JPH02276866A - 新規なテトラアザポルフイン及びその製造法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法 - Google Patents
新規なテトラアザポルフイン及びその製造法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
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- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
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- C09B47/08—Preparation from other phthalocyanine compounds, e.g. cobaltphthalocyanineamine complex
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なテトラアザポルフィン及びその製造法
並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製
造方法に関する。
並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製
造方法に関する。
近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。
液晶表示装置、光学文字読取機等における書込みあるい
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザー光を利用することが提案されている。特に、半導体
レーザーを用いた光記録媒体は、媒体と記録ないし再生
ヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しない
という特徴をもつもので、種々の記録媒体の開発、研究
が行われている。特にヒートモード記録方式の分野にお
いては、低融点金属、有機高分子化合物あるいは色素が
融解、蒸発あるいは昇華する物質として提案されている
。中でも有機高分子化合物や色素を含む有機薄膜は、熱
伝導率が小さく、また、融解ないし昇華温度が低いもの
となっている。そのため。
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザー光を利用することが提案されている。特に、半導体
レーザーを用いた光記録媒体は、媒体と記録ないし再生
ヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しない
という特徴をもつもので、種々の記録媒体の開発、研究
が行われている。特にヒートモード記録方式の分野にお
いては、低融点金属、有機高分子化合物あるいは色素が
融解、蒸発あるいは昇華する物質として提案されている
。中でも有機高分子化合物や色素を含む有機薄膜は、熱
伝導率が小さく、また、融解ないし昇華温度が低いもの
となっている。そのため。
記録感度の点で好ましいシアニン色素、スクワリリウム
色素など種々の物質が記録層形成材として提案されてい
る。
色素など種々の物質が記録層形成材として提案されてい
る。
そこで、色素を記録層として適用した光記録媒体が提案
されている(例えば、特開昭56−16948号)。
されている(例えば、特開昭56−16948号)。
このような従来技術のうち1色素臼体の反射率が適度に
高いシアニン系色素を記録層に用い1色素薄膜記録層を
反射型の光記録媒体として利用するために金属反射膜を
必要とせず、媒体構成の複雑化の防止、情報の記録再生
特性の劣化の防止を図る提案がなされている(例えば特
開昭60−7878号)。
高いシアニン系色素を記録層に用い1色素薄膜記録層を
反射型の光記録媒体として利用するために金属反射膜を
必要とせず、媒体構成の複雑化の防止、情報の記録再生
特性の劣化の防止を図る提案がなされている(例えば特
開昭60−7878号)。
しかしながら、シアニン系色素をはじめとする公知の色
素は一般に耐光堅ろう性が低いため、書き込み後の読み
出しの際、読み出し光の繰り返し照射によって色素が退
色し、読み出しのC/N比が低下してしまうという、い
わゆる再生劣化が大きいという問題がある。そこで、耐
光堅ろう性の優れた色素としてナフタロシアニン化合物
を記録層に用いることが提案されている(例えば、米国
特許筒4,725,525号明細書)。
素は一般に耐光堅ろう性が低いため、書き込み後の読み
出しの際、読み出し光の繰り返し照射によって色素が退
色し、読み出しのC/N比が低下してしまうという、い
わゆる再生劣化が大きいという問題がある。そこで、耐
光堅ろう性の優れた色素としてナフタロシアニン化合物
を記録層に用いることが提案されている(例えば、米国
特許筒4,725,525号明細書)。
情報記録媒体の記録層形成法としては、真空蒸着、スパ
ッタ、塗布法や浸漬法など種々の方法が知られているが
、一般に前2者のような真空技術を用いる形成法よりも
、後2者のような湿式法が経済的に有利であり、そのた
め、色素の有機溶剤への溶解性は、記録層形成過程の経
済性において重要な位置を占める。
ッタ、塗布法や浸漬法など種々の方法が知られているが
、一般に前2者のような真空技術を用いる形成法よりも
、後2者のような湿式法が経済的に有利であり、そのた
め、色素の有機溶剤への溶解性は、記録層形成過程の経
済性において重要な位置を占める。
一方、情報の記録・再生機器には、小型軽量化のために
半導体レーザーが使用されているが、@近、記録密度の
向上を目的として、半導体レーザーの発振波長が従来の
800nm付近から600nm付近へと徐々に短波長化
されつつある。このような短波長化された半導体レーザ
iを使用する場合には、810nm付近に吸収極大を有
するが800nm以下の波長領域において吸収が小さく
。
半導体レーザーが使用されているが、@近、記録密度の
向上を目的として、半導体レーザーの発振波長が従来の
800nm付近から600nm付近へと徐々に短波長化
されつつある。このような短波長化された半導体レーザ
iを使用する場合には、810nm付近に吸収極大を有
するが800nm以下の波長領域において吸収が小さく
。
反射率も小さい従来のナフタロシアニン誘導体は使用で
きないという問題点があった0本発明は。
きないという問題点があった0本発明は。
前記現状に鑑みてなされたもので、その目的は、800
nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザー
に対しても吸収が大きく、反射率も大きく裕度をもって
適用可能で、高感度かつ有機溶媒に対して可溶な優れた
特性を示す化合物を見出し、光記録媒体として用いるこ
とにある。
nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザー
に対しても吸収が大きく、反射率も大きく裕度をもって
適用可能で、高感度かつ有機溶媒に対して可溶な優れた
特性を示す化合物を見出し、光記録媒体として用いるこ
とにある。
本発明者らは、上記問題点を解決するため鋭意検討を行
った結果、本発明に至ったものである。
った結果、本発明に至ったものである。
仮に、請求項1の発明を第1の発明と呼ぶことにする。
すなわち第1の発明は、−散大(I)〔式中MはSi、
Ge又はSnを示し、Yはアリールオキシル基、アルコ
キシル基、トリアルキルシロキシル基、トリアリールシ
ロキシル基、トリアルコキシシロキシル基、トリアリー
ルオキシシロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロ
キシル基を示し、2個のYは同一でも相違してもよく、
A1. AM 、 A3及びA4で表わされる環は、有
機置換基が結合してもよい芳香環を示し、 A”、 A
”A3及びA4は同一でも相違してもよく、A’、 A
”A3及びA4の少なくとも1つは、含窒素芳香環であ
る〕で表わされる新規なテトラアザポルフィンに関する
。
Ge又はSnを示し、Yはアリールオキシル基、アルコ
キシル基、トリアルキルシロキシル基、トリアリールシ
ロキシル基、トリアルコキシシロキシル基、トリアリー
ルオキシシロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロ
キシル基を示し、2個のYは同一でも相違してもよく、
A1. AM 、 A3及びA4で表わされる環は、有
機置換基が結合してもよい芳香環を示し、 A”、 A
”A3及びA4は同一でも相違してもよく、A’、 A
”A3及びA4の少なくとも1つは、含窒素芳香環であ
る〕で表わされる新規なテトラアザポルフィンに関する
。
一般式(I)で表わされるテトラアザポルフィンは、芳
香族系、ハロゲン系、エーテル系、ケトン系、飽和炭化
水素系及び脂環式炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に
精製し純度を向上でき、溶媒の種類及び濃度等による吸
収の変化がなく、Ai、A”、A3及びA4で表わされ
る環として適当な含窒素芳香環を選択することにより、
800nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーにも適用できる。
香族系、ハロゲン系、エーテル系、ケトン系、飽和炭化
水素系及び脂環式炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に
精製し純度を向上でき、溶媒の種類及び濃度等による吸
収の変化がなく、Ai、A”、A3及びA4で表わされ
る環として適当な含窒素芳香環を選択することにより、
800nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーにも適用できる。
780nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーに有効に適用できる。
ーザーに有効に適用できる。
740nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーにより有効に適用できる。
ーザーにより有効に適用できる。
700nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーに特に有効に適用できる。
ーザーに特に有効に適用できる。
650nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーに最大に有効に適用できる。
ーザーに最大に有効に適用できる。
上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、1−クロロナフタレン。
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、1−クロロナフタレン。
キノリン等があり、上記ハロゲン系溶媒としては、塩(
ヒメチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエ
タン等があり、上記エーテル系溶媒としては、ジエチル
エーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル。
ヒメチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエ
タン等があり、上記エーテル系溶媒としては、ジエチル
エーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル。
ジエチレングリコールジメチルエーテル等があり、ケト
ン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶
媒としては、ヘキサン。
ン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶
媒としては、ヘキサン。
ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ド
デカン等があり、脂環式炭化水素系溶媒としては、シク
ロオクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン等がある。
デカン等があり、脂環式炭化水素系溶媒としては、シク
ロオクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン等がある。
前記−散大(I)において1Mとしては、Si。
Ge及びSnがあげられ、Yとしては、アリールオキシ
ル基としてフェノキジル基、トリルオキシル基、アシロ
キシル基等があり、アルコキシル基としては、アミロキ
シル基、ヘキシロキシル基、オクチロキシル基、デシロ
キシル基、ドデシロキシル基、テトラゾシロキシル基、
ヘキサデシロキシル基、オクタデシロキシル基、エイコ
シロキシル基、トコシロキシル基等があり、トリアルキ
ルシロキシル基としては、トリメチルシロキシル基、ト
リエチルシロキシル基、トリプロピルシロキシル基、ト
リブチルシロキシル基、トリへキシルシロキシル基、ト
リベンジルシロキシル基。
ル基としてフェノキジル基、トリルオキシル基、アシロ
キシル基等があり、アルコキシル基としては、アミロキ
シル基、ヘキシロキシル基、オクチロキシル基、デシロ
キシル基、ドデシロキシル基、テトラゾシロキシル基、
ヘキサデシロキシル基、オクタデシロキシル基、エイコ
シロキシル基、トコシロキシル基等があり、トリアルキ
ルシロキシル基としては、トリメチルシロキシル基、ト
リエチルシロキシル基、トリプロピルシロキシル基、ト
リブチルシロキシル基、トリへキシルシロキシル基、ト
リベンジルシロキシル基。
トリシクロへキシルシロキシル基、ジメチルt−ブチル
シロキシル基、ジメチルオクチルシロキシル基、ジメチ
ルオクタデシルシロキシル基、ジメチルシクロへキシル
シロキシル基、ジメチルシクロペンチルシロキシル基、
ジエチルシクロへキシルシロキシル基、ジエチルシクロ
ペンチルシロキシル基、ジプロピルシクロへキシルシロ
キシル基。
シロキシル基、ジメチルオクチルシロキシル基、ジメチ
ルオクタデシルシロキシル基、ジメチルシクロへキシル
シロキシル基、ジメチルシクロペンチルシロキシル基、
ジエチルシクロへキシルシロキシル基、ジエチルシクロ
ペンチルシロキシル基、ジプロピルシクロへキシルシロ
キシル基。
ジプロピルシクロペンチルシロキシル基、ジブチルシク
ロへキシルシロキシル基、ジブチルシクロペンチルシロ
キシル基、ジシクロヘキシルメチルシロキシル基、ジシ
クロヘキシルエチルシロキシル基、ジシクロヘキシルプ
ロビルシロキシル基。
ロへキシルシロキシル基、ジブチルシクロペンチルシロ
キシル基、ジシクロヘキシルメチルシロキシル基、ジシ
クロヘキシルエチルシロキシル基、ジシクロヘキシルプ
ロビルシロキシル基。
ジシクロヘキシルブチルシロキシル基、ジシクロペンチ
ルメチルシロキシル基、ジシクロペンチルエチルシロキ
シル基、ジシクロペンチルプロビルシロキシル基、ジシ
クロペンチルブチルシロキシル基、ジメチルフェニルシ
ロキシル基、ジメチルメトキシシロキシル基、ジメチル
オクトキシシロキシル基、ジメチルフェノキシシロキシ
ル基。
ルメチルシロキシル基、ジシクロペンチルエチルシロキ
シル基、ジシクロペンチルプロビルシロキシル基、ジシ
クロペンチルブチルシロキシル基、ジメチルフェニルシ
ロキシル基、ジメチルメトキシシロキシル基、ジメチル
オクトキシシロキシル基、ジメチルフェノキシシロキシ
ル基。
CH,CH,CH3CH。
等があり、トリアリールシロキシル基としては、トリフ
ェニルシロキシル基、ドリアニシルシロキシル基、トリ
トリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシロキシ
ル基としては、トリメトキシシロキシル基、トリエトキ
シシロキシル基、トリプロポキシシロキシル基、トリブ
トキシシロキシル基等があり、トリアリールオキシシロ
キシル基としては、トリフエノキシシロキシル基、ドリ
アニシロキシシロキシル基、トリトリルオキシシロキシ
ル基等があり、アシロキシル基としては、アセトキシル
基、プロピオニルオキシル基、ブチリルオキシル基、バ
レリルオキシル基、ピバロイルオキシル基、ヘキサノイ
ルオキシル基、オクタノイルオキシル基等がある。
ェニルシロキシル基、ドリアニシルシロキシル基、トリ
トリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシロキシ
ル基としては、トリメトキシシロキシル基、トリエトキ
シシロキシル基、トリプロポキシシロキシル基、トリブ
トキシシロキシル基等があり、トリアリールオキシシロ
キシル基としては、トリフエノキシシロキシル基、ドリ
アニシロキシシロキシル基、トリトリルオキシシロキシ
ル基等があり、アシロキシル基としては、アセトキシル
基、プロピオニルオキシル基、ブチリルオキシル基、バ
レリルオキシル基、ピバロイルオキシル基、ヘキサノイ
ルオキシル基、オクタノイルオキシル基等がある。
航記一般式(I)(i’)A’、A’、A’及びA’で
iわされる芳香環に結合した有機置換基におけるR1〜
R”のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、 5ec−プロピル基、n−ブチ
ル基、 5ac−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル
基、t−アミル基、2−アミル基、3−アミル基、 n
eo−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデ
シル基、オクタデシル基、エイコシル基、トコシル基、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基
。
iわされる芳香環に結合した有機置換基におけるR1〜
R”のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、 5ec−プロピル基、n−ブチ
ル基、 5ac−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル
基、t−アミル基、2−アミル基、3−アミル基、 n
eo−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデ
シル基、オクタデシル基、エイコシル基、トコシル基、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基
。
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基、2−メチルシクロペンチル基、3−メチルシクロペ
ンチル基、4−メチルシクロヘキシル基、1,1−ジシ
クロペンチルメチル店、シクロヘキシルメチル基、シク
ロプロピルメチル基。
基、2−メチルシクロペンチル基、3−メチルシクロペ
ンチル基、4−メチルシクロヘキシル基、1,1−ジシ
クロペンチルメチル店、シクロヘキシルメチル基、シク
ロプロピルメチル基。
2−シクロヘキシルエチル基、2−シクロペンチルエチ
ル基、2−シクロへキシルプロピル基、3−シクロへキ
シルプロピル基等がある。
ル基、2−シクロへキシルプロピル基、3−シクロへキ
シルプロピル基等がある。
置換基を有するアルキル基の例としては、エステル基を
有するアルキル基、アミド基を有するアルキル基、ヒド
ロキシル基を有するアルキル基。
有するアルキル基、アミド基を有するアルキル基、ヒド
ロキシル基を有するアルキル基。
アラルキル基、トリアルキルシリル基を有するアルキル
基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基等があり、
アリール基としては、フェニル基。
基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基等があり、
アリール基としては、フェニル基。
トリル基、アニシル基、ハロフェニル基等があり、Xl
で表わされるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子がある。
で表わされるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子がある。
これら前記一般式(I)においてY並びにAlA”、A
”及びA4で表わされる芳香環に結合した有機置換基中
のアルキル基の長さは、一般式(I)で表わされるテト
ラアザポルフィンを有機溶媒に溶解するときの溶解度だ
けでなく、この化合物の融点の値、さらにはこの化合物
を有機溶媒に溶かしその溶液をガラス板などの適当な基
板上にスピンコードして形成した非晶質膜のスペクトル
(吸光スペクトル、透過スペクトル及び反射スペクトル
)に大きな影響を及ぼす。
”及びA4で表わされる芳香環に結合した有機置換基中
のアルキル基の長さは、一般式(I)で表わされるテト
ラアザポルフィンを有機溶媒に溶解するときの溶解度だ
けでなく、この化合物の融点の値、さらにはこの化合物
を有機溶媒に溶かしその溶液をガラス板などの適当な基
板上にスピンコードして形成した非晶質膜のスペクトル
(吸光スペクトル、透過スペクトル及び反射スペクトル
)に大きな影響を及ぼす。
特に、中心金属Mに結合した置換基Yのアルキル基の長
さは、スピンコード膜のスペクトルを微小調節できる。
さは、スピンコード膜のスペクトルを微小調節できる。
したがって、使用するレーザーの発振波長に合わせてY
のアルキル鎖長を変化させることができる(アルキル鎖
長が短いほど、極大吸収、極小透過率及び極大反射率は
、それぞれ長波長シフトする)。
のアルキル鎖長を変化させることができる(アルキル鎖
長が短いほど、極大吸収、極小透過率及び極大反射率は
、それぞれ長波長シフトする)。
一方 t、1 、 p、2 、 A3及びA4で表わさ
れる芳香環に結合した有機置換基中のアルキル鎖長は、
前述のYのアルキル鎖長を変化させたときのこの化合物
の有機溶媒に対する溶解度及び融点を調節するための機
能を有する。
れる芳香環に結合した有機置換基中のアルキル鎖長は、
前述のYのアルキル鎖長を変化させたときのこの化合物
の有機溶媒に対する溶解度及び融点を調節するための機
能を有する。
前記一般式(I)において、A1.A”、A3及びのス
ペクトルを大きく変化させることに役立つ。
ペクトルを大きく変化させることに役立つ。
したがって、使用するレーザーの発振波長に合わせて含
窒素芳香環の種類を最適となるように適当に選択するこ
とができる。
窒素芳香環の種類を最適となるように適当に選択するこ
とができる。
前記一般式(I)においてMがSi又はGeであるテト
ラアザポルフィンが好ましい。
ラアザポルフィンが好ましい。
前記一般式(I)において2個のYがトリアルキルシロ
キシル基であるテトラアザポルフィンが好ましい。
キシル基であるテトラアザポルフィンが好ましい。
前記一般式(I)においてAX、 AZ、 A3及びA
4で表わされる環が、すべて含窒素芳香環であるテトラ
アザポルフィンが好ましい。
4で表わされる環が、すべて含窒素芳香環であるテトラ
アザポルフィンが好ましい。
前記一般式(I)においてA”、A”、A3及びA4で
表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環であるテト
ラアザポルフィンが好ましい。
表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環であるテト
ラアザポルフィンが好ましい。
前記一般式(I)においてA”、 A”、 A3及びA
4で表わされる環が。
4で表わされる環が。
特に、含窒素芳香環の種類は、スピンコード膜で表わさ
れる含窒素芳香環からなる群より選択される環であるテ
トラアザポルフィンが好ましい。
れる含窒素芳香環からなる群より選択される環であるテ
トラアザポルフィンが好ましい。
前記一般式(I)においてA1. AR,A3及びA4
で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択された環
であるテトラアザポルフィンが好ましい。
で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択された環
であるテトラアザポルフィンが好ましい。
前記一般式(I)においてA’、 A”、 A’及びA
4で表わされる芳香環の有する有機置換基が、以下の置
換基からなる群より選択され −R” 一〇R2 −S i R”R’R’ 一8o、NR’R’ −Co−R” −COOR’ 一〇・ COR” −Co −NHRll −N R”R13 −S R14 一8o、R” 及び X1 (式中、R1〜R”は、水素原子、アルキル基。
4で表わされる芳香環の有する有機置換基が、以下の置
換基からなる群より選択され −R” 一〇R2 −S i R”R’R’ 一8o、NR’R’ −Co−R” −COOR’ 一〇・ COR” −Co −NHRll −N R”R13 −S R14 一8o、R” 及び X1 (式中、R1〜R”は、水素原子、アルキル基。
置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し。
xlはハロゲン原子を示す)、A1.A2.A3及ヒ。
A4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも
1個置換されたテトラアザポルフィンが好ましい。
1個置換されたテトラアザポルフィンが好ましい。
本発明に係るテトラアザポルフィンの具体例を以下に式
で示す。
で示す。
テトラアザポルフィンは、一般式(I)で表わされるが
、 A”、 A”、 A’及びA4で表わされる芳香環
の種類、その縮環方向及びそこに結合する有機置換基の
置換位置により多数の異性体が存在する。一般式(I)
は、それら多数の異性体すべてを含むものであり、また
、それらの混合物であっ仮に請求項9の発明を第2の発
明と呼ぶことにする。すなわち、第2の発明は、一般式
(II)[式中M並びにA’、A”、A3及びA4で表
わされる環は、一般式(I)におけると同意義]で表わ
される新規なテトラアザポルフィンを一般式(III)
(R”)x S iCQ (m
)で表わされるクロロシラン、一般式(IV)(R”)
3 S x OH(■) [式(III)及び(IV)中、R”及びR17は、そ
れぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル基又は
アリールオキシル基である]で表わされるシラノール、
一般式(V) R”OH(V) [式中R”は、アルキル基又はアリール基であるコで表
わされるアルコール又は一般式(VI)R1″CO・X
” (VI)[式中R”はア
ルキル基 x2 はハロゲン原子。
、 A”、 A”、 A’及びA4で表わされる芳香環
の種類、その縮環方向及びそこに結合する有機置換基の
置換位置により多数の異性体が存在する。一般式(I)
は、それら多数の異性体すべてを含むものであり、また
、それらの混合物であっ仮に請求項9の発明を第2の発
明と呼ぶことにする。すなわち、第2の発明は、一般式
(II)[式中M並びにA’、A”、A3及びA4で表
わされる環は、一般式(I)におけると同意義]で表わ
される新規なテトラアザポルフィンを一般式(III)
(R”)x S iCQ (m
)で表わされるクロロシラン、一般式(IV)(R”)
3 S x OH(■) [式(III)及び(IV)中、R”及びR17は、そ
れぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル基又は
アリールオキシル基である]で表わされるシラノール、
一般式(V) R”OH(V) [式中R”は、アルキル基又はアリール基であるコで表
わされるアルコール又は一般式(VI)R1″CO・X
” (VI)[式中R”はア
ルキル基 x2 はハロゲン原子。
ヒドロキシル基又はアシロキシル基である]で表わされ
る化合物と反応させることを特徴とする一般式(I)で
表わされる新規なテトラアザポルフィンの製造法に関す
る。
る化合物と反応させることを特徴とする一般式(I)で
表わされる新規なテトラアザポルフィンの製造法に関す
る。
一般式(I)で表わされるテトラアザポルフィンは、一
般式(If)で表わされる化合物と過剰の一般式(■)
、一般式(■)、一般式(V)又は−般式(VI)で表
わされる化合物とを加熱反応させることにより得ること
ができる。この場合1反応温度は80〜250℃が好ま
しく1反応時間は30分〜40時間が好ましい、この反
応は、溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、
ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン。
般式(If)で表わされる化合物と過剰の一般式(■)
、一般式(■)、一般式(V)又は−般式(VI)で表
わされる化合物とを加熱反応させることにより得ること
ができる。この場合1反応温度は80〜250℃が好ま
しく1反応時間は30分〜40時間が好ましい、この反
応は、溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、
ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン。
クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼ
ン、1−クロロナフタレン、テトラリン。
ン、1−クロロナフタレン、テトラリン。
ピリジン、β−ピコリン、キノリン等を使用し、必要に
応じてトリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブ
チルアミン、トリペンチルアミン。
応じてトリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブ
チルアミン、トリペンチルアミン。
トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うのが好
ましい。
ましい。
一般式(I)で表わされるテトラアザポルフィンの反応
混合物からの単離、精製は1反応混合物をクロマトグラ
フィー法により分離した後、再結晶法により精製するな
どの方法によって行うことができる。
混合物からの単離、精製は1反応混合物をクロマトグラ
フィー法により分離した後、再結晶法により精製するな
どの方法によって行うことができる。
一般式(II)で表わされるテトラアザポルフィンは、
一般式(■) 2はハロゲン原子を示し2個のZは同一でも相違しても
よい]で表わされるテトラアザポルフィンを加熱上加水
分解反応をさせることにより得ることができる。この場
合、反応温度は50〜150℃が好ましく、反応時間は
30分〜30時間が好ましい。このためには、ピリジン
/水、ピリジン/アンモニア水、メタノール/アンモニ
ア水、エタノール/アンモニア水、プロパツール/アン
モニア水などの混合溶媒中で反応させるのが好ましい、
一般式(■)で表わされるテトラアザポルフィンは、
一般式(■) H 又は、一般式(IX) [式中M並びにA’、 A2. A3及びA4で表わさ
れる環は、一般式(I)におけると同意義であり、[た
だし、一般式(■)及び一般式(IX)中Aで表わされ
る環は、有機置換基が結合してもよい芳香環又は含窒素
芳香環を示す]で表わされる化合物1モルに対して、一
般式(X) MZ、 (X)[式中
Zはハロゲン原子であり、Pは金属MへのZの結合数を
示す正の整数であり1MはSi、Ge又はSnを示す]
で表わされる金属ハロゲン化物を0.1 モル以上の
比で共存させ加熱反応させることにより得ることができ
る。この場合、反応温度は150〜300℃が好ましく
1反応時間は30分〜10時間が好ましい。この反応は
、溶媒なしで反応させてもよいし、また溶媒として尿素
。
一般式(■) 2はハロゲン原子を示し2個のZは同一でも相違しても
よい]で表わされるテトラアザポルフィンを加熱上加水
分解反応をさせることにより得ることができる。この場
合、反応温度は50〜150℃が好ましく、反応時間は
30分〜30時間が好ましい。このためには、ピリジン
/水、ピリジン/アンモニア水、メタノール/アンモニ
ア水、エタノール/アンモニア水、プロパツール/アン
モニア水などの混合溶媒中で反応させるのが好ましい、
一般式(■)で表わされるテトラアザポルフィンは、
一般式(■) H 又は、一般式(IX) [式中M並びにA’、 A2. A3及びA4で表わさ
れる環は、一般式(I)におけると同意義であり、[た
だし、一般式(■)及び一般式(IX)中Aで表わされ
る環は、有機置換基が結合してもよい芳香環又は含窒素
芳香環を示す]で表わされる化合物1モルに対して、一
般式(X) MZ、 (X)[式中
Zはハロゲン原子であり、Pは金属MへのZの結合数を
示す正の整数であり1MはSi、Ge又はSnを示す]
で表わされる金属ハロゲン化物を0.1 モル以上の
比で共存させ加熱反応させることにより得ることができ
る。この場合、反応温度は150〜300℃が好ましく
1反応時間は30分〜10時間が好ましい。この反応は
、溶媒なしで反応させてもよいし、また溶媒として尿素
。
テトラリン、キノリン、1−クロロナフタレン。
1−ブロモナフタレン、トリメチルベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用してもよい、ま
た、この反応は、アミン類の存在下で行ってもよく、使
用するアミンとしては、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、ト
リヘキシルアミン等がある。上記金属ハロゲン化物とし
ては、5iCfl、、SiBr4.Si I、、GeC
Q。
ベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用してもよい、ま
た、この反応は、アミン類の存在下で行ってもよく、使
用するアミンとしては、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、ト
リヘキシルアミン等がある。上記金属ハロゲン化物とし
ては、5iCfl、、SiBr4.Si I、、GeC
Q。
GeBr、、5nCQ、、Sn 1.等がある。
一般式(■)で表わされる化合物は、一般式(IX)で
表わされる化合物をメタノール中、触媒としてナトリウ
ムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みながら1
〜10時間加熱還流することによって得ることができる
。
表わされる化合物をメタノール中、触媒としてナトリウ
ムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みながら1
〜10時間加熱還流することによって得ることができる
。
一般式([)で表わされる化合物は、文献[リービツヒ
ス・アナーレン・デア・ヘミ−(LiebjgsAnn
、Chem、) 333頁(I981年)、ヘミツシエ
・ベリヒテ(Chem、Ber、 )第108巻、87
5頁(I975年)、ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー(J、Org、Chem、)第37巻、
4136頁(I972年)、キム・ゲテロツイクル・
ソエデイン(にhim、Geterotsikl、5o
edin) 273頁(I972年)、ジャーナル・オ
ブ・ヘテロサイクリック・ケミストリー(J、Hete
rocycl、Chem、 )第7巻、1403頁(I
970年)、ペテロサイクルズ(lleterocyc
les)第20巻、489頁(I983年)、シンセテ
イク・コミュニケーション(Synth。
ス・アナーレン・デア・ヘミ−(LiebjgsAnn
、Chem、) 333頁(I981年)、ヘミツシエ
・ベリヒテ(Chem、Ber、 )第108巻、87
5頁(I975年)、ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー(J、Org、Chem、)第37巻、
4136頁(I972年)、キム・ゲテロツイクル・
ソエデイン(にhim、Geterotsikl、5o
edin) 273頁(I972年)、ジャーナル・オ
ブ・ヘテロサイクリック・ケミストリー(J、Hete
rocycl、Chem、 )第7巻、1403頁(I
970年)、ペテロサイクルズ(lleterocyc
les)第20巻、489頁(I983年)、シンセテ
イク・コミュニケーション(Synth。
Con+mun、 )第16巻、157頁(I986年
)、ブリチン・ケミカル・ソサイエテイ・オブ・ジャパ
ン(Bull、Chem、Soc、Jpn、 )第47
巻、1291頁(I974年)、ジャーナル・オブ・ヘ
テロサイクリック・ケミストリー(J、Hetaroc
ycl、Chem、 )第11巻、79頁(I974年
)、ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ(J、
Che■、Soc、)4092頁(I962年)、ジャ
ーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ(J、Chem
、Soc、) 、 (C)。
)、ブリチン・ケミカル・ソサイエテイ・オブ・ジャパ
ン(Bull、Chem、Soc、Jpn、 )第47
巻、1291頁(I974年)、ジャーナル・オブ・ヘ
テロサイクリック・ケミストリー(J、Hetaroc
ycl、Chem、 )第11巻、79頁(I974年
)、ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ(J、
Che■、Soc、)4092頁(I962年)、ジャ
ーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ(J、Chem
、Soc、) 、 (C)。
2613頁(I967年)など]記載の方法を参考にし
て合成され、また一部の化合物はAldrichChe
++1ca1社などから市販品として得ることもできる
。
て合成され、また一部の化合物はAldrichChe
++1ca1社などから市販品として得ることもできる
。
前記第2の発明において、−散大(II)、−散大(I
)、−散大(■)及び−散大(X)中MがSi又はGe
であるテトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
)、−散大(■)及び−散大(X)中MがSi又はGe
であるテトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
前記第2の発明において、−散大(Iff)及び−散大
(mV)中R15及びR”がアルキル基であり、−散大
(I)において2個のYがトリアルキルシロキシル基で
ある。テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
(mV)中R15及びR”がアルキル基であり、−散大
(I)において2個のYがトリアルキルシロキシル基で
ある。テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
前記第2の発明において、−散大(■)、−散大(■)
、−散大(■)中A1. A”、 A’及びA4で表わ
される環がすべて含窒素芳香環であり、−散大(■)及
び−散大(IK)中、Aで表わされる環が含窒素芳香環
である、テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
、−散大(■)中A1. A”、 A’及びA4で表わ
される環がすべて含窒素芳香環であり、−散大(■)及
び−散大(IK)中、Aで表わされる環が含窒素芳香環
である、テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
前記第2の発明において、−散大(■)、−散大(I)
、−散大(■)中A”、A”、A’及びA4で表わされ
ろ環がすべて同一の含窒素芳香環であり、−散大(■)
及び−散大(DO中Aで表わされる環が単一の含窒素芳
香環である一般式(■)又は−散大(IK)を用いたテ
トラアザポルフィンの製造法が好ましい。
、−散大(■)中A”、A”、A’及びA4で表わされ
ろ環がすべて同一の含窒素芳香環であり、−散大(■)
及び−散大(DO中Aで表わされる環が単一の含窒素芳
香環である一般式(■)又は−散大(IK)を用いたテ
トラアザポルフィンの製造法が好ましい。
前記第2の発明において、−散大(■)、−散大(■)
、−散大(■)中A1. A”、 A”及びA4で表わ
される環が、以下に示す含窒素芳香環からなる群より選
択される環であり、−散大(■)及び−散大(W)中A
で表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群よ
り選択される環である一般式(■)又は−散大(IK)
を用いたテトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
、−散大(■)中A1. A”、 A”及びA4で表わ
される環が、以下に示す含窒素芳香環からなる群より選
択される環であり、−散大(■)及び−散大(W)中A
で表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群よ
り選択される環である一般式(■)又は−散大(IK)
を用いたテトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
前記第2の発明において、−散大(■)、−散大(■)
、−散大(■)中A1. A”、 A”及びA4で表わ
される環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択
される環であり、−散大(■)及び−散大(IK)中A
で表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群よ
り選択される環である一般式(■)又は−散大(IK)
を用いた、テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
、−散大(■)中A1. A”、 A”及びA4で表わ
される環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択
される環であり、−散大(■)及び−散大(IK)中A
で表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群よ
り選択される環である一般式(■)又は−散大(IK)
を用いた、テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。
前記第2の発明において、−散大(II)、−散大(■
)、−散大(■)、−散大(■)及び−散大(IX)中
A’、 A”、 A3. A’及びAで表わされる芳香
環に結合した有機置換基が、以下の置換基からなる群よ
り選択され R1 一〇R2 一5iR”R’R’ 一8O□N R’ R’ −Co−R” −COOR” −0−COR” −Co −NHR” −NR’″R” R14 −S O,R” 及び xl (式中、R1〜R”は、水素原子、アルキル基。
)、−散大(■)、−散大(■)及び−散大(IX)中
A’、 A”、 A3. A’及びAで表わされる芳香
環に結合した有機置換基が、以下の置換基からなる群よ
り選択され R1 一〇R2 一5iR”R’R’ 一8O□N R’ R’ −Co−R” −COOR” −0−COR” −Co −NHR” −NR’″R” R14 −S O,R” 及び xl (式中、R1〜R”は、水素原子、アルキル基。
置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し。
Xlはハロゲン原子を示す)、A1、A2、A3及びA
4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも1
個置換されたテトラアザポルフィンの製造法が好ましい
。
4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも1
個置換されたテトラアザポルフィンの製造法が好ましい
。
仮に請求項17の発明を第3の発明と呼ぶことにする。
すなわち、第3の発明は、基板表面に、−散大(I)
で表わされる新規なテトラアザポルフィンを主成分とす
る記録層を形成し、レーザー光線の照射により記録層を
変化させて情報を記録し、該変化させられた記録部分と
レーザー光線を照射されず変化させられなかった記録層
部分との光学濃度の差により情報を読みだすことを特徴
とする光デイスク用の光記録媒体に関する。
る記録層を形成し、レーザー光線の照射により記録層を
変化させて情報を記録し、該変化させられた記録部分と
レーザー光線を照射されず変化させられなかった記録層
部分との光学濃度の差により情報を読みだすことを特徴
とする光デイスク用の光記録媒体に関する。
本発明に係る光記録媒体は、基板上に本発明の一般式(
I)で表わされるテトラアザポルフィンを主成分とする
記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や保護
層などの他の層を設けることができる。
I)で表わされるテトラアザポルフィンを主成分とする
記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や保護
層などの他の層を設けることができる。
使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。
一方、基板と反対側すなわち記録層側から書き込み、読
出しを行う場合は、使用するレーザー光に対して透明で
ある必要はない。基板材料としては。
出しを行う場合は、使用するレーザー光に対して透明で
ある必要はない。基板材料としては。
ガラス、石英、マイカ、セラミック、板状または箔状の
金属などの無機材料のほか、紙、ポリカーボネート、ポ
リエステル、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリ
エチレン、ポリプロピレン。
金属などの無機材料のほか、紙、ポリカーボネート、ポ
リエステル、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリ
エチレン、ポリプロピレン。
ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド
、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメチル
メタクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が挙げ
られるが、これらに限定されない、記録時に熱損失が少
なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率の有機高分
子からなる支持体が望ましく、基板には必要に応じて凹
凸で形成される案内溝を設けても良い。
、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメチル
メタクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が挙げ
られるが、これらに限定されない、記録時に熱損失が少
なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率の有機高分
子からなる支持体が望ましく、基板には必要に応じて凹
凸で形成される案内溝を設けても良い。
また1、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。
前記−散大(I)においてMがSi又はGeであるテト
ラアザポルフィンを主成分とする記録層が形成されてい
る光記録媒体が好ましい。
ラアザポルフィンを主成分とする記録層が形成されてい
る光記録媒体が好ましい。
前記−散大(I)において2個のYがトリアルキルシロ
キシル基であるテトラアザポルフィンを主成分とする記
録層が形成されている光記録媒体が好ましい。
キシル基であるテトラアザポルフィンを主成分とする記
録層が形成されている光記録媒体が好ましい。
前記−散大(I)においてA″、 A”、 A”及びA
4で表わされる環がすべて含窒素芳香環であるテトラア
ザポルフィンを主成分とする記録層が形成されている光
記録媒体が好ましい。
4で表わされる環がすべて含窒素芳香環であるテトラア
ザポルフィンを主成分とする記録層が形成されている光
記録媒体が好ましい。
前記−散大(I)においてA1.A”、A3及びA4で
表わされる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラ
アザポルフィンを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。
表わされる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラ
アザポルフィンを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。
前記−散大(I)においてA”、A”、A3及びA4で
表わされる環が。
表わされる環が。
で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。
であるテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。
前記−絞入(I)においてA1. A”、 A”及びA
4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。
4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。
前記−絞入(I)においてA1. A”、 A”及びA
4で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、以下の
置換基からなる群より選択され RL −OR” −S i R3R’R’ 一3O,NR’R’ −C○・R1 −GOOR’ −0−COR” −Co −NHR’″ −N R” R” −S R14 −S O,R” 及び x 1 (式中、R″〜R”は、水素原子、アルキル基。
4で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、以下の
置換基からなる群より選択され RL −OR” −S i R3R’R’ 一3O,NR’R’ −C○・R1 −GOOR’ −0−COR” −Co −NHR’″ −N R” R” −S R14 −S O,R” 及び x 1 (式中、R″〜R”は、水素原子、アルキル基。
置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、Xl
はハロゲン原子を示す) 、A”、 A”、 A3及び
A4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも
1111換されたテトラアザポルフィンを主成分とする
記録層が形成されている光記録媒体が好ましい。
はハロゲン原子を示す) 、A”、 A”、 A3及び
A4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも
1111換されたテトラアザポルフィンを主成分とする
記録層が形成されている光記録媒体が好ましい。
仮に請求項25の発明を第4の発明と呼ぶことにする。
すなわち第4の発明は、−絞入(I)で表わされる新規
なテトラアザポルフィンを主として有機溶媒に溶解した
溶液を用いて基板表面に記録層を形成することを特徴と
する光デイスク用の光記録媒体の製造方法に関する。
なテトラアザポルフィンを主として有機溶媒に溶解した
溶液を用いて基板表面に記録層を形成することを特徴と
する光デイスク用の光記録媒体の製造方法に関する。
上記有機溶媒としては、−絞入(I)で表わされるテト
ラアザポルフィンを溶解する前記芳香族系、ハロゲン系
、エーテル系、ケトン系、飽和炭化水素系及び脂環式炭
化水素系等の溶媒の中から選択され、単一でも混合され
た溶媒でもよい、ただし、使用する基板を浸さない溶媒
を用いるのが好ましい。
ラアザポルフィンを溶解する前記芳香族系、ハロゲン系
、エーテル系、ケトン系、飽和炭化水素系及び脂環式炭
化水素系等の溶媒の中から選択され、単一でも混合され
た溶媒でもよい、ただし、使用する基板を浸さない溶媒
を用いるのが好ましい。
一般式(I)で表わされるテトラアザポルフィンを有機
溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法として
は、塗布法、印刷法、浸漬法がある。具体的には1色素
を上記溶媒に溶解し、スプレー、ローラーコーティング
、スピンコーティング、ディッピング等で行う。なお、
記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダー等
の結着材、安定剤等を添加することもできる。ポリマー
バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、
フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイソプレン、ポリブタ
ジェン、ポリビニルブチラール、ポリエステル等を挙げ
ることができるが、これらに限定されない。
溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法として
は、塗布法、印刷法、浸漬法がある。具体的には1色素
を上記溶媒に溶解し、スプレー、ローラーコーティング
、スピンコーティング、ディッピング等で行う。なお、
記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダー等
の結着材、安定剤等を添加することもできる。ポリマー
バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、
フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイソプレン、ポリブタ
ジェン、ポリビニルブチラール、ポリエステル等を挙げ
ることができるが、これらに限定されない。
該記録層材料は、単独あるいは2種以上の組み合わせで
用いられ、2種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい、記録層の膜厚は5
0〜10000人の範囲が好ましく、特に100〜50
00人の範囲が好ましい。
用いられ、2種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい、記録層の膜厚は5
0〜10000人の範囲が好ましく、特に100〜50
00人の範囲が好ましい。
また、記録された情報を光学的に再生する時、反射光を
利用することが多い、この場合にはコントラストを高め
る有効な方法として、基板側から書き込み、読み出しを
行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射率
を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すなわ
ち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、基板
と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けることも
できる。この高反射率の金属としては、AQ。
利用することが多い、この場合にはコントラストを高め
る有効な方法として、基板側から書き込み、読み出しを
行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射率
を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すなわ
ち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、基板
と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けることも
できる。この高反射率の金属としては、AQ。
Cr、Au、Pt、Snなどが用いられる。これらの膜
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は1
00〜toooo人の範囲で選ばれる。
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は1
00〜toooo人の範囲で選ばれる。
ただし、該テトラアザポルフィンは、それ自身の反射率
が高く、金属反射層を設ける必要はない。
が高く、金属反射層を設ける必要はない。
また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい、これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい、これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。
ポリ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である
。
。
さらに、最外層に保ff1Fを設け、これにより安定性
、保護性を増し、さらに1表面反射率の低減による感度
増加を目的とする層を設けることもできる。このような
保護層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデンとアクリロニトリル
共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブ
タジェン、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、フッ
素ゴム、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
、酢酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたは
ブレンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル
、帯電防止剤、架橋剤などを存在させることは、膜性能
の強化の点で好ましい。
、保護性を増し、さらに1表面反射率の低減による感度
増加を目的とする層を設けることもできる。このような
保護層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデンとアクリロニトリル
共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブ
タジェン、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、フッ
素ゴム、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
、酢酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたは
ブレンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル
、帯電防止剤、架橋剤などを存在させることは、膜性能
の強化の点で好ましい。
また、保護層は2層に重ねることもできる。上述した保
護層用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄
いフィルムとしてラミネートする方法が適用可能である
。このような保護層の膜厚は0.1〜10μmの厚みに
設けるが、好ましくは0.2〜2μmで用いられる。
護層用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄
いフィルムとしてラミネートする方法が適用可能である
。このような保護層の膜厚は0.1〜10μmの厚みに
設けるが、好ましくは0.2〜2μmで用いられる。
前記−散大(I)においてMがSi又はGeであるテト
ラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好ま
しい。
ラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好ま
しい。
前記−散大(I)において2個のYがトリアルキルシロ
キシル基であるテトラアザポルフィンを用いた光記録媒
体の製造方法が好ましい。
キシル基であるテトラアザポルフィンを用いた光記録媒
体の製造方法が好ましい。
前記−散大(I)においてA’、A”、A3及びA4で
表おされる環がすべて含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好ましい。
表おされる環がすべて含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好ましい。
前記−散大(I)においてA”、 A”、 A3及びA
4で表わされる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテ
トラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好
ましい、 ″前記一般式(I)においてA1
. A”、 A’及びA4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。
4で表わされる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテ
トラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好
ましい、 ″前記一般式(I)においてA1
. A”、 A’及びA4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。
前記−散大(I)においてA”、 A”、 A3及びA
4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。
4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。
前記−散大(I)においてA’、 A”、 A3及びA
4で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、以下の
置換基からなる群より選択され −R’ 一〇R2 一5iR”R’R’ −SO□N R” R’ 一〇〇・R1 −COOR’ −0−COR” −CO・NHR” −NR”R” 一5R” −SO□R” 及び −X1 (式中、R1〜R1N は、水素原子、アルキル基。
4で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、以下の
置換基からなる群より選択され −R’ 一〇R2 一5iR”R’R’ −SO□N R” R’ 一〇〇・R1 −COOR’ −0−COR” −CO・NHR” −NR”R” 一5R” −SO□R” 及び −X1 (式中、R1〜R1N は、水素原子、アルキル基。
置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、xl
はハロゲン原子ヲ示す) 、A1、A2、A3 及びA
4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも1
個置換されたテトラアザポルフィンを用いた光記録媒体
の製造方法が好ましい。
はハロゲン原子ヲ示す) 、A1、A2、A3 及びA
4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも1
個置換されたテトラアザポルフィンを用いた光記録媒体
の製造方法が好ましい。
以下1本発明を実施例により説明するが、本発明は、こ
れらに制限されるものではない。
れらに制限されるものではない。
実施例1
[例示化合物(3)の合成]
2.3−ジシアノピリジン2.5g (I9,4mmo
Q)*四塩化ケイ素4.5mA(38,8m園oQ)。
Q)*四塩化ケイ素4.5mA(38,8m園oQ)。
モリブデン酸アンモニウム39mg、及び尿素19.4
g を約230〜240℃で約3時間反応させた。放
冷後2同化した反応混合物に水を加え。
g を約230〜240℃で約3時間反応させた。放
冷後2同化した反応混合物に水を加え。
約50℃で30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ
過し、水で洗浄した。さらに、この固体をメタノール中
、約50℃で30分間かくはんした後、不溶の固体を吸
引ろ過し、メタノールで洗浄することにより、青色の固
体が定量的に得られた。
過し、水で洗浄した。さらに、この固体をメタノール中
、約50℃で30分間かくはんした後、不溶の固体を吸
引ろ過し、メタノールで洗浄することにより、青色の固
体が定量的に得られた。
ピリジン溶液中で、この青色固体の電子スペクトル(第
1図)を測定すると、642nmに吸収ピークが観測さ
れ、−散大(■)(ただし、Z=CQ、M=Siであり
、 A’、 A”、 A”及びA43−Pric) ]
と略す、)が明らかに生成しているものと考えられる。
1図)を測定すると、642nmに吸収ピークが観測さ
れ、−散大(■)(ただし、Z=CQ、M=Siであり
、 A’、 A”、 A”及びA43−Pric) ]
と略す、)が明らかに生成しているものと考えられる。
また、このCQzSi(2,3−Pr1c )のIRス
ベ゛クトルを第2図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、このCjl、 S
i (2、3−Pric)は、これ以上精製せずに次の
反応に用いた。
ベ゛クトルを第2図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、このCjl、 S
i (2、3−Pric)は、これ以上精製せずに次の
反応に用いた。
CQ、5i(2,3−Pric) 19 g (30,
9m謳oQ)をエタノール57mΩ中に加え、これにア
ンモニア水57mQ、さらに水224m12を添加し、
約5時間還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過
し、水、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、青
色の固体がl1g得られた。この青色固体は、ピリジン
溶液中で電子スペクトル(第3図)を測定すると、64
0nmに吸収ピークが11測されたことから、−m式(
■)(ただし。
9m謳oQ)をエタノール57mΩ中に加え、これにア
ンモニア水57mQ、さらに水224m12を添加し、
約5時間還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過
し、水、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、青
色の固体がl1g得られた。この青色固体は、ピリジン
溶液中で電子スペクトル(第3図)を測定すると、64
0nmに吸収ピークが11測されたことから、−m式(
■)(ただし。
式中M=Siであり、A1. A”、 A’(HO)、
S i (2、3−Pric)と略す、]と考えられ
る。また、この(HO)、 S i (2、3−Pri
c)のIRスペクトルを第4図に示す。このスペクトル
から、尿素等の不純物の存在が認められるが、この(H
O)zs i (2、3−Pric)は、これ以上精製
せずに次の反応に用いた。
S i (2、3−Pric)と略す、]と考えられ
る。また、この(HO)、 S i (2、3−Pri
c)のIRスペクトルを第4図に示す。このスペクトル
から、尿素等の不純物の存在が認められるが、この(H
O)zs i (2、3−Pric)は、これ以上精製
せずに次の反応に用いた。
(HO)、5i(2,3−Pric) 3g(5,2
mmoQ)の無水ピリジン240mn懸濁液に窒素雰囲
気下、トリプロピルクロロシラン7.2mQ (32,
9m11012)を加え、約6時間還流した。放冷後反
応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した沈殿に
クロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なものだけろ
過することにより取り出した。そしてこれをシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサン/ク
ロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の
結晶が24mg得られた。この紫色の結晶は、下記の分
析結果より例示化合物(3)であることを確認した。
mmoQ)の無水ピリジン240mn懸濁液に窒素雰囲
気下、トリプロピルクロロシラン7.2mQ (32,
9m11012)を加え、約6時間還流した。放冷後反
応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した沈殿に
クロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なものだけろ
過することにより取り出した。そしてこれをシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサン/ク
ロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の
結晶が24mg得られた。この紫色の結晶は、下記の分
析結果より例示化合物(3)であることを確認した。
(I)融点 〉300℃
、(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 61,99 6,11 18.86゜
分析値(%) 62,05 6.17 18.79(
3)NMRスペクトル(NMRスペクトルを第5図に示
す。
分析値(%) 62,05 6.17 18.79(
3)NMRスペクトル(NMRスペクトルを第5図に示
す。
この図は2,3−ピリジン環の縮環方向の違いにより生
じる数種類の異性体の混合物のスペクトルである。):
CDCQ。
じる数種類の異性体の混合物のスペクトルである。):
CDCQ。
δ値 10.19〜9.90(IH,m)9.79〜9
.74(IH,m) 8.34〜8.25(IH,m) −0,33(I8H,t、J=7.33Hz)−1、L
9 (I2H,5extat−1ike m)−2,
51(I2H,t −1ike m)(I)電子スペ
クトル(CHCΩ、溶液)を第6図に示す。
.74(IH,m) 8.34〜8.25(IH,m) −0,33(I8H,t、J=7.33Hz)−1、L
9 (I2H,5extat−1ike m)−2,
51(I2H,t −1ike m)(I)電子スペ
クトル(CHCΩ、溶液)を第6図に示す。
(5)IRスペクトル(KB r法)を第7図に示す。
実施例2
[例示化合物(I)の合成、]
実施例1と同様に合成した(HO)x S x (2−
3−Pric)5 g(8,7mmog)の無水ピリジ
ン400mfl懸濁液に窒素雰囲気下、トリヘキシルク
ロロシラン20mjl (55ms+ojl)を加え、
6時間還流した。放冷後1反応溶媒のピリジンを減圧下
。
3−Pric)5 g(8,7mmog)の無水ピリジ
ン400mfl懸濁液に窒素雰囲気下、トリヘキシルク
ロロシラン20mjl (55ms+ojl)を加え、
6時間還流した。放冷後1反応溶媒のピリジンを減圧下
。
留去した。析出した沈殿にクロロホルムを加え。
クロロホルムに可溶なものだけろ過することにより取り
出した。そしてこれをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、ヘキサン/クロロホルム混合溶媒か
ら再結晶することにより、紫色の結晶が26mg得られ
た。この紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物
(I)であることを確認した。
出した。そしてこれをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、ヘキサン/クロロホルム混合溶媒か
ら再結晶することにより、紫色の結晶が26mg得られ
た。この紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物
(I)であることを確認した。
(I)融点 230〜232℃、240〜243℃。
248〜252℃。
[この例示化合物(I)は、3つの温度範囲で融点が観
測された。これは、例示化合物(I)の2.3−ピリジ
ン環における縮環方向の違いにより生じる数種類の異性
体の混合物であることに起因しているものと考えられる
。](2)元素分析値 CHN 計算値(%) 67.20 7.93 14.70分
析値(%) 67.31 7.89 14.66(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第8図に示
す、この図は例示化合物(I)の2゜3−ピリジン環に
おける縮環方向の違いにより生じる数種類の異性体の混
合物のスペクトルである。 ) : CD(I1゜ δ値 10.16〜9.91(IH,m)9.79〜9
.73(IH,m) 8.33〜8.24(IH,m) 0 、77 (I2H,5extet−1ike m)
0.65(I8H,t、J=7.63Hz)0.28(
I2H,quintat、J =7.63Hz)0.0
0(I2H,quintet、J=7.63Hz)−1
、32(I2H,qulntet−1ike m)−2
,52(I2H,t−1ike m)(I)電子スペク
トル(CHCfl、溶液)を第9図に示す。
測された。これは、例示化合物(I)の2.3−ピリジ
ン環における縮環方向の違いにより生じる数種類の異性
体の混合物であることに起因しているものと考えられる
。](2)元素分析値 CHN 計算値(%) 67.20 7.93 14.70分
析値(%) 67.31 7.89 14.66(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第8図に示
す、この図は例示化合物(I)の2゜3−ピリジン環に
おける縮環方向の違いにより生じる数種類の異性体の混
合物のスペクトルである。 ) : CD(I1゜ δ値 10.16〜9.91(IH,m)9.79〜9
.73(IH,m) 8.33〜8.24(IH,m) 0 、77 (I2H,5extet−1ike m)
0.65(I8H,t、J=7.63Hz)0.28(
I2H,quintat、J =7.63Hz)0.0
0(I2H,quintet、J=7.63Hz)−1
、32(I2H,qulntet−1ike m)−2
,52(I2H,t−1ike m)(I)電子スペク
トル(CHCfl、溶液)を第9図に示す。
(5)IRスペクトル(KB r法)を第10図に示す
。
。
試験例1
ガラス基板上に例示化合物(3)のクロロホルム(0,
3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し、約
80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜の膜側
及びその反対側であるガラス基板1から測定した56正
反射スペクトルを、それぞれ第11図、第12図及び第
13図に示す、650nm付近で高い光の吸収能力及び
高い反射率を示すことがわかった。
3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し、約
80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜の膜側
及びその反対側であるガラス基板1から測定した56正
反射スペクトルを、それぞれ第11図、第12図及び第
13図に示す、650nm付近で高い光の吸収能力及び
高い反射率を示すことがわかった。
試験例2
ガラス基板上に例示化合物(I)のクロロホルム(0,
3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し、約
80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜の膜側
及びその反対側であるガラス基板側から測定した56正
反射スペクトルを、それぞれ第14図、第15図及び第
16図に示す* 650nm付近で高い光の吸収能力及
び高い反射率を示すことがわかった。
3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し、約
80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜の膜側
及びその反対側であるガラス基板側から測定した56正
反射スペクトルを、それぞれ第14図、第15図及び第
16図に示す* 650nm付近で高い光の吸収能力及
び高い反射率を示すことがわかった。
実施例3
[例示化合物(I52)の合成]
3.4−ジシアノピリジン2.5 g (I9,4mm
ojl)、四塩化ケイ素4.5mQ(38,8mmon
)。
ojl)、四塩化ケイ素4.5mQ(38,8mmon
)。
モリブデン酸アンモニウム39mg、及び尿素19.4
. を約230〜240℃で約3時間反応させた。放
冷後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で30
分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄
した。さらに、この固体をメタノール中、約50℃で3
0分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタ
ノールで洗浄することにより、緑色の固体が定量的に得
られた9ピリジン溶液中で、この緑色固体の電子スペク
トル(第17図)を測定すると、662〜671nmに
吸収ピークが1!測され、−m式(■)(ただし、Z=
Cfi、M=Siであり、A1、A2、A3(3、4−
Pric) ]と略す、)が明らかに生成しているもの
と考えられる。また、このCΩ2Si(3、4−Pri
c)のIRスペクトルを第18図に示す、このスペクト
ルから、尿素等の不純物の存在が認められるが、このC
Q、 S i (3、4−Pric)は、これ以上精製
せずに次の反応に用いた。
. を約230〜240℃で約3時間反応させた。放
冷後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で30
分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄
した。さらに、この固体をメタノール中、約50℃で3
0分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタ
ノールで洗浄することにより、緑色の固体が定量的に得
られた9ピリジン溶液中で、この緑色固体の電子スペク
トル(第17図)を測定すると、662〜671nmに
吸収ピークが1!測され、−m式(■)(ただし、Z=
Cfi、M=Siであり、A1、A2、A3(3、4−
Pric) ]と略す、)が明らかに生成しているもの
と考えられる。また、このCΩ2Si(3、4−Pri
c)のIRスペクトルを第18図に示す、このスペクト
ルから、尿素等の不純物の存在が認められるが、このC
Q、 S i (3、4−Pric)は、これ以上精製
せずに次の反応に用いた。
CQ、5i(3,44−Pr1c)18 (29,2m
鵬on)をエタノール57mΩ中に加え、これにアンモ
ニア水57mA、さらに水224mQを添加し、約5時
間還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過し、水
、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、緑色の固
体がLog得られた。この緑色固体は、ピリジン溶液中
での電子スペクトル(第19図)により、662〜67
2nmに吸収ピークが観測されたことから、−散大(I
I)(ただし、M=Siであり、A1 、 AM 、
A3(3、4−Pric)と略す、]と考えられる。ま
た。
鵬on)をエタノール57mΩ中に加え、これにアンモ
ニア水57mA、さらに水224mQを添加し、約5時
間還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過し、水
、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、緑色の固
体がLog得られた。この緑色固体は、ピリジン溶液中
での電子スペクトル(第19図)により、662〜67
2nmに吸収ピークが観測されたことから、−散大(I
I)(ただし、M=Siであり、A1 、 AM 、
A3(3、4−Pric)と略す、]と考えられる。ま
た。
この(HO)、 S i (3、4−Pric)のIR
スペクトルを第20図に示す、このスベク、トルから、
尿素等の不純物の存在が認められるが、この(HO)、
S i (3、4−Pric)は、これ以上精製せず
に次の反応に用いた。
スペクトルを第20図に示す、このスベク、トルから、
尿素等の不純物の存在が認められるが、この(HO)、
S i (3、4−Pric)は、これ以上精製せず
に次の反応に用いた。
(HO)、S i(3,4−Pric)4.5 g(7
,8m■oQ)の無水ピリジン360mR懸濁液に窒素
雰囲気下、トリブチルクロロシラン13.2m Q(I
9,3mmoQ)を加え、約6時間還流した。放冷後、
反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。
,8m■oQ)の無水ピリジン360mR懸濁液に窒素
雰囲気下、トリブチルクロロシラン13.2m Q(I
9,3mmoQ)を加え、約6時間還流した。放冷後、
反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。
析出した沈殿にクロロホルムを加え、クロロホルムに可
溶なものだけろ過することにより取り出した。そしてこ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し
、ヘキサン/クロロホルム混゛合溶媒から再結晶するこ
とにより、紫色の結晶が50mg得られた。この紫色の
結晶は、下記の分析結果より例示化合物(I52)であ
ることを確認した。
溶なものだけろ過することにより取り出した。そしてこ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し
、ヘキサン/クロロホルム混゛合溶媒から再結晶するこ
とにより、紫色の結晶が50mg得られた。この紫色の
結晶は、下記の分析結果より例示化合物(I52)であ
ることを確認した。
(I)融点 289〜290”C,297℃以上[使用
した融点測定装置は、測定の上限が300℃であるため
、300℃以上の測定は行なっていないが、少なくとも
この例示化合物(I52)は、2つ以上の温度範囲で融
点が観測される。これは、例示化合物(I52)が3゜
4−ピリジン環における縮環方向の違いにより生じる異
性体の混合物であるため生じているものと考えられる。
した融点測定装置は、測定の上限が300℃であるため
、300℃以上の測定は行なっていないが、少なくとも
この例示化合物(I52)は、2つ以上の温度範囲で融
点が観測される。これは、例示化合物(I52)が3゜
4−ピリジン環における縮環方向の違いにより生じる異
性体の混合物であるため生じているものと考えられる。
]
(2)元素分析値
CHN
計算計(%) 64.02 6.82 17.24分
析値(%) 64,17 6.88 17.19(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第21図に
示す、この図は3,4−ピリジン環における縮環方向の
違いにより生じる数種類の異性体の混合物のスペクトル
である。):CDCQ。
析値(%) 64,17 6.88 17.19(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第21図に
示す、この図は3,4−ピリジン環における縮環方向の
違いにより生じる数種類の異性体の混合物のスペクトル
である。):CDCQ。
δ値 10.96〜10.93(IH,rn)9.65
〜9.59(IH,m) 9.51〜9.44(IM、m) 0.08 (30H,m) −1,32(I2H,quintet−1ike m)
−2,45(I2H,t −1ike m)(I)fl
電子スペクトルCHCΩ、溶液)を第22図に示す。
〜9.59(IH,m) 9.51〜9.44(IM、m) 0.08 (30H,m) −1,32(I2H,quintet−1ike m)
−2,45(I2H,t −1ike m)(I)fl
電子スペクトルCHCΩ、溶液)を第22図に示す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第23図に示す。
試験例3
ガラス基板上に例示化合物(I52)のクロロホルム(
0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し
、約80℃で約15分間乾燥し。
0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し
、約80℃で約15分間乾燥し。
有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペクト
ル及び5°正反射スペクトルを、それぞれ第24図及び
第25図(□線は、スピンコード膜側から測定、−一−
−−−−−線は、ガラス基板側から測定)に示すa 6
7Onm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかった。
ル及び5°正反射スペクトルを、それぞれ第24図及び
第25図(□線は、スピンコード膜側から測定、−一−
−−−−−線は、ガラス基板側から測定)に示すa 6
7Onm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかった。
実施例4
[例示化合物(302)の合成]
2.3−ジシアノピラジン1.3 g(I0mmoff
)。
)。
四塩化ケイ素11.5mfl (I00mmo12)、
モリブデン酸アンモニウム20mg及び尿素Logを約
230〜240℃で約2時間反応させた。放冷後、固化
した反応混合物に水を加え、約50℃で30分間かくは
んした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。さら
に、この固体をメタノール中、約50℃で30分間かく
はんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗
浄することにより、緑色の固体が定量的に得られた。こ
の緑色の固体は、ピリジン溶液中で、電子スペクトル(
第26図)を測定すると、630nmに吸収ピークが観
測されたことから1.一般式(■)(ただし、Z=CQ
、M=Siであり、A1. A*、p、3及びA4は、
す。]であるものと考えられる。また、このCQ zS
i (Prac)のIRスペクトルを第27図に示す
、このスペクトルから、尿素等の不純物の存在が認めら
れるが、このCn 、 S i (Prac)は、これ
以上精製せずに次の反応に用いた。
モリブデン酸アンモニウム20mg及び尿素Logを約
230〜240℃で約2時間反応させた。放冷後、固化
した反応混合物に水を加え、約50℃で30分間かくは
んした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。さら
に、この固体をメタノール中、約50℃で30分間かく
はんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗
浄することにより、緑色の固体が定量的に得られた。こ
の緑色の固体は、ピリジン溶液中で、電子スペクトル(
第26図)を測定すると、630nmに吸収ピークが観
測されたことから1.一般式(■)(ただし、Z=CQ
、M=Siであり、A1. A*、p、3及びA4は、
す。]であるものと考えられる。また、このCQ zS
i (Prac)のIRスペクトルを第27図に示す
、このスペクトルから、尿素等の不純物の存在が認めら
れるが、このCn 、 S i (Prac)は、これ
以上精製せずに次の反応に用いた。
Cm、S 1(Prac) 9.4 g (I
5,9mmoffi) をエタノール50mQ中に加
え、これにアンモニア水50mM、さらに水200mQ
を添加し、約18時間かくはん還流した。放冷後、この
反応混合物を吸引ろ過し、水、メタノールで洗浄した後
、減圧乾燥すると、緑色の固体が6g得られた。この緑
色固体は、ピリジン溶液中の電子スペクトル(第28図
)を測定すると、629nmに吸収ピークが11測され
たことから、一般式(■)(ただし。
5,9mmoffi) をエタノール50mQ中に加
え、これにアンモニア水50mM、さらに水200mQ
を添加し、約18時間かくはん還流した。放冷後、この
反応混合物を吸引ろ過し、水、メタノールで洗浄した後
、減圧乾燥すると、緑色の固体が6g得られた。この緑
色固体は、ピリジン溶液中の電子スペクトル(第28図
)を測定すると、629nmに吸収ピークが11測され
たことから、一般式(■)(ただし。
M=Siであり、A”、A”、A3及びA4は、す、]
であると考られる。また、この (HO)、S i (Prac)のIRスペクトルを第
29図に示す、このスペクトルから、尿素等の不純物の
存在が認められるが、この(HO)2S i (Pra
c)は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
であると考られる。また、この (HO)、S i (Prac)のIRスペクトルを第
29図に示す、このスペクトルから、尿素等の不純物の
存在が認められるが、この(HO)2S i (Pra
c)は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
(H○)、Si(Prac)400mg(0,69m+
wo12)の無水ピリジン40m n@濁液に、窒素雰
囲気下、無水トリブチ/L+7ミン2.5mN(I0,
4mmoQ)ついでトリブチルクロロシラン2.8m1
2 (I0,4m■oQ)を加え、約7時間還流した。
wo12)の無水ピリジン40m n@濁液に、窒素雰
囲気下、無水トリブチ/L+7ミン2.5mN(I0,
4mmoQ)ついでトリブチルクロロシラン2.8m1
2 (I0,4m■oQ)を加え、約7時間還流した。
放冷後、反応溶媒のピリジンを減圧下留去し、これにヘ
キサンを加え、析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄
した。この沈殿をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラ
ムクロマト°グラフィーにより精製した。
キサンを加え、析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄
した。この沈殿をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラ
ムクロマト°グラフィーにより精製した。
さらにヘキサン/クロロホルム混合溶媒がら再結晶する
ことにより、紫色の結晶が5mg得られた。
ことにより、紫色の結晶が5mg得られた。
この紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物(3
02)であることを確認した。
02)であることを確認した。
(I)融点 >−aOO℃
(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 58,86 6.38 22.89分
析値(%) 58,79 6.30 22.95(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第30図に
示す):CDCQ。
析値(%) 58,79 6.30 22.95(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第30図に
示す):CDCQ。
δ値 9 、74 (8H,br−s)0 、03 (
30H,br−s) −1,26〜−1,39(I2H,m)−2,51(I
2H,t −1ike m)(I)電子スペクトル(
CHC(I,溶液)を第31図に示す。
30H,br−s) −1,26〜−1,39(I2H,m)−2,51(I
2H,t −1ike m)(I)電子スペクトル(
CHC(I,溶液)を第31図に示す。
(5)IRスペクトル(KB r法)を第32図に示す
。
。
実施例5
[例示化合物(301)の合成。]
実施例4と同様に合成した(HO)2S i (Pra
c)400mg(0,69mmoA)の無水ピリジン4
0m Q 1!を濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチ
ルアミン2.5 m Q (I0,4mmoQ )つい
でトリへキシルクロロシラン3.8rnQ(I0,4m
mon)を加え、約7時間還流した。放冷後、反応溶媒
のピリジンを減圧下、留去し、これにl\キサンを加え
。
c)400mg(0,69mmoA)の無水ピリジン4
0m Q 1!を濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチ
ルアミン2.5 m Q (I0,4mmoQ )つい
でトリへキシルクロロシラン3.8rnQ(I0,4m
mon)を加え、約7時間還流した。放冷後、反応溶媒
のピリジンを減圧下、留去し、これにl\キサンを加え
。
析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄した。この沈殿
をクロロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製した。ざらにヘキサン/クロロホル
ム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の結晶が3
m g得られた。この紫色の結晶は、下記の分析結果
より例示化合物(301)であることを確認した。
をクロロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製した。ざらにヘキサン/クロロホル
ム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の結晶が3
m g得られた。この紫色の結晶は、下記の分析結果
より例示化合物(301)であることを確認した。
(I)軟化点 270〜275℃
(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 62.79 7.55 19.53分
析値(%) 62.69 7.51 19.58(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第33図に
示す):CDCQ。
析値(%) 62.69 7.51 19.58(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第33図に
示す):CDCQ。
δ値 9 、72 (8H,s)
0.80〜0.62(30H,m)
0.28〜0.22(I2H,m)
0.02〜−0.05(I2H,br−s)−1,32
〜−2,56(I2H,m)−2,50〜−1,33(
I2H,m)(I)電子スペクトル(CHCQ、溶液)
を第34図に示す。
〜−2,56(I2H,m)−2,50〜−1,33(
I2H,m)(I)電子スペクトル(CHCQ、溶液)
を第34図に示す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第35図に示す。
試験例4
ガラス基板上に例示化合物(302)のクロロホルム(
0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し
、約80℃で約15分間乾燥し。
0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し
、約80℃で約15分間乾燥し。
有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペクト
ル及び51正反射スペクトルを、それぞれ第36図及び
第37図(□線は、スピンコード膜側から測定、−−−
−−−−一線は、ガラス基板側から測定)に示す、64
0nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すこ
とがわかった。
ル及び51正反射スペクトルを、それぞれ第36図及び
第37図(□線は、スピンコード膜側から測定、−−−
−−−−一線は、ガラス基板側から測定)に示す、64
0nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すこ
とがわかった。
試験例5
ガラス基板上に例示化合物(301)のクロロホルム(
0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し
、約80’Cで約15分間乾燥し。
0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布し
、約80’Cで約15分間乾燥し。
有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペクト
ル及び5°正反射スペクトルを、それぞれ第38図及び
第39図(□線は、スピンコード膜側から測定、−−−
−−−−一線は、ガラス基板側から測定)に示す、64
0nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すこ
とがわかった。
ル及び5°正反射スペクトルを、それぞれ第38図及び
第39図(□線は、スピンコード膜側から測定、−−−
−−−−一線は、ガラス基板側から測定)に示す、64
0nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すこ
とがわかった。
実施例6
[例示化合物(I312)の合成]
窒素雰囲気下、無水メタノール72mΩに金属ナトリウ
ム123mg(5,4mmoQ)を加えて調製したナト
リウムメトキシドのメタノール溶液に2.3−ジシアノ
キノキザリン5g(27,8+ns+oQ)を加え、よ
くかくはんしながら室温下、無水アンモニアガスを約1
時間ゆっくりとバブルした。さらに無水アンモニアガス
をバブルしながら約3時間還流した。この1@濁液を熱
ろ過し、得られた固体をメタノールで十分に洗浄し、減
圧乾燥すると上積製せずに次の反応に用いた。
ム123mg(5,4mmoQ)を加えて調製したナト
リウムメトキシドのメタノール溶液に2.3−ジシアノ
キノキザリン5g(27,8+ns+oQ)を加え、よ
くかくはんしながら室温下、無水アンモニアガスを約1
時間ゆっくりとバブルした。さらに無水アンモニアガス
をバブルしながら約3時間還流した。この1@濁液を熱
ろ過し、得られた固体をメタノールで十分に洗浄し、減
圧乾燥すると上積製せずに次の反応に用いた。
窒素雰囲気下、一般式(■)(ただし、Aは、ノリン1
08mA懸濁液に四塩化ケイ素10mQ(90mmof
f)を加え、約3時間還流した。放冷後。
08mA懸濁液に四塩化ケイ素10mQ(90mmof
f)を加え、約3時間還流した。放冷後。
メタノール300mQ中に注ぎ出し、放置した。
この反応混合物をろ過しメタノールで十分に洗浄した後
、減圧乾燥すると、黒色の固体が定量的に得られた。こ
の黒色固体は、一般式(■)(ただし、Z=CQ、M=
Siであり、A1 、 Am 、 A3が淡灰色固体と
して4.9g得られた。この一般IRスペクトルを第4
0図に示す、一般式(■)と略す。)であると考えられ
るが、これ以上情製せずに次の反応に用いた。CQ、5
iQcのIRスペクトルを第41図に示す。
、減圧乾燥すると、黒色の固体が定量的に得られた。こ
の黒色固体は、一般式(■)(ただし、Z=CQ、M=
Siであり、A1 、 Am 、 A3が淡灰色固体と
して4.9g得られた。この一般IRスペクトルを第4
0図に示す、一般式(■)と略す。)であると考えられ
るが、これ以上情製せずに次の反応に用いた。CQ、5
iQcのIRスペクトルを第41図に示す。
CQ、5iQc9.5g (I1,6mmo12)をエ
タノール123mQ中に加え、これにアンモニア水12
3mQ及び水475rnQを添加し、約5時間かくはん
還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過し、水、
メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、黒色固体が
7.3g得られた。この黒色固体は、−散大(■)(た
だし、M=Siであり、後、(HO)□5iQcと略す
。]と考えられるが、これ以上精製せずに次の反応に用
いた。(HO)、5iQcのIRスペクトルを第42図
に示す。
タノール123mQ中に加え、これにアンモニア水12
3mQ及び水475rnQを添加し、約5時間かくはん
還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過し、水、
メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、黒色固体が
7.3g得られた。この黒色固体は、−散大(■)(た
だし、M=Siであり、後、(HO)□5iQcと略す
。]と考えられるが、これ以上精製せずに次の反応に用
いた。(HO)、5iQcのIRスペクトルを第42図
に示す。
(HO)、 S i Qcl g (I、3mmon
)の無水β−ピコリン141mAJ!i濁液に窒素雰囲
気下、無水トリブチルアミン3.8mQ (I6,1m
5oQ) ついでトリエチルクロロシラン2.7mfl
(I6,1mmo12)を加え約2時間還流した。放
冷後1反応混合物をエタノール/水(I/1)600m
R中へ注ぎ、よくかきまぜた後、放置した。析出した沈
殿をろ過し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。テ
トラヒドロフランを用いて、この沈殿のうち溶けるもの
だけ溶かし出し、これをアルミナカラムグロマトグラフ
イーにより精製した。さらに、クロロホルム−メタノー
ル混合溶媒から再結晶することにより、濃緑色結晶が2
2mg得られた。この濃緑色の結晶は、下記の分析結果
より例示化合物(I312)であることを確認した。
)の無水β−ピコリン141mAJ!i濁液に窒素雰囲
気下、無水トリブチルアミン3.8mQ (I6,1m
5oQ) ついでトリエチルクロロシラン2.7mfl
(I6,1mmo12)を加え約2時間還流した。放
冷後1反応混合物をエタノール/水(I/1)600m
R中へ注ぎ、よくかきまぜた後、放置した。析出した沈
殿をろ過し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。テ
トラヒドロフランを用いて、この沈殿のうち溶けるもの
だけ溶かし出し、これをアルミナカラムグロマトグラフ
イーにより精製した。さらに、クロロホルム−メタノー
ル混合溶媒から再結晶することにより、濃緑色結晶が2
2mg得られた。この濃緑色の結晶は、下記の分析結果
より例示化合物(I312)であることを確認した。
(I)融点 〉3oO℃
(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 61,75 4,58 22.17分
析値(%) 61,81 4.63 22.13(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第43図に
示す):CDCQ。
析値(%) 61,81 4.63 22.13(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第43図に
示す):CDCQ。
δ値 9.15(8H,dd、J=6.56.3.51
Hz)8.35(8H,dd、J =6.56.3.5
1 Hz)−1,13(I8H,t、J=7.941−
fz)−2,26(I2H,q、J=7.94Hz)(
I)電子スペクトル(CHCQ、溶液)を第44図に示
す。
Hz)8.35(8H,dd、J =6.56.3.5
1 Hz)−1,13(I8H,t、J=7.941−
fz)−2,26(I2H,q、J=7.94Hz)(
I)電子スペクトル(CHCQ、溶液)を第44図に示
す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第45図に示す。
実施例7
[例示化合物(I311)の合成]
実施例6と同様に合成した(HO)2SiQc1g(I
,3mmoff)の無水β−ピコリン141mA懸濁液
に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン3.8rnQ(
I6,1mmoI2) 、ついでトリプロピルクロロシ
ラン3.5mA (I6,1mmoQ)を加え、約2時
間還流した。放冷後1反応混合物を実施例6と同様に処
理し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶す
ることにより濃緑色結晶が47mg得られた。この濃緑
色結晶は、下記の分析結果より例示化合物(I311)
であることを確認した。
,3mmoff)の無水β−ピコリン141mA懸濁液
に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン3.8rnQ(
I6,1mmoI2) 、ついでトリプロピルクロロシ
ラン3.5mA (I6,1mmoQ)を加え、約2時
間還流した。放冷後1反応混合物を実施例6と同様に処
理し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶す
ることにより濃緑色結晶が47mg得られた。この濃緑
色結晶は、下記の分析結果より例示化合物(I311)
であることを確認した。
(I)融点 〉300℃
(2)元素分析値:
計算値(%) 6
分析値(%) 6
(3)NMRスペク
46図に示す)
CHN
3.59 5.34 20.46
3.65 5.28 20.35
トル値(NMRスペクトルを第
:CDCQ。
δ値 9.16(8H,dd、J=6.56.3.51
Hz)8.35(8H,dd、J=6.56,3.51
Hz)−0,40(I8H,t、J−”7.33Hz)
−0,95(I2H,5extet−1ike m)−
2,24(I2H,t−1ike m)(I)電子スペ
クトル(CHCQ3溶液)を第47図に示す。
Hz)8.35(8H,dd、J=6.56,3.51
Hz)−0,40(I8H,t、J−”7.33Hz)
−0,95(I2H,5extet−1ike m)−
2,24(I2H,t−1ike m)(I)電子スペ
クトル(CHCQ3溶液)を第47図に示す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第48図に示す。
実施例8
[例示化合物(I310)の合成]
実施例6と同様に合成した(HO)2SiQc1g(I
,3mmon)の無水β−ピコリン141rr+Qi韻
濁液に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン3.8mQ
(I6,1mmon)、ついでトリブチルクロロシラン
4,3mIJ、(I6,1mmoQ)を加え、約2時間
還流した。放冷後、反応混合物を実施例6と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶を48mg得た。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果より例示化合物(I310)である
ことを確認した。
,3mmon)の無水β−ピコリン141rr+Qi韻
濁液に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン3.8mQ
(I6,1mmon)、ついでトリブチルクロロシラン
4,3mIJ、(I6,1mmoQ)を加え、約2時間
還流した。放冷後、反応混合物を実施例6と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶を48mg得た。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果より例示化合物(I310)である
ことを確認した。
(I)融点 〉300℃
(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 65.16 5.98 19.00分
析値(%) 65,13 5.88 19.07(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第49図に
示す):CDCl!3 δ値 9.16(8H,dd、J=6.56.3.51
Hz)8.34(8H,dd、J =6.56.3.5
1 Hz)−0、03(I2H,quintet−1i
ke m)−0,21(I8H,t、J=7.17Hz
)−1、07(I2H,quintet−1ike m
)−2,23(I2H,t −1ike m)(I)電
子スペクトル(CHCQ、溶液)を第50図に示す。
析値(%) 65,13 5.88 19.07(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第49図に
示す):CDCl!3 δ値 9.16(8H,dd、J=6.56.3.51
Hz)8.34(8H,dd、J =6.56.3.5
1 Hz)−0、03(I2H,quintet−1i
ke m)−0,21(I8H,t、J=7.17Hz
)−1、07(I2H,quintet−1ike m
)−2,23(I2H,t −1ike m)(I)電
子スペクトル(CHCQ、溶液)を第50図に示す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第51図に示す。
実施例9
[例示化合物(I309)の合成]
実施例6と同様に合成した(HO)、S i Qel
g(I,3mmoQ)の無水β−ピコリン141mQl
l濁液に無水トリブチルアミン3.8mj2 (I6,
1mmon)、ついでトリへキシルクロロシラン5.9
mA(I6,1m5on)を加え、約2時間還流した。
g(I,3mmoQ)の無水β−ピコリン141mQl
l濁液に無水トリブチルアミン3.8mj2 (I6,
1mmon)、ついでトリへキシルクロロシラン5.9
mA(I6,1m5on)を加え、約2時間還流した。
放冷後1反応混合物を実施例6と同様に処理し、クロロ
ホルム−メタノール混合溶媒から再結晶することにより
濃緑色結晶を10mg得た。この濃緑色結晶は、下記の
分析結果より例示化合物(I309)であることを確認
した。
ホルム−メタノール混合溶媒から再結晶することにより
濃緑色結晶を10mg得た。この濃緑色結晶は、下記の
分析結果より例示化合物(I309)であることを確認
した。
(I)融点 〉300℃
(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 67.72 7.03 16,63分
析値(%) 67.79 6.95 16.59(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第52図に
示す):CDCQ。
析値(%) 67.79 6.95 16.59(3
)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第52図に
示す):CDCQ。
δ’a 9.17(8H,dd、J =6.71,
3.36Hz)8.34(8H,dd、J=6.71.
3.36Hz)0.46 (I2H,quintet−
1ike m)0.25(I8H,t、J=7.18H
z)−0,02(24H,t−1ike m)−1,0
3〜−1,17(I2H,m)−2,23(I2H,t
−1ike m)(I)電子スペクトル(CHCQ、溶
液)を第53図に示す。
3.36Hz)8.34(8H,dd、J=6.71.
3.36Hz)0.46 (I2H,quintet−
1ike m)0.25(I8H,t、J=7.18H
z)−0,02(24H,t−1ike m)−1,0
3〜−1,17(I2H,m)−2,23(I2H,t
−1ike m)(I)電子スペクトル(CHCQ、溶
液)を第53図に示す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第54図に示す。
実施例1゜
[例示化合物(I462)の合成]
実施例6と同様に合成した(HO)、S i Qcl
g(I,3mmoQ)のキノリン40mE!懸濁液にト
リシクロへキシルシラノール0.76 g (2,6m
Ilog)を加え、約7時間還流した。放冷後1反応混
合物を実施例6と同様に処理した結果、濃緑色結晶とし
て例示化合物(I462)を得た。この例示化合物(I
462)の電子スペクトル(cuc Q ) )を第5
5図に示す。
g(I,3mmoQ)のキノリン40mE!懸濁液にト
リシクロへキシルシラノール0.76 g (2,6m
Ilog)を加え、約7時間還流した。放冷後1反応混
合物を実施例6と同様に処理した結果、濃緑色結晶とし
て例示化合物(I462)を得た。この例示化合物(I
462)の電子スペクトル(cuc Q ) )を第5
5図に示す。
試験例6
例示化合物(I309)を種々の溶媒に溶かし、電子ス
ペクトルを測定した。第56図、第57図。
ペクトルを測定した。第56図、第57図。
第58図、第59図、第60図及び第61図にそれぞれ
クロロホルム中、テトラヒドロフラン中。
クロロホルム中、テトラヒドロフラン中。
アセトン中、トルエン中、シクロヘキサン中及び四塩化
炭素中の電子スペクトルを示したが、溶媒の種類の違い
による吸収波形の変化及び溶液の濃度の違いによる吸収
波形の変化は、まったく観測されなかった。
炭素中の電子スペクトルを示したが、溶媒の種類の違い
による吸収波形の変化及び溶液の濃度の違いによる吸収
波形の変化は、まったく観測されなかった。
試験例7
例示化合物(I312)、(I311)及び(I310
)のクロロホルム(0,3重量パーセント)溶液を調製
した。これらの溶液をそれぞれスピンコード法でガラス
基板に塗布し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を
形成した。これらの化合物の有機膜の透過スペクトル、
スピンコード膜の膜側及びその反対側であるガラス基板
側から740nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射
率を示すことがわかった。
)のクロロホルム(0,3重量パーセント)溶液を調製
した。これらの溶液をそれぞれスピンコード法でガラス
基板に塗布し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を
形成した。これらの化合物の有機膜の透過スペクトル、
スピンコード膜の膜側及びその反対側であるガラス基板
側から740nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射
率を示すことがわかった。
試験例8
ガラス基板上に例示化合物(I309)のクロロホルム
(0,5重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。
(0,5重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。
この化合物の有機膜の透過スペクトル及び5°正反射ス
ペクトルをそれぞれ第71図及び第72図に示した。7
4Onm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかった。
ペクトルをそれぞれ第71図及び第72図に示した。7
4Onm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかった。
実施例11
[例示化合物(I346)の合成]
2.3−ジシアノ−6−メチルキノキザリン5g(25
,7mmoQ)、四塩化ケイ素5.9mg(51,4m
mon)、モリブデン酸アンモニウム52mg及び尿素
26gを230〜240℃で約3時間反応させた。放冷
後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で30分
間かくはんした。
,7mmoQ)、四塩化ケイ素5.9mg(51,4m
mon)、モリブデン酸アンモニウム52mg及び尿素
26gを230〜240℃で約3時間反応させた。放冷
後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で30分
間かくはんした。
不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。さらに。
この固体をメタノール中、約50’Cで30分間かくは
んした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗浄
することにより、一般式(■)(ただし、Z=CQ、M
=Siであり、A1.A”、A’CQ zS i QC
(CHa)4と略す。]と考えられる茶色の固体が定量
的に得られた。この CQ zS i Qc(CHa)、のIRスペクトルを
第73図に示す、このスペクトルから尿素等の不純物の
存在が認められるが、このCQ 2 S i Qc(C
H,)4は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
んした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗浄
することにより、一般式(■)(ただし、Z=CQ、M
=Siであり、A1.A”、A’CQ zS i QC
(CHa)4と略す。]と考えられる茶色の固体が定量
的に得られた。この CQ zS i Qc(CHa)、のIRスペクトルを
第73図に示す、このスペクトルから尿素等の不純物の
存在が認められるが、このCQ 2 S i Qc(C
H,)4は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
CQx S x Qc(CHzL 17−6 g (2
0−1mmallりをエタノール7SrnQ中に加え、
これにアンモニア水76mΩ、さらに水300muを添
加し、約5時間還流した。放冷後、この反応混合物を吸
引ろ過し、水、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥する
と茶色の固体として、一般式(■)(たりり、r、 M
=S i テア4J、 A’、 A2. A”(Ho
)z s x Qe(c Ha )4と略す。]と考ら
れる固体が12g得られた。この(H0)2S 1Qc
(CH,)4のIRスペクトルを第74図に示す、この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められるが
。
0−1mmallりをエタノール7SrnQ中に加え、
これにアンモニア水76mΩ、さらに水300muを添
加し、約5時間還流した。放冷後、この反応混合物を吸
引ろ過し、水、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥する
と茶色の固体として、一般式(■)(たりり、r、 M
=S i テア4J、 A’、 A2. A”(Ho
)z s x Qe(c Ha )4と略す。]と考ら
れる固体が12g得られた。この(H0)2S 1Qc
(CH,)4のIRスペクトルを第74図に示す、この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められるが
。
この(HO)z S x Qc(CHa)4は、これ以
上精製せずに次の反応に用いた。
上精製せずに次の反応に用いた。
(HO)、5iQc(CHaL12 g(I4,3mm
on)の無水β−ピコリン400mj2懸濁液に、窒素
雰囲気下、無水トリブチルアミン19.2m(I(80
,6mmoff)、ついでトリブチルクロロシラン21
.5mg(80,5mwoQ)を加え、約6時間還流し
た。
on)の無水β−ピコリン400mj2懸濁液に、窒素
雰囲気下、無水トリブチルアミン19.2m(I(80
,6mmoff)、ついでトリブチルクロロシラン21
.5mg(80,5mwoQ)を加え、約6時間還流し
た。
放冷後1反応溶媒のβ−ピコリンを減圧上留去し。
これにメタノール/水の混合溶媒を加え、析出した沈殿
を吸引ろ過し、水、メタノール及びヘキサンで洗浄した
。この沈殿をクロロホルムに溶解し。
を吸引ろ過し、水、メタノール及びヘキサンで洗浄した
。この沈殿をクロロホルムに溶解し。
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。
さらにヘキサン/クロロホルム混合溶媒から再結晶する
ことにより、緑色の結晶が8mg得られた。この緑色の
結晶は、下記の分析結果より例示化合物(I346)で
あることを確認した。
ことにより、緑色の結晶が8mg得られた。この緑色の
結晶は、下記の分析結果より例示化合物(I346)で
あることを確認した。
(I)融点 〉300℃
(2)元素分析値:
CHN
計算値(%) 66.09 6.36 18.14分
析値(%) 66.18 6.31 18.07(3
)NMRスペトトル値(NMRスペクトルを第75図に
示す):CDCQ3 δ値 9.02(IH,d、J =8.85Hz)8.
89(IH,br−s) 8.15(IH,dd、J=8.85,1.22Hz)
2.96 (I2H,5) −0,02(I2H,5extet−1ike m)−
0,20(I8H,t、J=7.33Hz)−1,09
(I2H,quintet−1ike m)−2,25
(I2H,t−1ike m)(I)電子スペクトル(
CHCQ、溶液)を第76図に示す。
析値(%) 66.18 6.31 18.07(3
)NMRスペトトル値(NMRスペクトルを第75図に
示す):CDCQ3 δ値 9.02(IH,d、J =8.85Hz)8.
89(IH,br−s) 8.15(IH,dd、J=8.85,1.22Hz)
2.96 (I2H,5) −0,02(I2H,5extet−1ike m)−
0,20(I8H,t、J=7.33Hz)−1,09
(I2H,quintet−1ike m)−2,25
(I2H,t−1ike m)(I)電子スペクトル(
CHCQ、溶液)を第76図に示す。
(5)IRスペクトル(KBr法)を第77図に示す。
試験例9
ガラス基板上に例示化合物(I346)のクロロホルム
(0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。
(0,3重量パーセント)溶液をスピンコード法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。
この化合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜
の膜側及びその反対側であるガラス基板側から測定した
5°正反射スペクトルを、それぞれ第78図、第79図
及び第80図に示す、740nm付近で高い光の吸収能
力及び高い反射率を示すことがねかった。
の膜側及びその反対側であるガラス基板側から測定した
5°正反射スペクトルを、それぞれ第78図、第79図
及び第80図に示す、740nm付近で高い光の吸収能
力及び高い反射率を示すことがねかった。
実施例12〜865
厚さ1.2膿、直径130mmのポリメチルメタクリレ
ート2P基板上に、実施例1〜11で合成または、実施
例1〜11に準じて合成した例示テトラアザポルフィン
と有機溶媒とからなる溶液をスピンコード法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成した。この
記録層の厚さは。
ート2P基板上に、実施例1〜11で合成または、実施
例1〜11に準じて合成した例示テトラアザポルフィン
と有機溶媒とからなる溶液をスピンコード法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成した。この
記録層の厚さは。
DEKTAK3030 (Sloan社製)によって測
定した。このようにして作成した光記録媒体を、記録層
を上にしてターンテーブルに乗せ、1800rpw+の
速度で回転させながら、アルゴンイオンレーザ−9色素
レーザーなどを組み合わせて種々の発振波長に調整した
レーザー光を光学ヘッドを介して光記録媒体の下側つま
り基板側からレーザービームがポリメチルメタクリレー
ト基板を通して記録層に集光するように制御しながら、
中心から半径40〜60mの間で2 M Hzのパルス
記号の記録を行った0次に同じ装置を用いて出力を弱め
たレーザー光により記録した信号の再生を行い、そのと
きのキャリヤー/ノイズ(C/N)を測定した。
定した。このようにして作成した光記録媒体を、記録層
を上にしてターンテーブルに乗せ、1800rpw+の
速度で回転させながら、アルゴンイオンレーザ−9色素
レーザーなどを組み合わせて種々の発振波長に調整した
レーザー光を光学ヘッドを介して光記録媒体の下側つま
り基板側からレーザービームがポリメチルメタクリレー
ト基板を通して記録層に集光するように制御しながら、
中心から半径40〜60mの間で2 M Hzのパルス
記号の記録を行った0次に同じ装置を用いて出力を弱め
たレーザー光により記録した信号の再生を行い、そのと
きのキャリヤー/ノイズ(C/N)を測定した。
得られた結果を第2表にまとめて示すが1例示したテト
ラアザポルフィンは高いC/Nを示すこ比較例1 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ(ZhurnalO
bshchei Khimii) 、第42巻696頁
、1972年〕記載の方法により合成したバナジル−テ
トラ(t−ブチル)ナフタロシアニンをクロロホルム溶
液中で電子スペクトルを測定した図を第81図に、ベン
ゼン溶液中で測定したものを第82図に示したようにこ
の化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化すると吸収波
形が変化し、高濃度になるほど800 r、 m付近の
吸収が低下し720〜730nmの吸収が大きくなるこ
とがIl’lされた。
ラアザポルフィンは高いC/Nを示すこ比較例1 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ(ZhurnalO
bshchei Khimii) 、第42巻696頁
、1972年〕記載の方法により合成したバナジル−テ
トラ(t−ブチル)ナフタロシアニンをクロロホルム溶
液中で電子スペクトルを測定した図を第81図に、ベン
ゼン溶液中で測定したものを第82図に示したようにこ
の化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化すると吸収波
形が変化し、高濃度になるほど800 r、 m付近の
吸収が低下し720〜730nmの吸収が大きくなるこ
とがIl’lされた。
バナジル−テトラ
(t−ブチル)
ナフタロシア
ニン。
比較例2
ガラス板上に、比較例1で用いたバナジル−テトラ(t
−ブチル)ナフタロシアニンを試験例9と同様にして有
機膜を形成し、この透過スペクトル(第83図)及び腹
側から測定した5m正反射スペクトル(第84図)を測
定した。600〜850nmの波長域であまり高い光の
吸収能力及び反射率(20%以下)を示さなかった。
−ブチル)ナフタロシアニンを試験例9と同様にして有
機膜を形成し、この透過スペクトル(第83図)及び腹
側から測定した5m正反射スペクトル(第84図)を測
定した。600〜850nmの波長域であまり高い光の
吸収能力及び反射率(20%以下)を示さなかった。
比較例3〜7
厚さ1.2mm、直径130mのポリメチルメタクリレ
ート2P基板上にバナジル−テトラ(I−ブチル)ナフ
タロシアニンを用いて、実施例12〜865と同様にし
て形成した光記録媒体のC/Nを測定した。得られた結
果を第3表にまとめて示すが、比較例2に示したように
バナジル−テトラ(t−ブチル)ナフタロシアニンは、
600〜850nmいずれの波長範囲でも低反射率(〈
20%)であり、そのためC/N値は本測定条件では小
さな値しか得られかなった。
ート2P基板上にバナジル−テトラ(I−ブチル)ナフ
タロシアニンを用いて、実施例12〜865と同様にし
て形成した光記録媒体のC/Nを測定した。得られた結
果を第3表にまとめて示すが、比較例2に示したように
バナジル−テトラ(t−ブチル)ナフタロシアニンは、
600〜850nmいずれの波長範囲でも低反射率(〈
20%)であり、そのためC/N値は本測定条件では小
さな値しか得られかなった。
比較例8
米国特許第4,725,525号明細書における代表的
化合物ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコン−ナフタ
ロシアニンのトルエン溶液(0,6重量パーセント)を
ガラス基板上にスピンコード法で塗布示す6本化合物は
、反射極大を810nm付近に示すが、780nm以下
の波長域では20%以下の反射率しか示さなかった。
化合物ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコン−ナフタ
ロシアニンのトルエン溶液(0,6重量パーセント)を
ガラス基板上にスピンコード法で塗布示す6本化合物は
、反射極大を810nm付近に示すが、780nm以下
の波長域では20%以下の反射率しか示さなかった。
比較例9〜13
厚さ1.2mm、直径130mのポリメチルメタクリレ
ート2P基板上に米国特許第4,725,525号明細
書の代表的化合物ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコ
ン−ナフタロシアニンを用いて、実施例12〜865と
同様にして形成した光記録媒体のC/Nを測定した。得
られた結果を第4表にまとめて示すが、比較例8に示し
たように、この化合物は780nm以下の波長域では低
反射率であるために、低いC/N値を示した。
ート2P基板上に米国特許第4,725,525号明細
書の代表的化合物ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコ
ン−ナフタロシアニンを用いて、実施例12〜865と
同様にして形成した光記録媒体のC/Nを測定した。得
られた結果を第4表にまとめて示すが、比較例8に示し
たように、この化合物は780nm以下の波長域では低
反射率であるために、低いC/N値を示した。
一ナフタロシアニン
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。
この化合物の膜の透過スペクトル及び5゜正反射スペク
トル(実線は腹側から、点線は基板側から測定)を第8
5図及び第86図にそれぞれ実施例866〜1310 実施例1〜11で合成または、実施例1〜11に準じて
合成した例示テトラアザポルフィンを有機溶媒に溶解し
て調整した溶液を、回転塗布法によって、厚さ1.2m
のガラス板上に塗布し、記録層を形成した。このように
して形成された記録媒体にアルゴンイオンレーザ−など
を用いて種々の発振波長に調整したレーザー光をガラス
基板側から照射して記録特性を評価した。記録・再生は
ビーム径1.6μmで行った。
トル(実線は腹側から、点線は基板側から測定)を第8
5図及び第86図にそれぞれ実施例866〜1310 実施例1〜11で合成または、実施例1〜11に準じて
合成した例示テトラアザポルフィンを有機溶媒に溶解し
て調整した溶液を、回転塗布法によって、厚さ1.2m
のガラス板上に塗布し、記録層を形成した。このように
して形成された記録媒体にアルゴンイオンレーザ−など
を用いて種々の発振波長に調整したレーザー光をガラス
基板側から照射して記録特性を評価した。記録・再生は
ビーム径1.6μmで行った。
再生光に対する安定性を評価するために、再生初期の反
射率(Ro)に対して0.5mW再生光により10@回
再生後の反射率(R)の比R/R0を測定した。結果を
第5表にまとめて示すが、例示したテトラアザポルフィ
ンは、再生光に対して高い安定性を示すことがわかった
。
射率(Ro)に対して0.5mW再生光により10@回
再生後の反射率(R)の比R/R0を測定した。結果を
第5表にまとめて示すが、例示したテトラアザポルフィ
ンは、再生光に対して高い安定性を示すことがわかった
。
比較例14〜19
シアニン系色素(日本感光色素研究所II)を有機溶媒
に溶解し、実施例866〜1310と同様に記録層を形
成した後、実施例866〜1310と同様にして再生光
に対する安定性を評価した。
に溶解し、実施例866〜1310と同様に記録層を形
成した後、実施例866〜1310と同様にして再生光
に対する安定性を評価した。
結果を第6表にまとめて示すが、シアニン系色素は、再
生光に対する安定性が極めて悪かった。
生光に対する安定性が極めて悪かった。
実施例1311〜1362
実施例1〜11で合成または実施例1〜11に準じて合
成した例示テトラアザポルフィンとバインダーポリマー
を有機溶媒に溶解して調整した溶液を回転塗布法によっ
て、厚さ1.2■のガラス板上に塗布し記録層を形成し
た。このようにして形成した記録媒体を実施例866〜
1310と同様にして再生光に対する安定性を評価した
。結果を第7表にまとめて示すが例示したテトラアザポ
ルフィンとバインダーにより形成された記録層は高い安
定性を示すことがわかった。
成した例示テトラアザポルフィンとバインダーポリマー
を有機溶媒に溶解して調整した溶液を回転塗布法によっ
て、厚さ1.2■のガラス板上に塗布し記録層を形成し
た。このようにして形成した記録媒体を実施例866〜
1310と同様にして再生光に対する安定性を評価した
。結果を第7表にまとめて示すが例示したテトラアザポ
ルフィンとバインダーにより形成された記録層は高い安
定性を示すことがわかった。
発明によって、新規なテトラアザポルフィンが提供され
、この化合物は、光学記録媒体の記録層材料、光電変換
材料、液晶表示材料等に有用である。
、この化合物は、光学記録媒体の記録層材料、光電変換
材料、液晶表示材料等に有用である。
特に800nm以下の波長領域のレーザー光線を記録・
読み出しに使用する光学記録媒体、とりわけ追記型の光
学記録媒体の記録層材料として有用である。
読み出しに使用する光学記録媒体、とりわけ追記型の光
学記録媒体の記録層材料として有用である。
米国特許第4,719,615号及び第4,780,8
67号明細書で使用される書き換え型光ディスク用記録
時。
67号明細書で使用される書き換え型光ディスク用記録
時。
読み出し時及び消去時に有効な光吸収色素としても有用
である。
である。
第1図は、CQ2Si(2,3−Pric)の電子スペ
クトル(ピリジン溶液)であり、第2図は、CH3S
i(2,3−Pric)のIRスペクトル(KBr法)
であり、第3図は、(HO)z 5i(2、3−Pri
c)の電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第4図
は1、(H0)2S i (2、3−Pric)のIR
スペクトル(KBr法)であり、第5図は1例示化合物
(3)のNMRスペクトルであり、第6図は、例示化合
物(3)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり
、第7図は1例示化合物(3)のIRスペクトル(KB
r法)であり、第8図は。 例示化合物(I)のNMRスペクトルであり、第9図は
1例示化合物(I)の電子スペクトル(クロロホルム溶
液)であり、第10図は、例示化合物(I)のIRスペ
クトル(KBr法)であり。 第11図は、例示化合物(3)のスピンコード膜の透過
スペクトルであり、第12図は、例示化合物(3)のス
ピンコード膜の腹側から測定した5°正反射スペクトル
であり、第13図は、例示化合物(3)のスピンコード
膜のガラス基板側から測定した5°正反射スペクトルで
あり、第14図は、例示化合物(I)のスピンコード膜
の透過スペクトルであり、第15図は1例示化合物(I
)のスピンコード膜の腹側から測定した5°正反射スペ
クトルであり、第16図は、例示化合物(I)のスピン
コード膜のガラス基板側から測定した5@正反射スペク
トルであり、第17図は。 CH3S i(3,4−Pric)の電子スペクトル(
ピリジン溶液)であり、第18図は、 CQz S x
(3,4Pr1c)のIRスペクトル(KBr法)で
あり、第19図は、 (HO)、5i(3,4−Pr
ic)の電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第2
0図は、(HO)。 Si (3,4−Pric)のIRスペクトル(KBr
法)であり、第21図は、例示化合物(I52)のNM
Rスペクルであり、第22図は1例示化合物(I52)
の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり、第23
図は、例示化合物(I52)のIRスペクトル(KBr
法)であり、第24図は1例示化合物(I52)のスピ
ンコード膜の透過スペクトルであり、第25図は1例示
化合物(I52)のスピンコード膜の腹側(実線)及び
ガラス基板側(点線)から測定した5°正反射スペクト
ルであり、第26図は、 Cf1.5i(Prac)の
電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第27図は。 CQ 、S i (Prac)のIRスペクトル(KB
r法)であり、第28図は、(HO)2S i (Pr
ac)の電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第2
9図は。 (HO)、 S i (Prac)のIRスペクトル(
KBr法)であり、第30図は、例示化合物(302)
のNMRスペクトルであり、第31図は、例示化合物(
302)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり
、第32図は1例示化合物(302)の工Rスペクトル
(KBr法)であり、第33図は、例示化合物(301
)のNMRスペク゛トルであり、第34図は1例示化合
物(301)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)で
あり、第35図は。 例示化合物(301)のIRスペクトル(KBr法)で
あり、第36図は、例示化合物(302)のスピンコー
ド膜の透過スペクトルであり、第37図は、例示化合物
(302)のスピンコード膜の腹側(実線)及びガラス
基板側(点線)から測定した5°正反射スペクトルであ
り、第38図は、例示化合物(301)のスピンコード
膜の透過スペクトルであり、第39図は1例示化合物(
301)のスピンコード膜の腹側(実線)及びガラス基
板側(点線)から測定した5°正反射スぺクトルであり
、第40図は、−散大(■)(ただし法)であり、第4
1図は、Cff1,5iQcのIRスペクトル(KBr
法)であり、第42図は、(HO)、5iQcのIRス
ペクトル(KBr法)であり、第43図は1例示化合物
(I312)のNMRスペクトルであり、第44図は、
例示化合物(I312)の電子スペクトル(クロロホル
ム溶液)であり。 第45図は、例示化合物(I312)のIRスペクトル
(KBr法)であり、第46図は1例示化合物(I31
1)のNMRスペクトルであり、第47図は1例示化合
物(I311)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)
であり、第48図は1例示化合物(I311)のIRス
ペクトル(KBr法)であり、第49図は、例示化合物
(I310)のNMRスペクトルであり、第50図は1
例示化合物(I310)の電子スペクトルであり、第5
1図は1例示化合物(I310)のIRスペクトル(K
Br法)であり、第52図は1例示化合物(I309)
NMRスペクトルであり、第53図は1例示化合物(I
309)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり
、第54図は、例示化合物(I309)のIRスペクト
ル(KBr法)であり、第55図は、例示化合物(I4
62)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり、
第56図は、クロロホルム中における例示化合物(I3
09)の電子スペクトルであり、第57図は、テトラヒ
ドロフラン中における例示化合物(I309)の電子ス
ペクトルであり、第58図は、アセトン中における例示
化合物(I309)の電子スペクトルであり、第59図
は、トルエン中における例示化合物(I309)の電子
スペクトルであり、第60図は、シクロヘキサン中にお
ける例示化合物(I3Q 9)の電子スペクトルであり
、第61図は、四塩化炭素中における例示化合物(I3
09)の電子スペクトルであり、第62図は、例示化合
物(I312)のスピンコード膜の透過スペクトルであ
り、第63図は1例示化合物(I312)のスピンコー
ド膜の膜側から測定した5°正反射スペクトルであり、
第64図は、例示化合物(I312)のスピンコード膜
のガラス基板側から測定した5”正反射スペクトルであ
り、第65図は、例示化合物(I3u)のスピンコード
膜の透過スペクトルであり、第66図は、例示化合物(
I311)のスピンコード膜の膜側から測定した5°正
反射スペクトルであり、第67図は1例示化合物(I3
11)のスピンコード膜のガラス基板側から測定した5
°正反射スペクトルであり、第68図は、例示化合物(
I310)のスピンコード膜の透過スペクトルであり、
第69図は、例示化合物(I310)のスピンコード膜
の膜側から測定した5°正反射スペクトルであり、第7
0図は、例示化合物(I310)のスピンコード膜のガ
ラス基板側から測定した5°正反射スペクトルであり、
第71図は1例示化合物(I309)のスピンコード膜
の透過スペクトルであり、第72図は、例示化合物(I
309)のスピンコード膜の膜側から測定した5°正反
射スペクトルであり、第73図は、 (It 25iQ
c (CH3)4のIRスペクトル(KBr法)であり
、第74図は。 (HO)、 S i Qc(CH,)、のIRスペクト
ル(KBr法)であり、第75図は1例示化合物(I3
46)のNMRスペクトルであり、第76図は、例示化
合物(I346)の電子スペクトル(クロロホルム溶液
)であり、第77図は、例示化合物(I346)のIR
スペクトル(KBr法)であり、第78図は、例示化合
物(I346)のスピンコード膜の透過スペクトルであ
り、第79図は1例示化合物(I346)のスピンコー
ド膜のIEI#から測定した5°正反射スペクトルであ
り、第80図は、例示化合物(I346)のスピンコー
ド膜のガラス基板側から測定した5°正反射スペクトル
であり、第81図は、バナジル−テトラ(t−ブチル)
ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペク
トルで(a)は2.37 X 10″″′M濃度、(b
)ハ1.89 X 10−’M濃度であり、m82[1
;i、バナジル−テトラ(t−ブチル)ナフタロシアニ
ンのベンゼン溶液中(9,5X10″−IM濃度)での
電子スペクトルであり、第83図は、バナジルーテトラ
(t−ブチル)ナフタロシアニンのスピンコード膜の透
過スペクトルであり、第84図は。 バナジル−テトラ(t−ブチル)ナフタロシアニンのス
ピンコード膜の5°正反射スペクトルであり、第85図
は、ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコン−ナフタロ
シアニンのスピンコード膜の透過スペクトルであり、第
86図は、ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコン−ナ
フタロシアニンのスピンコード膜の反射スペクトルであ
る(実線は腹側から、点線は基板側から測定したもので
あ製条 (人員) 寮 らL−&(7L凰) 第 3な 叱 謳 掃 寧 第 図 弧長(71m) 711 〜 米表(7L1) HI!l <い 製条(fiyt) 遣曇(M峨2 0発 萩原 0発 茨城県日立市東町4丁目13番1号 茨城研究所内 茨城県日立市東町4丁目13番1号 茨城研究所内 日立化成工業株式会社 日立化成工業株式会社
クトル(ピリジン溶液)であり、第2図は、CH3S
i(2,3−Pric)のIRスペクトル(KBr法)
であり、第3図は、(HO)z 5i(2、3−Pri
c)の電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第4図
は1、(H0)2S i (2、3−Pric)のIR
スペクトル(KBr法)であり、第5図は1例示化合物
(3)のNMRスペクトルであり、第6図は、例示化合
物(3)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり
、第7図は1例示化合物(3)のIRスペクトル(KB
r法)であり、第8図は。 例示化合物(I)のNMRスペクトルであり、第9図は
1例示化合物(I)の電子スペクトル(クロロホルム溶
液)であり、第10図は、例示化合物(I)のIRスペ
クトル(KBr法)であり。 第11図は、例示化合物(3)のスピンコード膜の透過
スペクトルであり、第12図は、例示化合物(3)のス
ピンコード膜の腹側から測定した5°正反射スペクトル
であり、第13図は、例示化合物(3)のスピンコード
膜のガラス基板側から測定した5°正反射スペクトルで
あり、第14図は、例示化合物(I)のスピンコード膜
の透過スペクトルであり、第15図は1例示化合物(I
)のスピンコード膜の腹側から測定した5°正反射スペ
クトルであり、第16図は、例示化合物(I)のスピン
コード膜のガラス基板側から測定した5@正反射スペク
トルであり、第17図は。 CH3S i(3,4−Pric)の電子スペクトル(
ピリジン溶液)であり、第18図は、 CQz S x
(3,4Pr1c)のIRスペクトル(KBr法)で
あり、第19図は、 (HO)、5i(3,4−Pr
ic)の電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第2
0図は、(HO)。 Si (3,4−Pric)のIRスペクトル(KBr
法)であり、第21図は、例示化合物(I52)のNM
Rスペクルであり、第22図は1例示化合物(I52)
の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり、第23
図は、例示化合物(I52)のIRスペクトル(KBr
法)であり、第24図は1例示化合物(I52)のスピ
ンコード膜の透過スペクトルであり、第25図は1例示
化合物(I52)のスピンコード膜の腹側(実線)及び
ガラス基板側(点線)から測定した5°正反射スペクト
ルであり、第26図は、 Cf1.5i(Prac)の
電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第27図は。 CQ 、S i (Prac)のIRスペクトル(KB
r法)であり、第28図は、(HO)2S i (Pr
ac)の電子スペクトル(ピリジン溶液)であり、第2
9図は。 (HO)、 S i (Prac)のIRスペクトル(
KBr法)であり、第30図は、例示化合物(302)
のNMRスペクトルであり、第31図は、例示化合物(
302)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり
、第32図は1例示化合物(302)の工Rスペクトル
(KBr法)であり、第33図は、例示化合物(301
)のNMRスペク゛トルであり、第34図は1例示化合
物(301)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)で
あり、第35図は。 例示化合物(301)のIRスペクトル(KBr法)で
あり、第36図は、例示化合物(302)のスピンコー
ド膜の透過スペクトルであり、第37図は、例示化合物
(302)のスピンコード膜の腹側(実線)及びガラス
基板側(点線)から測定した5°正反射スペクトルであ
り、第38図は、例示化合物(301)のスピンコード
膜の透過スペクトルであり、第39図は1例示化合物(
301)のスピンコード膜の腹側(実線)及びガラス基
板側(点線)から測定した5°正反射スぺクトルであり
、第40図は、−散大(■)(ただし法)であり、第4
1図は、Cff1,5iQcのIRスペクトル(KBr
法)であり、第42図は、(HO)、5iQcのIRス
ペクトル(KBr法)であり、第43図は1例示化合物
(I312)のNMRスペクトルであり、第44図は、
例示化合物(I312)の電子スペクトル(クロロホル
ム溶液)であり。 第45図は、例示化合物(I312)のIRスペクトル
(KBr法)であり、第46図は1例示化合物(I31
1)のNMRスペクトルであり、第47図は1例示化合
物(I311)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)
であり、第48図は1例示化合物(I311)のIRス
ペクトル(KBr法)であり、第49図は、例示化合物
(I310)のNMRスペクトルであり、第50図は1
例示化合物(I310)の電子スペクトルであり、第5
1図は1例示化合物(I310)のIRスペクトル(K
Br法)であり、第52図は1例示化合物(I309)
NMRスペクトルであり、第53図は1例示化合物(I
309)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり
、第54図は、例示化合物(I309)のIRスペクト
ル(KBr法)であり、第55図は、例示化合物(I4
62)の電子スペクトル(クロロホルム溶液)であり、
第56図は、クロロホルム中における例示化合物(I3
09)の電子スペクトルであり、第57図は、テトラヒ
ドロフラン中における例示化合物(I309)の電子ス
ペクトルであり、第58図は、アセトン中における例示
化合物(I309)の電子スペクトルであり、第59図
は、トルエン中における例示化合物(I309)の電子
スペクトルであり、第60図は、シクロヘキサン中にお
ける例示化合物(I3Q 9)の電子スペクトルであり
、第61図は、四塩化炭素中における例示化合物(I3
09)の電子スペクトルであり、第62図は、例示化合
物(I312)のスピンコード膜の透過スペクトルであ
り、第63図は1例示化合物(I312)のスピンコー
ド膜の膜側から測定した5°正反射スペクトルであり、
第64図は、例示化合物(I312)のスピンコード膜
のガラス基板側から測定した5”正反射スペクトルであ
り、第65図は、例示化合物(I3u)のスピンコード
膜の透過スペクトルであり、第66図は、例示化合物(
I311)のスピンコード膜の膜側から測定した5°正
反射スペクトルであり、第67図は1例示化合物(I3
11)のスピンコード膜のガラス基板側から測定した5
°正反射スペクトルであり、第68図は、例示化合物(
I310)のスピンコード膜の透過スペクトルであり、
第69図は、例示化合物(I310)のスピンコード膜
の膜側から測定した5°正反射スペクトルであり、第7
0図は、例示化合物(I310)のスピンコード膜のガ
ラス基板側から測定した5°正反射スペクトルであり、
第71図は1例示化合物(I309)のスピンコード膜
の透過スペクトルであり、第72図は、例示化合物(I
309)のスピンコード膜の膜側から測定した5°正反
射スペクトルであり、第73図は、 (It 25iQ
c (CH3)4のIRスペクトル(KBr法)であり
、第74図は。 (HO)、 S i Qc(CH,)、のIRスペクト
ル(KBr法)であり、第75図は1例示化合物(I3
46)のNMRスペクトルであり、第76図は、例示化
合物(I346)の電子スペクトル(クロロホルム溶液
)であり、第77図は、例示化合物(I346)のIR
スペクトル(KBr法)であり、第78図は、例示化合
物(I346)のスピンコード膜の透過スペクトルであ
り、第79図は1例示化合物(I346)のスピンコー
ド膜のIEI#から測定した5°正反射スペクトルであ
り、第80図は、例示化合物(I346)のスピンコー
ド膜のガラス基板側から測定した5°正反射スペクトル
であり、第81図は、バナジル−テトラ(t−ブチル)
ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペク
トルで(a)は2.37 X 10″″′M濃度、(b
)ハ1.89 X 10−’M濃度であり、m82[1
;i、バナジル−テトラ(t−ブチル)ナフタロシアニ
ンのベンゼン溶液中(9,5X10″−IM濃度)での
電子スペクトルであり、第83図は、バナジルーテトラ
(t−ブチル)ナフタロシアニンのスピンコード膜の透
過スペクトルであり、第84図は。 バナジル−テトラ(t−ブチル)ナフタロシアニンのス
ピンコード膜の5°正反射スペクトルであり、第85図
は、ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコン−ナフタロ
シアニンのスピンコード膜の透過スペクトルであり、第
86図は、ビス(Iリへキシルシロキシ)シリコン−ナ
フタロシアニンのスピンコード膜の反射スペクトルであ
る(実線は腹側から、点線は基板側から測定したもので
あ製条 (人員) 寮 らL−&(7L凰) 第 3な 叱 謳 掃 寧 第 図 弧長(71m) 711 〜 米表(7L1) HI!l <い 製条(fiyt) 遣曇(M峨2 0発 萩原 0発 茨城県日立市東町4丁目13番1号 茨城研究所内 茨城県日立市東町4丁目13番1号 茨城研究所内 日立化成工業株式会社 日立化成工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中Mは、Si、Ge又はSnを示し、Yはアリール
オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
キシル基又はアシロキシル基を示し、2個のYは同一で
も相違してもよく、A^1、A^2、A^3及びA^4
で表わされる環は、有機置換基が結合してもよい芳香環
を示し、A^1、A^2、A^3及びA^4は同一でも
相違してもよく、A^1、A^2、A^3及びA^4の
少なくとも1つは、含窒素芳香環である〕で表わされる
新規なテトラアザポルフイン。 2、一般式( I )においてMがSi又はGeである請
求項1記載の新規なテトラアザポルフイン。 3、一般式( I )において2個のYがトリアルキルシ
ロキシル基である請求項1又は2記載のテトラアザポル
フイン。 4、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3及
びA^4で表わされる環が、すべて含窒素芳香環である
請求項1、2又は3記載の新規なテトラアザポルフイン
。 5、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3及
びA^4で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環
である請求項1、2又は3記載の新規なテトラアザポル
フイン。 6、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3及
びA^4で表わされる環が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である請求項1、2、3、4又は5記載の新規なテトラ
アザポルフイン。 7、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3及
びA^4で表わされる環が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学
式、表等があります▼で表わされる含窒素芳香環からな
る群より選択される環である請求項1、2、3、4又は
5記載の新規なテトラアザポルフイン。 8、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3及
びA^4で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、
以下の置換基からなる群より選択される少なくとも1つ
の基であり、 −R^1 −OR^2 −SiR^3R^4R^5 −SO_2NR^6R^7 −CO・R^8 −COOR^9 −O・COR^1^0 −CO・NHR^1^1 −NR^1^2R^1^3 −SR^1^4 −SO_2R^1^5及び −X^1 (式中、R^1〜R^1^5は、水素原子、アルキル基
、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、X
^1はハロゲン原子を示す)、A^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
くとも1個置換された請求項1、2、3、4、5、6又
は7記載の新規なテトラアザポルフイン。 9、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中M並びにA^1、A^2、A^3及びA^4で表
わされる環は一般式( I )におけると同意義〕で表わ
される新規なテトラアザポルフインを一般式(III) (R^1^6)_3SiCl(III) で表わされるクロロシラン、一般式(IV) (R^1^7)_3SiOH(IV) 〔式(III)及び(IV)中R^1^6及びR^1^7は
それぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル基又
はアリールオキシル基である〕で表わされるシラノール
、一般式(V) R^1^8OH(V) 〔式中R^1^8は、アルキル基又はアリール基である
〕で表わされるアルコール又は一般式(VI)R^1^9
CO・X^2(VI) 〔式中R^1^9はアルキル基、X^2はハロゲン原子
、ヒドロキシル基又はアシロキシル基である〕で表わさ
れる化合物と反応させることを特徴とする一般式( I
)で表わされる新規なテトラアザポルフインの製造法。 10、一般式(II)及び一般式( I )においてMがS
i又はGeである請求項9記載の新規なテトラアザポル
フインの製造法。 11、一般式(III)及び一般式(IV)においてR^1
^5及びR^1^6がアルキル基であり、一般式( I
)において2個のYがトリアルキルシロキシル基である
請求項9又は10記載の新規なテトラアザポルフインの
製造法。 12、一般式(II)及び一般式( I )においてA^1
、A^2、A^3及びA^4で表わされる環がすべて含
窒素芳香環である請求項9、10又は11記載の新規な
テトラアザポルフインの製造法。 13、一般式(II)及び一般式( I )においてA^1
、A^2、A^3及びA^4で表わされる環がすべて同
一の含窒素芳香環である請求項9、10又は11記載の
新規なテトラアザポルフインの製造法。 14、一般式(II)及び一般式( I )においてA^1
、A^2、A^3及びA^4で表わされる環が、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である請求項9、10、11、12又は13記載の新規
テトラアザポルフインの製造法。 15、一般式(II)及び一般式( I )においてA^1
、A^2、A^3及びA^4で表わされる環が▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等
があります▼で表わされる含窒素芳香環からなる群より
選択される環である請求項9、10、11、12又は1
3記載の新規なテトラアザポルフインの製造法。 16、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の有する有機置換基が、
以下の置換基からなる群より選択され −R^1 −OR^2 −SiR^3R^4R^5 −SO_2NR^6R^7 −CO・R^8 −COOR^9 −O・COR^1^0 −CO・NHR^1^1 −NR^1^2R^1^3 −SR^1^4 −SO_2R^1^5及び −X^1 (式中、R^1〜R^1^5は、水素原子、アルキル基
、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、X
^1はハロゲン原子を示す)、A^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
くとも1個置換された請求項9、10、11、12、1
3、14又は15記載の新規なテトラアザポルフインの
製造法。 17、基板表面に、一般式( I )で表わされる新規な
テトラアザポルフインを主成分とする記録層を形成し、
レーザー光線の照射により記録層を変化させて情報を記
録し、該変化させられた記録層部分とレーザー光線を照
射されず変化させられなかつた記録層部分との光学濃度
の差により情報を読み出すことを特徴とする光デイスク
用の光記録媒体。 18、一般式( I )においてMがSi又はGeである
新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録層が形
成されている請求項17記載の光記録媒体。 19、一般式( I )において2個のYがトリアルキル
シロキシル基である新規なテトラアザポルフインを主成
分とする記録層が形成されている請求項17又は18記
載の光記録媒体。 20、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が、すべて含窒素芳香環であ
る新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録層が
形成されている請求項17、18又は19記載の光記録
媒体。 21、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香
環である新規なテトラアザポルフインを主成分とする記
録層が形成されている請求項17、18又は19記載の
光記録媒体。 22、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録
層が形成されている請求項17、18、19、20又は
21記載の光記録媒体。 23、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、%式及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録
層が形成されている請求項17、18、19、20又は
21記載の光記録媒体。 24、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の有する有機置換基が、
以下の置換基からなる群より選択され −R^1 −OR^2 −SiR^3R^4R^5 −SO_2NR^6R^7 −CO・R^8 −COOR^9 −O・COR^1^0 −CO・NHR^1^1 −NR^1^2R^1^3 −SR^1^4 −SO_2R^1^5及び −X^1 (式中、R^1〜R^1^5は、水素原子、アルキル基
、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、X
^1はハロゲン原子を示す)、A^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
くとも1個置換された新規なテトラアザポルフインを主
成分とする記録層が形成されている請求項17、18、
19、20、21、22又は23記載の光記録媒体。 25、一般式( I )で表わされる新規なテトラアザポ
ルフインを含有する有機溶媒溶液を用いて基板表面に記
録層を形成することを特徴とする光ディスク用の光記録
媒体の製造方法。 26、一般式( I )においてMがSi又はGeである
新規なテトラアザポルフインを用いた請求項25記載の
光記録媒体の製造方法。 27、一般式( I )において2個のYがトリアルキル
シロキシル基である新規なテトラアザポルフインを用い
た請求項25又は26記載の光記録媒体の製造方法。 28、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環がすべて含窒素芳香環である
新規なテトラアザポルフインを用いた請求項25、26
又は27記載の光記録媒体の製造方法。 29、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香
環である新規なテトラアザポルフインを用いた請求項2
5、26又は27記載の光記録媒体の製造方法。 30、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である新規なテトラアザポルフインを用いた請求項25
、26、27、28又は29記載の光記録媒体の製造方
法。 31、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる環が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学
式、表等があります▼で表わされる含窒素芳香環からな
る群より選択される環である新規なテトラアザポルフイ
ンを用いた請求項25、26、27、28又は29記載
の光記録媒体の製造方法。 32、一般式( I )においてA^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の有する有機置換基が、
以下の置換基からなる群より選択され −R^1 −OR^2 −SiR^3R^4R^5 −SO_2NR^6R^7 −CO・R^8 −COOR^9 −O・COR^1^0 −CO・NHR^1^1 −NR^1^2R^1^3 −SR^1^4 −SO_2R^1^5及び −X^1 (式中、R^1〜R^1^5は、水素原子、アルキル基
、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、X
^1はハロゲン原子を示す)、A^1、A^2、A^3
及びA^4で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
くとも1個置換された新規なテトラアザポルフインを用
いた請求項25、26、27、28、29、30又は3
1記載の光記録媒体の製造方法。
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US7367665B2 (en) * | 2004-08-09 | 2008-05-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | Metal-cyanine dye having axial ligands which reduce visible absorption |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01130983A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-23 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光学記録媒体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3094535A (en) * | 1961-01-03 | 1963-06-18 | Malcolm E Kenney | Germanium phthalocyanines |
US3094536A (en) * | 1961-01-03 | 1963-06-18 | Malcolm E Kenney | Silicon phthalocyanines |
DK115936B (da) * | 1966-01-14 | 1969-11-24 | Koege Kemisk Vaerk | Fremgangsmåde til fremstilling af flokkulationsbestandige kobberphthalocyaninpigmentpræparater. |
CH658771A5 (de) * | 1984-05-28 | 1986-12-15 | Ciba Geigy Ag | Azaphthalocyanine und deren verwendung als photoaktivatoren. |
US4725525A (en) * | 1985-02-04 | 1988-02-16 | Hoebbst Celanese Corporation | Recording information media comprising chromophores |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01130983A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-23 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光学記録媒体 |
JPH02117963A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-05-02 | Basf Ag | テトラアザポルフィリン及び光学的記録媒体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7851123B2 (en) | 2003-10-31 | 2010-12-14 | Fujifilm Corporation | Dye containing curable composition, color filter and method for producing the same |
JP2005220253A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Konica Minolta Holdings Inc | 着色組成物、インクジェット記録液およびインクジェット記録方法、カラートナー |
US7645545B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-01-12 | Fujifilm Corporation | Colorant-containing curable composition, color filter and production method thereof |
US7910272B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-03-22 | Fujifilm Corporation | Dye-containing photosensitive composition, color filter using the same, and production method thereof |
US7914956B2 (en) | 2006-03-07 | 2011-03-29 | Fujifilm Corporation | Dye-containing negative working curable composition, color filter and production method thereof |
JP2013088486A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Adeka Corp | 近赤外線吸収性合成樹脂組成物 |
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