JPH0262367B2 - - Google Patents
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- JPH0262367B2 JPH0262367B2 JP22210485A JP22210485A JPH0262367B2 JP H0262367 B2 JPH0262367 B2 JP H0262367B2 JP 22210485 A JP22210485 A JP 22210485A JP 22210485 A JP22210485 A JP 22210485A JP H0262367 B2 JPH0262367 B2 JP H0262367B2
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- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 37
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
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- B26F3/002—Precutting and tensioning or breaking
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T225/30—Breaking or tearing apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、粘着シートに貼り付けられたセミ
フルウツトウエハーのブレイクに関するものであ
る。
フルウツトウエハーのブレイクに関するものであ
る。
周知の如く、半導体ウエハーの上面に形成され
たチツプパターンのダイシングラインに沿つて、
ウエハー厚をわずかに切り残して切断する作業
は、一般にセミフルカツト作業と呼ばれ、半導体
製造分野において広く行なわれ始めた作業であ
る。
たチツプパターンのダイシングラインに沿つて、
ウエハー厚をわずかに切り残して切断する作業
は、一般にセミフルカツト作業と呼ばれ、半導体
製造分野において広く行なわれ始めた作業であ
る。
（以下、単にセミフルカツトという。）
前記セミフルカツト作業は、第４図に示す如く
ドーナツ状のリングフレーム（以下、単にフレー
ム１という。）に均一に張られた粘着シート２の
粘着面に、前記ウエハー３を貼り付け、前記フレ
ーム１ごと位置決められ一般にダイサと呼ばれる
切断機によつて前記セミフルカツトを行なつてい
た。
ドーナツ状のリングフレーム（以下、単にフレー
ム１という。）に均一に張られた粘着シート２の
粘着面に、前記ウエハー３を貼り付け、前記フレ
ーム１ごと位置決められ一般にダイサと呼ばれる
切断機によつて前記セミフルカツトを行なつてい
た。
又、セミフルカツトされたウエハ３は、後工程
で１チツプ各に、ピツクアツプしボンデイングを
行なう一般にダイボンド作業と呼ばれる工程の為
に、前記、セミフルカツトウエハー３を、１チツ
プ各にブレイクする作業を必要とする。
で１チツプ各に、ピツクアツプしボンデイングを
行なう一般にダイボンド作業と呼ばれる工程の為
に、前記、セミフルカツトウエハー３を、１チツ
プ各にブレイクする作業を必要とする。
次に、従来のブレイク作業について、第４図、
第５図を用いて順をおつて詳細に説明する。
第５図を用いて順をおつて詳細に説明する。
第４図において、フレーム１に均一に張られた
粘着シート２の粘着面に貼り付けられ、前記、セ
ミフルカツトされたウエハー３は、一般に第４図
ｂ、並びにｃに示した如く、ウエハー３厚に対し
わずかに切り残されている。一般的に切り残し量
は20〜30μｍ程度である。次いで、第５図に示し
明らかな如く、フレーム位置決め固定機構４を備
えたXYテーブル５に、前記フレーム１ごと粘着
シート２に貼り付けられたセミフルカツトウエハ
ー３を位置決めする。次いで、前記、フレーム位
置決め機構４の下部で、前記、粘着シート２の下
面に位置し、先端部に球Ｒ状のブレイクピン６を
有し、上下機構７を備えてなるブレイク手段８に
よつて、前記、粘着シート２ごとセミフルカツト
ウエハー３を前記粘着シート２の下面から所定の
量だけ突き上げ、さらに前記、XYテーブル５に
より、あらかじめ認識手段（図示せず）によつて
読み取つたダイシングラインの裏側に沿つてセミ
フルカツトウエハー３を移動させることによつて
ブレイクを行なつていた。
粘着シート２の粘着面に貼り付けられ、前記、セ
ミフルカツトされたウエハー３は、一般に第４図
ｂ、並びにｃに示した如く、ウエハー３厚に対し
わずかに切り残されている。一般的に切り残し量
は20〜30μｍ程度である。次いで、第５図に示し
明らかな如く、フレーム位置決め固定機構４を備
えたXYテーブル５に、前記フレーム１ごと粘着
シート２に貼り付けられたセミフルカツトウエハ
ー３を位置決めする。次いで、前記、フレーム位
置決め機構４の下部で、前記、粘着シート２の下
面に位置し、先端部に球Ｒ状のブレイクピン６を
有し、上下機構７を備えてなるブレイク手段８に
よつて、前記、粘着シート２ごとセミフルカツト
ウエハー３を前記粘着シート２の下面から所定の
量だけ突き上げ、さらに前記、XYテーブル５に
より、あらかじめ認識手段（図示せず）によつて
読み取つたダイシングラインの裏側に沿つてセミ
フルカツトウエハー３を移動させることによつて
ブレイクを行なつていた。
次に、この種のブレイク作用について、第６図
を用いてさらに詳細に説明する。
を用いてさらに詳細に説明する。
第６図は、第５図に示したＤ−Ｄ断面図で、フ
レーム１ごと位置決め機構４（図示せず）に位置
決めされたセミフルカツトウエハ３とブレイクピ
ン６の動作を示したものである。
レーム１ごと位置決め機構４（図示せず）に位置
決めされたセミフルカツトウエハ３とブレイクピ
ン６の動作を示したものである。
第５図ａにおいて、前記、粘着シート２の下面
に位置したブレイクピン６は、次に第６図ｂに示
した如く、所定の量だけ上下機構７（第５図に示
す）によつて突き上げられ、次いで前記XYテー
ブル５によつて、ダイシングラインの裏側に沿つ
て移動させられる。
に位置したブレイクピン６は、次に第６図ｂに示
した如く、所定の量だけ上下機構７（第５図に示
す）によつて突き上げられ、次いで前記XYテー
ブル５によつて、ダイシングラインの裏側に沿つ
て移動させられる。
次に、第６図ｂに示したＥ部分の拡大図である
第６図ｃに示し明らかなように、前記、一連の動
作によつて、セミフルカツトされたウエハー３の
ダイシングラインの切り残された部分〔Ｆ〕に
は、粘着シート２をブレイクピン６によつて突き
上げた際に生じる張力〔Ｔ〕の垂直分力〔Tz〕
と、ブレイクピン６と粘着シート２の接点〔Ｏ〕
からチツプ端〔Ｇ〕までの距離〔L1〕の積であ
る〔Tz・L1〕なるブレイクが発生する。
第６図ｃに示し明らかなように、前記、一連の動
作によつて、セミフルカツトされたウエハー３の
ダイシングラインの切り残された部分〔Ｆ〕に
は、粘着シート２をブレイクピン６によつて突き
上げた際に生じる張力〔Ｔ〕の垂直分力〔Tz〕
と、ブレイクピン６と粘着シート２の接点〔Ｏ〕
からチツプ端〔Ｇ〕までの距離〔L1〕の積であ
る〔Tz・L1〕なるブレイクが発生する。
又、同時に前記ブレイク力の反力として第６図
ｃに示した如く接点〔Ｃ〕からブレイクピン６の
中心〔Ｆ〕までの距離〔L2〕に〔P1〕なる反力
が発生する。
ｃに示した如く接点〔Ｃ〕からブレイクピン６の
中心〔Ｆ〕までの距離〔L2〕に〔P1〕なる反力
が発生する。
両者の間には、〔Tn・L1＝P1・L2〕なる関係
が容易に導びかれ、ブレイク力が反力を上回つた
際始めてブレイクが行なわれる。
が容易に導びかれ、ブレイク力が反力を上回つた
際始めてブレイクが行なわれる。
以上のことより、ブレイクを容易に行なうため
には、〔P1〕なる反力を小さくするか、又は、
〔L2〕なる距離を短かくすること、あるいはブレ
イク力を強める手段が容易に考えられる。
には、〔P1〕なる反力を小さくするか、又は、
〔L2〕なる距離を短かくすること、あるいはブレ
イク力を強める手段が容易に考えられる。
〔P1〕なる反力を最少限あるいは零とするた
めの一手段として、一般に、前記粘着シート２の
表面一部まで前記ダイシングを行なう方法でフル
カツト（ウエハー完全切断）法があるが、このフ
ルカツト法は、前記ダイサの切刃に粘着シート２
の粘着剤が目づまりを起こし切刃の寿命をいちじ
るしく低下させてしまう欠点があり実用的でな
い。
めの一手段として、一般に、前記粘着シート２の
表面一部まで前記ダイシングを行なう方法でフル
カツト（ウエハー完全切断）法があるが、このフ
ルカツト法は、前記ダイサの切刃に粘着シート２
の粘着剤が目づまりを起こし切刃の寿命をいちじ
るしく低下させてしまう欠点があり実用的でな
い。
又、〔L2〕なる距離を短くする手段として、ブ
レイクピン６の先端部球Ｒの曲率半径を最少限に
する方法があるが、これも、ブレイク動作の際に
前記XYテーブル５によつてダイシングラインの
裏側に沿つて移動させる場合、ブレイクピン６と
粘着シート２の間で一般にスラツクスリツプと呼
ばれる。間欠的なしやくり（ジヤンピング）現象
が起こり、粘着シート裏面を傷損させてしまうた
め実用不可能である。又この現象はブレイクピン
６の先端曲率半径が球R1程度から見られること
は、実験によつて明らかにされている。
レイクピン６の先端部球Ｒの曲率半径を最少限に
する方法があるが、これも、ブレイク動作の際に
前記XYテーブル５によつてダイシングラインの
裏側に沿つて移動させる場合、ブレイクピン６と
粘着シート２の間で一般にスラツクスリツプと呼
ばれる。間欠的なしやくり（ジヤンピング）現象
が起こり、粘着シート裏面を傷損させてしまうた
め実用不可能である。又この現象はブレイクピン
６の先端曲率半径が球R1程度から見られること
は、実験によつて明らかにされている。
又、〔Tz・L1〕なるブレイク力を強める手段と
してブレイクピン６の突き上げ量を増すことで
〔Tz〕なる張力〔Ｔ〕の分力を強める手段がある
が、この場合も、粘着シート２の裏面の傷損並び
に変形の鑑点から実験的に５mm程度以下に抑える
必要があることが判明している。
してブレイクピン６の突き上げ量を増すことで
〔Tz〕なる張力〔Ｔ〕の分力を強める手段がある
が、この場合も、粘着シート２の裏面の傷損並び
に変形の鑑点から実験的に５mm程度以下に抑える
必要があることが判明している。
又、〔L1〕なる距離は、ウエハー３に形成され
るチツプパターンとチツプサイズによつて種々さ
まざまで、特に、□３ｍ／ｍ以下の小チツプの場
合得られるブレイク力は、非常に小さくなるた
め、ブレイクピン６を使用したブレイク方式にお
いては、ブレイクミスが多発する欠点があつた。
るチツプパターンとチツプサイズによつて種々さ
まざまで、特に、□３ｍ／ｍ以下の小チツプの場
合得られるブレイク力は、非常に小さくなるた
め、ブレイクピン６を使用したブレイク方式にお
いては、ブレイクミスが多発する欠点があつた。
さらに、ブレイクピン６は、先端部が挙Ｒ状で
ある為に、ダイシングラインの裏側に沿つて前記
XYテーブル５により移動を行なわせても前記ブ
レイク力が、移動方向以外の方向にも作用するた
めに、ダイシングライン以外の部分に割れが発生
したり、又、ブレイクラインが複雑な壁開形状に
なり、ウエハクズ（シリコンクズ）が多く発生
し、チツプパターンの上面に飛び散つて、パター
ンを傷損させるといつた重大な欠点があつた。
ある為に、ダイシングラインの裏側に沿つて前記
XYテーブル５により移動を行なわせても前記ブ
レイク力が、移動方向以外の方向にも作用するた
めに、ダイシングライン以外の部分に割れが発生
したり、又、ブレイクラインが複雑な壁開形状に
なり、ウエハクズ（シリコンクズ）が多く発生
し、チツプパターンの上面に飛び散つて、パター
ンを傷損させるといつた重大な欠点があつた。
本発明は、上記、欠点に鑑みなされたもので、
チツプサイズにより異る、ブレイク力に左右され
ず、XYテーブルによつて移動されたダイシング
ラインだけを確実にブレイクすることによつて、
ブレイクミスがなくかつ、ブレイク壁開形状が単
純できれいなブレイクラインを得ることが出来、
ウエハクズの発生が最少なブレイク装置を得るこ
とを目的とする。
チツプサイズにより異る、ブレイク力に左右され
ず、XYテーブルによつて移動されたダイシング
ラインだけを確実にブレイクすることによつて、
ブレイクミスがなくかつ、ブレイク壁開形状が単
純できれいなブレイクラインを得ることが出来、
ウエハクズの発生が最少なブレイク装置を得るこ
とを目的とする。
この発明によるブレイク装置は、ブレイク手段
の形状は、一主面の切り込み部分の延在方向にお
いて、円板形をなし、且つ前記円板形の軸心にお
いて回転自在に支持されたものである。
の形状は、一主面の切り込み部分の延在方向にお
いて、円板形をなし、且つ前記円板形の軸心にお
いて回転自在に支持されたものである。
この発明におけるブレイク手段は、上下機構７
によつて粘着シート２に突き上げられた際、上記
ブレイク手段の形状が円弧の中心を通る断面の先
端部が三角形を成していることにより、前記、
〔L2〕なる距離を零とすることでブレイク力を集
中することが出来、かつ、前記ブレイク手段の形
状が円弧をなしていると共に円弧の方向と同一方
向に、前記XYテーブル５によつて、移動された
ダイシングラインだけにブレーク力が作用すると
共に、ステイツクスリツプの発生がないために、
チツプサイズにより異るブレーク力に左右され
ず、前記、移動されたダイシングラインだけを確
実にブレイクでき、かつブレイク形状が単純でき
れいなブレイクラインを得ることができ、ウエハ
クズの発生が最少になり又、ブレイク手段９は円
形をなし円形の中心を軸として自在に回転可能に
支持されているため、粘着シートを傷損すること
もない。
によつて粘着シート２に突き上げられた際、上記
ブレイク手段の形状が円弧の中心を通る断面の先
端部が三角形を成していることにより、前記、
〔L2〕なる距離を零とすることでブレイク力を集
中することが出来、かつ、前記ブレイク手段の形
状が円弧をなしていると共に円弧の方向と同一方
向に、前記XYテーブル５によつて、移動された
ダイシングラインだけにブレーク力が作用すると
共に、ステイツクスリツプの発生がないために、
チツプサイズにより異るブレーク力に左右され
ず、前記、移動されたダイシングラインだけを確
実にブレイクでき、かつブレイク形状が単純でき
れいなブレイクラインを得ることができ、ウエハ
クズの発生が最少になり又、ブレイク手段９は円
形をなし円形の中心を軸として自在に回転可能に
支持されているため、粘着シートを傷損すること
もない。
以下この発明の一実施例を図を用いて説明する
第１図ないし第３図において、フレーム１に均一
に張られた粘着シート２の粘着面に貼り付けられ
前記、セミフルカツトされたウエハ３をフレーム
位置決め機構４を設えたXYテーブル５に、前記
フレーム１ごと位置決めする。次いで前記フレー
ム位置決め機構４の下部で前記粘着シートの下面
に位置し、先端部に、本発明によるブレイク手段
９を備え上下機構７を備えてなるブレイク手段８
によつて前記粘着シート２ごとにセミフルカツト
ウエハー３を所定の量だけ突き上げさらにXYテ
ーブル５によりあらかじめ認識手段によつて読み
取つたダイシングラインの裏側に沿つてブレイク
手段９の円弧の方向と同一方向にセミフルカツト
ウエハー３を移動させる。
第１図ないし第３図において、フレーム１に均一
に張られた粘着シート２の粘着面に貼り付けられ
前記、セミフルカツトされたウエハ３をフレーム
位置決め機構４を設えたXYテーブル５に、前記
フレーム１ごと位置決めする。次いで前記フレー
ム位置決め機構４の下部で前記粘着シートの下面
に位置し、先端部に、本発明によるブレイク手段
９を備え上下機構７を備えてなるブレイク手段８
によつて前記粘着シート２ごとにセミフルカツト
ウエハー３を所定の量だけ突き上げさらにXYテ
ーブル５によりあらかじめ認識手段によつて読み
取つたダイシングラインの裏側に沿つてブレイク
手段９の円弧の方向と同一方向にセミフルカツト
ウエハー３を移動させる。
前記、一連の動作によつて第２図に示した如く
セミフルカツトされたウエハー３のダイシングラ
インの切り残された部分〔Ｆ〕には、粘着シート
２をブレイク手段９によつて突き上げられた際に
生ずる張力〔Ｔ〕の垂直部分〔Tz〕と、ブレイ
ク手段９の中心〔Ｆ〕からチツプ端〔Ｇ〕までの
距離〔L1〕の積である〔Tz・L1〕なるブレイク
力が発生する。
セミフルカツトされたウエハー３のダイシングラ
インの切り残された部分〔Ｆ〕には、粘着シート
２をブレイク手段９によつて突き上げられた際に
生ずる張力〔Ｔ〕の垂直部分〔Tz〕と、ブレイ
ク手段９の中心〔Ｆ〕からチツプ端〔Ｇ〕までの
距離〔L1〕の積である〔Tz・L1〕なるブレイク
力が発生する。
又、同時に、前記ブレイク力の反力として第２
図に示した如如く、ブレイク手段９の中心〔Ｆ〕
＝ブレイク手段９と粘着シート２の接点〔Ｏ〕の
点に〔P1〕なる反力が発生する。
図に示した如如く、ブレイク手段９の中心〔Ｆ〕
＝ブレイク手段９と粘着シート２の接点〔Ｏ〕の
点に〔P1〕なる反力が発生する。
両者の間には、〔Tz・L1＝P1〕なる関係が容易
に導びかれブレイク力が反力を上回つた際始めて
ブレイク力が行なわれる。
に導びかれブレイク力が反力を上回つた際始めて
ブレイク力が行なわれる。
しかし本発明によるブレイク手段９の形状が円
弧を成すと共に円弧の中心を通る断面の先端部が
三角形を成すことにより、ブレイク力〔Tz、L1〕
がブレイク手段９の中心〔Ｆ〕に集中する為に距
離〔L1〕に関係なく、ブレイク手段９を所定量
突き上げた際に生ずる粘着シート２の張力〔Ｔ〕
だけでブレイク出来ることが容易に分る。
弧を成すと共に円弧の中心を通る断面の先端部が
三角形を成すことにより、ブレイク力〔Tz、L1〕
がブレイク手段９の中心〔Ｆ〕に集中する為に距
離〔L1〕に関係なく、ブレイク手段９を所定量
突き上げた際に生ずる粘着シート２の張力〔Ｔ〕
だけでブレイク出来ることが容易に分る。
さらに、本発明によるブレイク手段９は、円弧
を成している為、ダイシングラインに沿つてブレ
イク手段９の円弧の方向と同一方向に前記XYテ
ーブル５によりセミフルカツトウエハー３を移動
せしめた場合、ブレイク力は、前記円弧の方向と
同一方向にのみ作用するため、従来のブレイクピ
ン６に見られたようにブレイク力がダイシングラ
イン以外に作用することはない。
を成している為、ダイシングラインに沿つてブレ
イク手段９の円弧の方向と同一方向に前記XYテ
ーブル５によりセミフルカツトウエハー３を移動
せしめた場合、ブレイク力は、前記円弧の方向と
同一方向にのみ作用するため、従来のブレイクピ
ン６に見られたようにブレイク力がダイシングラ
イン以外に作用することはない。
又、本発明によればブレイク手段９を粘着シー
ト２に所定量突き上げた状態でブレイク手段９の
形状が円弧を通る断面の先端部が三角形を成しか
つ、円弧になつており、かつ円形でありさらに円
形の中心を軸に回転自在に支持されているため、
ブレイク手段９を粘着シート２に所定量突き上げ
た状態で、円弧の方向と同一方向に前記粘着シー
ト２を移動せしめてもステイツクスリツプを生じ
ない。
ト２に所定量突き上げた状態でブレイク手段９の
形状が円弧を通る断面の先端部が三角形を成しか
つ、円弧になつており、かつ円形でありさらに円
形の中心を軸に回転自在に支持されているため、
ブレイク手段９を粘着シート２に所定量突き上げ
た状態で、円弧の方向と同一方向に前記粘着シー
ト２を移動せしめてもステイツクスリツプを生じ
ない。
さらに本発明による一実施例では、ブレイク手
段９の形状が円弧を成すと共に、円弧の中心を通
る断面の先端部が二等辺三角形であり、かつ、
860゜全てに円弧状すなわち円板形を成しさらにそ
の円板形の中心を、回転軸として回転可能に支持
されており、粘着シート２との間で非常にスムー
ズに回転摺動が行なわれる為粘着シートを傷損し
ない。
段９の形状が円弧を成すと共に、円弧の中心を通
る断面の先端部が二等辺三角形であり、かつ、
860゜全てに円弧状すなわち円板形を成しさらにそ
の円板形の中心を、回転軸として回転可能に支持
されており、粘着シート２との間で非常にスムー
ズに回転摺動が行なわれる為粘着シートを傷損し
ない。
又、上記実施例では、円弧を成し、円弧の中心
を通る先端部が三角形又は二等辺三角形であり又
は円形でありさらに回転自在な例について説明し
たがブレイク手段９の形状は、うすい円板でかつ
中心を通る断面の先端部がＲ形状でも同様の効果
を奏す。
を通る先端部が三角形又は二等辺三角形であり又
は円形でありさらに回転自在な例について説明し
たがブレイク手段９の形状は、うすい円板でかつ
中心を通る断面の先端部がＲ形状でも同様の効果
を奏す。
以上のようにこの発明によれば、一主面の切り
込み部分の延在方向において、円板形をなし、且
つ前記円板形の軸心において回転自在に支持され
たものである。チツプサイズによるブレイク力に
左右されるXYテーブルにより移動されたダイシ
ングラインだけを確実にブレイクすることがで
き、ブレイクミスがなくかつブレイク壁開形状が
単純できれいなブレイクラインを得ることがで
き、さらにウエハクズの発生が最少なブレイク装
置を得ることができる。また更に、ブレイク手段
が円板形の軸心において回転可能であるため、粘
着シートとの面でブレイク手段が転動して相対移
動することになり、粘着シートの損傷を確実に防
止できる効果がある。
込み部分の延在方向において、円板形をなし、且
つ前記円板形の軸心において回転自在に支持され
たものである。チツプサイズによるブレイク力に
左右されるXYテーブルにより移動されたダイシ
ングラインだけを確実にブレイクすることがで
き、ブレイクミスがなくかつブレイク壁開形状が
単純できれいなブレイクラインを得ることがで
き、さらにウエハクズの発生が最少なブレイク装
置を得ることができる。また更に、ブレイク手段
が円板形の軸心において回転可能であるため、粘
着シートとの面でブレイク手段が転動して相対移
動することになり、粘着シートの損傷を確実に防
止できる効果がある。
第１図は、この発明の一実施例によるブレイク
手段を示す斜視図並びに正面図と側面図、第２図
はこの発明のブレイク手段の作用を示す拡大斜視
図第３図は、本発明によるブレイク手段を備えた
半導体ウエハブレイク装置の全体斜視図、第４図
はセミフルカツトウエハとフレーム並びに粘着シ
ートを示す斜視図及び断面図、第５図は従来のブ
レイクピン６を有するブレイク手段を備えた半導
体ウエハブレイク装置の斜視図、第６図は従来の
ブレイクピン６の作用を示す断面図を示す。 １はリングフレーム、２は粘着シート、３はセ
ミフルカツトウエハー、４はリングフレーム位置
決め機構、５はXYテーブル、７は上下機構、９
はブレイク手段を示す。なお、図中同一符号は同
一又は相当部分を示す。
手段を示す斜視図並びに正面図と側面図、第２図
はこの発明のブレイク手段の作用を示す拡大斜視
図第３図は、本発明によるブレイク手段を備えた
半導体ウエハブレイク装置の全体斜視図、第４図
はセミフルカツトウエハとフレーム並びに粘着シ
ートを示す斜視図及び断面図、第５図は従来のブ
レイクピン６を有するブレイク手段を備えた半導
体ウエハブレイク装置の斜視図、第６図は従来の
ブレイクピン６の作用を示す断面図を示す。 １はリングフレーム、２は粘着シート、３はセ
ミフルカツトウエハー、４はリングフレーム位置
決め機構、５はXYテーブル、７は上下機構、９
はブレイク手段を示す。なお、図中同一符号は同
一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 予め、一主面が所定深さまで切り込まれ、第
２主面がリングフレームに張られた粘着シートの
粘着面に貼り付けられた半導体ウエハーと、前
記、リングフレームを位置決め支持しXY方向に
移動可能なテーブルと、前記、リングフレームの
下方に位置し、前記、半導体ウエハーを粘着シー
トの裏から突き上げてブレイクするブレイク手段
を備えたものにおいて、前記ブレイク手段の形状
は、前記一主面の切り込み部分の延在方向におい
て、円板形をなし、且つ前記円板形の軸心におい
て回転自在に支持されていることを特徴とする半
導体ウエハーブレイク装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222104A JPS6282008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体ウエハ−ブレイク装置 |
| KR1019860005420A KR900001649B1 (ko) | 1985-10-04 | 1986-07-04 | 반도체 웨이퍼 브레이크(wafer break)장치 |
| US06/914,865 US4775085A (en) | 1985-10-04 | 1986-10-02 | Semiconductor wafer breaking apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222104A JPS6282008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体ウエハ−ブレイク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282008A JPS6282008A (ja) | 1987-04-15 |
| JPH0262367B2 true JPH0262367B2 (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=16777200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222104A Granted JPS6282008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体ウエハ−ブレイク装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4775085A (ja) |
| JP (1) | JPS6282008A (ja) |
| KR (1) | KR900001649B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100615B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1995-11-01 | 和郎 佐藤 | ガラス加工物切断装置 |
| WO1993004497A1 (en) * | 1991-08-14 | 1993-03-04 | Sela Semiconductor Engineering Laboratories | Method and apparatus for cleaving semiconductor wafers |
| US5710065A (en) * | 1995-01-03 | 1998-01-20 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for breaking and separating dies from a wafer |
| FR2749794B1 (fr) * | 1996-06-13 | 1998-07-31 | Charil Josette | Dispositif de clivage d'une plaque de materiau semi-conducteur |
| US6184063B1 (en) | 1996-11-26 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for breaking and separating a wafer into die using a multi-radii dome |
| US6685073B1 (en) | 1996-11-26 | 2004-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for stretching and processing saw film tape after breaking a partially sawn wafer |
| IL124199A (en) | 1998-04-23 | 2001-03-19 | Sela Semiconductor Enginering | Apparatus for cleaving crystals |
| JP2001250799A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェハおよび半導体装置 |
| JP4515790B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JP4694795B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JP5147230B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2013-02-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体基板の割断装置及び太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249709A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | 日立電線株式会社 | 半導体ウエハの切断方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL284964A (ja) * | 1961-11-10 | 1900-01-01 | ||
| US3497948A (en) * | 1967-09-05 | 1970-03-03 | Transistor Automation Corp | Method and apparatus for sorting semi-conductor devices |
| US3562803A (en) * | 1969-08-01 | 1971-02-09 | Centrifugal Products Inc | Plate breaking apparatus |
| JPS5313950B2 (ja) * | 1972-03-02 | 1978-05-13 | ||
| US4005808A (en) * | 1974-01-30 | 1977-02-01 | The Fletcher-Terry Company | Plastic cutting method |
| JPS5173871A (ja) * | 1974-12-23 | 1976-06-26 | Fujitsu Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
| US4195758A (en) * | 1978-04-03 | 1980-04-01 | Gte Automatic Electric Laboratories, Incorporated | Apparatus for separating snapstrates into individual hybrid substrates |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222104A patent/JPS6282008A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-04 KR KR1019860005420A patent/KR900001649B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-10-02 US US06/914,865 patent/US4775085A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249709A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-06 | 日立電線株式会社 | 半導体ウエハの切断方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6282008A (ja) | 1987-04-15 |
| US4775085A (en) | 1988-10-04 |
| KR870004490A (ko) | 1987-05-09 |
| KR900001649B1 (ko) | 1990-03-17 |
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