JPH0254413A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0254413A JPH0254413A JP20525888A JP20525888A JPH0254413A JP H0254413 A JPH0254413 A JP H0254413A JP 20525888 A JP20525888 A JP 20525888A JP 20525888 A JP20525888 A JP 20525888A JP H0254413 A JPH0254413 A JP H0254413A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＤＡＴ等に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、
詳しくは磁束感知型素子である磁気抵抗効果素子（以下
ＭＲ素子と称す）を使用した再生専用の薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
詳しくは磁束感知型素子である磁気抵抗効果素子（以下
ＭＲ素子と称す）を使用した再生専用の薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
例えば、外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が
変化するＭＲ素子を使用したシールド型薄膜磁気ヘッド
の従来構造例を第４図を参照しながら説明する。
変化するＭＲ素子を使用したシールド型薄膜磁気ヘッド
の従来構造例を第４図を参照しながら説明する。
同図に示す磁気ヘッド（１）において、（２）は？Ｉｎ
−Ｚｎフェライト等の強磁性体からなるヘッド基板で
、下部シールド層を構成し、以下、上記ヘッド基板を下
部シールド層と称する。尚、この下部シールド層（２）
には上記以外にも非磁性基板上にパーマロイ等の強磁性
体を蒸着或いはスパッタリングして被着形成したものが
ある。（３）は上記下部シールド層（２）の前方端部上
方に近接離隔配置したＮｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子、（
４）は下部シールド層（２）上、にＡｌ、 ＯａやＳｉ
ｎ、等の絶縁材料を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した絶縁層、（５）は上記絶縁層（４）上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した上部シールド層で、前記ＭＲ素子（３）は絶縁
層（４）を介して上下部シールド層（５）（２）間に電
気的に絶縁した状態で近接離隔配置される。（６）は上
記ＭＲ棄子（３）に積層されたＴ１等のシャントバイア
ス層で、バイアス電流によりＭＲ素子（３，）にバイア
ス磁界を印加する。尚、（７）は上記上部シールド層（
５）上に接着剤〔図示せず〕を介して貼着固定された結
晶化ガラス等の保護板である。
−Ｚｎフェライト等の強磁性体からなるヘッド基板で
、下部シールド層を構成し、以下、上記ヘッド基板を下
部シールド層と称する。尚、この下部シールド層（２）
には上記以外にも非磁性基板上にパーマロイ等の強磁性
体を蒸着或いはスパッタリングして被着形成したものが
ある。（３）は上記下部シールド層（２）の前方端部上
方に近接離隔配置したＮｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子、（
４）は下部シールド層（２）上、にＡｌ、 ＯａやＳｉ
ｎ、等の絶縁材料を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した絶縁層、（５）は上記絶縁層（４）上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した上部シールド層で、前記ＭＲ素子（３）は絶縁
層（４）を介して上下部シールド層（５）（２）間に電
気的に絶縁した状態で近接離隔配置される。（６）は上
記ＭＲ棄子（３）に積層されたＴ１等のシャントバイア
ス層で、バイアス電流によりＭＲ素子（３，）にバイア
ス磁界を印加する。尚、（７）は上記上部シールド層（
５）上に接着剤〔図示せず〕を介して貼着固定された結
晶化ガラス等の保護板である。
この磁気ヘッド（１）の再生は、以下のようにして行わ
れる。！ｐち、ＭＲ素子（３）にセンス電流を流してお
き、磁気ヘッド（１）の前面に沿って磁気テープ等の記
録媒体（８）を摺動させる。この時、シャントバイアス
層（６）には、予めバイアス電流を流して上記ＭＲ素子
（３）にバイアス磁界を印加しておく、そして、記録媒
体（８）に書込まれた情報である信号磁束が、ＭＲ素子
（３）を通ると、ＭＲ素子（３）の電気抵抗値が変化し
、その変化に比例してこのＭＲ素子（３）の両端電圧が
変化するのを読取り、記録媒体（８）の情報再生が行わ
れる。
れる。！ｐち、ＭＲ素子（３）にセンス電流を流してお
き、磁気ヘッド（１）の前面に沿って磁気テープ等の記
録媒体（８）を摺動させる。この時、シャントバイアス
層（６）には、予めバイアス電流を流して上記ＭＲ素子
（３）にバイアス磁界を印加しておく、そして、記録媒
体（８）に書込まれた情報である信号磁束が、ＭＲ素子
（３）を通ると、ＭＲ素子（３）の電気抵抗値が変化し
、その変化に比例してこのＭＲ素子（３）の両端電圧が
変化するのを読取り、記録媒体（８）の情報再生が行わ
れる。
上記磁気ヘッド（１）を製造するに際しては、まず第５
図に示すように、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の下部シー
ルド層（２）となるヘッド基板を用意してその上にＡ１
．Ｏ、やＳｉｎ、等を蒸着或いはスパッタリングして絶
縁層（４）を被着形成する０次に、上記下部シールド層
（２）の前方端部の絶縁層（４）上にＮｉ −Ｆｅ合金
等を蒸着或いはスパッタリングしてＭＲ素子（３）をＷ
ｌ膜形成し、更にその上にτ１等を蒸着或いはスパッタ
リングしてシャントバイアス層（６）を積層形成する。
図に示すように、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の下部シー
ルド層（２）となるヘッド基板を用意してその上にＡ１
．Ｏ、やＳｉｎ、等を蒸着或いはスパッタリングして絶
縁層（４）を被着形成する０次に、上記下部シールド層
（２）の前方端部の絶縁層（４）上にＮｉ −Ｆｅ合金
等を蒸着或いはスパッタリングしてＭＲ素子（３）をＷ
ｌ膜形成し、更にその上にτ１等を蒸着或いはスパッタ
リングしてシャントバイアス層（６）を積層形成する。
上記ＭＲ素子（３）は多トランク方式では、同図に示す
ように、複数個（図示例では２個）、形成しておく、そ
して、上記ＭＲＩＡ子（３）及びシャントバイアス層（
６）の両端から導出されるリード（９）（９）を絶縁層
（４）上に被着形成する０次に、第６図に示すように、
ＭＲ＠子（３）、シャントバイアス層（６）及びリード
（９）上にＡｌｔ、 Ｏｓや５１０２等を蒸着或いはス
パッタリングして絶縁層（４）を形成し、更にその上に
パーマロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングし
て上部シールド層（５）を被着形成する。その後、上部
シールド層（５）上に接着剤（ｖ！Ｊ示せず）で結晶化
ガラス等の保護板（７）を貼着固定して第４図に示す磁
気ヘッド（１）を得る。
ように、複数個（図示例では２個）、形成しておく、そ
して、上記ＭＲＩＡ子（３）及びシャントバイアス層（
６）の両端から導出されるリード（９）（９）を絶縁層
（４）上に被着形成する０次に、第６図に示すように、
ＭＲ＠子（３）、シャントバイアス層（６）及びリード
（９）上にＡｌｔ、 Ｏｓや５１０２等を蒸着或いはス
パッタリングして絶縁層（４）を形成し、更にその上に
パーマロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングし
て上部シールド層（５）を被着形成する。その後、上部
シールド層（５）上に接着剤（ｖ！Ｊ示せず）で結晶化
ガラス等の保護板（７）を貼着固定して第４図に示す磁
気ヘッド（１）を得る。
又、上記ＭＲ素子を使用したシールド型薄膜磁気ヘッド
としては、多トラツクヘッド方式で各ＭＲ棄子にバイア
ス磁界を印加するバイアス導体を共通にしたものがあり
、その従来構造例を第７図及び第８図を参照して次に示
す。
としては、多トラツクヘッド方式で各ＭＲ棄子にバイア
ス磁界を印加するバイアス導体を共通にしたものがあり
、その従来構造例を第７図及び第８図を参照して次に示
す。
同図に示す磁気ヘッド（１０）は、Ｍｎ −Ｚｎフェラ
イト等の強磁性体からなり、下部シールド層（１１）と
なる基板上に、５ｉ０２等の絶縁ＩＩＩ （１２）、Ｃ
ｕ等のバイアス導体（１３） 、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＭ
Ｒ素子（１４） 、パーマロイ等の金属強磁性体からな
５部シールド層（１５）を蒸着又はスパッタリングに
よりａＦ護膜状積層形成し、図示しないが、更にその上
に結晶化ガラスやセラミック製の保護板を貼着固定した
ものである。上記ＭＲ素子（１４）はその両端から第８
図に示すように外部引出し用リード（１Ｂ） （１６
）が導出される。またバイアス導体（１３）は、絶縁Ｉ
ＩＩ （１２）の各ＭＲ素子（１４）の下方に共通に近
接離隔した位置に埋設された帯状薄膜で、その両端から
リード（１７） （１７）が導出される。
イト等の強磁性体からなり、下部シールド層（１１）と
なる基板上に、５ｉ０２等の絶縁ＩＩＩ （１２）、Ｃ
ｕ等のバイアス導体（１３） 、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＭ
Ｒ素子（１４） 、パーマロイ等の金属強磁性体からな
５部シールド層（１５）を蒸着又はスパッタリングに
よりａＦ護膜状積層形成し、図示しないが、更にその上
に結晶化ガラスやセラミック製の保護板を貼着固定した
ものである。上記ＭＲ素子（１４）はその両端から第８
図に示すように外部引出し用リード（１Ｂ） （１６
）が導出される。またバイアス導体（１３）は、絶縁Ｉ
ＩＩ （１２）の各ＭＲ素子（１４）の下方に共通に近
接離隔した位置に埋設された帯状薄膜で、その両端から
リード（１７） （１７）が導出される。
上記ＭＲ素子（１４）にリード（１６） （１６）を
介してＭＲ素子（１４）の磁気抵抗変化を検出するため
のセンス電流１１を流し、テープ摺動面（１８）に沿っ
て磁気テープ（１９）を走行させる、この時、上記ＭＲ
素子（１４）の出力特性における直線性を良好なものに
するため、バイアス導体（１３）にリード（１７）
（１７）を介してバイアス電流Ｉ２を予め流しておいて
、上記ＭＲ素子（１４）にバイアス磁界を印加する。こ
のようにして、磁気テープ（１９）に書込まれた情報で
ある信号磁束が、ＭＲ素子（１４）を通ると、ＭＲｆｆ
ｉ子（１４）の電気抵抗値が変化し、その変化に比例し
てこのＭＲ素子（１４）の両端電圧が変化するのを読取
り、磁気テープ（１０）の情報再生を行う。
介してＭＲ素子（１４）の磁気抵抗変化を検出するため
のセンス電流１１を流し、テープ摺動面（１８）に沿っ
て磁気テープ（１９）を走行させる、この時、上記ＭＲ
素子（１４）の出力特性における直線性を良好なものに
するため、バイアス導体（１３）にリード（１７）
（１７）を介してバイアス電流Ｉ２を予め流しておいて
、上記ＭＲ素子（１４）にバイアス磁界を印加する。こ
のようにして、磁気テープ（１９）に書込まれた情報で
ある信号磁束が、ＭＲ素子（１４）を通ると、ＭＲｆｆ
ｉ子（１４）の電気抵抗値が変化し、その変化に比例し
てこのＭＲ素子（１４）の両端電圧が変化するのを読取
り、磁気テープ（１０）の情報再生を行う。
ところで、上述したＭＲ素子（３）を使用したｌＦ腹磁
気ヘッド（１）において、磁気ヘッド（１）のようにＭ
Ｒ素子、（３）に積層したシャントバイアス層（６）に
よりバイアス磁界を印加するシャントバイアス方式では
、ＭＲ（３）とシャントバイアス層（６）の並列接続に
センス電流が流れ、その一部がＭＲ素子（３）の抵抗変
化を検知するため、再生電圧が低くなり易く、再生出力
効率が悪くなって大出力が得にくい、又、多トランクヘ
ッドの磁気ヘッド（１０）のようにバイアス磁界を印加
するバイアス導体（１３）を各ＭＲ素子（１４）に共通
にした共通バイアス方式では、一つ一つ各ＭＲ素子（１
４）のバイアス点調整が困難で、トランク間で再生出力
がばらつく、更に、バイアス導体（１３）とＭＲ素子（
１４）との間で、磁界バイアスのためには近く、電気絶
縁のためには離さねばならない相克があり、電気的絶縁
を図るのが困難である。
気ヘッド（１）において、磁気ヘッド（１）のようにＭ
Ｒ素子、（３）に積層したシャントバイアス層（６）に
よりバイアス磁界を印加するシャントバイアス方式では
、ＭＲ（３）とシャントバイアス層（６）の並列接続に
センス電流が流れ、その一部がＭＲ素子（３）の抵抗変
化を検知するため、再生電圧が低くなり易く、再生出力
効率が悪くなって大出力が得にくい、又、多トランクヘ
ッドの磁気ヘッド（１０）のようにバイアス磁界を印加
するバイアス導体（１３）を各ＭＲ素子（１４）に共通
にした共通バイアス方式では、一つ一つ各ＭＲ素子（１
４）のバイアス点調整が困難で、トランク間で再生出力
がばらつく、更に、バイアス導体（１３）とＭＲ素子（
１４）との間で、磁界バイアスのためには近く、電気絶
縁のためには離さねばならない相克があり、電気的絶縁
を図るのが困難である。
本発明は上記諸問題を解消するために、磁気抵抗効果素
子とバイアス導体とを、直列接続するとともに近接させ
て、強磁性体からなる上下部シールド層間に介在させ、
上記素子とバイアス導体とより各々電極を導出すること
を特徴とする。
子とバイアス導体とを、直列接続するとともに近接させ
て、強磁性体からなる上下部シールド層間に介在させ、
上記素子とバイアス導体とより各々電極を導出すること
を特徴とする。
上記技術的手段によれば、センス電流がＭＲ素子とバイ
アス導体とに直列に流れ、バイアス電流とセンス電流と
が同一になる。
アス導体とに直列に流れ、バイアス電流とセンス電流と
が同一になる。
本発明の一実施例を第１図乃至第３図を参照して以下説
明する０図において、（２０）は下部シールド層、（２
１）は第１絶縁層、（２２）はＭＲ素子、（２３）は第
２絶縁層、（２４）はバイアス導体、（２５ｇ）（２５
ｂ）は電極、（２６）は上部シールド層である。上記下
部シールド層（２０）はＭｎ −Ｚｎフェライト等の強
磁性体からなるヘッド基板で、ＭＲ素子（２２）が形成
される前方端部上方に帯状の台地が形成される。第１絶
縁層（２１）は下部シールド層（２０）上にへ１２０３
等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリングして厚さ数
１００〜５０００人の層状に被着形成される、ＭＲ素子
（２２）は下部シールド層（２０）の前方端部上方の前
記台地上にその付近に亘り第１絶縁層（２１）を介して
パーマロイ等を約３００〜５０００人厚で約１０μ幅の
帯状に薄膜形成したものである。第２絶縁層（２３）は
、電気的接続部となる両開端部を除いたＭＲ素子（２２
）上にＡｔ、０ 。
明する０図において、（２０）は下部シールド層、（２
１）は第１絶縁層、（２２）はＭＲ素子、（２３）は第
２絶縁層、（２４）はバイアス導体、（２５ｇ）（２５
ｂ）は電極、（２６）は上部シールド層である。上記下
部シールド層（２０）はＭｎ −Ｚｎフェライト等の強
磁性体からなるヘッド基板で、ＭＲ素子（２２）が形成
される前方端部上方に帯状の台地が形成される。第１絶
縁層（２１）は下部シールド層（２０）上にへ１２０３
等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリングして厚さ数
１００〜５０００人の層状に被着形成される、ＭＲ素子
（２２）は下部シールド層（２０）の前方端部上方の前
記台地上にその付近に亘り第１絶縁層（２１）を介して
パーマロイ等を約３００〜５０００人厚で約１０μ幅の
帯状に薄膜形成したものである。第２絶縁層（２３）は
、電気的接続部となる両開端部を除いたＭＲ素子（２２
）上にＡｔ、０ 。
等の非磁性材料を厚さ数１００〜５０００人に蒸着或い
はスパッタリングして積層形成される。バイアス導体（
２４）は第２絶縁層（２３）を介してＭＲ素子（２２）
の真上に、一端部（２４ａ）がＭＲ素子（２２）に電気
的に接続されるように、Ａｕ等を２０００人〜１μｍ厚
に蒸着或いはスパッタリングして積層形成される。電極
（２５ａ ）は、バイアス導体（２４）の地端部（２４
ｂ ）より直角に導出して第２絶縁層（２３）上から第
１絶縁層（２１）上に亘って積層状に被着形成される。
はスパッタリングして積層形成される。バイアス導体（
２４）は第２絶縁層（２３）を介してＭＲ素子（２２）
の真上に、一端部（２４ａ）がＭＲ素子（２２）に電気
的に接続されるように、Ａｕ等を２０００人〜１μｍ厚
に蒸着或いはスパッタリングして積層形成される。電極
（２５ａ ）は、バイアス導体（２４）の地端部（２４
ｂ ）より直角に導出して第２絶縁層（２３）上から第
１絶縁層（２１）上に亘って積層状に被着形成される。
電極（２５ｂ ）はＭＲ素子（２２）の一方の周端部と
接続し、電極（２５ａ）に略平行に被着形成される。上
部シールド層（２６）は、バイアス導体（２４）と電極
（２５ａ）（２５ｂ）上を含んで第１絶縁層（２１）上
にＡＡ！ ０８等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリ
ングして被着形成した後（図示せず）、その上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成される。
接続し、電極（２５ａ）に略平行に被着形成される。上
部シールド層（２６）は、バイアス導体（２４）と電極
（２５ａ）（２５ｂ）上を含んで第１絶縁層（２１）上
にＡＡ！ ０８等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリ
ングして被着形成した後（図示せず）、その上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成される。
上記構成に基づき本発明の動作を次に示す。
まず電極（２５ａ ）よりセンス電流■０を流すと、電
流１ｏは電極（２５ａ）からバイアス導体（２４）とＭ
Ｒ素子（２２）を経て電極（２５ｂ ”）に到り、バイ
アス導体（２４）からＭＲ素子（２２）に直列に流れる
。そのため、バイアス電流はセンス電流１ｏに等しくな
り、センス電流■０によってＭＲ素子（２２）にバイア
ス磁界が印加される。そこで、磁気ヘッド（２７）の前
面に沿って磁気テープ等の記録媒体（図示せず）を摺動
させると、記録媒体に書込まれた情報である信号磁束が
、ＭＲ素子（２２）を通り、ＭＲ３子（２２）の電気抵
抗値が変化し、その変化に比例してこのＭＲ素子（２２
）の両端電圧が変化するのを読取り、記録媒体の情報再
生が行われる。
流１ｏは電極（２５ａ）からバイアス導体（２４）とＭ
Ｒ素子（２２）を経て電極（２５ｂ ”）に到り、バイ
アス導体（２４）からＭＲ素子（２２）に直列に流れる
。そのため、バイアス電流はセンス電流１ｏに等しくな
り、センス電流■０によってＭＲ素子（２２）にバイア
ス磁界が印加される。そこで、磁気ヘッド（２７）の前
面に沿って磁気テープ等の記録媒体（図示せず）を摺動
させると、記録媒体に書込まれた情報である信号磁束が
、ＭＲ素子（２２）を通り、ＭＲ３子（２２）の電気抵
抗値が変化し、その変化に比例してこのＭＲ素子（２２
）の両端電圧が変化するのを読取り、記録媒体の情報再
生が行われる。
尚、上記実施例ではシールド型１ヘツドの薄請磁気ヘッ
ドについて説明したが、電極（２５ａ）（２５ｂ ）に
より導出してバイアス導体とＭＲ素子とを直列接続する
とともに、積層したものを多数形成すると、多トランク
ヘッドのシールド型ｉｓ磁気ヘッドが形成される。又、
ＭＲ素子とバイアス導体とは、積層順序を入れ替えても
よく、更に磁気テープ走行による磁界変化を、強磁性体
のヨークを介してＭＲ素子に導（ヨーク型のものにも、
本発明を通用できる。
ドについて説明したが、電極（２５ａ）（２５ｂ ）に
より導出してバイアス導体とＭＲ素子とを直列接続する
とともに、積層したものを多数形成すると、多トランク
ヘッドのシールド型ｉｓ磁気ヘッドが形成される。又、
ＭＲ素子とバイアス導体とは、積層順序を入れ替えても
よく、更に磁気テープ走行による磁界変化を、強磁性体
のヨークを介してＭＲ素子に導（ヨーク型のものにも、
本発明を通用できる。
本発明によれば、ＭＲ素子を使用した薄膜磁気ヘッドに
おいてＭＲ素子とバイアス導体とを積層状に近接させて
直列接続したから、センス電流とバイアス電流とが同一
になり、ＭＲ素子の抵抗変化量がそのまま再生電圧とな
って大きい再生出力が得られる。又、多トラツクヘッド
でのトラック間のばらつきも解消するからトラック間ば
らつがの小さい再生出力が得られる。
おいてＭＲ素子とバイアス導体とを積層状に近接させて
直列接続したから、センス電流とバイアス電流とが同一
になり、ＭＲ素子の抵抗変化量がそのまま再生電圧とな
って大きい再生出力が得られる。又、多トラツクヘッド
でのトラック間のばらつきも解消するからトラック間ば
らつがの小さい再生出力が得られる。
第１図と第２図と第３図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の一実施例を示す要部の斜視図と平面図と正面図、第４
図はシールド型薄膜磁気ヘッドの一従来例を示す部分断
面図、第５図と第６図は第４図磁気へラドの製造工程に
おける各斜視図、第７図と第８図は共通バイアス方式の
薄膜磁気ヘッドの従来例を示す要部の断面図と平面図で
ある。 （２０）・・−・下部シールド層、 （２２） −・−磁気抵抗効果素子、 （２４） ・−・・バイアス導体、 （２５ａ ） （２５ｂ ） ・−・−電極、（２６
） −・上部シールド層。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾Ｆ
の一実施例を示す要部の斜視図と平面図と正面図、第４
図はシールド型薄膜磁気ヘッドの一従来例を示す部分断
面図、第５図と第６図は第４図磁気へラドの製造工程に
おける各斜視図、第７図と第８図は共通バイアス方式の
薄膜磁気ヘッドの従来例を示す要部の断面図と平面図で
ある。 （２０）・・−・下部シールド層、 （２２） −・−磁気抵抗効果素子、 （２４） ・−・・バイアス導体、 （２５ａ ） （２５ｂ ） ・−・−電極、（２６
） −・上部シールド層。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾Ｆ
Claims (1)
- （１）磁気抵抗効果素子とバイアス導体とを、直列接続
させるとともに近接させて、強磁性体からなる上下部シ
ールド層間に介在させ、上記素子とバイアス導体とより
各々電極を導出したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20525888A JPH0254413A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20525888A JPH0254413A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254413A true JPH0254413A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16504008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20525888A Pending JPH0254413A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254413A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
| JP2016223825A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | アルプス電気株式会社 | 磁界検出装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104413A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20525888A patent/JPH0254413A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104413A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| JP2016223825A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | アルプス電気株式会社 | 磁界検出装置 |
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