JP4694795B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Description
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインとの交差領域に照射し、該内部変質層形成工程において形成される内部変質層の厚さより厚い交差部変質層を形成する交差部変質層形成工程と、
該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層及び交差部変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含み、
該交差部変質層形成工程は、第1の分割予定ラインと第2の分割予定ラインの交差部に該第1の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成し、次いで該交差部に該第2の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成し、
該内部変質層形成工程は、該第1の分割予定ラインの一端側から他端側へ向かって連続した内部変質層を形成した後、該第2の分割予定ラインの一端側から他端側へ向かって連続した内部変質層を形成し、
該交差部変質層形成工程において形成される交差部変質層の厚さは、ウエーハの厚さに対して60%以上に設定され、 該交差部変質層形成工程において形成される交差部変質層の長さは、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインの間隔に対して15〜30%に設定されている、ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
また、上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に互いに平行に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差し互いに平行に形成された複数の第2の分割予定ラインとによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハを、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って連続した内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインとの交差領域に、該内部変質層形成工程において形成される該内部変質層の厚さより厚い十字状の交差部変質層を形成する交差部変質層形成工程と、
該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層及び交差部変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含み、
該交差部変質層形成工程は、第1の分割予定ラインと第2の分割予定ラインの交差部に該第1の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成し、次いで該交差部に該第2の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成する事によって該内部変質層の厚さよりも厚い十字状の交差部変質層を形成する、ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
内部変質層形成工程および交差部変質層形成工程するには、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2の裏面2bを上にして載置し、該チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない移動機構によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
即ち、保持テープ5に貼着された半導体ウエーハ2(分割予定ライン21および22に沿って変質層25および26が形成されている)を柔軟なゴムシート上に載置し、その上面をローラーによって押圧することによって、半導体ウエーハ2を変質層25および26が形成され強度が低下した分割予定ライン21および22に沿って割断する方法を用いることができる。また、変質層25および26が形成され強度が低下した分割予定ライン21および22に沿って例えば周波数が28kHz程度の縦波(疎密波)からなる超音波を作用せしめる方法や、変質層25および26が形成され強度が低下した分割予定ライン21および22に沿って押圧部材を作用せしめる方法、或いは変質層25および26が形成され強度が低下した分割予定ライン21および22に沿ってレーザー光線を照射してヒートショックを与える方法等を用いることができる。
21:第1の分割予定ライン
22:第1の分割予定ライン
23:回路
25:変質層
26:変質層
20:半導体チップ
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
33:撮像手段
4:環状のフレーム
5:保持テープ
6:分割装置
61:フレーム保持手段
62:テープ拡張手段
63:支持手段
Claims (3)
- 表面に互いに平行に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差し互いに平行に形成された複数の第2の分割予定ラインとによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハを、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインとの交差領域に照射し、該内部変質層形成工程において形成される内部変質層の厚さより厚い交差部変質層を形成する交差部変質層形成工程と、
該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層及び交差部変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含み、
該交差部変質層形成工程は、第1の分割予定ラインと第2の分割予定ラインの交差部に該第1の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成し、次いで該交差部に該第2の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成し、
該内部変質層形成工程は、該第1の分割予定ラインの一端側から他端側へ向かって連続した内部変質層を形成した後、該第2の分割予定ラインの一端側から他端側へ向かって連続した内部変質層を形成し、
該交差部変質層形成工程において形成される交差部変質層の厚さは、ウエーハの厚さに対して60%以上に設定され、 該交差部変質層形成工程において形成される交差部変質層の長さは、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインの間隔に対して15〜30%に設定されている、ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 表面に互いに平行に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差し互いに平行に形成された複数の第2の分割予定ラインとによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハを、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って連続した内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を該第1の分割予定ラインと該第2の分割予定ラインとの交差領域に、該内部変質層形成工程において形成される該内部変質層の厚さより厚い十字状の交差部変質層を形成する交差部変質層形成工程と、
該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って内部変質層及び交差部変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含み、
該交差部変質層形成工程は、第1の分割予定ラインと第2の分割予定ラインの交差部に該第1の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成し、次いで該交差部に該第2の分割予定ラインに沿って複数層の交差部変質層を形成する事によって該内部変質層の厚さよりも厚い十字状の交差部変質層を形成する、ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該分割工程は、該内部変質層形成工程および該交差部変質層形成工程が実施されたウエーハが貼着されている伸張可能な保持テープを拡張することによってウエーハを該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する、請求項1又は2に記載のウエーハの分割方法。
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