JPH027431A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH027431A JPH027431A JP63156647A JP15664788A JPH027431A JP H027431 A JPH027431 A JP H027431A JP 63156647 A JP63156647 A JP 63156647A JP 15664788 A JP15664788 A JP 15664788A JP H027431 A JPH027431 A JP H027431A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置に係り、特にグリッドラインと接
する部分における、基板上の複数層の絶縁膜構造に関す
るものである。
する部分における、基板上の複数層の絶縁膜構造に関す
るものである。
（従来の技術）
半導体装置のグリッドラインＧＬとは、第３図に示・さ
れるように、ウェハを複数のチップｌに分割するために
チップ周辺で基板ｚｔｃ面が露出した部分であ、る。
れるように、ウェハを複数のチップｌに分割するために
チップ周辺で基板ｚｔｃ面が露出した部分であ、る。
このグリッドラインＧＬと接する部分において、基！２
上の複数層の絶縁Ｍ３は、従来、第４図に示すように、
最上層のＩ＠縁膜３４Ｉを除いて、６絶５ 縁膜３ａ〜
３ｄが１枚下のｍ縁膜の縁部より内側に留まるように階
段軟に形成されており、最上層の絶縁膜３ｅのみは、下
の複数の絶縁１模３ａ〜３ｄの縁部を覆って基ｌｉ２表
面に延在している。
上の複数層の絶縁Ｍ３は、従来、第４図に示すように、
最上層のＩ＠縁膜３４Ｉを除いて、６絶５ 縁膜３ａ〜
３ｄが１枚下のｍ縁膜の縁部より内側に留まるように階
段軟に形成されており、最上層の絶縁膜３ｅのみは、下
の複数の絶縁１模３ａ〜３ｄの縁部を覆って基ｌｉ２表
面に延在している。
ところで、例えば第５図（ａｌ、 （ｉｌｌに示すよう
にｌｌＯ層目の絶縁膜（熱酸化膜）３−と２層口の絶縁
膜（ＣＶＤ酸化Ｗ；４）３ｂを形成した後、金属膜例え
ばポリＳｉ膜４のバターニング工程があると、グリッド
ラインＯＬと接する部分においては、２層目の絶縁膜３
ｂの縁部の段差部にポリＳｉ膜４のサイ１５ ドウオ
ール４ａが残りやすい、すなわち、グリッドラインＯＬ
と接する部分においては、ＩＦ５目の絶ｔ！膜３ａの内
側に留まるように２Ｊ！ｉ口のｍ縁膜３ｂをパターニン
グするわけであるが、その部分においては、絶縁膜３ｂ
の下も前記のように同種の絶ｋＡ １１２３ ａであり
、オーバーエッチが生じるため、絶縁膜３ｂの縁部の段
差は大きくなる。したがって、′次に第５図（ｂｌに示
すようにポリ５ＩＩＡ４のパター、ニング工程があると
、グリッドラインＧＬと、接する部分においては、ポリ
５１膜４の一部が０；１記絶縁１模３ｂの縁部の段差部
にサイドウオール４ａとして残ってしまう、しかるに、
第４図に示したように、下の絶縁膜３ａ〜３ｄの縁部を
覆うように最上層の絶縁膜３ａを形成すれば、第６図に
示すように該絶縁膜３ａでサイドウオール４Ｂも覆われ
るようになり、第３図に示すようにワイヤボンディング
工程におい゛ζワイヤ５が撓んでも、該ワイヤ５とサイ
ドウオール４ａとの接触を防止でき、リークの発生を防
止できる。これが、最上層の絶縁膜３ａを前記のように
形成する理由である。
にｌｌＯ層目の絶縁膜（熱酸化膜）３−と２層口の絶縁
膜（ＣＶＤ酸化Ｗ；４）３ｂを形成した後、金属膜例え
ばポリＳｉ膜４のバターニング工程があると、グリッド
ラインＯＬと接する部分においては、２層目の絶縁膜３
ｂの縁部の段差部にポリＳｉ膜４のサイ１５ ドウオ
ール４ａが残りやすい、すなわち、グリッドラインＯＬ
と接する部分においては、ＩＦ５目の絶ｔ！膜３ａの内
側に留まるように２Ｊ！ｉ口のｍ縁膜３ｂをパターニン
グするわけであるが、その部分においては、絶縁膜３ｂ
の下も前記のように同種の絶ｋＡ １１２３ ａであり
、オーバーエッチが生じるため、絶縁膜３ｂの縁部の段
差は大きくなる。したがって、′次に第５図（ｂｌに示
すようにポリ５ＩＩＡ４のパター、ニング工程があると
、グリッドラインＧＬと、接する部分においては、ポリ
５１膜４の一部が０；１記絶縁１模３ｂの縁部の段差部
にサイドウオール４ａとして残ってしまう、しかるに、
第４図に示したように、下の絶縁膜３ａ〜３ｄの縁部を
覆うように最上層の絶縁膜３ａを形成すれば、第６図に
示すように該絶縁膜３ａでサイドウオール４Ｂも覆われ
るようになり、第３図に示すようにワイヤボンディング
工程におい゛ζワイヤ５が撓んでも、該ワイヤ５とサイ
ドウオール４ａとの接触を防止でき、リークの発生を防
止できる。これが、最上層の絶縁膜３ａを前記のように
形成する理由である。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、最上層の絶縁膜３ｅを前記のように形成して
も、従来は、該最上層の絶縁膜３ｅを形成するまでの工
程において第７図（ａ）、（ｂｌに示すようにサイドウ
オール４ａが剥れ、他の金属膜露出部と接触してリーク
を発生させる問題がある。まＧ た、サイドウメール４ａがＩ？ＪＩれると、ウェハ状態
での選別において外観不良となり、廃棄されるため、製
造歩留りを大きく低下さ・Ｉる。
も、従来は、該最上層の絶縁膜３ｅを形成するまでの工
程において第７図（ａ）、（ｂｌに示すようにサイドウ
オール４ａが剥れ、他の金属膜露出部と接触してリーク
を発生させる問題がある。まＧ た、サイドウメール４ａがＩ？ＪＩれると、ウェハ状態
での選別において外観不良となり、廃棄されるため、製
造歩留りを大きく低下さ・Ｉる。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、上記従来の
欠点を・−掃できる半導体装置を提供′）“るごとを目
的とする。
欠点を・−掃できる半導体装置を提供′）“るごとを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明は、基板上に複数層の絶８ｉ１漠を有する半導
体装置において、グリッドラインと接する部分において
は、順次ｔＩ！上の絶縁膜がｌＴｒ！Ｊ下の絶縁膜の縁
部を１′ｉ１っＣ、グリッドライン側の基板表面に順次
延在する構造であるようにしたものである。
体装置において、グリッドラインと接する部分において
は、順次ｔＩ！上の絶縁膜がｌＴｒ！Ｊ下の絶縁膜の縁
部を１′ｉ１っＣ、グリッドライン側の基板表面に順次
延在する構造であるようにしたものである。
（作 用）
、上記のような１ト造によれば、該構造を得るための製
造工程におい°Ｃ，最上層の絶縁膜を形成するまでの間
に＾ｌやポリＳｔなどの金属膜のバターニング工程があ
っ°Ｃ，該金＊膜のサイドウオールが、それまでに形成
された絶縁膜の縁部の段差部に残ったとし°ζも、該サ
イドウオールは、次のｌｌ上上の絶縁膜の形成工程にお
いて直ぐにその絶縁膜で覆われることになる。したがっ
て、サイドウオールが１７．＋１れることは無くなる。
造工程におい°Ｃ，最上層の絶縁膜を形成するまでの間
に＾ｌやポリＳｔなどの金属膜のバターニング工程があ
っ°Ｃ，該金＊膜のサイドウオールが、それまでに形成
された絶縁膜の縁部の段差部に残ったとし°ζも、該サ
イドウオールは、次のｌｌ上上の絶縁膜の形成工程にお
いて直ぐにその絶縁膜で覆われることになる。したがっ
て、サイドウオールが１７．＋１れることは無くなる。
また、各絶縁膜が基板表面に延在して終っていれば、そ
のようなパターンを形成する際のエツチングにおいて、
エツチング部分の下ＩＩ！！は必ず基板となる。と言う
ことは、オーバーエッチが無（なるということであり、
絶縁膜の縁部の段差を、絶縁膜の厚み分だけと少なくし
得る。したがっ゛Ｃ１絶＄！膜の縁部の段差部に金属膜
のサイドウオールが形成されることも少な（なる。
のようなパターンを形成する際のエツチングにおいて、
エツチング部分の下ＩＩ！！は必ず基板となる。と言う
ことは、オーバーエッチが無（なるということであり、
絶縁膜の縁部の段差を、絶縁膜の厚み分だけと少なくし
得る。したがっ゛Ｃ１絶＄！膜の縁部の段差部に金属膜
のサイドウオールが形成されることも少な（なる。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この図
において、１１はシリコン基板、ＯＬはグリッドライン
で、シリコン基板１１の周辺で該基板１１の表面が露出
した領域である。また、１２１１Ｎ１２＠は２５１）ｌ
ｌ上上に形成された５層の絶縁膜であり、この絶縁膜１
２ａ−１２ｅは、グリッドラインＧＬと接する部分にお
いては、順次１１１の絶Ｉ！膜がＩＢ！Ｊ下の絶縁膜の
縁部を覆ってグリッドラインＯＬ側のへ仮１１表面に順
次延在する構造となっている。
１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この図
において、１１はシリコン基板、ＯＬはグリッドライン
で、シリコン基板１１の周辺で該基板１１の表面が露出
した領域である。また、１２１１Ｎ１２＠は２５１）ｌ
ｌ上上に形成された５層の絶縁膜であり、この絶縁膜１
２ａ−１２ｅは、グリッドラインＧＬと接する部分にお
いては、順次１１１の絶Ｉ！膜がＩＢ！Ｊ下の絶縁膜の
縁部を覆ってグリッドラインＯＬ側のへ仮１１表面に順
次延在する構造となっている。
このような絶縁膜１み造は第２図Ｃ用〜（「）に示すよ
うにし°ζ製造される。まず、ｊＪＦｉ、ｌｌ上の全面
にｌ Ｉｕ口の絶縁膜１２ａを形成し、この絶縁ｌＢ１
１２ｍを、その上のレジストパターン＋３８をマスクと
してバターニングし、必要部分にのみ残す（第２図（ｉ
ｌ＋ 、 （１１１） 、次に、前記レジストパターン
１３ａを除去した後、ＺＷＪ口の絶縁膜１２ｂを全面に
形成し、その」二のレジストパターン１３１＞をマスク
として該２層目の絶縁１１々１２ｂをバターニングする
（第２図（Ｌ＋１ 、 ＋１＋１ ） ＃ この時、２
層目の絶縁１１λ１２ｂは、１層目の絶縁膜１２ａの縁
部を覆って基板１１表面に延在し終るようにパターニン
グされる（第２図（Ｃ１）、以下同様に３層目、４層口
、５層口の１ｔｉｉａｌ１２１２ ｃ、 １２ ｄ、
１２ ｅを全面に形成しては、その上のレジストパ
ターン１３Ｇ。
うにし°ζ製造される。まず、ｊＪＦｉ、ｌｌ上の全面
にｌ Ｉｕ口の絶縁膜１２ａを形成し、この絶縁ｌＢ１
１２ｍを、その上のレジストパターン＋３８をマスクと
してバターニングし、必要部分にのみ残す（第２図（ｉ
ｌ＋ 、 （１１１） 、次に、前記レジストパターン
１３ａを除去した後、ＺＷＪ口の絶縁膜１２ｂを全面に
形成し、その」二のレジストパターン１３１＞をマスク
として該２層目の絶縁１１々１２ｂをバターニングする
（第２図（Ｌ＋１ 、 ＋１＋１ ） ＃ この時、２
層目の絶縁１１λ１２ｂは、１層目の絶縁膜１２ａの縁
部を覆って基板１１表面に延在し終るようにパターニン
グされる（第２図（Ｃ１）、以下同様に３層目、４層口
、５層口の１ｔｉｉａｌ１２１２ ｃ、 １２ ｄ、
１２ ｅを全面に形成しては、その上のレジストパ
ターン１３Ｇ。
１３ｄ、１３ｅをマスクとし°Ｃそれらの絶縁膜１２ｃ
、１２ｄ、１２ｅをバターニングすルコトを繰り返しく
第２図（Ｃ１〜（ｆｌ）、その際、２層目の絶縁１１１
′ｚｂと同様に、各絶縁膜１２Ｃ〜１２６は、１層下の
絶縁膜の縁部を覆っ°ζ法仮１１表面に延在し終るよう
にパターニングする０以上で第１Ｑの７絶縁膜措造がｌ
）られ、同時にハ仮１１周辺では常に絶縁１模１２ａ〜
１２ｅが除去されてグリッドラインＯＬが（；トられる
。
、１２ｄ、１２ｅをバターニングすルコトを繰り返しく
第２図（Ｃ１〜（ｆｌ）、その際、２層目の絶縁１１１
′ｚｂと同様に、各絶縁膜１２Ｃ〜１２６は、１層下の
絶縁膜の縁部を覆っ°ζ法仮１１表面に延在し終るよう
にパターニングする０以上で第１Ｑの７絶縁膜措造がｌ
）られ、同時にハ仮１１周辺では常に絶縁１模１２ａ〜
１２ｅが除去されてグリッドラインＯＬが（；トられる
。
このような製造方法において、絶縁膜１２ａ〜１２６を
パターニングする際、エツチングは、常にシリコン基板
１１を下地として行われる。したがって、オーバーエッ
チが無くなるものであり、その結果として絶縁膜１２ａ
〜１２ｅの縁部の段差は各絶縁膜ｔ２ａ−１２０の厚み
分だけの少ないものとなる。よって、最上層の絶縁膜１
２８を形成するまでの間に＾ｌやポリ５１などの金ｆ！
ＩＢＳのパターニング工程があっ°ζも、該金属膜の
サイドウオールが、それまでに形成された絶縁膜の縁部
の段差部に残ることが少なくなる。
パターニングする際、エツチングは、常にシリコン基板
１１を下地として行われる。したがって、オーバーエッ
チが無くなるものであり、その結果として絶縁膜１２ａ
〜１２ｅの縁部の段差は各絶縁膜ｔ２ａ−１２０の厚み
分だけの少ないものとなる。よって、最上層の絶縁膜１
２８を形成するまでの間に＾ｌやポリ５１などの金ｆ！
ＩＢＳのパターニング工程があっ°ζも、該金属膜の
サイドウオールが、それまでに形成された絶縁膜の縁部
の段差部に残ることが少なくなる。
また、絶縁膜の縁部の段差部にサイ１”ウオールが残り
だとしても、該サイドウオールは、次の１層、１．の絶
オ蚤股形成工程におい′Ｃ直ぐにその絶縁膜で覆われる
ことになる。したがっ°ζ、す・イドウオールがｒｌ、
１１れることは無くなる。
だとしても、該サイドウオールは、次の１層、１．の絶
オ蚤股形成工程におい′Ｃ直ぐにその絶縁膜で覆われる
ことになる。したがっ°ζ、す・イドウオールがｒｌ、
１１れることは無くなる。
（発明の効果）
５ 以上コ゛〔述したようにこの発明によれば、グリ
ッドラインと接する部分においては、順次１層上の絶縁
膜が１層下の絶縁膜の縁部を覆っ゛ζグリッドライン側
の基板表面に順次延在゛）°る構造としたから、２Ｍ構
造を製造する間におい°Ｃ金属１１りのパター１０
ニング工程があったとし°ζも、それまでに形成した絶
ｌ膜の縁部の段差部に金属膜のナイドウオールが残るこ
とが少なくなり、また残ったとしても、該・リイドウＡ
・−ルが次の１層上の絶縁膜の形成工程におい°ζ直ぐ
にその絶縁膜で覆われることにな１５ リ、ｆ／＋ｌ
Ｉれることがなくなる。したがっ°Ｃ１サイドウオール
が争１れＣも他の金属膜露出部と接触し゛Ｃリークが発
生し°ζ半導体装置の１７． ｊＩＴ性を低下さ・Ｕた
り、同！７，１］れにより外観不良となって廃棄される
結果！！ｉ！造歩留りを低下さ・Ｉるというようなこと
を無くずごとができる。
ッドラインと接する部分においては、順次１層上の絶縁
膜が１層下の絶縁膜の縁部を覆っ゛ζグリッドライン側
の基板表面に順次延在゛）°る構造としたから、２Ｍ構
造を製造する間におい°Ｃ金属１１りのパター１０
ニング工程があったとし°ζも、それまでに形成した絶
ｌ膜の縁部の段差部に金属膜のナイドウオールが残るこ
とが少なくなり、また残ったとしても、該・リイドウＡ
・−ルが次の１層上の絶縁膜の形成工程におい°ζ直ぐ
にその絶縁膜で覆われることにな１５ リ、ｆ／＋ｌ
Ｉれることがなくなる。したがっ°Ｃ１サイドウオール
が争１れＣも他の金属膜露出部と接触し゛Ｃリークが発
生し°ζ半導体装置の１７． ｊＩＴ性を低下さ・Ｕた
り、同！７，１］れにより外観不良となって廃棄される
結果！！ｉ！造歩留りを低下さ・Ｉるというようなこと
を無くずごとができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す構造断
面図、第２図は上記一実施例の装置を製造するだめの工
程断面図、第３図は従来の半導体装置を示す断面図、第
４図は従来の装置におけるグリッドラインと接する部分
における絶Ｕ膜の詳細構造を示す構造断面図、第５図は
従来の絶縁１１り構造においてその一部の製造方法を示
す工程断面図、第６図は縁部に勺イドウオールが残った
場合の従来の絶縁膜構造を示°ノ゛構造断面図、第７図
は従来の絶縁膜構造におい゛ζサイドウオールがＷｌれ
た例を示す断面図力よび側面図である。 １１・・・シリコン基板、ＯＬ・・・グリッドライン、
１２ ａ −ｔ ２ ｅ−ｋｆ！ｉｋｉ膜。 ＧＬ ニゲリッドライン １２ａ〜１２ｅ：絶縁膜 本発明１こ係る半導体装置 第１図 本発明、に係る装置の製造工程 従来の半導体装置 第３ 図 ｅ 従来の絶縁膜構造 第４ 図 本発明）こ係る装置の製造工程 第２図 従来の絶縁膜構造における製造方法の一部第５図 サイドウオールが残フた従来の絶縁膜構造第６図
面図、第２図は上記一実施例の装置を製造するだめの工
程断面図、第３図は従来の半導体装置を示す断面図、第
４図は従来の装置におけるグリッドラインと接する部分
における絶Ｕ膜の詳細構造を示す構造断面図、第５図は
従来の絶縁１１り構造においてその一部の製造方法を示
す工程断面図、第６図は縁部に勺イドウオールが残った
場合の従来の絶縁膜構造を示°ノ゛構造断面図、第７図
は従来の絶縁膜構造におい゛ζサイドウオールがＷｌれ
た例を示す断面図力よび側面図である。 １１・・・シリコン基板、ＯＬ・・・グリッドライン、
１２ ａ −ｔ ２ ｅ−ｋｆ！ｉｋｉ膜。 ＧＬ ニゲリッドライン １２ａ〜１２ｅ：絶縁膜 本発明１こ係る半導体装置 第１図 本発明、に係る装置の製造工程 従来の半導体装置 第３ 図 ｅ 従来の絶縁膜構造 第４ 図 本発明）こ係る装置の製造工程 第２図 従来の絶縁膜構造における製造方法の一部第５図 サイドウオールが残フた従来の絶縁膜構造第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に複数層の絶縁膜を有する半導体装置において、 基板周辺の基板表面が露出するグリッドラインと接する
部分においては、順次１層上の絶縁膜が１層下の絶縁膜
の縁部を覆って、グリッドライン１０側の基板表面に順
次延在する構造であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156647A JPH027431A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156647A JPH027431A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027431A true JPH027431A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15632230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156647A Pending JPH027431A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204401A (ja) * | 1991-06-27 | 1994-07-22 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ |
| JP2014200991A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63156647A patent/JPH027431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204401A (ja) * | 1991-06-27 | 1994-07-22 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ |
| JP2014200991A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 |
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