JPH027431A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH027431A JPH027431A JP63156647A JP15664788A JPH027431A JP H027431 A JPH027431 A JP H027431A JP 63156647 A JP63156647 A JP 63156647A JP 15664788 A JP15664788 A JP 15664788A JP H027431 A JPH027431 A JP H027431A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は半導体装置に係り、特にグリッドラインと接
する部分における、基板上の複数層の絶縁膜構造に関す
るものである。
する部分における、基板上の複数層の絶縁膜構造に関す
るものである。
(従来の技術)
半導体装置のグリッドラインGLとは、第3図に示・さ
れるように、ウェハを複数のチップlに分割するために
チップ周辺で基板ztc面が露出した部分であ、る。
れるように、ウェハを複数のチップlに分割するために
チップ周辺で基板ztc面が露出した部分であ、る。
このグリッドラインGLと接する部分において、基!2
上の複数層の絶縁M3は、従来、第4図に示すように、
最上層のI@縁膜34Iを除いて、6絶5 縁膜3a〜
3dが1枚下のm縁膜の縁部より内側に留まるように階
段軟に形成されており、最上層の絶縁膜3eのみは、下
の複数の絶縁1模3a〜3dの縁部を覆って基li2表
面に延在している。
上の複数層の絶縁M3は、従来、第4図に示すように、
最上層のI@縁膜34Iを除いて、6絶5 縁膜3a〜
3dが1枚下のm縁膜の縁部より内側に留まるように階
段軟に形成されており、最上層の絶縁膜3eのみは、下
の複数の絶縁1模3a〜3dの縁部を覆って基li2表
面に延在している。
ところで、例えば第5図(al、 (illに示すよう
にllO層目の絶縁膜(熱酸化膜)3−と2層口の絶縁
膜(CVD酸化W;4)3bを形成した後、金属膜例え
ばポリSi膜4のバターニング工程があると、グリッド
ラインOLと接する部分においては、2層目の絶縁膜3
bの縁部の段差部にポリSi膜4のサイ15 ドウオ
ール4aが残りやすい、すなわち、グリッドラインOL
と接する部分においては、IF5目の絶t!膜3aの内
側に留まるように2J!i口のm縁膜3bをパターニン
グするわけであるが、その部分においては、絶縁膜3b
の下も前記のように同種の絶kA 1123 aであり
、オーバーエッチが生じるため、絶縁膜3bの縁部の段
差は大きくなる。したがって、′次に第5図(blに示
すようにポリ5IIA4のパター、ニング工程があると
、グリッドラインGLと、接する部分においては、ポリ
51膜4の一部が0;1記絶縁1模3bの縁部の段差部
にサイドウオール4aとして残ってしまう、しかるに、
第4図に示したように、下の絶縁膜3a〜3dの縁部を
覆うように最上層の絶縁膜3aを形成すれば、第6図に
示すように該絶縁膜3aでサイドウオール4Bも覆われ
るようになり、第3図に示すようにワイヤボンディング
工程におい゛ζワイヤ5が撓んでも、該ワイヤ5とサイ
ドウオール4aとの接触を防止でき、リークの発生を防
止できる。これが、最上層の絶縁膜3aを前記のように
形成する理由である。
にllO層目の絶縁膜(熱酸化膜)3−と2層口の絶縁
膜(CVD酸化W;4)3bを形成した後、金属膜例え
ばポリSi膜4のバターニング工程があると、グリッド
ラインOLと接する部分においては、2層目の絶縁膜3
bの縁部の段差部にポリSi膜4のサイ15 ドウオ
ール4aが残りやすい、すなわち、グリッドラインOL
と接する部分においては、IF5目の絶t!膜3aの内
側に留まるように2J!i口のm縁膜3bをパターニン
グするわけであるが、その部分においては、絶縁膜3b
の下も前記のように同種の絶kA 1123 aであり
、オーバーエッチが生じるため、絶縁膜3bの縁部の段
差は大きくなる。したがって、′次に第5図(blに示
すようにポリ5IIA4のパター、ニング工程があると
、グリッドラインGLと、接する部分においては、ポリ
51膜4の一部が0;1記絶縁1模3bの縁部の段差部
にサイドウオール4aとして残ってしまう、しかるに、
第4図に示したように、下の絶縁膜3a〜3dの縁部を
覆うように最上層の絶縁膜3aを形成すれば、第6図に
示すように該絶縁膜3aでサイドウオール4Bも覆われ
るようになり、第3図に示すようにワイヤボンディング
工程におい゛ζワイヤ5が撓んでも、該ワイヤ5とサイ
ドウオール4aとの接触を防止でき、リークの発生を防
止できる。これが、最上層の絶縁膜3aを前記のように
形成する理由である。
(発明が解決しようとする課題)
しかるに、最上層の絶縁膜3eを前記のように形成して
も、従来は、該最上層の絶縁膜3eを形成するまでの工
程において第7図(a)、(blに示すようにサイドウ
オール4aが剥れ、他の金属膜露出部と接触してリーク
を発生させる問題がある。まG た、サイドウメール4aがI?JIれると、ウェハ状態
での選別において外観不良となり、廃棄されるため、製
造歩留りを大きく低下さ・Iる。
も、従来は、該最上層の絶縁膜3eを形成するまでの工
程において第7図(a)、(blに示すようにサイドウ
オール4aが剥れ、他の金属膜露出部と接触してリーク
を発生させる問題がある。まG た、サイドウメール4aがI?JIれると、ウェハ状態
での選別において外観不良となり、廃棄されるため、製
造歩留りを大きく低下さ・Iる。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、上記従来の
欠点を・−掃できる半導体装置を提供′)“るごとを目
的とする。
欠点を・−掃できる半導体装置を提供′)“るごとを目
的とする。
(課題を解決するための手段)
この発明は、基板上に複数層の絶8i1漠を有する半導
体装置において、グリッドラインと接する部分において
は、順次tI!上の絶縁膜がlTr!J下の絶縁膜の縁
部を1′i1っC、グリッドライン側の基板表面に順次
延在する構造であるようにしたものである。
体装置において、グリッドラインと接する部分において
は、順次tI!上の絶縁膜がlTr!J下の絶縁膜の縁
部を1′i1っC、グリッドライン側の基板表面に順次
延在する構造であるようにしたものである。
(作 用)
、上記のような1ト造によれば、該構造を得るための製
造工程におい°C,最上層の絶縁膜を形成するまでの間
に^lやポリStなどの金属膜のバターニング工程があ
っ°C,該金*膜のサイドウオールが、それまでに形成
された絶縁膜の縁部の段差部に残ったとし°ζも、該サ
イドウオールは、次のll上上の絶縁膜の形成工程にお
いて直ぐにその絶縁膜で覆われることになる。したがっ
て、サイドウオールが17.+1れることは無くなる。
造工程におい°C,最上層の絶縁膜を形成するまでの間
に^lやポリStなどの金属膜のバターニング工程があ
っ°C,該金*膜のサイドウオールが、それまでに形成
された絶縁膜の縁部の段差部に残ったとし°ζも、該サ
イドウオールは、次のll上上の絶縁膜の形成工程にお
いて直ぐにその絶縁膜で覆われることになる。したがっ
て、サイドウオールが17.+1れることは無くなる。
また、各絶縁膜が基板表面に延在して終っていれば、そ
のようなパターンを形成する際のエツチングにおいて、
エツチング部分の下II!!は必ず基板となる。と言う
ことは、オーバーエッチが無(なるということであり、
絶縁膜の縁部の段差を、絶縁膜の厚み分だけと少なくし
得る。したがっ゛C1絶$!膜の縁部の段差部に金属膜
のサイドウオールが形成されることも少な(なる。
のようなパターンを形成する際のエツチングにおいて、
エツチング部分の下II!!は必ず基板となる。と言う
ことは、オーバーエッチが無(なるということであり、
絶縁膜の縁部の段差を、絶縁膜の厚み分だけと少なくし
得る。したがっ゛C1絶$!膜の縁部の段差部に金属膜
のサイドウオールが形成されることも少な(なる。
(実施例)
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この図
において、11はシリコン基板、OLはグリッドライン
で、シリコン基板11の周辺で該基板11の表面が露出
した領域である。また、1211N12@は251)l
l上上に形成された5層の絶縁膜であり、この絶縁膜1
2a−12eは、グリッドラインGLと接する部分にお
いては、順次111の絶I!膜がIB!J下の絶縁膜の
縁部を覆ってグリッドラインOL側のへ仮11表面に順
次延在する構造となっている。
1図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この図
において、11はシリコン基板、OLはグリッドライン
で、シリコン基板11の周辺で該基板11の表面が露出
した領域である。また、1211N12@は251)l
l上上に形成された5層の絶縁膜であり、この絶縁膜1
2a−12eは、グリッドラインGLと接する部分にお
いては、順次111の絶I!膜がIB!J下の絶縁膜の
縁部を覆ってグリッドラインOL側のへ仮11表面に順
次延在する構造となっている。
このような絶縁膜1み造は第2図C用〜(「)に示すよ
うにし°ζ製造される。まず、jJFi、ll上の全面
にl Iu口の絶縁膜12aを形成し、この絶縁lB1
12mを、その上のレジストパターン+38をマスクと
してバターニングし、必要部分にのみ残す(第2図(i
l+ 、 (111) 、次に、前記レジストパターン
13aを除去した後、ZWJ口の絶縁膜12bを全面に
形成し、その」二のレジストパターン131>をマスク
として該2層目の絶縁11々12bをバターニングする
(第2図(L+1 、 +1+1 ) # この時、2
層目の絶縁11λ12bは、1層目の絶縁膜12aの縁
部を覆って基板11表面に延在し終るようにパターニン
グされる(第2図(C1)、以下同様に3層目、4層口
、5層口の1tiial1212 c、 12 d、
12 eを全面に形成しては、その上のレジストパ
ターン13G。
うにし°ζ製造される。まず、jJFi、ll上の全面
にl Iu口の絶縁膜12aを形成し、この絶縁lB1
12mを、その上のレジストパターン+38をマスクと
してバターニングし、必要部分にのみ残す(第2図(i
l+ 、 (111) 、次に、前記レジストパターン
13aを除去した後、ZWJ口の絶縁膜12bを全面に
形成し、その」二のレジストパターン131>をマスク
として該2層目の絶縁11々12bをバターニングする
(第2図(L+1 、 +1+1 ) # この時、2
層目の絶縁11λ12bは、1層目の絶縁膜12aの縁
部を覆って基板11表面に延在し終るようにパターニン
グされる(第2図(C1)、以下同様に3層目、4層口
、5層口の1tiial1212 c、 12 d、
12 eを全面に形成しては、その上のレジストパ
ターン13G。
13d、13eをマスクとし°Cそれらの絶縁膜12c
、12d、12eをバターニングすルコトを繰り返しく
第2図(C1〜(fl)、その際、2層目の絶縁111
′zbと同様に、各絶縁膜12C〜126は、1層下の
絶縁膜の縁部を覆っ°ζ法仮11表面に延在し終るよう
にパターニングする0以上で第1Qの7絶縁膜措造がl
)られ、同時にハ仮11周辺では常に絶縁1模12a〜
12eが除去されてグリッドラインOLが(;トられる
。
、12d、12eをバターニングすルコトを繰り返しく
第2図(C1〜(fl)、その際、2層目の絶縁111
′zbと同様に、各絶縁膜12C〜126は、1層下の
絶縁膜の縁部を覆っ°ζ法仮11表面に延在し終るよう
にパターニングする0以上で第1Qの7絶縁膜措造がl
)られ、同時にハ仮11周辺では常に絶縁1模12a〜
12eが除去されてグリッドラインOLが(;トられる
。
このような製造方法において、絶縁膜12a〜126を
パターニングする際、エツチングは、常にシリコン基板
11を下地として行われる。したがって、オーバーエッ
チが無くなるものであり、その結果として絶縁膜12a
〜12eの縁部の段差は各絶縁膜t2a−120の厚み
分だけの少ないものとなる。よって、最上層の絶縁膜1
28を形成するまでの間に^lやポリ51などの金f!
IBSのパターニング工程があっ°ζも、該金属膜の
サイドウオールが、それまでに形成された絶縁膜の縁部
の段差部に残ることが少なくなる。
パターニングする際、エツチングは、常にシリコン基板
11を下地として行われる。したがって、オーバーエッ
チが無くなるものであり、その結果として絶縁膜12a
〜12eの縁部の段差は各絶縁膜t2a−120の厚み
分だけの少ないものとなる。よって、最上層の絶縁膜1
28を形成するまでの間に^lやポリ51などの金f!
IBSのパターニング工程があっ°ζも、該金属膜の
サイドウオールが、それまでに形成された絶縁膜の縁部
の段差部に残ることが少なくなる。
また、絶縁膜の縁部の段差部にサイ1”ウオールが残り
だとしても、該サイドウオールは、次の1層、1.の絶
オ蚤股形成工程におい′C直ぐにその絶縁膜で覆われる
ことになる。したがっ°ζ、す・イドウオールがrl、
11れることは無くなる。
だとしても、該サイドウオールは、次の1層、1.の絶
オ蚤股形成工程におい′C直ぐにその絶縁膜で覆われる
ことになる。したがっ°ζ、す・イドウオールがrl、
11れることは無くなる。
(発明の効果)
5 以上コ゛〔述したようにこの発明によれば、グリ
ッドラインと接する部分においては、順次1層上の絶縁
膜が1層下の絶縁膜の縁部を覆っ゛ζグリッドライン側
の基板表面に順次延在゛)°る構造としたから、2M構
造を製造する間におい°C金属11りのパター10
ニング工程があったとし°ζも、それまでに形成した絶
l膜の縁部の段差部に金属膜のナイドウオールが残るこ
とが少なくなり、また残ったとしても、該・リイドウA
・−ルが次の1層上の絶縁膜の形成工程におい°ζ直ぐ
にその絶縁膜で覆われることにな15 リ、f/+l
Iれることがなくなる。したがっ°C1サイドウオール
が争1れCも他の金属膜露出部と接触し゛Cリークが発
生し°ζ半導体装置の17. jIT性を低下さ・Uた
り、同!7,1]れにより外観不良となって廃棄される
結果!!i!造歩留りを低下さ・Iるというようなこと
を無くずごとができる。
ッドラインと接する部分においては、順次1層上の絶縁
膜が1層下の絶縁膜の縁部を覆っ゛ζグリッドライン側
の基板表面に順次延在゛)°る構造としたから、2M構
造を製造する間におい°C金属11りのパター10
ニング工程があったとし°ζも、それまでに形成した絶
l膜の縁部の段差部に金属膜のナイドウオールが残るこ
とが少なくなり、また残ったとしても、該・リイドウA
・−ルが次の1層上の絶縁膜の形成工程におい°ζ直ぐ
にその絶縁膜で覆われることにな15 リ、f/+l
Iれることがなくなる。したがっ°C1サイドウオール
が争1れCも他の金属膜露出部と接触し゛Cリークが発
生し°ζ半導体装置の17. jIT性を低下さ・Uた
り、同!7,1]れにより外観不良となって廃棄される
結果!!i!造歩留りを低下さ・Iるというようなこと
を無くずごとができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す構造断
面図、第2図は上記一実施例の装置を製造するだめの工
程断面図、第3図は従来の半導体装置を示す断面図、第
4図は従来の装置におけるグリッドラインと接する部分
における絶U膜の詳細構造を示す構造断面図、第5図は
従来の絶縁11り構造においてその一部の製造方法を示
す工程断面図、第6図は縁部に勺イドウオールが残った
場合の従来の絶縁膜構造を示°ノ゛構造断面図、第7図
は従来の絶縁膜構造におい゛ζサイドウオールがWlれ
た例を示す断面図力よび側面図である。 11・・・シリコン基板、OL・・・グリッドライン、
12 a −t 2 e−kf!iki膜。 GL ニゲリッドライン 12a〜12e:絶縁膜 本発明1こ係る半導体装置 第1図 本発明、に係る装置の製造工程 従来の半導体装置 第3 図 e 従来の絶縁膜構造 第4 図 本発明)こ係る装置の製造工程 第2図 従来の絶縁膜構造における製造方法の一部第5図 サイドウオールが残フた従来の絶縁膜構造第6図
面図、第2図は上記一実施例の装置を製造するだめの工
程断面図、第3図は従来の半導体装置を示す断面図、第
4図は従来の装置におけるグリッドラインと接する部分
における絶U膜の詳細構造を示す構造断面図、第5図は
従来の絶縁11り構造においてその一部の製造方法を示
す工程断面図、第6図は縁部に勺イドウオールが残った
場合の従来の絶縁膜構造を示°ノ゛構造断面図、第7図
は従来の絶縁膜構造におい゛ζサイドウオールがWlれ
た例を示す断面図力よび側面図である。 11・・・シリコン基板、OL・・・グリッドライン、
12 a −t 2 e−kf!iki膜。 GL ニゲリッドライン 12a〜12e:絶縁膜 本発明1こ係る半導体装置 第1図 本発明、に係る装置の製造工程 従来の半導体装置 第3 図 e 従来の絶縁膜構造 第4 図 本発明)こ係る装置の製造工程 第2図 従来の絶縁膜構造における製造方法の一部第5図 サイドウオールが残フた従来の絶縁膜構造第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に複数層の絶縁膜を有する半導体装置において、 基板周辺の基板表面が露出するグリッドラインと接する
部分においては、順次1層上の絶縁膜が1層下の絶縁膜
の縁部を覆って、グリッドライン10側の基板表面に順
次延在する構造であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63156647A JPH027431A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63156647A JPH027431A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027431A true JPH027431A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15632230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63156647A Pending JPH027431A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH027431A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204401A (ja) * | 1991-06-27 | 1994-07-22 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ |
JP2014200991A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63156647A patent/JPH027431A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204401A (ja) * | 1991-06-27 | 1994-07-22 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ |
JP2014200991A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 |
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