JPH0799419B2 - 液晶素子 - Google Patents
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- JPH0799419B2 JPH0799419B2 JP60233036A JP23303685A JPH0799419B2 JP H0799419 B2 JPH0799419 B2 JP H0799419B2 JP 60233036 A JP60233036 A JP 60233036A JP 23303685 A JP23303685 A JP 23303685A JP H0799419 B2 JPH0799419 B2 JP H0799419B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツターアレイ等
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することにより表示ならびに駆動特性を改善
した液晶素子に関する。
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することにより表示ならびに駆動特性を改善
した液晶素子に関する。
これまで、クラークらにより米国特許第4367924号公報
で強誘電性液晶素子が発表されている。この強誘電性液
晶素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される強誘電性液晶が、電界の印加状態
とは無関係に、上記２つの安定状態の間での交換が効果
的に起るような分子配列状態にあることが必要である。
たとえばカイラルスメクチツク相を有する強誘電性液晶
については、カイラルスメクチツク相の液晶分子層が基
板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板面に
ほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が形成される
必要がある。
で強誘電性液晶素子が発表されている。この強誘電性液
晶素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される強誘電性液晶が、電界の印加状態
とは無関係に、上記２つの安定状態の間での交換が効果
的に起るような分子配列状態にあることが必要である。
たとえばカイラルスメクチツク相を有する強誘電性液晶
については、カイラルスメクチツク相の液晶分子層が基
板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板面に
ほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が形成される
必要がある。
この様な強誘電性液晶の配向方法としては、従来のTN型
液晶表示装置におけると同様に、ラビング法や斜方蒸着
により、液晶セル内の基板面に、物理的なキズ（溝）を
付した有機薄膜、無機蒸着膜を形成して分子の配列方向
性を与える方法が提案されている。例えば、ラビング法
は、ガラス基板上に透明電極を形成した後、有機高分子
膜を形成してそれをビロードなどの布で一方向へこす
り、膜表面についた微細なキズによって液晶分子を整列
させるものである。
液晶表示装置におけると同様に、ラビング法や斜方蒸着
により、液晶セル内の基板面に、物理的なキズ（溝）を
付した有機薄膜、無機蒸着膜を形成して分子の配列方向
性を与える方法が提案されている。例えば、ラビング法
は、ガラス基板上に透明電極を形成した後、有機高分子
膜を形成してそれをビロードなどの布で一方向へこす
り、膜表面についた微細なキズによって液晶分子を整列
させるものである。
ラビング法は、生産性等の点から工業的にも有力な配向
方向であるが、複数のストライプ形状の透明電極を有す
る液晶セルを用いて強誘電性液晶を配向させようとする
と、広い面積にわたる充分な配向状態が得られず、液晶
分子の配列が乱れた部分（欠陥）を生じることがしばし
ば起こる。
方向であるが、複数のストライプ形状の透明電極を有す
る液晶セルを用いて強誘電性液晶を配向させようとする
と、広い面積にわたる充分な配向状態が得られず、液晶
分子の配列が乱れた部分（欠陥）を生じることがしばし
ば起こる。
特に、下述する様に基板上に形成したマトリクス電極が
高密度で配線されると、電極線の低抵抗化のために、電
極線が比較的厚い（例えば800Å〜3000Å）膜厚となる
ため、基板自体の面と電極間との間で800Å以上の大き
な段差を形成し、この段差が強誘電性液晶に対する配向
欠陥を発生させる原因となっていることが、本発明者の
実験により明らかとなった。
高密度で配線されると、電極線の低抵抗化のために、電
極線が比較的厚い（例えば800Å〜3000Å）膜厚となる
ため、基板自体の面と電極間との間で800Å以上の大き
な段差を形成し、この段差が強誘電性液晶に対する配向
欠陥を発生させる原因となっていることが、本発明者の
実験により明らかとなった。
従って、本発明の目的は、強誘電性液晶を用いた液晶素
子において、配向欠陥の発生が抑制された均一なモノド
メインの初期配向状態を実現することによって、表示並
びに駆動特性を改善した液晶素子を提供することにあ
る。
子において、配向欠陥の発生が抑制された均一なモノド
メインの初期配向状態を実現することによって、表示並
びに駆動特性を改善した液晶素子を提供することにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕 本発明者等は、前述した配向欠陥の発生原因を調べた結
果、ストライプ状の透明電極を形成したことによる基板
内の段差部分において、特に欠陥が発生しやすく、この
ような欠陥の状態が一軸性配向処理方向に依存すること
を見い出した。つまり、本発明は、一対の基板間にカイ
ラルスメクティック液晶を配置してなる液晶素子におい
て、前記一対の基板の両方の基板が互いに交差したスト
ライプ形状の透明電極を有し、一方の基板が該ストライ
プ形状の透明電極の稜線方法に沿った第一の一軸性配向
処理を施してなり、他方の基板が該ストライプ形状の透
明電極間の凹部構造を覆うストライプ形状であって、一
方の基板に接している高さの絶縁性突起体を設けてな
り、且つ該他方の基板が該ストライプ形状の絶縁性突起
体の長手方向に対して直交する方向の第二の一軸性配向
処理を施してなり、これによって前記カイラルスメクテ
ィック液晶が第一及び第二の一軸性配向処理を施した平
面に接してなる液晶素子に特徴がある。
果、ストライプ状の透明電極を形成したことによる基板
内の段差部分において、特に欠陥が発生しやすく、この
ような欠陥の状態が一軸性配向処理方向に依存すること
を見い出した。つまり、本発明は、一対の基板間にカイ
ラルスメクティック液晶を配置してなる液晶素子におい
て、前記一対の基板の両方の基板が互いに交差したスト
ライプ形状の透明電極を有し、一方の基板が該ストライ
プ形状の透明電極の稜線方法に沿った第一の一軸性配向
処理を施してなり、他方の基板が該ストライプ形状の透
明電極間の凹部構造を覆うストライプ形状であって、一
方の基板に接している高さの絶縁性突起体を設けてな
り、且つ該他方の基板が該ストライプ形状の絶縁性突起
体の長手方向に対して直交する方向の第二の一軸性配向
処理を施してなり、これによって前記カイラルスメクテ
ィック液晶が第一及び第二の一軸性配向処理を施した平
面に接してなる液晶素子に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
〔実施例〕 第１図は、本発明の液晶素子の概要を表わす斜視図であ
る。第１図に示す液晶素子は、800Å〜3000Åにストラ
イプ形状に形成した透明電極12a（ITO膜、酸化スズ膜）
を配線したガラス基板11aとストライプ形状に形成した
透明電極12b（ITO膜、酸化スズ膜）を配線したガラス基
板11bとが相対向して配置されており、ストライプ状透
明電極12aと12bとが互いに直交している。このガラス基
板11aと11bとの間にはカイラルスメクチツク相、好まし
くはらせん消失したカイラルスメクチツク相で強誘電性
を示す強誘電性液晶14が注入されている。ガラス基板11
aにはかかる液晶14に対して段差体となるストライプ状
透明電極12aの稜線15と平行な方向13にラビング処理な
どの一軸性配向処理が施されている。
る。第１図に示す液晶素子は、800Å〜3000Åにストラ
イプ形状に形成した透明電極12a（ITO膜、酸化スズ膜）
を配線したガラス基板11aとストライプ形状に形成した
透明電極12b（ITO膜、酸化スズ膜）を配線したガラス基
板11bとが相対向して配置されており、ストライプ状透
明電極12aと12bとが互いに直交している。このガラス基
板11aと11bとの間にはカイラルスメクチツク相、好まし
くはらせん消失したカイラルスメクチツク相で強誘電性
を示す強誘電性液晶14が注入されている。ガラス基板11
aにはかかる液晶14に対して段差体となるストライプ状
透明電極12aの稜線15と平行な方向13にラビング処理な
どの一軸性配向処理が施されている。
本発明の好ましい具体例では、片側の基板であるガラス
基板11bとしては、液晶層膜に対して段差を生じる段差
体を解消した基板を用いることができる。
基板11bとしては、液晶層膜に対して段差を生じる段差
体を解消した基板を用いることができる。
第２図（Ａ）は、前述した好ましい片側基板11bの態様
を、第２図（Ｂ）はそれを用いた液晶素子を表わしてい
る。片側基板11bには基板11aに形成したストライプ状透
明電極12aと直交したストライプ状透明電極12bが設けら
れており、それぞれの電極間全体にスペーサ部材21が配
設されている。かかるスペーサ部21を電極間全体に配置
することによって、電極を設けたことによって帰因する
液晶層膜に対する段差を解消することができる。従っ
て、片側基板11bにはストライプ状透明電極12bの稜線23
に対して垂直方向22（基板11aの一軸性配向軸13と平
行）でラビング処理による一軸性配向軸を施したとして
も、この基板11bには液晶層膜に対する段差を生じてい
ないので、この部分における配向欠陥を生じることはな
い。
を、第２図（Ｂ）はそれを用いた液晶素子を表わしてい
る。片側基板11bには基板11aに形成したストライプ状透
明電極12aと直交したストライプ状透明電極12bが設けら
れており、それぞれの電極間全体にスペーサ部材21が配
設されている。かかるスペーサ部21を電極間全体に配置
することによって、電極を設けたことによって帰因する
液晶層膜に対する段差を解消することができる。従っ
て、片側基板11bにはストライプ状透明電極12bの稜線23
に対して垂直方向22（基板11aの一軸性配向軸13と平
行）でラビング処理による一軸性配向軸を施したとして
も、この基板11bには液晶層膜に対する段差を生じてい
ないので、この部分における配向欠陥を生じることはな
い。
又、本発明では、第２図（Ａ）に示す片側基板11bには
必ずしもラビング処理を施さなくとも、良好な配向状態
を得ることができるので、片側基板11bに施したラビン
グ処理は省略されることができる。片側の基板11bに施
す一軸性配向処理22として、基板11aに施した一軸性配
向処理13と90度以下の角度（例えば10度〜60度の角度）
で交差させた一軸性配向処理軸22を形成することも可能
である。
必ずしもラビング処理を施さなくとも、良好な配向状態
を得ることができるので、片側基板11bに施したラビン
グ処理は省略されることができる。片側の基板11bに施
す一軸性配向処理22として、基板11aに施した一軸性配
向処理13と90度以下の角度（例えば10度〜60度の角度）
で交差させた一軸性配向処理軸22を形成することも可能
である。
本発明の好ましい具体例では、一軸性配向処理を施す基
板（例えば基板11a）には、図示していない各種の配向
制御膜を設け、かかる配向制御膜にラビング処理などの
一軸性配向処理を施すことができる。この配向制御膜に
用いる材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂
類、あるいは感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環
化ゴム系フオトレジスト、フエノールノボラツク系フオ
トレジストあるいは電子線フオトレジスト（ポリメチル
メタクリレート、エポキシ化−1,4−ポリブタジエンな
ど）などから選択して被膜形成したものが好ましい。
板（例えば基板11a）には、図示していない各種の配向
制御膜を設け、かかる配向制御膜にラビング処理などの
一軸性配向処理を施すことができる。この配向制御膜に
用いる材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂
類、あるいは感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環
化ゴム系フオトレジスト、フエノールノボラツク系フオ
トレジストあるいは電子線フオトレジスト（ポリメチル
メタクリレート、エポキシ化−1,4−ポリブタジエンな
ど）などから選択して被膜形成したものが好ましい。
又、本発明の液晶素子を作成するに当って、基板11aと1
1bの間隔を制御する必要がある。特に、カイラルスメク
チツク相のらせん構造を消失させるに十分な間隔とする
必要がある。基板11aと11bの間に適当なスペーサ部材21
が配置されて、その間隔を全面に亘って均一なもとする
ことができる。この際、基板11bには、第２図に示す様
にストライプ状透明電極12bのそれぞれの間を覆うスト
ライプ状スペーサ部材21を設けることが好ましい。スペ
ーサ部材21の膜厚は、強誘電性液晶14の膜厚を決定する
ことができるので、従って液晶材料の種類や要求される
応答速度などにより変化するが、一般的には0.2μ〜20
μ、好適には0.5μ〜10μの範囲に設定される。又、本
発明の別の具体例ではスペーサ部材として、前述のスト
ライプ状スペーサの他にグラスフアイバーやアルミナビ
ーズなどを用いることも可能である。
1bの間隔を制御する必要がある。特に、カイラルスメク
チツク相のらせん構造を消失させるに十分な間隔とする
必要がある。基板11aと11bの間に適当なスペーサ部材21
が配置されて、その間隔を全面に亘って均一なもとする
ことができる。この際、基板11bには、第２図に示す様
にストライプ状透明電極12bのそれぞれの間を覆うスト
ライプ状スペーサ部材21を設けることが好ましい。スペ
ーサ部材21の膜厚は、強誘電性液晶14の膜厚を決定する
ことができるので、従って液晶材料の種類や要求される
応答速度などにより変化するが、一般的には0.2μ〜20
μ、好適には0.5μ〜10μの範囲に設定される。又、本
発明の別の具体例ではスペーサ部材として、前述のスト
ライプ状スペーサの他にグラスフアイバーやアルミナビ
ーズなどを用いることも可能である。
本発明の液晶素子は、実際の駆動を行なうのに先立っ
て、予め双安定性下に配向している強誘電性液晶14に交
流を印加すると、配向欠陥がなく、しかも交流印加前に
較べ向上したコントラスト下で表示駆動を行なうことが
できる。この際に用いる印加交流としては、10〜100Vの
電圧、周波数10〜100Hzで数秒〜数分間の交流が適用さ
れる。
て、予め双安定性下に配向している強誘電性液晶14に交
流を印加すると、配向欠陥がなく、しかも交流印加前に
較べ向上したコントラスト下で表示駆動を行なうことが
できる。この際に用いる印加交流としては、10〜100Vの
電圧、周波数10〜100Hzで数秒〜数分間の交流が適用さ
れる。
本発明で用いる強誘電性液晶としては、各種のものが適
用されるが、特にカイラルスメクチツク相より高温側に
コレステリツク相をもつ液晶が適している。具体的に
は、下記のものを挙げることができる。
用されるが、特にカイラルスメクチツク相より高温側に
コレステリツク相をもつ液晶が適している。具体的に
は、下記のものを挙げることができる。
（C:結晶相、SC *：カイラルスメクチツクＣ相、SA：ス
メクチツクＡ相、SB：スメクチツクＢ相、SE：スメクチ
ツクＥ相、Ch:コレステリツク相、I:等方相） 第３図は、本発明で用いる強誘電性液晶の動作説明のた
めにセルの例を模式的に描いたものである。31aと31b
は、液晶層膜に対して段差を形成するIn2O2，SnO2ある
いはITO（Indium-Tin-Oxide）等の薄膜（800Å〜3000
Å）からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）で
あり、その間に液晶分子層32がガラス面に垂直になるよ
う配向したSmC＊（カイラルスメクチツクＣ相）又はSmH
＊（カイラルスメクチツクＨ相）の液晶が封入されてい
る。太線で示した線33が液晶分子を表わしており、この
液晶分子33はその分子に直交した方向に双極子モーメン
ト（Ｐ⊥）34を有している。基板31aと31b上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子33のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）34がすべて
電界方向に向くよう、液晶分子33は配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子33は、細長い形状を有しており、
その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って
例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を
置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。
メクチツクＡ相、SB：スメクチツクＢ相、SE：スメクチ
ツクＥ相、Ch:コレステリツク相、I:等方相） 第３図は、本発明で用いる強誘電性液晶の動作説明のた
めにセルの例を模式的に描いたものである。31aと31b
は、液晶層膜に対して段差を形成するIn2O2，SnO2ある
いはITO（Indium-Tin-Oxide）等の薄膜（800Å〜3000
Å）からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）で
あり、その間に液晶分子層32がガラス面に垂直になるよ
う配向したSmC＊（カイラルスメクチツクＣ相）又はSmH
＊（カイラルスメクチツクＨ相）の液晶が封入されてい
る。太線で示した線33が液晶分子を表わしており、この
液晶分子33はその分子に直交した方向に双極子モーメン
ト（Ｐ⊥）34を有している。基板31aと31b上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子33のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）34がすべて
電界方向に向くよう、液晶分子33は配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子33は、細長い形状を有しており、
その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って
例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を
置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを十分に薄く（例えば10μ以下）することができ
る。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第４図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子モ
ーメントPaまたはPbは上向き（44a）又は下向き（44b）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第４図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電
圧印加手段41aと41bにより付与すると、双極子モーメン
トは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向き44
a又は下向き44bと向きを変え、それに応じて液晶分子
は、第１の安定状態43aか、あるいは第２の安定状態43b
の何れか１方に配向する。
の厚さを十分に薄く（例えば10μ以下）することができ
る。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第４図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子モ
ーメントPaまたはPbは上向き（44a）又は下向き（44b）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第４図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電
圧印加手段41aと41bにより付与すると、双極子モーメン
トは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向き44
a又は下向き44bと向きを変え、それに応じて液晶分子
は、第１の安定状態43aか、あるいは第２の安定状態43b
の何れか１方に配向する。
このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先に述べたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。第２の点を、例えば第４図によっ
て更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１
の安定状態43aに配向するが、この状態は電界を切って
も安定である。又、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶
分子は第２の安定状態43bに配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留ってい
る。又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、そ
れぞれの配向状態にやはり維持されている。このような
応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセ
ルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。
は、先に述べたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。第２の点を、例えば第４図によっ
て更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１
の安定状態43aに配向するが、この状態は電界を切って
も安定である。又、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶
分子は第２の安定状態43bに配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留ってい
る。又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、そ
れぞれの配向状態にやはり維持されている。このような
応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセ
ルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。
実施例１ 1500Åの膜厚をもち、線幅50μがピツチ12.5μで形成さ
れたITOのストライプ電極パターン（16pel）を有するガ
ラス板の上に（ポリイミド形成液（日立化成工業（株）
製の「PIQ」；不揮発分濃度14.5wt％）を２μ厚となる
様に塗布してポリイミドの被膜を形成した。
れたITOのストライプ電極パターン（16pel）を有するガ
ラス板の上に（ポリイミド形成液（日立化成工業（株）
製の「PIQ」；不揮発分濃度14.5wt％）を２μ厚となる
様に塗布してポリイミドの被膜を形成した。
次いで、このポリイミド膜の上にポジ型レジスト溶液
（Shipley社製の“AZ1350"）を塗布してレジスト層を形
成した後、ITO電極間の全面にマスクが位置する様にマ
スク幅12.5μマスク部のピツチ50μのストライプ状マス
クを用いて露光した。次いで、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド含有の現像液“MF312"で現像して
露光部のレジスト膜とポリイミド膜を除去し、しかる後
にレジストマスクを除去してポリイミドの硬化条件下で
加熱硬化させて、ITOストライプ電極線の間を完全に覆
った形状のスペーサ部材を形成させた後、このスペーサ
部材の稜線方向と垂直にラビング処理を施した（Ａ電極
板）。
（Shipley社製の“AZ1350"）を塗布してレジスト層を形
成した後、ITO電極間の全面にマスクが位置する様にマ
スク幅12.5μマスク部のピツチ50μのストライプ状マス
クを用いて露光した。次いで、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド含有の現像液“MF312"で現像して
露光部のレジスト膜とポリイミド膜を除去し、しかる後
にレジストマスクを除去してポリイミドの硬化条件下で
加熱硬化させて、ITOストライプ電極線の間を完全に覆
った形状のスペーサ部材を形成させた後、このスペーサ
部材の稜線方向と垂直にラビング処理を施した（Ａ電極
板）。
次いで、1500Åの膜厚をもち、線幅50μがピツチ12.5μ
で形成されたITOストライプ電極パターンを有するガラ
ス基板上に、前述と同様のPIQを用いて800Åのポリイミ
ド膜を形成した。次いで、ITOストライプ電極線の稜線
と平行方向に前述のポリイミド膜にラビング処理を施し
た（Ｂ電極板）。
で形成されたITOストライプ電極パターンを有するガラ
ス基板上に、前述と同様のPIQを用いて800Åのポリイミ
ド膜を形成した。次いで、ITOストライプ電極線の稜線
と平行方向に前述のポリイミド膜にラビング処理を施し
た（Ｂ電極板）。
この２枚の電極板をそれぞれのITOストライプパターン
が直交し、ラビング方向が互いに平行となる様に重ね合
せ、その周辺をエポキシ系接着剤でシーリングした後、
注入口からカイラルスメクチツク相を示す等方相下の前
記液晶（１）を注入し、徐冷（0.5℃／時間）下でセル
内にカイラルスメクチツクＣ相を生じさせた。
が直交し、ラビング方向が互いに平行となる様に重ね合
せ、その周辺をエポキシ系接着剤でシーリングした後、
注入口からカイラルスメクチツク相を示す等方相下の前
記液晶（１）を注入し、徐冷（0.5℃／時間）下でセル
内にカイラルスメクチツクＣ相を生じさせた。
こうして調整した強誘電性液晶素子をクロスニコル下の
偏光顕微鏡で観察（写真撮影）したところ、第５図に示
す様なモノドメインのSmC＊の形成が確認することがで
きた。この液晶素子には、1500ÅのITO膜により形成さ
れた段差が存在しているにもかかわらず、配向欠陥の発
生はなかった。第５図中の51はモノドメインのカイラル
スメクチツクＣ相、52はストライプ形状に形成したスペ
ーサ部材、53は透明電極間隔を現わしている。
偏光顕微鏡で観察（写真撮影）したところ、第５図に示
す様なモノドメインのSmC＊の形成が確認することがで
きた。この液晶素子には、1500ÅのITO膜により形成さ
れた段差が存在しているにもかかわらず、配向欠陥の発
生はなかった。第５図中の51はモノドメインのカイラル
スメクチツクＣ相、52はストライプ形状に形成したスペ
ーサ部材、53は透明電極間隔を現わしている。
比較例１ 前述の実施例１の強誘電性液晶素子を作成した際に用い
たＢ電極に代えて、Ｂ′電極板を用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成した。こ
の際、Ｂ′電極板は、ラビング方向をITOストライプパ
ターンの長手方向に対して垂直方向としたほかは、Ｂ電
極板を作成した方法と同様の方法で作成した。
たＢ電極に代えて、Ｂ′電極板を用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成した。こ
の際、Ｂ′電極板は、ラビング方向をITOストライプパ
ターンの長手方向に対して垂直方向としたほかは、Ｂ電
極板を作成した方法と同様の方法で作成した。
この比較素子を実施例１と同様の方法で写真撮影したと
ころ、第６図にスケツチしたとおりとなっていた。すな
わち、第６図に示した様に配向欠陥に基づくと見られる
配向不整合部61が見られる。
ころ、第６図にスケツチしたとおりとなっていた。すな
わち、第６図に示した様に配向欠陥に基づくと見られる
配向不整合部61が見られる。
実施例２ 実施例１のＢ電極板を作成した時に用いたポリイミド膜
に代えてポリビニルアルコール膜を用いたほかは、同様
の方法で電極板を作成し、同様の実験を繰り返したが、
実施例と同様の結果が得られた。
に代えてポリビニルアルコール膜を用いたほかは、同様
の方法で電極板を作成し、同様の実験を繰り返したが、
実施例と同様の結果が得られた。
本発明によれば、配向欠陥を生じていない良好な初期配
向状態をもつ強誘電性液晶素子を提供することができ、
しかも表示駆動に先立って予め印加交流を双安定下の強
誘電性液晶に付与することによって向上したコントラス
トの表示を実現することができる。
向状態をもつ強誘電性液晶素子を提供することができ、
しかも表示駆動に先立って予め印加交流を双安定下の強
誘電性液晶に付与することによって向上したコントラス
トの表示を実現することができる。
第１図は、本発明の強誘電性液晶素子の斜視図である。
第２図（Ａ）は、本発明の液晶素子で用いた片側基板の
断面図で、第２図（Ｂ）はそれを用いた液晶素子の断面
図である。第３図及び第４図は、本発明の強誘電性液晶
素子の態様を模式的に表わした斜視図である。第５図
は、実施例１で作成した強誘電性液晶素子の顕微鏡写真
をスケツチした説明図である。第６図は、比較例１で作
成した強誘電性液晶素子の顕微鏡写真をスケツチした説
明図である。
第２図（Ａ）は、本発明の液晶素子で用いた片側基板の
断面図で、第２図（Ｂ）はそれを用いた液晶素子の断面
図である。第３図及び第４図は、本発明の強誘電性液晶
素子の態様を模式的に表わした斜視図である。第５図
は、実施例１で作成した強誘電性液晶素子の顕微鏡写真
をスケツチした説明図である。第６図は、比較例１で作
成した強誘電性液晶素子の顕微鏡写真をスケツチした説
明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲葉 豊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 進藤 寿 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 柴田 浩文 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−188925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−201021（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−15311（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−140607（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一対の基板間にカイラルスメクティック液
晶を配置してなる液晶素子において、前記一対の基板の
両方の基板が互いに交差したストライプ形状の透明電極
を有し、一方の基板が該ストライプ形状の透明電極の稜
線方法に沿った第一の一軸性配向処理を施してなり、他
方の基板が該ストライプ形状の透明電極間の凹部構造を
覆うストライプ形状であって、一方の基板に接している
高さの絶縁性突起体を設けてなり、且つ該他方の基板が
該ストライプ形状の絶縁性突起体の長手方向に対して直
交する方向の第二の一軸性配向処理を施してなり、これ
によって前記カイラルスメクティック液晶が第一及び第
二の一軸性配向処理を施した平面に接してなることを特
徴とする液晶素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233036A JPH0799419B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 液晶素子 |
| US08/294,603 US5438443A (en) | 1985-10-18 | 1994-08-23 | Liquid crystal device |
| US08/406,483 US5684613A (en) | 1985-10-18 | 1995-03-20 | LCD with stripe-shaped insulating projections covering gap entirely between stripe-shaped electrodes |
| US08/406,484 US5748274A (en) | 1985-10-18 | 1995-03-20 | LCD having a voltage being applied to the LC in the chiral nematic phase prior to the display driving |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233036A JPH0799419B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 液晶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29316394A Division JPH07253599A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292918A JPS6292918A (ja) | 1987-04-28 |
| JPH0799419B2 true JPH0799419B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=16948799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60233036A Expired - Fee Related JPH0799419B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 液晶素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5438443A (ja) |
| JP (1) | JPH0799419B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02136825A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板及びその製造方法 |
| JPH0327019A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
| JPH07318962A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-12-08 | Seiko Instr Inc | 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 |
| JPH07318940A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5751391A (en) * | 1995-04-27 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same |
| JP3298607B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 液晶素子及びその製造方法 |
| JP3559719B2 (ja) | 1998-01-13 | 2004-09-02 | キヤノン株式会社 | プラズマアドレス型の液晶表示装置 |
| FR2774175B1 (fr) * | 1998-01-27 | 2000-04-07 | Thomson Csf | Capteur electronique matriciel photosensible |
| JP2001291594A (ja) | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Canon Inc | 導電性液晶素子 |
| US20050022721A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Kolis Joseph W. | Acentric, rhombohedral lanthanide borate crystals, method for making, and applications thereof |
| US8139189B2 (en) * | 2006-12-20 | 2012-03-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display having particular oblique vapor deposition-alignment layer with ferroelectric liquid crystal |
| TWI460639B (zh) * | 2009-02-23 | 2014-11-11 | Innolux Corp | 影像顯示系統 |
| CN103149746B (zh) * | 2013-02-21 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶面板及其制备方法、3d眼镜 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7808899A (nl) * | 1978-08-30 | 1980-03-04 | Philips Nv | Weergeefinrichting met vloeibaar kristal. |
| JPS55118015A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-10 | Citizen Watch Co Ltd | Production of liquid crystal display device |
| JPS5715311A (en) * | 1980-07-03 | 1982-01-26 | Tokyo Cosmos Electric | Less colored oxidized tin transparent electrode |
| US4523812A (en) * | 1982-11-23 | 1985-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Plastic liquid crystal devices with unequal substrate thicknesses |
| JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
| US4641922A (en) * | 1983-08-26 | 1987-02-10 | C-D Marketing, Ltd. | Liquid crystal panel shade |
| JPS60140607A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜 |
| JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
| JPS60184227A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| JPS60220316A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-05 | Canon Inc | 液晶光学素子 |
| US4634228A (en) * | 1984-05-01 | 1987-01-06 | Hitachi, Ltd. | Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer |
| US5301049A (en) * | 1984-07-13 | 1994-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with at least two liquid crystal compounds, one having one not having a cholesteric phase |
| US5311343A (en) * | 1984-07-13 | 1994-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with at least two liquid crystal compounds, one having and one not having a chiral smectic phase |
| US4672265A (en) * | 1984-07-31 | 1987-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device |
| US4682858A (en) * | 1984-08-20 | 1987-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having reduced-pressure region in communication with ferroelectric liquid crystal |
| US4775223A (en) * | 1984-09-20 | 1988-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Lactic acid derivative, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device |
| JPS61147232A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US4712877A (en) * | 1985-01-18 | 1987-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor |
| US4737018A (en) * | 1985-01-30 | 1988-04-12 | Seiko Epson Corporation | Display device having anti-reflective electrodes and/or insulating film |
| US4664480A (en) * | 1985-04-26 | 1987-05-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Alignment technique for liquid crystal devices |
| US4775225A (en) * | 1985-05-16 | 1988-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment |
| US4820026A (en) * | 1986-03-20 | 1989-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with modified polyvinyl alcohol alignment film |
| US4796979A (en) * | 1986-04-07 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having dual laminated alignment films |
| US4879059A (en) * | 1986-09-02 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60233036A patent/JPH0799419B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-23 US US08/294,603 patent/US5438443A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-20 US US08/406,483 patent/US5684613A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-20 US US08/406,484 patent/US5748274A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5684613A (en) | 1997-11-04 |
| JPS6292918A (ja) | 1987-04-28 |
| US5438443A (en) | 1995-08-01 |
| US5748274A (en) | 1998-05-05 |
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