JPH0258267A - Ｍｉｓ型半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
Ｍｉｓ型半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH0258267A JPH0258267A JP63209037A JP20903788A JPH0258267A JP H0258267 A JPH0258267 A JP H0258267A JP 63209037 A JP63209037 A JP 63209037A JP 20903788 A JP20903788 A JP 20903788A JP H0258267 A JPH0258267 A JP H0258267A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
- H10B20/27—ROM only
- H10B20/30—ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
- H10B20/38—Doping programmed, e.g. mask ROM
- H10B20/387—Source region or drain region doping programmed
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
特に、読み出し専用の不揮発性記憶機能を有する半導体
集積回路装置（以下、マスクＲＯＭという）に関するも
のである。
集積回路装置（以下、マスクＲＯＭという）に関するも
のである。
［従来の技術］
マスクＲＯＭは、ＭＩＳＦＥＴでメモリーセルを構成し
ている。メモリーセルの２′０１１ ′１′。
ている。メモリーセルの２′０１１ ′１′。
の情報は、Ｉ情報書き込み工程でＭＩＳＦＥＴのしきい
値電圧を変化させることで得られる。
値電圧を変化させることで得られる。
従来のＭＩＳ型半導体装置を、ＭＯ８型半導体装置の製
造方法を一例番ご取り概略を示そう。
造方法を一例番ご取り概略を示そう。
まず、第１の閾値電圧を有するＬ Ｄ Ｄ （Ｌｉｇｈ
ｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造からなっている
ＭＩＳＦＥＴを形成する。この後、ＭＩＳＦＥＴを覆う
層間絶縁膜を形成し、ＭＩＳＦＥＴに接続するデータ線
及びソース＃Ｉ（アルミニウム膜）を形成する。この徨
、情報が書き込まれるＭＩＳＦＥＴのチャネル形成領域
上が開口されたフォトレジストマスクを形成する。そし
てこのフォトレジストマスクを用い、前記層間絶縁膜及
びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物（はう
素または燗）を導入する。この不純物の導入で第１の閾
値電圧と異なる第２閾値電圧を有するＭＩＳＦＥＴが形
成され、情報書き込み工程が行なわれる。この後、表面
保護膜を形成することでマスクＲＯＭの製造工程は終了
する。
ｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造からなっている
ＭＩＳＦＥＴを形成する。この後、ＭＩＳＦＥＴを覆う
層間絶縁膜を形成し、ＭＩＳＦＥＴに接続するデータ線
及びソース＃Ｉ（アルミニウム膜）を形成する。この徨
、情報が書き込まれるＭＩＳＦＥＴのチャネル形成領域
上が開口されたフォトレジストマスクを形成する。そし
てこのフォトレジストマスクを用い、前記層間絶縁膜及
びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物（はう
素または燗）を導入する。この不純物の導入で第１の閾
値電圧と異なる第２閾値電圧を有するＭＩＳＦＥＴが形
成され、情報書き込み工程が行なわれる。この後、表面
保護膜を形成することでマスクＲＯＭの製造工程は終了
する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術によるマスクＲＯＭの製造工程
では、情報を書き込む工程では、不純物は、ゲート電極
層及びゲート絶縁膜を透過させて、ＭＩＳＩ−ランシス
ターのチャネル領域に不純物を導入しているが不純物注
入の際の加速エネルギーは２５０〜３５０ＫｅＶ程度の
高エネルギーで導入している。このため、ゲート絶縁膜
中やＭＩＳトランジスタのチャネル領域中に結晶欠陥を
生じる。この結晶欠陥は、アルミニウム膜からなる配線
層が変形したり、融けたりしないように４５０°Ｃ程度
の熱処理しか行なうことができないため、十分に回復さ
せることができない。トランジスターのチャネル領域の
結晶欠陥は、ＭＩＳ）ランシスタのチャネル長が１．２
μｍ程度以下に微細化された場合特にトランジスター動
作時ドレイン領域の強電界で生まれるホットキャリアを
捕獲し捕獲された電子は正孔と再結合して゛１．リーク
電流として半導体基板側に流れるため消費電力の増大や
寄生サイリスタによるラッチアップという問題を生じる
。
では、情報を書き込む工程では、不純物は、ゲート電極
層及びゲート絶縁膜を透過させて、ＭＩＳＩ−ランシス
ターのチャネル領域に不純物を導入しているが不純物注
入の際の加速エネルギーは２５０〜３５０ＫｅＶ程度の
高エネルギーで導入している。このため、ゲート絶縁膜
中やＭＩＳトランジスタのチャネル領域中に結晶欠陥を
生じる。この結晶欠陥は、アルミニウム膜からなる配線
層が変形したり、融けたりしないように４５０°Ｃ程度
の熱処理しか行なうことができないため、十分に回復さ
せることができない。トランジスターのチャネル領域の
結晶欠陥は、ＭＩＳ）ランシスタのチャネル長が１．２
μｍ程度以下に微細化された場合特にトランジスター動
作時ドレイン領域の強電界で生まれるホットキャリアを
捕獲し捕獲された電子は正孔と再結合して゛１．リーク
電流として半導体基板側に流れるため消費電力の増大や
寄生サイリスタによるラッチアップという問題を生じる
。
また、素子の微細化が進みＭＩＳ）ランシスターのチャ
ネル長が１μｍ以下になった場合は特に、閾値電圧をあ
げるために行なうイオン注入によってトランジスターの
チャネル領域にはソース、ドレイン領域と異なる不純物
を導入するために、ソース、ドレイン間の耐圧が著しく
低下するとともに、トランジスター動作時にはドレイン
領域の高電界のために、２次降伏になり易く安定した動
作がむずかしかった。
ネル長が１μｍ以下になった場合は特に、閾値電圧をあ
げるために行なうイオン注入によってトランジスターの
チャネル領域にはソース、ドレイン領域と異なる不純物
を導入するために、ソース、ドレイン間の耐圧が著しく
低下するとともに、トランジスター動作時にはドレイン
領域の高電界のために、２次降伏になり易く安定した動
作がむずかしかった。
本発明は、このような課題を解決するものでその目的と
するところは、マスクＲＯＭにおいて消費電力の低減、
ラッチアップの防止、さらには集積回路の信頼性の向上
に寄与する技術を提供することにある。
するところは、マスクＲＯＭにおいて消費電力の低減、
ラッチアップの防止、さらには集積回路の信頼性の向上
に寄与する技術を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のＭＩＳ型半導体集積回路装置の製造方法は、Ｍ
ＩＳＦＥＴからなる不揮発性記憶機能を備えた半導体集
積回路の製造方法において高い不純物濃度のドレイン、
ソース領域と、該ドレイン、ソース領域とチャネル、形
成領域との間に設けられたドレイン、ソース領域と同一
導電型でかつそれよりも低い濃度の半導体領域とで構成
されている第１しきい値電圧を持つＭＩＳＦＥＴが構成
されており、前記ＭＩＳＦＥＴのソース領域、ドレイン
領域、もしくは前記低い濃度の半導体領域に酸素を注入
することにより第２しきい値のＭＩＳＦＥＴを有するこ
とを特徴とする。
ＩＳＦＥＴからなる不揮発性記憶機能を備えた半導体集
積回路の製造方法において高い不純物濃度のドレイン、
ソース領域と、該ドレイン、ソース領域とチャネル、形
成領域との間に設けられたドレイン、ソース領域と同一
導電型でかつそれよりも低い濃度の半導体領域とで構成
されている第１しきい値電圧を持つＭＩＳＦＥＴが構成
されており、前記ＭＩＳＦＥＴのソース領域、ドレイン
領域、もしくは前記低い濃度の半導体領域に酸素を注入
することにより第２しきい値のＭＩＳＦＥＴを有するこ
とを特徴とする。
［実施例〕
第１図は、本発明のＭＩＳ型半導体装置の一実施例の主
要な工程における横断面図であり以下この図にしたがい
ながらマスクＲＯＭに適用した例を具体的に示す。
要な工程における横断面図であり以下この図にしたがい
ながらマスクＲＯＭに適用した例を具体的に示す。
Ｐ型、比抵抗 ８〜１２（９ｃｍ）のシリコン基板１０
０（またはウェル領域）上に、ゲート酸化膜として酸化
シリコン１１１１０１を１０００℃○２ 雰囲気中で
２００〜４００ 堆積度の膜厚で形成させたのち、ゲー
ト電極材１０２として、多結晶シリコンＪｆＪ１０２を
ＣＶＤ法により４０００人程度堆積させた後イオン化リ
ン（Ｐ＋）を５０ＫｅＶ程度の加速エネルギーで５ｘｌ
ＯＩ５（ｃｍ−２）程度注入した、ゲート電極材１０２
として単層の高融点シリサイド（Ｍ ＯＳ ｉ ２
、 Ｔ ｉ Ｓ ｉｌ Ｔ ａ Ｓ ｉ２． ＷＳ
ｉ２） ＩＩ、高融点金属（Ｍｏ。
０（またはウェル領域）上に、ゲート酸化膜として酸化
シリコン１１１１０１を１０００℃○２ 雰囲気中で
２００〜４００ 堆積度の膜厚で形成させたのち、ゲー
ト電極材１０２として、多結晶シリコンＪｆＪ１０２を
ＣＶＤ法により４０００人程度堆積させた後イオン化リ
ン（Ｐ＋）を５０ＫｅＶ程度の加速エネルギーで５ｘｌ
ＯＩ５（ｃｍ−２）程度注入した、ゲート電極材１０２
として単層の高融点シリサイド（Ｍ ＯＳ ｉ ２
、 Ｔ ｉ Ｓ ｉｌ Ｔ ａ Ｓ ｉ２． ＷＳ
ｉ２） ＩＩ、高融点金属（Ｍｏ。
Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）、 膜、あるいは、これらの下層に
多結晶シリコンを設けた複合膜（ポリサイド膜）で構成
してもよい。
多結晶シリコンを設けた複合膜（ポリサイド膜）で構成
してもよい。
ついでフォトリソグラフィーによって 所望のバターニ
ングを行ない、ドライエツチングによって多結晶シリコ
ン層１０２を エツチングした。
ングを行ない、ドライエツチングによって多結晶シリコ
ン層１０２を エツチングした。
このとき、多結晶シリコン層１０２のエツチング条件は
、ＳＦａ、ＣＣｌＦ５ガス、１５０Ｗ 圧力０．６Ｔｏ
ｒｒで ６０秒程度エツチングした。
、ＳＦａ、ＣＣｌＦ５ガス、１５０Ｗ 圧力０．６Ｔｏ
ｒｒで ６０秒程度エツチングした。
次に、低い不純物濃度の半導体領域１０３（オフセット
領域とも呼ぶ）を形成させるためにフォトリソグラフィ
ーによって所望のバターニングを行なった後、例えばイ
オン化したリン（Ｐ゛）を３０ＫｅＶの加速エネルギー
で ８×１０１２（個／ｃｍ２）イオン注入した。この
低い濃度の半導体領域はＬ Ｄ Ｄ （Ｌｉｇｈｔｌｙ
ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）部として使用される。
領域とも呼ぶ）を形成させるためにフォトリソグラフィ
ーによって所望のバターニングを行なった後、例えばイ
オン化したリン（Ｐ゛）を３０ＫｅＶの加速エネルギー
で ８×１０１２（個／ｃｍ２）イオン注入した。この
低い濃度の半導体領域はＬ Ｄ Ｄ （Ｌｉｇｈｔｌｙ
ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）部として使用される。
次に、多結晶シリコン層１０２の側壁部に、絶縁膜が残
った状態、いわゆる サイドウオール（Ｓｉｄｅ Ｗ
ａｌｌ）１０４を形成するためにＣＶＤ法によって 第
１酸化シリコン層１０４を５０００人堆積させる。この
ときの堆積条件は、７８０°Ｃ雰囲気中 Ｎ２０＋ＣＨ
，ガス ２００Ｐａで３０分間 熱処理を行うことによ
って得られる。
った状態、いわゆる サイドウオール（Ｓｉｄｅ Ｗ
ａｌｌ）１０４を形成するためにＣＶＤ法によって 第
１酸化シリコン層１０４を５０００人堆積させる。この
ときの堆積条件は、７８０°Ｃ雰囲気中 Ｎ２０＋ＣＨ
，ガス ２００Ｐａで３０分間 熱処理を行うことによ
って得られる。
次に、第１酸化シリコン層を ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）モードで、ＤＲＹエ
ツチングした。この工程によってサイドウオール（Ｓｉ
ｄｅ Ｗａｌｌ）１０４が形成される。
ｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）モードで、ＤＲＹエ
ツチングした。この工程によってサイドウオール（Ｓｉ
ｄｅ Ｗａｌｌ）１０４が形成される。
次に、イオン化したリンをトランジスターのソース、ド
レインとなる部分１０５に自己整合的に６０Ｋｅｙの加
速エネルギーＴ５Ｘ１０１’（個／Ｃｍ２）イオン注入
した。 （第１図（ａ））こののち、ゲート電極層と配
線材（例えばアルミニウム）を絶縁するための酸化シリ
コンを堆積させ、ゲート電極材との接触を取るための孔
を開孔し配線材を堆積し、バターニングした。
レインとなる部分１０５に自己整合的に６０Ｋｅｙの加
速エネルギーＴ５Ｘ１０１’（個／Ｃｍ２）イオン注入
した。 （第１図（ａ））こののち、ゲート電極層と配
線材（例えばアルミニウム）を絶縁するための酸化シリ
コンを堆積させ、ゲート電極材との接触を取るための孔
を開孔し配線材を堆積し、バターニングした。
この後、マスクＲＯＭのデータを書き込むために酸素イ
オン１０６をドレイン、ソース側の低い濃度の半導体領
域１０３に１６０ＫｅＶの加速エネルギーでｌＸｌ０”
（個／／）導入した。（第１図（ｂ））次に、４５０″
Ｃアルゴン−水素（３％）雰囲気中にて４０分間アニー
ルしてドレイン、ソース側の低い濃度の半導体領域１０
３をシリコンとシリコン酸化物が混在した状態１０７を
形成してドレイン、ソース領域の抵抗値を高くすること
によってＭＩＳＩ−ランシスターの閾値を酸素注入しな
いＭ工Ｓトランジスターの閾値よりも高くした。 （第
１図（Ｃ））すなわち、トランジスターが選択状態にお
いてもトランジスターが動作しなくなるようにした。ま
た、チャネル領域にソース、ドレイン領域と異なる導電
型の不純物を注入する必要がなくなったために、ソース
、ドレイン間の耐圧は、書き込みをしないトランジスタ
ーの耐圧と同レベルにすることができた。この酸素イオ
ンの注入においては、上記の例ではドレイン、ソース側
に注入したが、ソース領域、 ドレイン領域、ソース側
の低い濃度の半導体領域、ドレイン側の低い濃度の半導
体領域、またそれらを組み合わせても効果は同じである
。
オン１０６をドレイン、ソース側の低い濃度の半導体領
域１０３に１６０ＫｅＶの加速エネルギーでｌＸｌ０”
（個／／）導入した。（第１図（ｂ））次に、４５０″
Ｃアルゴン−水素（３％）雰囲気中にて４０分間アニー
ルしてドレイン、ソース側の低い濃度の半導体領域１０
３をシリコンとシリコン酸化物が混在した状態１０７を
形成してドレイン、ソース領域の抵抗値を高くすること
によってＭＩＳＩ−ランシスターの閾値を酸素注入しな
いＭ工Ｓトランジスターの閾値よりも高くした。 （第
１図（Ｃ））すなわち、トランジスターが選択状態にお
いてもトランジスターが動作しなくなるようにした。ま
た、チャネル領域にソース、ドレイン領域と異なる導電
型の不純物を注入する必要がなくなったために、ソース
、ドレイン間の耐圧は、書き込みをしないトランジスタ
ーの耐圧と同レベルにすることができた。この酸素イオ
ンの注入においては、上記の例ではドレイン、ソース側
に注入したが、ソース領域、 ドレイン領域、ソース側
の低い濃度の半導体領域、ドレイン側の低い濃度の半導
体領域、またそれらを組み合わせても効果は同じである
。
工程は、素子表面保護膜を堆積させ、最後に配線材と外
部端子との接触を取るための孔を開孔した。
部端子との接触を取るための孔を開孔した。
以上、本発明の実施例を具体的にしめした。しかし、こ
の実施例は、あくまで一実施例であり例えば、ｐチャネ
ルＭＩＳＦＥＴに適用してもその効果は同じである。
の実施例は、あくまで一実施例であり例えば、ｐチャネ
ルＭＩＳＦＥＴに適用してもその効果は同じである。
［発明の効果］
以上本発明によれば、酸素を注入することによりＭＯＳ
トランジスターのオフセット領域をシリコン酸化物リッ
チの状態にすることにより抵抗を高くしデーターの書き
込みを行なうとともに、ソース、ドレイン間の耐圧をデ
ータ書き込みしないトランジスターと同レベルにするこ
とができた。
トランジスターのオフセット領域をシリコン酸化物リッ
チの状態にすることにより抵抗を高くしデーターの書き
込みを行なうとともに、ソース、ドレイン間の耐圧をデ
ータ書き込みしないトランジスターと同レベルにするこ
とができた。
また、ドレイン領域の酸化シリコンによって空乏層の広
がりが阻止されるためホットキャリアの発生を抑制でき
リーク電流も減少させることができた。 また、本発
明のＭＯ８型半導体装置の製造方法によって作られた４
ＭビットのＭＡＳＫＲ○Ｍは従来の半導体装置に比べて
歩留まりを２０％増加させることが出来た。
がりが阻止されるためホットキャリアの発生を抑制でき
リーク電流も減少させることができた。 また、本発
明のＭＯ８型半導体装置の製造方法によって作られた４
ＭビットのＭＡＳＫＲ○Ｍは従来の半導体装置に比べて
歩留まりを２０％増加させることが出来た。
第１図（ａ）〜（Ｃ）、本発明のＭＯ３型半導体装置の
一実施例の工程断面図である。 １００ ・・・第１導電型不純物を含むシリコン基板 １０１ ・・・ゲート酸化膜 １０２ ・・・ゲート電極材 １０３ ・・・第２導電型の低い不純物濃度の半導体領
域 １０４ ・・・第１酸化シリコン層、 サイドウオール １０５ ・・・第２導電型の濃い不純物濃度の半導体
領域 ソース、 ドレイン領域 ・酸素注入層 シリコン、 シリコン酸化物混 布層 以上
一実施例の工程断面図である。 １００ ・・・第１導電型不純物を含むシリコン基板 １０１ ・・・ゲート酸化膜 １０２ ・・・ゲート電極材 １０３ ・・・第２導電型の低い不純物濃度の半導体領
域 １０４ ・・・第１酸化シリコン層、 サイドウオール １０５ ・・・第２導電型の濃い不純物濃度の半導体
領域 ソース、 ドレイン領域 ・酸素注入層 シリコン、 シリコン酸化物混 布層 以上
Claims (1)
- ＭＩＳＦＥＴからなる不揮発性記憶機能を備えた半導体
集積回路の製造方法において高い不純物濃度のドレイン
、ソース領域と、該ドレイン、ソース領域とチャネル形
成領域との間に設けられたドレイン、ソース領域と同一
導電型でかつそれよりも低い濃度の半導体領域とで構成
されている第１しきい値電圧を持つＭＩＳＦＥＴが構成
されており、前記ＭＩＳＦＥＴのソース領域、ドレイン
領域、もしくは前記低い濃度の半導体領域に酸素を注入
することにより第２しきい値のＭＩＳＦＥＴを有するこ
とを特徴とするＭＩＳ型半導体集積回路装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209037A JPH0258267A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | Ｍｉｓ型半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209037A JPH0258267A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | Ｍｉｓ型半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258267A true JPH0258267A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16566208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209037A Pending JPH0258267A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | Ｍｉｓ型半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258267A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286874A (en) * | 1991-11-28 | 1994-02-15 | Lonza Ltd. | Process for the production of bismaleinimide derivatives |
| US5565375A (en) * | 1993-12-01 | 1996-10-15 | Imp, Inc. | Method of fabricating a self-cascoding CMOS device |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63209037A patent/JPH0258267A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286874A (en) * | 1991-11-28 | 1994-02-15 | Lonza Ltd. | Process for the production of bismaleinimide derivatives |
| US5565375A (en) * | 1993-12-01 | 1996-10-15 | Imp, Inc. | Method of fabricating a self-cascoding CMOS device |
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