度を維持
する観点から好ましくない。更に、処理液の種類によっ
ては人体に有害なものもあり、オペレータに危険が及ぶ
虞がある。
この発明はこのような従来の欠点を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、自動的に処理液の補充及
び予備処理を行なうことができ。
れたものであり、その目的は、自動的に処理液の補充及
び予備処理を行なうことができ。
製造装置の停止時間が短く、クリーンで安全性の高い処
理液供給機構を提供することにある。
理液供給機構を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
この発明に係る処理液供給機構は、処理液を被処理体に
向けて供給する処理液供給装置であって、処理液を貯蔵
する貯蔵手段と、貯蔵手段に貯蔵されている処理液量を
検出するための検出手段と、検出手段による検出に基づ
いて貯蔵手段に自動的に処理液を補充するための補充手
段と、貯蔵手段から被処理体に処理液を供給するための
供給手段とを備えている。
向けて供給する処理液供給装置であって、処理液を貯蔵
する貯蔵手段と、貯蔵手段に貯蔵されている処理液量を
検出するための検出手段と、検出手段による検出に基づ
いて貯蔵手段に自動的に処理液を補充するための補充手
段と、貯蔵手段から被処理体に処理液を供給するための
供給手段とを備えている。
(作 用)
この発明は処理液貯蔵手段が処理液を供給し、処理液貯
蔵手段に貯蔵されている処理液量を検出する検出系を設
けたので、上記処理液態検出値に基づき適宜処理液を補
充する機構にしたので、処理液のメンテナンスが必要時
のみ実行すれば良いのでクリーンルームなどでの作用に
好適である。
蔵手段に貯蔵されている処理液量を検出する検出系を設
けたので、上記処理液態検出値に基づき適宜処理液を補
充する機構にしたので、処理液のメンテナンスが必要時
のみ実行すれば良いのでクリーンルームなどでの作用に
好適である。
必要に応じて貯蔵手段を遠隔地例えばクリーンルーム外
に設置できる。
に設置できる。
(実施例)
以下、この発明を半導体の製造におけるアドヒージョン
処理装置に適用した実施例について、添付図面を参照し
ながら説明する。
処理装置に適用した実施例について、添付図面を参照し
ながら説明する。
第1図はこの発明の実施例に係る処理液供給装置が適用
されたアドヒージョン処理装置を示す概略構成図である
。
されたアドヒージョン処理装置を示す概略構成図である
。
アドヒージョン処理装置本体11は、クリーンルーム1
4内に設置されており、この装置内には処理液、例えば
HMDS (hexamethyldisilazan
e (C113)。
4内に設置されており、この装置内には処理液、例えば
HMDS (hexamethyldisilazan
e (C113)。
5iNllSi (CH3)3)が貯蔵された例えば透
明ガラスで形成されたタンク13が配置されている。
明ガラスで形成されたタンク13が配置されている。
クリーンルーム14の外には、タンク13にM l(D
Sを補充するための予備タンク15が配置されている
。
Sを補充するための予備タンク15が配置されている
。
この予備タンク15内には、HMDSが貯蔵されており
。
。
タンク13内が所定量以下になった際に、この予備タン
ク15からタンク13にHMDSが供給される。なお、
予備タンク15には図示しない処理液供給源から11
M D Sが随時供給されるようになっている。
ク15からタンク13にHMDSが供給される。なお、
予備タンク15には図示しない処理液供給源から11
M D Sが随時供給されるようになっている。
この予備タンク15の上部には、例えば窒素ガスを供給
するガス供給源(図示せず)から延長するガス供給パイ
プ16が接続されており、ガス供給源からパイプ16を
介して予備タンク15に窒素ガスが供給される。
するガス供給源(図示せず)から延長するガス供給パイ
プ16が接続されており、ガス供給源からパイプ16を
介して予備タンク15に窒素ガスが供給される。
また、タンク13には前述のガス供給源から延長するガ
ス供給パイプ19が接続されており、このパイプ19を
介し5てタンク13にも窒素ガスが供給されるようにな
っている。そして、このパイプ19はタンク13の上部
からタンク13内に挿入されており、タンク13の底部
近傍まで延長している。更にパイプ19のガス供給源と
タンク13との間にはガス供給バルブ18が設けられて
いる。そして、バルブ18を開にした状態で、ガス供給
源からパイプ19を介してタンク13に貯蔵されている
+IMDS中に窒素ガスを吹き込み、窒素ガスの気泡2
0を発生させ、この気泡20中にIIMDsが溶解され
る。
ス供給パイプ19が接続されており、このパイプ19を
介し5てタンク13にも窒素ガスが供給されるようにな
っている。そして、このパイプ19はタンク13の上部
からタンク13内に挿入されており、タンク13の底部
近傍まで延長している。更にパイプ19のガス供給源と
タンク13との間にはガス供給バルブ18が設けられて
いる。そして、バルブ18を開にした状態で、ガス供給
源からパイプ19を介してタンク13に貯蔵されている
+IMDS中に窒素ガスを吹き込み、窒素ガスの気泡2
0を発生させ、この気泡20中にIIMDsが溶解され
る。
予備タンク15とタンク13とはパイプ22により接続
されており、パイプ22にはバルブ21が設けられてい
る。パイプ22の一端は予備タンク15内の底部近傍に
位置しており、他端はタンク13内のに部に位置してい
る。そして、バルブ21が開の状態で、HMDSが予備
タンク15内の窒素ガスの圧力により予備タンク16か
らタンク13にパイプ22を通流して供給される。
されており、パイプ22にはバルブ21が設けられてい
る。パイプ22の一端は予備タンク15内の底部近傍に
位置しており、他端はタンク13内のに部に位置してい
る。そして、バルブ21が開の状態で、HMDSが予備
タンク15内の窒素ガスの圧力により予備タンク16か
らタンク13にパイプ22を通流して供給される。
タング13の上方からは、窒素ガスの気泡20に溶解し
た状態のHM D Sをタンク13内から外部に輸送す
るためのパイプ23がその中に挿入されている。このパ
イプ23の一端はタンク13内の上部に位置しており、
他端には切換バルブ24が取付けられている。
た状態のHM D Sをタンク13内から外部に輸送す
るためのパイプ23がその中に挿入されている。このパ
イプ23の一端はタンク13内の上部に位置しており、
他端には切換バルブ24が取付けられている。
切換バルブ24には処理液供給パイプ26及び排気パイ
プ25が接続されており、タンク13から窒素ガス及び
)IMDSが混合状態でパイプ23を通流して、切換バ
ルブ24の動作により、排気パイプ25及び処理液供給
パイプ26のいずれかに導かれる。切換バルブの動作は
、本体11内に設けられたコントローラ27からの信号
に基づいて行われる。
プ25が接続されており、タンク13から窒素ガス及び
)IMDSが混合状態でパイプ23を通流して、切換バ
ルブ24の動作により、排気パイプ25及び処理液供給
パイプ26のいずれかに導かれる。切換バルブの動作は
、本体11内に設けられたコントローラ27からの信号
に基づいて行われる。
処理液供給パイプ26は、半導体ウェハ28を吸着保持
するウェハチャック29を備えた処理部30内に、その
上方から導かれている。そして、ウェハチャック29上
にウェハ28が吸着保持された状態で、パイプ26から
ウェハ28に窒素ガスによってキャリヤされた)IMD
Sが供給され、これによりウェハ28にアドヒージョン
処理が施される。また、チャック29にはヒータ29a
が内蔵されており、必要に応じてヒータ29aによりウ
ェハ28が加熱される。
するウェハチャック29を備えた処理部30内に、その
上方から導かれている。そして、ウェハチャック29上
にウェハ28が吸着保持された状態で、パイプ26から
ウェハ28に窒素ガスによってキャリヤされた)IMD
Sが供給され、これによりウェハ28にアドヒージョン
処理が施される。また、チャック29にはヒータ29a
が内蔵されており、必要に応じてヒータ29aによりウ
ェハ28が加熱される。
タンク13の上端近傍及び下端近傍の外側くは、夫々上
限センサ31及び下限センサ32が設置されており、こ
れらセンサ31及び32からの信号がコントローラ27
に出力されるようになっている。これらセンサ31.3
2は、例えば静電容量型であり、夫々その設置位置をI
IMDsの液面が通過したことを検知する。勿論、光電
型でも電磁型でもよい。この検知信号は、コントローラ
27に出力され、この出力信号に応じてバルブ18.2
1の開閉が制御される。
限センサ31及び下限センサ32が設置されており、こ
れらセンサ31及び32からの信号がコントローラ27
に出力されるようになっている。これらセンサ31.3
2は、例えば静電容量型であり、夫々その設置位置をI
IMDsの液面が通過したことを検知する。勿論、光電
型でも電磁型でもよい。この検知信号は、コントローラ
27に出力され、この出力信号に応じてバルブ18.2
1の開閉が制御される。
つまり、下側のセンサ32がら液面検知信号が出力され
た場合には、バルブ21が開の状態にされ、予備タンク
15からタンク13にl−IMDSが供給される。また
、上側のセンサ31から信号が出力された場合には、バ
ルブ21が閉の状態にされて予備タンク15がらタンク
13への)IMDSの供給が停止され、ガス供給バルブ
18が開の状態にされて、窒素ガスがタンク13内の1
1 M D S中に導入され、ガスバブリングが開始さ
れる。また、上述のように下限センサ32が動作された
場合には、コントローラ27から処理部30に処理停止
信号が出力される。
た場合には、バルブ21が開の状態にされ、予備タンク
15からタンク13にl−IMDSが供給される。また
、上側のセンサ31から信号が出力された場合には、バ
ルブ21が閉の状態にされて予備タンク15がらタンク
13への)IMDSの供給が停止され、ガス供給バルブ
18が開の状態にされて、窒素ガスがタンク13内の1
1 M D S中に導入され、ガスバブリングが開始さ
れる。また、上述のように下限センサ32が動作された
場合には、コントローラ27から処理部30に処理停止
信号が出力される。
コン1〜ローラ27にはタイマー33も接続されており
、このタイマー33により、タンク13の大きさに応し
て窒素ガスバブリングの時間が設定される。
、このタイマー33により、タンク13の大きさに応し
て窒素ガスバブリングの時間が設定される。
すなわち、コントローラ27から、タンク13の大きさ
に応じてタンク内の窒素濃度が所定値になるようなバブ
リング時間の信号がタイマー33に出力されて、タイマ
ー33がその時間に設定される。そして、設定時間経過
後、タイマー33からの信号に基づいてコントローラ2
7によりバルブI8が閉の状態にされ、処理部30に処
理開始信号が出方される。
に応じてタンク内の窒素濃度が所定値になるようなバブ
リング時間の信号がタイマー33に出力されて、タイマ
ー33がその時間に設定される。そして、設定時間経過
後、タイマー33からの信号に基づいてコントローラ2
7によりバルブI8が閉の状態にされ、処理部30に処
理開始信号が出方される。
なお、切換バルブ24はバルブ18が開の状態では排気
の方に接続され、閉の状態では処理部3oに接続される
ようにコントローラ27により制御される。
の方に接続され、閉の状態では処理部3oに接続される
ようにコントローラ27により制御される。
なお、コントローラ27は、cpu (図示せず)によ
って、設定された手順に従って動作される。
って、設定された手順に従って動作される。
次に、このように構成された装置の動作について説明す
る。
る。
ここでは、タンク13内のHMDSの液面がセンサ31
及び32の検知位置の間に位置している状態を初期状態
として説明する。
及び32の検知位置の間に位置している状態を初期状態
として説明する。
先ず、アドヒージョン処理前の半導体ウェハ28を搬送
アームを使用した搬送装置(図示せず)によって処理部
30内に搬入し、ウェハチャック29の所定位置に吸着
保持させる。
アームを使用した搬送装置(図示せず)によって処理部
30内に搬入し、ウェハチャック29の所定位置に吸着
保持させる。
次いで、CPUによりコントローラ27を制御して、切
換バルブ24を処理部30に接続させる。、そして。
換バルブ24を処理部30に接続させる。、そして。
窒素ガスバブリングによりタンク13内で生成された窒
素とHMDSとの混合ガスを、パイプ23、バルブ24
及びパイプ26を通流させて、パイプ26の先端からウ
ェハ28に向けて蒸気状にして所定時間供給する。これ
により、ウェハ28の表面に11 M D Sが塗布さ
れる。IIMDsの塗布により、ウェハ28表面の水分
が除去され、その後の工程、例えばフォ1−レジスト塗
布工程におけるフォトレジストとウェハとの密着性が向
上する。
素とHMDSとの混合ガスを、パイプ23、バルブ24
及びパイプ26を通流させて、パイプ26の先端からウ
ェハ28に向けて蒸気状にして所定時間供給する。これ
により、ウェハ28の表面に11 M D Sが塗布さ
れる。IIMDsの塗布により、ウェハ28表面の水分
が除去され、その後の工程、例えばフォ1−レジスト塗
布工程におけるフォトレジストとウェハとの密着性が向
上する。
なお、HMDS tL−塗布する際に、必要に応じてヒ
ータ29aによりウェハ28を加熱する。
ータ29aによりウェハ28を加熱する。
このようにしてアドヒージョン処理を繰り返すに従って
タンク13内のl(MDSが消費され、タンク13内の
)IMDS貯蔵量が減少する。HMDSの量が減少して
その液面がセンサ32の設置位置を通過すると、コント
ローラ27に検知信号が出力され、更にCPUに出力さ
れる。そして、処理部30においてウェハ28が処理中
であれば処理終了後に、処理中でなければセンサ32の
検知信号を入力された時点で、cpuから処理停止指令
が出され、コントローラ27により処理部に処理停止信
号が出力されて、アドヒージョン処理が一時停止される
。
タンク13内のl(MDSが消費され、タンク13内の
)IMDS貯蔵量が減少する。HMDSの量が減少して
その液面がセンサ32の設置位置を通過すると、コント
ローラ27に検知信号が出力され、更にCPUに出力さ
れる。そして、処理部30においてウェハ28が処理中
であれば処理終了後に、処理中でなければセンサ32の
検知信号を入力された時点で、cpuから処理停止指令
が出され、コントローラ27により処理部に処理停止信
号が出力されて、アドヒージョン処理が一時停止される
。
次いで、液供給バルブ21を開の状態として予備タンク
15から処理液としてのIt M D Sをタンク13
内に自動的に供給する。この際に切換バルブ24は排気
側に接続され、これによりタンク13内を排気して。
15から処理液としてのIt M D Sをタンク13
内に自動的に供給する。この際に切換バルブ24は排気
側に接続され、これによりタンク13内を排気して。
HMDSの補充がスムースに行われるようにする。
+1MDsの補充により、タンク13内の液面位置が上
昇し、センサ31の設置位置を通過するとセンサ31が
液面を検知し、検知信号がコントローラ27に出力され
る。そして、コントローラ27により液供給バルブ21
を閉の状態にし、l(MDSの補充を停止する。
昇し、センサ31の設置位置を通過するとセンサ31が
液面を検知し、検知信号がコントローラ27に出力され
る。そして、コントローラ27により液供給バルブ21
を閉の状態にし、l(MDSの補充を停止する。
また、コントローラ27により切換バルブ24を閉の状
態にしてタンク13内の排気を停止する。
態にしてタンク13内の排気を停止する。
次いで、CPUの指令に基づいて、コントローラ27に
よりガス供給バルブ18を開の状態にして、パイプ19
を通流して窒素ガスをタンク13内のHMDS中に導入
してバブリングを行ない、HM D S中に気泡20を
発生させる。気泡20がタンク13のHMDS内を上昇
する過程で、HMDSが気泡20内に溶は込む。つまり
、気泡20は窒素とHMDSとの混合ガスとなる。この
バブリングをタイマー33の動作時間中続け、タンク1
3内のガス濃度及び圧力を上昇させ、これらを所定値に
設定する。
よりガス供給バルブ18を開の状態にして、パイプ19
を通流して窒素ガスをタンク13内のHMDS中に導入
してバブリングを行ない、HM D S中に気泡20を
発生させる。気泡20がタンク13のHMDS内を上昇
する過程で、HMDSが気泡20内に溶は込む。つまり
、気泡20は窒素とHMDSとの混合ガスとなる。この
バブリングをタイマー33の動作時間中続け、タンク1
3内のガス濃度及び圧力を上昇させ、これらを所定値に
設定する。
コントローラ27によりガス供給バルブ18を閉にして
窒素ガスの供給を停止し、予備処理としてバブリングを
終了する。
窒素ガスの供給を停止し、予備処理としてバブリングを
終了する。
その後、コントローラ27により切換バルブ24を処理
部30に接続させ、ウェハ28の処理を自動的に再開す
る。
部30に接続させ、ウェハ28の処理を自動的に再開す
る。
このように、タンク13への液の補充、予備処理及びア
ドヒージョン処理をオペレータによらずに自動的に行な
うことができるので、オペレータがクリーンルーム14
内で作業する必要がない。従って、オペレータに危険が
及ぶ虞、及びオペレータがクリーンルーム内にダストを
持ち込む虞がなく、また、装置の停止時間も少ない。こ
のため、極めて高効率で所望の処理を行なうことができ
る。
ドヒージョン処理をオペレータによらずに自動的に行な
うことができるので、オペレータがクリーンルーム14
内で作業する必要がない。従って、オペレータに危険が
及ぶ虞、及びオペレータがクリーンルーム内にダストを
持ち込む虞がなく、また、装置の停止時間も少ない。こ
のため、極めて高効率で所望の処理を行なうことができ
る。
なお、この発明は上記実施例に限定されることなく、種
々変形可能である。この実施例では処理液供給装置の主
要部を処理装置の本体内に組み込んだ例について説明し
たが、本体に組み込まず、処理装置と処理液供給装置と
を併設するようにすることもできる。処理液供給装置を
クリーンルーム外に設けることもできる。しかし、この
場合には処理液タンクから処理部までの配管が長くなっ
て処理液が劣化する虞がある。従って、上記実施例のよ
うに処理液供給装置をクリーンルーム内に設置して処理
部にできるだけ近付けることが望ましい。
々変形可能である。この実施例では処理液供給装置の主
要部を処理装置の本体内に組み込んだ例について説明し
たが、本体に組み込まず、処理装置と処理液供給装置と
を併設するようにすることもできる。処理液供給装置を
クリーンルーム外に設けることもできる。しかし、この
場合には処理液タンクから処理部までの配管が長くなっ
て処理液が劣化する虞がある。従って、上記実施例のよ
うに処理液供給装置をクリーンルーム内に設置して処理
部にできるだけ近付けることが望ましい。
また、装置本体内の処理液タンクは複数であっても良い
。例えば、第2図に示すように、タンク41及び42の
2つのタンクを設け、パイプ45.50゜51を通流さ
せて各タンクに窒素ガスを供給し、パイプ46.49.
52を通流させて処理液を各タンクに供給するようにす
る。この場合に、窒素ガスの通流をパイプ50及び51
の間で切換える切換バルブ47゜及び処理液の通流をパ
イプ49及び52の間で切換える切換バルブ48が設け
られている。そして、各タンク41.42内で発生した
混合ガスは夫々パイプ53゜55を通過し、更にパイプ
56を通流して処理部に至る。また、パイプ53及び5
5のいずれかをパイプ56に接続させる切換バルブ54
が設けられている。このようにタンクを複数設けること
により、処理液による処理を一層高効率化することがで
きる。
。例えば、第2図に示すように、タンク41及び42の
2つのタンクを設け、パイプ45.50゜51を通流さ
せて各タンクに窒素ガスを供給し、パイプ46.49.
52を通流させて処理液を各タンクに供給するようにす
る。この場合に、窒素ガスの通流をパイプ50及び51
の間で切換える切換バルブ47゜及び処理液の通流をパ
イプ49及び52の間で切換える切換バルブ48が設け
られている。そして、各タンク41.42内で発生した
混合ガスは夫々パイプ53゜55を通過し、更にパイプ
56を通流して処理部に至る。また、パイプ53及び5
5のいずれかをパイプ56に接続させる切換バルブ54
が設けられている。このようにタンクを複数設けること
により、処理液による処理を一層高効率化することがで
きる。
装置本体内のタンクに液を補充する手段として予備タン
クを用いたが、工場における処理液供給源から直接供給
するように構成することも可能である。
クを用いたが、工場における処理液供給源から直接供給
するように構成することも可能である。
予備タンクからの処理液の輸送をガス圧送としたが、第
3図に示すように、予備タンク15の処理液内にバイブ
ロ1を浸漬し、ポンプ62で処理液を吸い」二げて供給
するようにする等、他の手段を用いることもできる。
3図に示すように、予備タンク15の処理液内にバイブ
ロ1を浸漬し、ポンプ62で処理液を吸い」二げて供給
するようにする等、他の手段を用いることもできる。
処理液としてHMDSを用いたが、これに限らず、現像
液、シンナー、及びレジスト、エツチング液等、種々の
処理液に適用することが可能である。
液、シンナー、及びレジスト、エツチング液等、種々の
処理液に適用することが可能である。
これら処理液は、夫々半導体ウェハのパターン現像処理
、ウェハの洗浄処理、及びウェハへのレジス1〜膜形成
処理に使用される。この場合に、処理部としては各処理
に対応するものが用いられる。
、ウェハの洗浄処理、及びウェハへのレジス1〜膜形成
処理に使用される。この場合に、処理部としては各処理
に対応するものが用いられる。
処理液の処理部への供給は上述のような手段に限らず、
ポンプ圧送、ガス圧送等種々の手段を用いることができ
る。ポンプ圧送の場合には、第4図に示すように、タン
ク13内の処理液にバイブロ3を浸漬してポンプ64で
処理液を吸い上げて処理部に供給する。また、ガス圧送
の場合には、第5図に示すように、バイブロ5によりタ
ンク13内にガスを供給し、その中の処理液に浸漬され
たパイプ66を通流させて処理液を処理部に供給する。
ポンプ圧送、ガス圧送等種々の手段を用いることができ
る。ポンプ圧送の場合には、第4図に示すように、タン
ク13内の処理液にバイブロ3を浸漬してポンプ64で
処理液を吸い上げて処理部に供給する。また、ガス圧送
の場合には、第5図に示すように、バイブロ5によりタ
ンク13内にガスを供給し、その中の処理液に浸漬され
たパイプ66を通流させて処理液を処理部に供給する。
処理液として現像液を用いる場合にはガス圧送が好まし
く、シンナーの場合にはポンプ又はガス圧送、レジスト
の場合にはベローズポンプによるポンプ圧送が好ましい
。
く、シンナーの場合にはポンプ又はガス圧送、レジスト
の場合にはベローズポンプによるポンプ圧送が好ましい
。
予備タンクからの処理液の送出及びl(MDSのキャリ
ヤガスとして窒素ガスを使用したが、これに限らずアル
ガス等他のガスを用いることもできる。
ヤガスとして窒素ガスを使用したが、これに限らずアル
ガス等他のガスを用いることもできる。
センサとして静電容量型のものを使用したが、これに限
らずフロートセンサ及び赤外線センサ等地のものを使用
することもできる。
らずフロートセンサ及び赤外線センサ等地のものを使用
することもできる。
被処理体が半導体ウェハの場合について示したが、これ
に限らすLCD基板等他等他のの処理にも適用すること
ができる。
に限らすLCD基板等他等他のの処理にも適用すること
ができる。
処理容量に排気パイプを持つ場合には、この排気パイプ
はクリーンルーム外に導びかれるもの、この排気パイプ
又は外周に添わせて処理液の供給手段を設置すると、装
置の構成上、極めて有効である。
はクリーンルーム外に導びかれるもの、この排気パイプ
又は外周に添わせて処理液の供給手段を設置すると、装
置の構成上、極めて有効である。
以上説明したようにこの処理液供給装置は、処理液を貯
蔵する貯蔵タンクと、貯蔵タンクに所蔵されている処理
液量を検出するためのセンサと、検出装置が貯蔵タンク
内の処理液量が所定値より、も低くなったことを検出し
た時点で貯蔵タンクに自動的に処理液を補充するための
補充機構と貯蔵タンクから被処理体に処理液を送出する
ための処理液送出機構とを備えている。
蔵する貯蔵タンクと、貯蔵タンクに所蔵されている処理
液量を検出するためのセンサと、検出装置が貯蔵タンク
内の処理液量が所定値より、も低くなったことを検出し
た時点で貯蔵タンクに自動的に処理液を補充するための
補充機構と貯蔵タンクから被処理体に処理液を送出する
ための処理液送出機構とを備えている。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例に係る処理液供給装置1が適
用された処理装置を示す概略構成図、第2図は第1図の
処理液タンクを2つ設けた場合のφ− 配管系を示す図、第3図は第1図装置の予備タンクから
処理液を送出する機構の他の例を示す図。 第4図および第5図は夫々処理液タンクから処理部へ処
理液を供給するための機構の他の例を示す図である。 13 タンク 18・・ガス供給バルブ21
・・液供給バルブ 24・・・切換えバルブ31・・
上限センサ 32・・下限センサ特許出願人 東京
エレクトロン株式会社チル九州株式会社 第1図
用された処理装置を示す概略構成図、第2図は第1図の
処理液タンクを2つ設けた場合のφ− 配管系を示す図、第3図は第1図装置の予備タンクから
処理液を送出する機構の他の例を示す図。 第4図および第5図は夫々処理液タンクから処理部へ処
理液を供給するための機構の他の例を示す図である。 13 タンク 18・・ガス供給バルブ21
・・液供給バルブ 24・・・切換えバルブ31・・
上限センサ 32・・下限センサ特許出願人 東京
エレクトロン株式会社チル九州株式会社 第1図
Claims (1)
- 処理液を被処理体に向けて供給する処理液供給機構にお
いて、処理液を貯蔵する貯蔵手段と、貯蔵手段に貯蔵さ
れている処理液量を検出するための検出手段と、検出手
段による検出に基づいて貯蔵手段に自動的に処理液を補
充するための補充手段と、貯蔵手段から被処理体に処理
液を送出するための処理液送出手段とを備えてなること
を特徴とする処理液供給機構。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13792788 | 1988-06-03 | ||
JP63-137927 | 1988-06-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0278431A true JPH0278431A (ja) | 1990-03-19 |
JP2846891B2 JP2846891B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15209937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1141606A Expired - Lifetime JP2846891B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-06-02 | 処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5035200A (ja) |
JP (1) | JP2846891B2 (ja) |
KR (1) | KR0156237B1 (ja) |
Cited By (1)
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US6119709A (en) * | 1998-09-28 | 2000-09-19 | Tokyo Electron Ltd. | Feeding apparatus and replenishing method of processing solution |
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EP0602595B1 (en) | 1992-12-15 | 1997-07-23 | Applied Materials, Inc. | Vaporizing reactant liquids for CVD |
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1989
- 1989-06-02 JP JP1141606A patent/JP2846891B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-02 KR KR1019890007618A patent/KR0156237B1/ko not_active IP Right Cessation
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1990
- 1990-09-05 US US07/579,251 patent/US5035200A/en not_active Expired - Lifetime
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JP2846891B2 (ja) | 1999-01-13 |
KR900000995A (ko) | 1990-01-31 |
KR0156237B1 (ko) | 1998-12-01 |
US5035200A (en) | 1991-07-30 |
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