JPH02306558A - 電極上への導電性粒子の配置方法 - Google Patents
電極上への導電性粒子の配置方法Info
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- JPH02306558A JPH02306558A JP1127443A JP12744389A JPH02306558A JP H02306558 A JPH02306558 A JP H02306558A JP 1127443 A JP1127443 A JP 1127443A JP 12744389 A JP12744389 A JP 12744389A JP H02306558 A JPH02306558 A JP H02306558A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば半導体集積回路基板、あるいはプリ
ント基板、ガラス基板、フレキシブル基板、またはセラ
ミック基板などの回路基板相互間の電極を、導電性粒子
を介した圧接によって電気的に接続するために好適に実
施される電極上への導電性粒子の配置方法に関する。
ント基板、ガラス基板、フレキシブル基板、またはセラ
ミック基板などの回路基板相互間の電極を、導電性粒子
を介した圧接によって電気的に接続するために好適に実
施される電極上への導電性粒子の配置方法に関する。
従来の技術
従来、回路基板同士の電極を電気的に接続する方法とし
ては、通常、半田付けが行われている。
ては、通常、半田付けが行われている。
半田付けによる方法では、少なくとも一方の回路基板の
電極上に、めっき法や印刷法などによって半田層を形成
し、この半田層を200〜250℃程度の高温に加熱し
、溶融して他方の回路基板の電極に接続する。したがっ
て電極材料として、予めAu、Cu、Niなどの親半田
金属を用いる必要がある。
電極上に、めっき法や印刷法などによって半田層を形成
し、この半田層を200〜250℃程度の高温に加熱し
、溶融して他方の回路基板の電極に接続する。したがっ
て電極材料として、予めAu、Cu、Niなどの親半田
金属を用いる必要がある。
このような半田付けという高温処理による回路基板など
への熱的な弊害や、親半田金属を用いることによるコス
ト高を回避するために、最近では、接着剤中に導電性粒
子を分散させて成る異方導電性接着剤を用いる傾向にあ
る。
への熱的な弊害や、親半田金属を用いることによるコス
ト高を回避するために、最近では、接着剤中に導電性粒
子を分散させて成る異方導電性接着剤を用いる傾向にあ
る。
異方導電性接着剤は、塗布状態で加圧されるとその厚み
方向に対してのみ導電性を示し、それ以外の方向に対し
て□は非導電性である。この異方導電性を利用し、接続
したい電極や端子などの表面にこの異方導電性接着剤を
塗布し、電極間に介在した異方導電性接着剤層をその厚
み方向にわたって加圧して両電極間の電気的および機械
的接続を行う。
方向に対してのみ導電性を示し、それ以外の方向に対し
て□は非導電性である。この異方導電性を利用し、接続
したい電極や端子などの表面にこの異方導電性接着剤を
塗布し、電極間に介在した異方導電性接着剤層をその厚
み方向にわたって加圧して両電極間の電気的および機械
的接続を行う。
特に、配線材料としてI T O(Indium Ti
n0xide)を使用する液晶表示板の端子の接続には
、その接続の容易性および熱的条件の点から、前記異方
導電性接着剤が多用されている。
n0xide)を使用する液晶表示板の端子の接続には
、その接続の容易性および熱的条件の点から、前記異方
導電性接着剤が多用されている。
発明が解決しようとする課題
上記した異方導電性接着剤は、樹脂材料中に導電性粒子
を分散させた構成である。したがって隣接端子間のピッ
チ幅が微細となった場合には、樹脂中に存在する導電性
粒子に起因して電気的短絡が生じ、微小ピッチ幅での接
続が困難となる問題点がある。
を分散させた構成である。したがって隣接端子間のピッ
チ幅が微細となった場合には、樹脂中に存在する導電性
粒子に起因して電気的短絡が生じ、微小ピッチ幅での接
続が困難となる問題点がある。
本発明の目的は、上記問題点を解決して、接続すべき電
極上にのみ導電性の粒子を配置することができ、したが
って電極の微細化に対応することができると共に、接続
の信頼性を向上することができる電極上I\の導電性粒
子の配置方法を提供することである。
極上にのみ導電性の粒子を配置することができ、したが
って電極の微細化に対応することができると共に、接続
の信頼性を向上することができる電極上I\の導電性粒
子の配置方法を提供することである。
課題を解決するための手□段
本発明は、電極が形成された回路基板に光硬化性の樹脂
材料を塗布して樹脂層を形成し、前記樹脂層の層厚より
も大径の導電性の粒子を前記回路基板に散布し、 この導電性粒子が散布された回路基板の樹脂層に、光の
透過領域と遮断領域とが選択的に形成された光の選択透
過部材を介して電極部にのみ光を照射し、 前記樹脂層の硬化に免立って、前記選択透過部材によっ
て導電性粒子を電極側に圧接し、電極上以外に付着した
導電性粒子は、前記樹脂層と共に除去するようにしたこ
とを特徴とする電極上への導電性粒子の配置方法である
。
材料を塗布して樹脂層を形成し、前記樹脂層の層厚より
も大径の導電性の粒子を前記回路基板に散布し、 この導電性粒子が散布された回路基板の樹脂層に、光の
透過領域と遮断領域とが選択的に形成された光の選択透
過部材を介して電極部にのみ光を照射し、 前記樹脂層の硬化に免立って、前記選択透過部材によっ
て導電性粒子を電極側に圧接し、電極上以外に付着した
導電性粒子は、前記樹脂層と共に除去するようにしたこ
とを特徴とする電極上への導電性粒子の配置方法である
。
作 用
4一
本発明に従えば、電極を含む回路基板には光硬化性の樹
脂材料が塗布されて樹脂層が形成される。
脂材料が塗布されて樹脂層が形成される。
この樹脂層には、その層厚よりも大径の導電性粒子が散
布され、電極上以外に付着した前記粒子は樹脂層と共に
除去される。このように電極上へのみ導電性粒子を配置
するには、先ず、前記粒子が散布された回路基板の樹脂
層に、回路基板の電極に対応する位置に光の透過領域と
、光の遮断領域とが選択的に形成された光の選択透過部
材を介して光を照射する。また前記樹脂層が光照射によ
って硬化するに先立って、前記選択透過部材によって導
電性粒子を電極側に圧接する。
布され、電極上以外に付着した前記粒子は樹脂層と共に
除去される。このように電極上へのみ導電性粒子を配置
するには、先ず、前記粒子が散布された回路基板の樹脂
層に、回路基板の電極に対応する位置に光の透過領域と
、光の遮断領域とが選択的に形成された光の選択透過部
材を介して光を照射する。また前記樹脂層が光照射によ
って硬化するに先立って、前記選択透過部材によって導
電性粒子を電極側に圧接する。
これによって前記選択透過部材の光の透過領域に対応し
て光照射によって硬化した樹脂層には。
て光照射によって硬化した樹脂層には。
導電性粒子が埋設して固定され、光の遮断領域に対応し
て光照射されず未硬化の樹脂層には導電性粒子が保持さ
れる。
て光照射されず未硬化の樹脂層には導電性粒子が保持さ
れる。
したがって電極上以外に付着した前記粒子は未硬化の樹
脂層と共に除去することによって、電極上l\配装され
た導電性粒子のみを樹脂層に埋設して固定し、突起した
電極を形成することができる。
脂層と共に除去することによって、電極上l\配装され
た導電性粒子のみを樹脂層に埋設して固定し、突起した
電極を形成することができる。
これによって回路基板上に突起した電極を微細に形成す
ることができ、電極の微細化に対応して高い信頼性で他
の回路基板に接続することができる回路基板が構成され
る。
ることができ、電極の微細化に対応して高い信頼性で他
の回路基板に接続することができる回路基板が構成され
る。
また、接続すべき両回路基板の少なくとも一方の回路基
板に前記突起した電極を形成して両回路基板を圧接する
場合に、両回路基板間に比較的低温度で硬化する接着剤
を充填してこの接着剤を硬化させれば、前記突起した電
極から成る電気的な接続部分が樹脂によって封止され、
接続の信頼性が格段に向上する。
板に前記突起した電極を形成して両回路基板を圧接する
場合に、両回路基板間に比較的低温度で硬化する接着剤
を充填してこの接着剤を硬化させれば、前記突起した電
極から成る電気的な接続部分が樹脂によって封止され、
接続の信頼性が格段に向上する。
実施例
第1図は本発明の一実施例である半導体装置6の構成を
示す断面図であり、第2図は半導体装置6の製造工程を
説明する断面図であり、第3図は半導体装置6が実装さ
れた液晶表示装置1oの断面図である。
示す断面図であり、第2図は半導体装置6の製造工程を
説明する断面図であり、第3図は半導体装置6が実装さ
れた液晶表示装置1oの断面図である。
第3図を参照して、表面に透光性の電極13および対向
電極16がそれぞれ形成された一対の液晶表示板11.
12は、シール樹脂15を介して貼り会わされており、
その間に液晶17が封入されている。液晶表示装置10
において、液晶表示板12上を図面右方に延びる電極1
3には、導電性粒子5を介して半導体装置6が接続され
、液晶表示装置10の表示駆動を行う。また、半導体装
置6と液晶表示板12との接続部分は、接着剤14によ
って封止されている。
電極16がそれぞれ形成された一対の液晶表示板11.
12は、シール樹脂15を介して貼り会わされており、
その間に液晶17が封入されている。液晶表示装置10
において、液晶表示板12上を図面右方に延びる電極1
3には、導電性粒子5を介して半導体装置6が接続され
、液晶表示装置10の表示駆動を行う。また、半導体装
置6と液晶表示板12との接続部分は、接着剤14によ
って封止されている。
半導体装置6は、シリコンあるいはガリウムヒ素などの
基板上に拡散層(図示せず)が形成され、これによって
多数のトランジスタやダイオードなどが構成されて液晶
表示装置1oの表示駆動を行う機能を有する。この半導
体装置6は、基板1と、この基板1の一方表面に予め形
成される電極2と、樹脂層8aと、導電性粒子5とを含
む。
基板上に拡散層(図示せず)が形成され、これによって
多数のトランジスタやダイオードなどが構成されて液晶
表示装置1oの表示駆動を行う機能を有する。この半導
体装置6は、基板1と、この基板1の一方表面に予め形
成される電極2と、樹脂層8aと、導電性粒子5とを含
む。
半導体装置6の電極2としては、通常、AnにStを1
層程度添加したAl−3iが使用されている。Al−3
iは、その表面にごく薄いアルミナなどの絶縁性酸化膜
を形成し、接続時の抵抗が高くなり易い。この接続抵抗
を低減するために、図示はしないけれとも、A1・Si
の電極2にCr、Ti、W、Cu、Ni、Au、Ag、
PtおよびPdなどのうちのいずれかの金属、あるいは
これら金属の合金を材料として、1層もしくは2層以上
の金属層を予め被覆してもよい。
層程度添加したAl−3iが使用されている。Al−3
iは、その表面にごく薄いアルミナなどの絶縁性酸化膜
を形成し、接続時の抵抗が高くなり易い。この接続抵抗
を低減するために、図示はしないけれとも、A1・Si
の電極2にCr、Ti、W、Cu、Ni、Au、Ag、
PtおよびPdなどのうちのいずれかの金属、あるいは
これら金属の合金を材料として、1層もしくは2層以上
の金属層を予め被覆してもよい。
被覆方法としては、上記金属を半導体装置6上にスパッ
タリング法あるいはエレクトロンビーム法などによって
蒸着し、その後フォトリソグラフィ法によってパターン
形成して、電極2に選択的に金属層を被覆する。あるい
は、Al・Siから成る電極2に、Niは直接には無電
解めっきできないので、先にPdを電極2に選択的に無
電解めっきし、その後、Pdに対してNiを無電解めっ
きすることによって、電極2にNiの金属層を被覆する
こともてきる。
タリング法あるいはエレクトロンビーム法などによって
蒸着し、その後フォトリソグラフィ法によってパターン
形成して、電極2に選択的に金属層を被覆する。あるい
は、Al・Siから成る電極2に、Niは直接には無電
解めっきできないので、先にPdを電極2に選択的に無
電解めっきし、その後、Pdに対してNiを無電解めっ
きすることによって、電極2にNiの金属層を被覆する
こともてきる。
基板1の電極2が形成されていない表面領域には、表面
保護層3が形成されている。この表面保護N3は、たと
えばSiN、5in2、あるいはポリイミドなどから成
る。
保護層3が形成されている。この表面保護N3は、たと
えばSiN、5in2、あるいはポリイミドなどから成
る。
基板1の電極2上には、樹脂層8aが形成され〜8−
ている。この樹脂層8aは、後述する本発明の方法によ
って、導電性粒子5の一端が電極2の表面に接触し、他
端が樹脂層8aから突出した状態で硬化される。樹脂層
8aの材料としては、たとえばアクリル系樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ある
いはシリコーン系樹脂などの各種合成樹脂材料を使用す
ることができる。
って、導電性粒子5の一端が電極2の表面に接触し、他
端が樹脂層8aから突出した状態で硬化される。樹脂層
8aの材料としては、たとえばアクリル系樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ある
いはシリコーン系樹脂などの各種合成樹脂材料を使用す
ることができる。
導電性粒子5としては、Au、Ag、Pt、cu、Ni
、C1In、Sn、PbおよびPdなどの金属あるいは
これらの2種類以上の合金を使用することができる。ま
た第1図に例示のように、高分子材料からなる弾性粒子
5bの表面に、導電性材料からなる被覆層5aを形成し
た導電性粒子5としてもよい。この揚重、弾性粒子5b
の高分子材料としては、たとえばポリイミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などのき成樹脂、あるい
はシリコーンゴム、ウレタンゴムなどの合成ゴムが使用
できる。
、C1In、Sn、PbおよびPdなどの金属あるいは
これらの2種類以上の合金を使用することができる。ま
た第1図に例示のように、高分子材料からなる弾性粒子
5bの表面に、導電性材料からなる被覆層5aを形成し
た導電性粒子5としてもよい。この揚重、弾性粒子5b
の高分子材料としては、たとえばポリイミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などのき成樹脂、あるい
はシリコーンゴム、ウレタンゴムなどの合成ゴムが使用
できる。
前記被覆層5aの導電性材料としては、Au、Ag、
Pt、 Cu 、 Ni 、 C、I rr
、S rr 、 pbおよびP dなとの金属
、あるいはこれらのき金を1層もしくは2層以上として
使用することができる。2層以上で被覆層5aを形成す
る場自には、弾性粒子5b/\の密着性に優れるたとえ
ばNiなとの金属層を先に形成し、さらにそのような金
属の酸化防止のために、Auなどの金属層を被覆するこ
とが好ましい。被覆方法としては、スパッタリング法、
エレクトロンビーl−法などによる蒸着法、あるいは無
電解めっきなどの方法を用いることができる。
Pt、 Cu 、 Ni 、 C、I rr
、S rr 、 pbおよびP dなとの金属
、あるいはこれらのき金を1層もしくは2層以上として
使用することができる。2層以上で被覆層5aを形成す
る場自には、弾性粒子5b/\の密着性に優れるたとえ
ばNiなとの金属層を先に形成し、さらにそのような金
属の酸化防止のために、Auなどの金属層を被覆するこ
とが好ましい。被覆方法としては、スパッタリング法、
エレクトロンビーl−法などによる蒸着法、あるいは無
電解めっきなどの方法を用いることができる。
次に、第2図を参照して、本発明の一実施例を説明する
。第2図(1)では、予め電極2および表面保護層3が
形成されている基板1において、この電極2および表面
保護M3の表面に、たとえばスピンコードあるいはロー
ルコートなどの方法によって、光硬化性の樹脂材料を全
面に塗布し、均一な層厚11を有する樹脂層8を形成す
る。この樹脂層8は、塗布状態で粘度μm2000〜1
oooooセンチポアズ(cP)の粘性を有する一1〇
− ことが好ましい。
。第2図(1)では、予め電極2および表面保護層3が
形成されている基板1において、この電極2および表面
保護M3の表面に、たとえばスピンコードあるいはロー
ルコートなどの方法によって、光硬化性の樹脂材料を全
面に塗布し、均一な層厚11を有する樹脂層8を形成す
る。この樹脂層8は、塗布状態で粘度μm2000〜1
oooooセンチポアズ(cP)の粘性を有する一1〇
− ことが好ましい。
上述のように樹脂層8を塗布するためには、予め所定粘
度μに調製された光硬化性の樹脂材料を適当な溶剤で希
釈し、粘度が低下した状態で基板1に塗布する。これに
よって塗布する際の樹脂層8の層厚11が容易に制御で
き、また形成された樹脂層8の層厚p1を基板1上で均
一に保持できる。
度μに調製された光硬化性の樹脂材料を適当な溶剤で希
釈し、粘度が低下した状態で基板1に塗布する。これに
よって塗布する際の樹脂層8の層厚11が容易に制御で
き、また形成された樹脂層8の層厚p1を基板1上で均
一に保持できる。
ところが一般に、光硬化性樹脂は溶剤を含浸した状態で
は、光照射による硬化が不充分となることが知られてい
る。そこで、光硬化性樹脂を塗布して樹脂層8を形成し
た基板1を、たとえば1mrn T o r +−程度
の真空中に、充分な時間たとえば少なくとも1時間程度
放置し、樹脂層8が含む溶剤を充分に気化させる。これ
によって溶剤が気化した樹脂層8は、自然状態の液状体
となり、光硬化性が改善し、予め調製した所定粘度μに
回復する。
は、光照射による硬化が不充分となることが知られてい
る。そこで、光硬化性樹脂を塗布して樹脂層8を形成し
た基板1を、たとえば1mrn T o r +−程度
の真空中に、充分な時間たとえば少なくとも1時間程度
放置し、樹脂層8が含む溶剤を充分に気化させる。これ
によって溶剤が気化した樹脂層8は、自然状態の液状体
となり、光硬化性が改善し、予め調製した所定粘度μに
回復する。
このような基板1上の樹脂層8としては、その層厚11
−1〜20μm程度が好ましい。ずなわぢ、樹脂層8の
層厚11は、基板1および電極2の平坦性や粗面性ある
いはうねりや反りなどといった特性を考慮して決めるべ
きであり、電極の微細化やピッチ幅などの電極間隔に対
応して基本的には薄い方が好ましい。しかし前記層厚1
1よりも薄いと、基板1の粗面性が後述する導電性粒子
5の散布時に粒子5の凹凸として現れ、マスク9による
加圧か不充分となり、電気的接続が不良となり易い。
−1〜20μm程度が好ましい。ずなわぢ、樹脂層8の
層厚11は、基板1および電極2の平坦性や粗面性ある
いはうねりや反りなどといった特性を考慮して決めるべ
きであり、電極の微細化やピッチ幅などの電極間隔に対
応して基本的には薄い方が好ましい。しかし前記層厚1
1よりも薄いと、基板1の粗面性が後述する導電性粒子
5の散布時に粒子5の凹凸として現れ、マスク9による
加圧か不充分となり、電気的接続が不良となり易い。
また樹脂層8が、前記層厚11よりも大きい場音には、
対応することができる電極2の配線数が低下し、ピッチ
幅が増大する。
対応することができる電極2の配線数が低下し、ピッチ
幅が増大する。
樹脂層8の材料としては、たとえばアクリル系やポリエ
ステル系の樹脂材料を基材とし、それに光硬化剤を混入
したもの、または前記基材に光反応性の基を付加して光
硬化性樹脂としたものなどが使用できる。
ステル系の樹脂材料を基材とし、それに光硬化剤を混入
したもの、または前記基材に光反応性の基を付加して光
硬化性樹脂としたものなどが使用できる。
次に、第2図(2)に示されるように、樹脂層8上に導
電性粒子5をほぼ単層で配置する。これによって後述す
るように、他の回路基板と圧接したときに安定した接続
状態を達成てきる。導電性粒子5を単層で配置するには
、前述のような処理によって所定粘度μに調整された樹
脂層8上に、導電性粒子5の充分量を全面に一様に散布
する。
電性粒子5をほぼ単層で配置する。これによって後述す
るように、他の回路基板と圧接したときに安定した接続
状態を達成てきる。導電性粒子5を単層で配置するには
、前述のような処理によって所定粘度μに調整された樹
脂層8上に、導電性粒子5の充分量を全面に一様に散布
する。
この段階で導電性粒子5は、数段に積層した状態であっ
てもよい。
てもよい。
その後、空気または窒素ガスを基板1に吹付けるエアブ
ロ−やN2ブローによって、樹脂層8にその粘着性によ
って付着した導電性粒子5などの上に、単に積層して付
着している余分な導電性粒子5を除去する。あるいは、
水洗いによって余分な導電性粒子5を流出させてもよい
。
ロ−やN2ブローによって、樹脂層8にその粘着性によ
って付着した導電性粒子5などの上に、単に積層して付
着している余分な導電性粒子5を除去する。あるいは、
水洗いによって余分な導電性粒子5を流出させてもよい
。
上述のように樹脂層8上に導電性粒子5が単層で確実に
粘着するためには、樹脂層8が前記粘度μm2000〜
100000cP程度の粘性を有していればよい。粘度
μが上記の値よりも高いと、逆に、樹脂層81\の導電
性粒子5の粘着性が低下する。一方、上記の値よりも低
粘度の樹脂層8では、導電性粒子5の粘着が不充分とな
ると共に、一旦付着した導電性粒子5が樹脂層8から離
間し、他の導電性粒子5へ付着するなどして導電性粒子
5同士で団塊状になり易い。
粘着するためには、樹脂層8が前記粘度μm2000〜
100000cP程度の粘性を有していればよい。粘度
μが上記の値よりも高いと、逆に、樹脂層81\の導電
性粒子5の粘着性が低下する。一方、上記の値よりも低
粘度の樹脂層8では、導電性粒子5の粘着が不充分とな
ると共に、一旦付着した導電性粒子5が樹脂層8から離
間し、他の導電性粒子5へ付着するなどして導電性粒子
5同士で団塊状になり易い。
次に、第2図(3)に示されるように、電極2に対応し
て透光領域7aと遮光領域7bとが選択的に形成された
マスク板9を、基板1に粘着した導電性粒子5側で対向
させ、電極2と透光領域7aとを位置会わぜする。また
基板1の導電性粒子5に対して背面には、軟質ゴムなど
の弾性部材4を当接する。その後、このマスク板9を介
して基板1に紫外線20を照射する。この光照射による
樹脂層8の硬化に先立って、弾性部材4に対して矢符1
8方向に、マスク板9によって導電性粒子5を電極2側
へ押し付ける。これによって導電性粒子5は、その一端
が電極2に当接した状態で樹脂層8の硬化に伴って固定
される。
て透光領域7aと遮光領域7bとが選択的に形成された
マスク板9を、基板1に粘着した導電性粒子5側で対向
させ、電極2と透光領域7aとを位置会わぜする。また
基板1の導電性粒子5に対して背面には、軟質ゴムなど
の弾性部材4を当接する。その後、このマスク板9を介
して基板1に紫外線20を照射する。この光照射による
樹脂層8の硬化に先立って、弾性部材4に対して矢符1
8方向に、マスク板9によって導電性粒子5を電極2側
へ押し付ける。これによって導電性粒子5は、その一端
が電極2に当接した状態で樹脂層8の硬化に伴って固定
される。
またマスク板9による前記加圧時に、導電性粒子5が電
極2に当接しなくても、予め光硬化性樹脂層8にたとえ
ばウレタン系やシリコーン系などの比較的軟らかい樹脂
材料を選択することによって、後述する他の回路基板と
の圧接時に、導電性粒子5が樹脂層8を貫通し、電極2
に接触させることができる。すなわち、そのような軟ら
かい樹脂材料としては、光硬化後でも、導電性粒子5の
硬さよりは軟らかく、加圧される前記粒子5によって塑
性変形が生じ、樹脂層8が押し分けられる程度の軟性を
有するものであればよい。
極2に当接しなくても、予め光硬化性樹脂層8にたとえ
ばウレタン系やシリコーン系などの比較的軟らかい樹脂
材料を選択することによって、後述する他の回路基板と
の圧接時に、導電性粒子5が樹脂層8を貫通し、電極2
に接触させることができる。すなわち、そのような軟ら
かい樹脂材料としては、光硬化後でも、導電性粒子5の
硬さよりは軟らかく、加圧される前記粒子5によって塑
性変形が生じ、樹脂層8が押し分けられる程度の軟性を
有するものであればよい。
マスク板9の材質としては、加圧時に導電性粒子5から
の抗力によって反ることなく、均一に導電性粒子らを加
圧できるものが好ましい。そのような露光および加圧に
用いるマスク板つとしては、たとえば透光性の厚手のガ
ラス板9a表面に金属層91)を蒸着法などによって全
面に形成し、これをフォトリソグラフィ法などによって
選択的にエツチングし、基板1の電極2の形状に対応し
たパターン形成を行う。これによってマスク板9には、
金属層9bの有無に従って前記透光領域7aと遮光領域
7bとから成るマスクパターンが形成される。このよう
な金属層9bの層厚12としては、加圧時に当接する導
電性粒子5の粒径(量に比べて充分小さく、加圧力の不
均一を招くことのない程度たとえば数100 n m以
内であればよい。
の抗力によって反ることなく、均一に導電性粒子らを加
圧できるものが好ましい。そのような露光および加圧に
用いるマスク板つとしては、たとえば透光性の厚手のガ
ラス板9a表面に金属層91)を蒸着法などによって全
面に形成し、これをフォトリソグラフィ法などによって
選択的にエツチングし、基板1の電極2の形状に対応し
たパターン形成を行う。これによってマスク板9には、
金属層9bの有無に従って前記透光領域7aと遮光領域
7bとから成るマスクパターンが形成される。このよう
な金属層9bの層厚12としては、加圧時に当接する導
電性粒子5の粒径(量に比べて充分小さく、加圧力の不
均一を招くことのない程度たとえば数100 n m以
内であればよい。
マスク板9を介して導電性粒子5を含む樹脂層8を露光
し、加圧することによって、第2図(4)に示されるよ
うに、電極2上の導電性粒子5は硬化した樹脂層8aに
固定され、電極2上以外の導電性粒子5は未硬化の樹脂
層8bに埋設して保持される。
し、加圧することによって、第2図(4)に示されるよ
うに、電極2上の導電性粒子5は硬化した樹脂層8aに
固定され、電極2上以外の導電性粒子5は未硬化の樹脂
層8bに埋設して保持される。
基板1上に配置される導電性粒子5は、その粒径dが樹
脂層8の層厚p1に対して少なくとも2倍以上、好まし
くは層厚11の3〜20倍程度の均一粒径d−(3〜2
0)XZIであればよい。
脂層8の層厚p1に対して少なくとも2倍以上、好まし
くは層厚11の3〜20倍程度の均一粒径d−(3〜2
0)XZIであればよい。
導電性粒子5の粒径(1が層厚11の2倍以下では、マ
スク板9を介して導電性粒子5を基板1側へ押し付ける
際に、樹脂層8がマスク板9に付着し、汚損する恐れが
ある。また、このような粒径(1は、電極2の微細化お
よびピッチ幅の微小化に対応したものでなければならず
、むやみに大きくすることは電気的接続の信頼性の低下
を招いてしまう。
スク板9を介して導電性粒子5を基板1側へ押し付ける
際に、樹脂層8がマスク板9に付着し、汚損する恐れが
ある。また、このような粒径(1は、電極2の微細化お
よびピッチ幅の微小化に対応したものでなければならず
、むやみに大きくすることは電気的接続の信頼性の低下
を招いてしまう。
またマスク板つと導電性粒子5との間に、ポリエチレン
、ポリカーボネート、テフロン、シリコーンなとの透光
性の樹脂フィル12、あるいはガラス板などの透光性部
材を介在させてもよい。これによって、マスク板9と導
電性粒子5とが直接に当接することがなく、したがって
直接当接して相互に加圧されることに起因したマスク板
9の損傷を防止し、保護することができる。
、ポリカーボネート、テフロン、シリコーンなとの透光
性の樹脂フィル12、あるいはガラス板などの透光性部
材を介在させてもよい。これによって、マスク板9と導
電性粒子5とが直接に当接することがなく、したがって
直接当接して相互に加圧されることに起因したマスク板
9の損傷を防止し、保護することができる。
次に、このように電極2上にのみ選択的に紫外線20が
照射され、感光した樹脂層8に対して、溶剤を用いて現
像を行う。適当な溶剤としては、メチルエチルケトン。
照射され、感光した樹脂層8に対して、溶剤を用いて現
像を行う。適当な溶剤としては、メチルエチルケトン。
メチルイソブチルケトンやアセトンなどのケトン類、あ
るいはキシレンやトルエンなどの溶剤が使用されるが、
樹脂層8がアクリル系のものに対してはケトン系の溶剤
といっなように、樹脂層8の特性に応して溶剤の種類は
適宜決定されるべきものである。一般に、光硬化性樹脂
の硬化物は溶剤に対して溶は難くなるので、現像は容易
である。
るいはキシレンやトルエンなどの溶剤が使用されるが、
樹脂層8がアクリル系のものに対してはケトン系の溶剤
といっなように、樹脂層8の特性に応して溶剤の種類は
適宜決定されるべきものである。一般に、光硬化性樹脂
の硬化物は溶剤に対して溶は難くなるので、現像は容易
である。
すなわち、紫外線20が照射されて硬化した樹脂層8a
においては、紫外線20に基づく架橋反応などが生じて
おり、溶剤に対しては不溶性または難溶性である。一方
、紫外線20が照射されずに未硬化の樹脂層8bにおい
ては、前記反応は生じておらず、溶剤によって容易に溶
出し除去される。
においては、紫外線20に基づく架橋反応などが生じて
おり、溶剤に対しては不溶性または難溶性である。一方
、紫外線20が照射されずに未硬化の樹脂層8bにおい
ては、前記反応は生じておらず、溶剤によって容易に溶
出し除去される。
これによって第1図に示されるように、電極2上にのみ
導電性粒子5が配置された半導体装置6が得られる。こ
のように半導体装置6において、導電性粒子5を電極2
に固定した樹脂層8εtは、基板1上で突起した電極を
微細に構成する。したがって半導体装置6は、電極の微
細化に対応して高い信頼性で他の回路基板に接続できる
。
導電性粒子5が配置された半導体装置6が得られる。こ
のように半導体装置6において、導電性粒子5を電極2
に固定した樹脂層8εtは、基板1上で突起した電極を
微細に構成する。したがって半導体装置6は、電極の微
細化に対応して高い信頼性で他の回路基板に接続できる
。
第4図は第3図示の液晶表示装置1oを切断面線IV−
IVから見た一部断面図であり、第5図は第4図の細部
を詳細に示す拡大断面図である。第4図および第5図を
参照して、半導体装置6には、前述した本発明に従って
、電極2上の樹脂層8aに配置された導電性粒子5の一
端が電極2表面に接触し、その他端は樹脂層8aがら突
出した状態で埋設して固定されている。一方、液晶表示
板12の電極13は、たとえばソーダガラスなどの表面
上にI T O(Indium Tin 0xide)
、あるいは接触抵抗を低減するためにNiでめっきし
たITOなどが形成されて成り、通常厚みは50〜20
0n ffl程度である。
IVから見た一部断面図であり、第5図は第4図の細部
を詳細に示す拡大断面図である。第4図および第5図を
参照して、半導体装置6には、前述した本発明に従って
、電極2上の樹脂層8aに配置された導電性粒子5の一
端が電極2表面に接触し、その他端は樹脂層8aがら突
出した状態で埋設して固定されている。一方、液晶表示
板12の電極13は、たとえばソーダガラスなどの表面
上にI T O(Indium Tin 0xide)
、あるいは接触抵抗を低減するためにNiでめっきし
たITOなどが形成されて成り、通常厚みは50〜20
0n ffl程度である。
半導体装置6を液晶表示板12に実装するには、半導体
装置6の導電性粒子5から成る突起電極が形成された基
板1表面と、液晶表示板12の電極13が形成された表
面とを対向し、導電性粒子5と電極13とを位置会わせ
する。位置合わせ終了後、基板1,12間には接着剤1
4を充填し、半導体装置6を液晶表示板12に対して導
電性粒子5および接着剤14を介して矢符19方向に、
電極2.13間が所定の間隔13となるまで加圧する。
装置6の導電性粒子5から成る突起電極が形成された基
板1表面と、液晶表示板12の電極13が形成された表
面とを対向し、導電性粒子5と電極13とを位置会わせ
する。位置合わせ終了後、基板1,12間には接着剤1
4を充填し、半導体装置6を液晶表示板12に対して導
電性粒子5および接着剤14を介して矢符19方向に、
電極2.13間が所定の間隔13となるまで加圧する。
この加圧状態で接着剤14を硬化させ、半導体装置6を
液晶表示板12に実装する。
液晶表示板12に実装する。
このように導電性粒子5が電極2上に配置された半導体
装置6を、液晶表示板12に圧接によって接続する際に
、両回路基板1,12に加えられた圧力19によって導
電性粒子らが樹脂層8aを貫通し、その一端が電極2に
接触するようにしてもよい。
装置6を、液晶表示板12に圧接によって接続する際に
、両回路基板1,12に加えられた圧力19によって導
電性粒子らが樹脂層8aを貫通し、その一端が電極2に
接触するようにしてもよい。
接着剤14としては、たとえば反応硬化性、嫌気硬化性
、熱硬化性、光硬化性などの各種接着剤が使用できる。
、熱硬化性、光硬化性などの各種接着剤が使用できる。
特に本実施例では、液晶表示板12が透光性材料である
ガラス板から成るので、接着剤14には、高速接ぎ可能
な光硬化性接着剤の使用が有効である。
ガラス板から成るので、接着剤14には、高速接ぎ可能
な光硬化性接着剤の使用が有効である。
このように、導電性粒子5を介して対応する電極2,1
3を接続する際に、予め両回路基板1゜12間に接着剤
14を充填し、硬化すれば、電気的接続部分が樹脂によ
って封止され、接続の償却性が格段に向上する。
3を接続する際に、予め両回路基板1゜12間に接着剤
14を充填し、硬化すれば、電気的接続部分が樹脂によ
って封止され、接続の償却性が格段に向上する。
また、導電性粒子らを、前述した弾性粒子5b表面に導
電性被覆層5aを形成したもので実現ずれば、回路基板
接続後に外部の温度変化などに伴う前記電気的接続部分
の熱変形などに導電性粒子5が追随して対応することが
できる。したがって接続の信頼性がさらに向上する。
電性被覆層5aを形成したもので実現ずれば、回路基板
接続後に外部の温度変化などに伴う前記電気的接続部分
の熱変形などに導電性粒子5が追随して対応することが
できる。したがって接続の信頼性がさらに向上する。
本実施例においては、半導体装置6上に導電性粒子5を
配置する場合について説明したけれども、半導体装置に
限定する必要はなく、他の回路基板上に導電性粒子を配
置して圧接する場合についても本発明は広範囲に実施す
ることができる。
配置する場合について説明したけれども、半導体装置に
限定する必要はなく、他の回路基板上に導電性粒子を配
置して圧接する場合についても本発明は広範囲に実施す
ることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、簡単な方法によって回路
基板の電極上にのみ導電性粒子を配置てきる。これによ
って電極の微細化に対応して、この導電性粒子によって
突起した電極が形成された回路基板と他の回路基板とを
圧接によって接続する場6の信頼性が向上する。したが
って生産性が向上し、コストが低減する。
基板の電極上にのみ導電性粒子を配置てきる。これによ
って電極の微細化に対応して、この導電性粒子によって
突起した電極が形成された回路基板と他の回路基板とを
圧接によって接続する場6の信頼性が向上する。したが
って生産性が向上し、コストが低減する。
第1図は本発明の一実施例の半導体装置6の断面図、第
2図は第1図示の半導体装置6の製造工程を説明する断
面図、第3図は半導体装置6が実装された液晶表示装置
10の断面図、第4図は第3図の切断面線IY−IVか
ら見た断面図、第5図は第4図の一部拡大断面図である
。 1・・・基板、2,13.16・・・電極、5・・・導
電性粒子、6・・・半導体装置、7a・・・透光領域、
7b・・・遮光領域、8・・・樹脂層、10・・・液晶
表示装置、18.19・・・加圧方向、20・・・紫外
線代理人 弁理士 画数 圭一部 ■ Cつ \才
2図は第1図示の半導体装置6の製造工程を説明する断
面図、第3図は半導体装置6が実装された液晶表示装置
10の断面図、第4図は第3図の切断面線IY−IVか
ら見た断面図、第5図は第4図の一部拡大断面図である
。 1・・・基板、2,13.16・・・電極、5・・・導
電性粒子、6・・・半導体装置、7a・・・透光領域、
7b・・・遮光領域、8・・・樹脂層、10・・・液晶
表示装置、18.19・・・加圧方向、20・・・紫外
線代理人 弁理士 画数 圭一部 ■ Cつ \才
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電極が形成された回路基板に光硬化性の樹脂材料を塗布
して樹脂層を形成し、 前記樹脂層の層厚よりも大径の導電性の粒子を前記回路
基板に散布し、 この導電性粒子が散布された回路基板の樹脂層に、光の
透過領域と遮断領域とが選択的に形成された光の選択透
過部材を介して電極部にのみ光を照射し、 前記樹脂層の硬化に先立って、前記選択透過部材によつ
て導電性粒子を電極側に圧接し、 電極上以外に付着した導電性粒子は、前記樹脂層と共に
除去するようにしたことを特徴とする電極上への導電性
粒子の配置方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1127443A JPH0695462B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 電極上への導電性粒子の配置方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1127443A JPH0695462B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 電極上への導電性粒子の配置方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02306558A true JPH02306558A (ja) | 1990-12-19 |
JPH0695462B2 JPH0695462B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14960062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1127443A Expired - Fee Related JPH0695462B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 電極上への導電性粒子の配置方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0695462B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04301382A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続部材 |
US5225966A (en) * | 1991-07-24 | 1993-07-06 | At&T Bell Laboratories | Conductive adhesive film techniques |
JPH05174889A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電気回路接続用異方導電性接着膜 |
US5591037A (en) * | 1994-05-31 | 1997-01-07 | Lucent Technologies Inc. | Method for interconnecting an electronic device using a removable solder carrying medium |
WO2001095343A1 (fr) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Fujiprint Industrial Co. Ltd. | Composition conductrice, procede pour produire une electrode ou une carte de circuit imprime comportant ladite composition, procede pour connecter l'electrode comprenant ladite composition et electrode ou carte de circuit imprime utilisant ladite composition |
WO2009037964A1 (ja) * | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 異方性導電膜及びその製造方法、並びに、該異方性導電膜を用いた接合体 |
JP2009134914A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電膜及びこれを用いた接合体 |
JP2011034966A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Denshi Buhin Kenkyuin | 非等方性粒子配列体およびその製造方法 |
JP2021086977A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127443A patent/JPH0695462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04301382A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続部材 |
US5225966A (en) * | 1991-07-24 | 1993-07-06 | At&T Bell Laboratories | Conductive adhesive film techniques |
JPH05174889A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電気回路接続用異方導電性接着膜 |
US5591037A (en) * | 1994-05-31 | 1997-01-07 | Lucent Technologies Inc. | Method for interconnecting an electronic device using a removable solder carrying medium |
WO2001095343A1 (fr) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Fujiprint Industrial Co. Ltd. | Composition conductrice, procede pour produire une electrode ou une carte de circuit imprime comportant ladite composition, procede pour connecter l'electrode comprenant ladite composition et electrode ou carte de circuit imprime utilisant ladite composition |
WO2009037964A1 (ja) * | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 異方性導電膜及びその製造方法、並びに、該異方性導電膜を用いた接合体 |
US9155207B2 (en) | 2007-09-20 | 2015-10-06 | Dexerials Corporation | Method for producing an anisotropic conductive film |
JP2009134914A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電膜及びこれを用いた接合体 |
JP2011034966A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Denshi Buhin Kenkyuin | 非等方性粒子配列体およびその製造方法 |
JP2021086977A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2021106339A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0695462B2 (ja) | 1994-11-24 |
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