JPS60197372A - 半導体基板ダイシング用ブレ−ド - Google Patents
半導体基板ダイシング用ブレ−ドInfo
- Publication number
- JPS60197372A JPS60197372A JP59050233A JP5023384A JPS60197372A JP S60197372 A JPS60197372 A JP S60197372A JP 59050233 A JP59050233 A JP 59050233A JP 5023384 A JP5023384 A JP 5023384A JP S60197372 A JPS60197372 A JP S60197372A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blade
- thickness
- wafer
- cut
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体基板ダイシング用グレードに関するもの
で、半導体装置の製造に使用されるものである。
で、半導体装置の製造に使用されるものである。
半導体装置を製造するにはシリコン、ゲルマニウム等の
半導体基板（ウェーハ）上にリソダラフイ技術を用いて
同一の素子（テップ）を多数形成し、このウェーハプロ
セス完了後、ウェーハをチップ単位に切断分離するダイ
シングを行い、各チップをパッケージに収納して製品と
する。
半導体基板（ウェーハ）上にリソダラフイ技術を用いて
同一の素子（テップ）を多数形成し、このウェーハプロ
セス完了後、ウェーハをチップ単位に切断分離するダイ
シングを行い、各チップをパッケージに収納して製品と
する。
ウェーハの切断にはダイヤモンｒ粉を結合剤とともに薄
円板状に形成した回転刃（ブレード）が喝２蔭／＃悶５
詰プ 第１図および第２図は従来のダイシング用ブレードの構
成および作用を示す図であって、第１図はブレーＦの回
転軸方向から見た切断の様子を示す図、第２図はブレー
ドの円周方向から見たウェーハダイシング後の様子を示
す図である。
円板状に形成した回転刃（ブレード）が喝２蔭／＃悶５
詰プ 第１図および第２図は従来のダイシング用ブレードの構
成および作用を示す図であって、第１図はブレーＦの回
転軸方向から見た切断の様子を示す図、第２図はブレー
ドの円周方向から見たウェーハダイシング後の様子を示
す図である。
これらによれば、ダイシング用ブレード／は厚さが２０
ないし１００μｍの等厚の円板であって、安定支持のた
め、金属円板であるホルダ２によってブレード周縁部を
除き挾持され、さらに回転軸３によって高速回転される
。
ないし１００μｍの等厚の円板であって、安定支持のた
め、金属円板であるホルダ２によってブレード周縁部を
除き挾持され、さらに回転軸３によって高速回転される
。
しかしながら、このような等厚ブレードではホルダー−
から突出したブレード部分においてホルダコからの応力
が集中しブレードが欠けやすい。
から突出したブレード部分においてホルダコからの応力
が集中しブレードが欠けやすい。
このためブレード厚はあまり薄くすることができず、し
たがって切断時の切代を大きくとる必要性からウェーッ
・内にチップを余裕をもって配置しなければならず、単
位面積あたりのチップの形成率（収率）を高くとること
はできない。
たがって切断時の切代を大きくとる必要性からウェーッ
・内にチップを余裕をもって配置しなければならず、単
位面積あたりのチップの形成率（収率）を高くとること
はできない。
また、切断後のウェーッ・≠は第２図に示すように均等
幅で切断きれるが、第３図に示すようにこの切断部を上
方から見た場合、切断部！の両側のウェーハ端面には多
数の欠は乙が発生している。
幅で切断きれるが、第３図に示すようにこの切断部を上
方から見た場合、切断部！の両側のウェーハ端面には多
数の欠は乙が発生している。
例えば、 ＳＯμｍ厚のブレードを使用した場合切断部
の幅は７０−１０μｍ程度であるが、欠けのため使用で
きない部分の幅は１００−１２０μｍにも達する。
の幅は７０−１０μｍ程度であるが、欠けのため使用で
きない部分の幅は１００−１２０μｍにも達する。
この欠けは各チップの半導体素子領域付近にも拡がるこ
とがあるので半導体装置の信頼性を低下させ、また半導
体素子の形成領域を更に余裕をもって配置しなければな
らず、収率を大きくすることができないという問題があ
る。
とがあるので半導体装置の信頼性を低下させ、また半導
体素子の形成領域を更に余裕をもって配置しなければな
らず、収率を大きくすることができないという問題があ
る。
本発明は切断幅を少くすると共に切断面に欠けを生じな
い半導体基板ダイシング用ブレードを提供することを目
的とする。
い半導体基板ダイシング用ブレードを提供することを目
的とする。
上記目的達成のため、本発明においてはダイシング用ブ
レードの断面形状を周縁部と、ウェーッ・内方におって
保持板により挟持される挟持部との間で変化させるよう
にしており、′切断幅および欠けを減少させることめで
きるものでるる・〔発明の実施例〕 以下本発明の実施例のいくつかを図面を参照しながら詳
細に説明する。
レードの断面形状を周縁部と、ウェーッ・内方におって
保持板により挟持される挟持部との間で変化させるよう
にしており、′切断幅および欠けを減少させることめで
きるものでるる・〔発明の実施例〕 以下本発明の実施例のいくつかを図面を参照しながら詳
細に説明する。
第弘図は本発明にかかる半導体基板ダイシング用ブレー
ドの一実施例の構成および作用を示す図でろって、ダイ
シング用ブレード／／は、ホルダλによって挾持されか
つウェーハ≠への切込を行わない挟持部／／１）と、こ
の部分よりも厚さの薄い周縁部／／ａとを有している。
ドの一実施例の構成および作用を示す図でろって、ダイ
シング用ブレード／／は、ホルダλによって挾持されか
つウェーハ≠への切込を行わない挟持部／／１）と、こ
の部分よりも厚さの薄い周縁部／／ａとを有している。
この先端部分／／ａはダイシング用ブレード／／の厚さ
方向の中心部にアク、また周縁部／／ａから内方部／／
１）への厚で変化はブゝ ｖ−Ｆ／／。つう、１．にカ
、、１カ、９ッ７．。。
方向の中心部にアク、また周縁部／／ａから内方部／／
１）への厚で変化はブゝ ｖ−Ｆ／／。つう、１．にカ
、、１カ、９ッ７．。。
見られるように直線状でおる。すなわちブレード／／の
断面形状は等脚台形状である。
断面形状は等脚台形状である。
このようなダイシング用ブレードを使用したときのウェ
ーハ≠の切断部／２の両側のウェーハ端面にはブレード
／／の形状に一致したテーパが形成されている。このよ
うな切断面では切込深さの増加に伴い切込量が徐々に増
加するため、ウェーッ１上第ｊ図は本発明の他の実施例
の構成および作用を示す図であって、ダイシング用ブレ
ートコ／は第≠図の場合と同様に挟持部Ｊ／ ｂよりも
厚さが薄くかつブレード厚中心部に存在する周縁部２／
ａを有している、しかしその厚さ変化はウェーハ厚よシ
も少ない長さを有する等厚部２／ａおよびここから挾持
部、２／１）までの間で直線的に厚さが増加する厚さ変
化部分２／ｄによって達成されている。
ーハ≠の切断部／２の両側のウェーハ端面にはブレード
／／の形状に一致したテーパが形成されている。このよ
うな切断面では切込深さの増加に伴い切込量が徐々に増
加するため、ウェーッ１上第ｊ図は本発明の他の実施例
の構成および作用を示す図であって、ダイシング用ブレ
ートコ／は第≠図の場合と同様に挟持部Ｊ／ ｂよりも
厚さが薄くかつブレード厚中心部に存在する周縁部２／
ａを有している、しかしその厚さ変化はウェーハ厚よシ
も少ない長さを有する等厚部２／ａおよびここから挾持
部、２／１）までの間で直線的に厚さが増加する厚さ変
化部分２／ｄによって達成されている。
したがって、このダイシング用ブレードを使用したとき
のウェーハ≠の切断部２２．の断面は第５図に示すよう
に底面付近が等間隔で上面付近はテーパによって拡がっ
た形状となっている。この場合も切断部の上端がダイシ
ングされる除に切込量が徐々に増加するため欠けの発生
が少ない。
のウェーハ≠の切断部２２．の断面は第５図に示すよう
に底面付近が等間隔で上面付近はテーパによって拡がっ
た形状となっている。この場合も切断部の上端がダイシ
ングされる除に切込量が徐々に増加するため欠けの発生
が少ない。
第を図は第５図におけるウェーハ切断の様子を示す平面
図であって、ウェーハ上面の切断端≠ａがほぼ直線状と
なっておシ、欠けの発生は見られない。
図であって、ウェーハ上面の切断端≠ａがほぼ直線状と
なっておシ、欠けの発生は見られない。
表に本発明にかかるダイシング用ブレードを使用してウ
ッーハ佃１１ｆｒ冬行。を枯阜に従＊のＩイシング用ブ
レードを使用した結果の比較を掲げる。
ッーハ佃１１ｆｒ冬行。を枯阜に従＊のＩイシング用ブ
レードを使用した結果の比較を掲げる。
表
これによれば欠けの発生が減少し、その結果半導体装置
完成品としての良品率が向上し、またブレードの寿命が
延び、収率も向上したことが認められる。
完成品としての良品率が向上し、またブレードの寿命が
延び、収率も向上したことが認められる。
以上の実旅例においてはダイシング用ブレードの厚烙変
化がいず扛も直線的であったが、これに限られることな
く、二次曲線、放物線、円、楕円等の各ｉｆの曲線に従
って変化するようにしてもよい。
化がいず扛も直線的であったが、これに限られることな
く、二次曲線、放物線、円、楕円等の各ｉｆの曲線に従
って変化するようにしてもよい。
以上のように本発明においては、半導体基板ダイシング
用ブレードの形状を従来のような均一厚さではなく、ウ
ェーハ周縁部の厚さを保持板によって挾持される挾持さ
れる挾持部の厚さより薄くし、かつウェーハ上面におけ
る切削量が切込深さノ増加にしたがって増加するように
しているので、切断時の抵抗が減少して欠けの発生が減
少すると共にブレードの寿命が延びる。′！Ｉ−た、切
断時の取代を減少させることができるため、ブレードの
厚さを更に減少させることができ、欠けの発生に対する
余裕を十分取る必要がないことと相俟って半導体テップ
の形成領域を増加させることができ収率を向上させるこ
とができる。さらに、欠けの発生が減少することにより
半導体装置の信頼性を向上させることができる。
用ブレードの形状を従来のような均一厚さではなく、ウ
ェーハ周縁部の厚さを保持板によって挾持される挾持さ
れる挾持部の厚さより薄くし、かつウェーハ上面におけ
る切削量が切込深さノ増加にしたがって増加するように
しているので、切断時の抵抗が減少して欠けの発生が減
少すると共にブレードの寿命が延びる。′！Ｉ−た、切
断時の取代を減少させることができるため、ブレードの
厚さを更に減少させることができ、欠けの発生に対する
余裕を十分取る必要がないことと相俟って半導体テップ
の形成領域を増加させることができ収率を向上させるこ
とができる。さらに、欠けの発生が減少することにより
半導体装置の信頼性を向上させることができる。
第１図および第２図は従来の半導体基板ダイシング用ブ
レードの構成を示す図、第３図は従来のダイシング用ブ
レードによる切断後のウェーハ面を示す平面図、第≠図
および第５図は本発明の半導体基板ダイシング用ブレー
ドの構成および作用を示す図、第６図は本発明のダイシ
ングブレードによる切断後のウェーハ面を示す平面図で
ある。 ／、／／、２／・・・ダイシング用ブレード、２・・・
ホルダ、３・・・回転軸、グ・・・ウェーハ、ｓ、ｉｘ
、ｗ・・・切断部、乙・・・欠け、／／ａ、ｔ／ａ−周
縁部、／／１）。 ２／ｂ・・・挾持部。 出願人イヤ埋入 猪 股 消 色 １ に ｂ２ 図 「 ６３ 図 ｂ４ 図
レードの構成を示す図、第３図は従来のダイシング用ブ
レードによる切断後のウェーハ面を示す平面図、第≠図
および第５図は本発明の半導体基板ダイシング用ブレー
ドの構成および作用を示す図、第６図は本発明のダイシ
ングブレードによる切断後のウェーハ面を示す平面図で
ある。 ／、／／、２／・・・ダイシング用ブレード、２・・・
ホルダ、３・・・回転軸、グ・・・ウェーハ、ｓ、ｉｘ
、ｗ・・・切断部、乙・・・欠け、／／ａ、ｔ／ａ−周
縁部、／／１）。 ２／ｂ・・・挾持部。 出願人イヤ埋入 猪 股 消 色 １ に ｂ２ 図 「 ６３ 図 ｂ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄円板の周縁部の厚さを前記薄円板の両側よｐ保持
板によって挾持される挟持部の厚さよジグ用ブレード。 λ１周縁部の厚さと挟持部の厚さがブレード厚中心に対
して対称状に直線変化するものである特許請求の範囲第
１項記載の半導体基板ダイシング用ブレード。 ３、周縁部の厚さと挟持部の厚さがブレード厚中心に対
して対称状に曲線変化するものである特許請求の範囲第
１項記載の半導体基板ダイシング用ブレード。 記載の半導体基板ダイシング用ブレード。 上周縁部が少なくともクエーハ厚のＨの等厚部分を有し
ているものである特許請求の範囲第１項記載の半導体基
板ダイシング用ブレード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050233A JPS60197372A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 半導体基板ダイシング用ブレ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050233A JPS60197372A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 半導体基板ダイシング用ブレ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60197372A true JPS60197372A (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=12853295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59050233A Pending JPS60197372A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 半導体基板ダイシング用ブレ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60197372A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196550A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハのダイシング方法 |
| JPS6442858U (ja) * | 1987-09-04 | 1989-03-14 | ||
| US6863061B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Row slicing method in tape head fabrication |
| JP2008238369A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Noritake Super Abrasive:Kk | 切断ブレード |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP59050233A patent/JPS60197372A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196550A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハのダイシング方法 |
| JPS6442858U (ja) * | 1987-09-04 | 1989-03-14 | ||
| US6863061B2 (en) | 2003-01-15 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Row slicing method in tape head fabrication |
| US7446974B2 (en) | 2003-01-15 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Electronic component and tape head having a closure |
| US8111480B2 (en) | 2003-01-15 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Electronic component and tape head having a closure |
| JP2008238369A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Noritake Super Abrasive:Kk | 切断ブレード |
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