JP2001137766A - 処理液供給方法及び処理液供給装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト液を供給する装置において，レジス
ト液中に溶け込んでいる気体を予め除去する。 【解決手段】 床Ｆ下数メートルに位置するリキッドエ
ンドタンク８３から，第１のポンプ８２によって，床Ｆ
上にあるバッファタンク９０までレジスト液を汲み上げ
る機能を有するレジスト液供給装置８０において，第２
の管路９１に第２の弁９４を設け，その第２の弁９４よ
りも低位に，第２の管路９１から分岐する第３の管路９
５と，この第３の管路９５を開閉する第１の弁９６とを
取り付ける。そして，第１のポンプ８２を停止し，第２
の弁９４を閉じ，第１の弁９６を開くと，第２の管路９
１内のレジスト液の自重により，第２の弁９４の直下に
負圧空間が生じ，溶存気体が析出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板に処理液を供
給する処理液供給方法及び処理液供給装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウ
エハ」）の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成する塗布処理が行われている。かかる処理に用いられ
るレジスト液は，床下数メートルに設けられた薬液キャ
ビネットからポンプを使って汲み上げられて，一旦床上
にある供給用一時貯留容器であるバッファタンクに貯留
され，そこから必要に応じてポンプ，エアオペ等の圧送
手段を用いてウェハ上に供給されていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし，ウェハ上に塗
布されるレジスト液は，ポンプで床下数メートルから汲
み上げられる際に，レジスト液にかかる圧力が激しく変
動し，不安定な状態になるため，レジスト液中に液体と
して溶けていた気体，すなわち溶存気体が気化して気泡
が発生する場合がある。また，バッファタンクからウェ
ハに供給する際には，吐出用ポンプで吸引され，バッフ
ァタンク内のレジスト液に対して相対的な負圧が生じる
ので，この時にもレジスト液中に溶けている溶存気体が
発泡するおそれがある。このような気泡を含んだレジス
ト液がそのままウェハ上に塗布されてしまうと，レジス
ト膜が斑なく均一に形成されず，不良品の原因につなが
り，好ましくない。

【０００４】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，レジスト液中に発生する気泡を除去する方法，
及び除去する機能を備えた装置を提供して，前記問題の
解決を図ることをその目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に，請求項１の発明によれば，処理液供給源の処理液を
ポンプによって汲み上げて，前記処理液供給源と供給用
バッファタンクを結ぶ配管を通して，前記処理液供給源
よりも高位，すなわち高い位置にある前記供給用バッフ
ァタンクにまで移送し，この供給用バッファタンクから
基板に処理液を供給する処理液供給方法であって，前記
配管中において，溶存気体を泡として析出させる工程を
有することを特徴とする処理液供給方法が提供される。

【０００６】このように，処理液が前記配管中，すなわ
ち前記供給用バッファタンク移送される前に，溶存気体
を泡として析出させることにより，溶存気体を含有しな
い処理液が供給用バッファタンクから基板に供給される
ため，基板や基板上に形成される処理膜は溶存気体の悪
影響を受けない。

【０００７】請求項２の発明によれば，処理液供給源の
処理液をポンプによって汲み上げて，前記処理液供給源
と供給用バッファタンクを結ぶ配管を通して，前記供給
源よりも高位にある前記供給用バッファタンクにまで移
送し，この供給用バッファタンクからの処理液を基板に
供給する処理液供給方法であって，前記配管から分岐し
た分岐配管と，前記分岐配管に設けられた第１の弁と，
前記配管に設けられ，前記第１の弁よりも高位に位置す
る第２の弁とを有し，前記第１の弁が閉じられ，前記第
２の弁が開かれた状態で，前記ポンプを稼働させ，前記
処理液供給源から処理液を汲み上げる第１の工程と，前
記ポンプを停止し，前記第２の弁を閉じて，前記第１の
弁を開く第２の工程と，前記第１の弁を再び閉じて，前
記第２の弁を開く第３の工程と，前記ポンプを再び稼働
させて，前記処理液を前記供給用バッファタンクに供給
する第４工程とを有することを特徴とする処理液供給方
法が提供される。

【０００８】このように，処理液が前記配管中を通って
汲み上げられている途中において，前記ポンプを停止
し，前記第２の弁を閉じ，前記第１の弁を開くことによ
り，処理液が自重により下がり，配管内の処理液の液柱
の上端面と前記第２の弁との間に相対的な負圧空間が生
じる。その結果，処理液中の溶存気体が，処理液中から
析出して処理液から負圧空間に分離される。従って，こ
の時の配管中の処理液をバッファタンク内に移送するこ
とでバッファタンク内に溶存気体の無い処理液が貯蔵さ
れる。それ故，この処理液が基板上に供給されたときに
は，基板や基板に形成される処理膜に悪影響を与えな
い。なお，前記分岐配管の一端は，開放端となっていて
もよいし，適宜のタンクに連絡されていてもよい。

【０００９】また，請求項３のように前記分岐配管が，
前記ポンプを迂回して前記処理液供給源と連絡されてい
て，請求項２の処理液供給方法が行われても良い。この
場合には，前記分岐配管中の処理液が前記処理液供給源
に戻されて，再度処理液として利用される。

【００１０】請求項４の発明は，処理液供給源の処理液
をポンプによって汲み上げて，前記処理液供給源と供給
用バッファタンクを結ぶ配管を通して，より高位にある
前記供給用バッファタンクにまで移送し，この供給用バ
ッファタンクからの処理液を基板に供給する処理液供給
装置であって，前記配管から分岐した分岐配管と，前記
分岐配管に設けられた第１の弁と，前記配管に設けら
れ，前記第１の弁よりも高位に位置する第２の弁とを有
することを特徴とする処理液供給装置が提供される。な
お，前記分岐配管の一端部は，開放端であっても良い
し，適宜のタンクに連絡されていても良い。

【００１１】請求項４の発明によれば，処理液が前記配
管中を通って汲み上げられている途中において，前記ポ
ンプを停止し，前記第２の弁を閉じ，前記第１の弁を開
くことにより，請求項２の処理液供給方法を適宜に実施
することができる。したがって，バッファタンクからは
溶存気体を含有しない処理液が基板上に供給され，基板
や基板に形成される処理膜に悪影響を与えない。

【００１２】かかる請求項４の処理液供給装置におい
て，請求項５のように，前記分岐配管が前記ポンプを迂
回して，処理液供給源と前記配管とを結ぶように構成さ
れていても良い。このように，分岐配管の端部を処理液
供給源に連絡させることにより，分岐配管中の処理液を
処理液供給源に戻して，再度前記ポンプから前記バッフ
ァタンクへ供給されることができるので，処理液を無駄
にしない。

【００１３】かかる請求項４，５の発明において，請求
項６のように，前記供給用バッファタンクの貯留容積
が，少なくとも前記第１の弁と前記第２の弁間の前記配
管内の容積よりも小さく構成されていても良い。ここ
で，バッファタンクの貯留容積とは，処理液がバッファ
タンクに供給され貯留されることのできる最大の容積で
ある。

【００１４】請求項６の発明によれば，前記バッファタ
ンクの貯留容積から，前記バッファタンクに貯留される
処理液の容積が，常に前記配管において溶存気体の除去
された前記配管中の処理液の容積よりも少なくなる。す
なわち，常に，バッファタンクに供給される処理液は，
溶存気体を含有しない処理液となる。したがって，この
バッファタンクからの処理液が基板に供給されたとき
に，基板や基板上に形成された処理膜に悪影響を与えな
い。

【００１５】請求項７の発明のように，請求項４又は５
において，前記供給用バッファタンクに貯留される処理
液の体積が，少なくとも前記第１の弁と前記第２の弁間
の前記配管内の容積よりも小さく保たれるように前記ポ
ンプを制御する制御手段を有することとしてもよい。

【００１６】請求項７の発明によれば，前記ポンプの制
御手段により，前記配管内において溶存気体を除去され
た処理液のみを前記バッファタンクに供給することが可
能である。したがって，溶存気体を含有しない処理液の
みを前記供給用バッファタンクに貯留することができ
る。それ故，このバッファタンクから基板上に供給され
る処理液によって，基板や基板上に形成された処理膜に
悪影響を与えることはない。

【００１７】かかる請求項７の発明において，請求項８
のように，前記供給用バッファタンクが，液面の高さを
検知する検出手段を有し，前記センサによって検知した
液面の高さに基づいて，前記ポンプを制御してもよい。

【００１８】請求項８の発明では，前記検出手段で検知
した液面の高さに基づき，前記ポンプを制御することに
より，溶存気体を前記配管内で除去した処理液のみがバ
ッファタンクに貯留されるように前記検出手段を設定
し，その貯留量を制御できる。したがって，常に溶存気
体の除去された処理液を基板に供給することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗
布液供給装置を有する塗布現像処理システム１の平面図
であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であ
り，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

【００２０】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００２１】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００２２】ウェハ搬送体７は，後述するように処理ス
テーション３側の第３の処理装置群G３に属するアライ
メント装置３２とエクステンション装置３３に対しても
アクセスできるように構成されている。

【００２３】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺
には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成
している。該塗布現像処理システム１においては，４つ
の処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及
び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面
側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステー
ション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，
インターフェイス部４に隣接して配置されている。さら
にオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を
背面側に別途配置可能となっている。

【００２４】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，２種類のスピンナ型の塗布処理装置，本実施
の形態にかかるレジスト液供給装置を有するレジスト塗
布装置１７と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現
像処理装置１８が下から順に２段に配置されている。第
２の処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１
９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ね
られている

【００２５】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うア
ライメント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステン
ション装置３３，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリ
ベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処理を
施すポストベーキング装置３６，３７等が下から順に例
えば８段に重ねられている。

【００２６】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を
行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４
５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例
えば８段に積み重ねられている。

【００２７】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスできるように構成されてい
る。

【００２８】次に，前記レジスト塗布装置１７について
説明する。図４に示したように，このレジスト塗布装置
１７は，ケーシング１７ａ内に処理中のウェハＷを収容
するカップ６０を有している。このカップ６０は，上方
が開口し、処理中のウェハＷの側方及び下方を包囲して
ウェハＷの周縁から周囲へ飛散する処理液としてのレジ
スト液を回収できるように構成されている。またカップ
６０の底部には，連通接続された排液及び排気用の管路
６１などを有している。このカップ６０内には，ウェハ
Ｗを略水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転するスピン
チャック６２が設けられている。このスピンチャック６
２は，カップ６０外にあるモータ６３によって回転駆動
される。また，スピンチャック６２は，ウェハＷを搬入
出するために図示しない駆動機構により，上下動自在に
構成されている。

【００２９】前記レジスト塗布装置１７内のカップ６０
上方には，例えばウェハＷにレジスト液を供給するレジ
スト液供給ノズル６５と，ウェハＷにレジスト液の溶剤
を供給する溶剤供給ノズル６６が備えられている。レジ
スト液供給ノズル６５は，レジスト液供給装置８０に連
絡されており，このレジスト液供給装置８０から供給さ
れたレジスト液が，レジスト液供給ノズル６５から吐出
されウェハＷ上に塗布されるように構成されている。

【００３０】次に，前記レジスト液供給装置８０につい
て詳しく説明する。図５に示したように，レジスト液
は，塗布現像処理システム１の床Ｆ面の下方数メートル
の地下に設けられている薬液キャビネット８１に貯蔵さ
れている。この薬液キャビネット８１に隣接して，後述
する第１のポンプ８２の空打ちを防止するために，レジ
スト液を一旦貯蔵させておく処理液供給源としてのリキ
ッドエンドタンク８３が設けられている。このリキッド
エンドタンク８３と薬液キャビネット８１とは第１の管
路８４で連絡されている。このリキッドエンドタンク８
３は，外形が円柱形状のタンクであり，上部から補助管
路８５が伸びている。この補助管路８５は，管路８４内
の気体を排除したり，後述する第１のポンプ８２により
レジスト液が吸引されたときに圧力開放するためのもの
である。なお，この補助管路８５には弁８６が取り付け
られている。この管路８４内の気体を排除するプロセス
は，先ず，薬液キャビネット８１を加圧し，弁８６を開
放する。そして，補助管路８５から気体が排除され，気
体が管路８４内に無くなった時点で弁８６を閉じる。最
後に薬液キャビネット８１の加圧を解除して気体の排除
が終了する。また，リキッドエンドタンク８３には，当
該タンク８３内のレジスト液の不足を検出するセンサ８
７が設けられており，レジスト液の水位が所定の位置ま
で下降すると，センサ８７が作動し後述するポンプ制御
装置１００によって，第１のポンプ８２の駆動を停止で
きるように構成されている。

【００３１】リキッドエンドタンク８３は後述するバッ
ファタンク９０と第２の管路９１によって結ばれてい
る。このバッファタンク９０は，リキッドエンドタンク
８３よりも例えば数メートル高い床Ｆ上に置かれてい
る。そして，この第２の管路９１には第１のポンプ８２
が，リキッドエンドタンク８３に隣接して設けられてお
り，この第１のポンプ８２によって，リキッドエンドタ
ンク８３内のレジスト液をバッファタンク９０に汲み上
げることができるように構成されている。また，この第
２の管路９１には，第２の弁９４がバッファタンク９０
に隣接して設けられており，床Ｆ上で第２の管路９１を
開閉できるように構成されている。

【００３２】また，床Ｆ下の第２の管路９１から床Ｆの
下方でかつ第２の弁９４の上流側で分岐配管としての第
３の管路９５が分岐しており，前記第３の管路９５の端
部は前記リキッドエンドタンク８３に通じている。この
第３の管路９５には，第１の弁９６が取り付けられてお
り，第３の管路９５を開閉できるように構成されてい
る。なお，上述したように，第１の弁９６は，第２の弁
９４よりも低位に位置するように構成されている。

【００３３】第１のポンプ８２によって汲み上げられた
レジスト液を一旦貯留する前記バッファタンク９０は，
略円筒形状をなし，その上面には，大気側に通ずる補助
管路９７が設けられており，この補助管路９７には弁９
８が設けられている。また，バッファタンク９０には，
例えばバッファタンク９０内の液面の高さを検出し，所
定の高さになった時点で，第１のポンプ８２の駆動を停
止させる信号を出力する検出手段としてのハイレベル液
面センサ９９ａと，バッファタンク９０内のレジスト液
の不足を検出するローレベル液面センサ９９ｂが取り付
けられている。

【００３４】ここで，バッファタンク９０内の液面が上
昇した場合の前記所定の高さは，例えば，バッファタン
ク９０のレジスト液の量が第２の管路９１の全容積より
も小さくなるような高さに設定されている。そして，こ
のハイレベル液面センサ９９ａによって，バッファタン
ク９０内の液面の高さが所定の高さになると，ポンプ制
御装置１００にそのことを示す信号が出力され，第１の
ポンプ８２が停止される。一方，ローレベル液面センサ
９９ｂは，バッファタンク９０内のレジスト液の不足を
検出し，その信号によって，ポンプ制御装置１００を介
して第１のポンプ８２が稼働される。

【００３５】前記バッファタンク９０の底面とレジスト
塗布装置１７内のレジスト液供給ノズル６５は，第４の
管路１０５で連通されている。この第４の管路１０５に
は，バッファタンク９０側から順に，レジスト液供給ノ
ズル６５へレジスト液を供給するダイアフラム式の第２
のポンプ１０６と，レジスト液内の不純物を除去するフ
ィルタ１０７と，レジスト液供給ノズル６５への供給を
制御する第３の弁１０８とが設けられている。これらの
第２のポンプ１０６，フィルタ１０７及び第３の弁１０
８は，図示しないコントローラにより制御されている。

【００３６】以上のように構成されたレジスト液供給装
置８０の作用を塗布現像処理システム１で行われるウェ
ハＷの塗布現像処理のプロセスと共に説明する。

【００３７】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アラ
イメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３
１，クーリング装置３０に順次搬送される。その後，ウ
ェハＷは，本実施の形態にかかるレジスト液供給装置を
有するレジスト塗布装置１７又１９に搬送される。

【００３８】そして，レジスト塗布装置１７又は１９で
所定のレジスト膜が形成されたウェハＷは，その後プリ
ベーキング装置３３又は３４，エクステンション・クー
リング装置４１に順次搬送される。

【００３９】その後，露光処理，現像処理等が各処理装
置において行われ，一連の所定の塗布現像処理が終了す
る。

【００４０】ここで上述したレジスト塗布装置１７の作
用について詳しく説明する。

【００４１】先ず，前処理が終了したウェハＷが，主搬
送装置１３によって，レジスト塗布装置１７内に搬入さ
れる。そして，ウェハＷは，図示しない駆動機構により
予め上昇して待機していたスピンチャック６２に吸着保
持され，図示しない駆動機構により下降し，カップ６０
内の所定の位置で停止する。その後，モータ６３が駆動
し，ウェハＷが所定の回転数で回転され，先ず溶剤供給
ノズル６６から所定の溶剤がウェハＷに供給される。そ
の後レジスト液供給装置８０により供給されたレジスト
液がレジスト液供給ノズル６５から吐出される。そし
て，所定のレジスト膜が形成されたウェハＷは，再び図
示しない駆動機構により上昇され，主搬送装置１３に受
け渡されてレジスト塗布装置１７から搬出される。

【００４２】ここで，レジスト液供給装置８０の作用に
ついて詳しく説明する。先ず，バッファタンク９０内の
レジスト液の液面が所定の位置まで下がると，ローレベ
ル液面センサ９９ｂが検出し，ポンプ制御装置１００に
そのことを示す信号が送られる。そして，ポンプ制御装
置１００は，第１のポンプ８２にＯＮ信号を出力し，図
６に示すように，第１のポンプ８２が稼働する。そし
て，薬液キャビネット８１のレジスト液が，第１の管路
８４，開放されている第２の弁９４のある第２の管路９
１を通して，バッファタンク９０に汲み上げる。なおこ
のとき，第１の弁９６は閉じられている。なお，ここで
図６，及び後述する図７，図８において，第１の弁９６
及び第２の弁９４は，黒塗りの場合が閉じている状態を
示し，白塗りの場合が開放されている状態を示す。そし
て，バッファタンク９０内の液面が所定の高さになると
ハイレベル液面センサ９９ａが作動し，ポンプ制御装置
１００により，第１のポンプ８２が停止される。

【００４３】次に，図７に示すように，第２の弁９４が
閉じられ，第１の弁９６が開かれる。これによって，第
２の管路９１内に残ったレジスト液が自重によって下降
し，第２の弁９４の直下に落下しようとするレジスト液
に対して相対的な負圧空間Ｔが生じる。そしてこの負圧
により，管路内，すなわち図７中の格子斜線で示した部
分のレジスト液中の溶存気体が泡となって析出し，負圧
空間Ｔに溜まる。また，上述したように自重により下降
したレジスト液の液柱の一端部は，第３の管路９５を通
ってリキットエンド８３まで達し，下降した分だけリキ
ットエンド８３に排出される。その後，再び第１のポン
プ８２によって汲み上げられて塗布液として利用され
る。このようにしてレジスト液から溶存気体が析出され
た後，第１の弁９６が閉じられ，第２の弁９４が開かれ
る。

【００４４】一方，バッファタンク９０からウェハＷ上
へのレジスト液の供給は，先ず，第３の弁１０６が開放
され圧送されたレジスト液が，第４の管路１０５内を通
り，レジスト液供給ノズル６５から吐出されることによ
り行われる。この吐出のタイミングは，レジスト塗布装
置１７内にウェハＷが搬入された後，図示しないコント
ローラにより，第２のポンプ１０６，第３の弁１０８を
制御することにより図られている。

【００４５】次に，バッファタンク９０からウェハＷ上
にレジスト液が供給され，バッファタンク９０内の液面
が所定の位置まで減少すると，再びローレベル液面セン
サ９９ｂ作動し，ポンプ制御装置１００を介して，図８
に示すように，第１のポンプ８２を稼働させる。それに
より，溶存気体が析出されたレジスト液がバッファタン
ク９０内に移送される。この時析出した溶存気体はバッ
ファタンク９０の補助管路９７から排気され，溶存気体
が除去されたレジスト液だけが，バッファタンク９０に
貯留される。そして，所定の液面高さになるとハイレベ
ル液面センサ９９ａが，ポンプ制御装置１００を介して
第１のポンプ８２に信号を送り，バッファタンク９０へ
の供給が停止される。ここで上述したようにバッファタ
ンク９０に貯留されたレジスト液の量が第２の管路９１
の全容積よりも小さい時点でハイレベル液面センサ９９
ａが信号を送るように設定されているため，未だ，第２
の管路９１で溶存気体の除去されていないレジスト液が
バッファタンク９０に流れ込むことはない。したがっ
て，初回以外は，常にバッファタンク９０内には，溶存
気体を取り除いたレジスト液が供給されるように構成さ
れている。

【００４６】以上のプロセスを繰り返すことによって，
第２の管路９１において，溶存気体がレジスト液と分離
され，バッファタンク９０には，溶存気体の含有しない
レジスト液を提供することができる。したがって，例え
ば第２のポンプ１０６によって，第４の管路１０５内に
バッファタンク９０内のレジスト液に対して相対的な負
圧が生じても，溶存気体が発泡することがなく，気泡を
含まないレジスト液がウェハＷ上に供給されるので，斑
のない均一なレジスト膜が形成できる。

【００４７】ここで，前記レジスト液供給装置８０で
は，バッファタンク９０内に溶存気体の分離してあるレ
ジスト液のみが供給されるように，液面センサ９９ａ，
９９ｂを用いてバッファタンク９０内の貯留量を制御し
たが，もともと，第２管路９１内の全容積よりも小さい
容量のバッファタンクを用いても良い。また，一回の汲
み上げで第２の管路９１内のレジスト液を全てバッファ
タンク９０へ汲み上げないように第１のポンプ８２を制
御する制御手段を設けても良い。このようにすること
で，バッファタンク内に貯留されるレジスト液は，常に
溶存気体が取り除かれたものとなり，第２のポンプ１０
６によってウェハＷ上に気泡の発生しにくいレジスト液
が供給される。

【００４８】前記実施の形態では，レジスト液の圧力変
動を利用して溶存気体を泡として析出していたが，例え
ばバッファタンク９０に入れる前の段階でレジスト液の
温度を変化させて溶存気体の泡を析出させるようにして
も良い。また前記実施の形態は，塗布処理装置にレジス
ト液を供給するレジスト液供給装置として具体化されて
いたが，もちろん現像液供給装置等の他の処理液供給装
置としてもよい。さらには，基板はウエハＷであった
が，もちろん方形の他の基板，たとえばＬＣＤ基板の塗
布処理装置に対しても適用可能である。

【００４９】

【発明の効果】請求項１によれば，溶存気体を含有しな
い処理液が供給用バッファタンクから基板に供給される
ため，基板や基板上に形成される膜が溶存気体の悪影響
を受けず，その結果所定のレジスト膜が適切に形成さ
れ，歩留まりの向上が図られる。

【００５０】請求項２〜８の発明によれば，配管中の圧
力変動によって溶存気体を泡として析出させることがで
きる。そしてバッファタンクには，溶存気体が除去され
た処理液のみを供給することができる。従って，基板や
基板に形成される膜に悪影響を与える溶存気体が基板上
に供給されにくくなるので，所定のレジスト膜が形成さ
れ，歩留まりの向上が図られる。

【００５１】さらに請求項６，７，８の発明によれば，
溶存気体を排除した処理液のみが，前記供給用バッファ
タンクに供給されるため，基板や基板上に形成された膜
に悪影響を与えず，さらに歩留まりの向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態にかかるレジスト液供給装置を有
するレジスト塗布装置を備えた塗布現像処理システムの
外観を示す平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】本実施の形態にかかるレジスト液供給装置を有
するレジスト塗布装置の縦断面の説明図である。

【図５】本実施の形態にかかるレジスト液供給装置の説
明図である。

【図６】図５のレジスト液供給装置において，ポンプに
よって，薬液キャビネットからバッファタンクへレジス
ト液を汲み上げている状態を示す要部説明図である。

【図７】図５のレジスト液供給装置において，図６の状
態からポンプを停止させ，第２の弁を閉じ，第１の弁を
開いた状態を示す要部説明図である。

【図８】図５のレジスト液供給装置において，図７の状
態から第１の弁を閉じ，第２の弁を開き，ポンプを再び
作動させた状態を示す要部説明図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １７ レジスト塗布装置 ８０ レジスト液供給装置 ８２ 第１のポンプ ８３ リキットエンドタンク ９０ バッファタンク ９１ 第２の管路 ９４ 第２の弁 ９５ 第３の管路 ９６ 第１の弁 １０６ 第２のポンプ Ｗ ウェハ

フロントページの続き (72)発明者 石坂 信和 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 葉瀬川 泉 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB15 AB16 EA04 4D075 AC64 AC84 AC93 DA06 DC22 EA45 4F042 AA07 BA09 CA01 CA07 CB02 CB08 CB19 CB20 EB00 5F046 JA01 JA03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液供給源の処理液をポンプによって
   汲み上げて，前記処理液供給源と供給用バッファタンク
   を結ぶ配管を通して，前記処理液供給源よりも高位にあ
   る前記供給用バッファタンクにまで移送し，この供給用
   バッファタンクからの処理液を基板に供給する処理液供
   給方法であって，前記配管中において，前記処理液中の
   溶存気体を泡として析出させる工程を有することを特徴
   とする，処理液供給方法。
2. 【請求項２】 処理液供給源の処理液をポンプによって
   汲み上げて，前記処理液供給源と供給用バッファタンク
   を結ぶ配管を通して，前記処理液供給源よりも高位にあ
   る前記供給用バッファタンクにまで移送し，この供給用
   バッファタンクからの処理液を基板に供給する処理液供
   給方法であって，前記配管から分岐した分岐配管と，前
   記分岐配管に設けられた第１の弁と，前記配管に設けら
   れ，前記第１の弁よりも高位に位置する第２の弁とを有
   し，前記第１の弁が閉じられ，前記第２の弁が開かれた
   状態で，前記ポンプを稼働させ，前記処理液供給源から
   処理液を汲み上げる第１の工程と，前記ポンプを停止
   し，前記第２の弁を閉じて，前記第１の弁を開く第２の
   工程と，前記第１の弁を再び閉じて，前記第２の弁を開
   く第３の工程と，前記ポンプを再び稼働させて，前記処
   理液を前記供給用バッファタンクに供給する第４の工程
   とを有することを特徴とする，処理液供給方法。
3. 【請求項３】 処理液供給源の処理液をポンプによって
   汲み上げて，前記処理液供給源と供給用バッファタンク
   を結ぶ配管を通して，前記処理液供給源よりも高位にあ
   る前記供給用バッファタンクにまで移送し，この供給用
   バッファタンクからの処理液を基板に供給する処理液供
   給方法であって，前記ポンプを迂回して前記処理液供給
   源と前記配管とを結ぶ分岐配管と，前記分岐配管に設け
   られた第１の弁と，前記配管に設けられ，前記第１の弁
   よりも高位に位置する第２の弁とを有し，前記第１の弁
   が閉じられ，前記第２の弁が開かれた状態で，前記ポン
   プを稼働させ，前記処理液供給源から処理液を汲み上げ
   る第１の工程と，前記ポンプを停止し，前記第２の弁を
   閉じて，前記第１の弁を開く第２の工程と，前記第１の
   弁を再び閉じて，前記第２の弁を開く第３の工程と，前
   記ポンプを再び稼働させて，前記処理液を前記供給用バ
   ッファタンクに供給する第４の工程とを有することを特
   徴とする，処理液供給方法。
4. 【請求項４】 処理液供給源の処理液をポンプによって
   汲み上げて，前記処理液供給源と供給用バッファタンク
   を結ぶ配管を通して，より高位にある前記供給用バッフ
   ァタンクにまで移送し，この供給用バッファタンクから
   の処理液を基板に供給する処理液供給装置であって，前
   記配管から分岐した分岐配管と，前記分岐配管に設けら
   れた第１の弁と，前記配管に設けられ，前記第１の弁よ
   りも高位に位置する第２の弁とを有することを特徴とす
   る，処理液供給装置。
5. 【請求項５】 前記分岐配管は，前記ポンプを迂回し
   て，前記処理液供給源と前記配管とを結んでいることを
   特徴とする，請求項４に記載の処理液供給装置。
6. 【請求項６】 前記供給用バッファタンクの貯留容積
   は，少なくとも前記第１の弁と前記第２の弁間の前記配
   管内の容積よりも小さく保たれるように構成されている
   ことを特徴とする，請求項４又は５のいずれかに記載の
   処理液供給装置。
7. 【請求項７】 前記供給用バッファタンクに貯留される
   処理液の体積が，少なくとも前記第１の弁と前記第２の
   弁間の前記配管内の容積よりも小さくなるように前記ポ
   ンプを制御する制御手段を有することを特徴とする，請
   求項４又は５のいずれかに記載の処理液供給装置。
8. 【請求項８】 前記供給用バッファタンクは，前記供給
   用バッファタンク内の液面の高さを検知する検出手段を
   有し，前記検出手段によって検知した前記液面の高さに
   基づいて，前記ポンプが制御されるように構成されてい
   ることを特徴とする，請求項７に記載の処理液供給装
   置。