JPH0528436A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPH0528436A JPH0528436A JP3179741A JP17974191A JPH0528436A JP H0528436 A JPH0528436 A JP H0528436A JP 3179741 A JP3179741 A JP 3179741A JP 17974191 A JP17974191 A JP 17974191A JP H0528436 A JPH0528436 A JP H0528436A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果素子の電流方向と直交する方向の
幅を正確な所定幅に形成し、磁気抵抗効果素子の抵抗値
のばらつきを生じないようにすることである。 【構成】非磁性金属層２を挟んで磁気抵抗効果素子１と
強磁性体からなるバイアス層３を積層し、これに導体層
４を通してセンス電流Ｊを流し、このセンス電流Ｊによ
り前記バイアス層３が形成する磁界により前記磁気抵抗
効果素子１にバイアス磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、磁気抵抗効果素子１を所定の矩形状に形
成し、バイアス層３を、前記磁気抵抗効果素子１の電流
方向と直交する方向の幅ｈよりも磁気記録媒体との対向
面側に突出させて形成し、この磁気記録媒体との対向面
に露出した突出部３ａを有するバイアス層３を、磁気記
録媒体からの信号磁界の伝播路として形成したことを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
幅を正確な所定幅に形成し、磁気抵抗効果素子の抵抗値
のばらつきを生じないようにすることである。 【構成】非磁性金属層２を挟んで磁気抵抗効果素子１と
強磁性体からなるバイアス層３を積層し、これに導体層
４を通してセンス電流Ｊを流し、このセンス電流Ｊによ
り前記バイアス層３が形成する磁界により前記磁気抵抗
効果素子１にバイアス磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、磁気抵抗効果素子１を所定の矩形状に形
成し、バイアス層３を、前記磁気抵抗効果素子１の電流
方向と直交する方向の幅ｈよりも磁気記録媒体との対向
面側に突出させて形成し、この磁気記録媒体との対向面
に露出した突出部３ａを有するバイアス層３を、磁気記
録媒体からの信号磁界の伝播路として形成したことを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置や
磁気テープ装置などに用いる薄膜磁気ヘッド、特に磁気
抵抗効果型ヘッドに関するものである。
磁気テープ装置などに用いる薄膜磁気ヘッド、特に磁気
抵抗効果型ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータシステムの外部記憶
装置である磁気ディスク装置の小型化・大容量化に伴
い、磁気ディスク装置で用いる薄膜磁気ヘッドの高性能
化が要求されている。この要求を満足させるものとし
て、磁気ディスクの回転速度に依存せずに高出力が得ら
れる磁気抵抗効果型ヘッドが注目されている。
装置である磁気ディスク装置の小型化・大容量化に伴
い、磁気ディスク装置で用いる薄膜磁気ヘッドの高性能
化が要求されている。この要求を満足させるものとし
て、磁気ディスクの回転速度に依存せずに高出力が得ら
れる磁気抵抗効果型ヘッドが注目されている。
【０００３】図５は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部
を拡大して示した斜視図、図６はその側断面図であり、
８はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる矩形の
磁気抵抗効果素子、９はチタン（Ti）、タングステン
（W)、またはモリブデン(Mo)などからなる非磁性金属
層、１０はコバルト(Co)系非晶質磁性膜あるいはニッケ
ル・鉄・ロジウム(NiFeRh)磁性膜または窒化鉄膜(FeN)
などの強磁性体膜からなるバイアス層であり、これらは
スパッタリングなどの真空蒸着技術により順次積層形成
され、磁気ディスクとの対向面１４において端部が揃っ
て形成されている。
を拡大して示した斜視図、図６はその側断面図であり、
８はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる矩形の
磁気抵抗効果素子、９はチタン（Ti）、タングステン
（W)、またはモリブデン(Mo)などからなる非磁性金属
層、１０はコバルト(Co)系非晶質磁性膜あるいはニッケ
ル・鉄・ロジウム(NiFeRh)磁性膜または窒化鉄膜(FeN)
などの強磁性体膜からなるバイアス層であり、これらは
スパッタリングなどの真空蒸着技術により順次積層形成
され、磁気ディスクとの対向面１４において端部が揃っ
て形成されている。
【０００４】非磁性金属層９は、磁気抵抗効果素子８と
バイアス層１０との間で磁気交換結合を避けるために設
けたスペーサの役目をなす。１１は金(Au)膜からなる引
き出し導体層、１２は非磁性絶縁層、１３ａ，１３ｂは
ニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる磁気シール
ド層である。
バイアス層１０との間で磁気交換結合を避けるために設
けたスペーサの役目をなす。１１は金(Au)膜からなる引
き出し導体層、１２は非磁性絶縁層、１３ａ，１３ｂは
ニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる磁気シール
ド層である。
【０００５】磁気抵抗効果素子８およびバイアス層１０
は、その長手方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸が一致する
ように矩形に形成されている。引き出し導体層１１は、
磁気抵抗効果素子８の長手方向に対して所定幅（磁気デ
ィスクのトラック幅に相当）で切除されて、磁気抵抗効
果素子８の両端部に接合している。
は、その長手方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸が一致する
ように矩形に形成されている。引き出し導体層１１は、
磁気抵抗効果素子８の長手方向に対して所定幅（磁気デ
ィスクのトラック幅に相当）で切除されて、磁気抵抗効
果素子８の両端部に接合している。
【０００６】磁気抵抗効果素子８，非磁性金属層９，バ
イアス層１０，および引き出し導体層１１は、二つの磁
気シールド層１３ａ，１３ｂの間（再生ギャップに相
当）に配置されるが、非磁性絶縁層１２を介して磁気シ
ールド層１３ａ，１３ｂと電気的に絶縁されている。こ
れらは、たとえば磁気シールド層１３ａ側から順次積層
され、さらに、図６に示すように、磁気ディスクとの対
向面１４が、点線で示す寸法からラッピング加工によっ
て、磁気抵抗効果素子８の電流方向と直交する方向の幅
（高さ）ｈが所定値になるように加工されて磁気抵抗効
果型ヘッドが形成される。
イアス層１０，および引き出し導体層１１は、二つの磁
気シールド層１３ａ，１３ｂの間（再生ギャップに相
当）に配置されるが、非磁性絶縁層１２を介して磁気シ
ールド層１３ａ，１３ｂと電気的に絶縁されている。こ
れらは、たとえば磁気シールド層１３ａ側から順次積層
され、さらに、図６に示すように、磁気ディスクとの対
向面１４が、点線で示す寸法からラッピング加工によっ
て、磁気抵抗効果素子８の電流方向と直交する方向の幅
（高さ）ｈが所定値になるように加工されて磁気抵抗効
果型ヘッドが形成される。
【０００７】センス電流ｊは、図５に示すように、引き
出し導体層１１を通して磁気抵抗効果素子８と非磁性金
属層９およびバイアス層１０に流れ、引き出し導体層１
１で画定される長方形の磁気抵抗効果素子８の信号検知
領域８ａに流れる。また、非磁性金属層９を流れる電流
が作る磁界、ならびに磁気抵抗効果素子８と非磁性金属
層９を流れる電流が作る磁界により磁化したバイアス層
１０からの漏洩磁界、の二つの磁界によって磁気抵抗効
果素子８はバイアス磁界を受ける。これにより、磁気抵
抗効果型ヘッドは、ヘッド真下の磁気ディスクからの信
号磁界に対して線型動作し、この信号検知領域８ａの抵
抗変化に変換して、磁気ディスクに残留磁化の形で記録
された情報を読取る。
出し導体層１１を通して磁気抵抗効果素子８と非磁性金
属層９およびバイアス層１０に流れ、引き出し導体層１
１で画定される長方形の磁気抵抗効果素子８の信号検知
領域８ａに流れる。また、非磁性金属層９を流れる電流
が作る磁界、ならびに磁気抵抗効果素子８と非磁性金属
層９を流れる電流が作る磁界により磁化したバイアス層
１０からの漏洩磁界、の二つの磁界によって磁気抵抗効
果素子８はバイアス磁界を受ける。これにより、磁気抵
抗効果型ヘッドは、ヘッド真下の磁気ディスクからの信
号磁界に対して線型動作し、この信号検知領域８ａの抵
抗変化に変換して、磁気ディスクに残留磁化の形で記録
された情報を読取る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の磁気
抵抗効果型ヘッドにおいては、前記磁気抵抗効果素子８
の電流方向と直交する方向の幅（高さ）ｈは、ラッピン
グ加工により規定されるものであるが、この幅ｈは３〜
５μｍという小さな値であるのに対し、ラッピング加工
精度は±１μｍ程度の加工誤差があり、この誤差は前記
磁気抵抗効果素子８の幅ｈを規定するには影響が大き
く、この幅ｈを精度よく所望の値にすることは困難であ
った。このため磁気抵抗効果素子８の幅ｈの加工のばら
つきが磁気抵抗効果素子８の抵抗値のばらつきとなり、
これは磁気抵抗効果型ヘッド毎の再生出力に大きなばら
つきを生じるという問題があった。
抵抗効果型ヘッドにおいては、前記磁気抵抗効果素子８
の電流方向と直交する方向の幅（高さ）ｈは、ラッピン
グ加工により規定されるものであるが、この幅ｈは３〜
５μｍという小さな値であるのに対し、ラッピング加工
精度は±１μｍ程度の加工誤差があり、この誤差は前記
磁気抵抗効果素子８の幅ｈを規定するには影響が大き
く、この幅ｈを精度よく所望の値にすることは困難であ
った。このため磁気抵抗効果素子８の幅ｈの加工のばら
つきが磁気抵抗効果素子８の抵抗値のばらつきとなり、
これは磁気抵抗効果型ヘッド毎の再生出力に大きなばら
つきを生じるという問題があった。
【０００９】この発明は、磁気抵抗効果型ヘッドの磁気
ディスクとの対向面のラッピング加工誤差が、磁気抵抗
効果素子の電流方向と直交する方向の規定された幅（高
さ）ｈに影響を与えずに、正確な設定幅を形成すること
ができ、磁気抵抗効果素子の抵抗値のばらつきのない磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
ディスクとの対向面のラッピング加工誤差が、磁気抵抗
効果素子の電流方向と直交する方向の規定された幅（高
さ）ｈに影響を与えずに、正確な設定幅を形成すること
ができ、磁気抵抗効果素子の抵抗値のばらつきのない磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記課題を
解決するため、図１の（ａ）に示すように、非磁性金属
層２を挟んで磁気抵抗効果素子１と強磁性体からなるバ
イアス層３を積層し、これに導体層４を通してセンス電
流Ｊを流し、このセンス電流Ｊにより前記バイアス層３
が形成する磁界により前記磁気抵抗効果素子１にバイア
ス磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気
抵抗効果素子１を所定の矩形状に形成し、バイアス層３
を、前記磁気抵抗効果素子１の電流方向と直交する方向
の幅ｈよりも磁気記録媒体との対向面側に突出させて形
成し、この磁気記録媒体との対向面に露出した突出部３
ａを有するバイアス層３を、磁気記録媒体からの信号磁
界の伝播路として形成したことを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドとしたものである。
解決するため、図１の（ａ）に示すように、非磁性金属
層２を挟んで磁気抵抗効果素子１と強磁性体からなるバ
イアス層３を積層し、これに導体層４を通してセンス電
流Ｊを流し、このセンス電流Ｊにより前記バイアス層３
が形成する磁界により前記磁気抵抗効果素子１にバイア
ス磁界を印加する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気
抵抗効果素子１を所定の矩形状に形成し、バイアス層３
を、前記磁気抵抗効果素子１の電流方向と直交する方向
の幅ｈよりも磁気記録媒体との対向面側に突出させて形
成し、この磁気記録媒体との対向面に露出した突出部３
ａを有するバイアス層３を、磁気記録媒体からの信号磁
界の伝播路として形成したことを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドとしたものである。
【００１１】また、図１の（ｂ）に示すように、前記磁
気抵抗効果素子１の電流方向と直交する方向の幅ｈより
も磁気記録媒体との対向面側に突出させて形成したバイ
アス層３の突出部３ａを、磁気抵抗効果素子１の信号検
知領域１ａに近接した部分のみとしたことを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
気抵抗効果素子１の電流方向と直交する方向の幅ｈより
も磁気記録媒体との対向面側に突出させて形成したバイ
アス層３の突出部３ａを、磁気抵抗効果素子１の信号検
知領域１ａに近接した部分のみとしたことを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
【００１２】
【作用】この発明によれば、磁気抵抗効果素子１をフォ
トリソグラフィ技術により所定の矩形に形成し、かつ、
その電流方向と直交する方向の幅ｈを設計値に正確に形
成し、バイアス層３を磁気記録媒体との対向面側に突出
して形成し、その突出した対向面側をラッピング加工し
て、バイアス層３を磁気記録媒体からの信号磁界の伝播
路としたものであるから、磁気抵抗効果素子１自体はラ
ッピング加工されることなく、フォトリソグラフィ技術
により正確に規定された電流方向と直交する方向の幅を
保持することができるので、磁気抵抗効果素子１の抵抗
値のばらつきがなくなり、磁気抵抗効果型ヘッド毎の再
生出力に大きなばらつきを生じるという問題がなくな
る。
トリソグラフィ技術により所定の矩形に形成し、かつ、
その電流方向と直交する方向の幅ｈを設計値に正確に形
成し、バイアス層３を磁気記録媒体との対向面側に突出
して形成し、その突出した対向面側をラッピング加工し
て、バイアス層３を磁気記録媒体からの信号磁界の伝播
路としたものであるから、磁気抵抗効果素子１自体はラ
ッピング加工されることなく、フォトリソグラフィ技術
により正確に規定された電流方向と直交する方向の幅を
保持することができるので、磁気抵抗効果素子１の抵抗
値のばらつきがなくなり、磁気抵抗効果型ヘッド毎の再
生出力に大きなばらつきを生じるという問題がなくな
る。
【００１３】
【実施例】図２はこの発明の一実施例の概略を示す斜視
図、図３はその要部の側断面図である。これらの図にお
いて、１はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる
矩形の磁気抵抗効果素子であり、フォトリソグラフィ技
術により正確に矩形に形成され、その電流方向と直交す
る方向の幅ｈが設計値に正確に形成されている。２はチ
タン（Ti）、タングステン（W)、またはモリブデン(Mo)
などからなる非磁性金属層、３はコバルト(Co)系非晶質
磁性膜あるいはニッケル・鉄・ロジウム(NiFeRh)磁性膜
または窒化鉄膜(FeN) などの強磁性体膜からなるバイア
ス層であり、このバイアス層３は前記磁気抵抗効果素子
１の電流方向と直交する方向の幅ｈよりも大きく作成さ
れ、磁気ディスクとの対向面側に突出している。
図、図３はその要部の側断面図である。これらの図にお
いて、１はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる
矩形の磁気抵抗効果素子であり、フォトリソグラフィ技
術により正確に矩形に形成され、その電流方向と直交す
る方向の幅ｈが設計値に正確に形成されている。２はチ
タン（Ti）、タングステン（W)、またはモリブデン(Mo)
などからなる非磁性金属層、３はコバルト(Co)系非晶質
磁性膜あるいはニッケル・鉄・ロジウム(NiFeRh)磁性膜
または窒化鉄膜(FeN) などの強磁性体膜からなるバイア
ス層であり、このバイアス層３は前記磁気抵抗効果素子
１の電流方向と直交する方向の幅ｈよりも大きく作成さ
れ、磁気ディスクとの対向面側に突出している。
【００１４】これら磁気抵抗効果素子１と非磁性金属層
２とバイアス層３は積層構造となっており、非磁性金属
層２は磁気抵抗効果素子１とバイアス層３が磁気交換結
合を避けるために設けたスペーサの役目をなす。４は金
(Au)からなる引き出し導体層、５は非磁性絶縁層、６
ａ，６ｂはＮｉＦｅなどの強磁性体膜からなる磁気シー
ルド層である。
２とバイアス層３は積層構造となっており、非磁性金属
層２は磁気抵抗効果素子１とバイアス層３が磁気交換結
合を避けるために設けたスペーサの役目をなす。４は金
(Au)からなる引き出し導体層、５は非磁性絶縁層、６
ａ，６ｂはＮｉＦｅなどの強磁性体膜からなる磁気シー
ルド層である。
【００１５】磁気抵抗効果素子１およびバイアス層３
は、その長手方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸が一致する
ように矩形に形成されている。磁気抵抗効果素子１の電
流方向と直交する方向の幅ｈは設計された所望の値に設
定されるが、バイアス層３の幅は前記幅ｈよりも大きく
なっている。引き出し導体層４は、磁気抵抗効果素子１
の長手方向に対して所定幅で切除されて、磁気抵抗効果
素子１の両端部に接合されている。
は、その長手方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸が一致する
ように矩形に形成されている。磁気抵抗効果素子１の電
流方向と直交する方向の幅ｈは設計された所望の値に設
定されるが、バイアス層３の幅は前記幅ｈよりも大きく
なっている。引き出し導体層４は、磁気抵抗効果素子１
の長手方向に対して所定幅で切除されて、磁気抵抗効果
素子１の両端部に接合されている。
【００１６】磁気抵抗効果素子１，非磁性金属層２，バ
イアス層３，および引き出し導体層４は、二つの磁気シ
ールド層６ａ，６ｂの間（再生ギャップに相当）に配置
されるが、非磁性絶縁層５を介して磁気シールド層６
ａ，６ｂと電気的に絶縁されている。これらは、たとえ
ば磁気シールド層６ａ側から順次積層され、さらに、図
３に示すように、磁気ディスクとの対向面７はバイアス
層３の突出部３ａのみが露出するようにラッピング加工
され、磁気ディスクとの対向面に露出したバイアス層３
が磁気ディスクからの信号磁界の伝播路を形成するよう
にして、磁気抵抗効果型ヘッドが形成される。
イアス層３，および引き出し導体層４は、二つの磁気シ
ールド層６ａ，６ｂの間（再生ギャップに相当）に配置
されるが、非磁性絶縁層５を介して磁気シールド層６
ａ，６ｂと電気的に絶縁されている。これらは、たとえ
ば磁気シールド層６ａ側から順次積層され、さらに、図
３に示すように、磁気ディスクとの対向面７はバイアス
層３の突出部３ａのみが露出するようにラッピング加工
され、磁気ディスクとの対向面に露出したバイアス層３
が磁気ディスクからの信号磁界の伝播路を形成するよう
にして、磁気抵抗効果型ヘッドが形成される。
【００１７】センス電流ｊは、図２に示すように、引き
出し導体層４を通して磁気抵抗効果素子１と非磁性金属
層２およびバイアス層３に流れ、引き出し導体層４で画
定される長方形の磁気抵抗効果素子１の信号検知領域１
ａに流れる。また、非磁性金属層２を流れる電流が作る
磁界、ならびに磁気抵抗効果素子１と非磁性金属層２を
流れる電流が作る磁界とにより磁化したバイアス層３か
らの漏洩磁界、の二つの磁界によって磁気抵抗効果素子
１はバイアス磁界を受ける。これにより、磁気抵抗効果
型ヘッドはヘッド真下の磁気ディスクからの信号磁界に
対して線型動作し、この信号検知領域１ａの抵抗変化に
変換して磁気ディスクに残留磁化の形で記録された情報
を読取る。
出し導体層４を通して磁気抵抗効果素子１と非磁性金属
層２およびバイアス層３に流れ、引き出し導体層４で画
定される長方形の磁気抵抗効果素子１の信号検知領域１
ａに流れる。また、非磁性金属層２を流れる電流が作る
磁界、ならびに磁気抵抗効果素子１と非磁性金属層２を
流れる電流が作る磁界とにより磁化したバイアス層３か
らの漏洩磁界、の二つの磁界によって磁気抵抗効果素子
１はバイアス磁界を受ける。これにより、磁気抵抗効果
型ヘッドはヘッド真下の磁気ディスクからの信号磁界に
対して線型動作し、この信号検知領域１ａの抵抗変化に
変換して磁気ディスクに残留磁化の形で記録された情報
を読取る。
【００１８】図４はこの発明の他の実施例の概略を示す
斜視図であり、前記磁気抵抗効果素子１の電流方向と直
交する方向の幅ｈよりも磁気ディスクとの対向面側に突
出させて形成したバイアス層３の突出部３ａを、磁気抵
抗効果素子１の信号検知領域１ａに近接した部分のみと
し、その他の磁気ディスクとの対向部分を後退させて形
成したものである。このようにした場合は、磁気ディス
クの、磁気抵抗効果素子１の信号検知領域１ａに隣接し
た、記録トラックからのサイドクロストークを低減する
利点がある。また、この発明の磁気抵抗効果型ヘッド
は、磁気テープにも適用可能である。
斜視図であり、前記磁気抵抗効果素子１の電流方向と直
交する方向の幅ｈよりも磁気ディスクとの対向面側に突
出させて形成したバイアス層３の突出部３ａを、磁気抵
抗効果素子１の信号検知領域１ａに近接した部分のみと
し、その他の磁気ディスクとの対向部分を後退させて形
成したものである。このようにした場合は、磁気ディス
クの、磁気抵抗効果素子１の信号検知領域１ａに隣接し
た、記録トラックからのサイドクロストークを低減する
利点がある。また、この発明の磁気抵抗効果型ヘッド
は、磁気テープにも適用可能である。
【００１９】
【発明の効果】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁
気抵抗効果素子を例えばフォトリソグラフィ技術により
所定の矩形に形成し、かつ、その電流方向と直交する方
向の幅を設計値に正確に形成し、バイアス層を磁気記録
媒体との対向面側に突出して形成し、その突出した対向
面側をラッピング加工して、バイアス層を磁気記録媒体
からの信号磁界の伝播路としたものであるから、磁気抵
抗効果素子自体はラッピング加工されることなく、フォ
トリソグラフィ技術により正確に規定された電流方向と
直交する方向の幅を保持することができるので、磁気抵
抗効果素子の抵抗値のばらつきがなくなり、磁気抵抗効
果型ヘッド毎の再生出力に大きなばらつきを生じるとい
う問題がなくなり、安定した再生出力が得られるもので
ある。
気抵抗効果素子を例えばフォトリソグラフィ技術により
所定の矩形に形成し、かつ、その電流方向と直交する方
向の幅を設計値に正確に形成し、バイアス層を磁気記録
媒体との対向面側に突出して形成し、その突出した対向
面側をラッピング加工して、バイアス層を磁気記録媒体
からの信号磁界の伝播路としたものであるから、磁気抵
抗効果素子自体はラッピング加工されることなく、フォ
トリソグラフィ技術により正確に規定された電流方向と
直交する方向の幅を保持することができるので、磁気抵
抗効果素子の抵抗値のばらつきがなくなり、磁気抵抗効
果型ヘッド毎の再生出力に大きなばらつきを生じるとい
う問題がなくなり、安定した再生出力が得られるもので
ある。
【図１】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例の
概略を示す斜視図である。
概略を示す斜視図である。
【図３】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の側断
面図である。
面図である。
【図４】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施例
の概略を示す斜視図である。
の概略を示す斜視図である。
【図５】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す斜視
図である。
図である。
【図６】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の側断面図
である。
である。
１ 磁気抵抗効果素子
１ａ 信号検知領域
２ 非磁性金属層
３ バイアス層
３ａ 突出部
４ 引き出し導体層
５ 非磁性絶縁層
６ａ，６ｂ 磁気シールド層
７ 磁気ディスクとの対向面
８ 磁気抵抗効果素子
８ａ 信号検知領域
９ 非磁性金属層
１０ バイアス層
１１ 引き出し導体層
１２ 非磁性絶縁層
１３ａ，１３ｂ 磁気シールド層
１４ 磁気ディスクとの対向面
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性金属層（２）を挟んで磁気抵抗効果
素子（１）と強磁性体からなるバイアス層（３）を積層
し、これに導体層（４）を通してセンス電流Ｊを流し、
このセンス電流Ｊにより前記バイアス層（３）が形成す
る磁界により前記磁気抵抗効果素子（１）にバイアス磁
界を印加する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子（１）を所定の矩形状に形成し、バイアス層
（３）を、前記磁気抵抗効果素子（１）の電流方向と直
交する方向の幅ｈよりも磁気記録媒体との対向面側に突
出させて形成し、この磁気記録媒体との対向面に露出し
た突出部（３ａ）を有するバイアス層（３）を、磁気記
録媒体からの信号磁界の伝播路として形成したことを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】前記磁気抵抗効果素子（１）の電流方向と
直交する方向の幅ｈよりも磁気記録媒体との対向面側に
突出させて形成した前記バイアス層（３）の突出部（３
ａ）を、磁気抵抗効果素子（１）の信号検知領域（１
ａ）に近接した部分のみとしたことを特徴とする請求項
１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179741A JPH0528436A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179741A JPH0528436A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528436A true JPH0528436A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16071059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179741A Withdrawn JPH0528436A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528436A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694911A2 (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | Sony Corporation | Magnetic resistance type magnetic head and composite type magnetic head for recording/reproducing, and production method for the same |
| US5661621A (en) * | 1994-09-08 | 1997-08-26 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| US6074535A (en) * | 1994-09-09 | 2000-06-13 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head, method of fabricating the same and magnetic recording apparatus |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3179741A patent/JPH0528436A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694911A2 (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | Sony Corporation | Magnetic resistance type magnetic head and composite type magnetic head for recording/reproducing, and production method for the same |
| EP0694911A3 (en) * | 1994-07-29 | 1996-04-24 | Sony Corp | Magnetic resistance and composite type magnetic head for recording and reproducing, manufacturing method therefor |
| US5661621A (en) * | 1994-09-08 | 1997-08-26 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| US6074535A (en) * | 1994-09-09 | 2000-06-13 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head, method of fabricating the same and magnetic recording apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |