JPH0236930B2 - - Google Patents
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- JPH0236930B2 JPH0236930B2 JP59044882A JP4488284A JPH0236930B2 JP H0236930 B2 JPH0236930 B2 JP H0236930B2 JP 59044882 A JP59044882 A JP 59044882A JP 4488284 A JP4488284 A JP 4488284A JP H0236930 B2 JPH0236930 B2 JP H0236930B2
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 22
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- -1 polyparaxylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000001405 butyl (E)-3-phenylprop-2-enoate Substances 0.000 description 1
- OHHIVLJVBNCSHV-KTKRTIGZSA-N butyl cinnamate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 OHHIVLJVBNCSHV-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- GCULWAWIZUGXTO-UHFFFAOYSA-N n-octylaniline Chemical compound CCCCCCCCNC1=CC=CC=C1 GCULWAWIZUGXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/133345—Insulating layers
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツター
アレイ等の液晶素子を用いた光学変調素子の製造
法に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向状
態を改善することにより表示ならびに駆動特性を
改善した光学変調素子の製造法に関する。
アレイ等の液晶素子を用いた光学変調素子の製造
法に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向状
態を改善することにより表示ならびに駆動特性を
改善した光学変調素子の製造法に関する。
背景技術
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリク
ス状に構成し、その電極間に液晶化合物を充填し
多数の画素を形成して画像或いは情報の表示を行
う液晶表示素子は、よく知られている。この表示
素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期的
にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所
定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列的
に選択印加する時分割駆動が採用されているが、
この表示素子及びその駆動法には以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点がある。
ス状に構成し、その電極間に液晶化合物を充填し
多数の画素を形成して画像或いは情報の表示を行
う液晶表示素子は、よく知られている。この表示
素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期的
にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所
定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列的
に選択印加する時分割駆動が採用されているが、
この表示素子及びその駆動法には以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点がある。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくす
るのが難しいことである。従来の液晶の中で応答
速度が比較的高く、しかも消費電力が小さいこと
から、表示素子として実用に供されてるのは殆ん
どが、例えばM.SchadtとW.HeIfrich著
“AppIied Physics Letters”Vo.18、No.4(1971、
2,15)、P.127〜128の“Voltage−Dependent
Optical Activity of a Twisted Nematic
Liquid Crystal”に示されたTN(twisted
nematic)型の液晶を用いたものであり、この型
の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶の分子が液晶層厚方向で捩れた構造
(ヘリカル構造)を形成し、両電極面でこの液晶
の分子が平行に配列した構造を形成している。一
方、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶が電界方向に配列し、この結果、光
学変調を起すことができる。この型の液晶を用い
てマトリクス電極構造によつて表示素子を構成し
た場合、走査電極と信号電極が共に選択される領
域(選択点)には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域(非選
択点)には電圧は印加されず、したがつて液晶分
子は電極面に対して並行な安定配列を保つてい
る。このような液晶セルの上下に互いにクロスニ
コル関係にある直線偏光子を配置することによ
り、選択点では光が透過せず、非選択点では光が
透過するため、画像素子とすることが可能とな
る。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場
合には、走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号
電極が選択される領域(所謂“半選択点”)にも
有限に電界がかかつてしまう。選択点にかかる電
圧と、半選択点にかかる電圧の差が充分に大き
く、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要す
る電閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけであるが、走
査線数(N)を増やして行つた場合、画面全体
(1フレーム)を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかつている時間(duty比)が1/
Nの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行つた場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増
える程小さくなり、結果的には画像コトラストの
低下やクロストークが避け難い欠点となつてい
る。このような現象は、双安定性を有さない液晶
(電極面に対し、液晶分子が水平に配向している
のが安定状態であり、電界が有効に印加されてい
る間のみ垂直に配向する)を時間的蓄積効果を利
用して駆動する(即ち、繰り返し走査する)とき
に生ずる本質的には避け難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、2周波駆動
法や、多重マトリクス法等が既に提案されている
が、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の
大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせ
ないことによつて頭打ちになつているのが現状で
ある。
るのが難しいことである。従来の液晶の中で応答
速度が比較的高く、しかも消費電力が小さいこと
から、表示素子として実用に供されてるのは殆ん
どが、例えばM.SchadtとW.HeIfrich著
“AppIied Physics Letters”Vo.18、No.4(1971、
2,15)、P.127〜128の“Voltage−Dependent
Optical Activity of a Twisted Nematic
Liquid Crystal”に示されたTN(twisted
nematic)型の液晶を用いたものであり、この型
の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶の分子が液晶層厚方向で捩れた構造
(ヘリカル構造)を形成し、両電極面でこの液晶
の分子が平行に配列した構造を形成している。一
方、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶が電界方向に配列し、この結果、光
学変調を起すことができる。この型の液晶を用い
てマトリクス電極構造によつて表示素子を構成し
た場合、走査電極と信号電極が共に選択される領
域(選択点)には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域(非選
択点)には電圧は印加されず、したがつて液晶分
子は電極面に対して並行な安定配列を保つてい
る。このような液晶セルの上下に互いにクロスニ
コル関係にある直線偏光子を配置することによ
り、選択点では光が透過せず、非選択点では光が
透過するため、画像素子とすることが可能とな
る。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場
合には、走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号
電極が選択される領域(所謂“半選択点”)にも
有限に電界がかかつてしまう。選択点にかかる電
圧と、半選択点にかかる電圧の差が充分に大き
く、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要す
る電閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけであるが、走
査線数(N)を増やして行つた場合、画面全体
(1フレーム)を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかつている時間(duty比)が1/
Nの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行つた場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増
える程小さくなり、結果的には画像コトラストの
低下やクロストークが避け難い欠点となつてい
る。このような現象は、双安定性を有さない液晶
(電極面に対し、液晶分子が水平に配向している
のが安定状態であり、電界が有効に印加されてい
る間のみ垂直に配向する)を時間的蓄積効果を利
用して駆動する(即ち、繰り返し走査する)とき
に生ずる本質的には避け難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、2周波駆動
法や、多重マトリクス法等が既に提案されている
が、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の
大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせ
ないことによつて頭打ちになつているのが現状で
ある。
一方、プリンタ分野を眺めて見るに、電気信号
を入力としてハードコピーを得る手段として、画
素密度の点からもスピードの点からも電気画像信
号を光の形で電子写真感光体に与えるレーザービ
ームプリンタ(LBP)が現在最も優れている。
ところがLBPには、 1 プリンタとしての装置が大型になる; 2 ポリゴンスキヤナの様な高速の駆動部分があ
り騒が発生し、また厳しい機械的精度が要求さ
れる;など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気信
号を光信号に変換する素子として、液晶シヤツタ
ーアレイが提案されている。ところが、液晶シヤ
ツタアレイを用いて画素信号を与える場合、たと
えば200mmの長さの中に画素信号を20dot/mmの割
合で書き込むためには、4000個の信号発生部を有
していなければならず、それぞれに独立した信号
を与えるためには、元来それぞれの信号発生部全
てに信号を送るリード線を配線しなければなら
ず、製作上困難であつた。
を入力としてハードコピーを得る手段として、画
素密度の点からもスピードの点からも電気画像信
号を光の形で電子写真感光体に与えるレーザービ
ームプリンタ(LBP)が現在最も優れている。
ところがLBPには、 1 プリンタとしての装置が大型になる; 2 ポリゴンスキヤナの様な高速の駆動部分があ
り騒が発生し、また厳しい機械的精度が要求さ
れる;など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気信
号を光信号に変換する素子として、液晶シヤツタ
ーアレイが提案されている。ところが、液晶シヤ
ツタアレイを用いて画素信号を与える場合、たと
えば200mmの長さの中に画素信号を20dot/mmの割
合で書き込むためには、4000個の信号発生部を有
していなければならず、それぞれに独立した信号
を与えるためには、元来それぞれの信号発生部全
てに信号を送るリード線を配線しなければなら
ず、製作上困難であつた。
そのため、1LINE(ライン)分の画素信号を数
行に分割された信号発生部により、時分割して与
える試みがなされている。この様にすれば、信号
を与える電極を、複数の信号発生部に対して共通
にすることができ、実質配線を大幅に軽減するこ
とができるからである。ところが、この場合通常
行われているように双安定性を有さない液晶を用
いて行数(N)を増して行くと、信号ONの時間
が実質的に1/Nとなり感光体上で得られる光量
が減少してしまつたり、クロストークの問題が生
ずるという難点がある。
行に分割された信号発生部により、時分割して与
える試みがなされている。この様にすれば、信号
を与える電極を、複数の信号発生部に対して共通
にすることができ、実質配線を大幅に軽減するこ
とができるからである。ところが、この場合通常
行われているように双安定性を有さない液晶を用
いて行数(N)を増して行くと、信号ONの時間
が実質的に1/Nとなり感光体上で得られる光量
が減少してしまつたり、クロストークの問題が生
ずるという難点がある。
このような従来型の液晶素子の欠点を改善する
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る(特開昭56−107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等)。双安定性を有する液晶とし
ては、一般に、カイラルスメクテイツクC相
(SmC*)又はH相(SmH*)を有する強誘電性
液晶が用いられる。この液晶は電界に対して第1
の光学的安定状態と第2の光学安定状態からなる
双安定状態を有し、従つて前述のTN型の液晶で
用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方
の電界ベクトルに対して第1の光学的安定状態に
液晶が配向し、他方の電界ベクトンに対しては第
2の光学的安定状態に液晶が配向される。またこ
の型の液晶は、加えられる電界に応答して、極め
て速やかに上記2つの安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持
する性質を有する。このような性質を利用するこ
とにより、上述した従来のTN型素子の問題点の
多くに対して、かなり本質的な改善が得られる。
この点は、本発明と関連して、以下に、更に詳細
に説明する。しかしながら、この双安定性を有す
る液晶を用いる光学変調素子が所定の駆動特性を
発揮するためには、一対の平行基板間に配置され
る液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記2
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような
分子配列状態にあることが必要である。たとえば
SmC*またはSmH*相を有する強誘電性液晶につ
いては、SmC*またはSmH*相を有する液晶分子
層が基板面に対して垂直で、したがつて液晶分子
軸が基板面にほぼ平行に配列した領域(モノドメ
イン)が形成される必要がある。しかしながら、
従来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調素
子においては、このようなモノドメイン構造を有
する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成され
なかつたために、充分な特性が得られなかつたの
が実情である。
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る(特開昭56−107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等)。双安定性を有する液晶とし
ては、一般に、カイラルスメクテイツクC相
(SmC*)又はH相(SmH*)を有する強誘電性
液晶が用いられる。この液晶は電界に対して第1
の光学的安定状態と第2の光学安定状態からなる
双安定状態を有し、従つて前述のTN型の液晶で
用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方
の電界ベクトルに対して第1の光学的安定状態に
液晶が配向し、他方の電界ベクトンに対しては第
2の光学的安定状態に液晶が配向される。またこ
の型の液晶は、加えられる電界に応答して、極め
て速やかに上記2つの安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持
する性質を有する。このような性質を利用するこ
とにより、上述した従来のTN型素子の問題点の
多くに対して、かなり本質的な改善が得られる。
この点は、本発明と関連して、以下に、更に詳細
に説明する。しかしながら、この双安定性を有す
る液晶を用いる光学変調素子が所定の駆動特性を
発揮するためには、一対の平行基板間に配置され
る液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記2
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような
分子配列状態にあることが必要である。たとえば
SmC*またはSmH*相を有する強誘電性液晶につ
いては、SmC*またはSmH*相を有する液晶分子
層が基板面に対して垂直で、したがつて液晶分子
軸が基板面にほぼ平行に配列した領域(モノドメ
イン)が形成される必要がある。しかしながら、
従来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調素
子においては、このようなモノドメイン構造を有
する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成され
なかつたために、充分な特性が得られなかつたの
が実情である。
たとえば、Clarkらによれば、このような配向
状態を与えるために、磁界を印加する方法、せん
断力を印加する方法、基板間に小間隔で平行なリ
ツジ(ridge)を配列する方法などが提案されて
いる。しかしながら、これらは、いずれも必ずし
も満足すべき結果を与えるものではなかつた。た
とえば、磁界を印加する方法は、大規模な装置を
要求するとともに作動特性の良好な薄層セルとは
両立しがたいという難点があり、また、せん断力
を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入す
る方法と両立しないという難点がある。またセル
内に平行なリツジを配列する方法では、それのみ
によつては、安定な配向効果を与えられない。
状態を与えるために、磁界を印加する方法、せん
断力を印加する方法、基板間に小間隔で平行なリ
ツジ(ridge)を配列する方法などが提案されて
いる。しかしながら、これらは、いずれも必ずし
も満足すべき結果を与えるものではなかつた。た
とえば、磁界を印加する方法は、大規模な装置を
要求するとともに作動特性の良好な薄層セルとは
両立しがたいという難点があり、また、せん断力
を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入す
る方法と両立しないという難点がある。またセル
内に平行なリツジを配列する方法では、それのみ
によつては、安定な配向効果を与えられない。
発明の目的
本発明の主要な目的は、上述した事情に鑑み、
高速応答性、高密度画素と大面積を有する表示素
子、あるいは高速度のシヤツタスピードを有する
光学シヤツター等として潜在的な適性を有する強
誘電性液晶を使用する光学変調素子において、従
来問題であつたモノドメイン形成性ないしは初期
配向性を改善することにより、その特性を充分に
発揮させ得る光学変調素子の製造法を提供するこ
とにある。
高速応答性、高密度画素と大面積を有する表示素
子、あるいは高速度のシヤツタスピードを有する
光学シヤツター等として潜在的な適性を有する強
誘電性液晶を使用する光学変調素子において、従
来問題であつたモノドメイン形成性ないしは初期
配向性を改善することにより、その特性を充分に
発揮させ得る光学変調素子の製造法を提供するこ
とにある。
発明の概要
本発明者らは、上述の目的で更に研究した結
果、液晶を挾持する一対の平行基板にラビングに
よる一軸性配向処理効果とストライプ状の側壁を
有する構造部材の配列による構造的配向制御効果
を併用し、且つ一軸性配向処理方向と構造部材の
配列方向とを相関づけて規制することにより、液
晶の双安定性に基づく作動特性との両立性の優れ
たモノドメイン構造が得られることを見出した。
果、液晶を挾持する一対の平行基板にラビングに
よる一軸性配向処理効果とストライプ状の側壁を
有する構造部材の配列による構造的配向制御効果
を併用し、且つ一軸性配向処理方向と構造部材の
配列方向とを相関づけて規制することにより、液
晶の双安定性に基づく作動特性との両立性の優れ
たモノドメイン構造が得られることを見出した。
特に、コレステリツク相よりスメクテイツク相
例えばSmA(スメクテイツクA相)等の低温状態
へ移行する降温過程における配向性に着目したと
ころ、高温側のコレステリツク相より低温側のス
メクテイツク相へ相転移する場合、液晶と界面で
接する基板の面に液晶の分子軸方向を優先して一
方向に配列させる効果を付与し、基板間にストラ
イプ構造部材を配置することにより、例えば
SmAの液晶分子が一方向に配列したモノドメイ
ンを形成することができ、この結果液晶の双安定
性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイ
ン性を両立しうる構造の液晶素子が得られること
を見い出した。
例えばSmA(スメクテイツクA相)等の低温状態
へ移行する降温過程における配向性に着目したと
ころ、高温側のコレステリツク相より低温側のス
メクテイツク相へ相転移する場合、液晶と界面で
接する基板の面に液晶の分子軸方向を優先して一
方向に配列させる効果を付与し、基板間にストラ
イプ構造部材を配置することにより、例えば
SmAの液晶分子が一方向に配列したモノドメイ
ンを形成することができ、この結果液晶の双安定
性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイ
ン性を両立しうる構造の液晶素子が得られること
を見い出した。
本発明の光学変調素子は、このような知見に基
づくものであり、より詳しくは、一対の平行基板
間に強誘電性液晶を挾持させてなる光学変調素子
において、該一対の平行基板のうちの第1の基板
の液晶と接触する側の面には、それぞれ側壁を有
する複数の構造部材がストライプ状に配置され、
かつ該構造部材の延長方向に該基板面をラビング
処理し、第2の基板の液晶と接する側の面には、
前記第1の基板上の複数の構造部材の延長方向と
ほぼ平行な方向にラビング処理が施こされている
ことを特徴とするものである。
づくものであり、より詳しくは、一対の平行基板
間に強誘電性液晶を挾持させてなる光学変調素子
において、該一対の平行基板のうちの第1の基板
の液晶と接触する側の面には、それぞれ側壁を有
する複数の構造部材がストライプ状に配置され、
かつ該構造部材の延長方向に該基板面をラビング
処理し、第2の基板の液晶と接する側の面には、
前記第1の基板上の複数の構造部材の延長方向と
ほぼ平行な方向にラビング処理が施こされている
ことを特徴とするものである。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明
を更に詳細に説明する。
を更に詳細に説明する。
本発明で用いる液晶は、強誘電性を有するもの
であつて、具体的にはカイラルスメクテイツクC
相(SmC*)又はH相(SmH*)を有する液晶を
用いることができる。
であつて、具体的にはカイラルスメクテイツクC
相(SmC*)又はH相(SmH*)を有する液晶を
用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえばLE
JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS”36
(L―69)1975、「Ferroelectric Liquid
Crystals」;”Applied Physics Letters”36
(11)1980「Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid
Crystals」;”固体物理”16(141)1981「液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示さ
れた強誘電性液晶を用いることができる。
JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS”36
(L―69)1975、「Ferroelectric Liquid
Crystals」;”Applied Physics Letters”36
(11)1980「Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid
Crystals」;”固体物理”16(141)1981「液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示さ
れた強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロ
キシベンジリデン―p′―アミノ―2―メチルブチ
ル シンナメート(DOBAMBC)、ヘキシルオ
キシベンジリデン―p′―アミノ―2―クロロプロ
ピルシンナメート(HOBACPC)、4―o―(2
―メチル)―ブチルレゾルシリデン―420オクチ
ルアニリン(MBRA8)が挙げられる。
キシベンジリデン―p′―アミノ―2―メチルブチ
ル シンナメート(DOBAMBC)、ヘキシルオ
キシベンジリデン―p′―アミノ―2―クロロプロ
ピルシンナメート(HOBACPC)、4―o―(2
―メチル)―ブチルレゾルシリデン―420オクチ
ルアニリン(MBRA8)が挙げられる。
特に、本発明の液晶素子子ではスメクテイツク
相より高温側でコレステリツク相を示す液晶が好
ましい。具体例としては、以下のものを挙げるこ
とができる。
相より高温側でコレステリツク相を示す液晶が好
ましい。具体例としては、以下のものを挙げるこ
とができる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液
晶化合物がSmC*相又はSmH*相となるような温
度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒータ
ーが埋め込まれた銅ブロツク等により支持するこ
とができる。
晶化合物がSmC*相又はSmH*相となるような温
度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒータ
ーが埋め込まれた銅ブロツク等により支持するこ
とができる。
第1図は、強誘電性液晶の動作説明のために、
セルの例を模式的に描いたものである。21a
と、21bは、In2O3、SnO2あるいはITO
(Indium−Tin Oxide)等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間
に液晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配
向したSmC*相又はSmH*相の液晶が封入されて
いる。太線で示した線23が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子23はその分子に直交した方
向に双極子モーメント(P⊥)24を有してい
る。基板21aと21b上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子23のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント(P⊥)24が
すべて電界方向に向くよう、液晶分子23は配向
方向を変えることができる。液晶分子23は、細
長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向
で屈折率異方性を示し、従つて例えばガラス面の
上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電
圧印加極性によつて光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。
セルの例を模式的に描いたものである。21a
と、21bは、In2O3、SnO2あるいはITO
(Indium−Tin Oxide)等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間
に液晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配
向したSmC*相又はSmH*相の液晶が封入されて
いる。太線で示した線23が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子23はその分子に直交した方
向に双極子モーメント(P⊥)24を有してい
る。基板21aと21b上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子23のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント(P⊥)24が
すべて電界方向に向くよう、液晶分子23は配向
方向を変えることができる。液晶分子23は、細
長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向
で屈折率異方性を示し、従つて例えばガラス面の
上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電
圧印加極性によつて光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液
晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば10μ以
下)することができる。このように液晶層が薄く
なるにしたがい、第2図に示すように電界を印加
していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、その双極子モーメントPaまたはPbは上向き
34a又は下向き34bのどちらかの状態をと
る。このようなセルに、第2図に示す如く一定の
閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電圧印加
手段31aと31bにより付与すると、双極子モ
ーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対
応して上向き34a又は下向き34bと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状態3
3aかあるいは第2の安定状態33bの何れか1
方に配向する。
晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば10μ以
下)することができる。このように液晶層が薄く
なるにしたがい、第2図に示すように電界を印加
していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、その双極子モーメントPaまたはPbは上向き
34a又は下向き34bのどちらかの状態をと
る。このようなセルに、第2図に示す如く一定の
閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電圧印加
手段31aと31bにより付与すると、双極子モ
ーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対
応して上向き34a又は下向き34bと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状態3
3aかあるいは第2の安定状態33bの何れか1
方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが2つある。その
第1は、応答速度が極めて速いことであり、第2
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第2の点を、例えば第2図によつて更に説明
すると、電界Eaを印加すると液晶分子は第1の
安定状態33aに配向するが、この状態は電界を
切つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印
加すると、液晶分子は第2の安定状態33bに配
向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切つてもこの状態に留つている。又、与える電界
Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
セルとして出来るだけ薄い方が好ましい。
ることの利点は、先にも述べたが2つある。その
第1は、応答速度が極めて速いことであり、第2
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第2の点を、例えば第2図によつて更に説明
すると、電界Eaを印加すると液晶分子は第1の
安定状態33aに配向するが、この状態は電界を
切つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印
加すると、液晶分子は第2の安定状態33bに配
向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切つてもこの状態に留つている。又、与える電界
Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
セルとして出来るだけ薄い方が好ましい。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成す
るに当たつて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC*相又はSmH*を有する層が基板面
に対して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略
平行に配向した、モノドメイン性の高いセルを形
成することが困難なことであり、この点に解決を
与えることが本発明の主要な目的である。
るに当たつて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC*相又はSmH*を有する層が基板面
に対して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略
平行に配向した、モノドメイン性の高いセルを形
成することが困難なことであり、この点に解決を
与えることが本発明の主要な目的である。
第3図A−Cは、本発明の光学変調素子の一実
施例を示している。第3図Aは同実施例の斜視図
であり、第3図Bはその側面の断面図、第3図C
はその正面の断面図である。但し第3図Aにおい
ては、液晶ならびに偏光子の図示は省略してあ
る。
施例を示している。第3図Aは同実施例の斜視図
であり、第3図Bはその側面の断面図、第3図C
はその正面の断面図である。但し第3図Aにおい
ては、液晶ならびに偏光子の図示は省略してあ
る。
第3図A−Cにおいて、ガラス板またはプラス
チツク板などからなる基板101の上に、複数の
電極102からなる電極群(例えば走査電極群を
構成)が、所定のパターンにエツチング等により
形成されている。さらに、これら電極102と交
互に且つ並列する位置関係で、ストライプ形状で
複数配置された側壁106および107を有する
スペーサ部材104が形成されている。
チツク板などからなる基板101の上に、複数の
電極102からなる電極群(例えば走査電極群を
構成)が、所定のパターンにエツチング等により
形成されている。さらに、これら電極102と交
互に且つ並列する位置関係で、ストライプ形状で
複数配置された側壁106および107を有する
スペーサ部材104が形成されている。
これらスペーサ部材は他の形状であつてもよ
い。例えば、この例では、これらスペーサ部材1
04の断面形状は、第3図Cに、より詳細に示す
ように逆台形の形状であるが、矩形であつてもよ
い。
い。例えば、この例では、これらスペーサ部材1
04の断面形状は、第3図Cに、より詳細に示す
ように逆台形の形状であるが、矩形であつてもよ
い。
さらに基板101上のスペーサ部材104形成
部を除き電極102を覆つて絶縁膜103が形成
されている。
部を除き電極102を覆つて絶縁膜103が形成
されている。
スペーサ部材104は、例えばポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、
ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるい
は感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴ
ム系フオトレジスト、フエノールノボラツク系フ
オトレジストあるいは電子線フオトレジスト(ポ
リメチルメタクリレート、エポキシ化―1,4―
ポリブタジエンなど)などから選択して形成する
ことが好ましい。
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、
ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるい
は感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴ
ム系フオトレジスト、フエノールノボラツク系フ
オトレジストあるいは電子線フオトレジスト(ポ
リメチルメタクリレート、エポキシ化―1,4―
ポリブタジエンなど)などから選択して形成する
ことが好ましい。
絶縁膜103は、電極102から液晶層への電
荷の注入を防止する機能を有し、例えば一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フツ化マグネシウム、醸化セリウム、フツ
化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭化物、ホ
ウ素窒化物、などの化合物を用いて例えば蒸着に
より被膜形成して得ることができる。またそれ以
外にも、例えばポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂やアク
リル樹脂などの樹脂類の塗膜として形成すること
もできる。絶縁膜103の膜厚は、材料のもつ電
荷注入防止能力と、液晶層の厚さにも依存する
が、通常50Å〜5μ、好適には、500Å〜5000Åの
範囲で設定される。一方、液晶層の層厚は、液晶
材料に特有の配向のし易さと素子として要求され
る応答速度に依存するが、スペーサ部材104の
高さによつて決定され、通常0.2μ〜200μ、好適に
は、0.5μ〜10μの範囲で設定される。又、スペー
サ部材104の幅は、通常0.5μ〜50μ、好適には
1μ〜20μの範囲で設定される。スペーサ部材10
4のピツチ(間隔)は、あまり大きすぎると液晶
分子の均一な配向性を阻害し、一方あまり小さ過
ぎると液晶光学素子としての有効面積の減少を招
く。このため、通常10μ〜2mm、好適には、50〜
700μの範囲でピツチが設定される。
荷の注入を防止する機能を有し、例えば一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フツ化マグネシウム、醸化セリウム、フツ
化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭化物、ホ
ウ素窒化物、などの化合物を用いて例えば蒸着に
より被膜形成して得ることができる。またそれ以
外にも、例えばポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂やアク
リル樹脂などの樹脂類の塗膜として形成すること
もできる。絶縁膜103の膜厚は、材料のもつ電
荷注入防止能力と、液晶層の厚さにも依存する
が、通常50Å〜5μ、好適には、500Å〜5000Åの
範囲で設定される。一方、液晶層の層厚は、液晶
材料に特有の配向のし易さと素子として要求され
る応答速度に依存するが、スペーサ部材104の
高さによつて決定され、通常0.2μ〜200μ、好適に
は、0.5μ〜10μの範囲で設定される。又、スペー
サ部材104の幅は、通常0.5μ〜50μ、好適には
1μ〜20μの範囲で設定される。スペーサ部材10
4のピツチ(間隔)は、あまり大きすぎると液晶
分子の均一な配向性を阻害し、一方あまり小さ過
ぎると液晶光学素子としての有効面積の減少を招
く。このため、通常10μ〜2mm、好適には、50〜
700μの範囲でピツチが設定される。
これらスペーサ部材104は、例えばスクリー
ン印刷等の各種印刷法、あるいは、より好ましく
はフオトリソグラフイー、電子線リソグラフイー
等の技術により所定のパターンならびに寸法に形
成される。
ン印刷等の各種印刷法、あるいは、より好ましく
はフオトリソグラフイー、電子線リソグラフイー
等の技術により所定のパターンならびに寸法に形
成される。
本発明の光学変調素子は、上記のようにして処
理された基板101と平行に重ね合されたもう一
方の基板110を備えており、この基板110の
上には複数の電極(たとえば信号電極)111か
らなる電極群と、更にその上に絶縁膜112が形
成されている。複数の(信号)電極111と、も
う一方の複数の(走査)電極102は、マトリク
ス構造で配線されることができる。基板110上
の絶縁膜112は、前述の絶縁膜103と同様に
液晶層105に流れる電流の発生を防止するもの
であり、前述の絶縁膜103と同様の物質によつ
て被膜形成される。本発明に従い、この基板10
1の絶縁膜112のなす平面113にはラビング
処理を行ない、その配向方向を、前記基板101
上のスペーサ部材104の延長方向とほぼ平行
(すなわち、これら二方向のなす角度をθとして、
好ましくは0゜≦θ<15゜)させる。本発明者等の
研究によれば、このような平行関係が満たされな
いと、スペーサのエツジ部分で液晶分子の配向が
乱れたり、記憶作用を有するセルにおいては、双
安定状態間でのスイツチングがうまく行なわれな
い現象が生じる。但し上記したθの範囲表現から
もわかるように、15゜程度までのずれは実用上問
題ない。このような一軸配向性処理は、TN型液
晶セルについてよく知られているように、絶縁膜
112をビロード、布または紙などによりラビン
グ処理により達成することができる。
理された基板101と平行に重ね合されたもう一
方の基板110を備えており、この基板110の
上には複数の電極(たとえば信号電極)111か
らなる電極群と、更にその上に絶縁膜112が形
成されている。複数の(信号)電極111と、も
う一方の複数の(走査)電極102は、マトリク
ス構造で配線されることができる。基板110上
の絶縁膜112は、前述の絶縁膜103と同様に
液晶層105に流れる電流の発生を防止するもの
であり、前述の絶縁膜103と同様の物質によつ
て被膜形成される。本発明に従い、この基板10
1の絶縁膜112のなす平面113にはラビング
処理を行ない、その配向方向を、前記基板101
上のスペーサ部材104の延長方向とほぼ平行
(すなわち、これら二方向のなす角度をθとして、
好ましくは0゜≦θ<15゜)させる。本発明者等の
研究によれば、このような平行関係が満たされな
いと、スペーサのエツジ部分で液晶分子の配向が
乱れたり、記憶作用を有するセルにおいては、双
安定状態間でのスイツチングがうまく行なわれな
い現象が生じる。但し上記したθの範囲表現から
もわかるように、15゜程度までのずれは実用上問
題ない。このような一軸配向性処理は、TN型液
晶セルについてよく知られているように、絶縁膜
112をビロード、布または紙などによりラビン
グ処理により達成することができる。
なお上記したような、ラビング処理は、基板1
01についても行なうことができる。この際は、
スペーサ部材104の延長方向とほぼ平行ラビン
グ処理後に、絶縁膜103を蒸着により形成する
か、あるいは絶縁膜103の形成後にラビング処
理を行ない、その後に絶縁膜103のなす面10
8の配向処理効果を選択的に除くことにより、ス
ペーサ部材104の側壁106および107に選
択的に配向処理効果を付与することが、得られた
光学変調素子の応答速度を高くするために望まし
い。
01についても行なうことができる。この際は、
スペーサ部材104の延長方向とほぼ平行ラビン
グ処理後に、絶縁膜103を蒸着により形成する
か、あるいは絶縁膜103の形成後にラビング処
理を行ない、その後に絶縁膜103のなす面10
8の配向処理効果を選択的に除くことにより、ス
ペーサ部材104の側壁106および107に選
択的に配向処理効果を付与することが、得られた
光学変調素子の応答速度を高くするために望まし
い。
本発明の光学変調素子には、一対の平行基板1
01と110の両側、すなわち基板101と11
0を挾む一対の偏光手段(偏光子114と検光子
115)を用いることができる。偏光子114と
検光子115としては、通常の偏光板、偏光膜や
偏光ビームスプリツターを用いることができ、こ
の際、この偏光手段をクロスニコル状態又はパラ
レルニコル状態で、配置することが可能である。
01と110の両側、すなわち基板101と11
0を挾む一対の偏光手段(偏光子114と検光子
115)を用いることができる。偏光子114と
検光子115としては、通常の偏光板、偏光膜や
偏光ビームスプリツターを用いることができ、こ
の際、この偏光手段をクロスニコル状態又はパラ
レルニコル状態で、配置することが可能である。
本発明の光学変調素子は、一対の平行基板を上
記したスペーサ部材の延長方向と一軸性配向処理
方向の相互関係を満たすように固定し、それらの
周辺をエポキシ系接着剤や低融点ガラスで封止し
た後、強誘電性液晶を封入し等方(isotropic)
相にまで加熱した状態より、精密に温度コントロ
ールし乍ら徐冷することによつて、得ることがで
きる。代表的な例として、DOBAMBC(decy
loxy−benzylidene−p′−amino−2−methyl
butyl cinnamate)の場合、徐冷過程において等
方相−SmA相−SmC*相という段階を経て相転移
するが、らせん状態から双安定状態に移り得るた
めの液晶層の厚さは2〜3μm以下であり、好ま
しくはスペーサ部材104の厚さにより1〜3μ
m程度に調節される。
記したスペーサ部材の延長方向と一軸性配向処理
方向の相互関係を満たすように固定し、それらの
周辺をエポキシ系接着剤や低融点ガラスで封止し
た後、強誘電性液晶を封入し等方(isotropic)
相にまで加熱した状態より、精密に温度コントロ
ールし乍ら徐冷することによつて、得ることがで
きる。代表的な例として、DOBAMBC(decy
loxy−benzylidene−p′−amino−2−methyl
butyl cinnamate)の場合、徐冷過程において等
方相−SmA相−SmC*相という段階を経て相転移
するが、らせん状態から双安定状態に移り得るた
めの液晶層の厚さは2〜3μm以下であり、好ま
しくはスペーサ部材104の厚さにより1〜3μ
m程度に調節される。
上記においては、本発明の光学変調素子を、そ
の好ましい一実施例に基づいて説明した。しかし
ながら本発明の範囲内で、上記実施例を種々変形
することができることは、容易に理解できよう。
たとえば、上記例においてスペーサ部材104と
して説明した部材は、液晶に対して必要な壁効果
を及ぼすための側壁を有するならば、一対の平行
基板の両方に接触してスペーサ部材としても機能
するものではなくてもよい。但し上述の例からも
分る通り、スペーサ部材は好ましい構造部材の例
である。また、電極は上記した単純ストライプ状
のマトリクス電極に限らず、他の形状、例えば7
セグメント構造の電極配線で形成されていてもよ
い。これに伴ないスペーサ部材104の形状も、
相互間の距離が極端に異なることなく配列され、
液晶に対してほぼ一様な壁効果を及ぼし得る限り
において、ストライプ形状に限らず、他の形状で
あつてもよい。
の好ましい一実施例に基づいて説明した。しかし
ながら本発明の範囲内で、上記実施例を種々変形
することができることは、容易に理解できよう。
たとえば、上記例においてスペーサ部材104と
して説明した部材は、液晶に対して必要な壁効果
を及ぼすための側壁を有するならば、一対の平行
基板の両方に接触してスペーサ部材としても機能
するものではなくてもよい。但し上述の例からも
分る通り、スペーサ部材は好ましい構造部材の例
である。また、電極は上記した単純ストライプ状
のマトリクス電極に限らず、他の形状、例えば7
セグメント構造の電極配線で形成されていてもよ
い。これに伴ないスペーサ部材104の形状も、
相互間の距離が極端に異なることなく配列され、
液晶に対してほぼ一様な壁効果を及ぼし得る限り
において、ストライプ形状に限らず、他の形状で
あつてもよい。
以下、本発明の光学変調素子の具体的な製造例
を説明する。
を説明する。
例 1
ITOからなるストライプ状のパターン電極が形
成されたガラス基板上に、以下の如くにしてジル
コニア膜を形成した。
成されたガラス基板上に、以下の如くにしてジル
コニア膜を形成した。
すなわち、電子ビーム蒸着装置内に、基板とジ
ルコニア焼結体をセツトし、1×10-6Torr以下
まで圧力を下げて、加速電圧10KV、フイラメン
ト電流70mAの条件で、電子ビームによつて、ジ
ルコニア焼結体を溶融、蒸発せしめ、約10分間
で、約1000Åのジルコニア膜を形成した。
ルコニア焼結体をセツトし、1×10-6Torr以下
まで圧力を下げて、加速電圧10KV、フイラメン
ト電流70mAの条件で、電子ビームによつて、ジ
ルコニア焼結体を溶融、蒸発せしめ、約10分間
で、約1000Åのジルコニア膜を形成した。
次に、上記基板に、シランカツプリング剤(信
越化学工業(株)製“KBM403”)の1%ブタノール
溶液を2000rpm、15秒のスピナーコテイングによ
り塗布後、加熱乾燥し、(A)電極板を作製し、その
シランカツプリング剤処理面を一方向にラビング
処理した。
越化学工業(株)製“KBM403”)の1%ブタノール
溶液を2000rpm、15秒のスピナーコテイングによ
り塗布後、加熱乾燥し、(A)電極板を作製し、その
シランカツプリング剤処理面を一方向にラビング
処理した。
次いで、ITOからなるストライプ状のパターン
電極が形成されたガラス基板上に、ポリイミド形
成溶液(日立化成工業(株)製の「ポリイミドQ」;
不揮発分濃度14.5wt%)を、3000rpmで回転する
スピナー塗布機で10秒間かけて塗布し、20℃で30
分間加熱を行なつて2μの被膜を形成した。次い
で、フエノール樹脂系ネガ型レジスト溶液(日立
化成工業(株)製「レイキヤストRD−2000N」)を
3000rpmで回転するスピナー塗布機で10秒間かけ
て塗布し、80℃で20分間加熱を行なつて約2μの
被膜を形成した。このレジスト層上に、マスク巾
8μ、マスク部のピツチ100μのストライプ状マス
クを用いて露光した。次いで現像液(日立化成工
業(株)製「RD−DEVELOPER」)を用い、25℃で
85秒間の浸漬現像を行なつた後、蒸留水中に30秒
間浸漬し、60℃で5分間乾燥した。さらにポスト
リンス液(日立化成工業(株)製「RD−
POSTRINSSE」)中へ23℃で1分間浸漬した後、
140℃で20分間の加熱によりスペーサ層を形成し
た。走査型電子顕微鏡により、スペーサ形状が、
逆台形であることを確認した。
電極が形成されたガラス基板上に、ポリイミド形
成溶液(日立化成工業(株)製の「ポリイミドQ」;
不揮発分濃度14.5wt%)を、3000rpmで回転する
スピナー塗布機で10秒間かけて塗布し、20℃で30
分間加熱を行なつて2μの被膜を形成した。次い
で、フエノール樹脂系ネガ型レジスト溶液(日立
化成工業(株)製「レイキヤストRD−2000N」)を
3000rpmで回転するスピナー塗布機で10秒間かけ
て塗布し、80℃で20分間加熱を行なつて約2μの
被膜を形成した。このレジスト層上に、マスク巾
8μ、マスク部のピツチ100μのストライプ状マス
クを用いて露光した。次いで現像液(日立化成工
業(株)製「RD−DEVELOPER」)を用い、25℃で
85秒間の浸漬現像を行なつた後、蒸留水中に30秒
間浸漬し、60℃で5分間乾燥した。さらにポスト
リンス液(日立化成工業(株)製「RD−
POSTRINSSE」)中へ23℃で1分間浸漬した後、
140℃で20分間の加熱によりスペーサ層を形成し
た。走査型電子顕微鏡により、スペーサ形状が、
逆台形であることを確認した。
次いで、ストライプ状スペーサのストライプ方
向と正確に一致させて、ラビングを行なつた後、
水とアセトンにより順次洗浄し、乾燥させた後、
前述と同様にして、ジルコニア膜を設け、さら
に、シランカツプリング剤による処理を行ない(B)
電極板を作製した。
向と正確に一致させて、ラビングを行なつた後、
水とアセトンにより順次洗浄し、乾燥させた後、
前述と同様にして、ジルコニア膜を設け、さら
に、シランカツプリング剤による処理を行ない(B)
電極板を作製した。
上記で得られた(A)電極板のラビング方向と(B)電
極板のストライプ状スペーサの延長方向が平行と
なる様にセル組みし、DOBAMBCを等方相にな
るまで加熱して、上記セルに封入した。セルの温
度を徐々に冷却し、モノドメイン液晶素子を作製
した。
極板のストライプ状スペーサの延長方向が平行と
なる様にセル組みし、DOBAMBCを等方相にな
るまで加熱して、上記セルに封入した。セルの温
度を徐々に冷却し、モノドメイン液晶素子を作製
した。
例 2
絶縁膜として、以下の如くにして、酸化セリウ
ム膜を形成した。すなわち、電子ビーム蒸着装置
内に基板と酸化セリウム固形物をセツトし、1×
10-6Torr以下になるよう真空びきをした。次に、
加速電圧10KV、フイラメント電流100mAの条件
で電子ビームによつて、酸化セリウム固形物を溶
融、蒸発せしめ、約10分間で、約1000Åの酸化セ
リウム膜を形成した。
ム膜を形成した。すなわち、電子ビーム蒸着装置
内に基板と酸化セリウム固形物をセツトし、1×
10-6Torr以下になるよう真空びきをした。次に、
加速電圧10KV、フイラメント電流100mAの条件
で電子ビームによつて、酸化セリウム固形物を溶
融、蒸発せしめ、約10分間で、約1000Åの酸化セ
リウム膜を形成した。
以後の手順は例1と全く同様にして、素子を作
製した。
製した。
例 3〜6
前述の例1で用いたDOBAMBCに代えて、前
述の液晶No.1(例3)、液晶No.2(例4)、液晶No.
3
(例5)及び液晶No.4(例6)をそれぞれ用いた他
は、例2と同様の手順で液晶素子を作成したとこ
ろ、何れの場合でもモノドメインの液晶相が形成
していることが判明した。
述の液晶No.1(例3)、液晶No.2(例4)、液晶No.
3
(例5)及び液晶No.4(例6)をそれぞれ用いた他
は、例2と同様の手順で液晶素子を作成したとこ
ろ、何れの場合でもモノドメインの液晶相が形成
していることが判明した。
上記例1〜6で作製した液晶表示素子の走査電
極と信号電極にそれぞれ信号を印加したところ、
良好な動作表示が得られた。
極と信号電極にそれぞれ信号を印加したところ、
良好な動作表示が得られた。
発明の効果
上記したように、本発明によれば、一対の電極
基板の一方の電極基板にストライプ状の側壁を有
する構造部材(好ましくは兼スペーサ)を形成
し、かつ該構造部材の延長方向に該基板をラビン
グ処理、他方の基板にラビング処理を行ない、そ
の処理方法を上記構造部材とほぼ平行方向に規制
することにより、特に欠陥の現われやすい記憶状
態においてもスペーサエツジでの欠陥を除くこと
ができる。
基板の一方の電極基板にストライプ状の側壁を有
する構造部材(好ましくは兼スペーサ)を形成
し、かつ該構造部材の延長方向に該基板をラビン
グ処理、他方の基板にラビング処理を行ない、そ
の処理方法を上記構造部材とほぼ平行方向に規制
することにより、特に欠陥の現われやすい記憶状
態においてもスペーサエツジでの欠陥を除くこと
ができる。
第1図は、カイラルスメクテイツク液晶を用い
た光学変調素子を模式的に示す斜視図である。第
2図は、同光学変調素子の双安定性を模式的に示
す斜視図である。第3図Aは本発明の光学変調素
子の斜視図、第3図Bはその側断面図、第3図C
はその正断面図である。 101,110……基板、102,111……
電極、103,112……絶縁層、104……ス
ペーサ部材、105……強誘電性液晶、106,
107……スペーサ部材の側壁、108,113
……絶縁膜の平面、114,115……偏光手
段。
た光学変調素子を模式的に示す斜視図である。第
2図は、同光学変調素子の双安定性を模式的に示
す斜視図である。第3図Aは本発明の光学変調素
子の斜視図、第3図Bはその側断面図、第3図C
はその正断面図である。 101,110……基板、102,111……
電極、103,112……絶縁層、104……ス
ペーサ部材、105……強誘電性液晶、106,
107……スペーサ部材の側壁、108,113
……絶縁膜の平面、114,115……偏光手
段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一対の平行基板間に、無電界時らせん構造が
抑制されたカイラルスメクテイツク液晶を配置し
てなる光学変調素子の製造法において、 該一対の平行基板のうちの第1の基板の液晶と
接触する側の面に、それぞれ側壁を有する複数の
構造部材をストライプ状に配置し、該構造部材の
延長方向に該第1の基板面をラビング処理を施す
工程、 第2の基板の液晶と接する側の面に、ラビング
処理を施す工程、 前記構造部材の延長方向と前記第2の基板に施
したラビング処理方向のなす角度θが、0゜≦θ<
15゜の関係を満たすよう第1と第2の基板を対向
させる工程とを有し、 一対の平行基板間に、スメクテイツクA相を生
じる温度範囲で、液晶分子をラビング処理の方向
に沿つて配向させ、該スメクテイツクA相から降
温させることによつて、カイラルスメクテイツク
相を生じる温度範囲で、液晶分子で組織した複数
の層を基板の投影成分において互いに平行となる
状態で、該層を配向させて2つの異なる安定配向
状態を発現するカイラルスメクテイツク液晶を形
成することを特徴とする光学変調素子の製造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59044882A JPS60188925A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 光学変調素子の製造法 |
US06/706,271 US4720173A (en) | 1984-03-09 | 1985-02-27 | Display having an orientation treatment between 0° and 15° to the spacer wall |
GB08505587A GB2157451B (en) | 1984-03-09 | 1985-03-05 | Liquid crystal device |
DE19853508169 DE3508169A1 (de) | 1984-03-09 | 1985-03-07 | Optische modulationsvorrichtung |
FR858503421A FR2561005B1 (fr) | 1984-03-09 | 1985-03-08 | Dispositif de modulation optique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59044882A JPS60188925A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 光学変調素子の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60188925A JPS60188925A (ja) | 1985-09-26 |
JPH0236930B2 true JPH0236930B2 (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12703856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59044882A Granted JPS60188925A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 光学変調素子の製造法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4720173A (ja) |
JP (1) | JPS60188925A (ja) |
DE (1) | DE3508169A1 (ja) |
FR (1) | FR2561005B1 (ja) |
GB (1) | GB2157451B (ja) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-03-09 JP JP59044882A patent/JPS60188925A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-27 US US06/706,271 patent/US4720173A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-05 GB GB08505587A patent/GB2157451B/en not_active Expired
- 1985-03-07 DE DE19853508169 patent/DE3508169A1/de active Granted
- 1985-03-08 FR FR858503421A patent/FR2561005B1/fr not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3508169A1 (de) | 1985-09-26 |
FR2561005B1 (fr) | 1990-04-20 |
DE3508169C2 (ja) | 1991-05-02 |
GB2157451A (en) | 1985-10-23 |
JPS60188925A (ja) | 1985-09-26 |
GB2157451B (en) | 1987-10-07 |
FR2561005A1 (fr) | 1985-09-13 |
GB8505587D0 (en) | 1985-04-03 |
US4720173A (en) | 1988-01-19 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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