JPH0246045Y2 - - Google Patents

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JPH0246045Y2
JPH0246045Y2 JP1986133759U JP13375986U JPH0246045Y2 JP H0246045 Y2 JPH0246045 Y2 JP H0246045Y2 JP 1986133759 U JP1986133759 U JP 1986133759U JP 13375986 U JP13375986 U JP 13375986U JP H0246045 Y2 JPH0246045 Y2 JP H0246045Y2
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shutter
filter
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resist
lamp
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【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案は、半導体ウエハに塗布されたフオト
レジスト(以下レジストという)の処理の場合に
用いる紫外線照射器等を含む光照射器に係り、特
にレジストの耐熱性、耐プラズマ性を高めること
を目的とした光照射器に関するものである。
[従来の技術] 光照射器の一例としてレジスト処理に用いる紫
外線照射器について以下に述べる。
従来の紫外線照射によるレジストの処理につい
ては、半導体ウエハに塗布されたレジストにマス
クパターンを露光する処理、レジスト表面に付着
した有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等に
おいて、紫外線照射が利用されているが、最近、
レジスト処理工程のひとつであるベーキング工程
への適用が注目されている。
ベーキング工程とは、レジスト塗布、露光、現
像によるレジストパターンを形成する工程とこの
レジストパターンを用いてイオン注入やプラズマ
エツチングなどを行う工程との中間の工程であつ
て、レジストの半導体基板への接着性や耐熱性の
向上などを目的とした加熱工程である。そして最
近では、現像後のベーキング工程の前、あるいは
ベーキング時にレジストに紫外線を当てて、より
短時間にベーキング時の耐熱性や耐プラズマエツ
チング性を高める方法及び装置についての検討が
なされている。
第2図は従来の紫外線照射器の要部構成を示す
断面図で、1はランプ、2はこのランプ1の背後
に配置されたミラー、3′は内部にランプ1を冷
却するためのブロワ3を有する風洞、4は光透過
板、5は処理台、6はこの処理台5にウエハを搬
送するための出入口である。
第2図の装置において、出入口6からウエハ搬
送ラインに沿つて処理台5に搬送されたレジスト
を塗布されたウエハをランプ1からの紫外線照射
によつてレジスト処理する。
[考案が解決しようとする問題点] 従来の紫外線照射器においては、処理の高速化
のために紫外線強度の大きな光をレジストに照射
すると、レジスト内部よりガスが発生し、このガ
スによつて気泡の発生、レジストパターンのくず
れ、レジスト膜のはがれや破裂、荒れなどのレジ
スト膜の破壊が発生し、半導体素子不良の原因と
なつていた。
このガスの発生原因の一つとしては、レジスト
の露光感光基の急激な光化学反応、レジスト塗布
の前処理としてウエハに塗布したHMDS(ヘキサ
メチルジシラザン)や反射防止剤などとレジスト
との光化学反応、色素などのレジスト添加剤の光
化学反応、レジスト内に残留する溶剤の光化学反
応などが考えられる。
これらの光化学反応は、波長が300nm〜500nm
の範囲の光、特にレジストの露光感光波長の光に
よつて著しく進行し、従つて、これらの波長域を
含む光を放射するレジスト処理装置では、光の強
度を強くできない。すなわち、高速な処理が行え
ないという問題点があつた。
本考案は、かかる問題点に鑑みて、光照射器よ
りの放射光によるレジストの破壊を防止すること
により、紫外線照射によるレジストの処理を高速
かつ効果的に行うことのできる光照射器を提供す
ることを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段] この目的を達成するために、この考案では、シ
ヤツターとこのシヤツターを駆動するシヤツター
駆動機構と、このシヤツターの前方もしくは後方
に配置したフイルタと、このフイルタの駆動機構
とを設けたものである。
[作用] この考案においては、シヤツターとフイルタを
併用することにより、例えばレジスト処理に使用
した場合、例えばレジストの露光感光破長が効果
的に遮断ないしは減少されることにより、レジス
トよりガスを発生させる光化学反応が制御され、
レジストの破壊が防止される。しかも、その場合
レジストの露光感光破長を遮断ないし減少させて
も照射される光にはレジストの耐熱性や耐プラズ
マエツチング性の向上に有効な紫外線成分は依然
として強力に含まれているので高速かつ効果的な
レジスト処理ができる。
[実施例] 第1図はこの考案の一実施例を示す光照射器の
要部構成を示す断面図で、同図イは正面図、同図
ロは側面図である。
第1図イ,ロにおいて、10a,10bはそれ
ぞれ左右に2分割されたシヤツター、11は不図
示のリバーシブルモータを内蔵したシヤツター駆
動器機構で、2分割されたシヤツター10a,1
0bを1つのモータで駆動させている。12はフ
イルタで、13はシヤツター駆動機構と同様の構
成を有するフイルタ駆動機構で不図示のリバーシ
ブルモータを内蔵している。14a,14bはそ
れぞれ前記2分割されたシヤツター10a,10
bを支持するフレームで、このフレーム14a,
14bの上部を各々金具16a,16bで懸吊
し、この金具16a,16bを、シヤツター駆動
機構11のモータに駆動されるプーリ18a,1
8b,18c,18dに巻付けたステンレス製の
ワイヤ(ベルト)20の上下に固定している。同
様に15はフイルタ12を支持するフレームで、
このフレーム15の上部を金具17で懸吊し、こ
の金具17をフイルタ駆動機構13のモータに駆
動されるプーリ19a,19bに巻付けたワイヤ
21に固定している。22は2分割されたシヤツ
ター10a,10bのフレーム14a,14bが
開閉駆動されるときに移動するガイドレールであ
り、23はフイルタ12のフレーム15が移動す
るガイドレールである。また、第2図と同一符号
は同一又は相当部分を示す。
上記のような構成において、シヤツター10
a,10bを開く時はプーリ18a〜18dが反
時計方向に回転し、ワイヤ20の上下に固定され
たフレーム14a,14bはそれぞれ外方に向け
てガイドレール22上を移動する。また、シヤツ
ター10a,10bを閉じる時はプーリ18a〜
18dが時計方向に回転し、2分割されたシヤツ
ター10a,10bはそれぞれガイドレール22
上を内方に移動する。
同様にして、フイルタ12を不使用(開)時は
プーリ19a,19bは反時計方向に回転し、ワ
イヤ21に金具17を介して固定されたフレーム
15はガイドレール23上を図面右方向へ移動す
る。また、反対にフイルタ12を使用(閉)時は
プーリ19a,19bを時計方向に回転し、フレ
ーム15を図面左方向へ移動させる。
上記の実施例では、シヤツター10a,10b
とフイルタ12が各々独立に移動するものとして
説明したが、シヤツターとフイルタが相互に関連
して移動するように信号を制御することができる
のは勿論である。
尚、前記実施例は、光照射器の一具体例として
の紫外線照射器について述べたが、この考案は紫
外線照射器に限らず、光照射によつて処理もしく
は加工する光照射器全てに適用できることはいう
までもない。
[考案の効果] この考案は以上説明したとおり、背後にミラー
を配置した少くとも1つのランプと、このランプ
の前方に配置したシヤツターと、このシヤツター
を制御信号によつて駆動するシヤツター駆動機構
と、前記シヤツターの前方もしくは後方に配置し
たフイルタと、このフイルタを制御信号によつて
駆動するフイルタ駆動機構と、前記ランプを冷却
するためのブロワとによつて構成される光照射器
であるから、高速かつ効果的なレジスト処理が可
能になつた。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す光照射器の
要部構成を示す断面図、第2図は従来の紫外線照
射器の要部構成を示す断面図である。 図中、1:ランプ、2:ミラー、3:ブロワ、
4:光透過板、10a,10b:シヤツター、1
1:シヤツター駆動機構、12:フイルタ、1
3:フイルタ駆動機構。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 背後にミラーを配置した少くとも1つの棒状
    のランプと、このランプの前方に配置され、フ
    レームにより懸吊されて前記ランプの長手方向
    に直線移動するシヤツターと、このシヤツター
    を制御信号によつて駆動するシヤツター駆動機
    構と、前記シヤツターの前方もしくは後方に配
    置され、フレームにより懸吊されて前記ランプ
    の長手方向に直線移動するフイルタと、このフ
    イルタを制御信号によつて駆動するフイルタ駆
    動機構と、前記ランプを冷却するためのブロワ
    とによつて構成される光照射器であつて、この
    光照射器は、その前面に取付けた光透過板と他
    の側面とによつて、後部に設けた空気流通用の
    入出口以外を気密に構成されたことを特徴とす
    る光照射器。 (2) シヤツター駆動機構とフイルタ駆動機構は制
    御信号によつて各々独立に駆動することを特徴
    とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の光
    照射器。 (3) シヤツター駆動機構とフイルタ駆動器機構は
    相互に関連して駆動することができることを特
    徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の
    光照射器。
JP1986133759U 1986-09-02 1986-09-02 Expired JPH0246045Y2 (ja)

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JPS6339934U JPS6339934U (ja) 1988-03-15
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5321324A (en) * 1976-08-11 1978-02-27 Toyota Motor Corp Heater for engine intake
JPS59196735A (ja) * 1983-04-20 1984-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 紫外線照射装置
JPS6045247A (ja) * 1983-05-23 1985-03-11 フユージヨン・セミコンダクター・システムズ フオトレジストの硬化方法及び硬化装置
JPS6114724A (ja) * 1984-06-30 1986-01-22 Ushio Inc 半導体ウエハ−への紫外線照射方法
JPS62295420A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Ushio Inc レジスト処理方法
JPS62295417A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Ushio Inc レジスト処理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5321324A (en) * 1976-08-11 1978-02-27 Toyota Motor Corp Heater for engine intake
JPS59196735A (ja) * 1983-04-20 1984-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 紫外線照射装置
JPS6045247A (ja) * 1983-05-23 1985-03-11 フユージヨン・セミコンダクター・システムズ フオトレジストの硬化方法及び硬化装置
JPS6114724A (ja) * 1984-06-30 1986-01-22 Ushio Inc 半導体ウエハ−への紫外線照射方法
JPS62295420A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Ushio Inc レジスト処理方法
JPS62295417A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Ushio Inc レジスト処理方法

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