JPH0247825A - 荷電ビーム描画データ作成方法 - Google Patents

荷電ビーム描画データ作成方法

Info

Publication number
JPH0247825A
JPH0247825A JP63198032A JP19803288A JPH0247825A JP H0247825 A JPH0247825 A JP H0247825A JP 63198032 A JP63198032 A JP 63198032A JP 19803288 A JP19803288 A JP 19803288A JP H0247825 A JPH0247825 A JP H0247825A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
area
unit
figures
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63198032A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Moriizumi
森泉 幸一
Takeshi Fujino
毅 藤野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63198032A priority Critical patent/JPH0247825A/ja
Priority to US07/278,452 priority patent/US5008830A/en
Publication of JPH0247825A publication Critical patent/JPH0247825A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T11/002D [Two Dimensional] image generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路等のパターンをマスクや半
導体ウェハに描画するベクタスキャン方式の荷電ビーム
露光装置用の荷電ビーム描画データを作成する方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来の荷電ビーム描画データの作成方法を第8図のフロ
ーチャートにより説明する。まず、CAD (Comp
uter Aided Design)システム等の設
計システムから出力されたパターン・データがデータベ
ース(1)に格納される。このパターン・データは一般
に、反復して現れる同一形状の図形(セル)データ、セ
ルとセルとの組み合わせ情報、セルの配置情報、セル以
外の図形データ等からなる多数の階層構造を有している
。データベース(1)内のパターン・データは階層構造
展開工程(2)において、階層のない図形のみの図形処
理用データに展開され、データベース(3)に格納され
る。このとき、データは全て矩形、台形及び多角形等の
基本図形で記述され、基本図形毎に配置情報を有する場
合もある。
次に、データベース(3)内の図形処理用データはフィ
ールド分割工程(4)で、露光に用いる荷電ビーム露光
装置の単位描画領域(以下、フィールドとする)毎に分
割され、データベース(5)に格納される。さらに、フ
ィールド毎に分割された図形処理用データは重複除去・
白黒反転処理工程(6)及び図形拡大縮小処理工程(8
)で各種の図形修正処理が施される。すなわち、まず重
複除去・白黒反転処理工程(6)において、基本図形間
の重複が除去されると共に必要に応じて白黒反転処理が
施され、データベース(7)に格納される。このとき、
各図形の配置情報は全て展開されることとなる0次にデ
ータベース(7)内の図形処理用データは図形拡大縮小
処理工程(8)において、各基本図形の拡大あるいは縮
小処理が施され、データベース(9)に格納される。こ
こでは、実際にエツチング等の製造技術により形成され
たパターンが設計通りのものになるように、予めその製
造技術に対応して必要な微調整分だけ各基本図形の拡大
あるいは縮小を行うものである。このとき、各基本図形
間の接続を考慮しなから拡大・縮小がなされる。
このようにして図形の修正がなされた図形処理用データ
は、最後にフォーマット変換工程(10)で基本図形の
うちの多角形が矩形あるいは台形に分割され、使用する
荷電ビーム露光装置に適したフォーマットに変換されて
荷電ビーム描画データとしてデータベース(11)に格
納される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしなから、従来の荷電ビーム描画データの作成方法
では、CADシステムから出力された多数の階層構造を
有するパターン・データをNrMシて基本図形のみのデ
ータに変換し、さらに配置情報を持った図形も全て同一
平面上の図形に変換した後、重複除去・白黒反転処理及
び図形拡大縮小処理等の図形修正処理を施すため、荷電
ビーム描画データの作成に大きなデータ容量が必要にな
ると共に多大の時間を要するという問題点があった。
特に、近年ますます要求される半導体装置の高密度化の
下では、描画データ作成に要するデータ容量が大きくな
りすぎて、実質上荷電ビーム描画データの作成が困難に
なる恐れが生じてくる。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、小さなデータ容量で荷電ビーム露光装置用の描
画データを短時間で作成することのできる荷電ビーム描
画データ作成方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る荷電ビーム描画データ作成方法は、 多数の階層構造を有するパターン・データからアレイ状
に反復して配列されたユニット図形とこのユニット図形
がすき間なく敷き詰められているエリアとを決定し、パ
ターン・データをエリアを有する全体の図形とユニット
図形とからなる二層構造の第1の図形処理用データに変
換する工程と、この第1の図形処理用データにおけるエ
リアを有する全体の図形をエリア内とエリア外とにおい
てそれぞれ別々に荷電ビーム露光装置の単位描画領域毎
に分割して第2の図形処理用データを作成する工程と、 この第2の図形処理用データにおけるエリア外の図形と
ユニット図形とにそれぞれ別々に図形修正処理を施して
第3の図形処理用データを作成する工程と、 この第3の図形処理用データを荷電ビーム露光装置に適
したフォーマットに変換してこれを描画データとする工
程とを備えた方法である。
〔作用〕
この発明においては、アレイ状に反復して配列されたユ
ニット図形とこのユニット図形がすき間なく敷き詰めら
れているエリアとが決定され、図形修正処理がエリア外
の図形とユニット図形とにそれぞれ別々に施される。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
第1図はこの発明の一実施例に係る荷電ビーム描画デー
タ作成方法を概略的に示すフローチャートである。まず
、CADシステム等の設計システムから出力された多数
の階層構造を有するパターン・データがデータベース(
21)に格納される。
次に、データベース(21)内のパターン・データはユ
ニット・エリア構成工程(22)において解析され、ア
レイ状に反復して配列されたユニット図形とこのユニッ
ト図形がすき間なく且つ重なることなく敷き詰められて
いるエリアとが決定される。
例えば、第2A図に示すような全体のパターン(32)
からアレイ配置された図形群(33)が捜し出され、第
2B図に示すユニット図形(34)と第2C図に示すエ
リア(35)とが決定される。このとき、エリア(35
)はその内部に他の図形(36)が侵入しないように決
定される。また、エリア(35)が複数存在する場合に
はエリア(35)同志が重ならないようにする。
尚、後に図形拡大縮小処理を施す場合には、拡大縮小後
のエリア(35)の輪郭部における図形の連続性を保つ
ために、第3図に示すごとくアレイ配置された図形群(
33)の周に沿ってユニット図形(34)−個分だけ取
り除いた範囲をエリア(35)とする。
また、第4A図のように図形群(33)の各図形(37
)が互いに少しずつ重なりなからアレイ配置されるため
に、第4B図に示す各図形(37)のサイズ(xXy)
がアレイ配置のピッチdx、dyよりも大きくなる場合
には、第4A図のごとく四方に図形(37)が隣接して
アレイ配置された状態の斜線部の範囲(dxXdy)を
ユニット図形(34)として切り出すく第4C図参照)
。さらに、この場合には後に図形拡大縮小処理を施すか
否かに拘わらず、アレイ配置された図形群(33)の周
に沿ってユニット図形(34)−個分だけ取り除いた範
囲をエリア(35)とする、これも、エリア(35)の
輪郭部における図形の連続性を保持するためのものであ
る。
このようにして、データベース(21)内のパターン・
データは、エリア(35)を有した全体の図形とユニッ
ト図形(34)とからなる二層構造を有し且つ矩形、台
形及び多角形等の基本図形で記述された第1の図形処理
用データに変換された後、第1図のデータベース(23
)に格納される。
次に、第1の図形処理用データはフィールド分割工程(
24)で、露光に用いる荷電ビーム露光装置の単位描画
領域(フィールド)毎に分割され、第2の図形処理用デ
ータとしてデータベース(25)に格納される。このと
き、エリア(35)内とエリア(35)外とではそれぞ
れ別々にフィールド分割が行なわれる。例えば、第5A
図に示すエリア(35)外のパターン(32)は、第5
B図に示すように、まずエリア(35)に拘わらずにそ
のパターン(32)の原点01を基準として複数のフィ
ールド(38)に分割される。ただし、エリア(35)
の部分(斜線部分)は全て所定のデータ (1あるいは
0等)の図形があるものとして取り扱う。また、エリア
(35)内は第5C図に示すように、フィールド(38
)の原点0□が必ずエリア(35)の原点0、からユニ
ット図形(34)の整数倍の位置にくるように分割する
。このようにすることにより、隣接するフィールド(3
8)間の図形の連続性が保持される。
その後、第1図のデータベース(25)内の第2の図形
処理用データに、重複除去・白黒反転処理工程(26)
及び図形拡大縮小処理工程(28)で各種の図形修正処
理が施される。これらの図形修正処理は、エリア(35
)の内外でそれぞれ別々に行なわれる。すなわち、まず
重複除去・白黒反転処理工程(26)では、エリア(3
5)外のパターン(32)における基本図形間の重複が
除去されると共に必要に応じて白黒反転処理が施される
一方、一つのユニット図形(34)に同様の重複除去及
び白黒反転処理が施される。このとき、エリア(35)
外のパターン(32)を分割したフィールド(38)の
一部にエリア(35)が入り込んでいる場合には、上述
したようにエリア(35)の部分が全て所定のデータの
図形があるものとして取り扱われるので、このエリア(
35)は通常の矩形と同様に白黒反転処理される。また
、エリア(35)内の処理については、一つのユニット
図形(34)に処理を施すだけで済み、極めて簡単に完
了する。
このようにして重複除去及び白黒反転処理が施された図
形処理用データは一旦第1図のデータベース(27)内
に格納された後、図形拡大縮小処理工程(28)におい
て、各基本図形の拡大あるいは縮小処理が施され、第3
の図形処理用データとしてデータベース(29)に格納
される。この図形の拡大縮小は、実際にエツチング等の
製造技術により形成されたパターンが設計通りのものに
なるように、予め基本図形のV&調整を行うものである
この図形拡大縮小処理も、エリア(35)の内外におい
てそれぞれ別々に行なわれる。
ただし、第6A図に示すようにエリア(35)外のパタ
ーン(32)を分割したフィールド(38)の一部にエ
リア(35)が入り込んでいる場合には、第6B図のよ
うにこのエリア(35)の輪郭に沿ってエリア(35)
側にユニット図形(34)を−個分だけ付は加えた状態
で図形の拡大あるいは縮小処理を行い、その後付は加え
たユニット図形(34)を削除する。これは、エリア(
35)の輪郭部における他の図形(36)との接続性を
損なわないためである。また、各基本図形間の接続を考
慮しなから拡大・縮小がなされる。一方、エリア(35
)内の処理については、第7A図に示すユニット図形(
34)を第7B図のごとく3×3個配置した状態で基本
図形間の接続を考慮しなから拡大あるいは縮小を行った
後、中央のユニット図形(34)を切り出してこれを処
理後のユニット図形(34a)とする、拡大処理を行っ
た場合の新しいユニット図形(34a)を第7C図に示
す。
このようにしてユニット図形(34)とエリア(35)
外のパターン(32)とに別々に図形の修正処理がなさ
れて得られた第3の図形処理用データは、第1図におい
て最後にフォーマット変換工程(30)で、まずユニッ
ト図形(34)がエリア(35)内にアレイ配置され、
パターン〈32)全体が同一平面上のデータで表される
0次に、基本図形のうちの多角形が矩形あるいは台形に
分割され、使用する荷電ビーム露光装置に適したフォー
マットに変換されて荷電ビーム描画データとしてデータ
ベース(31)に格納される。
以上のようにこの実施例によれば、エリア(35)内の
重複除去・白黒反転処理及び図形拡大縮小処理等の図形
修正処理については一つのユニット図形(34)に施す
だけで済み、エリア(35)内の全ての図形に処理を施
す必要がなくなる。従って、荷電ビーム描画データ作成
の速度が大幅に向上すると共に処理のために必要なデー
タ容量を大幅に削減することができる。実際に4MDR
AMの描画データを作成したところ、処理時間及びデー
タ容量共に従来の172ω以下で済んだ。
尚、上記の実施例では、各工程毎にデータをデータベー
スに格納しているが、各工程を連続して行うことにより
、描画データを作成するまでデータベースに格納しない
ように構成することもできる。すなわち、第1図におい
て各工程の間に置かれているデータベース(23)、(
25)、(27)及び(29)を不要とすることができ
る。
また、上記の実施例では、重複除去・白黒反転処理工程
(26)の後に図形拡大縮小処理工程(28)を行って
いるが、これとは逆に図形拡大縮小処理工程(28)を
先に行ってもよい。
さらに、各工程(22)、(24)、(26)、(28
)及び(30)はコンピュータプログラムにより実施可
能であるが、これらの工程をゲートアレイ等のLSIを
用いて実施させれば処理時間を一層短縮させることがで
きる。
〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明によれば、多数の階JWP
R造を有するパターン・データからアレイ状に反復して
配列されたユニット図形とこのユニット図形がすき間な
く敷き詰められているエリアとを決定し、パターン・デ
ータをエリアを有する全体の図形とユニット図形とから
なる二層構造の第1の図形処理用データに変換する工程
と、この第1の図形処理用データにおけるエリアを有す
る全体の図形をエリア内とエリア外とにおいてそれぞれ
別々に荷電ビーム露光装置の単位描画領域毎に分割して
第2の図形処理用データを作成する工程と、この第2の
図形処理用データにおけるエリア外の図形とユニット図
形とにそれぞれ別々に図形修正処理を施して第3の図形
処理用データを作成する工程と、この第3の図形処理用
データを荷電ビーム露光装置に適したフォーマットに変
換してこれを描画データとする工程とを備えているので
、小さなデータ容量で荷電ビーム露光装置用の描画デー
タを短時間で作成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る荷電ビーム描画デー
タ作成方法を概略的に示すフローチャート図、第2A〜
2C図はユニット・エリア構成工程を説明するための図
、第3図はエリアの決定方法を示す図、第4A〜40図
はユニット図形の決定方法を示す図、第5A〜50図は
フィールド分割工程を説明するための図、第6A〜6B
図は図形拡大縮小処理工程におけるエリアの取り扱いの
方法を示す図、第7A〜7C図は図形拡大縮小処理工程
におけるユニット図形の決定方法を示す図、第8図は従
来の荷電ビーム描画データ作成方法を概略的に示すフロ
ーチャート図である。 図において、(22)はユニット・エリア構成工程、(
24)はフィールド分割工程、(26)は重複除去・白
黒反転処理工程、(28)は図形拡大縮小処理工程、(
30)はフォーマット変換工程である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 曾 我 道 照1・;・ パ1 第1 刀 才2へ何 第4八回 第4B口 第4C−切 1・らへ何 オしへい オv″7B屯 オ胃へい オ]C回 勢3何 1 事件の表示 特願昭63−198032号 2 発明の名称 荷電ビーム描画データ作成方法 3 補正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所     東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称  (601)三菱電機株式会社代表者 志岐守
哉 4代理人 住 所     東京都千代田区丸の内二丁目4番1号
丸の内ビルディング 4階 6、補正の内容 (1)、明細書の特許請求の範囲を別紙の如く補正する
。 (2)  明細書第2頁第20行〜第3頁第2行の「反
復して・・・からなるJを[いくつかの図形の集合(セ
ル)の組合わせで表わされている。セルは他のセルを参
照して自セル内に配置することができる。 よって、パターン・データは」と補正する。 (3)、明細書第3頁第8行の[配置情報」を「アレイ
状に多数配置する情報(以下、これをアレイ配置情報と
呼ぶ)」と補正する。 (4)、明細書第4頁第1行及び第5頁第2〜3行の「
配置情報」を「アレイ配置情報」と補正する。 (5)、明細書第6頁第1行の「ユニツ■・図形」を[
少数の図形の集合(以下、これをユニットと呼ぶ)」と
補正する。 (6)、明m書第6頁第2.4.20行、第7頁第14
〜15.15.19行、第8頁第8〜9.17行、第8
頁第20行〜第9頁第1行、第9頁第6行、第12頁第
3.5,10.13.14.15〜16.17行、第1
4頁第17.17〜18.20行、第15頁第19行及
び第16頁第4行の「ユニット図形」を「ユニット」と
補正する。 (ア)、明細書第6頁第12行及び第15頁第7行の「
ユニット図形」を「ユニット内の図形」と補正する。 (8)、明細書第7頁第2〜3行の「の図形とユニット
図形とにそれぞれ別々に施される」を「とエリア内に対
して別々に施される。エリア内の処理はユニット内の図
形に対してだけ行なう」と補正する。 (9)、明細書第10頁第1〜2行の[(1あるいは0
等)」を削除する。 (10) 、  明細書第10頁第5行の「ユニット図
形(34)Jを「ユニット(34)の大きさ」と補正す
る。 (11)、  明細書第10頁第18行、第11頁第6
行及び第13頁第10〜11行の「一つのユニット図形
(34)Jを「ユニツ1〜(34)内の図形」と補正す
る。 (12) 、  明細書第13頁第1〜3行の「まず・
・・次に、」を削除する。 (13) 、  明細書第13頁第17行のrl/20
.をrl/10.と補正する。 特許請求の範囲 荷電ビーム露光装置に入力する描画データを作成する方
法であって、 多数の階層構造を有するパターン・データからアレイ状
に反復して配列されたり歎L」−形!υに令−とハル 
の゛ 影の ムがすき間なく敷き詰められているエリア
とを決定し、前記パターン・データを前記エリアを有す
る全体の図形と前記ダ順へ4形OL金−とからなる二層
構造の第1の図形処理用データに変換する工程と、 前記第1の図形処理用データにおける前記エリアを有す
る全体の図形を前記エリア内と前記エリア外とにおいて
それぞれ別々に前記荷電ビーム露光装置の単位描画領域
毎に分割して第2の図形処理用データを作成する工程と
、 前記第2の図形処理用データにおける前記エリア外の図
形と前記久改府至り一の一1釦九Δ図形とにそれぞれ別
々に図形修正処理を施して第3の図形処理用データを作
成する工程と、 前記第3の図形処理用データを前記荷電ビーム露光装置
に適したフォーマットに変換してこれを描画データとす
る工程と を備えたことを特徴とする荷電ビーム描画データ作成方
法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 荷電ビーム露光装置に入力する描画データを作成する方
    法であって、 多数の階層構造を有するパターン・データからアレイ状
    に反復して配列されたユニット図形と該ユニット図形が
    すき間なく敷き詰められているエリアとを決定し、前記
    パターン・データを前記エリアを有する全体の図形と前
    記ユニット図形とからなる二層構造の第1の図形処理用
    データに変換する工程と、 前記第1の図形処理用データにおける前記エリアを有す
    る全体の図形を前記エリア内と前記エリア外とにおいて
    それぞれ別々に前記荷電ビーム露光装置の単位描画領域
    毎に分割して第2の図形処理用データを作成する工程と
    、 前記第2の図形処理用データにおける前記エリア外の図
    形と前記ユニット図形とにそれぞれ別々に図形修正処理
    を施して第3の図形処理用データを作成する工程と、 前記第3の図形処理用データを前記荷電ビーム露光装置
    に適したフォーマットに変換してこれを描画データとす
    る工程と を備えたことを特徴とする荷電ビーム描画データ作成方
    法。
JP63198032A 1988-08-10 1988-08-10 荷電ビーム描画データ作成方法 Pending JPH0247825A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63198032A JPH0247825A (ja) 1988-08-10 1988-08-10 荷電ビーム描画データ作成方法
US07/278,452 US5008830A (en) 1988-08-10 1988-12-01 Method of preparing drawing data for charged beam exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63198032A JPH0247825A (ja) 1988-08-10 1988-08-10 荷電ビーム描画データ作成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0247825A true JPH0247825A (ja) 1990-02-16

Family

ID=16384396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63198032A Pending JPH0247825A (ja) 1988-08-10 1988-08-10 荷電ビーム描画データ作成方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5008830A (ja)
JP (1) JPH0247825A (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03166713A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム露光方法
US5130547A (en) * 1989-11-30 1992-07-14 Fujitsu Limited Charged-particle beam exposure method and apparatus
US5253182A (en) * 1990-02-20 1993-10-12 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for converting design pattern data to exposure data
JP3043031B2 (ja) * 1990-06-01 2000-05-22 富士通株式会社 露光データ作成方法,パターン露光装置及びパターン露光方法
US5159201A (en) * 1991-07-26 1992-10-27 International Business Machines Corporation Shape decompositon system and method
JP2501726B2 (ja) * 1991-10-08 1996-05-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション コンピュ―タ・イメ―ジ生成装置及びデ―タ減縮方法
US5617328A (en) * 1994-05-23 1997-04-01 Winbond Electronics Corporation Automatic code pattern generator for repetitious patterns in an integrated circuit layout
JPH08330203A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Mitsubishi Electric Corp 荷電ビーム描画データ作成装置及び荷電ビーム描画システム
JP3518097B2 (ja) * 1995-09-29 2004-04-12 株式会社ニコン 荷電粒子線転写装置,パターン分割方法,マスクおよび荷電粒子線転写方法
US6897869B1 (en) 1999-10-25 2005-05-24 International Business Machines Corporation System and method for filling a polygon
KR100859825B1 (ko) * 2000-01-20 2008-09-23 자비탄 세미콘덕터, 인코포레이티드 개별화된 하드웨어
US7316934B2 (en) * 2000-12-18 2008-01-08 Zavitan Semiconductors, Inc. Personalized hardware

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6272124A (ja) * 1985-09-26 1987-04-02 Toshiba Corp 荷電粒子ビ−ム描画方法
JPS6381571A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Sony Corp パタン作成装置に用いるデ−タ処理方法及びデ−タ処理装置
JPH022110A (ja) * 1988-06-15 1990-01-08 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409686A (en) * 1980-06-16 1983-10-11 Harris Corporation Method of serialization of dice
JPS5821422B2 (ja) * 1980-12-26 1983-04-30 株式会社東芝 荷電ビ−ム露光装置
JPS58127324A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Toshiba Corp 電子ビ−ム露光装置の描画デ−タ作成装置
US4482810A (en) * 1982-09-30 1984-11-13 Storage Technology Partners Electron beam exposure system
US4613940A (en) * 1982-11-09 1986-09-23 International Microelectronic Products Method and structure for use in designing and building electronic systems in integrated circuits
JPS6229135A (ja) * 1985-07-29 1987-02-07 Advantest Corp 荷電粒子ビ−ム露光方法及びこの方法を用いた荷電粒子ビ−ム露光装置
JP2661015B2 (ja) * 1986-06-11 1997-10-08 株式会社ニコン 位置合わせ方法
JPS6394623A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Hitachi Ltd 描画装置
EP0271596B1 (en) * 1986-12-17 1995-05-17 International Business Machines Corporation VLSI-chip design and manufacturing process
JPS63199421A (ja) * 1987-02-16 1988-08-17 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6272124A (ja) * 1985-09-26 1987-04-02 Toshiba Corp 荷電粒子ビ−ム描画方法
JPS6381571A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Sony Corp パタン作成装置に用いるデ−タ処理方法及びデ−タ処理装置
JPH022110A (ja) * 1988-06-15 1990-01-08 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5008830A (en) 1991-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3710710B2 (ja) Icレイアウトにおけるポリゴン表現
US11340584B2 (en) Synchronized parallel tile computation for large area lithography simulation
US5900338A (en) Performing optical proximity correction with the aid of design rule checkers
JP3148770B2 (ja) ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法
US6499003B2 (en) Method and apparatus for application of proximity correction with unitary segmentation
JPH0247825A (ja) 荷電ビーム描画データ作成方法
JP2003151885A (ja) パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JPH10154648A (ja) 荷電ビーム描画データ作成装置
JPH09319788A (ja) ネットワークによる並列処理システム
JP3185754B2 (ja) 露光原版の作製方法
JPS63232318A (ja) 微細パタ−ン形成方法
JP3328724B2 (ja) 図形データの圧縮方法
JP3200815B2 (ja) ビーム露光用反転マスクパターンデータ作成方法
JP2000068191A (ja) 電子ビーム露光によるパタン形成方法
JPH05226235A (ja) 電子ビ−ム描画のデ−タ変換方法
JPH04316314A (ja) 荷電ビーム描画用データの作成方法
JPH05234860A (ja) 電子線描画データ作成方式
JP3146542B2 (ja) マスク製造方法、及びマスク製造システム
JP2004079699A (ja) マスクパターン分割方法、マスクパターン分割プログラム、露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JPH07109509B2 (ja) レチクル作成方法
JP2000035659A (ja) 半導体フォトマスク、およびそのフォトマスクによる半導体パターン作成方法
JP2830014B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JPH01297823A (ja) 電子ビーム露光方法
JP2001028353A (ja) 平坦化パターンの生成方法
JP2000068190A (ja) 露光データ作成方法