KR0156237B1 - 처리액 공급 장치 - Google Patents

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KR0156237B1
KR0156237B1 KR1019890007618A KR890007618A KR0156237B1 KR 0156237 B1 KR0156237 B1 KR 0156237B1 KR 1019890007618 A KR1019890007618 A KR 1019890007618A KR 890007618 A KR890007618 A KR 890007618A KR 0156237 B1 KR0156237 B1 KR 0156237B1
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유타카 야마히라
유우지 마츠야마
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고다까 토시오
도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤
다카시마 히로시
도오교오 에레구토론 큐우슈우 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용없음.

Description

처리액 공급장치
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 처리액 공급장치가 적용된 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도.
제2도는 본 발명에서 처리액 탱크를 2개 형성한 경우의 배관계통을 나타낸 도면.
제3도는 본 발명에서 예비탱크에서 처리액응ㄹ 반출하는 기구의 다른 예를 나타낸 도면.
제4도, 제5도는 각각 처리액 탱크에서 처리부에로 처리액을 공급하기 위한 기구의 다른예를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 어드히젼(adhesion) 처리 장치의 본체
13 : 탱크 14 : 클린룸(Clean room)
15 : 예비탱크 16 : 가스 공급파이프
18 : 가스공급밸브 19 : 가스공급파이프
20 : 기포 21 : 밸브
22,23 : 파이프 24 : 전환밸브
25 : 배기 파이프 26 : 처리액 공급파이프
27 : 콘트롤러 28 : 반도체 웨이퍼 (피처리체)
29 : 웨이퍼 처크 29a : 히이터
30 : 처리부 31 : 상한 센서
32 : 하한 센서 33 : 타이머
41,42 : 탱크 45,46 : 파이프
47,48 : 전환밸브 49,50,51,52,53 : 파이프
54 : 전환밸브 55,56,61 : 파이프
62 : 펌프 63 : 파이프
64 : 펌프 65,66 : 파이프
본 발명은, 예를들면 반도체의 제조에 있어서의 어드히젼(Adhesion) 처리와 같은 처리액을 사용한 처리를 행할때의 처리액 공급장치에 관한 것이다.
처리액에 의하여 소망의 처리를 행하는 공정, 예를들면 반도체의 제조에 있어서의 어드히젼처리에서는, 클린룸(Clean room) 내에 설치된 반도체 제조장치내에 처리장치를 형성하고, 처리장치내에 설치 된 반도체 웨이퍼에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행한다.
종래에는, 이와같은 처리액을, 반도체 제조장치에 내장 또는 인접 되게 배치된 저장탱크에 저장하여 두고, 이 저장 탱크로부터 반도체 웨이퍼로 처리액을 공급하고 있다.
그리고, 웨이퍼의 처리에 의하여 탱크내의 처리액 저장량이 소정량이하로 감소하면, 경보음을 발생 시키도록 하여두고, 작업자가 경보음을 확인한 시점에서, 작업자가 클린룸내로 들억, 처리액이 충만된 새로운 탱크로 교환한다.
그리고, 또한 교환후의 저장탱크에 적절한 가스를 보충하는 등의 에비처리 작업을 행한다.
그러나, 저장탱크의 교환을 작업자가 행하는 경우에는, 반도체 제조장치의 정지시간이 길어진다.
또한, 작업자가 클린룸내에 먼지를 혼입시키게 되므로, 클린룸내의 청정도를 유지하는 관점에서 바람직하지 못하다.
또한, 처리액의 종류에 따라서는 인체에 유해한 것도 있으므로, 작업자에게 위험을 주게될 우려가 있다.
본 발명은 이와같은 종래의 결점을 해소하기 위하여 이루어진 것으로서, 그의 목적은, 자동적으로 처리액의 보충 및 예비처리를 행할수가 있고, 제조장치의 정지시간이 짧으며, 클린도의 관점에서 안정성이 높은 처리액 공급기구를 제공하는데에 있다.
본 발명에 관한 처리액 공급장치는, 처리액을 피처리체를 향하여 공급하는 처리액 공급장치에 있어서, 처리액을 저장하는 저장수단과, 저장수단에 저장되어 있는 처리액의 량을 검출하기 위한 검출수단과, 검출수단에 의한 검출에 의하여 저장수단에 자동적으로 처리액을 보충하기 위한 보충수단과, 저장수단으로부터 피처리체로 처리액을 공급하기 위한 공급수단과를 구비하고 있다.
[실시예]
다음에, 본 발명을 반도체의 제조에 있어서의 어드히젼(Adhesion)처리장치에 적용한 실시예에 대하여, 첨부한 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 처리액 공급장치가 적용된 어드히젼 처리장치를 나타낸 개략 구성도이다.
어드히젼 처리장치 본체(11)는, 클린룸(14) 내에 설치되어 있고, 이 장치내에는 처리액, 예를들면 HMDS [hexamethyldisilazane(CH3)3SiNESi (CH3)3] 가 저장된 예를들면 투명 유리로 형성된 탱크(13)가 배치되어 있다.
클린룸(14)의 외부에는, 탱크(13)에 HMDS를 보충하기 위한 예비탱크(15)가 배치되어 있다.
이 에비탱크(15) 내에는, HMDS 가 저장되어 있으며, 탱크(13)의 내부가 소정량 이하로 되었을때에, 이 예비 탱크(15)에서 탱크(13)로 HMDS가 공급된다.
또한, 예비탱크(15)에는 도시하지 아니한 처리액 공급원으로부터 HMDS가 수시로 공급되도록 되어 있다.
이 예비탱크(15)의 상부에는 예를들면 질소가스를 공급하는 가스공급원 (도시않됨)으로부터 연장하는 가스 공급파이프(16)가 접속되어 있으며, 가스공급원으로부터 파이프(16)를 통하여 예비탱크(15)로 질소가스가 공급된다.
또한, 탱크(13)에는 상기에서 설명한 가스공급원으로부터 연장하는 가스공급파이프(19)가 접속되어 있으며, 이 파이프(19)를 통하여 탱크(13)에도 질소가스가 공급되도록 되어 있다.
그리고, 이 파이프(19)는 탱크(13)의 상부에서 탱크(13)의 내부로 삽입되어 있으며, 탱크(13)의 바닥부 근방까지 연장되어 있다.
또한 파이프(19)의 가스공급원과 탱크(13)와의 사이에는 가스공급 밸브(18)가 형성되어 있다.
그리고, 밸브(18)를 개방한 상태에서, 가스공급원으로부터 파이프(19)를 통하여 탱크(13)에 저장되어 있는 HMDS중에 질소가스를 뿜어넣어 질소가스의 기포(20)를 발생시키므로, 이 기포(20)중에 HMDS가 용해된다.
에비탱크(15)와 탱크(13)와는 파이프(22)에 의하여 접속되어 있으며, 파이프(22)에는 밸브(21)가 형성되어 있다.
파이프(22)의 한쪽끝단은 예비탱크(15)내의 바닥부 근방에 위치하고 있으며, 다른쪽 끝단은 탱크(13)내의 상부에 위치하고 있다.
그리고, 밸브(21)가 개방된 상태에서, HMDS가 예비탱크(15)내의 질소가스의 압력에 의하여 예비탱크(15)로 부터 탱크(13)로 파이프(22)를 통하여 흘러서 공급된다.
탱크(13)의 윗쪽에서는, 질소가스의 기포(20)에 용해된 HMDS를 탱크(13)의 내부에서 외부로 수송하기 위한 파이프(23)가 그의 가운데에 삽입되어 있다.
이 파이프(23)의 한쪽끝단은 탱크(13)내의 상부에 위치하고 있으며, 다른쪽 끝단에는 전환밸브(24)가 착설되어 있다.
전환밸브(24)에는 처리액 공급 파이프(26)및 배기 파이프(25)가 접속되어 있으며, 탱크(13)로 부터 질소가스 및 HMDS가 혼합된 상태로 파이프(23)를 통하여 흘러, 전환밸브(24)의 동작에 의하여, 배기 파이프(25)및 처리액 공급 파이프(26)중의 어느쪽인가 한쪽으로 도입된다.
전환 밸브의 동작은, 본체(11) 내에 형성된 콘트롤러(27)로 부터의 신호에 의하여 행하여 진다.
처리액 공급파이프(26)는, 반도체 웨이퍼(28)를 흡착하여 보호지지 하는 웨이퍼 처크(29)를 구비한 처리부(30)내로, 그이 윗쪽으로 부터 도입되고 있다.
그리고, 웨이퍼 처크(29) 위에 웨이퍼(28)가 흡착되어 보호 지지된 상태에서, 파이프(26)로 부터 웨이퍼(28)로 질소가스에 의하여 이송된 HMDS가 공급되고, 이것에 의하여 웨이퍼(28)에 어드히젼 처리가 실시된다.
또한, 처크(29)에는 히이터(29a)가 내장되어 있으므로, 필요에 따라 히이터(29a)에의하여 웨이퍼 (28)가 가열된다.
탱크(13)의 윗쪽끝단 근방 및 아래쪽끝단근방의 바깥쪽에는, 각각 상한 센서(31) 및 하한센서(32)가 설치되어 있으며, 이들 센서(31) 및 (32)로 부터의 신호가 콘트롤러(27)로 출력되도록 되어 있다.
이들 센서는, 예를들면 정전용량형이며, 각각 그의 설치면적을 HMDS의 액체의 면이 통과한 것을 검지한다.
이 검지신호는, 콘트롤러(27)로 출력되고, 이 출력에 따라 밸브(18),(21)의 개폐가 제어된다.
즉, 아래쪽의 센서(32)에서 액체의 면을 검지한 신호가 출력되 있을 경우에는, 밸브(21)가 개방상태로 되어, 예비탱크(15)로 부터 탱크(13)로 HMDS가 공급된다.
또한, 윗쪽의 센서(31)에서 신호가 출력되었을 경우에는, 밸브(21)가 폐쇄상태로 되어 예비탱크(15)로 부터 탱크(13)에로의 HMDS의 공급이 정지되고, 가스공급 밸브(18)가 개방상태로 되어, 질소가스가 탱크(13)내의 HMDS 중에 도입되므로, 가스 버블링(bubbling)이 개시된다.
또한, 상기에서 설명한 바와같이 하한센서(32)가 동작되었을 경우에는, 콘트롤러(27)에서 처리부(30)로 처리정지 신호가 출력된다.
콘트롤러(27)에는 타이머(33)도 접속되어 있으며, 이 타이머(33)에 의하여, 탱크(13)의 크기에 따라 질소가스 버블링 시간이 설정된다.
즉, 콘트롤러(27)에서, 탱크(13)의 크기에 따라 탱크내의 질소농도가 소정의 값이 되도록한 버블링시간에 대한 신호가 타이머(33)로 출력되므로, 타이머(33)가 그 시간으로 설정된다.
그리고, 설정시간 경과후, 타이머(33)로 부터의 신호에 따라 콘트롤러(27)에 의하여 밸브(18)가 폐쇄 상태로 되고, 처리부(30)로 처리개시 신호가 출력된다.
또한, 전환밸브(24)는 밸브(18)가 개방된 상태에서는 배기쪽으로 접속되고, 폐쇄된 상태에서는 처리부(30)에 접속되도록 콘트롤러(27)에 의하여 제어된다.
또한, 콘트롤러(27)는, CPU(도시않됨)에 의하여, 설정된 순서에 따라 동작된다.
다음에, 이와같이 구성된 장치의 동작에 대하여 설명한다.
여기에서는, 탱크(13)내의 HMDS의 액체 면이 센서(31) 및 (32)의 검지위치 사이에 위치하고 있는 상태를 초기상태로 하여 설명한다.
우선, 어드히젼 처리전의 반도체 웨이퍼(28)를 반송아암을 사용한 반송장치(도시않됨)에 의하여 처리부(30)내로 반입하여, 웨이퍼처크(29)의 소정위치에 흡착하여 보호지지한다.
이어서, CPU에 의하여 콘트롤러(27)를 제어하여, 전환밸브(24)를 처리부(30)에 접속시킨다.
그리고, 질소가스 버블링에 의하여 탱크(13)내에서 생성된 질소와 HMDS와의 혼합가스를, 파이프(23), 밸브(24) 및 파이프(26)를 통하여 흘려서, 파이프(26)의 앞끝단에서 웨이퍼(28)를 향하여 증기 상태로 소정의 시간동안 공급한다.
이것에 의하여, 웨이퍼(28)의 표면에 HMDS가 도포된다.
HMDS의 도포에 의하여, 웨이퍼(28)표면의 수분이 제거되고, 그 후의 공정, 예를들면 포토레지스트 도포공정에 있어서의 포토레지스트와 웨이퍼와의 밀착성이 향상된다.
또한, HMDS를 도포할때에, 필요에 따라 히이터(29a)에 의하여 웨이퍼(28)를 가열한다.
이와같이하여 어드히젼 처리를 반복함에 따라 탱크(13) 내의 HMDS가 소비되므로, 탱크(13)내의 HMDS 저장량이 감소한다.
HMDS의 량이 감소하여 그의 액체면이 센서(32)의 설정위치를 통과하면, 콘트롤러(27)로 검지신호가출력되고 또한 CPU로 출력된다.
그리고, 처리부(30)에서 웨이퍼(28)가 처리중이면 처리가 종료한 후에, 처리중이 아니면 센서(32)의 검지신호가 입력된 시점에서, CPU에서 처리정지 지령이 출력되므로, 콘트롤러(27)에 의하여 처리부로 처리정지 신호가 출력되어, 어드히젼 처리가 일시정지된다.
이어서, 액체공급밸브(21)를 개방상태로 하여 예비탱크(15)에서 처리액으로서의 HMDS를 탱크(13)내에 자동적으로 공급된다. 이때에 전환밸브(24)는 배기쪽으로 접속되고, 이것에 의하여 탱크(13)내를 배기하여, HMDS의 보충이 원활하게 행하여지도록 한다.
HMDS의 보충에 의하여, 탱크(13)내의 액체면 위치가 상승하여, 센서(31)의 설치위치를 통과하면 센서(31)가 액체면을 검지하므로, 검지신호가 콘트롤러(27)로 출력된다.
그리고, 콘트롤러(27)에 의하여 액체공급밸브(21)를 폐쇄상태로 하여, HMDS의 보충을 정지한다.
또한, 콘트롤러(27)에 의하여 전환 밸브(24)를 폐쇄상태로 하여 탱크(13)내의 배기를 정지한다.
다음에, CPU의 지령에 따라, 콘트롤러(27)에 의하여 가스 공급밸브(18)를 개방상태로 하여, 파이프(19)를 통하여 흘러서 질소가스를 탱크(13)내의 HMDS중에 도입하여 버블링을 행하여, HMDS 중에 기포(20)를 발생시킨다.
기포(20)가 탱크(13)의 HMDS내에서 상승되는 과정에서, HMDS가 기포(20)내에 융합된다.
즉, 기포(20)는 질소와 HMDS와의 혼합가스로 된다.
이 버블링을 타이머(33)의 동작시간중에 계속적으로 행하여, 탱크(13)내의 가스농도 및 압력을 상승시키고, 이들을 소정의 값으로 설정한다.
콘트롤러(27)에 의하여 가스공급 밸브(18)를 폐쇄하여 질소가스의 공급을 정지하여, 예비처리로서의 버블링을 종료한다.
그후에, 콘트롤러(27)에 의하여 전환밸브(24)를 처리부(30)에 접속시켜, 웨이퍼(28)의 처리를 자동적으로 재개한다.
이와같이, 탱크(13)에로의 액체의 보충, 예비처리 및 어드히젼 처리를 작업자에 의하지 않고 자동적으로 행할수가 있기 때문에, 작업자가 클린룸(14) 내에서 작업할 필요가 없다.
따라서, 작업자에게 위험이 미칠 우려 및 작업자가 클린룸내에 먼지를 혼입시킬 우려가 없고, 또한, 장치의 정지시간도 짧다.
이로 인하여, 매우 높은 효율로서 소망의 처리를 행할수가 있다.
또한, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것만은 아니고, 여러 종류의 변형이 가능하다.
이 실시예에서는 처리액 공급장치의 주요부를 처리장치의 본체내에 조립한예에 대하여 설명하였지만, 본체에 조립하지 않고, 처리장치와 처리액공급장치와를 병행하여 설치하도록 할수도 있다.
처리액 공급장치를 클린룸의 외부에 형성할수도 있다.
그러나, 이 경우에는 처리액 탱크에서 처리부까지의 배관이 길게되어 처리액이 열화(劣化)될 우려가 있다.
따라서, 상기한 실시예와 같이 처리액 공급장치를 클린룸내에 설치하여 될수 있는한 처리부 근방에 부착하는 것이 바람직하다.
또한, 장치 본체내의 처리액 탱크는 복수개이어도 좋다.
예를들면, 제2도에 나타낸 바와같이, 탱크(41) 및 (42)의 2개의 탱크를 형성하고, 파이프(45),(50),(51)를 통하여 흘러서 각 탱크에 질소가스를 공급하고, 파이프 (46,)(49),(52)를 통하여 흘러서 처리액을 각 탱크에 공급하도록 한다.
이 경우에, 질소가스의 통하여 흐름을 파이프(50) 및 (51) 사이에서 전환하는 전환밸브(47), 및 처리액의 통하여 흐름을 파이프(49) 및 (52)의 사이에서 전환하는 전환밸브(48)가 형성되어 있다.
그리고, 각 탱크내에서 발생한 혼합가스는 각각 파이프 (53), (55)를 통과하고, 또한 파이프(56)를 통하여 흘러서 처리부에 도달한다.
또한 파이프(53) 및 (55)중의 어느쪽인가 한쪽을 파이프(56)에 접속시키는 전환 밸브(54)가 형성되어 있다.
이와같이 탱크를 복수개 형성함으로써, 처리액에 의한 처리를 한층더고 효율화할수가 있다.
장치 본체내의 탱크에 액체를 보충하는 수단으로서 예비탱크를 사용하였지만, 공장에서의 처리액 공급원으로 부터 직접 공급하도록 구성하는 것도 가능하다.
예비 탱크로 부터의 처리액의 수송을 가스압력에 의한 이송으로 하였지만, 제3도에 나타낸 바와같이, 예비탱크(15)의 처리액내에 파이프(61)를 침지하고, 펌프(62)로 처리액을 빨아올려서 공급하도록 하는 등, 다른 수단을 사용할 수도 있다.
처리액으로서 HMDS를 사용하였지만, 이것에 한정하지 않고, 현상액 신나 및 레지스트등, 여러종류의 처리액을 적절하게 사용하는 것이 가능하다.
이들 처리액은, 각각 반도체 웨이퍼의 패턴현상처리 웨이퍼의 세정처리, 및 웨이퍼에로의 레지스트막 형성처리에 사용된다.
이 경우에, 처리부로서는 각 처리에 대응하는 것이 사용된다.
처리액의 처리부에로의 공급은 상기에서 설명한 수단에 한정하지 않고, 펌프의 압력에 의한 이송, 가스의 압력에 의한 이송 등 여러가지 종류의 수단을 사용할 수가 있다.
펌프의 압력에 의한 이송인 경우에는, 제4도에 나타낸 바와같이, 탱크(13)내의 처리액에 파이프(63)를 침지하여 펌프(64)로 처리액을 빨아 올려서 처리부에 공급한다.
또한, 가스 압력에 의한 이송인 경우에는, 제5도에 나타낸 바와같이, 파이프(65)에 의하여 탱크(13)내로 가스를 공급하고, 그 가운데의 처리액에 침지된 파이프(66)를 통하여 흘려서 처리액을 처리부에 공급한다.
처리액으로서 현상액을 사용하는 경우에는 가스 압력에 의한 이송이 바람직하고, 신나인 경우에는 펌프 또는 가스압력에 의한 이송, 레지스트인 경우에는 벨로우즈 펌프에 의한 펌프의 압력에 의하여 이송하는 것이 바람직하다.
예비탱크로 부터의 처리액의 송출 및 HMDS를 이송하기 위한 가스로서 질소가스를 사용하였지만, 이것에 한정하지 않고 아르곤 가스 등 다른 가스를 사용할 수도 있다.
센서로서 정전용량형의 것을 사용하였지만, 이것에 한정하지 않고 플로우트(float) 센서 및 적외선 센서 등 다른 것을 사용할 수도 있다.
피처리체가 반도체 웨이퍼인 경우에 대하여 나타내었지만, 이것에 한정하지 않고 LCD기판등 다른것의 처리에도 적용할수가 있다.

Claims (12)

  1. 클린룸내에서 처리되는 피처리체의 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급장치에 있어서, 상기 클린룸(14)의 외부에 위치되어 상기 처리액을 저장하기 위한 예비탱크(15)와, 상기 클린룸(14)의 내부에위치되어 상기 예비탱크(15)로부터 공급된 처리액을 저장하기 위한 저장 탱크(13)와, 상기 저장 탱크(13)에 저장된 처리액의 양을 검출하기 위한 검출수단과, 상기 검출수단으로부터 검출된 신호에 의거하여 저장 탱크(13)내에 처리액을 자동적으로 보충하기 위한 보충수단과, 상기 저장 탱크(13)로부터 처리되어질 피처리체로 처리액을 송출하기 위한 처리액 송출수단과, 상기 처리액은 피처리체 상에 레지스트막을 형성하기 위한 것으로 이 처리액으로 피처리체 상에 레지스트막을 형성하기 위한 수단을 포함하여 됨을 특징으로 하는 처리액 공급장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리액은 레지스트액인 처리액 공급장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리액은 현상액인 처리액 공급장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보충수단은, 저장 탱크(13)와 에비탱크를 연결하는 연결수단과, 예비탱크내에 캐리어가스를 주입시키는 것에 의해 발생된 압력하에서 상기 연결수단을 통해 저장탱크로 처리액을 공급하기 위한 공급수단과, 상기 저장탱크로부터 캐리어가스 및 처리액을 배기시키는 배기수단으로 이루어지는 처리액 공급장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 처리액 송출수단은, 저장탱크에 저장된 처리액에 압력에 의한 이송가스를 공급하여 처리액을 압력에 의하여 이송하기 위한 이송가스 공급수단을 구비하는 처리액 공급장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 처리액 송출수단은, 상기 저장탱크에 저장된 처리액을 송출하기 위한 펌프(64)를 구비하는 처리액 공급장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 검출수단에 의한 검출에 따라 상기 보충수단에 의한 처리액의 보충을 제어하는 제어수단을 더 구비하는 처리액 공급장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 검출수단은, 상기 처리액 저장탱크(13)내의 처리액의 액체면을 검출하는 센서(31),(32)를 구비하는 처리액 공급장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 처리액은 HMDS인 처리액 공급장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 처리액 송출수단은, 처리액을 용해하여 증기상태로 이송하기 위하여 캐리어 가스를 상기 처리액 저장탱크에 공급하기 위한 캐리어 가스 공급수단과, 상기 저장탱크로부터 피처리체로 증기 상태의 처리액을 이송하기 위한 연결수단과, 상기 저장탱크내의 가스압력과 농도가 소정값이 될 때 증기 상태의 처리액 송출을 허용하고 캐리어 가스의 공급을 중단하기 위한 밸브수단을 구비하는 처리액 공급장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 저장탱크내의 가스압력과 농도가 상기 소정값이 될 때 증기상태의 처리액 송출을 허용하도록 상기 밸브수단을 제어하기 위한 제어수단을 더 구비하는 처리액 공급장치.
  12. 상기 처리액을 저장하기 위한 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 처리액의 양을 검출하기 위한 검출수단과, 상기 검출수단으로부터의 검출신호에 의거하여 저장수단으로 처리액을 자동적으로 보충하기 위한 보충수단과, 상기 저장수단으로부터 처리할 피처리체로 처리액을 송출하기 위한 처리액 송출수단과, 상기 처리액은 피처리체 상에 레지스트막을 형성하기 위한 것으로 이 처리액으로 피처리체 상에 레지스트막을 형성하기 위한 수단으로 이루어지고, 상기 저장수단은, 병렬로 연결된 두개의 저장탱크를 가지고, 상기 처리액 송출수단은, 처리액을 용해하여 증기상태의 처리액을 이송하기 위한 캐리어가스를 상기 하나의 저장탱크에 공급하기 위한 캐리어 가스 공급수단과, 상기 저장탱크로부터 피처리체로 증기상태의 처리액을 이송하기 위한 연결수단과, 상기 저장탱크내의 가스압력과 농도가 소정값이 될 때 증기 상태의 처리액 송출을 허용하고 캐리어 가스의 공급을 중단하기 위한 밸브수단으로 이루어지는 피처리체에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급장치로서, 증기가 상기 하나의 저장탱크로부터 피처리체로 공급되는 동안 다른 저장 탱크에는 보충수단에 의해 처리액이 공급되고, 증기가 다른 저장탱크로부터 피처리체로 공급되는 동안 상기 하나의 저장탱크에는 보충수단에 의해 처리액이 공급되며, 상기 캐리어가스가 하나의 저장탱크로 공급되는 동안 증기상태의 처리액은 다른 저장탱크로부터 피처리체로 공급되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390567B1 (ko) * 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 근적외선 분광기를 이용한 포토레지스트 박리공정제어방법 및 포토레지스트 박리액 조성물의 재생방법
KR100924763B1 (ko) * 2008-03-25 2009-11-05 웰텍인더스 주식회사 케미컬 공급장치

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0784662B2 (ja) * 1989-12-12 1995-09-13 アプライドマテリアルズジャパン株式会社 化学的気相成長方法とその装置
US5143745A (en) * 1991-08-16 1992-09-01 Maganas Thomas C Intermittent film deposition method and system
US5354370A (en) * 1992-04-15 1994-10-11 Hacker Industries, Inc. Tissue processor
EP0602595B1 (en) * 1992-12-15 1997-07-23 Applied Materials, Inc. Vaporizing reactant liquids for CVD
JP3575717B2 (ja) * 1995-12-28 2004-10-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100524204B1 (ko) * 1998-01-07 2006-01-27 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리장치
JP3557354B2 (ja) * 1998-09-28 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 供給装置及び補充方法
SE513890C2 (sv) * 1999-03-18 2000-11-20 Plm Ab Förfarande och anordning för övervakning av fluidiumförbrukning
US6311959B1 (en) * 1999-04-22 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating controlled mixture of organic vapor and inert gas
JP4393677B2 (ja) 1999-09-14 2010-01-06 株式会社堀場エステック 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ
KR100948220B1 (ko) * 2002-03-19 2010-03-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포처리방법 및 도포처리장치
US6848625B2 (en) * 2002-03-19 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Process liquid supply mechanism and process liquid supply method
KR20040000689A (ko) * 2002-06-25 2004-01-07 삼성전자주식회사 화학기상 증착공정의 원료물질 공급장치
US7011299B2 (en) * 2002-09-16 2006-03-14 Matheson Tri-Gas, Inc. Liquid vapor delivery system and method of maintaining a constant level of fluid therein
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
EP1566464B1 (de) * 2004-02-20 2011-04-13 Cs Clean Systems Ag Vorrichtung und Verfahren zum Nachfüllen eines Blasenverdampfers
US20060113687A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Mark Castellano Remote control HVAC air freshener
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
JP4940123B2 (ja) * 2007-12-21 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8002247B2 (en) * 2008-08-22 2011-08-23 Air Products And Chemicals, Inc. Cross purge valve and container assembly
JP4888580B2 (ja) * 2010-04-22 2012-02-29 住友金属鉱山株式会社 貯液装置及びその圧力制御方法
US8235034B1 (en) * 2010-07-28 2012-08-07 Flaherty B Michael Systems moving air through a conduit within a solar heat collector having overtemperature protection
US9329071B2 (en) * 2014-04-21 2016-05-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3336796A (en) * 1964-07-24 1967-08-22 Deering Milliken Res Corp Apparatus and method of determining amount of pickup of coating by a predetermined length of moving substrate
US4276243A (en) * 1978-12-08 1981-06-30 Western Electric Company, Inc. Vapor delivery control system and method
US4220460A (en) * 1979-02-05 1980-09-02 Western Electric Company, Inc. Vapor delivery system and method
DE2908283C3 (de) * 1979-03-03 1982-02-04 Mathias Bäuerle GmbH, 7742 St Georgen Elektrisch betriebenes Gerät, insbesondere Vervielfältigungsgerät, mit einem mit Flüssigkeit zum chemischen Behandeln von Gegenständen aufnehmenden Behälter
US4250126A (en) * 1979-03-30 1981-02-10 Dow Yates Chlorine generator and method
US4235829A (en) * 1979-05-07 1980-11-25 Western Electric Company, Inc. Vapor delivery system and method of maintaining a constant level of liquid therein
US4301007A (en) * 1979-11-08 1981-11-17 Canadian Liquid Air Ltd./Air Liquide Canada Ltee. Two zone apparatus for biological treatment of waste water
US4311114A (en) * 1980-11-10 1982-01-19 Allied Corporation Low shear gravity controlled yarn finish supply system
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
US4517220A (en) * 1983-08-15 1985-05-14 Motorola, Inc. Deposition and diffusion source control means and method
JPS60122735A (ja) * 1983-12-02 1985-07-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 原料ガス供給装置
AU563417B2 (en) * 1984-02-07 1987-07-09 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Optical fibre manufacture
US4582480A (en) * 1984-08-02 1986-04-15 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for vapor delivery control in optical preform manufacture
JPS6172947A (ja) * 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4761269A (en) * 1986-06-12 1988-08-02 Crystal Specialties, Inc. Apparatus for depositing material on a substrate
US4880581A (en) * 1986-12-24 1989-11-14 Alcon Laboratories, Inc. Means and method for aseptic particle-free production of articles
US4844006A (en) * 1988-03-07 1989-07-04 Akzo America Inc. Apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390567B1 (ko) * 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 근적외선 분광기를 이용한 포토레지스트 박리공정제어방법 및 포토레지스트 박리액 조성물의 재생방법
KR100924763B1 (ko) * 2008-03-25 2009-11-05 웰텍인더스 주식회사 케미컬 공급장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0278431A (ja) 1990-03-19
US5035200A (en) 1991-07-30
KR900000995A (ko) 1990-01-31
JP2846891B2 (ja) 1999-01-13

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