JP3665183B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリセルを有する半導体装置、特にダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(以下、DRAMと略記する)セルを有した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
DRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した従来の半導体集積回路装置では、次の考慮がなされている。即ち、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と 情報処理部における情報処理の高速性確保の要請に答えるものである。以下はそのいくつかの試みである。
【０００３】
先ず、双方の部分のMOS型トランジスタのゲート酸化膜の膜厚を異ならせている例である。例えば、日本公開特許公報、特開平3-220766号（記事１）に見られる。この例は、ワード線昇圧の下でのゲート酸化膜の信頼性を確保して、高速の情報読み出し・書き込みが行なえるように、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜を、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜より厚くしている。また特開平４−１６５６７０、特開平５−１０２４１５、特開平６−３４２８９１特開平７−２９７２９８にも同様にメモリセル領域のゲート絶縁膜厚さを周辺回路領域のゲート絶縁膜の厚さより厚く形成する構造の開示がある。
【０００４】
また、上記と同種の半導体集積回路に対する、日本公開特許公報、特開昭 56-120166号（記事２）に見られる例では、情報記憶部や情報処理部で独立にしきい値電圧を設定している。このことを実現する為、２種類のゲート酸化膜を用いる。即ち、厚いゲート酸化膜の下部の半導体基板の不純物濃度を、薄いゲート酸化膜の下部のそれより低くしている。
【０００５】
また、日本公開特許公報、特開昭61-194770号（記事３）では、高電圧駆動のMOS型トランジスタのゲート酸化膜の信頼性を確保するための工夫を行っている。即ち、入出力回路部のMOS型トランジスタとメモリセル部の高しきい値電圧を必要とするMOS型トランジスタのゲート酸化膜を、内部回路部のMOS型トランジスタとメモリセル部の低しきい値電圧を必要とするMOS型トランジスタのゲート酸化膜より厚くしていた。
【０００６】
一方、フラッシュメモリセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した半導体集積回路でも、各ゲート酸化膜の膜厚を工夫している。例えば、日本公開特許公報、特開平8-8350号（記事４）に例が見られる。浮遊ゲート電極とドレイン拡散層との間のリーク電流を低減するために、ドレイン拡散層上のゲート酸化膜を厚くしている。このような、ドレイン拡散層上のゲート酸化膜を厚くする方法をDRAMを含む半導体集積回路に適用しても、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極端での接合端部の電界は変化しない。すなわち、高濃度のドレイン拡散層の端からゲート電極までの距離であるゲート酸化膜の厚さは何ら変化しないので、接合端部の電界は変わらない。このように、記事４ではDRAMにおける接合端部の電界の影響について考慮されていない。
【０００７】
この他、DRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した半導体集積回路では、半導体基板の不純物濃度の工夫も見られる。例えば、日本公開特許公報、特開平3-204969号（記事５）がそれである。情報記憶部のMOS型トランジスタの電荷蓄積電極に接する拡散層を、電荷蓄積電極に接する拡散層を低濃度層だけで構成し、その濃度は、情報処理部のMOS型トランジスタのソース・ドレイン拡散層の低濃度層とほぼ同じにしていた。それは、この層を形成する際の、高濃度イオン打込みに起因する欠陥の影響を受けたリーク電流の増大を防止するためである。
【０００８】
また、DRAMセルを情報記憶部としその他に情報処理部を有した半導体集積回路では、DRAMのリフレッシュ特性を向上するための別な工夫も見られる。例えば、日本公開特許公報、特開平6-61486号（記事６）である。それは、平面的にみて蓄積電極への接続穴部分でのみ、拡散層の高濃度層下に上記拡散層と同じ電導型の低濃度層を形成する。そして、前記低濃度層の不純物濃度を、前記高濃度拡散層と基板とで構成されるp-n接合に印加される逆方向電圧が大きい場合に、完全に空乏化するように設定するものである。しかし、 DRAMにおける接合端部の電界の影響について考慮されていない。
【０００９】
一方、溝による素子分離に関しては、日本公開特許公報、特開平5-144934号（記事７）に見られる。即ち、それは、微細な素子分離領域を実現するため、絶縁物が埋込まれた溝で素子分離を行なっている。
【００１０】
また、情報記憶部と情報処理部とでゲート酸化膜の膜厚を変えMOS型トランジスタ製造する方法は、例えば、特願昭62-275815（記事８）に見られる。それは次の方法をとっている。先ず、情報記憶部に必要な薄いゲート酸化膜を形成して情報記憶部の浮遊ゲート電極となるシリコン膜を堆積する。この後、浮遊ゲート電極用シリコン膜を所望形状に加工、更に制御ゲート電極用シリコン膜との間で層間絶縁膜となる絶縁膜を堆積する。その後、情報処理部の層間絶縁膜を除去して、情報処理部に必要な厚いゲート酸化膜を形成している。また素子分離溝を用いたＭＯＳＦＥＴにおいて分離溝と素子形成領域のエッジ部分でのゲート絶縁膜が薄くなることによる電界集中、ゲート耐圧劣化を防ぐために素子分離溝のエッジ部分におけるゲート絶縁膜を厚く形成する構造は特開平５−４７９１９、特開平１０−２２３７４７、特開平１０−２５４６３８に開示がある。また素子分離溝を用いたＭＯＳＦＥＴにおいて素子分離溝のエッジ部分の特に電界が集中するドレイン端でのゲート絶縁膜の厚さをチャネル方向においてドレイン端側で厚く形成して耐圧を高める構造は特開平５−２８３６８０に開示がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明の課題は、溝型分離の方法を用い、且つ DRAMセルを情報記憶部としその他に情報処理部を有した半導体集積回路において、より高集積度を実現すると共に、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と 情報処理部における情報処理の高速性確保の要請との両面に答えるものである。
【００１２】
本願発明の更なる課題は、半導体基板内に形成される不純物領域の接合部の電界に依って生ずる難点を対策し、 DRAMのリフレッシュ特性をより良好ならしめるものである。
【００１３】
特に、溝型素子分離の方法は、一般に不純物拡散領域の接合電界が大きくなり、この電界に起因するリーク電流が無視できなくなる傾向を有する。そして、この問題に十分な考慮がなされないと、結果としてDRAMのリフレッシュ特性が劣化を招くこととなる。
【００１４】
本願発明は、とりわけ、DRAMセルの絶縁ゲート型トランジスタを溝型分離法を用いて素子分離を行っている半導体集積回路装置に有用なものである。さらには、特に256Mbit以上の高集積度を有するDRAMおよびこうしたDRAMを有する半導体装置に適用して有用なものである。尚、絶縁ゲート型トランジスタの代表例は、実用的に有用ないわゆるMOS型トランジスタである。本願明細書において、以下、絶縁ゲート型を、その代表例であるMOS型をもって略記する。
【００１５】
本願発明の目的は、上記従来の半導体装置およびその製造方法が有する諸問題点を解決し、高集積度を実現すると共に情報記憶部における耐圧、信頼性を確保し、且つ 情報処理部における情報処理の高速性を確保した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。更には、そのリフレッシュ特性を向上したDRAMセルを有した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願明細書の開示される発明のうち、その代表的なものを列挙すれば、以下の通りである。
【００１７】
（１）第１の発明は特にゲート絶縁膜の膜厚に関するものである。
【００１８】
一般に半導体集積回路装置の集積度の観点から、素子分離方法を、現在多用されている選択酸化膜（LOCOS(Local Oxidation of Silicon)）から溝型分離の方法に変更することは理のあることではある。しかし、 DRAMセルと共に情報処理部をも有する半導体装置の場合、情報記憶部のMOS型トランジスタのしきい値電圧を情報処理部のMOS型トランジスタのしきい値電圧より高く設定する必要がある。それは、情報保持時のサブスレショルド電流を低減する必要がある為である。
【００１９】
尚、本願明細書において、溝によって積極的にある領域を分離する方法を溝型分離あるいは溝型素子分離と称する。実際的には、半導体基体に設けられたこの溝内に絶縁物、通例は酸化シリコンを埋め込んである。
【００２０】
即ち、第１の発明は、メモリセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記メモリセルは溝型分離されたMOS型トランジスタを有し、溝によって分離されたこのMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
この場合、溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応する前記ゲート絶縁膜の膜厚がチャネル間隔において実質的に均一の厚さであっても良い。また、当該MOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差、即ち膜厚分布を有していても良い。
【００２２】
これらの形態の中では、ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に均一の厚さの形態が製造に当って大変有利である。ゲート絶縁膜が膜厚分布を有する場合、各セルにおける膜厚分布を同一に調整する為、製造条件を十分管理する必要がある。
【００２３】
尚、本願発明は、厚いゲート絶縁膜を用いることは、実質的な構成を考慮すると更に次の効果を有する。
【００２４】
図１に主要部のこの状態の断面図を示す。半導体基板１００に溝１０１が形成されている。この溝１０１には酸化シリコン１０２が埋め込まれている。
【００２５】
溝型素子分離の方法によると、溝に酸化シリコン１０２を埋め込んで後、この表面の平坦化を行う。しかし、この時、現実の工程では、溝型分離領域の酸化シリコン部分の表面はチャネル１０３に対応する領域に比較して低い位置１０４まで後退する。この場合、ゲート絶縁膜１０５が薄いと、この本来のチャネル領域１０３から溝に移行する端面部分に実質的なチャネル部分１０６が形成される。
【００２６】
従って、本来のチャネル領域に加えて、溝部分側壁にもチャネルが存在し、ソースードレイン間電流が増大する。この結果、情報を保持する時（即ち、ゲート電圧が０Ｖの時）、リーク電流が実効的に増加するように作用し、情報保持の特性（即ち、リフレッシュ特性）が劣化する。
【００２７】
これに対して、本願発明のごとく厚いゲート絶縁膜を用いた場合、本来のチャネル領域から溝に移行する端面部分も前記の場合に比較して厚い絶縁膜となる。従って、上述したごとき問題の発生はない。この結果、情報保持時のリーク電流の増大を防止できる。
【００２８】
尚、以下の説明および実施例において、溝に埋め込まれた酸化シリコン膜がその平坦化の過程で若干低く後退することなど、より詳細な点は説明や図示が省略されている。
【００２９】
＜リフレッシュ特性確保等の為に、更に考慮すべき技術的背景＞
次に、以下に説明する本願発明の理解を助ける為、物理的な背景を説明する。先ず、素子分離の方法として、選択酸化膜による方法と溝型分離の方法とによる場合を比較し、溝型分離の場合の固有の問題を具体的に明らかにする。
【００３０】
DRAMのリフレッシュ特性に対して情報記憶部のMOSトランジスタに発生するより詳細な背景を要約すると、次の通りである。
【００３１】
（１）不純物拡散領域の高不純物濃度の領域とゲート電極との距離によって決定される電界が接合の空乏層に漏れて接合電界を大きくする現象を考慮すること。
【００３２】
（２）ノックオン酸素原子に起因した析出物による電界の増加の影響を考慮すること。尚、このノックオン原子はゲート絶縁膜の膜厚と関係する。
【００３３】
（３）ゲート電極端の電界に起因するリーク電流を考慮すること。
【００３４】
そして、それらは、構成上、（１）接合端部の不純物濃度、（２）電界が大きくなる領域の位置、および（３）ゲート電極と接合の高濃度部分との距離の3つの点を考慮する必要がある。
【００３５】
＜不純物領域の接合近傍の電界強度＞
図２、図３はゲート電極と高不純物濃度領域の接合端の電界強度の分布を説明した図である。これらによって、溝型分離と通例の選択酸化膜による分離との相違が容易に理解される。図２は選択酸化膜による分離の場合を示し、同図（ａ）は主要部の平面図、同図（ｂ）は図２（ａ）でのＡＢ断面図である。図３は溝型分離の場合を示し、同図（ａ）は主要部の平面図、同図（ｂ）は図３（ａ）でのＡＢ断面図を示している。
【００３６】
選択酸化膜の場合、その端部は通例、バード・ビーク(birds Beak)と称される酸化膜の半導体領域への侵入部が発生する。この為、この選択酸化膜によって構成される端部は急峻ではなく、半導体領域は下部に広がる形状となる。従って、ゲート電極下の不純物の拡散は横方向に広がりをみせる。一方、溝型分離の場合は、加工に伴う変位はあるものの、選択酸化膜によるそれよりも遥かに急峻な端面を有している。この為、選択酸化膜を用いた場合と同様の方法で不純物領域を形成するとしても、横方向への不純物拡散は無い。従って、半導体基板内の不純物濃度の分布は、選択酸化膜の場合より急峻となる。
【００３７】
まず、選択酸化膜で素子分離を行なった場合を図２に基づいて説明する。図２（ａ）において、ゲート電極２８の下部に不純物拡散領域２７が形成される。この不純物拡散領域２７の両側は選択酸化膜２６によって隣接する素子領域と分離されている。不純物拡散領域２７は、ゲート電極２８で覆われていない活性領域２７（図２（ａ）では領域２７の紙面の上方）から不純物を導入して形成する。このとき、不純物はゲート電極２８の下部および選択酸化膜２６下に拡散してゆく。不純物拡散領域２７の不純物濃度が基板濃度と一致する部分（冶金的接合位置）を破線２９で示した。
【００３８】
ゲート電極２８の下の不純物領域表面近傍の不純物濃度は、図２の（a）のA-B断面のものを図２（b）に示す。この不純物領域の表面近傍の不純物濃度はゲート電極２８で覆われていない活性領域の表面濃度より低くなる。
【００３９】
尚、図２（b）の不純物濃度の各線は、各々１×１０18cm-3の等不純物濃度線３０、１×１０17cm-3の等不純物濃度線３１、１×１０16cm-3の等不純物濃度線３２を示している。
【００４０】
図２（ａ）から理解されるように選択酸化膜を用いた場合、電界の大きい部分３３は、接合端部の曲率の影響が大きい部分となる。この電界の大きい部分３３では、ゲート電極２８と不純物拡散領域の高濃度部分との距離が、ゲート酸化膜３４より厚い選択酸化膜２６の端部分の酸化膜厚に等しい。したがって、ゲート電極２８と不純物拡散領域との間の電界の空乏層への漏れが少なく、接合電界に与える影響は少ない。また、ゲート電極２８下の接合端部の電界は、不純物拡散領域の不純物濃度が低くなった分小さくなる。
【００４１】
一方、絶縁膜が埋込まれた溝型の素子分離３５を行った図３の場合を説明する。図３に見られるように不純物拡散領域２７の不純物の横方向への広がり３６は、ゲート電極２８下のみとなる。即ち、溝型分離３５がなされた両側部は原理的に拡散は発生しない。従って、選択酸化膜の場合に発生していたこの両側部の方向への拡散は生じない。従って、ゲート電極２７下の不純物拡散層の表面濃度は、図３（b）に示すように、選択酸化膜で素子分離を行なった場合より高くなってしまう。また、ゲート電極下の不純物拡散層の不純物濃度が大きい場合、その濃度分布が急峻になり、これに伴い発生する電界強度は大きくなってしまう。
【００４２】
このとき、図３ａ）にみられるように接合電界の大きい部分３７の位置は、ゲート酸化膜３４の下部になる。従って、ゲート電極と不純物拡散層との間の電界の空乏層への漏れが多くなる。この為、接合電界の大きい領域では、その漏れ電界の影響を受けてさらに大きくなってしまう。
【００４３】
このように、接合電界の大きい部分の位置が、前述の選択酸化膜を用いた場合と溝型分離を用いた場合とで異なり、溝型分離の場合の固有の問題を生むこととなる。上述のように、素子分離を選択酸化膜から溝に変えた場合、接合電界が大きくなり、電界起因のリーク電流が無視できなくなる。結果として、DRAMのリフレッシュ特性が劣化してしまう。
【００４４】
＜溝型素子分離と厚いゲート絶縁膜＞
図４の（ａ）、（ｂ）の各々は、溝型分離されたMOS型トランジスタを有するDRAMセルを情報記憶部とし,更にその他に情報処理部を有した半導体集積回路装置の２つの例の主要部を模式的に示す断面図である。図４の（ａ）はそのゲート絶縁膜がチャネルの中心部分とその境界部分とでその厚さに差を有する例、図４（ｂ）はゲート絶縁膜がチャネルと対応する部分で実質的に均一の厚さを有する例を示している。
【００４５】
図４において、情報記憶部を４２、情報処理部を４０、および素子分離用の溝部を３５と示している。ゲート絶縁膜に膜厚分布を有する場合、ゲート絶縁膜の各境界部分を３９および４１、ゲート絶縁膜の各中央部分を３８および４９と表示した。ゲート絶縁膜が均一な場合、ゲート絶縁膜全体を４７および４８として示した。また、ソースまたはドレインとなる不純物拡散領域を各々３６、５０、５１、５２、５３、５４、５５、および５６、ゲート電極層を３７、このゲート電極層上の絶縁膜を１５０、サイド・スペーサを１５１として示した。
【００４６】
図４（ａ）、（ｂ）のいずれの場合も、情報記憶部４２が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚（図４（ａ）では３９、図４（ｂ）では４７）が、前記情報処理部４０が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚（図３（ａ）では４１、図３（ｂ）では４８）より大きくなっている。このことによって、溝型分離による高集積度を確保しつつ、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と 情報処理部における情報処理の高速性確保の要請とに答えることが出来る。
【００４７】
ゲート絶縁膜の厚さに中央部と境界部分に差のある例では、ソースまたはドレインとなる不純物拡散領域を複数の不純物濃度の領域として構成することと合わせて、更に、次のような利点を持たせ得る。第1はゲート端の接合領域へのゲート絶縁膜の電界の漏れ防止に有用である。第2はゲート絶縁膜の中央が薄いので、ソースードレイン間のリーク電流を小さくしながら、しきい値電圧は小さく出来る。
【００４８】
図４（ｃ）はこの効果を説明する為の装置断面図である。情報記憶部４２において、ソースおよびドレインとなる拡散層との境界部分でのゲート酸化膜１０４５の膜厚が、情報処理部４０のMOS型トランジスタの上記境界部分でのゲート酸化膜１０７４の膜厚より大きくなっている。この構成を取ることによって、ゲート電極１０５７と拡散層の高濃度部分１０４７との距離を大きくすることができる。即ち、ゲート電極１０５７と拡散層に挟まれた酸化膜１０４５の電界が、ゲート電極１０５７の端部の接合の空乏化領域に漏れることが阻止される。
【００４９】
従って、溝型素子分離されたMOS型トランジスタのゲート電極端の領域１０４６での電界は比較的強いものの、上記電界の漏れの影響を排除することができる。
【００５０】
ゲート電極端の接合の空乏化表面のゲート酸化膜１０４５も厚くするため、その分しきい値電圧を高くできる。こうして、情報保持時のソース・ドレイン間リーク電流を低減することができる。DRAMのリフレッシュ特性は、接合電界に起因した接合リーク電流と、情報保持時のソース・ドレイン間リーク電流との影響を受ける。従って、本構造によれば上記電界の増加を防止できる。また、前述の電界増加の防止効果に伴って、この電界増加が発生しない場合を考えれば、しきい値電圧を高く出来る。こうすれば、DRAM特性を更に向上することができる。
【００５１】
また、この場合、ゲート電極中央部付近のゲート酸化膜を薄くしているため、ドレイン電流―ゲート電圧特性はソース・ドレイン間リーク電流を小さくしながらしいき値電圧を小さくすることが出来る。その結果、情報の読み出しや書き込みを行なう際にゲート電圧を低くできるので、昇圧回路が不要になるか、わずかな昇圧ですむようになる。こうして、DRAMのワード線の駆動を高速かつ低電力が実現できる。
【００５２】
尚、図４（ｃ）において、半導体基板は１０４０、低い不純物濃度の不純物領域は１０４６、１０７６、高い不純物濃度の不純物領域は１０４７、１０７７、ゲート電極１０５７および１０６７上の絶縁膜は１１５０および１１６０、シリコン窒化膜は１１５１および１１６１、サイドスペーサは１０５８および１０６８として夫々示した。
【００５３】
図５はドレイン電流―ゲート電圧特性の各種比較を示すものである。（ａ）薄いゲート絶縁膜の場合（６ｎｍ）、（ｂ）厚いゲート絶縁膜の場合（８ｎｍ）、および（ｃ）ゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有する場合（６―８ｎｍに渡って変化する例）の諸例を示している。尚、図５は、基板およびソースは接地，ドレインは３Ｖの印加の状態とした例の特性を示している。ドレイン電流―ゲート電圧特性からみると、ゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有する場合が最も好ましい。
【００５４】
＜ドレイン接合近傍の局所電界集中とノックオン原子＞
前述の発明の適用に加えて、ゲート絶縁膜の厚くすることによって新たに生ずる可能性のある難点を回避しておくことが実用上重要である。
【００５５】
先ず考え得るのは、ノックオン原子と局所電界集中の問題である。そこで、ゲート絶縁膜の厚さとノックオン原子の関係を考察する。
【００５６】
図６は上記低濃度の不純物拡散領域を形成するための不純物イオン１の打込みにおけるノックオン原子の状態を示す断面図である。ゲート電極２の端部ではゲート酸化膜３中の酸素原子４が半導体基板５中にノックオンされる。
【００５７】
図７はイオン打ち込み後の低濃度不純物領域が形成された状態を示す断面図である。低濃度拡散層６と半導体基板５とで構成される接合部には空乏化領域７が生ずる。しかし、この空乏化領域には、前述のノックオン原子による酸素析出物８が形成される。この酸素析出物８は、打込み損傷が析出核となり、打込み後の熱処理においてノックオン酸素４が析出核に捕獲されることにより形成される。
【００５８】
図７はゲート絶縁膜が薄い場合の一般的な状況を例示している。ゲート酸化膜３が上記打込み深さより十分薄い場合には、ゲート酸化膜３中を通過する際の不純物イオン１のエネルギが十分高い。従って、ゲート酸化膜３中でエネルギを失う過程が電子との衝突によるものである。酸素原子との核衝突が少なく、この為、酸素のノックオンも少なくなる。また、基板５中では不純物が比較的深くまで打込まれるので、酸素のノックオンが生じても上記空乏化領域７に酸素析出物８が形成される確率は低い。
【００５９】
しかし、図８に示すように、ゲート酸化膜９が厚くなると、ゲート酸化膜９中を通過し基板に達する直前の不純物イオンのエネルギが低くなる。この為、不純物イオンが原子核との衝突によりエネルギを失う過程が増える。この為、打ち込みイオンと酸素原子との核衝突が多くなり、酸素のノックオンも多くなる。特に、ゲート酸化膜９と基板５との界面近傍に打込まれる不純物が多くなるため、ノックオン酸素も多くなる。また、基板５中に打込まれる不純物は、比較的浅い部分にとどまるため、上記空乏化領域１０に酸素析出物１１が形成される確率が高くなってしまう。
【００６０】
このような現象がある中で、前述の様にDRAMセル部のトランジスタのゲート酸化膜を厚くすると、ゲート電極端の基板表面付近に析出物１１が発生する確率が高くなる。
【００６１】
図９はゲート電極端部の電界分布と酸素析出物の問題となる関係を示したものである。図において、0MV/cmの等電界線１４、0.1 MV/cmの等電界線１５、0.2 MV/cmの等電界線１６、0.3 MV/cmの等電界線１７、および、0.4 MV/cmの等電界線１８を示している。そして、ゲート電極２の端部では、低濃度不純物拡散層１２の端部の曲率によって、空乏層１３中の電界が大きくなる。
【００６２】
今、電界の大きい部分（図の斜線部分１８）に酸素析出物１１が存在すると、局所電界集中が生じ、電界起因の接合リーク電流が増えてしまう。その結果、DRAMの重要な特性であるリフレッシュ特性が劣化してしまう。例えば特開平6-61486（記事６）はこうしたことが考えられる例である。
【００６３】
尚、選択酸化膜を用いた素子分離の方法においても、ノックオン原子の影響は考慮しなければならない。図１０は選択酸化膜による素子分離の例を示すものである。図１０（ｂ）はゲート酸化膜３が薄い例である。この場合、選択酸化膜１９の端部では、実質的に酸化膜が厚くなっている。この為、酸素のノックオンも多くなり、酸素析出物２０が多く発生する可能性がある。しかし、その部分では空乏層１３中の電界１６が小さいため、仮に局所電界集中が生じても、電界に起因する接合リーク電流は無視できる大きさである。
【００６４】
しかし、図１０（ａ）のようにゲート酸化膜９が厚い例では、酸素のノックオンに起因して発生した酸素析出物２０が強電界部分（図中斜線部分）１７に存在しやすい。この為、電界に起因する接合リーク電流が無視できなくなる。
【００６５】
情報記憶部や情報処理部で独立にしきい値電圧を設定できるように、例えば、２種類の膜厚のゲート酸化膜を設定しても、より高度な特性要求に対しては更なる対応が必要である。例えば、膜厚が２種類のゲート酸化膜を有し、厚い酸化膜の下部の基板濃度を薄い酸化膜の下部より低くする方法になるDRAMを含む半導体集積回路装置を示す特開昭56-120166（記事９）でも同じ状況と考えられる。
【００６６】
即ち、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜を厚くして半導体基板の不純物濃度を低くすると、しきい値電圧が高くなる。従って、情報保持時のソース・ドレイン間リーク電流を低減することができなくなる。また、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜を薄くして半導体基板の不純物濃度を高くすると、ゲート電極端での接合端部の電界が大きくなる。この為、電界に起因するリーク電流を低減することができない。その結果、DRAMの重要な特性であるリフレッシュ特性に影響が発生する。
【００６７】
以下に記載の発明は、上述した更に仔細な諸問題点を回避するものである。
【００６８】
＜本願明細書に開示される発明のうちの代表的なものの更なる列挙＞
（２）第２の発明は半導体基板内の不純物領域の不純物濃度に関するものである。
【００６９】
即ち、その要点は、DRAMセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記DRAMセルは溝によって分離されたMOS型トランジスタを有し、この溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分での不純物領域の濃度が、情報処理部のMOS型トランジスタの上記境界部分での不純物領域の濃度より低く設定するものである。
【００７０】
図１１はこの第2の発明の主要部を模式的に示す断面図である。即ち、図１１は、半導体基板１０４０に情報記憶部５０と情報処理部５２が形成される。そして、情報記憶部５０のMOS型トランジスタは溝型分離４９されている。尚、厚いゲート絶縁膜は５５、これより薄いゲート絶縁膜は３２と示した。また、サイドスペーサ部は５６である。
【００７１】
このMOS型トランジスタのソースあるいはドレインとなる不純物拡散層の不純物濃度を、ゲート電極との境界部分５１において、情報処理部５２のMOS型トランジスタの上記と同様の関係にある境界部分での不純物拡散層５３の濃度より低くした例である。情報記憶部５０のMOS型トランジスタでは、ゲート電極端部での半導体基板の不純物濃度がより低濃度となる為、ゲート電極５４の端部での接合電界を小さくできる。
【００７２】
本技術を上記第1の発明と合わせ実施することにより、より有用な半導体装置を実現することが出来る。
【００７３】
この場合、上記第1の発明に関して述べたと同じように、溝によって分離されたMOS型トランジスタのゲート絶縁膜は、チャネル対応部分で実質的に同等の厚さでもよいし、またソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差を有した形態でも良い。ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に均一な厚さの形態が製造に当って有利なことなどは前述の通りである。
【００７４】
（３）第３の発明は、更に、ソース領域またはドレイン領域の高濃度領域とゲート電極との間隔に関するものである。
【００７５】
即ち、その要点は、MOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔が、情報処理部のMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔より大きいことを特徴とするものである。
【００７６】
第３の発明を要約すれば、次の通りである。即ち、それは、DRAMセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記DRAMセルは溝によって分離されたMOS型トランジスタを有し、この溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きく、且つこの溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔が、情報処理部のMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔より大きいことを特徴とする半導体装置である。
【００７７】
上記第1の発明に関して述べたと同様に、溝によって分離されたMOS型トランジスタのゲート絶縁膜は、チャネル対応部分で実質的に同等の厚さでよい。またソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差を有した形態でも良い。ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に同等の厚さの形態が製造に当って有利なことなどは前述の通りである。
【００７８】
また、前記ソース領域またはドレイン領域の高濃度領域とゲート電極との間隔については、素子分離を選択酸化膜を用いる方法においても適用できる。前述の図１１において、素子分離４９が選択酸化膜によりなされるようすれば良い。素子分離された情報記憶部のMOS型トランジスタにおいて、ゲート酸化膜５５の膜厚は、情報処理部のゲート酸化膜３２より厚い酸化膜を用いる。そして、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート電極５４のサイドスペーサ５６の下部に形成される低濃度拡散層５１の濃度を、情報処理部５２のMOS型トランジスタのゲート電極５４のサイドスペーサ５６の下部に形成される低濃度拡散層５３の濃度より低くする。これにより、情報記憶部５０でのゲート電極５４端の接合電界を、より小さくできる。
【００７９】
（４）第４の発明は、ゲート電極に対して、特にサイドスペーサを有する構造を有する形態に関するものである。
【００８０】
即ち、それは、DRAMセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記DRAMセルは素子分離されたMOS型トランジスタを有し、この素子分離されたMOS型トランジスタは、そのゲート電極の両側部にサイドスペーサ部を有し、且つ素子分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有するMOS型トランジスタののソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きく、且つ溝によって分離された前記MOS型トランジスタのゲート電極の前記サイドスペーサ部の下部に略対応して位置する半導体領域の低濃度拡散領域の不純物濃度が、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート電極の前記サイドスペーサ部の下部に略対応して位置する半導体領域の低濃度拡散領域の不純物濃度の濃度より低いことを特徴とする半導体装置である。
【００８１】
この溝によって分離されたMOS型トランジスタのゲート絶縁膜は、チャネル対応部分で実質的に同等の厚さでもよいし、またソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差を有した形態でも良い。ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に同等の厚さの形態が製造に当って有利なことなどは前述の通りである。
【００８２】
尚、第４の発明の場合、素子分離は、溝型分離あるいは選択酸化膜による分離をも用い得る。
【００８３】
図１２を参酌して、第４の発明の例を具体的に説明する。素子分離された情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート電極５７のサイドスペーサ５８下部に略対応して形成される低濃度拡散層５９の濃度が、情報処理部５２のMOS型トランジスタのゲート電極６０のサイドスペーサ６１下部に略対応して形成される低濃度拡散層６２の濃度より低く形成されている。
【００８４】
そして、情報記憶部５０のMOS型トランジスタの高濃度拡散層６５下に、サイドスペーサ５８下部に形成されるより低濃度の拡散層５９と同程度の濃度の拡散層６８を有し、かつ、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート酸化膜６３下の基板濃度分布が、上記と同様にする。これによって、前述と同様にしきい値電圧を高く保ちながら、効果的に接合電界を低減することができる。
【００８５】
本発明によって、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と、情報処理部における情報処理の高速性確保の要請とに答えることが出来る。
【００８６】
（５）第５の発明は、更に、半導体基板における不純物濃度に関するものである。第５の発明の場合、素子分離は、溝型分離あるいは選択酸化膜による分離をも用い得る。
【００８７】
それは、DRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した半導体集積回路において、素子分離された情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極のサイドスペーサ下部に形成される低濃度拡散層の濃度が、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート電極のサイドスペーサ下部に形成される低濃度拡散層の濃度より低い際に、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜下の基板濃度が、表面から上記低濃度拡散層とほぼ同じ深さまで高く、上記低濃度拡散層とほぼ同じ深さから高濃度拡散層とほぼ同じ深さまで低く、かつ、高濃度拡散層とほぼ同じ深さ以上で高くなっていることを特徴とする半導体装置である。
【００８８】
図１２の（ａ）に示すように、素子分離５７（溝型分離あるいは選択酸化膜を用いた方法のいずれでも良い）された情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート電極５７のサイドスペーサ５８下部に形成される低濃度拡散層５９の濃度が、情報処理部５２のMOS型トランジスタのゲート電極６０のサイドスペーサ６１下部に形成される低濃度拡散層６２の濃度より低くする際に、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート酸化膜６３下の基板６４濃度分布を、表面から上記低濃度拡散層５９とほぼ同じ深さまで高く、上記低濃度拡散層５９とほぼ同じ深さから高濃度拡散層６５とほぼ同じ深さまで低く、かつ、高濃度拡散層６５とほぼ同じ深さ以上で高くする。
【００８９】
これによって、上記低濃度拡散層５９とそれに接した高濃度領域６６との間での接合電界、および、高濃度拡散層６５とそれに接した低濃度領域６７との間での接合電界を小さくできるので、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのしきい値電圧を高く設定しながら、電界起因の接合リーク電流とサブスレッシュ電流を低減できる。
【００９０】
図１２（ａ）がゲート絶縁膜の厚さに分布を有する例であるのに対して、図１２（ｂ）はゲート絶縁膜がチャネルに対応した領域で実質的に均一な厚さを有する例である。他の構成は図１２の（ａ）と（ｂ）は同様である。
【００９１】
図１２の（ｃ）は、情報記憶部のサイドスペーサの厚さを情報処理部のそれより大きくすることにより、高濃度不純物領域をゲート電極より距離を大きくとる例を示したものである。前述の図１２の（ｂ）はサイドスペーサの厚さが、情報記憶部と情報処理部とで同じ厚さになっている例である。各々のサイドスペーサは５８および６１である。同図において半導体装置のその他の領域は図１２と同様の符号によって示した。
【００９２】
図１２の（ｃ）は情報記憶部のサイドスペーサ５８１の厚さを情報処理部のそれ６１より大きくした例を示している。例えば、サイドスペーサ５８１を７０ｎｍ、サイドスペーサ６１を５０ｎｍとする。この場合、高濃度不純物領域６５の横方向の広がりが４０ｎｍの例では、ゲート電極５７と高濃度不純物領域６５の距離は、サイドスペーサ５８１側で３０ｎｍおよびサイドスペーサ６１側で１０ｎｍとなる。尚、同図において半導体装置のその他の領域は図１２と同様の符号によって示した。
【００９３】
図１３は、ゲート絶縁膜が８ｎｍの場合、高濃度不純物領域６５とゲート電極の間隔とゲート電極端の電界強度の関係を示す図である。尚、この例では、高濃度不純物領域６５に対して、低濃度不純物領域５９および電界緩和層６８が形成されている。この図１３より、電界強度を０．５ＭＶ／ｃｍ程度から０．３ＭＶ／ｃｍ程度まで低減出来ることが理解される。
【００９４】
＜リフレッシュ特性の改善に係わる多層構造ゲート電極＞
以下に説明する発明は、ゲート電極に関するものである。この電極構造によって、 MOS型トランジスタのしきい値電圧を高く保ちながら、接合電界を低減するものである。これらゲート電極に関する発明を上述の各発明と併用して用いることは実用上好ましいことである。
【００９５】
（６）第６の発明は、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極を多層構造とした改良に関するものである。
【００９６】
このゲート電極は、ゲート絶縁膜上にｎ型不純物をドープの多結晶シリコン層もしくはノン・ドープの多結晶シリコン層、この上部にｐ型不純物をドープした多結晶シリコン層の積層を少なくとも有するするものである。この改良によって、DRAMのリフレッシュ時間を長く確保出来る。上述のｐ型不純物をドープした多結晶シリコン層は金属あるいはいわゆる金属シリサイドをも用い得る。尚、本発明においても素子分離は溝型分離、選択酸化膜による分離をも用い得る。
【００９７】
DRAMセルを情報記憶部としその他に情報処理部を有した半導体集積回路において、素子分離された情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極を多層構造とする。その下部を少なくとも２層とする。そして、その上部をp型不純物を導入した多結晶シリコン層とし、その下層、即ち、ゲート酸化膜直上をn型不純物を導入した多結晶シリコン層または不純物導入の無い多結晶シリコン層とすることを特徴とする半導体装置が有用である。
【００９８】
図１４は本発明を適用した場合のゲート電極部を半導体基板に対して垂直な断面のバンド構造を示す図である。 ゲート電極の下層としてn型不純物を導入した多結晶シリコン層を用いた例と不純物導入の無い多結晶シリコン層を用いた例を各々示している。
【００９９】
図１４の（ａ），（ｃ）は、 上記トランジスタがON状態のとき、図１４（ｂ）、（ｄ）はトランジスタがOFF状態のときのそれを示している。図において、ゲート電極は６９、ゲート絶縁膜を７０、半導体基板を７１と示した。各々コンダクションバンドの下端を８０、８１、バレンスバンドの上端を８３、８４と示した。
【０１００】
図１４（ａ）に示す通り、上記トランジスタがON状態のときは、通常のゲートと同様に作用する。ゲート酸化膜７０下の半導体基板７１表面に反転（チャネル）層７２が形成される。それは、ゲート電極６９の下部に設けたp層とn層の接合でバンド構造の曲がりが順方向となるためである。
【０１０１】
一方、当該トランジスタがOFF状態のときは、図１４（b）に示すように、ゲート電極６９のp層とn層の接合でバンドの曲がりが逆方向となるため空乏層７３が形成される。この空乏化した領域は、実質的にゲート酸化膜が厚くなるように作用する。この為、半導体基板の不純物濃度を高くすること無く、トランジスタのOFF時のサブスレッシュ電流を低減できる。
【０１０２】
その結果、しきい値電圧を高く保ちながら、効果的に接合電界を低減することができる。
【０１０３】
図１４の（ｃ）、（ｄ）は不純物導入の無い多結晶シリコン層を用いた場合のバンド構造を示している。図１４の（ｃ）は当該トランジスタがON状態のとき、図１４（ｄ）はトランジスタがOFF状態のときのそれを示している。この場合も上述の形態を同等の効果を奏する。
【０１０４】
更に、ここで、上記p型不純物を導入した多結晶シリコン層とゲート酸化膜直上の上記多結晶シリコン層との界面に窒素を含ませることにより、半導体装置の製造工程中の熱処理においてp型不純物がゲート酸化膜直上の上記多結晶シリコン層に拡散するのを防止できる。このことにより、上記効果をより有効に得ることが可能となる。なお、上記p型不純物を導入した多結晶シリコン層を金属または金属シリサイドにすることにより、上記不純物拡散の影響を無視できるようになる。
【０１０５】
さらに、上述の電極構造を、半導体集積回路装置の各種領域に使い分けることが出来る。図１５はその使い分けの状態を模式的に示したものである。図中、領域７４、７５は、各種領域が一つの半導体基板内に存在していることを模式的に示したものである。
【０１０６】
その使い分けの基本は、第１の厚さのゲート酸化膜上には第１の導電型の不純物を含む多結晶シリコン層を有したゲート電極が存在する部分７４とし、第２の厚さのゲート酸化膜上には第２の導電型の不純物を含む多結晶シリコン層を有したゲート電極が存在する部分７５を設けるものである。以下に２つの例を例示する。各々、その形態固有の効果を得ることができる。
【０１０７】
（１）第1の形態は、第１の厚さを第２の厚さより大きくして、厚い第１のゲート酸化膜上にp型不純物を導入した多結晶シリコン層を用い、また、薄い第２のゲート酸化膜上にn型不純物を導入した多結晶シリコン層を用いる場合である。
【０１０８】
この場合、第１の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とし、第１の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とする。一方、第２の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とし、第２の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とする。
【０１０９】
この構成の場合、トランジスタ動作が表面チャネル型のトランジスタを高速化でき、埋込みチャネル型のnチャネルトランジスタではゲート酸化膜を厚くできる分基板濃度の上昇を避けることができる。例えば、埋込みチャネル型のnチャネルトランジスタを情報記憶部のトランジスタにすると、これまで述べたように接合電界を低減できる。なお、種々の動作速度を持つトランジスタを実現できることは明かである。
【０１１０】
（２）第2の形態は、第１の厚さを第２の厚さより大きくして、厚い第１のゲート酸化膜上にn型不純物を導入した多結晶シリコン層を用い、また、薄い第２のゲート酸化膜上にp型不純物を導入した多結晶シリコン層を用いる場合である。
【０１１１】
この場合、第１の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とし、第１の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とする。一方、第２の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とし、第２の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とする。この形態では、薄いゲート酸化膜を用いたnチャネルトランジスタを実現でき、超高速動作が可能となる。
【０１１２】
つぎに、上記の特徴を持つ情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜の形成方法について述べる。
【０１１３】
まず、情報記憶部で厚く情報処理部で薄いゲート酸化膜を有したトランジスタの製造方法を図１６および図１７を参酌して説明する。
【０１１４】
＜厚い酸化膜の第1の形成方法＞
図１６は第1の方法を説明する工程順の断面図である。図はゲート絶縁膜の形成方法の部分のみを示している。従って、半導体基板中への各種回路素子領域の形成は、通例の半導体装置の製造方法に従って製造されることはいうまでもない。
【０１１５】
（１）所定の半導体基板１２２の情報記憶部120および情報処理部121に対して、実質的に同じ膜厚のゲート酸化膜123を周知の方法にて形成する。
【０１１６】
（２）ゲート電極となるシリコン膜124を堆積する。
【０１１７】
（３）情報記憶部120以外の領域でのみシリコン膜124表面上に打込み用マスク12 5を形成する（図１６の（ａ））。
【０１１８】
（４）こうして準備された半導体基板に、酸素イオン打込みし、その後熱処理を実施して情報記憶部120のシリコン膜124下のゲート酸化膜126を厚くする（図１６の（ｂ））。なお、情報記憶部120のシリコン膜124の表面もまた酸化される。
【０１１９】
（５）複数の所望の厚さの各ゲート絶縁膜を得た後は、シリコン膜１２４およびシリコン酸化膜１２７は、例えば除去し、後は通例の方法によって、半導体装置を製造すれば良い。
【０１２０】
＜厚い酸化膜の第2の形成方法＞
図１７は第２の方法を説明する工程順の断面図である。図はゲート絶縁膜の形成方法の部分のみを示している。従って、半導体基板中への各種回路素子領域の形成は、通例の半導体装置の製造方法に従って製造されることはいうまでもない。
【０１２１】
（１）所定の半導体基板１２２の情報記憶部128および情報処理部131に対して、情報記憶部128で必要な膜厚の第１のゲート酸化膜129を形成する。
【０１２２】
（２）第１のゲート酸化膜129上に情報記憶部のゲート電極の一部となる第１のシリコン膜130を堆積する（図１７の（a））。
【０１２３】
（３）つぎに、情報処理部131の第１のシリコン膜130および第１のゲート酸化膜 129を除去する（図１７の（b））。
【０１２４】
（４）情報処理部131で必要な膜厚の第２のゲート酸化膜132を形成する（図１７の（Ｃ））。
【０１２５】
（５）上記情報処理部131の第２のゲート酸化膜132および上記情報記憶部128に形成された第１のシリコン膜130表面上に形成された酸化膜133の表面に情報処理部131のゲート電極の一部となる第２のシリコン膜134を堆積して、第２のシリコン膜134および第１のシリコン膜130表面上に形成された酸化膜133を除去する（図１７の（d））。
【０１２６】
（６）情報記憶部128および情報処理部131のゲート電極の一部となる第３のシリコン膜135を形成する（図１７の（e））。
【０１２７】
（７）最後に、通常の工程を用いてゲート電極加工、低濃度拡散層137、サイドスペーサ138および高濃度拡散層139を形成して情報記憶部128のシリコン膜130,135下のゲート酸化膜129が厚くなるようなトランジスタを作製する（図１７の（f））。
【０１２８】
この方式では、図１７の（b）に示す構造を得るための加工マスクを情報処理部131の基板濃度制御のためのイオン打込みマスクにすることができる。また、図１７の（d）に示す構造を得るための加工マスクを情報記憶部128の基板濃度制御のためのイオン打込みマスクにすることができる。さらに、シリコン膜34加工前にイオン打込みすれば情報記憶部128のゲート酸化膜129に対する打込み時のチャージアップの影響を取り除くことができる。なお、上記方法を用いて、まず、情報処理部131の薄いゲート酸化膜132を形成する工程からプロセスを開始しても同様も構造を得ることができる。
【０１２９】
次に、ゲート絶縁膜に膜厚分布を持たせる方法について説明する。即ち、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜のチャネル方向の膜厚分布を、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜のチャネル方向の膜厚分布より大きくする方法である。
【０１３０】
＜ゲート絶縁膜に膜厚分布を持たせる第1の方法＞
図１８はゲート絶縁膜の膜厚分布を持たせる第1の方法を説明する工程順の断面図である。図はゲート絶縁膜の形成方法の部分のみを示している。従って、半導体基板中への各種回路素子領域の形成は、通例の半導体装置の製造方法に従って製造されることはいうまでもない。
【０１３１】
（１）所定の半導体基板１２２に、情報記憶部140および情報処理部141において同じ膜厚のゲート酸化膜142を形成する。
【０１３２】
（２）ゲート電極であるシリコン膜143を堆積し、これをを所定形状に加工する。
【０１３３】
（３）情報記憶部140でシリコン膜143表面上にシリコン窒化膜144を形成する（図１８の（a））。
【０１３４】
（４）こうして準備した半導体基板を熱酸化することにより、情報記憶部140のシリコン膜143下のゲート酸化膜142をチャネル方向をその外側に向かって膜厚を大きくする（図１８の（ｂ））。
【０１３５】
上述の熱酸化時にシリコン窒化膜144は凹状態に反るため、ゲート電極端部の酸化膜に引っ張り応力が発生しする。この領域では酸素の拡散が速くなる。この為、チャネル方向をその外側に向かって膜厚が大きいゲート酸化膜145が形成される。上記シリコン窒化膜の反りは、シリコン窒化膜144の堆積温度が低い程、また、堆積膜厚が大きい程、大きくなる。その結果、チャネル方向の膜厚分布は、シリコン窒化膜144の堆積温度および堆積膜厚によって制御できる。
【０１３６】
＜ゲート絶縁膜に膜厚分布を持たせる第２の方法＞
図１９はゲート絶縁膜の膜厚分布を持たせる第２の方法を説明する工程順の断面図である。
【０１３７】
（１）所定の半導体基板１５２に、情報記憶部146および情報処理部147において同じ膜厚のゲート酸化膜148を形成する。
【０１３８】
（２）次いで、シリコン膜149および絶縁膜150を順次堆積し、絶縁膜150およびシリコン膜149を、所定形状に加工してゲート電極を形成する（図１９の（ａ）。
【０１３９】
（３）その後、上記ゲート電極の表面および側壁とMOS型トランジスタのソースおよびドレイン部表面とを覆うようにシリコン窒化膜151を形成する。
【０１４０】
（４）こうして準備した半導体基板の情報処理部147をマスクで覆う。
【０１４１】
（５）次いで、シリコン窒化膜151をエッチングして、情報記憶部146のゲート電極側壁に上記シリコン窒化膜151が残るようにする（図１９の（b））。
【０１４２】
以下の工程は３つの方法が考えられる。
【０１４３】
（６）第１は、上述の（５）状態で、熱酸化熱酸化する方法である(図１９の（c） )。
【０１４４】
（７）第２は、情報記憶部のゲート電極側壁の上記シリコン窒化膜151をマスクとして上記ゲート酸化膜148をエッチングした後熱酸化する方法(図１９の（d)）。
【０１４５】
（８）第３は、情報記憶部146のゲート電極側壁の上記シリコン窒化膜151をマスクとして上記ゲート酸化膜148および半導体基板152をエッチングした後、熱酸化する方法(図１９の（e)）である。
【０１４６】
この工程の後、ソースおよびドレインとなる拡散層などを形成してトランジスタを作製する。この方法では、熱酸化する前の方式によってチャネル方向の膜厚分布を制御することができる。
【０１４７】
本願発明の製造方法によれば、膜厚の異なるゲート酸化膜を良質に得ることが出来る。
【０１４８】
これまでに、情報記憶部と情報処理部とで膜厚が異なるゲート酸化膜は、例えば、従来のフラッシュメモリで用いた例がある。しかし、情報処理部ではゲート酸化膜の形成前に、浮遊ゲート電極用シリコン膜の加工損傷および情報処理部の層間絶縁膜の除去損傷の影響を受けることとなる。この結果、良質のゲート酸化膜を形成できない。通常、シリコン膜の加工や層間絶縁膜の除去にはドライエッチングが用いられるため、半導体表面にドライエッチング損傷が生じる。この損傷を受けた部分を熱酸化により酸化膜を形成するため、酸化膜質がその損傷の影響を受けて劣化してしまう。本願発明はこうした問題を有しない。
【０１４９】
【発明の実施の形態】
実施例１
図２０は第１の実施例の各製造工程を示した半導体装置の断面図である。情報記憶部を155および情報処理部を156として各々模式的に示した。
【０１５０】
シリコン基板153として、p型、１０Ω-cmの（１００）面方位のものを準備する。まず、素子分離領域となる部分に深さが0.4μmの溝を形成し、ついで、周知の方法によって、溝にシリコン酸化膜154を埋込んだ。
【０１５１】
つぎに、情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157に、ボロンを以下の条件でイオン打込みを実施した。ボロン打込み条件は、（１）360keVで2xe13/cm2、（２）200keVで8xe12/cm2、および、（３）50keVで2xe12/cm2の３種類である。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に、リン打込みを実施した。その条件は（１）500keVで1xe13/cm2、（２）240keVで5xe12/cm2、および、（３）100keVで2xe12/cm2の３種類である（図２０（ａ））。これらの不純物は図示していない。 その後、1000℃で20分の熱処理を実施した。
【０１５２】
尚、これら３種類のイオン打ち込みは、通例の半導体装置の製造で行われている次の目的の為である。（１）基板抵抗を下げる。（２）半導体基板にウエルを形成する。（３）寄生MOS防止の為のチャネルスットパを形成する。
【０１５３】
つぎに、周知の熱酸化法により、膜厚が5nmのシリコン酸化膜159を形成した。更に、その酸化膜159上に膜厚が150nmのシリコン膜160を堆積した。ここで、シリコン膜160中には、2xe20/cm3のリンが導入されている。
【０１５４】
ホトレジスト膜を情報処理部156にのみ膜厚が1μmの厚さに形成した。ここで、酸素イオンを20keVで2xe16/cm2打込み、上記ホトレジスト膜のマスクを除去した。なお、上記酸素は、情報記憶部155のシリコン膜中にのみ打込まれている。
【０１５５】
その後、１％の酸素を含んだ窒素雰囲気中で1000℃、20分の熱処理を行なって、情報記憶部155のシリコン膜160下のシリコン酸化膜161を7nm程度まで厚くした。この厚いシリコン酸化膜を情報記憶部のゲート絶縁膜に用いるのである。なお、情報記憶部155のシリコン膜160表面にも5nm程度のシリコン酸化膜162が形成された(図２０の（b）)。
【０１５６】
つぎに、情報処理部156のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のためにボロンを25keV、2e12/cm2でイオン打込みを行う。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタ158のしきい値電圧制御のためにリンを50keVで2e12/cm2イオン打込みをした。また、情報記憶部155のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のためにボロンを25keV、3e12/cm2でイオン打込みした。
【０１５７】
これらのイオン打ち込みは通例のものである。
【０１５８】
なお、本発明を実施しない従来構造の場合には、情報記憶部155のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のために、ここでボロンを25keV、4.5e12/cm2でイオン打込みする必要があった。
【０１５９】
つぎに、シリコン膜160表面上のシリコン酸化膜162を除去する。そして、膜厚が50nmのタングステンシリサイド膜163および膜厚が150nmのシリコン酸化膜164を順次堆積した。そして、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜164、上記タングステンシリサイド膜163および上記シリコン膜160を所定形状に加工した。
【０１６０】
その後、情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分にリンを25keV、5e13/cm2で打込みを行う。また、情報処理部のn型MOSトランジスタを形成する部分157に二フッ化ボロンを25keV、2e13/cm2でイオン打込みをした。そして、ゲート電極の側壁に膜厚が50nmのシリコン窒化膜165でサイドスペーサを形成する。
【０１６１】
さらに、情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157にヒ素を25keV、1e15/cm2でイオン打込みを行う。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に二フッ化ボロンを25keV、1e15/cm2でイオン打込みした。つぎに、窒素雰囲気中で950℃、30秒の熱処理を行なった(図２０の（c）)。
【０１６２】
層間絶縁膜として膜厚が500nmのリンを含むガラス膜166を堆積する。情報記憶部155のコンタクトの穴と情報処理部156のコンタクト穴を上記リンガラス膜166に開孔する。そして、この開孔部に膜厚が500nmの窒化チタン膜167を接続用導伝体として埋込んだ。
【０１６３】
つぎに、層間絶縁膜として膜厚が100nmのリンを含むガラス膜168を堆積する。情報記憶部のビット線用コンタクトの穴と情報処理部のコンタクト穴を上記リンガラス膜に開孔する。更に、膜厚が50nmのタングステン膜169を導伝体として堆積し、所定形状に加工した。
【０１６４】
こうして準備した半導体基体に、膜厚が300nmのリンを含むガラス膜170を堆積し、上記リンガラス膜に情報記憶部155のキャパシタ電極形成用のコンタクトの穴を開孔する。キャパシタの蓄積電極となる膜厚が100nmのタングステン膜171を堆積し、所定形状に加工した。
【０１６５】
その後、シリコン酸化膜厚換算で2.5nmの五酸化タンタル膜172をキャパシタ絶縁膜として形成しする。更にもう一方のキャパシタ電極である膜厚が100nmの窒化チタン膜173を堆積し、所定形状に加工した(図２０（d）)。
【０１６６】
この状態以降は、従来方法と同じ配線作製の工程を用いる。こうして本願発明のDRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部をも有した半導体集積回路装置が実現される。
【０１６７】
本実施例によれば、溝型素子分離を用い、且つ情報記憶部のトランジスタのゲート酸化膜を厚くできるので、必要なしきい値電圧を得るのに基板表面のp型不純物濃度をより低くすることができる。その結果、キャパシタに正電荷が蓄えられた状態で情報を保持する場合、蓄積電極に接するn型層とn型基板で構成されるp-n接合の空乏層中の電界強度を低減できる。そして、この電界に起因した接合リーク電流を低減することが出来る。この結果、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を、従来のおおよそ0.05秒から0.1秒に長くすることができた。
【０１６８】
実施例２
図２１は、第２の実施例を示した装置を工程順に示した断面図である。図２１の例では情報記憶部を155と情報処理部を156と模式的に示している。
【０１６９】
シリコン基板173は、n型、１０Ω-cmの（１００）面方位のものを準備する。まず、素子分離領域となる部分に深さが0.4μmの溝を形成し、この溝にシリコン酸化膜154を周知の方法で埋込んだ。
【０１７０】
つぎに、熱酸化法により情報記憶部155のn型MOSトランジスタで必要な膜厚が12nmのシリコン酸化膜174を形成し、更にこの上部に膜厚が20nmのシリコン膜175を堆積した。
【０１７１】
情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157に、ボロンを以下の条件でイオン打込みを実施する。ボロン打込み条件は、（１）200keVで8e12/cm2、（２）50keVで2e12/cm2、および、（３）25keVで2e12/cm2である。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に、（１）500keVで1e13/cm2、（２）240keVで5e12/cm2、（３）100keVで2e12/cm2、および、（４）25keVで2e12/cm2のリン打込みを実施した。その後、1000℃で10分の熱処理を実施した（図２１（ａ））。 尚、各不純物は図示していない。また、イオン打ち込みの意味も実施例１において述べたものである。
【０１７２】
そして、シリコン膜175およびシリコン酸化膜174を情報記憶部155の領域が残るように加工した。情報処理部156のMOSトランジスタで必要なシリコン酸化膜176を厚さ5nmに熱酸化法により形成した。この時、情報記憶部のシリコン膜177表面にはおおよそ10nmのシリコン酸化膜が形成される（図２１（ｂ））。
【０１７３】
本実施例では、情報記憶部でのゲート絶縁膜１７４の厚さは１２ｎｍ、一方、情報処理部でのゲート絶縁膜の厚さは５ｎｍである。このように、情報記憶部でのゲート絶縁膜１７４の厚さが、情報処理部でのゲート絶縁膜の厚さより厚くなっている。
【０１７４】
つぎに、膜厚が10nmのシリコン膜178を堆積する。情報処理部156でのみ上記シリコン膜178表面上に膜厚が2μmのホトレジスト膜を形成する。こうして準備した基体に400keV、2e13/cm2でボロン打込みをしてp型高濃度埋込み層を形成した。このp型高濃度埋込み層によって、ホットキャリヤ耐性を向上できる。なお、ここで、25keVで1e12/cm2のボロン打込みを実施して情報処理部156のトランジスタのしきい値電圧を設定できる。
【０１７５】
上記ホトレジスト膜をマスクとして上記シリコン膜178をエッチングし、さらに、情報記憶部155のシリコン膜175表面に形成されたシリコン酸化膜177を除去した(図２１の（ｃ）)。
【０１７６】
その後、上記ホトレジスト膜を除去して、膜厚が140nmのシリコン膜179および膜厚が50nmのタングステンシリサイド膜180および膜厚が150nmのシリコン酸化膜181を堆積した。そして、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜、上記タングステンシリサイド膜および上記シリコン膜を所定形状に加工した(図２１(d))。その後の工程は、第１の実施例と同じである。
【０１７７】
本実施例によれば、情報記憶部のトランジスタに必要なしきい値電圧を確保して従来に比べて基板表面濃度を半分以下にできる。従って、キャパシタに正電荷が蓄えられた状態で情報を保持する場合、蓄積電極に接するn型層とn型基板で構成されるp-n接合の空乏層中の電界強度を低減できる。そして、この電界に起因した接合リーク電流を低減することが出来る。結果として、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を、おおよそ従来の0.05秒から0.3秒に長くすることができた。
【０１７８】
また、基板濃度制御用のイオン打込みや熱処理前にゲート酸化膜を形成できる。この為、ゲート酸化膜の耐圧劣化を防止でき、また、その信頼性を向上できる。なお、ゲート電極となるシリコン膜のパターニング前に基板濃度制御用のイオン打込みが実施できるので、打込み時のチャージアップの問題がない。
【０１７９】
実施例３
図２２は、第３の実施例を示した装置の断面図である。本例では情報記憶部を155と情報処理部を156と模式的に示している。本例はゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有する例である。
【０１８０】
シリコン基板182は、p型、１０Ω-cmの（１００）面方位のものを準備する。ゲート酸化膜183およびシリコン膜184を堆積するまでの工程は、第１の実施例と同じである。
【０１８１】
本実施例では情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のためにボロンを25keV、2e12/cm2でイオン打込みを行う。
【０１８２】
また、情報処理部156のp型MOSトランジスタ158のしきい値電圧制御のためにリンを50keV、2e12/cm2でイオン打込みした。ここで、シリコン膜184表面上には第１の実施例で用いたタングステンシリサイド膜185を堆積した。つぎに、膜厚が100nmのシリコン窒化膜186を堆積した。そして、情報記憶部155以外のシリコン窒化膜186を部分的に除去して後、基体全体に150nmのシリコン酸化膜187を堆積した（図２２（ａ））。
【０１８３】
つぎに、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜187、上記シリコン窒化膜186、上記タングステンシリサイド膜185および上記シリコン膜184の積層体を所定形状に加工した（図２２（ｂ））。
【０１８４】
その後、酸素雰囲気中で1000℃、１０分の熱処理を行なった。この熱処理により、情報記憶部155における上記シリコン膜184下のシリコン酸化膜183は、ゲート電極端部で厚く、ゲート電極中心部で薄い構造となった。すなわち、チャネル方向に膜厚分布を有したシリコン酸化膜となった。
【０１８５】
この後、情報記憶部155と情報処理部156の両領域のn型MOSトランジスタを形成する部分157にリンを25keV、5e13/cm2で打込みを行った。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に二フッ化ボロンを25keV、2e13/cm2で打込みを行った。そして、ゲート電極の側壁に膜厚が50nmのシリコン窒化膜188でサイドスペーサを形成した(図２２（c）)。ここで、チャネル方向の膜厚分布は、上記リン打込み層以外の部分で5nm乃至6nmの膜厚分布を有している。
【０１８６】
この後の工程は、第１の実施例で示した工程と同じである。
【０１８７】
本実施例によれば、キャパシタに正電荷が蓄えられた状態で情報を保持する場合、蓄積電極に接するn型層とn型基板で構成されるp-n接合のリーク電流（サブスレッシュホールド電流）を低減できるため、必要とされるしきい値電圧を得るための基板濃度を低減できた。その結果、上記接合の空乏層中の電界強度を低減できる。そして、電界に起因した接合リーク電流を低減することによって、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間をおおよそ従来の0.05秒から0.1秒に長くすることができた。
【０１８８】
また、耐圧不良が多くなる薄いゲート酸化膜部分が少なくなるため、耐圧不良の発生頻度を低減できた。
【０１８９】
実施例４
図２３は第４の実施例の半導体装置を示した断面図である。図２３では情報記憶部を１５５、情報処理部を１５６と模式的に示している。本例はゲート絶縁膜の厚さがチャネル方向に厚さ分布を有する別な実施例である。
【０１９０】
シリコン基板182およびゲート電極となるタングステンシリサイド膜185堆積までの工程は、第３の実施例と同じである。
【０１９１】
なお、情報記憶部155のトランジスタのしきい値電圧制御用の最も打込みエネルギーの低いボロン打込みでの打込み量は、下記のゲート絶縁膜の形成に関する方式を方式１〜３と変えて実施した。具体的には、方式１では3xe12/cm2、方式２では2xe12/cm2、そして方式３では1xe12/cm2とした。尚、これらの各方式についての詳細は後述する。
【０１９２】
上記シリサイド膜185上に膜厚が150nmのシリコン酸化膜189を堆積した。そして、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜189、上記タングステンシリサイド膜185および上記シリコン膜184の積層体を所定形状に加工した(図２３（a)）。
【０１９３】
つぎに、膜厚が10nmのシリコン窒化膜190を堆積する。情報処理部156のみのエッチングマスクを形成してシリコン窒化膜190を異方性ドライエッチングにより加工した。こうして、情報記憶部155のゲート電極の側壁にはシリコン窒化膜190が残存し、いわゆるサイドスペーサが形成される。
【０１９４】
更に、ゲート絶縁膜の形成方法として、上述した次の３つの方式によって下記方法を採用した。
【０１９５】
（１）方式１：方式１は、この状態で900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理を行なう。
【０１９６】
（２）方式２：方式２は、情報記憶部155の上記ゲート酸化膜183をエッチングしたのちに900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理を行なう。
【０１９７】
（３）方式３：方式３はさらにシリコン基板182を20nmエッチングしたのちに900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理を行なう。
【０１９８】
各方式を採用した場合の半導体装置の断面構造は、図２３（ｃ）―図２３（ｅ）に各々対応している。
【０１９９】
なお、900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理では、シリコン基板182表面におおよそ50nmのシリコン酸化膜が形成される。その後、情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157にリンを25keV、5e13/cm2で打込んだ。 また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に二フッ化ボロンを25keVで2e13/cm2打込みした。
【０２００】
ここで、上記リン打込み層以外の部分において、チャネル方向のゲート酸化膜183の膜厚分布は次の通りである。方式１(図２３（c）)では5nm乃至6nmの膜厚分布を、方式２(図２３（d）)では5nm乃至7nmの膜厚分布を、そして、方式３(図２３（e）)では5nm乃至9nmの膜厚分布を有している。
【０２０１】
次いで、ゲート電極の側壁に膜厚が50nmのシリコン窒化膜191でサイドスペーサを形成する。さらに、情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157にヒ素を25keV、1e15/cm2で打込みを行う。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成158する部分に二フッ化ボロンを25keVで1e15/cm2打込みした。
【０２０２】
この後の工程は、第１の実施例で示した工程と同じである。
【０２０３】
上記方式１乃至方式３の本実施例によれば、それぞれのチャネル方向のゲート酸化膜の膜厚分布によって、必要とされるトランジスタのしきい値電圧を維持しながら基板濃度を低減することが可能である。その結果、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を、おおよそ従来の0.05秒から長くすることが出来た。前記情報保持時間は、方式１では0.1秒、方式２では0.2秒、また方式３では0.4秒であった。
【０２０４】
また、本実施例によれば、耐圧不良が多くなる薄いゲート酸化膜部分を少なくできる方で耐圧不良の発生頻度を低減できた。
【０２０５】
＜実施例の特性のまとめ＞
情報記憶部のトランジスタのゲート酸化膜の構造として本発明を採用した場合の結果をまとめて、図２４および図２５に示す。図２４は情報保持特性を示す。横軸はDRAMのリフレッシュ時間、縦軸は横軸に対応した累積度数を標準偏差で示したものである。また、図２５はゲート酸化膜耐圧不良発生密度を示したものである。横軸はゲート絶縁膜の最小部分の膜厚、縦軸は耐圧不良発生密度を示す。図において「均一SiO2膜」と示したものは、ゲート絶縁膜が実質的に膜厚分布を有さないと見なされるものの結果、「バーズビークSiO2膜」と示したものは、ゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有するものの結果である。
【０２０６】
図２４から、情報記憶部のトランジスタのゲート酸化膜を厚くすること、チャネル方向に膜厚分布を持たせることによって、情報保持時間が長くなることが理解される。ゲート酸化膜を厚くすることは基板濃度低減を可能とし、情報保持時間を長くすることにより有用である。
【０２０７】
また、図２５から、チャネル方向に均一なゲート酸化膜の場合に比べて、チャネル方向の膜厚分布が大きい場合ほどゲート酸化膜耐圧不良発生密度が小さくなることが理解される。
【０２０８】
実施例５
図２６は、第５の実施例を示した半導体装置の断面図である。図２６では情報記憶部を１５５、情報処理部を１５６と模式的に示している。
【０２０９】
シリコン基板および工程は基本的に第３の実施例と同じであるが、イオン打ち込みの条件を下記の３つを選択した。
【０２１０】
（１）方式４：方式４は、情報記憶部155においてサイドスペーサ形成前のリン打込み量を減らした場合である。この状態を図２６の(a)に示す。
【０２１１】
（２）方式５：方式５は、次の２つの手段を用いている。第１に情報記憶部155のトランジスタのしきい値電圧制御用にさらに浅いボロン打込みを加えたことである。加えて、第2に情報記憶部155においてサイドスペーサ形成後のヒ素打込みに引き続き、低濃度のリン打込みの加えた。この状態を図２６の(ｂ)に示す。
【０２１２】
（３）方式６：方式６は、前述の方式４と方式５とを組み合わせた場合である。
尚、これらの方式においては、これまでの実施例のイオン打ち込み方法とは若干の条件変更を行なった。具体的には、方式４では上記リン打込み量を実施例３の半分とし、方式５では25keVで5e11/cm2の二フッ化ボロン打込みおよび150keVで3e12/cm2のリン打込みを加えた。
【０２１３】
上記方式4-方式6の例によれば、トランジスタのしきい値電圧を維持しながらゲート電極と高濃度層の間の低濃度層の電界を低減できた。また、高濃度拡散層と基板とで構成されるp-n接合の空乏層中の電界強度を低減できた。その結果、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を従来のおおよそ0.05秒から長くすることが出来た。前述の情報保持時間は、方式４では0.5秒、方式５では0.5秒、方式６では0.6秒であった。
【０２１４】
実施例６
図２７は第6の実施例を説明する装置の断面図である。本実施例は情報処理部のMOS型トランジスタのゲート電極を多層構造とした例である。このゲート電極の例は、ゲート絶縁膜上にｎ型不純物をドープもしくはノン・ドープの多結晶シリコン層、この上部にｐ型不純物をドープした多結晶シリコン層の積層を少なくとも有するするものである。
【０２１５】
図２７はDRAMセルを情報記憶部とし,その他に情報処理部を有した半導体集積回路の主要部を模式的に示したものである。図では溝型素子分離を用いた半導体装置が示されているが、本ゲート電極の実施においては、素子の分離は選択酸化膜（通例、LOCOSと称されている）によっても良い。
【０２１６】
素子分離が施された情報記憶部７６のMOS型トランジスタのゲート酸化膜７７を形成した後、リンが1016/cm3程度混入したn型多結晶Si層７８を膜厚10nmに形成する。次いでn型多結晶Si層７８の表面をアンモニア中で処理（700℃、10秒）して表面近傍に窒素を混入する。こうした処理を施したn型多結晶Si層７８上にボロンが1020/cm3程度混入したp型多結晶Si層７９を200nm堆積した。
【０２１７】
その後、上記実施例と同様に、積層した多結晶Si層を含めて所定形状に加工してゲート電極を形成した。
【０２１８】
尚、この実施例では情報記憶部以外のMOS型トランジスタのゲート電極部は通例の構造を有する。即ち、ゲート酸化膜７７を形成した後、ボロンが1020/cm3程度混入したp型多結晶Si層７９を200nm堆積した。
【０２１９】
情報記憶部に上記ゲート電極構造を適用することによって、次の３つの改善を施すことが出来た。
【０２２０】
（１）トランジスタがOFF時の等価的なゲート酸化膜厚を3nm程度増加させることができた。
【０２２１】
（２）基板濃度を約半分にすることが出来た。
【０２２２】
（３）接合電界を30％低減することが出来た。
【０２２３】
そして、結果として、同じゲート酸化膜厚の場合より、リフレッシュ時間を３倍にすることができた。
【０２２４】
また、ゲート酸化膜を形成した後、不純物を含まない多結晶Si層７８を10nm堆積し、上記と同様のp型多結晶Si層７９を200nm堆積した場合においても、上記と同様の効果を得ることができた。
【０２２５】
さらに、次の構造も取りうる。即ち、（１）上記10nmの多結晶Si層７８上に膜厚が200nmのタングステン膜７９を形成した場合、および、（２）膜厚が200nmのチタンシリサイド膜を形成した場合である。この場合、本実施例における上述の構造の場合と同じ接合電界を実現できる。一方、この場合、多少接合リーク電流が増加し、リフレッシュ時間は２倍程度であった。勿論、リフレッシュ時間は従来より長くできる利点を有することは変わりない。
【０２２６】
実施例７
図２８は第7の実施例を示す半導体装置の主要部を示した断面図である。本例は、作成する半導体集積回路装置の要請に応じて、ゲート絶縁膜の厚さおよびゲート電極の導伝型を種々選択する例を示すものである。具体的には、本例は半導体集積回路における情報記憶部、情報処理部、あるいは高電圧発生回路や情報の入出力回路にこれら各種MOSトランジスタの形態を使い分けるものである。
【０２２７】
半導体基板にｎ型ウエル８４、８６およびｐ型ウエル８５、８７が形成された状態として示している。
【０２２８】
ｎ型ウエル８４の表面にｐチャネルのMOSトランジスタを表面チャネル型として形成し、これを情報記憶部のMOSトランジスタとして用いる。この場合、厚いゲート絶縁膜８０を用いる。
【０２２９】
他方、ｐ型ウエル８５の表面にｎチャネルのMOSトランジスタを埋め込みチャネル型として形成し、これを高電圧発生回路や情報の入出力回路として用いる。この場合、高耐圧用として厚いゲート絶縁膜８０を用いる。
【０２３０】
また、ｎ型ウエル、ｐ型ウエルの各々に薄いゲート絶縁膜８０が形成されている。これらは、情報処理部のMOSトランジスタとして用いる。
【０２３１】
以下、ゲート電極部の形成に関する工程について説明する。その他の工程は通例の方法を用いれば良い。先ず、所定の準備がなされた半導体基板に厚いゲート絶縁膜を必要とする領域には、膜厚が10nmのゲート酸化膜８０を形成する。そして、この上に実施例６において述べたものと同様のp型不純物を導入した多結晶シリコン層８１を形成する。
【０２３２】
一方、薄いゲート絶縁膜を必要とする領域には、半導体基板上の所定領域に膜厚が5nmのゲート酸化膜８２を形成する。そして、この上にリンが1020/cm3程度導入された多結晶シリコン層８３を200nm堆積する。
【０２３３】
こうして、膜厚が10nmのゲート酸化膜を有するn型ウエル層８４表面には、pチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型として情報記憶部のトランジスタに用いる。他方、膜厚が10nmのゲート酸化膜を有するp型ウエル層８５表面には、nチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とし高電圧発生回路および情報の入出力回路のトランジスタとして用いる。
【０２３４】
また、膜厚が5nmのゲート酸化膜を有するn型ウエル層８６表面には、pチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型としたトランジスタとして用いる。他方、膜厚が5nmのゲート酸化膜を有するp型ウエル層８７表面には、nチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型のトランジスタとして情報処理部に用いた。
【０２３５】
その結果、アクセス時間を従来の半分にでき、また、リフレッシュ時間を５倍にすることができた。なお、本実施例は一例であり、前述のように、ゲート酸化膜厚およびゲート電極の導電型の組み合わせは、それぞれの要求により、様々な半導体素子に実施できる。
【０２３６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【０２３７】
本願の第１の発明によれば、 DRAMセルを情報記憶部と情報処理部とを有した半導体集積回路装置を、より高集積度を実現することが出来ると共に、情報記憶部における信頼性を確保でき、情報処理部における高速性をも確保出来る。
【０２３８】
また、MOS型トランジスタのチャネル方向に膜厚分布を持つゲート酸化膜にすることで、ゲート耐圧不良の発生頻度を低減できた。
【０２３９】
本願の第２―第４の発明によれば、 DRAMセルを情報記憶部と情報処理部とを有した半導体集積回路装置を、より高集積度を実現することが出来ると共に、そのリフレッシュ特性を向上出来る。
【０２４０】
本願の第５の発明によれば、MOS型トランジスタのしきい値電圧を高くしながら、接合リーク電流とサブスレショルド電流を低減出来る。
【０２４１】
本願の第６の発明によれば、 MOS型トランジスタのしきい値電圧を高く保ちながら、接合電界を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は厚いゲート絶縁膜の役割の一つを説明するゲート電極部の断面図である。
【図２】図２は選択酸化膜を用いた場合の不純物濃度分布を説明する図である。
【図３】図３は選択酸化膜を用いた場合の不純物濃度分布を説明する図である。
【図４】図４は情報記憶部と情報処理部でのMOS型トランジスタの主要部断面図である。
【図５】図５は各種MOS型トランジスタのサブスレッシュ特性を比較した図である。
【図６】図６はイオン打込みの際のゲート電極端部での酸素のノックオン状態を説明する断面図である。
【図７】図７はゲート電極端部での空乏層と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図８】図８はゲート電極端部での空乏層と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図９】図９はゲート電極端部での電界分布と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図１０】図１０は素子分離端での電界分布と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図１１】図１１は情報記憶部と情報処理部でのMOS型トランジスタの主要部断面図である。
【図１２】図１２は改良されたゲート絶縁膜を有するMOS型トランジスタを有する情報記憶部と通例のゲート絶縁膜を有するMOS型トランジスタを有する情報処理部との主要部断面図である。
【図１３】図１３はゲート絶縁膜端と高濃度不純物領域との距離とゲート電極端の電界強度の関係を示す図である。
【図１４】図１４はゲート電極／酸化膜／半導体基板の系でのバンド構造を示す図である。
【図１５】図１５は本願発明に係わる各種トランジスタの配置を例示する平面図である。
【図１６】図１６は本発明の厚いゲート酸化膜形成方法を工程順に示す断面図である。
【図１７】図１７は本発明の厚いゲート酸化膜の別な形成方法を示す断面図である。
【図１８】図１８は本発明の膜厚分布を持つゲート酸化膜の形成方法を示す断面図である。
【図１９】図１９は本発明の膜厚分布を持つゲート酸化膜の別な形成方法を工程順示す断面図である。
【図２０】図２０は第１の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２１】図２１は第２の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２２】図２２は第３の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２３】図２３は第４の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２４】図２４は第１乃至第４の実施例に示した各種半導体装置の情報保持特性を示す図である。
【図２５】図２５はゲート絶縁膜に膜厚分布を持つ場合のゲート絶縁膜の膜厚とゲート耐圧不良発生密度の関係を示す図である。
【図２６】図２６は第５の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２７】図２７は第６の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２８】図２８は第７の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【符号の説明】
1…不純物イオン、２、９、２８、３７、４３、５４、５７、６０、６９…ゲート電極、３、３４、３８、４５、４７、４８、５５、６３、７０…ゲート酸化膜、４…ノックオン酸素、５、６４、７１…半導体基板、６、１２、２５、２７、４４、５１、５３、５９、６２、６５、６８…拡散層、７、１０、１３、２４…空乏化領域（空乏層）、８、１１、２０、２３…酸素析出物、１４、１５、１６、１７、１８…等電界線、１９、２６…選択酸化膜、２９、３６…冶金的接合位置、３０、３１、３２…等不純物濃度線、３３…強電界部分、３５、４９…溝型素子分離、３９、４１、４６…ゲート端部、５６、５８、６１…サイドスペーサ、６６…基板の高濃度層、６７…基板の低濃度層、７４…第１の厚さのゲート酸化膜上に第１の導電型不純物を含む多結晶Si膜を有する領域、７５…第２の厚さのゲート酸化膜上に第２の導電型不純物を含む多結晶Si膜を有する領域
42、50、120、128、140、146、155…情報記憶部、40、52、121、131、141、147、156…情報処理部、123、126、129、132、142、145、148、161、174、183…ゲート酸化膜、119、137、139…n型拡散層、21、171…蓄積電極、122、152、153、173、182…半導体基板、124、130、134、135、143、149、160、175、178、184…シリコン膜、125…マスク、22、127、133、136、150、162、164、177、181、187、189…シリコン酸化膜、138、165、166、168、170、188…絶縁膜、144、151、186、190、191…シリコン窒化膜、163、180、185…タングステンシリサイド膜、167、173…窒化チタン膜、169、171…タングステン膜、172…酸化タンタル膜。
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリセルを有する半導体装置、特にダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(以下、DRAMと略記する)セルを有した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
DRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した従来の半導体集積回路装置では、次の考慮がなされている。即ち、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と 情報処理部における情報処理の高速性確保の要請に答えるものである。以下はそのいくつかの試みである。
【０００３】
先ず、双方の部分のMOS型トランジスタのゲート酸化膜の膜厚を異ならせている例である。例えば、日本公開特許公報、特開平3-220766号（記事１）に見られる。この例は、ワード線昇圧の下でのゲート酸化膜の信頼性を確保して、高速の情報読み出し・書き込みが行なえるように、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜を、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜より厚くしている。また特開平４−１６５６７０、特開平５−１０２４１５、特開平６−３４２８９１特開平７−２９７２９８にも同様にメモリセル領域のゲート絶縁膜厚さを周辺回路領域のゲート絶縁膜の厚さより厚く形成する構造の開示がある。
【０００４】
また、上記と同種の半導体集積回路に対する、日本公開特許公報、特開昭 56-120166号（記事２）に見られる例では、情報記憶部や情報処理部で独立にしきい値電圧を設定している。このことを実現する為、２種類のゲート酸化膜を用いる。即ち、厚いゲート酸化膜の下部の半導体基板の不純物濃度を、薄いゲート酸化膜の下部のそれより低くしている。
【０００５】
また、日本公開特許公報、特開昭61-194770号（記事３）では、高電圧駆動のMOS型トランジスタのゲート酸化膜の信頼性を確保するための工夫を行っている。即ち、入出力回路部のMOS型トランジスタとメモリセル部の高しきい値電圧を必要とするMOS型トランジスタのゲート酸化膜を、内部回路部のMOS型トランジスタとメモリセル部の低しきい値電圧を必要とするMOS型トランジスタのゲート酸化膜より厚くしていた。
【０００６】
一方、フラッシュメモリセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した半導体集積回路でも、各ゲート酸化膜の膜厚を工夫している。例えば、日本公開特許公報、特開平8-8350号（記事４）に例が見られる。浮遊ゲート電極とドレイン拡散層との間のリーク電流を低減するために、ドレイン拡散層上のゲート酸化膜を厚くしている。このような、ドレイン拡散層上のゲート酸化膜を厚くする方法をDRAMを含む半導体集積回路に適用しても、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極端での接合端部の電界は変化しない。すなわち、高濃度のドレイン拡散層の端からゲート電極までの距離であるゲート酸化膜の厚さは何ら変化しないので、接合端部の電界は変わらない。このように、記事４ではDRAMにおける接合端部の電界の影響について考慮されていない。
【０００７】
この他、DRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した半導体集積回路では、半導体基板の不純物濃度の工夫も見られる。例えば、日本公開特許公報、特開平3-204969号（記事５）がそれである。情報記憶部のMOS型トランジスタの電荷蓄積電極に接する拡散層を、電荷蓄積電極に接する拡散層を低濃度層だけで構成し、その濃度は、情報処理部のMOS型トランジスタのソース・ドレイン拡散層の低濃度層とほぼ同じにしていた。それは、この層を形成する際の、高濃度イオン打込みに起因する欠陥の影響を受けたリーク電流の増大を防止するためである。
【０００８】
また、DRAMセルを情報記憶部としその他に情報処理部を有した半導体集積回路では、DRAMのリフレッシュ特性を向上するための別な工夫も見られる。例えば、日本公開特許公報、特開平6-61486号（記事６）である。それは、平面的にみて蓄積電極への接続穴部分でのみ、拡散層の高濃度層下に上記拡散層と同じ電導型の低濃度層を形成する。そして、前記低濃度層の不純物濃度を、前記高濃度拡散層と基板とで構成されるp-n接合に印加される逆方向電圧が大きい場合に、完全に空乏化するように設定するものである。しかし、 DRAMにおける接合端部の電界の影響について考慮されていない。
【０００９】
一方、溝による素子分離に関しては、日本公開特許公報、特開平5-144934号（記事７）に見られる。即ち、それは、微細な素子分離領域を実現するため、絶縁物が埋込まれた溝で素子分離を行なっている。
【００１０】
また、情報記憶部と情報処理部とでゲート酸化膜の膜厚を変えMOS型トランジスタ製造する方法は、例えば、特願昭62-275815（記事８）に見られる。それは次の方法をとっている。先ず、情報記憶部に必要な薄いゲート酸化膜を形成して情報記憶部の浮遊ゲート電極となるシリコン膜を堆積する。この後、浮遊ゲート電極用シリコン膜を所望形状に加工、更に制御ゲート電極用シリコン膜との間で層間絶縁膜となる絶縁膜を堆積する。その後、情報処理部の層間絶縁膜を除去して、情報処理部に必要な厚いゲート酸化膜を形成している。また素子分離溝を用いたＭＯＳＦＥＴにおいて分離溝と素子形成領域のエッジ部分でのゲート絶縁膜が薄くなることによる電界集中、ゲート耐圧劣化を防ぐために素子分離溝のエッジ部分におけるゲート絶縁膜を厚く形成する構造は特開平５−４７９１９、特開平１０−２２３７４７、特開平１０−２５４６３８に開示がある。また素子分離溝を用いたＭＯＳＦＥＴにおいて素子分離溝のエッジ部分の特に電界が集中するドレイン端でのゲート絶縁膜の厚さをチャネル方向においてドレイン端側で厚く形成して耐圧を高める構造は特開平５−２８３６８０に開示がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明の課題は、溝型分離の方法を用い、且つ DRAMセルを情報記憶部としその他に情報処理部を有した半導体集積回路において、より高集積度を実現すると共に、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と 情報処理部における情報処理の高速性確保の要請との両面に答えるものである。
【００１２】
本願発明の更なる課題は、半導体基板内に形成される不純物領域の接合部の電界に依って生ずる難点を対策し、 DRAMのリフレッシュ特性をより良好ならしめるものである。
【００１３】
特に、溝型素子分離の方法は、一般に不純物拡散領域の接合電界が大きくなり、この電界に起因するリーク電流が無視できなくなる傾向を有する。そして、この問題に十分な考慮がなされないと、結果としてDRAMのリフレッシュ特性が劣化を招くこととなる。
【００１４】
本願発明は、とりわけ、DRAMセルの絶縁ゲート型トランジスタを溝型分離法を用いて素子分離を行っている半導体集積回路装置に有用なものである。さらには、特に256Mbit以上の高集積度を有するDRAMおよびこうしたDRAMを有する半導体装置に適用して有用なものである。尚、絶縁ゲート型トランジスタの代表例は、実用的に有用ないわゆるMOS型トランジスタである。本願明細書において、以下、絶縁ゲート型を、その代表例であるMOS型をもって略記する。
【００１５】
本願発明の目的は、上記従来の半導体装置およびその製造方法が有する諸問題点を解決し、高集積度を実現すると共に情報記憶部における耐圧、信頼性を確保し、且つ 情報処理部における情報処理の高速性を確保した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。更には、そのリフレッシュ特性を向上したDRAMセルを有した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願明細書の開示される発明のうち、その代表的なものを列挙すれば、以下の通りである。
【００１７】
（１）第１の発明は特にゲート絶縁膜の膜厚に関するものである。
【００１８】
一般に半導体集積回路装置の集積度の観点から、素子分離方法を、現在多用されている選択酸化膜（LOCOS(Local Oxidation of Silicon)）から溝型分離の方法に変更することは理のあることではある。しかし、 DRAMセルと共に情報処理部をも有する半導体装置の場合、情報記憶部のMOS型トランジスタのしきい値電圧を情報処理部のMOS型トランジスタのしきい値電圧より高く設定する必要がある。それは、情報保持時のサブスレショルド電流を低減する必要がある為である。
【００１９】
尚、本願明細書において、溝によって積極的にある領域を分離する方法を溝型分離あるいは溝型素子分離と称する。実際的には、半導体基体に設けられたこの溝内に絶縁物、通例は酸化シリコンを埋め込んである。
【００２０】
即ち、第１の発明は、メモリセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記メモリセルは溝型分離されたMOS型トランジスタを有し、溝によって分離されたこのMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
この場合、溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応する前記ゲート絶縁膜の膜厚がチャネル間隔において実質的に均一の厚さであっても良い。また、当該MOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差、即ち膜厚分布を有していても良い。
【００２２】
これらの形態の中では、ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に均一の厚さの形態が製造に当って大変有利である。ゲート絶縁膜が膜厚分布を有する場合、各セルにおける膜厚分布を同一に調整する為、製造条件を十分管理する必要がある。
【００２３】
尚、本願発明は、厚いゲート絶縁膜を用いることは、実質的な構成を考慮すると更に次の効果を有する。
【００２４】
図１に主要部のこの状態の断面図を示す。半導体基板１００に溝１０１が形成されている。この溝１０１には酸化シリコン１０２が埋め込まれている。
【００２５】
溝型素子分離の方法によると、溝に酸化シリコン１０２を埋め込んで後、この表面の平坦化を行う。しかし、この時、現実の工程では、溝型分離領域の酸化シリコン部分の表面はチャネル１０３に対応する領域に比較して低い位置１０４まで後退する。この場合、ゲート絶縁膜１０５が薄いと、この本来のチャネル領域１０３から溝に移行する端面部分に実質的なチャネル部分１０６が形成される。
【００２６】
従って、本来のチャネル領域に加えて、溝部分側壁にもチャネルが存在し、ソースードレイン間電流が増大する。この結果、情報を保持する時（即ち、ゲート電圧が０Ｖの時）、リーク電流が実効的に増加するように作用し、情報保持の特性（即ち、リフレッシュ特性）が劣化する。
【００２７】
これに対して、本願発明のごとく厚いゲート絶縁膜を用いた場合、本来のチャネル領域から溝に移行する端面部分も前記の場合に比較して厚い絶縁膜となる。従って、上述したごとき問題の発生はない。この結果、情報保持時のリーク電流の増大を防止できる。
【００２８】
尚、以下の説明および実施例において、溝に埋め込まれた酸化シリコン膜がその平坦化の過程で若干低く後退することなど、より詳細な点は説明や図示が省略されている。
【００２９】
＜リフレッシュ特性確保等の為に、更に考慮すべき技術的背景＞
次に、以下に説明する本願発明の理解を助ける為、物理的な背景を説明する。先ず、素子分離の方法として、選択酸化膜による方法と溝型分離の方法とによる場合を比較し、溝型分離の場合の固有の問題を具体的に明らかにする。
【００３０】
DRAMのリフレッシュ特性に対して情報記憶部のMOSトランジスタに発生するより詳細な背景を要約すると、次の通りである。
【００３１】
（１）不純物拡散領域の高不純物濃度の領域とゲート電極との距離によって決定される電界が接合の空乏層に漏れて接合電界を大きくする現象を考慮すること。
【００３２】
（２）ノックオン酸素原子に起因した析出物による電界の増加の影響を考慮すること。尚、このノックオン原子はゲート絶縁膜の膜厚と関係する。
【００３３】
（３）ゲート電極端の電界に起因するリーク電流を考慮すること。
【００３４】
そして、それらは、構成上、（１）接合端部の不純物濃度、（２）電界が大きくなる領域の位置、および（３）ゲート電極と接合の高濃度部分との距離の3つの点を考慮する必要がある。
【００３５】
＜不純物領域の接合近傍の電界強度＞
図２、図３はゲート電極と高不純物濃度領域の接合端の電界強度の分布を説明した図である。これらによって、溝型分離と通例の選択酸化膜による分離との相違が容易に理解される。図２は選択酸化膜による分離の場合を示し、同図（ａ）は主要部の平面図、同図（ｂ）は図２（ａ）でのＡＢ断面図である。図３は溝型分離の場合を示し、同図（ａ）は主要部の平面図、同図（ｂ）は図３（ａ）でのＡＢ断面図を示している。
【００３６】
選択酸化膜の場合、その端部は通例、バード・ビーク(birds Beak)と称される酸化膜の半導体領域への侵入部が発生する。この為、この選択酸化膜によって構成される端部は急峻ではなく、半導体領域は下部に広がる形状となる。従って、ゲート電極下の不純物の拡散は横方向に広がりをみせる。一方、溝型分離の場合は、加工に伴う変位はあるものの、選択酸化膜によるそれよりも遥かに急峻な端面を有している。この為、選択酸化膜を用いた場合と同様の方法で不純物領域を形成するとしても、横方向への不純物拡散は無い。従って、半導体基板内の不純物濃度の分布は、選択酸化膜の場合より急峻となる。
【００３７】
まず、選択酸化膜で素子分離を行なった場合を図２に基づいて説明する。図２（ａ）において、ゲート電極２８の下部に不純物拡散領域２７が形成される。この不純物拡散領域２７の両側は選択酸化膜２６によって隣接する素子領域と分離されている。不純物拡散領域２７は、ゲート電極２８で覆われていない活性領域２７（図２（ａ）では領域２７の紙面の上方）から不純物を導入して形成する。このとき、不純物はゲート電極２８の下部および選択酸化膜２６下に拡散してゆく。不純物拡散領域２７の不純物濃度が基板濃度と一致する部分（冶金的接合位置）を破線２９で示した。
【００３８】
ゲート電極２８の下の不純物領域表面近傍の不純物濃度は、図２の（a）のA-B断面のものを図２（b）に示す。この不純物領域の表面近傍の不純物濃度はゲート電極２８で覆われていない活性領域の表面濃度より低くなる。
【００３９】
尚、図２（b）の不純物濃度の各線は、各々１×１０18cm-3の等不純物濃度線３０、１×１０17cm-3の等不純物濃度線３１、１×１０16cm-3の等不純物濃度線３２を示している。
【００４０】
図２（ａ）から理解されるように選択酸化膜を用いた場合、電界の大きい部分３３は、接合端部の曲率の影響が大きい部分となる。この電界の大きい部分３３では、ゲート電極２８と不純物拡散領域の高濃度部分との距離が、ゲート酸化膜３４より厚い選択酸化膜２６の端部分の酸化膜厚に等しい。したがって、ゲート電極２８と不純物拡散領域との間の電界の空乏層への漏れが少なく、接合電界に与える影響は少ない。また、ゲート電極２８下の接合端部の電界は、不純物拡散領域の不純物濃度が低くなった分小さくなる。
【００４１】
一方、絶縁膜が埋込まれた溝型の素子分離３５を行った図３の場合を説明する。図３に見られるように不純物拡散領域２７の不純物の横方向への広がり３６は、ゲート電極２８下のみとなる。即ち、溝型分離３５がなされた両側部は原理的に拡散は発生しない。従って、選択酸化膜の場合に発生していたこの両側部の方向への拡散は生じない。従って、ゲート電極２７下の不純物拡散層の表面濃度は、図３（b）に示すように、選択酸化膜で素子分離を行なった場合より高くなってしまう。また、ゲート電極下の不純物拡散層の不純物濃度が大きい場合、その濃度分布が急峻になり、これに伴い発生する電界強度は大きくなってしまう。
【００４２】
このとき、図３ａ）にみられるように接合電界の大きい部分３７の位置は、ゲート酸化膜３４の下部になる。従って、ゲート電極と不純物拡散層との間の電界の空乏層への漏れが多くなる。この為、接合電界の大きい領域では、その漏れ電界の影響を受けてさらに大きくなってしまう。
【００４３】
このように、接合電界の大きい部分の位置が、前述の選択酸化膜を用いた場合と溝型分離を用いた場合とで異なり、溝型分離の場合の固有の問題を生むこととなる。上述のように、素子分離を選択酸化膜から溝に変えた場合、接合電界が大きくなり、電界起因のリーク電流が無視できなくなる。結果として、DRAMのリフレッシュ特性が劣化してしまう。
【００４４】
＜溝型素子分離と厚いゲート絶縁膜＞
図４の（ａ）、（ｂ）の各々は、溝型分離されたMOS型トランジスタを有するDRAMセルを情報記憶部とし,更にその他に情報処理部を有した半導体集積回路装置の２つの例の主要部を模式的に示す断面図である。図４の（ａ）はそのゲート絶縁膜がチャネルの中心部分とその境界部分とでその厚さに差を有する例、図４（ｂ）はゲート絶縁膜がチャネルと対応する部分で実質的に均一の厚さを有する例を示している。
【００４５】
図４において、情報記憶部を４２、情報処理部を４０、および素子分離用の溝部を３５と示している。ゲート絶縁膜に膜厚分布を有する場合、ゲート絶縁膜の各境界部分を３９および４１、ゲート絶縁膜の各中央部分を３８および４９と表示した。ゲート絶縁膜が均一な場合、ゲート絶縁膜全体を４７および４８として示した。また、ソースまたはドレインとなる不純物拡散領域を各々３６、５０、５１、５２、５３、５４、５５、および５６、ゲート電極層を３７、このゲート電極層上の絶縁膜を１５０、サイド・スペーサを１５１として示した。
【００４６】
図４（ａ）、（ｂ）のいずれの場合も、情報記憶部４２が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚（図４（ａ）では３９、図４（ｂ）では４７）が、前記情報処理部４０が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚（図３（ａ）では４１、図３（ｂ）では４８）より大きくなっている。このことによって、溝型分離による高集積度を確保しつつ、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と 情報処理部における情報処理の高速性確保の要請とに答えることが出来る。
【００４７】
ゲート絶縁膜の厚さに中央部と境界部分に差のある例では、ソースまたはドレインとなる不純物拡散領域を複数の不純物濃度の領域として構成することと合わせて、更に、次のような利点を持たせ得る。第1はゲート端の接合領域へのゲート絶縁膜の電界の漏れ防止に有用である。第2はゲート絶縁膜の中央が薄いので、ソースードレイン間のリーク電流を小さくしながら、しきい値電圧は小さく出来る。
【００４８】
図４（ｃ）はこの効果を説明する為の装置断面図である。情報記憶部４２において、ソースおよびドレインとなる拡散層との境界部分でのゲート酸化膜１０４５の膜厚が、情報処理部４０のMOS型トランジスタの上記境界部分でのゲート酸化膜１０７４の膜厚より大きくなっている。この構成を取ることによって、ゲート電極１０５７と拡散層の高濃度部分１０４７との距離を大きくすることができる。即ち、ゲート電極１０５７と拡散層に挟まれた酸化膜１０４５の電界が、ゲート電極１０５７の端部の接合の空乏化領域に漏れることが阻止される。
【００４９】
従って、溝型素子分離されたMOS型トランジスタのゲート電極端の領域１０４６での電界は比較的強いものの、上記電界の漏れの影響を排除することができる。
【００５０】
ゲート電極端の接合の空乏化表面のゲート酸化膜１０４５も厚くするため、その分しきい値電圧を高くできる。こうして、情報保持時のソース・ドレイン間リーク電流を低減することができる。DRAMのリフレッシュ特性は、接合電界に起因した接合リーク電流と、情報保持時のソース・ドレイン間リーク電流との影響を受ける。従って、本構造によれば上記電界の増加を防止できる。また、前述の電界増加の防止効果に伴って、この電界増加が発生しない場合を考えれば、しきい値電圧を高く出来る。こうすれば、DRAM特性を更に向上することができる。
【００５１】
また、この場合、ゲート電極中央部付近のゲート酸化膜を薄くしているため、ドレイン電流―ゲート電圧特性はソース・ドレイン間リーク電流を小さくしながらしいき値電圧を小さくすることが出来る。その結果、情報の読み出しや書き込みを行なう際にゲート電圧を低くできるので、昇圧回路が不要になるか、わずかな昇圧ですむようになる。こうして、DRAMのワード線の駆動を高速かつ低電力が実現できる。
【００５２】
尚、図４（ｃ）において、半導体基板は１０４０、低い不純物濃度の不純物領域は１０４６、１０７６、高い不純物濃度の不純物領域は１０４７、１０７７、ゲート電極１０５７および１０６７上の絶縁膜は１１５０および１１６０、シリコン窒化膜は１１５１および１１６１、サイドスペーサは１０５８および１０６８として夫々示した。
【００５３】
図５はドレイン電流―ゲート電圧特性の各種比較を示すものである。（ａ）薄いゲート絶縁膜の場合（６ｎｍ）、（ｂ）厚いゲート絶縁膜の場合（８ｎｍ）、および（ｃ）ゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有する場合（６―８ｎｍに渡って変化する例）の諸例を示している。尚、図５は、基板およびソースは接地，ドレインは３Ｖの印加の状態とした例の特性を示している。ドレイン電流―ゲート電圧特性からみると、ゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有する場合が最も好ましい。
【００５４】
＜ドレイン接合近傍の局所電界集中とノックオン原子＞
前述の発明の適用に加えて、ゲート絶縁膜の厚くすることによって新たに生ずる可能性のある難点を回避しておくことが実用上重要である。
【００５５】
先ず考え得るのは、ノックオン原子と局所電界集中の問題である。そこで、ゲート絶縁膜の厚さとノックオン原子の関係を考察する。
【００５６】
図６は上記低濃度の不純物拡散領域を形成するための不純物イオン１の打込みにおけるノックオン原子の状態を示す断面図である。ゲート電極２の端部ではゲート酸化膜３中の酸素原子４が半導体基板５中にノックオンされる。
【００５７】
図７はイオン打ち込み後の低濃度不純物領域が形成された状態を示す断面図である。低濃度拡散層６と半導体基板５とで構成される接合部には空乏化領域７が生ずる。しかし、この空乏化領域には、前述のノックオン原子による酸素析出物８が形成される。この酸素析出物８は、打込み損傷が析出核となり、打込み後の熱処理においてノックオン酸素４が析出核に捕獲されることにより形成される。
【００５８】
図７はゲート絶縁膜が薄い場合の一般的な状況を例示している。ゲート酸化膜３が上記打込み深さより十分薄い場合には、ゲート酸化膜３中を通過する際の不純物イオン１のエネルギが十分高い。従って、ゲート酸化膜３中でエネルギを失う過程が電子との衝突によるものである。酸素原子との核衝突が少なく、この為、酸素のノックオンも少なくなる。また、基板５中では不純物が比較的深くまで打込まれるので、酸素のノックオンが生じても上記空乏化領域７に酸素析出物８が形成される確率は低い。
【００５９】
しかし、図８に示すように、ゲート酸化膜９が厚くなると、ゲート酸化膜９中を通過し基板に達する直前の不純物イオンのエネルギが低くなる。この為、不純物イオンが原子核との衝突によりエネルギを失う過程が増える。この為、打ち込みイオンと酸素原子との核衝突が多くなり、酸素のノックオンも多くなる。特に、ゲート酸化膜９と基板５との界面近傍に打込まれる不純物が多くなるため、ノックオン酸素も多くなる。また、基板５中に打込まれる不純物は、比較的浅い部分にとどまるため、上記空乏化領域１０に酸素析出物１１が形成される確率が高くなってしまう。
【００６０】
このような現象がある中で、前述の様にDRAMセル部のトランジスタのゲート酸化膜を厚くすると、ゲート電極端の基板表面付近に析出物１１が発生する確率が高くなる。
【００６１】
図９はゲート電極端部の電界分布と酸素析出物の問題となる関係を示したものである。図において、0MV/cmの等電界線１４、0.1 MV/cmの等電界線１５、0.2 MV/cmの等電界線１６、0.3 MV/cmの等電界線１７、および、0.4 MV/cmの等電界線１８を示している。そして、ゲート電極２の端部では、低濃度不純物拡散層１２の端部の曲率によって、空乏層１３中の電界が大きくなる。
【００６２】
今、電界の大きい部分（図の斜線部分１８）に酸素析出物１１が存在すると、局所電界集中が生じ、電界起因の接合リーク電流が増えてしまう。その結果、DRAMの重要な特性であるリフレッシュ特性が劣化してしまう。例えば特開平6-61486（記事６）はこうしたことが考えられる例である。
【００６３】
尚、選択酸化膜を用いた素子分離の方法においても、ノックオン原子の影響は考慮しなければならない。図１０は選択酸化膜による素子分離の例を示すものである。図１０（ｂ）はゲート酸化膜３が薄い例である。この場合、選択酸化膜１９の端部では、実質的に酸化膜が厚くなっている。この為、酸素のノックオンも多くなり、酸素析出物２０が多く発生する可能性がある。しかし、その部分では空乏層１３中の電界１６が小さいため、仮に局所電界集中が生じても、電界に起因する接合リーク電流は無視できる大きさである。
【００６４】
しかし、図１０（ａ）のようにゲート酸化膜９が厚い例では、酸素のノックオンに起因して発生した酸素析出物２０が強電界部分（図中斜線部分）１７に存在しやすい。この為、電界に起因する接合リーク電流が無視できなくなる。
【００６５】
情報記憶部や情報処理部で独立にしきい値電圧を設定できるように、例えば、２種類の膜厚のゲート酸化膜を設定しても、より高度な特性要求に対しては更なる対応が必要である。例えば、膜厚が２種類のゲート酸化膜を有し、厚い酸化膜の下部の基板濃度を薄い酸化膜の下部より低くする方法になるDRAMを含む半導体集積回路装置を示す特開昭56-120166（記事９）でも同じ状況と考えられる。
【００６６】
即ち、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜を厚くして半導体基板の不純物濃度を低くすると、しきい値電圧が高くなる。従って、情報保持時のソース・ドレイン間リーク電流を低減することができなくなる。また、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜を薄くして半導体基板の不純物濃度を高くすると、ゲート電極端での接合端部の電界が大きくなる。この為、電界に起因するリーク電流を低減することができない。その結果、DRAMの重要な特性であるリフレッシュ特性に影響が発生する。
【００６７】
以下に記載の発明は、上述した更に仔細な諸問題点を回避するものである。
【００６８】
＜本願明細書に開示される発明のうちの代表的なものの更なる列挙＞
（２）第２の発明は半導体基板内の不純物領域の不純物濃度に関するものである。
【００６９】
即ち、その要点は、DRAMセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記DRAMセルは溝によって分離されたMOS型トランジスタを有し、この溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分での不純物領域の濃度が、情報処理部のMOS型トランジスタの上記境界部分での不純物領域の濃度より低く設定するものである。
【００７０】
図１１はこの第2の発明の主要部を模式的に示す断面図である。即ち、図１１は、半導体基板１０４０に情報記憶部５０と情報処理部５２が形成される。そして、情報記憶部５０のMOS型トランジスタは溝型分離４９されている。尚、厚いゲート絶縁膜は５５、これより薄いゲート絶縁膜は３２と示した。また、サイドスペーサ部は５６である。
【００７１】
このMOS型トランジスタのソースあるいはドレインとなる不純物拡散層の不純物濃度を、ゲート電極との境界部分５１において、情報処理部５２のMOS型トランジスタの上記と同様の関係にある境界部分での不純物拡散層５３の濃度より低くした例である。情報記憶部５０のMOS型トランジスタでは、ゲート電極端部での半導体基板の不純物濃度がより低濃度となる為、ゲート電極５４の端部での接合電界を小さくできる。
【００７２】
本技術を上記第1の発明と合わせ実施することにより、より有用な半導体装置を実現することが出来る。
【００７３】
この場合、上記第1の発明に関して述べたと同じように、溝によって分離されたMOS型トランジスタのゲート絶縁膜は、チャネル対応部分で実質的に同等の厚さでもよいし、またソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差を有した形態でも良い。ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に均一な厚さの形態が製造に当って有利なことなどは前述の通りである。
【００７４】
（３）第３の発明は、更に、ソース領域またはドレイン領域の高濃度領域とゲート電極との間隔に関するものである。
【００７５】
即ち、その要点は、MOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔が、情報処理部のMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔より大きいことを特徴とするものである。
【００７６】
第３の発明を要約すれば、次の通りである。即ち、それは、DRAMセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記DRAMセルは溝によって分離されたMOS型トランジスタを有し、この溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有するMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きく、且つこの溝によって分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔が、情報処理部のMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔より大きいことを特徴とする半導体装置である。
【００７７】
上記第1の発明に関して述べたと同様に、溝によって分離されたMOS型トランジスタのゲート絶縁膜は、チャネル対応部分で実質的に同等の厚さでよい。またソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差を有した形態でも良い。ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に同等の厚さの形態が製造に当って有利なことなどは前述の通りである。
【００７８】
また、前記ソース領域またはドレイン領域の高濃度領域とゲート電極との間隔については、素子分離を選択酸化膜を用いる方法においても適用できる。前述の図１１において、素子分離４９が選択酸化膜によりなされるようすれば良い。素子分離された情報記憶部のMOS型トランジスタにおいて、ゲート酸化膜５５の膜厚は、情報処理部のゲート酸化膜３２より厚い酸化膜を用いる。そして、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート電極５４のサイドスペーサ５６の下部に形成される低濃度拡散層５１の濃度を、情報処理部５２のMOS型トランジスタのゲート電極５４のサイドスペーサ５６の下部に形成される低濃度拡散層５３の濃度より低くする。これにより、情報記憶部５０でのゲート電極５４端の接合電界を、より小さくできる。
【００７９】
（４）第４の発明は、ゲート電極に対して、特にサイドスペーサを有する構造を有する形態に関するものである。
【００８０】
即ち、それは、DRAMセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記DRAMセルは素子分離されたMOS型トランジスタを有し、この素子分離されたMOS型トランジスタは、そのゲート電極の両側部にサイドスペーサ部を有し、且つ素子分離されたMOS型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有するMOS型トランジスタののソースまたはドレインとなる拡散層のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きく、且つ溝によって分離された前記MOS型トランジスタのゲート電極の前記サイドスペーサ部の下部に略対応して位置する半導体領域の低濃度拡散領域の不純物濃度が、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート電極の前記サイドスペーサ部の下部に略対応して位置する半導体領域の低濃度拡散領域の不純物濃度の濃度より低いことを特徴とする半導体装置である。
【００８１】
この溝によって分離されたMOS型トランジスタのゲート絶縁膜は、チャネル対応部分で実質的に同等の厚さでもよいし、またソースまたはドレインとなる不純物領域のゲート電極との境界部分に対応する領域とそれ以外の領域とで膜厚に差を有した形態でも良い。ゲート絶縁膜がチャネル対応部分で実質的に同等の厚さの形態が製造に当って有利なことなどは前述の通りである。
【００８２】
尚、第４の発明の場合、素子分離は、溝型分離あるいは選択酸化膜による分離をも用い得る。
【００８３】
図１２を参酌して、第４の発明の例を具体的に説明する。素子分離された情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート電極５７のサイドスペーサ５８下部に略対応して形成される低濃度拡散層５９の濃度が、情報処理部５２のMOS型トランジスタのゲート電極６０のサイドスペーサ６１下部に略対応して形成される低濃度拡散層６２の濃度より低く形成されている。
【００８４】
そして、情報記憶部５０のMOS型トランジスタの高濃度拡散層６５下に、サイドスペーサ５８下部に形成されるより低濃度の拡散層５９と同程度の濃度の拡散層６８を有し、かつ、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート酸化膜６３下の基板濃度分布が、上記と同様にする。これによって、前述と同様にしきい値電圧を高く保ちながら、効果的に接合電界を低減することができる。
【００８５】
本発明によって、情報記憶部における耐圧、信頼性確保の為の要請と、情報処理部における情報処理の高速性確保の要請とに答えることが出来る。
【００８６】
（５）第５の発明は、更に、半導体基板における不純物濃度に関するものである。第５の発明の場合、素子分離は、溝型分離あるいは選択酸化膜による分離をも用い得る。
【００８７】
それは、DRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部を有した半導体集積回路において、素子分離された情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極のサイドスペーサ下部に形成される低濃度拡散層の濃度が、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート電極のサイドスペーサ下部に形成される低濃度拡散層の濃度より低い際に、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜下の基板濃度が、表面から上記低濃度拡散層とほぼ同じ深さまで高く、上記低濃度拡散層とほぼ同じ深さから高濃度拡散層とほぼ同じ深さまで低く、かつ、高濃度拡散層とほぼ同じ深さ以上で高くなっていることを特徴とする半導体装置である。
【００８８】
図１２の（ａ）に示すように、素子分離５７（溝型分離あるいは選択酸化膜を用いた方法のいずれでも良い）された情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート電極５７のサイドスペーサ５８下部に形成される低濃度拡散層５９の濃度が、情報処理部５２のMOS型トランジスタのゲート電極６０のサイドスペーサ６１下部に形成される低濃度拡散層６２の濃度より低くする際に、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのゲート酸化膜６３下の基板６４濃度分布を、表面から上記低濃度拡散層５９とほぼ同じ深さまで高く、上記低濃度拡散層５９とほぼ同じ深さから高濃度拡散層６５とほぼ同じ深さまで低く、かつ、高濃度拡散層６５とほぼ同じ深さ以上で高くする。
【００８９】
これによって、上記低濃度拡散層５９とそれに接した高濃度領域６６との間での接合電界、および、高濃度拡散層６５とそれに接した低濃度領域６７との間での接合電界を小さくできるので、情報記憶部５０のMOS型トランジスタのしきい値電圧を高く設定しながら、電界起因の接合リーク電流とサブスレッシュ電流を低減できる。
【００９０】
図１２（ａ）がゲート絶縁膜の厚さに分布を有する例であるのに対して、図１２（ｂ）はゲート絶縁膜がチャネルに対応した領域で実質的に均一な厚さを有する例である。他の構成は図１２の（ａ）と（ｂ）は同様である。
【００９１】
図１２の（ｃ）は、情報記憶部のサイドスペーサの厚さを情報処理部のそれより大きくすることにより、高濃度不純物領域をゲート電極より距離を大きくとる例を示したものである。前述の図１２の（ｂ）はサイドスペーサの厚さが、情報記憶部と情報処理部とで同じ厚さになっている例である。各々のサイドスペーサは５８および６１である。同図において半導体装置のその他の領域は図１２と同様の符号によって示した。
【００９２】
図１２の（ｃ）は情報記憶部のサイドスペーサ５８１の厚さを情報処理部のそれ６１より大きくした例を示している。例えば、サイドスペーサ５８１を７０ｎｍ、サイドスペーサ６１を５０ｎｍとする。この場合、高濃度不純物領域６５の横方向の広がりが４０ｎｍの例では、ゲート電極５７と高濃度不純物領域６５の距離は、サイドスペーサ５８１側で３０ｎｍおよびサイドスペーサ６１側で１０ｎｍとなる。尚、同図において半導体装置のその他の領域は図１２と同様の符号によって示した。
【００９３】
図１３は、ゲート絶縁膜が８ｎｍの場合、高濃度不純物領域６５とゲート電極の間隔とゲート電極端の電界強度の関係を示す図である。尚、この例では、高濃度不純物領域６５に対して、低濃度不純物領域５９および電界緩和層６８が形成されている。この図１３より、電界強度を０．５ＭＶ／ｃｍ程度から０．３ＭＶ／ｃｍ程度まで低減出来ることが理解される。
【００９４】
＜リフレッシュ特性の改善に係わる多層構造ゲート電極＞
以下に説明する発明は、ゲート電極に関するものである。この電極構造によって、 MOS型トランジスタのしきい値電圧を高く保ちながら、接合電界を低減するものである。これらゲート電極に関する発明を上述の各発明と併用して用いることは実用上好ましいことである。
【００９５】
（６）第６の発明は、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極を多層構造とした改良に関するものである。
【００９６】
このゲート電極は、ゲート絶縁膜上にｎ型不純物をドープの多結晶シリコン層もしくはノン・ドープの多結晶シリコン層、この上部にｐ型不純物をドープした多結晶シリコン層の積層を少なくとも有するするものである。この改良によって、DRAMのリフレッシュ時間を長く確保出来る。上述のｐ型不純物をドープした多結晶シリコン層は金属あるいはいわゆる金属シリサイドをも用い得る。尚、本発明においても素子分離は溝型分離、選択酸化膜による分離をも用い得る。
【００９７】
DRAMセルを情報記憶部としその他に情報処理部を有した半導体集積回路において、素子分離された情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート電極を多層構造とする。その下部を少なくとも２層とする。そして、その上部をp型不純物を導入した多結晶シリコン層とし、その下層、即ち、ゲート酸化膜直上をn型不純物を導入した多結晶シリコン層または不純物導入の無い多結晶シリコン層とすることを特徴とする半導体装置が有用である。
【００９８】
図１４は本発明を適用した場合のゲート電極部を半導体基板に対して垂直な断面のバンド構造を示す図である。 ゲート電極の下層としてn型不純物を導入した多結晶シリコン層を用いた例と不純物導入の無い多結晶シリコン層を用いた例を各々示している。
【００９９】
図１４の（ａ），（ｃ）は、 上記トランジスタがON状態のとき、図１４（ｂ）、（ｄ）はトランジスタがOFF状態のときのそれを示している。図において、ゲート電極は６９、ゲート絶縁膜を７０、半導体基板を７１と示した。各々コンダクションバンドの下端を８０、８１、バレンスバンドの上端を８３、８４と示した。
【０１００】
図１４（ａ）に示す通り、上記トランジスタがON状態のときは、通常のゲートと同様に作用する。ゲート酸化膜７０下の半導体基板７１表面に反転（チャネル）層７２が形成される。それは、ゲート電極６９の下部に設けたp層とn層の接合でバンド構造の曲がりが順方向となるためである。
【０１０１】
一方、当該トランジスタがOFF状態のときは、図１４（b）に示すように、ゲート電極６９のp層とn層の接合でバンドの曲がりが逆方向となるため空乏層７３が形成される。この空乏化した領域は、実質的にゲート酸化膜が厚くなるように作用する。この為、半導体基板の不純物濃度を高くすること無く、トランジスタのOFF時のサブスレッシュ電流を低減できる。
【０１０２】
その結果、しきい値電圧を高く保ちながら、効果的に接合電界を低減することができる。
【０１０３】
図１４の（ｃ）、（ｄ）は不純物導入の無い多結晶シリコン層を用いた場合のバンド構造を示している。図１４の（ｃ）は当該トランジスタがON状態のとき、図１４（ｄ）はトランジスタがOFF状態のときのそれを示している。この場合も上述の形態を同等の効果を奏する。
【０１０４】
更に、ここで、上記p型不純物を導入した多結晶シリコン層とゲート酸化膜直上の上記多結晶シリコン層との界面に窒素を含ませることにより、半導体装置の製造工程中の熱処理においてp型不純物がゲート酸化膜直上の上記多結晶シリコン層に拡散するのを防止できる。このことにより、上記効果をより有効に得ることが可能となる。なお、上記p型不純物を導入した多結晶シリコン層を金属または金属シリサイドにすることにより、上記不純物拡散の影響を無視できるようになる。
【０１０５】
さらに、上述の電極構造を、半導体集積回路装置の各種領域に使い分けることが出来る。図１５はその使い分けの状態を模式的に示したものである。図中、領域７４、７５は、各種領域が一つの半導体基板内に存在していることを模式的に示したものである。
【０１０６】
その使い分けの基本は、第１の厚さのゲート酸化膜上には第１の導電型の不純物を含む多結晶シリコン層を有したゲート電極が存在する部分７４とし、第２の厚さのゲート酸化膜上には第２の導電型の不純物を含む多結晶シリコン層を有したゲート電極が存在する部分７５を設けるものである。以下に２つの例を例示する。各々、その形態固有の効果を得ることができる。
【０１０７】
（１）第1の形態は、第１の厚さを第２の厚さより大きくして、厚い第１のゲート酸化膜上にp型不純物を導入した多結晶シリコン層を用い、また、薄い第２のゲート酸化膜上にn型不純物を導入した多結晶シリコン層を用いる場合である。
【０１０８】
この場合、第１の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とし、第１の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とする。一方、第２の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とし、第２の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とする。
【０１０９】
この構成の場合、トランジスタ動作が表面チャネル型のトランジスタを高速化でき、埋込みチャネル型のnチャネルトランジスタではゲート酸化膜を厚くできる分基板濃度の上昇を避けることができる。例えば、埋込みチャネル型のnチャネルトランジスタを情報記憶部のトランジスタにすると、これまで述べたように接合電界を低減できる。なお、種々の動作速度を持つトランジスタを実現できることは明かである。
【０１１０】
（２）第2の形態は、第１の厚さを第２の厚さより大きくして、厚い第１のゲート酸化膜上にn型不純物を導入した多結晶シリコン層を用い、また、薄い第２のゲート酸化膜上にp型不純物を導入した多結晶シリコン層を用いる場合である。
【０１１１】
この場合、第１の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とし、第１の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とする。一方、第２の厚さのゲート酸化膜を有するnチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とし、第２の厚さのゲート酸化膜を有するpチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型とする。この形態では、薄いゲート酸化膜を用いたnチャネルトランジスタを実現でき、超高速動作が可能となる。
【０１１２】
つぎに、上記の特徴を持つ情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜の形成方法について述べる。
【０１１３】
まず、情報記憶部で厚く情報処理部で薄いゲート酸化膜を有したトランジスタの製造方法を図１６および図１７を参酌して説明する。
【０１１４】
＜厚い酸化膜の第1の形成方法＞
図１６は第1の方法を説明する工程順の断面図である。図はゲート絶縁膜の形成方法の部分のみを示している。従って、半導体基板中への各種回路素子領域の形成は、通例の半導体装置の製造方法に従って製造されることはいうまでもない。
【０１１５】
（１）所定の半導体基板１２２の情報記憶部120および情報処理部121に対して、実質的に同じ膜厚のゲート酸化膜123を周知の方法にて形成する。
【０１１６】
（２）ゲート電極となるシリコン膜124を堆積する。
【０１１７】
（３）情報記憶部120以外の領域でのみシリコン膜124表面上に打込み用マスク12 5を形成する（図１６の（ａ））。
【０１１８】
（４）こうして準備された半導体基板に、酸素イオン打込みし、その後熱処理を実施して情報記憶部120のシリコン膜124下のゲート酸化膜126を厚くする（図１６の（ｂ））。なお、情報記憶部120のシリコン膜124の表面もまた酸化される。
【０１１９】
（５）複数の所望の厚さの各ゲート絶縁膜を得た後は、シリコン膜１２４およびシリコン酸化膜１２７は、例えば除去し、後は通例の方法によって、半導体装置を製造すれば良い。
【０１２０】
＜厚い酸化膜の第2の形成方法＞
図１７は第２の方法を説明する工程順の断面図である。図はゲート絶縁膜の形成方法の部分のみを示している。従って、半導体基板中への各種回路素子領域の形成は、通例の半導体装置の製造方法に従って製造されることはいうまでもない。
【０１２１】
（１）所定の半導体基板１２２の情報記憶部128および情報処理部131に対して、情報記憶部128で必要な膜厚の第１のゲート酸化膜129を形成する。
【０１２２】
（２）第１のゲート酸化膜129上に情報記憶部のゲート電極の一部となる第１のシリコン膜130を堆積する（図１７の（a））。
【０１２３】
（３）つぎに、情報処理部131の第１のシリコン膜130および第１のゲート酸化膜 129を除去する（図１７の（b））。
【０１２４】
（４）情報処理部131で必要な膜厚の第２のゲート酸化膜132を形成する（図１７の（Ｃ））。
【０１２５】
（５）上記情報処理部131の第２のゲート酸化膜132および上記情報記憶部128に形成された第１のシリコン膜130表面上に形成された酸化膜133の表面に情報処理部131のゲート電極の一部となる第２のシリコン膜134を堆積して、第２のシリコン膜134および第１のシリコン膜130表面上に形成された酸化膜133を除去する（図１７の（d））。
【０１２６】
（６）情報記憶部128および情報処理部131のゲート電極の一部となる第３のシリコン膜135を形成する（図１７の（e））。
【０１２７】
（７）最後に、通常の工程を用いてゲート電極加工、低濃度拡散層137、サイドスペーサ138および高濃度拡散層139を形成して情報記憶部128のシリコン膜130,135下のゲート酸化膜129が厚くなるようなトランジスタを作製する（図１７の（f））。
【０１２８】
この方式では、図１７の（b）に示す構造を得るための加工マスクを情報処理部131の基板濃度制御のためのイオン打込みマスクにすることができる。また、図１７の（d）に示す構造を得るための加工マスクを情報記憶部128の基板濃度制御のためのイオン打込みマスクにすることができる。さらに、シリコン膜34加工前にイオン打込みすれば情報記憶部128のゲート酸化膜129に対する打込み時のチャージアップの影響を取り除くことができる。なお、上記方法を用いて、まず、情報処理部131の薄いゲート酸化膜132を形成する工程からプロセスを開始しても同様も構造を得ることができる。
【０１２９】
次に、ゲート絶縁膜に膜厚分布を持たせる方法について説明する。即ち、情報記憶部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜のチャネル方向の膜厚分布を、情報処理部のMOS型トランジスタのゲート酸化膜のチャネル方向の膜厚分布より大きくする方法である。
【０１３０】
＜ゲート絶縁膜に膜厚分布を持たせる第1の方法＞
図１８はゲート絶縁膜の膜厚分布を持たせる第1の方法を説明する工程順の断面図である。図はゲート絶縁膜の形成方法の部分のみを示している。従って、半導体基板中への各種回路素子領域の形成は、通例の半導体装置の製造方法に従って製造されることはいうまでもない。
【０１３１】
（１）所定の半導体基板１２２に、情報記憶部140および情報処理部141において同じ膜厚のゲート酸化膜142を形成する。
【０１３２】
（２）ゲート電極であるシリコン膜143を堆積し、これをを所定形状に加工する。
【０１３３】
（３）情報記憶部140でシリコン膜143表面上にシリコン窒化膜144を形成する（図１８の（a））。
【０１３４】
（４）こうして準備した半導体基板を熱酸化することにより、情報記憶部140のシリコン膜143下のゲート酸化膜142をチャネル方向をその外側に向かって膜厚を大きくする（図１８の（ｂ））。
【０１３５】
上述の熱酸化時にシリコン窒化膜144は凹状態に反るため、ゲート電極端部の酸化膜に引っ張り応力が発生しする。この領域では酸素の拡散が速くなる。この為、チャネル方向をその外側に向かって膜厚が大きいゲート酸化膜145が形成される。上記シリコン窒化膜の反りは、シリコン窒化膜144の堆積温度が低い程、また、堆積膜厚が大きい程、大きくなる。その結果、チャネル方向の膜厚分布は、シリコン窒化膜144の堆積温度および堆積膜厚によって制御できる。
【０１３６】
＜ゲート絶縁膜に膜厚分布を持たせる第２の方法＞
図１９はゲート絶縁膜の膜厚分布を持たせる第２の方法を説明する工程順の断面図である。
【０１３７】
（１）所定の半導体基板１５２に、情報記憶部146および情報処理部147において同じ膜厚のゲート酸化膜148を形成する。
【０１３８】
（２）次いで、シリコン膜149および絶縁膜150を順次堆積し、絶縁膜150およびシリコン膜149を、所定形状に加工してゲート電極を形成する（図１９の（ａ）。
【０１３９】
（３）その後、上記ゲート電極の表面および側壁とMOS型トランジスタのソースおよびドレイン部表面とを覆うようにシリコン窒化膜151を形成する。
【０１４０】
（４）こうして準備した半導体基板の情報処理部147をマスクで覆う。
【０１４１】
（５）次いで、シリコン窒化膜151をエッチングして、情報記憶部146のゲート電極側壁に上記シリコン窒化膜151が残るようにする（図１９の（b））。
【０１４２】
以下の工程は３つの方法が考えられる。
【０１４３】
（６）第１は、上述の（５）状態で、熱酸化熱酸化する方法である(図１９の（c） )。
【０１４４】
（７）第２は、情報記憶部のゲート電極側壁の上記シリコン窒化膜151をマスクとして上記ゲート酸化膜148をエッチングした後熱酸化する方法(図１９の（d)）。
【０１４５】
（８）第３は、情報記憶部146のゲート電極側壁の上記シリコン窒化膜151をマスクとして上記ゲート酸化膜148および半導体基板152をエッチングした後、熱酸化する方法(図１９の（e)）である。
【０１４６】
この工程の後、ソースおよびドレインとなる拡散層などを形成してトランジスタを作製する。この方法では、熱酸化する前の方式によってチャネル方向の膜厚分布を制御することができる。
【０１４７】
本願発明の製造方法によれば、膜厚の異なるゲート酸化膜を良質に得ることが出来る。
【０１４８】
これまでに、情報記憶部と情報処理部とで膜厚が異なるゲート酸化膜は、例えば、従来のフラッシュメモリで用いた例がある。しかし、情報処理部ではゲート酸化膜の形成前に、浮遊ゲート電極用シリコン膜の加工損傷および情報処理部の層間絶縁膜の除去損傷の影響を受けることとなる。この結果、良質のゲート酸化膜を形成できない。通常、シリコン膜の加工や層間絶縁膜の除去にはドライエッチングが用いられるため、半導体表面にドライエッチング損傷が生じる。この損傷を受けた部分を熱酸化により酸化膜を形成するため、酸化膜質がその損傷の影響を受けて劣化してしまう。本願発明はこうした問題を有しない。
【０１４９】
【発明の実施の形態】
実施例１
図２０は第１の実施例の各製造工程を示した半導体装置の断面図である。情報記憶部を155および情報処理部を156として各々模式的に示した。
【０１５０】
シリコン基板153として、p型、１０Ω-cmの（１００）面方位のものを準備する。まず、素子分離領域となる部分に深さが0.4μmの溝を形成し、ついで、周知の方法によって、溝にシリコン酸化膜154を埋込んだ。
【０１５１】
つぎに、情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157に、ボロンを以下の条件でイオン打込みを実施した。ボロン打込み条件は、（１）360keVで2xe13/cm2、（２）200keVで8xe12/cm2、および、（３）50keVで2xe12/cm2の３種類である。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に、リン打込みを実施した。その条件は（１）500keVで1xe13/cm2、（２）240keVで5xe12/cm2、および、（３）100keVで2xe12/cm2の３種類である（図２０（ａ））。これらの不純物は図示していない。 その後、1000℃で20分の熱処理を実施した。
【０１５２】
尚、これら３種類のイオン打ち込みは、通例の半導体装置の製造で行われている次の目的の為である。（１）基板抵抗を下げる。（２）半導体基板にウエルを形成する。（３）寄生MOS防止の為のチャネルスットパを形成する。
【０１５３】
つぎに、周知の熱酸化法により、膜厚が5nmのシリコン酸化膜159を形成した。更に、その酸化膜159上に膜厚が150nmのシリコン膜160を堆積した。ここで、シリコン膜160中には、2xe20/cm3のリンが導入されている。
【０１５４】
ホトレジスト膜を情報処理部156にのみ膜厚が1μmの厚さに形成した。ここで、酸素イオンを20keVで2xe16/cm2打込み、上記ホトレジスト膜のマスクを除去した。なお、上記酸素は、情報記憶部155のシリコン膜中にのみ打込まれている。
【０１５５】
その後、１％の酸素を含んだ窒素雰囲気中で1000℃、20分の熱処理を行なって、情報記憶部155のシリコン膜160下のシリコン酸化膜161を7nm程度まで厚くした。この厚いシリコン酸化膜を情報記憶部のゲート絶縁膜に用いるのである。なお、情報記憶部155のシリコン膜160表面にも5nm程度のシリコン酸化膜162が形成された(図２０の（b）)。
【０１５６】
つぎに、情報処理部156のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のためにボロンを25keV、2e12/cm2でイオン打込みを行う。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタ158のしきい値電圧制御のためにリンを50keVで2e12/cm2イオン打込みをした。また、情報記憶部155のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のためにボロンを25keV、3e12/cm2でイオン打込みした。
【０１５７】
これらのイオン打ち込みは通例のものである。
【０１５８】
なお、本発明を実施しない従来構造の場合には、情報記憶部155のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のために、ここでボロンを25keV、4.5e12/cm2でイオン打込みする必要があった。
【０１５９】
つぎに、シリコン膜160表面上のシリコン酸化膜162を除去する。そして、膜厚が50nmのタングステンシリサイド膜163および膜厚が150nmのシリコン酸化膜164を順次堆積した。そして、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜164、上記タングステンシリサイド膜163および上記シリコン膜160を所定形状に加工した。
【０１６０】
その後、情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分にリンを25keV、5e13/cm2で打込みを行う。また、情報処理部のn型MOSトランジスタを形成する部分157に二フッ化ボロンを25keV、2e13/cm2でイオン打込みをした。そして、ゲート電極の側壁に膜厚が50nmのシリコン窒化膜165でサイドスペーサを形成する。
【０１６１】
さらに、情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157にヒ素を25keV、1e15/cm2でイオン打込みを行う。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に二フッ化ボロンを25keV、1e15/cm2でイオン打込みした。つぎに、窒素雰囲気中で950℃、30秒の熱処理を行なった(図２０の（c）)。
【０１６２】
層間絶縁膜として膜厚が500nmのリンを含むガラス膜166を堆積する。情報記憶部155のコンタクトの穴と情報処理部156のコンタクト穴を上記リンガラス膜166に開孔する。そして、この開孔部に膜厚が500nmの窒化チタン膜167を接続用導伝体として埋込んだ。
【０１６３】
つぎに、層間絶縁膜として膜厚が100nmのリンを含むガラス膜168を堆積する。情報記憶部のビット線用コンタクトの穴と情報処理部のコンタクト穴を上記リンガラス膜に開孔する。更に、膜厚が50nmのタングステン膜169を導伝体として堆積し、所定形状に加工した。
【０１６４】
こうして準備した半導体基体に、膜厚が300nmのリンを含むガラス膜170を堆積し、上記リンガラス膜に情報記憶部155のキャパシタ電極形成用のコンタクトの穴を開孔する。キャパシタの蓄積電極となる膜厚が100nmのタングステン膜171を堆積し、所定形状に加工した。
【０１６５】
その後、シリコン酸化膜厚換算で2.5nmの五酸化タンタル膜172をキャパシタ絶縁膜として形成しする。更にもう一方のキャパシタ電極である膜厚が100nmの窒化チタン膜173を堆積し、所定形状に加工した(図２０（d）)。
【０１６６】
この状態以降は、従来方法と同じ配線作製の工程を用いる。こうして本願発明のDRAMセルを情報記憶部とし、その他に情報処理部をも有した半導体集積回路装置が実現される。
【０１６７】
本実施例によれば、溝型素子分離を用い、且つ情報記憶部のトランジスタのゲート酸化膜を厚くできるので、必要なしきい値電圧を得るのに基板表面のp型不純物濃度をより低くすることができる。その結果、キャパシタに正電荷が蓄えられた状態で情報を保持する場合、蓄積電極に接するn型層とn型基板で構成されるp-n接合の空乏層中の電界強度を低減できる。そして、この電界に起因した接合リーク電流を低減することが出来る。この結果、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を、従来のおおよそ0.05秒から0.1秒に長くすることができた。
【０１６８】
実施例２
図２１は、第２の実施例を示した装置を工程順に示した断面図である。図２１の例では情報記憶部を155と情報処理部を156と模式的に示している。
【０１６９】
シリコン基板173は、n型、１０Ω-cmの（１００）面方位のものを準備する。まず、素子分離領域となる部分に深さが0.4μmの溝を形成し、この溝にシリコン酸化膜154を周知の方法で埋込んだ。
【０１７０】
つぎに、熱酸化法により情報記憶部155のn型MOSトランジスタで必要な膜厚が12nmのシリコン酸化膜174を形成し、更にこの上部に膜厚が20nmのシリコン膜175を堆積した。
【０１７１】
情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157に、ボロンを以下の条件でイオン打込みを実施する。ボロン打込み条件は、（１）200keVで8e12/cm2、（２）50keVで2e12/cm2、および、（３）25keVで2e12/cm2である。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に、（１）500keVで1e13/cm2、（２）240keVで5e12/cm2、（３）100keVで2e12/cm2、および、（４）25keVで2e12/cm2のリン打込みを実施した。その後、1000℃で10分の熱処理を実施した（図２１（ａ））。 尚、各不純物は図示していない。また、イオン打ち込みの意味も実施例１において述べたものである。
【０１７２】
そして、シリコン膜175およびシリコン酸化膜174を情報記憶部155の領域が残るように加工した。情報処理部156のMOSトランジスタで必要なシリコン酸化膜176を厚さ5nmに熱酸化法により形成した。この時、情報記憶部のシリコン膜177表面にはおおよそ10nmのシリコン酸化膜が形成される（図２１（ｂ））。
【０１７３】
本実施例では、情報記憶部でのゲート絶縁膜１７４の厚さは１２ｎｍ、一方、情報処理部でのゲート絶縁膜の厚さは５ｎｍである。このように、情報記憶部でのゲート絶縁膜１７４の厚さが、情報処理部でのゲート絶縁膜の厚さより厚くなっている。
【０１７４】
つぎに、膜厚が10nmのシリコン膜178を堆積する。情報処理部156でのみ上記シリコン膜178表面上に膜厚が2μmのホトレジスト膜を形成する。こうして準備した基体に400keV、2e13/cm2でボロン打込みをしてp型高濃度埋込み層を形成した。このp型高濃度埋込み層によって、ホットキャリヤ耐性を向上できる。なお、ここで、25keVで1e12/cm2のボロン打込みを実施して情報処理部156のトランジスタのしきい値電圧を設定できる。
【０１７５】
上記ホトレジスト膜をマスクとして上記シリコン膜178をエッチングし、さらに、情報記憶部155のシリコン膜175表面に形成されたシリコン酸化膜177を除去した(図２１の（ｃ）)。
【０１７６】
その後、上記ホトレジスト膜を除去して、膜厚が140nmのシリコン膜179および膜厚が50nmのタングステンシリサイド膜180および膜厚が150nmのシリコン酸化膜181を堆積した。そして、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜、上記タングステンシリサイド膜および上記シリコン膜を所定形状に加工した(図２１(d))。その後の工程は、第１の実施例と同じである。
【０１７７】
本実施例によれば、情報記憶部のトランジスタに必要なしきい値電圧を確保して従来に比べて基板表面濃度を半分以下にできる。従って、キャパシタに正電荷が蓄えられた状態で情報を保持する場合、蓄積電極に接するn型層とn型基板で構成されるp-n接合の空乏層中の電界強度を低減できる。そして、この電界に起因した接合リーク電流を低減することが出来る。結果として、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を、おおよそ従来の0.05秒から0.3秒に長くすることができた。
【０１７８】
また、基板濃度制御用のイオン打込みや熱処理前にゲート酸化膜を形成できる。この為、ゲート酸化膜の耐圧劣化を防止でき、また、その信頼性を向上できる。なお、ゲート電極となるシリコン膜のパターニング前に基板濃度制御用のイオン打込みが実施できるので、打込み時のチャージアップの問題がない。
【０１７９】
実施例３
図２２は、第３の実施例を示した装置の断面図である。本例では情報記憶部を155と情報処理部を156と模式的に示している。本例はゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有する例である。
【０１８０】
シリコン基板182は、p型、１０Ω-cmの（１００）面方位のものを準備する。ゲート酸化膜183およびシリコン膜184を堆積するまでの工程は、第１の実施例と同じである。
【０１８１】
本実施例では情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタ157のしきい値電圧制御のためにボロンを25keV、2e12/cm2でイオン打込みを行う。
【０１８２】
また、情報処理部156のp型MOSトランジスタ158のしきい値電圧制御のためにリンを50keV、2e12/cm2でイオン打込みした。ここで、シリコン膜184表面上には第１の実施例で用いたタングステンシリサイド膜185を堆積した。つぎに、膜厚が100nmのシリコン窒化膜186を堆積した。そして、情報記憶部155以外のシリコン窒化膜186を部分的に除去して後、基体全体に150nmのシリコン酸化膜187を堆積した（図２２（ａ））。
【０１８３】
つぎに、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜187、上記シリコン窒化膜186、上記タングステンシリサイド膜185および上記シリコン膜184の積層体を所定形状に加工した（図２２（ｂ））。
【０１８４】
その後、酸素雰囲気中で1000℃、１０分の熱処理を行なった。この熱処理により、情報記憶部155における上記シリコン膜184下のシリコン酸化膜183は、ゲート電極端部で厚く、ゲート電極中心部で薄い構造となった。すなわち、チャネル方向に膜厚分布を有したシリコン酸化膜となった。
【０１８５】
この後、情報記憶部155と情報処理部156の両領域のn型MOSトランジスタを形成する部分157にリンを25keV、5e13/cm2で打込みを行った。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に二フッ化ボロンを25keV、2e13/cm2で打込みを行った。そして、ゲート電極の側壁に膜厚が50nmのシリコン窒化膜188でサイドスペーサを形成した(図２２（c）)。ここで、チャネル方向の膜厚分布は、上記リン打込み層以外の部分で5nm乃至6nmの膜厚分布を有している。
【０１８６】
この後の工程は、第１の実施例で示した工程と同じである。
【０１８７】
本実施例によれば、キャパシタに正電荷が蓄えられた状態で情報を保持する場合、蓄積電極に接するn型層とn型基板で構成されるp-n接合のリーク電流（サブスレッシュホールド電流）を低減できるため、必要とされるしきい値電圧を得るための基板濃度を低減できた。その結果、上記接合の空乏層中の電界強度を低減できる。そして、電界に起因した接合リーク電流を低減することによって、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間をおおよそ従来の0.05秒から0.1秒に長くすることができた。
【０１８８】
また、耐圧不良が多くなる薄いゲート酸化膜部分が少なくなるため、耐圧不良の発生頻度を低減できた。
【０１８９】
実施例４
図２３は第４の実施例の半導体装置を示した断面図である。図２３では情報記憶部を１５５、情報処理部を１５６と模式的に示している。本例はゲート絶縁膜の厚さがチャネル方向に厚さ分布を有する別な実施例である。
【０１９０】
シリコン基板182およびゲート電極となるタングステンシリサイド膜185堆積までの工程は、第３の実施例と同じである。
【０１９１】
なお、情報記憶部155のトランジスタのしきい値電圧制御用の最も打込みエネルギーの低いボロン打込みでの打込み量は、下記のゲート絶縁膜の形成に関する方式を方式１〜３と変えて実施した。具体的には、方式１では3xe12/cm2、方式２では2xe12/cm2、そして方式３では1xe12/cm2とした。尚、これらの各方式についての詳細は後述する。
【０１９２】
上記シリサイド膜185上に膜厚が150nmのシリコン酸化膜189を堆積した。そして、ゲート電極形成のために、上記シリコン酸化膜189、上記タングステンシリサイド膜185および上記シリコン膜184の積層体を所定形状に加工した(図２３（a)）。
【０１９３】
つぎに、膜厚が10nmのシリコン窒化膜190を堆積する。情報処理部156のみのエッチングマスクを形成してシリコン窒化膜190を異方性ドライエッチングにより加工した。こうして、情報記憶部155のゲート電極の側壁にはシリコン窒化膜190が残存し、いわゆるサイドスペーサが形成される。
【０１９４】
更に、ゲート絶縁膜の形成方法として、上述した次の３つの方式によって下記方法を採用した。
【０１９５】
（１）方式１：方式１は、この状態で900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理を行なう。
【０１９６】
（２）方式２：方式２は、情報記憶部155の上記ゲート酸化膜183をエッチングしたのちに900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理を行なう。
【０１９７】
（３）方式３：方式３はさらにシリコン基板182を20nmエッチングしたのちに900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理を行なう。
【０１９８】
各方式を採用した場合の半導体装置の断面構造は、図２３（ｃ）―図２３（ｅ）に各々対応している。
【０１９９】
なお、900℃、１０分の酸素雰囲気中熱処理では、シリコン基板182表面におおよそ50nmのシリコン酸化膜が形成される。その後、情報記憶部155と情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157にリンを25keV、5e13/cm2で打込んだ。 また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成する部分158に二フッ化ボロンを25keVで2e13/cm2打込みした。
【０２００】
ここで、上記リン打込み層以外の部分において、チャネル方向のゲート酸化膜183の膜厚分布は次の通りである。方式１(図２３（c）)では5nm乃至6nmの膜厚分布を、方式２(図２３（d）)では5nm乃至7nmの膜厚分布を、そして、方式３(図２３（e）)では5nm乃至9nmの膜厚分布を有している。
【０２０１】
次いで、ゲート電極の側壁に膜厚が50nmのシリコン窒化膜191でサイドスペーサを形成する。さらに、情報処理部156のn型MOSトランジスタを形成する部分157にヒ素を25keV、1e15/cm2で打込みを行う。また、情報処理部156のp型MOSトランジスタを形成158する部分に二フッ化ボロンを25keVで1e15/cm2打込みした。
【０２０２】
この後の工程は、第１の実施例で示した工程と同じである。
【０２０３】
上記方式１乃至方式３の本実施例によれば、それぞれのチャネル方向のゲート酸化膜の膜厚分布によって、必要とされるトランジスタのしきい値電圧を維持しながら基板濃度を低減することが可能である。その結果、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を、おおよそ従来の0.05秒から長くすることが出来た。前記情報保持時間は、方式１では0.1秒、方式２では0.2秒、また方式３では0.4秒であった。
【０２０４】
また、本実施例によれば、耐圧不良が多くなる薄いゲート酸化膜部分を少なくできる方で耐圧不良の発生頻度を低減できた。
【０２０５】
＜実施例の特性のまとめ＞
情報記憶部のトランジスタのゲート酸化膜の構造として本発明を採用した場合の結果をまとめて、図２４および図２５に示す。図２４は情報保持特性を示す。横軸はDRAMのリフレッシュ時間、縦軸は横軸に対応した累積度数を標準偏差で示したものである。また、図２５はゲート酸化膜耐圧不良発生密度を示したものである。横軸はゲート絶縁膜の最小部分の膜厚、縦軸は耐圧不良発生密度を示す。図において「均一SiO2膜」と示したものは、ゲート絶縁膜が実質的に膜厚分布を有さないと見なされるものの結果、「バーズビークSiO2膜」と示したものは、ゲート絶縁膜がチャネル方向に膜厚分布を有するものの結果である。
【０２０６】
図２４から、情報記憶部のトランジスタのゲート酸化膜を厚くすること、チャネル方向に膜厚分布を持たせることによって、情報保持時間が長くなることが理解される。ゲート酸化膜を厚くすることは基板濃度低減を可能とし、情報保持時間を長くすることにより有用である。
【０２０７】
また、図２５から、チャネル方向に均一なゲート酸化膜の場合に比べて、チャネル方向の膜厚分布が大きい場合ほどゲート酸化膜耐圧不良発生密度が小さくなることが理解される。
【０２０８】
実施例５
図２６は、第５の実施例を示した半導体装置の断面図である。図２６では情報記憶部を１５５、情報処理部を１５６と模式的に示している。
【０２０９】
シリコン基板および工程は基本的に第３の実施例と同じであるが、イオン打ち込みの条件を下記の３つを選択した。
【０２１０】
（１）方式４：方式４は、情報記憶部155においてサイドスペーサ形成前のリン打込み量を減らした場合である。この状態を図２６の(a)に示す。
【０２１１】
（２）方式５：方式５は、次の２つの手段を用いている。第１に情報記憶部155のトランジスタのしきい値電圧制御用にさらに浅いボロン打込みを加えたことである。加えて、第2に情報記憶部155においてサイドスペーサ形成後のヒ素打込みに引き続き、低濃度のリン打込みの加えた。この状態を図２６の(ｂ)に示す。
【０２１２】
（３）方式６：方式６は、前述の方式４と方式５とを組み合わせた場合である。
尚、これらの方式においては、これまでの実施例のイオン打ち込み方法とは若干の条件変更を行なった。具体的には、方式４では上記リン打込み量を実施例３の半分とし、方式５では25keVで5e11/cm2の二フッ化ボロン打込みおよび150keVで3e12/cm2のリン打込みを加えた。
【０２１３】
上記方式4-方式6の例によれば、トランジスタのしきい値電圧を維持しながらゲート電極と高濃度層の間の低濃度層の電界を低減できた。また、高濃度拡散層と基板とで構成されるp-n接合の空乏層中の電界強度を低減できた。その結果、全ビット中の最も情報保持時間の短いビットの情報保持時間を従来のおおよそ0.05秒から長くすることが出来た。前述の情報保持時間は、方式４では0.5秒、方式５では0.5秒、方式６では0.6秒であった。
【０２１４】
実施例６
図２７は第6の実施例を説明する装置の断面図である。本実施例は情報処理部のMOS型トランジスタのゲート電極を多層構造とした例である。このゲート電極の例は、ゲート絶縁膜上にｎ型不純物をドープもしくはノン・ドープの多結晶シリコン層、この上部にｐ型不純物をドープした多結晶シリコン層の積層を少なくとも有するするものである。
【０２１５】
図２７はDRAMセルを情報記憶部とし,その他に情報処理部を有した半導体集積回路の主要部を模式的に示したものである。図では溝型素子分離を用いた半導体装置が示されているが、本ゲート電極の実施においては、素子の分離は選択酸化膜（通例、LOCOSと称されている）によっても良い。
【０２１６】
素子分離が施された情報記憶部７６のMOS型トランジスタのゲート酸化膜７７を形成した後、リンが1016/cm3程度混入したn型多結晶Si層７８を膜厚10nmに形成する。次いでn型多結晶Si層７８の表面をアンモニア中で処理（700℃、10秒）して表面近傍に窒素を混入する。こうした処理を施したn型多結晶Si層７８上にボロンが1020/cm3程度混入したp型多結晶Si層７９を200nm堆積した。
【０２１７】
その後、上記実施例と同様に、積層した多結晶Si層を含めて所定形状に加工してゲート電極を形成した。
【０２１８】
尚、この実施例では情報記憶部以外のMOS型トランジスタのゲート電極部は通例の構造を有する。即ち、ゲート酸化膜７７を形成した後、ボロンが1020/cm3程度混入したp型多結晶Si層７９を200nm堆積した。
【０２１９】
情報記憶部に上記ゲート電極構造を適用することによって、次の３つの改善を施すことが出来た。
【０２２０】
（１）トランジスタがOFF時の等価的なゲート酸化膜厚を3nm程度増加させることができた。
【０２２１】
（２）基板濃度を約半分にすることが出来た。
【０２２２】
（３）接合電界を30％低減することが出来た。
【０２２３】
そして、結果として、同じゲート酸化膜厚の場合より、リフレッシュ時間を３倍にすることができた。
【０２２４】
また、ゲート酸化膜を形成した後、不純物を含まない多結晶Si層７８を10nm堆積し、上記と同様のp型多結晶Si層７９を200nm堆積した場合においても、上記と同様の効果を得ることができた。
【０２２５】
さらに、次の構造も取りうる。即ち、（１）上記10nmの多結晶Si層７８上に膜厚が200nmのタングステン膜７９を形成した場合、および、（２）膜厚が200nmのチタンシリサイド膜を形成した場合である。この場合、本実施例における上述の構造の場合と同じ接合電界を実現できる。一方、この場合、多少接合リーク電流が増加し、リフレッシュ時間は２倍程度であった。勿論、リフレッシュ時間は従来より長くできる利点を有することは変わりない。
【０２２６】
実施例７
図２８は第7の実施例を示す半導体装置の主要部を示した断面図である。本例は、作成する半導体集積回路装置の要請に応じて、ゲート絶縁膜の厚さおよびゲート電極の導伝型を種々選択する例を示すものである。具体的には、本例は半導体集積回路における情報記憶部、情報処理部、あるいは高電圧発生回路や情報の入出力回路にこれら各種MOSトランジスタの形態を使い分けるものである。
【０２２７】
半導体基板にｎ型ウエル８４、８６およびｐ型ウエル８５、８７が形成された状態として示している。
【０２２８】
ｎ型ウエル８４の表面にｐチャネルのMOSトランジスタを表面チャネル型として形成し、これを情報記憶部のMOSトランジスタとして用いる。この場合、厚いゲート絶縁膜８０を用いる。
【０２２９】
他方、ｐ型ウエル８５の表面にｎチャネルのMOSトランジスタを埋め込みチャネル型として形成し、これを高電圧発生回路や情報の入出力回路として用いる。この場合、高耐圧用として厚いゲート絶縁膜８０を用いる。
【０２３０】
また、ｎ型ウエル、ｐ型ウエルの各々に薄いゲート絶縁膜８０が形成されている。これらは、情報処理部のMOSトランジスタとして用いる。
【０２３１】
以下、ゲート電極部の形成に関する工程について説明する。その他の工程は通例の方法を用いれば良い。先ず、所定の準備がなされた半導体基板に厚いゲート絶縁膜を必要とする領域には、膜厚が10nmのゲート酸化膜８０を形成する。そして、この上に実施例６において述べたものと同様のp型不純物を導入した多結晶シリコン層８１を形成する。
【０２３２】
一方、薄いゲート絶縁膜を必要とする領域には、半導体基板上の所定領域に膜厚が5nmのゲート酸化膜８２を形成する。そして、この上にリンが1020/cm3程度導入された多結晶シリコン層８３を200nm堆積する。
【０２３３】
こうして、膜厚が10nmのゲート酸化膜を有するn型ウエル層８４表面には、pチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型として情報記憶部のトランジスタに用いる。他方、膜厚が10nmのゲート酸化膜を有するp型ウエル層８５表面には、nチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型とし高電圧発生回路および情報の入出力回路のトランジスタとして用いる。
【０２３４】
また、膜厚が5nmのゲート酸化膜を有するn型ウエル層８６表面には、pチャネルMOSトランジスタの動作を埋込みチャネル型としたトランジスタとして用いる。他方、膜厚が5nmのゲート酸化膜を有するp型ウエル層８７表面には、nチャネルMOSトランジスタの動作を表面チャネル型のトランジスタとして情報処理部に用いた。
【０２３５】
その結果、アクセス時間を従来の半分にでき、また、リフレッシュ時間を５倍にすることができた。なお、本実施例は一例であり、前述のように、ゲート酸化膜厚およびゲート電極の導電型の組み合わせは、それぞれの要求により、様々な半導体素子に実施できる。
【０２３６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【０２３７】
本願の第１の発明によれば、 DRAMセルを情報記憶部と情報処理部とを有した半導体集積回路装置を、より高集積度を実現することが出来ると共に、情報記憶部における信頼性を確保でき、情報処理部における高速性をも確保出来る。
【０２３８】
また、MOS型トランジスタのチャネル方向に膜厚分布を持つゲート酸化膜にすることで、ゲート耐圧不良の発生頻度を低減できた。
【０２３９】
本願の第２―第４の発明によれば、 DRAMセルを情報記憶部と情報処理部とを有した半導体集積回路装置を、より高集積度を実現することが出来ると共に、そのリフレッシュ特性を向上出来る。
【０２４０】
本願の第５の発明によれば、MOS型トランジスタのしきい値電圧を高くしながら、接合リーク電流とサブスレショルド電流を低減出来る。
【０２４１】
本願の第６の発明によれば、 MOS型トランジスタのしきい値電圧を高く保ちながら、接合電界を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は厚いゲート絶縁膜の役割の一つを説明するゲート電極部の断面図である。
【図２】図２は選択酸化膜を用いた場合の不純物濃度分布を説明する図である。
【図３】図３は選択酸化膜を用いた場合の不純物濃度分布を説明する図である。
【図４】図４は情報記憶部と情報処理部でのMOS型トランジスタの主要部断面図である。
【図５】図５は各種MOS型トランジスタのサブスレッシュ特性を比較した図である。
【図６】図６はイオン打込みの際のゲート電極端部での酸素のノックオン状態を説明する断面図である。
【図７】図７はゲート電極端部での空乏層と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図８】図８はゲート電極端部での空乏層と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図９】図９はゲート電極端部での電界分布と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図１０】図１０は素子分離端での電界分布と酸素析出物の関係を示す断面図である。
【図１１】図１１は情報記憶部と情報処理部でのMOS型トランジスタの主要部断面図である。
【図１２】図１２は改良されたゲート絶縁膜を有するMOS型トランジスタを有する情報記憶部と通例のゲート絶縁膜を有するMOS型トランジスタを有する情報処理部との主要部断面図である。
【図１３】図１３はゲート絶縁膜端と高濃度不純物領域との距離とゲート電極端の電界強度の関係を示す図である。
【図１４】図１４はゲート電極／酸化膜／半導体基板の系でのバンド構造を示す図である。
【図１５】図１５は本願発明に係わる各種トランジスタの配置を例示する平面図である。
【図１６】図１６は本発明の厚いゲート酸化膜形成方法を工程順に示す断面図である。
【図１７】図１７は本発明の厚いゲート酸化膜の別な形成方法を示す断面図である。
【図１８】図１８は本発明の膜厚分布を持つゲート酸化膜の形成方法を示す断面図である。
【図１９】図１９は本発明の膜厚分布を持つゲート酸化膜の別な形成方法を工程順示す断面図である。
【図２０】図２０は第１の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２１】図２１は第２の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２２】図２２は第３の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２３】図２３は第４の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２４】図２４は第１乃至第４の実施例に示した各種半導体装置の情報保持特性を示す図である。
【図２５】図２５はゲート絶縁膜に膜厚分布を持つ場合のゲート絶縁膜の膜厚とゲート耐圧不良発生密度の関係を示す図である。
【図２６】図２６は第５の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２７】図２７は第６の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【図２８】図２８は第７の実施例に示す半導体装置を説明する為の主要部の断面図である。
【符号の説明】
1…不純物イオン、２、９、２８、３７、４３、５４、５７、６０、６９…ゲート電極、３、３４、３８、４５、４７、４８、５５、６３、７０…ゲート酸化膜、４…ノックオン酸素、５、６４、７１…半導体基板、６、１２、２５、２７、４４、５１、５３、５９、６２、６５、６８…拡散層、７、１０、１３、２４…空乏化領域（空乏層）、８、１１、２０、２３…酸素析出物、１４、１５、１６、１７、１８…等電界線、１９、２６…選択酸化膜、２９、３６…冶金的接合位置、３０、３１、３２…等不純物濃度線、３３…強電界部分、３５、４９…溝型素子分離、３９、４１、４６…ゲート端部、５６、５８、６１…サイドスペーサ、６６…基板の高濃度層、６７…基板の低濃度層、７４…第１の厚さのゲート酸化膜上に第１の導電型不純物を含む多結晶Si膜を有する領域、７５…第２の厚さのゲート酸化膜上に第２の導電型不純物を含む多結晶Si膜を有する領域
42、50、120、128、140、146、155…情報記憶部、40、52、121、131、141、147、156…情報処理部、123、126、129、132、142、145、148、161、174、183…ゲート酸化膜、119、137、139…n型拡散層、21、171…蓄積電極、122、152、153、173、182…半導体基板、124、130、134、135、143、149、160、175、178、184…シリコン膜、125…マスク、22、127、133、136、150、162、164、177、181、187、189…シリコン酸化膜、138、165、166、168、170、188…絶縁膜、144、151、186、190、191…シリコン窒化膜、163、180、185…タングステンシリサイド膜、167、173…窒化チタン膜、169、171…タングステン膜、172…酸化タンタル膜。
Claims (11)
- ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルは溝型分離された第１の絶縁ゲート型トランジスタを有し、前記溝型分離の分離溝の上面は前記第１の絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域より低く形成されており、前記溝型分離された第１の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜は前記チャネル領域においてチャネル方向に沿ってその中央部よりその両端部が厚い膜厚を有し、前記情報処理部が有する第２の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜はチャネル領域においてチャネル方向に沿ってその中央部よりその両端部が厚い膜厚を有し、且つ溝型分離された前記第１の絶縁ゲート型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有する第２のゲート絶縁型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
- ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルを有する情報記憶部と、情報処理部とを少なくとも有し、少なくとも前記ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルは溝型分離された第１の絶縁ゲート型トランジスタを有し、前記溝型分離の分離溝の上面は前記第１の絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域より低く形成されており、前記溝型分離された第１の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜は前記チャネル領域においてチャネル方向に沿ってその中央部よりその両端部が厚い膜厚を有し、前記情報処理部が有する第２の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜はチャネル領域においてチャネル方向に沿って均一な膜厚を有し、前記溝型分離された第１の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜の中央部の膜厚が前記情報処理部が有する第２の絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜の中央部の膜厚と等しく、且つ溝型分離された前記第１の絶縁ゲート型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚が、前記情報処理部が有する第２のゲート絶縁型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分に対応するゲート絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
- ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルを有する情報記憶部が有する前記第１の絶縁ゲート型トランジスタの前記溝型分離領域の絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との境界を形成する絶縁膜の厚さが、情報処理部が有する前記第２の絶縁ゲート型トランジスタの前記溝型分離領域の絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との境界を形成する絶縁膜の厚さより大きいことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記情報記憶部が有する前記第１の絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域においては前記チャネルの深さ方向に、基板表面から第１の深さまでは第１の濃度で、前記第１の深さから第２の深さまでは前記第１の濃度より低い第２の濃度で、前記第２の深さから第３の深さまでは前記第２の濃度より高い第３の濃度の濃度分布を有し、前記情報処理部が有する前記第２の縁ゲート型トランジスタのチャネル領域においてはチャンルの深さ方向に濃度分布を有しないことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記溝型分離された第１の絶縁ゲート型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散層のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔が、情報処理部が有する第２の絶縁ゲート型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のチャネル側の高濃度不純物領域とゲート電極との間隔より大きいことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記溝型分離された前記第１の絶縁ゲート型トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物拡散領域のゲート電極との境界部分での不純物拡散領域の濃度が、前記情報処理部が有する第２の絶縁ゲート型トランジスタの上記境界部分での不純物拡散領域の濃度より低いことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記溝型分離された情報記憶部の第１の絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極は多層構造を有し、ゲート酸化膜の直上をn型不純物を導入した多結晶シリコン層または不純物導入の無い多結晶シリコン層、この上部の層をp型不純物を導入した多結晶シリコン層としたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記溝型分離された情報記憶部の絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極を多層構造とし、下部の２層において上部をp型不純物を導入した多結晶シリコン層とし、ゲート酸化膜直上をn型不純物を導入した多結晶シリコン層または不純物導入の無い多結晶シリコン層とし、p型不純物を導入した多結晶シリコン層とゲート酸化膜直上n型不純物を導入した多結晶シリコン層との界面に窒素を含有することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 基板表面に溝型分離の分離溝を形成する工程、基板上の第１の領域および第２の領域上に所定膜厚のゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜上にゲート電極および前記ゲート電極上部に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜およびゲート電極を所望形状に形成する工程、上記第１および第２の領域上に形成されたゲート電極の表面および側壁と絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程、上記第２の領域上のゲート電極の表面および側壁と絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面のシリコン窒化膜を覆うようにマスクする工程、上記第１の領域のゲート電極上および絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面のシリコン窒化膜を除去し、少なくとも上記第１の領域のゲート電極側壁に上記シリコン窒化膜を残す工程、少なくとも前記第２の領域のゲート電極側壁および絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面に上記シリコン窒化膜を残した状態で熱酸化し、前記第１の領域のゲート酸化膜の前記絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に近接する膜厚をゲート電極中央部の膜厚より厚くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板表面に溝型分離の分離溝を形成する工程、基板上の第１の領域および第２の領域上に所定膜厚のゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜上にゲート電極および前記ゲート電極上部に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜およびゲート電極を所望形状に形成する工程、上記第１および第２の領域上に形成されたゲート電極の表面および側壁と絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程、上記第２の領域上のゲート電極の表面および側壁と絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面のシリコン窒化膜を覆うようにマスクする工程、上記第１の領域のゲート電極上および絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面のシリコン窒化膜を除去し、少なくとも上記第１の領域のゲート電極側壁に上記シリコン窒化膜を残す工程、少なくとも前記第２の領域のゲート電極側壁および絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面に上記シリコン窒化膜を残した状態で前記第１の領域のゲート酸化膜をエッチングした後熱酸化し、前記第１の領域のゲート酸化膜の前記絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に近接する膜厚をゲート電極中央部の膜厚より厚くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板表面に溝型分離の分離溝を形成する工程、基板上の第１の領域および第２の領域上に所定膜厚のゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜上にゲート電極および前記ゲート電極上部に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜およびゲート電極を所望形状に形成する工程、上記第１および第２の領域上に形成されたゲート電極の表面および側壁と絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程、上記第２の領域上のゲート電極の表面および側壁と絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面のシリコン窒化膜を覆うようにマスクする工程、上記第１の領域のゲート電極上および絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面のシリコン窒化膜を除去し、少なくとも上記第１の領域のゲート電極側壁に上記シリコン窒化膜を残す工程、少なくとも前記第２の領域のゲート電極側壁および絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に対応する基体表面に上記シリコン窒化膜を残した状態で前記第１の領域のゲート酸化膜および半導体基板をエッチングした後熱酸化し、前記第１の領域のゲート酸化膜の前記絶縁ゲート型トランジスタのソースおよびドレイン部に近接する膜厚をゲート電極中央部の膜厚より厚くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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