JPH0236930B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツター
アレイ等の液晶素子を用いた光学変調素子の製造
法に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向状
態を改善することにより表示ならびに駆動特性を
改善した光学変調素子の製造法に関する。

背景技術 従来より、走査電極群と信号電極群をマトリク
ス状に構成し、その電極間に液晶化合物を充填し
多数の画素を形成して画像或いは情報の表示を行
う液晶表示素子は、よく知られている。この表示
素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期的
にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所
定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列的
に選択印加する時分割駆動が採用されているが、
この表示素子及びその駆動法には以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点がある。

即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくす
るのが難しいことである。従来の液晶の中で応答
速度が比較的高く、しかも消費電力が小さいこと
から、表示素子として実用に供されてるのは殆ん
どが、例えばM.SchadtとW.HeIfrich著
“AppIied Physics Letters”Vo.18、No.４（1971、
２，15）、P.127〜128の“Voltage−Dependent
Optical Activity of ａ Twisted Nematic
Liquid Crystal”に示されたTN（twisted
nematic）型の液晶を用いたものであり、この型
の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶の分子が液晶層厚方向で捩れた構造
（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶
の分子が平行に配列した構造を形成している。一
方、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶が電界方向に配列し、この結果、光
学変調を起すことができる。この型の液晶を用い
てマトリクス電極構造によつて表示素子を構成し
た場合、走査電極と信号電極が共に選択される領
域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域（非選
択点）には電圧は印加されず、したがつて液晶分
子は電極面に対して並行な安定配列を保つてい
る。このような液晶セルの上下に互いにクロスニ
コル関係にある直線偏光子を配置することによ
り、選択点では光が透過せず、非選択点では光が
透過するため、画像素子とすることが可能とな
る。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場
合には、走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号
電極が選択される領域（所謂“半選択点”）にも
有限に電界がかかつてしまう。選択点にかかる電
圧と、半選択点にかかる電圧の差が充分に大き
く、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要す
る電閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけであるが、走
査線数（Ｎ）を増やして行つた場合、画面全体
（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかつている時間（duty比）が１／
Ｎの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行つた場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増
える程小さくなり、結果的には画像コトラストの
低下やクロストークが避け難い欠点となつてい
る。このような現象は、双安定性を有さない液晶
（電極面に対し、液晶分子が水平に配向している
のが安定状態であり、電界が有効に印加されてい
る間のみ垂直に配向する）を時間的蓄積効果を利
用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生ずる本質的には避け難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動
法や、多重マトリクス法等が既に提案されている
が、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の
大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせ
ないことによつて頭打ちになつているのが現状で
ある。

一方、プリンタ分野を眺めて見るに、電気信号
を入力としてハードコピーを得る手段として、画
素密度の点からもスピードの点からも電気画像信
号を光の形で電子写真感光体に与えるレーザービ
ームプリンタ（LBP）が現在最も優れている。
ところがLBPには、 １ プリンタとしての装置が大型になる； ２ ポリゴンスキヤナの様な高速の駆動部分があ
り騒が発生し、また厳しい機械的精度が要求さ
れる；など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気信
号を光信号に変換する素子として、液晶シヤツタ
ーアレイが提案されている。ところが、液晶シヤ
ツタアレイを用いて画素信号を与える場合、たと
えば200mmの長さの中に画素信号を20dot／mmの割
合で書き込むためには、4000個の信号発生部を有
していなければならず、それぞれに独立した信号
を与えるためには、元来それぞれの信号発生部全
てに信号を送るリード線を配線しなければなら
ず、製作上困難であつた。

そのため、1LINE（ライン）分の画素信号を数
行に分割された信号発生部により、時分割して与
える試みがなされている。この様にすれば、信号
を与える電極を、複数の信号発生部に対して共通
にすることができ、実質配線を大幅に軽減するこ
とができるからである。ところが、この場合通常
行われているように双安定性を有さない液晶を用
いて行数（Ｎ）を増して行くと、信号ONの時間
が実質的に１／Ｎとなり感光体上で得られる光量
が減少してしまつたり、クロストークの問題が生
ずるという難点がある。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善する
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る（特開昭56−107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等）。双安定性を有する液晶とし
ては、一般に、カイラルスメクテイツクＣ相
（SmC^*）又はＨ相（SmH^*）を有する強誘電性
液晶が用いられる。この液晶は電界に対して第１
の光学的安定状態と第２の光学安定状態からなる
双安定状態を有し、従つて前述のTN型の液晶で
用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方
の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に
液晶が配向し、他方の電界ベクトンに対しては第
２の光学的安定状態に液晶が配向される。またこ
の型の液晶は、加えられる電界に応答して、極め
て速やかに上記２つの安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持
する性質を有する。このような性質を利用するこ
とにより、上述した従来のTN型素子の問題点の
多くに対して、かなり本質的な改善が得られる。
この点は、本発明と関連して、以下に、更に詳細
に説明する。しかしながら、この双安定性を有す
る液晶を用いる光学変調素子が所定の駆動特性を
発揮するためには、一対の平行基板間に配置され
る液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような
分子配列状態にあることが必要である。たとえば
SmC^*またはSmH^*相を有する強誘電性液晶につ
いては、SmC^*またはSmH^*相を有する液晶分子
層が基板面に対して垂直で、したがつて液晶分子
軸が基板面にほぼ平行に配列した領域（モノドメ
イン）が形成される必要がある。しかしながら、
従来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調素
子においては、このようなモノドメイン構造を有
する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成され
なかつたために、充分な特性が得られなかつたの
が実情である。

たとえば、Clarkらによれば、このような配向
状態を与えるために、磁界を印加する方法、せん
断力を印加する方法、基板間に小間隔で平行なリ
ツジ（ridge）を配列する方法などが提案されて
いる。しかしながら、これらは、いずれも必ずし
も満足すべき結果を与えるものではなかつた。た
とえば、磁界を印加する方法は、大規模な装置を
要求するとともに作動特性の良好な薄層セルとは
両立しがたいという難点があり、また、せん断力
を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入す
る方法と両立しないという難点がある。またセル
内に平行なリツジを配列する方法では、それのみ
によつては、安定な配向効果を与えられない。

発明の目的 本発明の主要な目的は、上述した事情に鑑み、
高速応答性、高密度画素と大面積を有する表示素
子、あるいは高速度のシヤツタスピードを有する
光学シヤツター等として潜在的な適性を有する強
誘電性液晶を使用する光学変調素子において、従
来問題であつたモノドメイン形成性ないしは初期
配向性を改善することにより、その特性を充分に
発揮させ得る光学変調素子の製造法を提供するこ
とにある。

発明の概要 本発明者らは、上述の目的で更に研究した結
果、液晶を挾持する一対の平行基板にラビングに
よる一軸性配向処理効果とストライプ状の側壁を
有する構造部材の配列による構造的配向制御効果
を併用し、且つ一軸性配向処理方向と構造部材の
配列方向とを相関づけて規制することにより、液
晶の双安定性に基づく作動特性との両立性の優れ
たモノドメイン構造が得られることを見出した。

特に、コレステリツク相よりスメクテイツク相
例えばSmA（スメクテイツクＡ相）等の低温状態
へ移行する降温過程における配向性に着目したと
ころ、高温側のコレステリツク相より低温側のス
メクテイツク相へ相転移する場合、液晶と界面で
接する基板の面に液晶の分子軸方向を優先して一
方向に配列させる効果を付与し、基板間にストラ
イプ構造部材を配置することにより、例えば
SmAの液晶分子が一方向に配列したモノドメイ
ンを形成することができ、この結果液晶の双安定
性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイ
ン性を両立しうる構造の液晶素子が得られること
を見い出した。

本発明の光学変調素子は、このような知見に基
づくものであり、より詳しくは、一対の平行基板
間に強誘電性液晶を挾持させてなる光学変調素子
において、該一対の平行基板のうちの第１の基板
の液晶と接触する側の面には、それぞれ側壁を有
する複数の構造部材がストライプ状に配置され、
かつ該構造部材の延長方向に該基板面をラビング
処理し、第２の基板の液晶と接する側の面には、
前記第１の基板上の複数の構造部材の延長方向と
ほぼ平行な方向にラビング処理が施こされている
ことを特徴とするものである。

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明
を更に詳細に説明する。

本発明で用いる液晶は、強誘電性を有するもの
であつて、具体的にはカイラルスメクテイツクＣ
相（SmC^*）又はＨ相（SmH^*）を有する液晶を
用いることができる。

強誘電性液晶の詳細については、たとえばLE
JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS”36
（Ｌ―69）1975、「Ferroelectric Liquid
Crystals」；”Applied Physics Letters”36
（11）1980「Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid
Crystals」；”固体物理”16（141）1981「液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示さ
れた強誘電性液晶を用いることができる。

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロ
キシベンジリデン―p′―アミノ―２―メチルブチ
ル シンナメート（DOBAMBC）、ヘキシルオ
キシベンジリデン―p′―アミノ―２―クロロプロ
ピルシンナメート（HOBACPC）、４―ｏ―（２
―メチル）―ブチルレゾルシリデン―4₂₀オクチ
ルアニリン（MBRA8）が挙げられる。

特に、本発明の液晶素子子ではスメクテイツク
相より高温側でコレステリツク相を示す液晶が好
ましい。具体例としては、以下のものを挙げるこ
とができる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液
晶化合物がSmC^*相又はSmH^*相となるような温
度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒータ
ーが埋め込まれた銅ブロツク等により支持するこ
とができる。

第１図は、強誘電性液晶の動作説明のために、
セルの例を模式的に描いたものである。２１ａ
と、２１ｂは、In₂O₃、SnO₂あるいはITO
（Indium−Tin Oxide）等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配
向したSmC^*相又はSmH^*相の液晶が封入されて
いる。太線で示した線２３が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子２３はその分子に直交した方
向に双極子モーメント（P⊥）２４を有してい
る。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント（P⊥）２４が
すべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向
方向を変えることができる。液晶分子２３は、細
長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向
で屈折率異方性を示し、従つて例えばガラス面の
上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電
圧印加極性によつて光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液
晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μ以
下）することができる。このように液晶層が薄く
なるにしたがい、第２図に示すように電界を印加
していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、その双極子モーメントPaまたはPbは上向き
３４ａ又は下向き３４ｂのどちらかの状態をと
る。このようなセルに、第２図に示す如く一定の
閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電圧印加
手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子モ
ーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３
３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂの何れか１
方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Eaを印加すると液晶分子は第１の
安定状態３３ａに配向するが、この状態は電界を
切つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印
加すると、液晶分子は第２の安定状態３３ｂに配
向してその分子の向きを変えるが、やはり電界を
切つてもこの状態に留つている。又、与える電界
Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
セルとして出来るだけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成す
るに当たつて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC^*相又はSmH^*を有する層が基板面
に対して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略
平行に配向した、モノドメイン性の高いセルを形
成することが困難なことであり、この点に解決を
与えることが本発明の主要な目的である。

第３図Ａ−Ｃは、本発明の光学変調素子の一実
施例を示している。第３図Ａは同実施例の斜視図
であり、第３図Ｂはその側面の断面図、第３図Ｃ
はその正面の断面図である。但し第３図Ａにおい
ては、液晶ならびに偏光子の図示は省略してあ
る。

第３図Ａ−Ｃにおいて、ガラス板またはプラス
チツク板などからなる基板１０１の上に、複数の
電極１０２からなる電極群（例えば走査電極群を
構成）が、所定のパターンにエツチング等により
形成されている。さらに、これら電極１０２と交
互に且つ並列する位置関係で、ストライプ形状で
複数配置された側壁１０６および１０７を有する
スペーサ部材１０４が形成されている。

これらスペーサ部材は他の形状であつてもよ
い。例えば、この例では、これらスペーサ部材１
０４の断面形状は、第３図Ｃに、より詳細に示す
ように逆台形の形状であるが、矩形であつてもよ
い。

さらに基板１０１上のスペーサ部材１０４形成
部を除き電極１０２を覆つて絶縁膜１０３が形成
されている。

スペーサ部材１０４は、例えばポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、
ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、
ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるい
は感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴ
ム系フオトレジスト、フエノールノボラツク系フ
オトレジストあるいは電子線フオトレジスト（ポ
リメチルメタクリレート、エポキシ化―１，４―
ポリブタジエンなど）などから選択して形成する
ことが好ましい。

絶縁膜１０３は、電極１０２から液晶層への電
荷の注入を防止する機能を有し、例えば一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、ジルコ
ニア、フツ化マグネシウム、醸化セリウム、フツ
化セリウム、シリコン窒化物シリコン炭化物、ホ
ウ素窒化物、などの化合物を用いて例えば蒸着に
より被膜形成して得ることができる。またそれ以
外にも、例えばポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂やアク
リル樹脂などの樹脂類の塗膜として形成すること
もできる。絶縁膜１０３の膜厚は、材料のもつ電
荷注入防止能力と、液晶層の厚さにも依存する
が、通常50Å〜5μ、好適には、500Å〜5000Åの
範囲で設定される。一方、液晶層の層厚は、液晶
材料に特有の配向のし易さと素子として要求され
る応答速度に依存するが、スペーサ部材１０４の
高さによつて決定され、通常0.2μ〜200μ、好適に
は、0.5μ〜10μの範囲で設定される。又、スペー
サ部材１０４の幅は、通常0.5μ〜50μ、好適には
1μ〜20μの範囲で設定される。スペーサ部材１０
４のピツチ（間隔）は、あまり大きすぎると液晶
分子の均一な配向性を阻害し、一方あまり小さ過
ぎると液晶光学素子としての有効面積の減少を招
く。このため、通常10μ〜２mm、好適には、50〜
700μの範囲でピツチが設定される。

これらスペーサ部材１０４は、例えばスクリー
ン印刷等の各種印刷法、あるいは、より好ましく
はフオトリソグラフイー、電子線リソグラフイー
等の技術により所定のパターンならびに寸法に形
成される。

本発明の光学変調素子は、上記のようにして処
理された基板１０１と平行に重ね合されたもう一
方の基板１１０を備えており、この基板１１０の
上には複数の電極（たとえば信号電極）１１１か
らなる電極群と、更にその上に絶縁膜１１２が形
成されている。複数の（信号）電極１１１と、も
う一方の複数の（走査）電極１０２は、マトリク
ス構造で配線されることができる。基板１１０上
の絶縁膜１１２は、前述の絶縁膜１０３と同様に
液晶層１０５に流れる電流の発生を防止するもの
であり、前述の絶縁膜１０３と同様の物質によつ
て被膜形成される。本発明に従い、この基板１０
１の絶縁膜１１２のなす平面１１３にはラビング
処理を行ない、その配向方向を、前記基板１０１
上のスペーサ部材１０４の延長方向とほぼ平行
（すなわち、これら二方向のなす角度をθとして、
好ましくは0゜≦θ＜15゜）させる。本発明者等の
研究によれば、このような平行関係が満たされな
いと、スペーサのエツジ部分で液晶分子の配向が
乱れたり、記憶作用を有するセルにおいては、双
安定状態間でのスイツチングがうまく行なわれな
い現象が生じる。但し上記したθの範囲表現から
もわかるように、15゜程度までのずれは実用上問
題ない。このような一軸配向性処理は、TN型液
晶セルについてよく知られているように、絶縁膜
１１２をビロード、布または紙などによりラビン
グ処理により達成することができる。

なお上記したような、ラビング処理は、基板１
０１についても行なうことができる。この際は、
スペーサ部材１０４の延長方向とほぼ平行ラビン
グ処理後に、絶縁膜１０３を蒸着により形成する
か、あるいは絶縁膜１０３の形成後にラビング処
理を行ない、その後に絶縁膜１０３のなす面１０
８の配向処理効果を選択的に除くことにより、ス
ペーサ部材１０４の側壁１０６および１０７に選
択的に配向処理効果を付与することが、得られた
光学変調素子の応答速度を高くするために望まし
い。

本発明の光学変調素子には、一対の平行基板１
０１と１１０の両側、すなわち基板１０１と１１
０を挾む一対の偏光手段（偏光子１１４と検光子
１１５）を用いることができる。偏光子１１４と
検光子１１５としては、通常の偏光板、偏光膜や
偏光ビームスプリツターを用いることができ、こ
の際、この偏光手段をクロスニコル状態又はパラ
レルニコル状態で、配置することが可能である。

本発明の光学変調素子は、一対の平行基板を上
記したスペーサ部材の延長方向と一軸性配向処理
方向の相互関係を満たすように固定し、それらの
周辺をエポキシ系接着剤や低融点ガラスで封止し
た後、強誘電性液晶を封入し等方（isotropic）
相にまで加熱した状態より、精密に温度コントロ
ールし乍ら徐冷することによつて、得ることがで
きる。代表的な例として、DOBAMBC（decy
loxy−benzylidene−p′−amino−２−methyl
butyl cinnamate）の場合、徐冷過程において等
方相−SmA相−SmC^*相という段階を経て相転移
するが、らせん状態から双安定状態に移り得るた
めの液晶層の厚さは２〜3μｍ以下であり、好ま
しくはスペーサ部材１０４の厚さにより１〜3μ
ｍ程度に調節される。

上記においては、本発明の光学変調素子を、そ
の好ましい一実施例に基づいて説明した。しかし
ながら本発明の範囲内で、上記実施例を種々変形
することができることは、容易に理解できよう。
たとえば、上記例においてスペーサ部材１０４と
して説明した部材は、液晶に対して必要な壁効果
を及ぼすための側壁を有するならば、一対の平行
基板の両方に接触してスペーサ部材としても機能
するものではなくてもよい。但し上述の例からも
分る通り、スペーサ部材は好ましい構造部材の例
である。また、電極は上記した単純ストライプ状
のマトリクス電極に限らず、他の形状、例えば７
セグメント構造の電極配線で形成されていてもよ
い。これに伴ないスペーサ部材１０４の形状も、
相互間の距離が極端に異なることなく配列され、
液晶に対してほぼ一様な壁効果を及ぼし得る限り
において、ストライプ形状に限らず、他の形状で
あつてもよい。

以下、本発明の光学変調素子の具体的な製造例
を説明する。

例 １ ITOからなるストライプ状のパターン電極が形
成されたガラス基板上に、以下の如くにしてジル
コニア膜を形成した。

すなわち、電子ビーム蒸着装置内に、基板とジ
ルコニア焼結体をセツトし、１×10^-6Torr以下
まで圧力を下げて、加速電圧10KV、フイラメン
ト電流70mAの条件で、電子ビームによつて、ジ
ルコニア焼結体を溶融、蒸発せしめ、約10分間
で、約1000Åのジルコニア膜を形成した。

次に、上記基板に、シランカツプリング剤（信
越化学工業(株)製“KBM403”）の１％ブタノール
溶液を2000rpm、15秒のスピナーコテイングによ
り塗布後、加熱乾燥し、(A)電極板を作製し、その
シランカツプリング剤処理面を一方向にラビング
処理した。

次いで、ITOからなるストライプ状のパターン
電極が形成されたガラス基板上に、ポリイミド形
成溶液（日立化成工業(株)製の「ポリイミドＱ」；
不揮発分濃度14.5wt％）を、3000rpmで回転する
スピナー塗布機で10秒間かけて塗布し、20℃で30
分間加熱を行なつて2μの被膜を形成した。次い
で、フエノール樹脂系ネガ型レジスト溶液（日立
化成工業(株)製「レイキヤストRD−2000N」）を
3000rpmで回転するスピナー塗布機で10秒間かけ
て塗布し、80℃で20分間加熱を行なつて約2μの
被膜を形成した。このレジスト層上に、マスク巾
8μ、マスク部のピツチ100μのストライプ状マス
クを用いて露光した。次いで現像液（日立化成工
業(株)製「RD−DEVELOPER」）を用い、25℃で
85秒間の浸漬現像を行なつた後、蒸留水中に30秒
間浸漬し、60℃で５分間乾燥した。さらにポスト
リンス液（日立化成工業(株)製「RD−
POSTRINSSE」）中へ23℃で１分間浸漬した後、
140℃で20分間の加熱によりスペーサ層を形成し
た。走査型電子顕微鏡により、スペーサ形状が、
逆台形であることを確認した。

次いで、ストライプ状スペーサのストライプ方
向と正確に一致させて、ラビングを行なつた後、
水とアセトンにより順次洗浄し、乾燥させた後、
前述と同様にして、ジルコニア膜を設け、さら
に、シランカツプリング剤による処理を行ない(B)
電極板を作製した。

上記で得られた(A)電極板のラビング方向と(B)電
極板のストライプ状スペーサの延長方向が平行と
なる様にセル組みし、DOBAMBCを等方相にな
るまで加熱して、上記セルに封入した。セルの温
度を徐々に冷却し、モノドメイン液晶素子を作製
した。

例 ２ 絶縁膜として、以下の如くにして、酸化セリウ
ム膜を形成した。すなわち、電子ビーム蒸着装置
内に基板と酸化セリウム固形物をセツトし、１×
10^-6Torr以下になるよう真空びきをした。次に、
加速電圧10KV、フイラメント電流100mAの条件
で電子ビームによつて、酸化セリウム固形物を溶
融、蒸発せしめ、約10分間で、約1000Åの酸化セ
リウム膜を形成した。

以後の手順は例１と全く同様にして、素子を作
製した。

例 ３〜６ 前述の例１で用いたDOBAMBCに代えて、前
述の液晶No.１（例３）、液晶No.２（例４）、液晶No.
３
（例５）及び液晶No.４（例６）をそれぞれ用いた他
は、例２と同様の手順で液晶素子を作成したとこ
ろ、何れの場合でもモノドメインの液晶相が形成
していることが判明した。

上記例１〜６で作製した液晶表示素子の走査電
極と信号電極にそれぞれ信号を印加したところ、
良好な動作表示が得られた。

発明の効果 上記したように、本発明によれば、一対の電極
基板の一方の電極基板にストライプ状の側壁を有
する構造部材（好ましくは兼スペーサ）を形成
し、かつ該構造部材の延長方向に該基板をラビン
グ処理、他方の基板にラビング処理を行ない、そ
の処理方法を上記構造部材とほぼ平行方向に規制
することにより、特に欠陥の現われやすい記憶状
態においてもスペーサエツジでの欠陥を除くこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、カイラルスメクテイツク液晶を用い
た光学変調素子を模式的に示す斜視図である。第
２図は、同光学変調素子の双安定性を模式的に示
す斜視図である。第３図Ａは本発明の光学変調素
子の斜視図、第３図Ｂはその側断面図、第３図Ｃ
はその正断面図である。 １０１，１１０……基板、１０２，１１１……
電極、１０３，１１２……絶縁層、１０４……ス
ペーサ部材、１０５……強誘電性液晶、１０６，
１０７……スペーサ部材の側壁、１０８，１１３
……絶縁膜の平面、１１４，１１５……偏光手
段。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一対の平行基板間に、無電界時らせん構造が
   抑制されたカイラルスメクテイツク液晶を配置し
   てなる光学変調素子の製造法において、 該一対の平行基板のうちの第１の基板の液晶と
   接触する側の面に、それぞれ側壁を有する複数の
   構造部材をストライプ状に配置し、該構造部材の
   延長方向に該第１の基板面をラビング処理を施す
   工程、 第２の基板の液晶と接する側の面に、ラビング
   処理を施す工程、 前記構造部材の延長方向と前記第２の基板に施
   したラビング処理方向のなす角度θが、0゜≦θ＜
   15゜の関係を満たすよう第１と第２の基板を対向
   させる工程とを有し、 一対の平行基板間に、スメクテイツクＡ相を生
   じる温度範囲で、液晶分子をラビング処理の方向
   に沿つて配向させ、該スメクテイツクＡ相から降
   温させることによつて、カイラルスメクテイツク
   相を生じる温度範囲で、液晶分子で組織した複数
   の層を基板の投影成分において互いに平行となる
   状態で、該層を配向させて２つの異なる安定配向
   状態を発現するカイラルスメクテイツク液晶を形
   成することを特徴とする光学変調素子の製造法。