JPH0375930B2 - - Google Patents
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- JPH0375930B2 JPH0375930B2 JP13388182A JP13388182A JPH0375930B2 JP H0375930 B2 JPH0375930 B2 JP H0375930B2 JP 13388182 A JP13388182 A JP 13388182A JP 13388182 A JP13388182 A JP 13388182A JP H0375930 B2 JPH0375930 B2 JP H0375930B2
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- magnetoresistive
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- magnetoresistive film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果を使用した磁気抵抗効果
型磁気ヘツドに関する。
型磁気ヘツドに関する。
背景技術とその問題点
一般に磁気抵抗効果を使用した再生磁気ヘツド
としての磁気抵抗効果型磁気ヘツドが提案されて
いる。この磁気抵抗効果型磁気ヘツドは電磁誘導
型再生磁気ヘツドに比し、狭トラツク再生、短波
長再生、超低速再生が可能である利益がある。こ
の磁気抵抗効果型磁気ヘツドとして第１図及び第
２図に示す如き基板の磁気記録媒体摺接面とは離
れた位置に磁気抵抗効果素子を設けた所謂リアタ
イプの磁気抵抗効果型磁気ヘツドが提案されてい
る。即ち第１図及び第２図に於いて、１は一方の
コアを構成するNi−Znフエライト、Mn−Znフ
エライト等のフエライト基板を示し、このフエラ
イト基板１上の後述する磁気抵抗効果膜４の対応
部に相当する所定位置にSiO2又はAl2O3の絶縁層
２ａを設け、この絶縁層２ａ上の磁気テープ３の
摺接面３ａより所定距離例えば10μm以上離れた
位置にコ字状に所定幅例えば５〜10μm幅のNi−
Fe系合金、Ni−Co系合金等の磁気抵抗効果を有
する磁気抵抗効果膜４をスパツタリングにより被
着する。この磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ
の両端部よりAu膜５をこの磁気抵抗効果膜４上
に積層してこの磁気テープ３の摺接面３ａとは反
対側に導出し、これにより磁気抵抗効果膜４に電
流を流すと共に再生信号を取り出す様にする。又
この磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ上にこの
磁気抵抗効果膜４と抵抗値の略等しい例えばチタ
ン、タンタル、クロム等の膜５ａを積層し、これ
に電流を流して所定のバイアス磁界を生ずる如く
する。又この場合この代りにこの磁気抵抗効果膜
４の信号検出部４ａ上にAuの縞状の膜所謂バー
バーポールを設けて所定のバイアス磁界を生ずる
様にしても良い。次に磁気回路を構成する後述す
る他方のコアとフエライト基板１との接合部１ａ
を除いて、フエライト基板１、磁気抵抗効果膜４
上全面にヘツド磁気ギヤツプに相当する例えば
0.2〜0.5μmの厚さのSiO2又はAl2O3の絶縁層２ｂ
を被着する。この絶縁層２ｂ上に磁気抵抗効果膜
４の信号検出部４ａを跨ぐ如く、そのトラツク幅
ｌに相当する例えば数10μm〜数100μmの幅の他
方のコアを構成する透磁率μが大で抗磁力Hcの
小さい例えばパーマロイ、モリブデンパーマロ
イ、センダスト、Co−Zr、Fe−Ｂ等のアモルフ
アス膜等を厚さ例えば２〜3μmで磁気テープ３の
摺接面３ａより所定長スパツター又は蒸着により
コア磁性体層６を被着する。この場合このコア磁
性体層６の磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ上
に対応する部分に２〜5μmのギヤツプ６ａを形成
し、このギヤツプ６ａにより磁気テープ３よりの
再生磁束が良好に磁気抵抗効果膜４に供給される
如くなす。又この場合磁気テープ３の摺接面３ａ
に於いてフエライト基板１の端部とコア磁性体層
６の端部とでヘツド磁気ギヤツプ７を構成する如
くすると共にこのコア磁性体層６の後部をフエラ
イト基板１に接続し、このコア磁性体層６とフエ
ライト基板１とで磁気回路を構成する如くする。
としての磁気抵抗効果型磁気ヘツドが提案されて
いる。この磁気抵抗効果型磁気ヘツドは電磁誘導
型再生磁気ヘツドに比し、狭トラツク再生、短波
長再生、超低速再生が可能である利益がある。こ
の磁気抵抗効果型磁気ヘツドとして第１図及び第
２図に示す如き基板の磁気記録媒体摺接面とは離
れた位置に磁気抵抗効果素子を設けた所謂リアタ
イプの磁気抵抗効果型磁気ヘツドが提案されてい
る。即ち第１図及び第２図に於いて、１は一方の
コアを構成するNi−Znフエライト、Mn−Znフ
エライト等のフエライト基板を示し、このフエラ
イト基板１上の後述する磁気抵抗効果膜４の対応
部に相当する所定位置にSiO2又はAl2O3の絶縁層
２ａを設け、この絶縁層２ａ上の磁気テープ３の
摺接面３ａより所定距離例えば10μm以上離れた
位置にコ字状に所定幅例えば５〜10μm幅のNi−
Fe系合金、Ni−Co系合金等の磁気抵抗効果を有
する磁気抵抗効果膜４をスパツタリングにより被
着する。この磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ
の両端部よりAu膜５をこの磁気抵抗効果膜４上
に積層してこの磁気テープ３の摺接面３ａとは反
対側に導出し、これにより磁気抵抗効果膜４に電
流を流すと共に再生信号を取り出す様にする。又
この磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ上にこの
磁気抵抗効果膜４と抵抗値の略等しい例えばチタ
ン、タンタル、クロム等の膜５ａを積層し、これ
に電流を流して所定のバイアス磁界を生ずる如く
する。又この場合この代りにこの磁気抵抗効果膜
４の信号検出部４ａ上にAuの縞状の膜所謂バー
バーポールを設けて所定のバイアス磁界を生ずる
様にしても良い。次に磁気回路を構成する後述す
る他方のコアとフエライト基板１との接合部１ａ
を除いて、フエライト基板１、磁気抵抗効果膜４
上全面にヘツド磁気ギヤツプに相当する例えば
0.2〜0.5μmの厚さのSiO2又はAl2O3の絶縁層２ｂ
を被着する。この絶縁層２ｂ上に磁気抵抗効果膜
４の信号検出部４ａを跨ぐ如く、そのトラツク幅
ｌに相当する例えば数10μm〜数100μmの幅の他
方のコアを構成する透磁率μが大で抗磁力Hcの
小さい例えばパーマロイ、モリブデンパーマロ
イ、センダスト、Co−Zr、Fe−Ｂ等のアモルフ
アス膜等を厚さ例えば２〜3μmで磁気テープ３の
摺接面３ａより所定長スパツター又は蒸着により
コア磁性体層６を被着する。この場合このコア磁
性体層６の磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ上
に対応する部分に２〜5μmのギヤツプ６ａを形成
し、このギヤツプ６ａにより磁気テープ３よりの
再生磁束が良好に磁気抵抗効果膜４に供給される
如くなす。又この場合磁気テープ３の摺接面３ａ
に於いてフエライト基板１の端部とコア磁性体層
６の端部とでヘツド磁気ギヤツプ７を構成する如
くすると共にこのコア磁性体層６の後部をフエラ
イト基板１に接続し、このコア磁性体層６とフエ
ライト基板１とで磁気回路を構成する如くする。
その後全面に亘つてSiO2の絶縁層２ｃを被着
すると共にこの絶縁層２ｃ上に接着剤８等により
フエライト基板１と硬度の略々等しいガラス板、
セラミツク板等の保護板９を被着する。
すると共にこの絶縁層２ｃ上に接着剤８等により
フエライト基板１と硬度の略々等しいガラス板、
セラミツク板等の保護板９を被着する。
斯る従来のリアタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドは磁気抵抗効果膜４が直接磁気テープに接触
しないので、この磁気抵抗効果膜が摩耗すること
がない。
ツドは磁気抵抗効果膜４が直接磁気テープに接触
しないので、この磁気抵抗効果膜が摩耗すること
がない。
然しながら斯る従来のリアタイプ磁気抵抗効果
型磁気ヘツドにあつては、フエライト基板１を一
方のコアとして使用しているので磁気抵抗効果膜
４を絶縁層２ａ上に形成せざるを得ず、この絶縁
層２ａ上にこの磁気抵抗効果膜４を形成するとき
は絶縁層２ａの表面の粗度が大きく、この影響に
より抗磁力Hcの小さい磁気抵抗効果膜を安定に
作ることが困難であり、又耐摩耗の点からして、
フエライト基板１は比較的硬度が小さいので磁気
テープ摺接面３ａより磁気抵抗効果膜４までの距
離を比較的大きく10μm以上とる必要があり、こ
の為再生磁気効率の非常に悪い磁気回路をなし良
好な再生信号が得られない欠点があつた。
型磁気ヘツドにあつては、フエライト基板１を一
方のコアとして使用しているので磁気抵抗効果膜
４を絶縁層２ａ上に形成せざるを得ず、この絶縁
層２ａ上にこの磁気抵抗効果膜４を形成するとき
は絶縁層２ａの表面の粗度が大きく、この影響に
より抗磁力Hcの小さい磁気抵抗効果膜を安定に
作ることが困難であり、又耐摩耗の点からして、
フエライト基板１は比較的硬度が小さいので磁気
テープ摺接面３ａより磁気抵抗効果膜４までの距
離を比較的大きく10μm以上とる必要があり、こ
の為再生磁気効率の非常に悪い磁気回路をなし良
好な再生信号が得られない欠点があつた。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑み再生効率を改善した良好
な再生信号の得られるリアタイプの磁気抵抗効果
型磁気ヘツドを提案せんとするものである。
な再生信号の得られるリアタイプの磁気抵抗効果
型磁気ヘツドを提案せんとするものである。
発明の概要
本発明は非磁性基板例えばサフアイア基板上に
この非磁性基板の磁気記録媒体摺接面とは離れた
位置に磁気抵抗効果素子を形成し、この磁気抵抗
効果素子と磁気的に結合される第１のコアと、こ
の磁気記録媒体摺接面に臨む磁気ギヤツプを有す
る磁気回路を形成する如く第２のコアを設けると
共にこの磁気回路を非磁性基板と挾む如くこの非
磁性基板に対向する保護板を設ける様にし、再生
磁気効率の良い磁気回路を構成し、良好な再生信
号が得られる様にしたものである。
この非磁性基板の磁気記録媒体摺接面とは離れた
位置に磁気抵抗効果素子を形成し、この磁気抵抗
効果素子と磁気的に結合される第１のコアと、こ
の磁気記録媒体摺接面に臨む磁気ギヤツプを有す
る磁気回路を形成する如く第２のコアを設けると
共にこの磁気回路を非磁性基板と挾む如くこの非
磁性基板に対向する保護板を設ける様にし、再生
磁気効率の良い磁気回路を構成し、良好な再生信
号が得られる様にしたものである。
実施例
以下第３図を参照しながら本発明磁気抵抗効果
型磁気ヘツドの一実施例につき説明しよう。この
第３図に於いて第１図及び第２図に対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
型磁気ヘツドの一実施例につき説明しよう。この
第３図に於いて第１図及び第２図に対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
第３図に於いて、１０は非磁性基板例えばサフ
アイア基板を示し、このサフアイア基板１０上の
磁気テープ３の摺接面３ａより所定距離例えば２
〜5μm離れた位置に第１図、第２図同様のコ字状
の所定幅例えば５〜10μm幅のNi−Fe系合金、
Ni−Co系合金等の磁気抵抗効果を有する磁気抵
抗効果膜４をスパツタリングにより被着する。
アイア基板を示し、このサフアイア基板１０上の
磁気テープ３の摺接面３ａより所定距離例えば２
〜5μm離れた位置に第１図、第２図同様のコ字状
の所定幅例えば５〜10μm幅のNi−Fe系合金、
Ni−Co系合金等の磁気抵抗効果を有する磁気抵
抗効果膜４をスパツタリングにより被着する。
この場合サフアイア基板１０の表面は滑らかな
ので抗磁力Hcの小さい磁気抵抗効果膜４を安定
に作ることができる。この磁気抵抗効果膜４の信
号検出部の両端部より第１図、第２図と同様に
Au膜をこの磁気抵抗効果膜４上に積層してこの
磁気テープ３の摺接面３ａとは反対側に導出し、
これにより磁気抵抗効果膜４に電流を流す様にす
ると共に再生信号を取り出す様にする。
ので抗磁力Hcの小さい磁気抵抗効果膜４を安定
に作ることができる。この磁気抵抗効果膜４の信
号検出部の両端部より第１図、第２図と同様に
Au膜をこの磁気抵抗効果膜４上に積層してこの
磁気テープ３の摺接面３ａとは反対側に導出し、
これにより磁気抵抗効果膜４に電流を流す様にす
ると共に再生信号を取り出す様にする。
又この磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａ上に
この磁気抵抗効果膜４と抵抗値の略等しい例えば
チタンの膜５ａを積層し、これにも電流が流れる
様にして所定のバイアス磁界が生ずる如くする。
又この場合この代りに磁気抵抗効果膜４の信号検
出部４ａの信号検出部４ａ上にAuのバーバーポ
ールを設けて所定のバイアス磁界を生ずる様にし
ても良い。
この磁気抵抗効果膜４と抵抗値の略等しい例えば
チタンの膜５ａを積層し、これにも電流が流れる
様にして所定のバイアス磁界が生ずる如くする。
又この場合この代りに磁気抵抗効果膜４の信号検
出部４ａの信号検出部４ａ上にAuのバーバーポ
ールを設けて所定のバイアス磁界を生ずる様にし
ても良い。
この磁気抵抗効果膜４、サフアイア基板１０の
全面に亘つてSiO2、Al2NO3等の絶縁層１１ａを
被着する。
全面に亘つてSiO2、Al2NO3等の絶縁層１１ａを
被着する。
この絶縁層１１ａ上に磁気抵抗効果膜４の信号
検出部４ａを跨ぐ如く、磁気テープ３のトラツク
幅ｌに相当する例えば数10μm〜数100μmの幅の
一方のコアを構成する透磁率μが大で抗磁力Hc
の小さい例えばパーマロイ、モリブデンパーマロ
イ、センダスト、アモルフアス等を厚さ例えば２
〜3μmで磁気テープ３の摺接面３ａより所定長ス
パツター又は蒸着によりコア磁性体層１２を被着
する。この場合このコア磁性体層１２の磁気抵抗
効果膜４の信号検出部４ａ上に対応する部分に２
〜5μmのギヤツプ１２ａを形成し、このギヤツプ
１２ａにより磁気テープ３よりの再生磁束が良好
に磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａに供給され
る如くなす。
検出部４ａを跨ぐ如く、磁気テープ３のトラツク
幅ｌに相当する例えば数10μm〜数100μmの幅の
一方のコアを構成する透磁率μが大で抗磁力Hc
の小さい例えばパーマロイ、モリブデンパーマロ
イ、センダスト、アモルフアス等を厚さ例えば２
〜3μmで磁気テープ３の摺接面３ａより所定長ス
パツター又は蒸着によりコア磁性体層１２を被着
する。この場合このコア磁性体層１２の磁気抵抗
効果膜４の信号検出部４ａ上に対応する部分に２
〜5μmのギヤツプ１２ａを形成し、このギヤツプ
１２ａにより磁気テープ３よりの再生磁束が良好
に磁気抵抗効果膜４の信号検出部４ａに供給され
る如くなす。
次にこのコア磁性体層１２の後方部の磁気回路
を構成する後述する他方のコアを構成するコア磁
性体層と接合する部分を除きコア磁性体層１２、
絶縁層１１ａ上全面にSiO2又はAl2O3の絶縁層１
１ｂを被着する。この場合絶縁層１１ｂは磁気テ
ープ３の摺接面３ａの近傍に於いてはヘツド磁気
ギヤツプ７に相当する例えば0.2〜0.5μmの厚さと
し、コア磁性体層１２のギヤツプ１２ａの上部に
於いては中盛となる如くする。
を構成する後述する他方のコアを構成するコア磁
性体層と接合する部分を除きコア磁性体層１２、
絶縁層１１ａ上全面にSiO2又はAl2O3の絶縁層１
１ｂを被着する。この場合絶縁層１１ｂは磁気テ
ープ３の摺接面３ａの近傍に於いてはヘツド磁気
ギヤツプ７に相当する例えば0.2〜0.5μmの厚さと
し、コア磁性体層１２のギヤツプ１２ａの上部に
於いては中盛となる如くする。
この絶縁層１１ｂ上にコア磁性体層１２と重な
る如く磁気テープ３のトラツク幅ｌに相当する例
えば数10μm〜数100μmの幅の他方のコアを構成
する透磁率μが大で抗磁力Hcの小さい例えばパ
ーマロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、
アモルフアス等を厚さ例えば２〜3μmで磁気テー
プ３の摺接面３ａより所定長スパツター又は蒸着
により他方のコア磁性体層１３を被着する。この
場合磁気テープ３の摺接面３ａに於いて、一方の
コア磁性体層１２の端部と他方のコア磁性体層１
３の端部とでヘツド磁気ギツプ７を構成する如く
すると共にこの一方及び他方のコア磁性体層１２
及び１３の夫々の後部を接合して、このコア磁性
体層１２及び１３で磁気回路を構成する如くす
る。
る如く磁気テープ３のトラツク幅ｌに相当する例
えば数10μm〜数100μmの幅の他方のコアを構成
する透磁率μが大で抗磁力Hcの小さい例えばパ
ーマロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、
アモルフアス等を厚さ例えば２〜3μmで磁気テー
プ３の摺接面３ａより所定長スパツター又は蒸着
により他方のコア磁性体層１３を被着する。この
場合磁気テープ３の摺接面３ａに於いて、一方の
コア磁性体層１２の端部と他方のコア磁性体層１
３の端部とでヘツド磁気ギツプ７を構成する如く
すると共にこの一方及び他方のコア磁性体層１２
及び１３の夫々の後部を接合して、このコア磁性
体層１２及び１３で磁気回路を構成する如くす
る。
その上に全面に亘つてSiO2又はAl2O3の絶縁層
１１ｃを被着すると共にこの絶縁層１１ｃ上に接
着剤８等により非磁性基板１０と硬度の略同じ本
例に於いてサフアイア板の保護板１４を被着す
る。
１１ｃを被着すると共にこの絶縁層１１ｃ上に接
着剤８等により非磁性基板１０と硬度の略同じ本
例に於いてサフアイア板の保護板１４を被着す
る。
本例に依れば第１図、第２図例と同様に磁気テ
ープ３に記録された信号を再生することができ
る。
ープ３に記録された信号を再生することができ
る。
この場合本例に依れば滑らかな表面のサフアイ
ア基板１０の上に直接に磁気抵抗効果膜４を形成
しているので抗磁力Hcの比較的小さい磁気抵抗
効果膜を安定して形成することができると共にサ
フアイア基板１０，１４は比較的硬度が大きいの
で耐摩耗性が良く、この為、磁気テープ３の摺接
面３ａより磁気抵抗効果膜４までの距離を比較的
小さく２〜5μmとすることができ、再生磁気効率
の良い磁気回路を得ることができ、従来に比し感
度を大幅に増大することができ、良好な再生信号
を得ることができる。
ア基板１０の上に直接に磁気抵抗効果膜４を形成
しているので抗磁力Hcの比較的小さい磁気抵抗
効果膜を安定して形成することができると共にサ
フアイア基板１０，１４は比較的硬度が大きいの
で耐摩耗性が良く、この為、磁気テープ３の摺接
面３ａより磁気抵抗効果膜４までの距離を比較的
小さく２〜5μmとすることができ、再生磁気効率
の良い磁気回路を得ることができ、従来に比し感
度を大幅に増大することができ、良好な再生信号
を得ることができる。
更に本例に依ればサフアイア基板１０，１４を
使用しているので、このサフアイア基板１０，１
４は熱伝導が良好であり、良好に熱発散をするこ
とができこの為発熱による熱雑音も低減すること
ができる。
使用しているので、このサフアイア基板１０，１
４は熱伝導が良好であり、良好に熱発散をするこ
とができこの為発熱による熱雑音も低減すること
ができる。
第４図及び第５図は夫々本発明の他の実施例を
示す。
示す。
この第４図に於いては第３図例に於いて磁気抵
抗効果膜４、サフアイア基板１０の全面に亘つて
SiO2、Al2O3等の絶縁層１１ａを被着した後、こ
の絶縁層１１ａをこの磁気抵抗効果膜４の周囲だ
けを残して除去し、一方のコア磁性体層１２を直
接サフアイア基板１０上に形成し、その他は第３
図同様に構成したものである。
抗効果膜４、サフアイア基板１０の全面に亘つて
SiO2、Al2O3等の絶縁層１１ａを被着した後、こ
の絶縁層１１ａをこの磁気抵抗効果膜４の周囲だ
けを残して除去し、一方のコア磁性体層１２を直
接サフアイア基板１０上に形成し、その他は第３
図同様に構成したものである。
この第４図に於いても第３図同様の作用効果が
得られると共にこの第４図例に於いては表面が滑
らかなサフアイア基板１０上に直接一方のコア磁
性体層１２を形成するので抗磁力Hcの小さい安
定なコア磁性体層１２を得ることができ、更に磁
気テープ３の摺接面３ａに於いて、絶縁層１１ａ
がないのでそれだけ磁気ヘツドを薄くできると共
に耐摩耗性が向上する利益がある。
得られると共にこの第４図例に於いては表面が滑
らかなサフアイア基板１０上に直接一方のコア磁
性体層１２を形成するので抗磁力Hcの小さい安
定なコア磁性体層１２を得ることができ、更に磁
気テープ３の摺接面３ａに於いて、絶縁層１１ａ
がないのでそれだけ磁気ヘツドを薄くできると共
に耐摩耗性が向上する利益がある。
又第５図は第３図に於いてバイアス磁界発生用
のチタンの膜５ａを設けることなく、複数の上述
磁気ヘツドの一方及び他方のコア磁性体層１２及
び１３間に共通に例えばAuのバイアスライン１
５を設け、これに所定の電流を流す様にし、全ト
ラツクに対する複数の磁気ヘツドに一括してバイ
アス磁界を供給したものである。
のチタンの膜５ａを設けることなく、複数の上述
磁気ヘツドの一方及び他方のコア磁性体層１２及
び１３間に共通に例えばAuのバイアスライン１
５を設け、これに所定の電流を流す様にし、全ト
ラツクに対する複数の磁気ヘツドに一括してバイ
アス磁界を供給したものである。
尚上述の実施例に依れば非磁性基板としてサフ
アイア基板を用いたが、表面粗度が良く、熱伝導
性が良いものであれば他のものも用いることがで
きる。特に表面粗度は100Å以下が好ましい。例
えばコーニング社製フオトセラム（商品名）等の
ガラスセラミツク（結晶化ガラス）を用いること
ができる。この場合、保護板１４も同じものを用
いるのが好ましいのは言うまでもない。
アイア基板を用いたが、表面粗度が良く、熱伝導
性が良いものであれば他のものも用いることがで
きる。特に表面粗度は100Å以下が好ましい。例
えばコーニング社製フオトセラム（商品名）等の
ガラスセラミツク（結晶化ガラス）を用いること
ができる。この場合、保護板１４も同じものを用
いるのが好ましいのは言うまでもない。
発明の効果
本発明に依れば抗磁力Hcの比較的小さい磁気
抵抗効果膜４を安定に形成することができると共
に磁気テープ３の摺接面３ａより磁気抵抗効果膜
までの距離を比較的小さくすることができ、再生
磁気効率の良い磁気回路を得ることができ、従来
に比し感度を大幅に増大することができ、良好な
再生信号を得ることができる。更に熱雑音も低減
することができる。
抵抗効果膜４を安定に形成することができると共
に磁気テープ３の摺接面３ａより磁気抵抗効果膜
までの距離を比較的小さくすることができ、再生
磁気効率の良い磁気回路を得ることができ、従来
に比し感度を大幅に増大することができ、良好な
再生信号を得ることができる。更に熱雑音も低減
することができる。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツドの例
を示す横断面図、第２図は第１図の−線断面
図、第３図は本発明磁気抵抗効果型磁気ヘツドの
一実施例を示す横断面図、第４図及び第５図は
夫々本発明の他の実施例を示す横断面図である。 ３は磁気テープ、４は磁気抵抗効果膜、７は磁
気ギヤツプ、１０及び１４は夫々サフアイア基
板、１１ａ，１１ｂ，１１ｃは夫々絶縁層、１２
及び１３は夫夫一方及び他方のコア磁性体層であ
る。
を示す横断面図、第２図は第１図の−線断面
図、第３図は本発明磁気抵抗効果型磁気ヘツドの
一実施例を示す横断面図、第４図及び第５図は
夫々本発明の他の実施例を示す横断面図である。 ３は磁気テープ、４は磁気抵抗効果膜、７は磁
気ギヤツプ、１０及び１４は夫々サフアイア基
板、１１ａ，１１ｂ，１１ｃは夫々絶縁層、１２
及び１３は夫夫一方及び他方のコア磁性体層であ
る。
Claims (1)
- １ 非磁性基板上に該非磁性基板の磁気記録媒体
摺接面とは離れた位置に磁気抵抗効果素子を形成
し、該磁気抵抗効果素子と磁気的に結合される第
１のコアと、上記磁気記録媒体摺接面に臨む磁気
ギヤツプを有する磁気回路を形成する如く第２の
コアを設けると共に上記磁気回路を上記非磁性基
板と挾む如くこの非磁性基板に対向する保護板を
設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13388182A JPS5924427A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13388182A JPS5924427A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924427A JPS5924427A (ja) | 1984-02-08 |
| JPH0375930B2 true JPH0375930B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=15115262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13388182A Granted JPS5924427A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924427A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132215A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド |
| JPS6266414A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS6337811A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
-
1982
- 1982-07-31 JP JP13388182A patent/JPS5924427A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5924427A (ja) | 1984-02-08 |
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