JPS60239911A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘツドInfo
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- JPS60239911A JPS60239911A JP9519384A JP9519384A JPS60239911A JP S60239911 A JPS60239911 A JP S60239911A JP 9519384 A JP9519384 A JP 9519384A JP 9519384 A JP9519384 A JP 9519384A JP S60239911 A JPS60239911 A JP S60239911A
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- Japan
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- magnetic
- head
- shielding
- magnetoresistive
- elements
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
la) 発明の技術分野
本発明は磁気テープ装置用の磁気抵抗効果型再生ヘッド
に係り、特に磁気テープ記録媒体と接触摺動した際に、
ヘッド摺接面において塵埃の巻き込み、スクラッチ傷等
の発生に起因して生じる電気的導通障害を排除したヘッ
ド構成に関するものである。
に係り、特に磁気テープ記録媒体と接触摺動した際に、
ヘッド摺接面において塵埃の巻き込み、スクラッチ傷等
の発生に起因して生じる電気的導通障害を排除したヘッ
ド構成に関するものである。
山) 技術の背景
磁気テープ装置等における磁気テープ記録媒体の既記縁
情報を再生するための磁気ヘッドとして電流雑音が少な
く、磁界の強弱を電気抵抗の変化として出力するように
構成された磁気抵抗効果素子を用いた磁束応答型の磁気
抵抗効果型再生ヘッドは周知であり、既に種々のタイプ
のものが提案され、実用化されている。またかかる磁気
ヘッドは近来、垂直磁気記録の再生ヘッドとして適用す
ることも試みられている。
情報を再生するための磁気ヘッドとして電流雑音が少な
く、磁界の強弱を電気抵抗の変化として出力するように
構成された磁気抵抗効果素子を用いた磁束応答型の磁気
抵抗効果型再生ヘッドは周知であり、既に種々のタイプ
のものが提案され、実用化されている。またかかる磁気
ヘッドは近来、垂直磁気記録の再生ヘッドとして適用す
ることも試みられている。
(C1従来技術と問題点
上記した従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドは、一般に第
1図の要部断面図に示すように、例えばNi−Znフェ
ライト、又はMn−Znフェライトなどより成る磁性基
板1上に、Ni−Feパーマロイからなる2つの磁気抵
抗効果素子(以下MR素子と称する)2.3が図示のよ
うに5i02、又はAl2O3などからなる非磁性絶縁
層4を介して設けられている。
1図の要部断面図に示すように、例えばNi−Znフェ
ライト、又はMn−Znフェライトなどより成る磁性基
板1上に、Ni−Feパーマロイからなる2つの磁気抵
抗効果素子(以下MR素子と称する)2.3が図示のよ
うに5i02、又はAl2O3などからなる非磁性絶縁
層4を介して設けられている。
またその上面にはNi−Feパーマロイからなるシール
ド用磁性体層5及びカバープレート6が配設され、上記
のように2つのMR素子2,3を中間に挟む形に配設さ
れた前記磁性基板1とシールド用磁性体層5がシールド
磁性体として働くように構成することにより当該ヘッド
の再生分解能を向上させている。
ド用磁性体層5及びカバープレート6が配設され、上記
のように2つのMR素子2,3を中間に挟む形に配設さ
れた前記磁性基板1とシールド用磁性体層5がシールド
磁性体として働くように構成することにより当該ヘッド
の再生分解能を向上させている。
しかしてかかる構成の磁気抵抗効果型再生ヘッドにより
対向する磁気テープ記録媒体7の既記縁情報を再生する
には、前記2つのMR素子2,3に所定の一定電流を供
給して、互いに逆方向のバイアス磁界を印加する。この
時、前記2つのMR素子2.3により磁気テープ記録媒
体7の既記縁情報信号磁界の強弱を、電気抵抗の変化と
して検出し、再生を行っている。
対向する磁気テープ記録媒体7の既記縁情報を再生する
には、前記2つのMR素子2,3に所定の一定電流を供
給して、互いに逆方向のバイアス磁界を印加する。この
時、前記2つのMR素子2.3により磁気テープ記録媒
体7の既記縁情報信号磁界の強弱を、電気抵抗の変化と
して検出し、再生を行っている。
ところで上記のように構成された従来の磁気抵抗効果型
再生ヘッドにあっては、磁気テープ記録媒体7に接触摺
動して再生を行う際に、摺動するヘッド摺接面に塵埃の
巻き込みやスクラッチ傷等が発生することに起因して該
ヘッド摺接面におけるシールド用磁性体M5とMR素子
3、或いはMl+素子2間で電気的導通障害が生じると
いう問題があった。
再生ヘッドにあっては、磁気テープ記録媒体7に接触摺
動して再生を行う際に、摺動するヘッド摺接面に塵埃の
巻き込みやスクラッチ傷等が発生することに起因して該
ヘッド摺接面におけるシールド用磁性体M5とMR素子
3、或いはMl+素子2間で電気的導通障害が生じると
いう問題があった。
このような導通障害は基本的には、再生ヘッドのヘッド
摺接面の一部を構成しているNi−Feパーマロイから
なるシールド用磁性体層5及び2つのMR素子2.3の
硬度が低いことが大きな要因となっている。
摺接面の一部を構成しているNi−Feパーマロイから
なるシールド用磁性体層5及び2つのMR素子2.3の
硬度が低いことが大きな要因となっている。
即ち、Ni−Feパーマロイの硬度は、例えばビッカー
ス硬度がHv = 100〜200程度であり、かつ展
性、延性に富む材料であるため、磁気テープ記録媒体7
上に前記再生ヘッドを接触摺動させて再生を行う際に、
摺動するヘッド摺接面に塵埃や金属粉等が巻き込まれる
と、該Ni−Feパーマロイからなるシールド用磁性体
層5及び2つのMR素子2゜3の摺接面には容易にスク
ラッチ傷が発生する・このスクラッチ傷が入る際に、該
傷と共に薄く延伸したNi−Feパーマロイからなる薄
片が磁気テープ記録媒体7との摺動により更に延伸して
、遂には前記シールド用磁性体層5と肝素子2、又はM
R素子3間に電気的導通が生じるようになる。
ス硬度がHv = 100〜200程度であり、かつ展
性、延性に富む材料であるため、磁気テープ記録媒体7
上に前記再生ヘッドを接触摺動させて再生を行う際に、
摺動するヘッド摺接面に塵埃や金属粉等が巻き込まれる
と、該Ni−Feパーマロイからなるシールド用磁性体
層5及び2つのMR素子2゜3の摺接面には容易にスク
ラッチ傷が発生する・このスクラッチ傷が入る際に、該
傷と共に薄く延伸したNi−Feパーマロイからなる薄
片が磁気テープ記録媒体7との摺動により更に延伸して
、遂には前記シールド用磁性体層5と肝素子2、又はM
R素子3間に電気的導通が生じるようになる。
従ってこのような電気的導通現象により、前記MR素子
2、又はMR素子3に供給される所定の電流がシールド
用磁性体層5等にも流れるためバイアス特性が劣化する
ばかりでなく、再生信号波形を大きく歪ませてしまう。
2、又はMR素子3に供給される所定の電流がシールド
用磁性体層5等にも流れるためバイアス特性が劣化する
ばかりでなく、再生信号波形を大きく歪ませてしまう。
また各MR素子2.3の抵抗値が減少し、再生信号出力
が低下する欠点があった。
が低下する欠点があった。
(dl 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するため、磁気テープ記
録媒体と接触摺動するヘッド摺接面を、該摺接面に露出
する淋素子面を除いて、該MR素子形成材料の硬度より
も硬い材料によって構成し、該ヘッド摺接面での電気的
導通障害を排除した信頼性の良い磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
録媒体と接触摺動するヘッド摺接面を、該摺接面に露出
する淋素子面を除いて、該MR素子形成材料の硬度より
も硬い材料によって構成し、該ヘッド摺接面での電気的
導通障害を排除した信頼性の良い磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
(el 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気抵抗効果素子の
両側にそれぞれ非磁性絶縁層を介してシールド用磁性体
層を設けた構成の磁気抵抗効果型再生ヘッドであって、
上記シールド用磁性体層を磁気抵抗効果素子を形成する
材料の硬度よりも高い硬度と、その電気抵抗率よりも大
きい該抵抗率を有する磁性材料で形成して成ること。又
、上記磁気抵抗効果素子がNi−Feパーマロイから成
り、かつ上記シールド用磁性体層がフェライト磁性材及
びアモルファス磁性材から成ることを特徴とする磁気抵
抗効果型再生ヘッドを提供することによって達成される
。
両側にそれぞれ非磁性絶縁層を介してシールド用磁性体
層を設けた構成の磁気抵抗効果型再生ヘッドであって、
上記シールド用磁性体層を磁気抵抗効果素子を形成する
材料の硬度よりも高い硬度と、その電気抵抗率よりも大
きい該抵抗率を有する磁性材料で形成して成ること。又
、上記磁気抵抗効果素子がNi−Feパーマロイから成
り、かつ上記シールド用磁性体層がフェライト磁性材及
びアモルファス磁性材から成ることを特徴とする磁気抵
抗効果型再生ヘッドを提供することによって達成される
。
ff) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第2図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す要部断面図である。
施例を示す要部断面図である。
図において、21はシールド用磁性体となる例えばMn
−Znフェライトからなる磁性基板である。該磁性基板
21上には、互いに逆極性の信号波形を出力するNi−
Feパーマロイからなる2つの磁気抵抗効果素子(以下
MR素子と称する> 22.23が図示のように5i0
2、又はAl2O3などからなる非磁性絶縁層24を介
して設けられている。
−Znフェライトからなる磁性基板である。該磁性基板
21上には、互いに逆極性の信号波形を出力するNi−
Feパーマロイからなる2つの磁気抵抗効果素子(以下
MR素子と称する> 22.23が図示のように5i0
2、又はAl2O3などからなる非磁性絶縁層24を介
して設けられている。
更にその上面には前記各MR素子22.23の形成材料
であるNi−Feパーマロイの硬度よりも高い硬度を有
するアモルファスGo−Zrからなるシールド用磁性体
層25及びセラミックス等からなるカバープレート26
が配設され、従来と同様に2つのMR素子22、23を
中間に挟む形に配設された前記磁性基板21とシールド
用磁性体層25がシールド磁性体として働くように構成
されている。
であるNi−Feパーマロイの硬度よりも高い硬度を有
するアモルファスGo−Zrからなるシールド用磁性体
層25及びセラミックス等からなるカバープレート26
が配設され、従来と同様に2つのMR素子22、23を
中間に挟む形に配設された前記磁性基板21とシールド
用磁性体層25がシールド磁性体として働くように構成
されている。
因に上記構成の磁気抵抗効果型再生ヘッドを得るには、
例えばMn−Znフェライトからなる磁性基板21上に
、5i02、又はAl2O3などからなる第1の非磁性
絶縁層24aをスパッタリング法により0.5μmの厚
さに被着する。
例えばMn−Znフェライトからなる磁性基板21上に
、5i02、又はAl2O3などからなる第1の非磁性
絶縁層24aをスパッタリング法により0.5μmの厚
さに被着する。
その上面に膜厚が500人のNi−Feパーマロイから
なる第1のMR素子22、膜厚が0.5μmの5i02
、又はAl2O3などからなる第2の非磁性絶縁層24
b、膜厚が500人のNi−Feパーマロイからなる第
2のMR素子23及び膜厚が0.5.t+mの5i02
、又はAl2O3などからなる第3の非磁性絶縁層24
cを順にスパッタリング法及び蒸着法により積層形成す
る。
なる第1のMR素子22、膜厚が0.5μmの5i02
、又はAl2O3などからなる第2の非磁性絶縁層24
b、膜厚が500人のNi−Feパーマロイからなる第
2のMR素子23及び膜厚が0.5.t+mの5i02
、又はAl2O3などからなる第3の非磁性絶縁層24
cを順にスパッタリング法及び蒸着法により積層形成す
る。
次にその上面にアモルファスCo−Zrからなるシール
ド用磁性体層25を2μmの厚さに被着形成し、その上
にセラミックス等からなるカバープレート26を接着剤
等により固着した後、磁気テープ記録媒体27と対向す
るヘッド摺接面を平滑に平面研磨仕上げ加工を行って完
成させる。
ド用磁性体層25を2μmの厚さに被着形成し、その上
にセラミックス等からなるカバープレート26を接着剤
等により固着した後、磁気テープ記録媒体27と対向す
るヘッド摺接面を平滑に平面研磨仕上げ加工を行って完
成させる。
上記のように構成された磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いては、磁気テープ記録媒体27と接触摺動するヘッド
摺接面の大部分を占めるMn−Znフェライトからなる
磁性基板21及びアモルファスCo−Zrからなるシー
ルド用磁性体層25の硬度はHv : 600〜700
、又電気抵抗率はMn−Znフェライトがρ:1Ω・印
、アモルファスCo−Zrがρニア0〜75μΩ・cm
と、共にNi−Feパーマロイからなる第1、第2のM
+?素子22.23の硬度■v:100〜200、電気
抵抗率がρ#20μΩ・印に比べて大きく、かつ耐摩耗
性についても勝っている。
いては、磁気テープ記録媒体27と接触摺動するヘッド
摺接面の大部分を占めるMn−Znフェライトからなる
磁性基板21及びアモルファスCo−Zrからなるシー
ルド用磁性体層25の硬度はHv : 600〜700
、又電気抵抗率はMn−Znフェライトがρ:1Ω・印
、アモルファスCo−Zrがρニア0〜75μΩ・cm
と、共にNi−Feパーマロイからなる第1、第2のM
+?素子22.23の硬度■v:100〜200、電気
抵抗率がρ#20μΩ・印に比べて大きく、かつ耐摩耗
性についても勝っている。
このため当該磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いて磁気テ
ープ記録媒体27の既記縁情報の再生を行った場合、磁
気テープ記録媒体上に摺動するヘッド摺接面に、例え塵
埃や金属粉等が巻き込まれることがあっても、アモルフ
ァスCo−Zrからなるシールド用磁性体層25の摺接
面を損傷することがなくなり、従来の如きシールド用磁
性体層25とMR素子22、又はMR素子23間に電気
的導通が生じる現象を解消することが可能となる。
ープ記録媒体27の既記縁情報の再生を行った場合、磁
気テープ記録媒体上に摺動するヘッド摺接面に、例え塵
埃や金属粉等が巻き込まれることがあっても、アモルフ
ァスCo−Zrからなるシールド用磁性体層25の摺接
面を損傷することがなくなり、従来の如きシールド用磁
性体層25とMR素子22、又はMR素子23間に電気
的導通が生じる現象を解消することが可能となる。
尚、上記ヘッド摺接面には相変わらずNi−Feパーマ
ロイからなる2つのMR素子22.23の先端が露出し
ているわけであるが、該MR素子22.23の膜厚が数
100人程度と極めて薄いことから、両MR素子22、
23間での電気的ショートの発生確率は殆ど無視できる
程度に小さく、当該ヘッド摺接面の定期的なりリーニン
グ、或いはクリーニングテープによる摺動走行等の通常
保守手段により十分対処できる。
ロイからなる2つのMR素子22.23の先端が露出し
ているわけであるが、該MR素子22.23の膜厚が数
100人程度と極めて薄いことから、両MR素子22、
23間での電気的ショートの発生確率は殆ど無視できる
程度に小さく、当該ヘッド摺接面の定期的なりリーニン
グ、或いはクリーニングテープによる摺動走行等の通常
保守手段により十分対処できる。
Tgl 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型再生ヘッドによれば、磁気テープ記録媒体と接触
摺動するヘッド摺接面での電気的導通障害が容易に排除
され、信頼性が著しく向上する優れた効果を有し、この
種の磁気抵抗効果型再生ヘッドに通用して極めて有利で
ある。
効果型再生ヘッドによれば、磁気テープ記録媒体と接触
摺動するヘッド摺接面での電気的導通障害が容易に排除
され、信頼性が著しく向上する優れた効果を有し、この
種の磁気抵抗効果型再生ヘッドに通用して極めて有利で
ある。
第1図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドを説明するた
めの要部断面図、第2図は本発明に係る磁気抵抗効果型
再生ヘッドの一実施例を示す要部断面図である。 図面において、21はMn−Znフェライト磁性基板、
22、23は磁気抵抗効果素子、24は非磁性絶縁層、
24aは第1の非磁性絶縁層、24bは第2の非磁性絶
縁層、24cは第3の非磁性絶縁層、25はシールド用
アモルファスGo−Zr磁性体層、26はカバープレー
ト、27は磁気テープ記録媒体を示す。
めの要部断面図、第2図は本発明に係る磁気抵抗効果型
再生ヘッドの一実施例を示す要部断面図である。 図面において、21はMn−Znフェライト磁性基板、
22、23は磁気抵抗効果素子、24は非磁性絶縁層、
24aは第1の非磁性絶縁層、24bは第2の非磁性絶
縁層、24cは第3の非磁性絶縁層、25はシールド用
アモルファスGo−Zr磁性体層、26はカバープレー
ト、27は磁気テープ記録媒体を示す。
Claims (2)
- (1)磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁性絶縁層
を介してシールド用磁性体層を設けた構成の磁気抵抗効
果型再生ヘッドであって、上記シールド用磁性体層を磁
気抵抗効果素子を形成する材料の硬度よりも高い硬度と
、その電気抵抗率よりも大きい該抵抗率を有する磁性材
料で形成して成ることを特徴とする磁気抵抗効果型再生
ヘッド。 - (2)上記磁気抵抗効果素子がNi−Feパーマロイか
ら成り、かつ上記シールド用磁性体層がフェライト磁性
材及びアモルファス磁性材から成ることを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項に記載の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9519384A JPS60239911A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9519384A JPS60239911A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60239911A true JPS60239911A (ja) | 1985-11-28 |
Family
ID=14130910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9519384A Pending JPS60239911A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60239911A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
US5792546A (en) * | 1993-11-22 | 1998-08-11 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head and method of producing the same |
EP0892391A2 (en) * | 1997-07-18 | 1999-01-20 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head |
US6947261B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-09-20 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
JP2012109006A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | スライダーにおける接触センサー用のノイズおよび粒子のシールド |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59223923A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-15 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP9519384A patent/JPS60239911A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59223923A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-15 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
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EP0892391A3 (en) * | 1997-07-18 | 1999-10-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head |
US6947261B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-09-20 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
JP2012109006A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | スライダーにおける接触センサー用のノイズおよび粒子のシールド |
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