JPH03166713A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
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- JPH03166713A JPH03166713A JP1304788A JP30478889A JPH03166713A JP H03166713 A JPH03166713 A JP H03166713A JP 1304788 A JP1304788 A JP 1304788A JP 30478889 A JP30478889 A JP 30478889A JP H03166713 A JPH03166713 A JP H03166713A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子ビーム露光方法に係り、特に微細パタ
ーンを形成する際の近接効果の補正を可能とする露光方
法に関する。
ーンを形成する際の近接効果の補正を可能とする露光方
法に関する。
近年の半導体装置の高密度化に伴い，電子ビーム露光に
より微細パターンを焼き付ける際には、いわゆる近接効
果を補正して各パターンの実効的な照射量すなわち蓄積
エネルギー量を均一にする必要がある。このような方法
として、アイ・ビー・エム・ジャーナル・オプ・リサー
チ・アンド・デイヴエ口ップメント（ＩＢＭ Ｊ． Ｒ
ＥＳ． ＤＥＶＥＬＯＰ．）Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．５，
Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８０に次のような方法が示
されている。
より微細パターンを焼き付ける際には、いわゆる近接効
果を補正して各パターンの実効的な照射量すなわち蓄積
エネルギー量を均一にする必要がある。このような方法
として、アイ・ビー・エム・ジャーナル・オプ・リサー
チ・アンド・デイヴエ口ップメント（ＩＢＭ Ｊ． Ｒ
ＥＳ． ＤＥＶＥＬＯＰ．）Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．５，
Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８０に次のような方法が示
されている。
例えば第５図に示すように大面積パターン（１１〉に小
面積パターン（１２）が近接する場合、まずこれらパタ
ーン（１１）及び（１２）に所定範囲の面積の領域毎に
サンプル点（２ｌ）〜（３７）を設定する。このとき、
大面積パターン（１■）では、その外周に沿ってサンプ
ル点（２２）〜（３７）を設定する。次に、パターン（
１１）及び（１２）にそれぞれ電子ビームの照射量の初
期値を与え、これらの照射量により露光を行った場合の
各サンプル点（２１）〜（３７）における蓄積エネルギ
ー量をそれぞれ評価する．そして、評価値の等しいサン
プル点を含む領域をまとめることに上りパターン〈１１
）を分割し、第６図のような分割パターン（４１）〜（
４８）を得る。
面積パターン（１２）が近接する場合、まずこれらパタ
ーン（１１）及び（１２）に所定範囲の面積の領域毎に
サンプル点（２ｌ）〜（３７）を設定する。このとき、
大面積パターン（１■）では、その外周に沿ってサンプ
ル点（２２）〜（３７）を設定する。次に、パターン（
１１）及び（１２）にそれぞれ電子ビームの照射量の初
期値を与え、これらの照射量により露光を行った場合の
各サンプル点（２１）〜（３７）における蓄積エネルギ
ー量をそれぞれ評価する．そして、評価値の等しいサン
プル点を含む領域をまとめることに上りパターン〈１１
）を分割し、第６図のような分割パターン（４１）〜（
４８）を得る。
その後、各サンプル点（２ｌ）〜（３７）の蓄積エネル
ギー量が同一となるようにパターン（１２）及び分割パ
ターン（４１）〜（４８）に与えるべき適正照射量をそ
れぞれ演算し、これらの照射量により露光を行った場合
の各サンプル点（２１）〜（３７）における蓄積エネル
ギー量を再び評価する．そして、一つの分割パターン内
に評価値の異なるサンプル点が存在すればそのサンプル
点を含む領域でさらに分割パターンを細かく分割する。
ギー量が同一となるようにパターン（１２）及び分割パ
ターン（４１）〜（４８）に与えるべき適正照射量をそ
れぞれ演算し、これらの照射量により露光を行った場合
の各サンプル点（２１）〜（３７）における蓄積エネル
ギー量を再び評価する．そして、一つの分割パターン内
に評価値の異なるサンプル点が存在すればそのサンプル
点を含む領域でさらに分割パターンを細かく分割する。
例えば、分割パターン（４８）内の四つのサンプル点（
３４）〜（３７）の内、サンプル点く３６）のみが異な
った評価値を有した場合は、第７図に示すように、分割
パターン（４８）をさらに細かい分割パターン（４９〉
〜（５１）に分割する。
３４）〜（３７）の内、サンプル点く３６）のみが異な
った評価値を有した場合は、第７図に示すように、分割
パターン（４８）をさらに細かい分割パターン（４９〉
〜（５１）に分割する。
その後、各サンプル点（２１）〜（３７）の蓄積エネル
ギー量が同一となるようにパターン（１２〉及び分割パ
ターン（４１）〜（４７）及び（４９）〜（５１）に与
えるべき適正照射量をそれぞれ演算する． このようにして、全てのサンプル点（２１〉〜（３７）
の蓄積エネルギー量が等しくなるまで、蓄積エネルギー
量の評価、パターンの分割及び適正照射量の演算を繰り
返す．これにより、微細パターンを形成する際の近接効
果を補正することができる。
ギー量が同一となるようにパターン（１２〉及び分割パ
ターン（４１）〜（４７）及び（４９）〜（５１）に与
えるべき適正照射量をそれぞれ演算する． このようにして、全てのサンプル点（２１〉〜（３７）
の蓄積エネルギー量が等しくなるまで、蓄積エネルギー
量の評価、パターンの分割及び適正照射量の演算を繰り
返す．これにより、微細パターンを形成する際の近接効
果を補正することができる。
しかしながら、従来の方法では、全てのサンプル点（２
１）〜（３７）の蓄積エネルギー量が等しくなるまで何
度も蓄積エネルギー量の評価、パターンの分割及び適正
照射量の演算を繰り返さなければならないので、近接効
果の補正を完了するまでに多大の時間を要するという問
題点があった。
１）〜（３７）の蓄積エネルギー量が等しくなるまで何
度も蓄積エネルギー量の評価、パターンの分割及び適正
照射量の演算を繰り返さなければならないので、近接効
果の補正を完了するまでに多大の時間を要するという問
題点があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、近接効果の補正を短時間で高精度に行うことが
できる電子ビームの露光方法を提供することを目的とす
る． 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る電子ビームの露光方法は、描画パターン
をそれぞれ複数の単位パターンに分割し、各単位パター
ン毎に近接効果の補正を行うことにより各単位パターン
の最適な電子ビームの照射量をそれぞれ演算し、互いに
隣接し且つ演算された照射量が等しい単位パターンを接
続することにより描画データを作戒し、描画データを用
いて電子ビーム露光を行う方法である。
もので、近接効果の補正を短時間で高精度に行うことが
できる電子ビームの露光方法を提供することを目的とす
る． 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る電子ビームの露光方法は、描画パターン
をそれぞれ複数の単位パターンに分割し、各単位パター
ン毎に近接効果の補正を行うことにより各単位パターン
の最適な電子ビームの照射量をそれぞれ演算し、互いに
隣接し且つ演算された照射量が等しい単位パターンを接
続することにより描画データを作戒し、描画データを用
いて電子ビーム露光を行う方法である。
この発明においては、まず描画パターンを複数の単位パ
ターンに分割してから近接効果の補正を行い、その後同
一照射量の単位パターンを接続する。従って、最適照射
量の演算は一回で済む。
ターンに分割してから近接効果の補正を行い、その後同
一照射量の単位パターンを接続する。従って、最適照射
量の演算は一回で済む。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
． 第１図はこの発明の一実施例に係る電子ビーム露光方法
を示すフローチャートである。このフローチャートを用
いて、例えば第２図に示すような描画パターン（１）〜
（３）を電子ビーム露光により形成する方法を説明する
。まず、ステップＳ１において、描画パターン（１）〜
（３）をそれぞれ複数の単位パターンに分割する。この
とき、大面積を有する描画パターン（１）及び（３）は
その外周部に沿って単位パターンに分割される．ここで
は、単位パターンを幅１ｐＬＩ１、長さ２いとした。こ
れにより、第３図に示すように、描画パターン（Ｌ）は
単位パターン（１ａ）〜（１ｎ）と中央のパターン（ｉ
ｐ）に、描画パターン（３〉は単位パターン（３ａ〉〜
（３ｈ）と中央のパターン（３１）にそれぞれ分割され
る。尚、描画パターン（２）は単位パターンと同一の大
きさを有するため、分割されずにそれ自体が単位パター
ン（２ａ）となっている。
． 第１図はこの発明の一実施例に係る電子ビーム露光方法
を示すフローチャートである。このフローチャートを用
いて、例えば第２図に示すような描画パターン（１）〜
（３）を電子ビーム露光により形成する方法を説明する
。まず、ステップＳ１において、描画パターン（１）〜
（３）をそれぞれ複数の単位パターンに分割する。この
とき、大面積を有する描画パターン（１）及び（３）は
その外周部に沿って単位パターンに分割される．ここで
は、単位パターンを幅１ｐＬＩ１、長さ２いとした。こ
れにより、第３図に示すように、描画パターン（Ｌ）は
単位パターン（１ａ）〜（１ｎ）と中央のパターン（ｉ
ｐ）に、描画パターン（３〉は単位パターン（３ａ〉〜
（３ｈ）と中央のパターン（３１）にそれぞれ分割され
る。尚、描画パターン（２）は単位パターンと同一の大
きさを有するため、分割されずにそれ自体が単位パター
ン（２ａ）となっている。
次に、ステップＳ２で、各単位パターン（１ａ）〜（１
ｎ）、（２ａ）及び（３ａ）〜（３ｈ）毎に近接効果の
補正を行い、全ての単位パターンにおける蓄積エネルギ
ー量が互いに等しくなるような最適の電子ビーム照射量
を演算する．このようにして演算された照射量の値を第
３図の各単位パターン内にそれぞれ示す．これらの照射
量は所定の照射量に対する割合で示されており、単位は
％である。尚、近接効果に及ぼす影響の少ない中央のパ
ターン（ｉｐ）及び（３１）には予め一定の照射量、例
えば８０％の値を設定する。また、照射量の演算は、例
えば各単位パターンの照射量を未知数として他の単位パ
ターンからの影響を加味しつつその蓄積エネルギー量を
求める連立方程式を立て、蓄積エネルギー量が共通のあ
る値になるという条件で連立方程式を解くことにより行
われる。
ｎ）、（２ａ）及び（３ａ）〜（３ｈ）毎に近接効果の
補正を行い、全ての単位パターンにおける蓄積エネルギ
ー量が互いに等しくなるような最適の電子ビーム照射量
を演算する．このようにして演算された照射量の値を第
３図の各単位パターン内にそれぞれ示す．これらの照射
量は所定の照射量に対する割合で示されており、単位は
％である。尚、近接効果に及ぼす影響の少ない中央のパ
ターン（ｉｐ）及び（３１）には予め一定の照射量、例
えば８０％の値を設定する。また、照射量の演算は、例
えば各単位パターンの照射量を未知数として他の単位パ
ターンからの影響を加味しつつその蓄積エネルギー量を
求める連立方程式を立て、蓄積エネルギー量が共通のあ
る値になるという条件で連立方程式を解くことにより行
われる。
その後、ステップＳ３で、演算された照射量の値が等し
い単位パターンのうち隣接するものをできる限り互いに
接続して一つのパターンとする。これにより、第４図に
示すように、単位パターン（ｌａ）及び（１ｂ〉が接続
されてパターン（１ｑ）に、単位パターン（１ｄ）及び
（１ｅ）が接続されてパターン（１ｒ）に、単位パター
ン（１ｈ）及び（１１）が接続されてパターン（１ｓ）
に、そして単位パターン（１ｋ）〜（１ａ＋）が接続さ
れてパターン（ＩＬ〉にそれぞれまとめられる。
い単位パターンのうち隣接するものをできる限り互いに
接続して一つのパターンとする。これにより、第４図に
示すように、単位パターン（ｌａ）及び（１ｂ〉が接続
されてパターン（１ｑ）に、単位パターン（１ｄ）及び
（１ｅ）が接続されてパターン（１ｒ）に、単位パター
ン（１ｈ）及び（１１）が接続されてパターン（１ｓ）
に、そして単位パターン（１ｋ）〜（１ａ＋）が接続さ
れてパターン（ＩＬ〉にそれぞれまとめられる。
その結果、描画パターン（１）〜（３）が全体で第３図
では２５のパターンに分割されていたのに対し、第４図
の状態では２０のパターンに減少している．次に、ステ
ップＳ４において、第４図に示される個々のパターンの
位置及びその照射量から描画データを作戒し、この描画
データを図示しない露光装置に出力する。さらに、ステ
ップＳ５で描画データに基づき露光装置により露光を行
う．以上のように、描画パターンを単位パターンに分割
してから各単位パターンについて近接効果の補正を行う
ので、最適の照射量の演算は一回で済み、描画データを
短時間に且つ容易に作成することができる。また、近接
効果の補正を行った後に、照射量の等しい単位パターン
を接続するので、全体のパターン数が削減され、露光装
置に出力する描画データ量が少なくて済む。このため、
小さな容量で描画データを記憶することができると共に
露光時間が短縮化され、露光の処理能力が向上する． 尚、上記実施例では、大面積の描画パターン（１）及び
（３）を外周部に沿って単位パターンに分割したが、こ
れに限るものではなく、例えばメッシュ状に分割したり
、描画パターンの長辺方向にのみ分割してもよい。また
、一掃画パターンの近傍に他の描画パターンが存在しな
いために近接効果が無視できる場合には、その描画パタ
ーンは分割しなくてもよい。
では２５のパターンに分割されていたのに対し、第４図
の状態では２０のパターンに減少している．次に、ステ
ップＳ４において、第４図に示される個々のパターンの
位置及びその照射量から描画データを作戒し、この描画
データを図示しない露光装置に出力する。さらに、ステ
ップＳ５で描画データに基づき露光装置により露光を行
う．以上のように、描画パターンを単位パターンに分割
してから各単位パターンについて近接効果の補正を行う
ので、最適の照射量の演算は一回で済み、描画データを
短時間に且つ容易に作成することができる。また、近接
効果の補正を行った後に、照射量の等しい単位パターン
を接続するので、全体のパターン数が削減され、露光装
置に出力する描画データ量が少なくて済む。このため、
小さな容量で描画データを記憶することができると共に
露光時間が短縮化され、露光の処理能力が向上する． 尚、上記実施例では、大面積の描画パターン（１）及び
（３）を外周部に沿って単位パターンに分割したが、こ
れに限るものではなく、例えばメッシュ状に分割したり
、描画パターンの長辺方向にのみ分割してもよい。また
、一掃画パターンの近傍に他の描画パターンが存在しな
いために近接効果が無視できる場合には、その描画パタ
ーンは分割しなくてもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、描画パターンを
それぞれ複数の単位パターンに分割し、各単位パターン
毎に近接効果の補正を行うことにより各単位パターンの
最適な電子ビームの照射量をそれぞれ演算し、互いに隣
接し且つ演算された照射量が等しい単位パターンを接続
することにより描画データを作戒し、描画データを用い
て電子ビーム露光を行うので、短時間に且つ高精度に近
接効果の補正を行うことができる。
それぞれ複数の単位パターンに分割し、各単位パターン
毎に近接効果の補正を行うことにより各単位パターンの
最適な電子ビームの照射量をそれぞれ演算し、互いに隣
接し且つ演算された照射量が等しい単位パターンを接続
することにより描画データを作戒し、描画データを用い
て電子ビーム露光を行うので、短時間に且つ高精度に近
接効果の補正を行うことができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る電子ビーム露光方法
を示すフローチャート、第２図〜第４図はそれぞれ実施
例におけるパターン図、第５図〜第７図はそれぞれ従来
の電子ビーム露光方法を示すためのパターン図である。 図において、（１）〜（３）は描画パターン、（１ａ）
〜（１ｎ）、（２ａ）及び（３ａ）〜（３ｈ）は単位パ
ターンである。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示すフローチャート、第２図〜第４図はそれぞれ実施
例におけるパターン図、第５図〜第７図はそれぞれ従来
の電子ビーム露光方法を示すためのパターン図である。 図において、（１）〜（３）は描画パターン、（１ａ）
〜（１ｎ）、（２ａ）及び（３ａ）〜（３ｈ）は単位パ
ターンである。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 描画パターンをそれぞれ複数の単位パターンに分割し
、 各単位パターン毎に近接効果の補正を行うことにより各
単位パターンの最適な電子ビームの照射量をそれぞれ演
算し、 互いに隣接し且つ演算された照射量が等しい単位パター
ンを接続することにより描画データを作成し、 前記描画データを用いて電子ビーム露光を行うことを特
徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304788A JPH03166713A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 電子ビーム露光方法 |
| US07/497,915 US5086398A (en) | 1989-11-27 | 1990-03-23 | Electron beam exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304788A JPH03166713A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166713A true JPH03166713A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17937243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1304788A Pending JPH03166713A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5086398A (ja) |
| JP (1) | JPH03166713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013197244A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子線照射量決定方法 |
| KR20140026285A (ko) * | 2012-08-24 | 2014-03-05 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 전자빔 리소그래피를 이용해 판 또는 마스크 상에 인쇄 패턴을 형성하는 방법, 해당 인쇄회로 설계 시스템, 및 컴퓨터 프로그램 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0821537B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1996-03-04 | 安藤電気株式会社 | 図形データの分割変換に対する誤差処理回路 |
| IL97021A0 (en) * | 1991-01-24 | 1992-03-29 | Ibm Israel | Partitioning method for e-beam lithography |
| JP2501726B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1996-05-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | コンピュ―タ・イメ―ジ生成装置及びデ―タ減縮方法 |
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| US5481472A (en) * | 1993-05-18 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction |
| JPH06333796A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Fujitsu Ltd | 露光データ処理方法及び装置 |
| JPH07191199A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 |
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| JP2000020564A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータ補正装置、レイアウトパターンデータ補正方法、その補正方法を用いた半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造プログラムを記録した記録媒体 |
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| JPS5957431A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
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| JPS59121837A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS59124719A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
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