JP2687566B2 - 新規なテトラアザポルフイン及びその製造法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法 - Google Patents
新規なテトラアザポルフイン及びその製造法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法Info
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- C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
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- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
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- C09B47/08—Preparation from other phthalocyanine compounds, e.g. cobaltphthalocyanineamine complex
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- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なテトラアザポルフイン及びその製造
法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の
製造方法に関する。
法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の
製造方法に関する。
近年、コンパクトデイスク，ビデオデイスク，液晶表
示装置，光学文字読取機等における書込みあるいは、読
取りのためかつ電子写真用光源として半導体レーザー光
を利用することが提案されている。特に、半導体レーザ
ーを用いた光記録媒体は、媒体と記録ないし再生ヘツド
が非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという
特徴をもつもので、種々の記録媒体の開発，研究が行わ
れている。特にヒートモード記録方式の分野において
は、低融点金属，有機高分子化合物あるいは色素が融
解，蒸発あるいは昇華する物質として提案されている。
中でも有機高分子化合物や色素を含む有機薄膜は、熱伝
導率が小さく、また、融解ないし昇華温度が低いものと
なつている。そのため、記録感度の点で好ましいシアニ
ン色素，スクワリリウム色素など種々の物質が記録層形
成材として提案されている。
示装置，光学文字読取機等における書込みあるいは、読
取りのためかつ電子写真用光源として半導体レーザー光
を利用することが提案されている。特に、半導体レーザ
ーを用いた光記録媒体は、媒体と記録ないし再生ヘツド
が非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという
特徴をもつもので、種々の記録媒体の開発，研究が行わ
れている。特にヒートモード記録方式の分野において
は、低融点金属，有機高分子化合物あるいは色素が融
解，蒸発あるいは昇華する物質として提案されている。
中でも有機高分子化合物や色素を含む有機薄膜は、熱伝
導率が小さく、また、融解ないし昇華温度が低いものと
なつている。そのため、記録感度の点で好ましいシアニ
ン色素，スクワリリウム色素など種々の物質が記録層形
成材として提案されている。
そこで、色素を記録層として適用した光記録媒体が提
案されている（例えば、特開昭56-16948号）。
案されている（例えば、特開昭56-16948号）。
このような従来技術のうち、色素自体の反射率が適度
に高いシアニン系色素を記録層に用い、色素薄膜記録層
を反射型の光記録媒体として利用するために金属反射膜
を必要とせず、媒体構成の複雑化の防止，情報の記録再
生特性の劣化の防止を図る提案がなされている（例えば
特開昭60-7878号）。
に高いシアニン系色素を記録層に用い、色素薄膜記録層
を反射型の光記録媒体として利用するために金属反射膜
を必要とせず、媒体構成の複雑化の防止，情報の記録再
生特性の劣化の防止を図る提案がなされている（例えば
特開昭60-7878号）。
しかしながら、シアニン系色素をはじめとする公知の
色素は一般に耐光堅ろう性が低いため、書き込み後の読
み出しの際、読み出し光の繰り返し照射によつて色素が
退色し、読み出しのC/N比が低下してしまうという、い
わゆる再生劣化が大きいという問題がある。そこで、耐
光堅ろう性の優れた色素としてナフタロシアニン化合物
を記録層に用いることが提案されている（例えば、米国
特許第4,725,525号明細書）。
色素は一般に耐光堅ろう性が低いため、書き込み後の読
み出しの際、読み出し光の繰り返し照射によつて色素が
退色し、読み出しのC/N比が低下してしまうという、い
わゆる再生劣化が大きいという問題がある。そこで、耐
光堅ろう性の優れた色素としてナフタロシアニン化合物
を記録層に用いることが提案されている（例えば、米国
特許第4,725,525号明細書）。
情報記録媒体の記録層形成法としては、真空蒸着，ス
パツタ，塗布法や浸漬法など種々の方法が知られている
が、一般に前２者のような真空技術を用いる形成法より
も、後２者のような湿式法が経済的に有利であり、その
ため、色素の有機溶剤への溶解性は、記録層形成過程の
経済性において重要な位置を占める。
パツタ，塗布法や浸漬法など種々の方法が知られている
が、一般に前２者のような真空技術を用いる形成法より
も、後２者のような湿式法が経済的に有利であり、その
ため、色素の有機溶剤への溶解性は、記録層形成過程の
経済性において重要な位置を占める。
一方、情報の記録・再生機器には、小型軽量化のため
に半導体レーザーが使用されているが、最近、記録密度
の向上を目的として、半導体レーザーの発振波長が従来
の800nm付近から600nm付近へと徐々に短波長化されつつ
ある。このような短波長化された半導体レーザーを使用
する場合には、810nm付近に吸収極大を有するが800nm以
下の波長領域において吸収が小さく、反射率も小さい従
来のナフタロシアニン誘導体は使用できないという問題
点があつた。本発明は、前記現状に鑑みてなされたもの
で、その目的は、800nm以下の波長領域の発振波長を有
する半導体レーザーに対しても吸収が大きく、反射率も
大きく裕度をもつて適用可能で、高感度かつ有機溶媒に
対して可溶な優れた特性を示す化合物を見出し、光記録
媒体として用いることにある。
に半導体レーザーが使用されているが、最近、記録密度
の向上を目的として、半導体レーザーの発振波長が従来
の800nm付近から600nm付近へと徐々に短波長化されつつ
ある。このような短波長化された半導体レーザーを使用
する場合には、810nm付近に吸収極大を有するが800nm以
下の波長領域において吸収が小さく、反射率も小さい従
来のナフタロシアニン誘導体は使用できないという問題
点があつた。本発明は、前記現状に鑑みてなされたもの
で、その目的は、800nm以下の波長領域の発振波長を有
する半導体レーザーに対しても吸収が大きく、反射率も
大きく裕度をもつて適用可能で、高感度かつ有機溶媒に
対して可溶な優れた特性を示す化合物を見出し、光記録
媒体として用いることにある。
本発明者らは、上記問題点を解決するため鋭意検討を
行つた結果、本発明に至つたものである。
行つた結果、本発明に至つたものである。
仮に、請求項１の発明を第１の発明と呼ぶことにす
る。すなわち第１の発明は、一般式（Ｉ） 〔式中Ｍは、Si,Ge又はSnを示し、Ｙはアリールオキシ
ル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基、ト
リアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキシル
基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキシ
ル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相
違してもよく、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、全
て、それぞれ独立に以下の群から選択される含窒素芳香
環を示し、 さらに、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、以下の群から選択され
る１つ以上の有機置換基を有していてもよい。
る。すなわち第１の発明は、一般式（Ｉ） 〔式中Ｍは、Si,Ge又はSnを示し、Ｙはアリールオキシ
ル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基、ト
リアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキシル
基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキシ
ル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相
違してもよく、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、全
て、それぞれ独立に以下の群から選択される含窒素芳香
環を示し、 さらに、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、以下の群から選択され
る１つ以上の有機置換基を有していてもよい。
−Ｒ1， −OR2， −SiR3Ｒ4Ｒ5， −SO2NR6Ｒ7， −COR8， −COOR9， −OCOR10， −CONHR11， −NR12Ｒ13， −SR14， −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1は、１つ以上の置換基を有していてもよい
アルキル基又は、アリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、そ
れぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有してい
てもよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハ
ロゲン原子を示す）〕に関する。
アルキル基又は、アリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、そ
れぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有してい
てもよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハ
ロゲン原子を示す）〕に関する。
一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフインは、
芳香族系，ハロゲン系，エーテル系，ケトン系，飽和炭
化水素系及び脂環式炭化水素系溶媒に可溶であり、容易
に精製し純度を向上でき、溶媒の種類及び濃度等による
吸収の変化がなく、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環と
して適当な含窒素芳香環を選択することにより、800nm
以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザーにも
適用できる。
芳香族系，ハロゲン系，エーテル系，ケトン系，飽和炭
化水素系及び脂環式炭化水素系溶媒に可溶であり、容易
に精製し純度を向上でき、溶媒の種類及び濃度等による
吸収の変化がなく、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環と
して適当な含窒素芳香環を選択することにより、800nm
以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザーにも
適用できる。
780n以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザ
ーに有効に適用できる。
ーに有効に適用できる。
740nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レー
ザーにより有効に適用できる。
ザーにより有効に適用できる。
700nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レー
ザーに特に有効に適用できる。
ザーに特に有効に適用できる。
650nm以下の波長領域の発振波長を有する半導体レー
ザーに最大に有効に適用できる。
ザーに最大に有効に適用できる。
上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン，トルエン，キ
シレン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン，トリメチ
ルベンゼン,1−クロロナフタレン，キノリン等があり、
上記ハロゲン系溶媒としては、塩化メチレン，クロロホ
ルム，四塩化炭素，トリクロロエタン等があり、上記エ
ーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル，ジブチルエ
ーテル，テトラヒドロフラン，エチレングリコールモノ
メチルエーテル，エチレングリコールジメチルエーテ
ル，ジエチレングリコールモノメチルエーテル，ジエチ
レングリコールジメチルエーテル等があり、ケトン系溶
媒としては、アセトン，メチルエチルケトン，メチルプ
ロピルケトン，シクロペンタノン，シクロヘキサノン，
アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶媒とし
ては、ヘキサン，ヘプタン，オクタン，ノナン，デカ
ン，ウンデカン，ドデカン等があり、脂環式炭化水素系
溶媒としては、シクロオクタン，シクロペンタン，シク
ロヘキサン，シクロヘプタン等がある。
シレン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン，トリメチ
ルベンゼン,1−クロロナフタレン，キノリン等があり、
上記ハロゲン系溶媒としては、塩化メチレン，クロロホ
ルム，四塩化炭素，トリクロロエタン等があり、上記エ
ーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル，ジブチルエ
ーテル，テトラヒドロフラン，エチレングリコールモノ
メチルエーテル，エチレングリコールジメチルエーテ
ル，ジエチレングリコールモノメチルエーテル，ジエチ
レングリコールジメチルエーテル等があり、ケトン系溶
媒としては、アセトン，メチルエチルケトン，メチルプ
ロピルケトン，シクロペンタノン，シクロヘキサノン，
アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶媒とし
ては、ヘキサン，ヘプタン，オクタン，ノナン，デカ
ン，ウンデカン，ドデカン等があり、脂環式炭化水素系
溶媒としては、シクロオクタン，シクロペンタン，シク
ロヘキサン，シクロヘプタン等がある。
前記一般式（Ｉ）において、Ｍとしては、Si,Ge及びS
nがあげられ、Ｙとしては、アリールオキシル基として
フエノキシル基，トリルオキシル基，アニシルオキシル
基等があり、アルコキシル基としては、アミロキシル
基，ヘキシロキシル基，オクチロキシル基，デシロキシ
ル基，ドデシロキシル基，テトラデシロキシル基，ヘキ
サデシロキシル基，オクタデシロキシル基，エイコシロ
キシル基，ドコシロキシル基等があり、トリアルキルシ
ロキシル基としては、トリメチルシロキシル基，トリエ
チルシロキシル基，トリプロピルシロキシル基，トリブ
チルシロキシル基，トリヘキシルシロキシル基，トリベ
ンジルシロキシル基，トリシクロヘキシルシロキシル
基，ジメチルｔ−ブチルシロキシル基，ジメチルオクチ
ルシロキシル基，ジメチルオクタデシルシロキシル基，
ジメチルシクロヘキシルシロキシル基，ジメチルシクロ
ペンチルシロキシル基，ジエチルシクロヘキシルシロキ
シル基，ジエチルシクロペンチルシロキシル基，ジプロ
ピルシクロヘキシルシロキシル基，ジプロピルシクロペ
ンチルシロキシル基，ジブチルシクロヘキシルシロキシ
ル基，ジブチルシクロペンチルシロキシル基，ジシクロ
ヘキシルメチルシロキシル基，ジシクロヘキシルエチル
シロキシル基，ジシクロヘキシルプロピルシロキシル
基，ジシクロヘキシルブチルシロキシル基，ジシクロペ
ンチルメチルシロキシル基，ジシクロペンチルエチルシ
ロキシル基，ジシクロペンチルプロピルシロキシル基，
ジシクロペンチルブチルシロキシル基，ジメチルフエニ
ルシロキシル基，ジメチルメトキシシロキシル基，ジメ
チルオクトキシシロキシル基，ジメチルフエノキシシロ
キシル基， 等があり、トリアリールシロキシル基としては、トリフ
エニルシロキシル基，トリアニシルシロキシル基，トリ
トリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシロキシ
ル基としては、トリメトキシシロキシル基，トリエトキ
シシロキシル基，トリプロポキシシロキシル基，トリブ
トキシシロキシル基等があり、トリアリールオキシシロ
キシル基としては、トリフエノキシシロキシル基，トリ
アニシロキシシロキシル基，トリトリルオキシシロキシ
ル基等があり、アシロキシル基としては、アセトキシル
基，プロピオニルオキシル基，ブチリルオキシル基，バ
レリルオキシル基，ピバロイルオキシル基，ヘキサノイ
ルオキシル基，オクタノイルオキシル基等がある。
nがあげられ、Ｙとしては、アリールオキシル基として
フエノキシル基，トリルオキシル基，アニシルオキシル
基等があり、アルコキシル基としては、アミロキシル
基，ヘキシロキシル基，オクチロキシル基，デシロキシ
ル基，ドデシロキシル基，テトラデシロキシル基，ヘキ
サデシロキシル基，オクタデシロキシル基，エイコシロ
キシル基，ドコシロキシル基等があり、トリアルキルシ
ロキシル基としては、トリメチルシロキシル基，トリエ
チルシロキシル基，トリプロピルシロキシル基，トリブ
チルシロキシル基，トリヘキシルシロキシル基，トリベ
ンジルシロキシル基，トリシクロヘキシルシロキシル
基，ジメチルｔ−ブチルシロキシル基，ジメチルオクチ
ルシロキシル基，ジメチルオクタデシルシロキシル基，
ジメチルシクロヘキシルシロキシル基，ジメチルシクロ
ペンチルシロキシル基，ジエチルシクロヘキシルシロキ
シル基，ジエチルシクロペンチルシロキシル基，ジプロ
ピルシクロヘキシルシロキシル基，ジプロピルシクロペ
ンチルシロキシル基，ジブチルシクロヘキシルシロキシ
ル基，ジブチルシクロペンチルシロキシル基，ジシクロ
ヘキシルメチルシロキシル基，ジシクロヘキシルエチル
シロキシル基，ジシクロヘキシルプロピルシロキシル
基，ジシクロヘキシルブチルシロキシル基，ジシクロペ
ンチルメチルシロキシル基，ジシクロペンチルエチルシ
ロキシル基，ジシクロペンチルプロピルシロキシル基，
ジシクロペンチルブチルシロキシル基，ジメチルフエニ
ルシロキシル基，ジメチルメトキシシロキシル基，ジメ
チルオクトキシシロキシル基，ジメチルフエノキシシロ
キシル基， 等があり、トリアリールシロキシル基としては、トリフ
エニルシロキシル基，トリアニシルシロキシル基，トリ
トリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシロキシ
ル基としては、トリメトキシシロキシル基，トリエトキ
シシロキシル基，トリプロポキシシロキシル基，トリブ
トキシシロキシル基等があり、トリアリールオキシシロ
キシル基としては、トリフエノキシシロキシル基，トリ
アニシロキシシロキシル基，トリトリルオキシシロキシ
ル基等があり、アシロキシル基としては、アセトキシル
基，プロピオニルオキシル基，ブチリルオキシル基，バ
レリルオキシル基，ピバロイルオキシル基，ヘキサノイ
ルオキシル基，オクタノイルオキシル基等がある。
前記一般式（Ｉ）のＡ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳
香環に結合した有機置換基におけるＲ1〜Ｒ15のアルキ
ル基としては、例えば、メチル基，エチル基,n−プロピ
ル基,sec−プロピル基,n−ブチル基,sec−ブチル基,t−
ブチル基,n−アミル基,t−アミル基,2−アミル基,3−ア
ミル基,neo−ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オ
クチル基，デシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘ
キサデシル基，オクタデシル基，エイコシル基，ドコシ
ル基，シクロプロピル基，シクロブチル基，シクロペン
チル基，シクロヘキシル基，シクロヘプチル基，シクロ
オクチル基,2−メチルシクロペンチル基,3−メチルシク
ロペンチル基,4−メチルシクロヘキシル基， 1,1−ジシクロヘキシルメチル基,1,1−ジシクロペンチ
ルメチル基，シクロヘキシルメチル基，シクロプロピル
メチル基,2−シクロヘキシルエチル基,2−シクロペンチ
ルエチル基,2−シクロヘキシルプロピル基,3−シクロヘ
キシルプロピル基等がある。
香環に結合した有機置換基におけるＲ1〜Ｒ15のアルキ
ル基としては、例えば、メチル基，エチル基,n−プロピ
ル基,sec−プロピル基,n−ブチル基,sec−ブチル基,t−
ブチル基,n−アミル基,t−アミル基,2−アミル基,3−ア
ミル基,neo−ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オ
クチル基，デシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘ
キサデシル基，オクタデシル基，エイコシル基，ドコシ
ル基，シクロプロピル基，シクロブチル基，シクロペン
チル基，シクロヘキシル基，シクロヘプチル基，シクロ
オクチル基,2−メチルシクロペンチル基,3−メチルシク
ロペンチル基,4−メチルシクロヘキシル基， 1,1−ジシクロヘキシルメチル基,1,1−ジシクロペンチ
ルメチル基，シクロヘキシルメチル基，シクロプロピル
メチル基,2−シクロヘキシルエチル基,2−シクロペンチ
ルエチル基,2−シクロヘキシルプロピル基,3−シクロヘ
キシルプロピル基等がある。
置換基を有するアルキル基の例としては、エステル基
を有するアルキル基，アミド基を有するアルキル基，ヒ
ドロキシル基を有するアルキル基，アラルキル基，トリ
アルキルシリル基を有するアルキル基，アルコキシアル
キル基，ハロアルキル基等があり、アリール基として
は、フエニル基，トリル基，アニシル基，ハロフエニル
基等があり、Ｘ1で表わされるハロゲン原子としては、
フツ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子がある。
を有するアルキル基，アミド基を有するアルキル基，ヒ
ドロキシル基を有するアルキル基，アラルキル基，トリ
アルキルシリル基を有するアルキル基，アルコキシアル
キル基，ハロアルキル基等があり、アリール基として
は、フエニル基，トリル基，アニシル基，ハロフエニル
基等があり、Ｘ1で表わされるハロゲン原子としては、
フツ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子がある。
これら前記一般式（Ｉ）においてＹ並びにＡ1,A2,A3
及びＡ4で表わされる芳香環に結合した有機置換基中の
アルキル基の長さは、一般式（Ｉ）で表わされるテトラ
アザポルフインを有機溶媒に溶解するときの溶解度だけ
でなく、この化合物の融点の値、さらにはこの化合物を
有機溶媒に溶かしその溶液をガラス板などの適当な基板
上にスピンコートして形成した非晶質膜のスペクトル
（吸光スペクトル，透過スペクトル及び反射スペクト
ル）に大きな影響を及ぼす。
及びＡ4で表わされる芳香環に結合した有機置換基中の
アルキル基の長さは、一般式（Ｉ）で表わされるテトラ
アザポルフインを有機溶媒に溶解するときの溶解度だけ
でなく、この化合物の融点の値、さらにはこの化合物を
有機溶媒に溶かしその溶液をガラス板などの適当な基板
上にスピンコートして形成した非晶質膜のスペクトル
（吸光スペクトル，透過スペクトル及び反射スペクト
ル）に大きな影響を及ぼす。
特に、中心金属Ｍに結合した置換基Ｙのアルキル基の
長さは、スピンコート膜のスペクトルを微小調節でき
る。したがつて、使用するレーザーの発振波長に合わせ
てＹのアルキル鎖長を変化させることができる（アルキ
ル鎖長が短いほど、極大吸収，極小透過率及び極大反射
率は、それぞれ長波長シフトする）。
長さは、スピンコート膜のスペクトルを微小調節でき
る。したがつて、使用するレーザーの発振波長に合わせ
てＹのアルキル鎖長を変化させることができる（アルキ
ル鎖長が短いほど、極大吸収，極小透過率及び極大反射
率は、それぞれ長波長シフトする）。
一方、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香環に結合し
た有機置換基中のアルキル鎖長は、前述のＹのアルキル
鎖長を変化させたときのこの化合物の有機溶媒に対する
溶解度及び融点を調節するための機能を有する。
た有機置換基中のアルキル鎖長は、前述のＹのアルキル
鎖長を変化させたときのこの化合物の有機溶媒に対する
溶解度及び融点を調節するための機能を有する。
前記一般式（Ｉ）において、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わ
される環中、芳香環としては、 等があり、含窒素芳香環としては、 等がある。
される環中、芳香環としては、 等があり、含窒素芳香環としては、 等がある。
特に、含窒素芳香環の種類は、スピンコート膜のスペ
クトルを大きく変化させることに役立つ。したがつて、
使用するレーザーの発振波長に合わせて含窒素芳香環の
種類を最適となるように適当に選択することができる。
クトルを大きく変化させることに役立つ。したがつて、
使用するレーザーの発振波長に合わせて含窒素芳香環の
種類を最適となるように適当に選択することができる。
前記一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであるテトラ
アザポルフインが好ましい。
アザポルフインが好ましい。
前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシ
ロキシル基であるテトラアザポルフインが好ましい。
ロキシル基であるテトラアザポルフインが好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が、すべて含窒素芳香環である。
れる環が、すべて含窒素芳香環である。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が、すべて同一の含窒素芳香環であるテトラアザ
ポルフインが好ましい。
れる環が、すべて同一の含窒素芳香環であるテトラアザ
ポルフインが好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4で表
わされる環が、 で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンである。
わされる環が、 で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンである。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択された環
であるテトラアザポルフインが好ましい。
れる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択された環
であるテトラアザポルフインが好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる芳香環の有する有機置換基が、以下の置換基からな
る群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1〜Ｒ15は、水素原子，アルキル基，置換基
を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1はハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインが好ましい。
れる芳香環の有する有機置換基が、以下の置換基からな
る群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1〜Ｒ15は、水素原子，アルキル基，置換基
を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1はハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインが好ましい。
本発明に係るテトラアザポルフインの具体例を以下に
式で示す。
式で示す。
テトラアザポルフインは、一般式（Ｉ）で表わされる
が、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香環の種類、その
縮環方向及びそこに結合する有機置換基の置換位置によ
り多数の異性体が存在する。一般式（Ｉ）は、それら多
数の異性体すべてを含むものであり、また、それらの混
合物であつてもよい。
が、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香環の種類、その
縮環方向及びそこに結合する有機置換基の置換位置によ
り多数の異性体が存在する。一般式（Ｉ）は、それら多
数の異性体すべてを含むものであり、また、それらの混
合物であつてもよい。
仮に請求項９の発明を第２の発明と呼ぶことにする。
すなわち、第２の発明は、一般式（II） ［式中Ｍ並びにＡ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、一
般式（Ｉ）における同意義］で表わされる新規なテトラ
アザポルフインを一般式（III） （Ｒ16）3SiCl （III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） （Ｒ17）3SiOH （IV） ［式（III）及び（IV）中、Ｒ16及びＲ17は、それぞ
れ、アルキル基，アリール基，アルコキシル基又はアリ
ールオキシル基である］で表わされるシラノール、一般
式（Ｖ） Ｒ18OH （Ｖ） ［式中Ｒ18は、アルキル基又はアリール基である］で表
わされるアルコール又は一般式（VI） Ｒ19CO・Ｘ2 （VI） ［式中Ｒ19はアルキル基、Ｘ2はハロゲン原子，ヒドロ
キシル基又はアシロキシル基である］で表わされる化合
物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表わさ
れる新規なテトラアザポルフインの製造法に関する。
すなわち、第２の発明は、一般式（II） ［式中Ｍ並びにＡ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、一
般式（Ｉ）における同意義］で表わされる新規なテトラ
アザポルフインを一般式（III） （Ｒ16）3SiCl （III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） （Ｒ17）3SiOH （IV） ［式（III）及び（IV）中、Ｒ16及びＲ17は、それぞ
れ、アルキル基，アリール基，アルコキシル基又はアリ
ールオキシル基である］で表わされるシラノール、一般
式（Ｖ） Ｒ18OH （Ｖ） ［式中Ｒ18は、アルキル基又はアリール基である］で表
わされるアルコール又は一般式（VI） Ｒ19CO・Ｘ2 （VI） ［式中Ｒ19はアルキル基、Ｘ2はハロゲン原子，ヒドロ
キシル基又はアシロキシル基である］で表わされる化合
物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表わさ
れる新規なテトラアザポルフインの製造法に関する。
一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフインは、
一般式（II）で表わされる化合物と過剰の一般式（II
I），一般式（IV），一般式（Ｖ）又は一般式（VI）で
表わされる化合物とを加熱反応させることにより得るこ
とができる。この場合、反応温度は80〜250℃が好まし
く、反応時間は30分〜40時間が好ましい。この反応は、
溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼ
ン，トルエン，キシレン，トリメチルベンゼン，クロロ
ベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン,1−
クロロナフタレン，テトラリン，ピリジン，β−ピコリ
ン，キノリン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミ
ン，トリプロピルアミン，トリブチルアミン，トリペン
チルアミン，トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在
下行うのが好ましい。
一般式（II）で表わされる化合物と過剰の一般式（II
I），一般式（IV），一般式（Ｖ）又は一般式（VI）で
表わされる化合物とを加熱反応させることにより得るこ
とができる。この場合、反応温度は80〜250℃が好まし
く、反応時間は30分〜40時間が好ましい。この反応は、
溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼ
ン，トルエン，キシレン，トリメチルベンゼン，クロロ
ベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン,1−
クロロナフタレン，テトラリン，ピリジン，β−ピコリ
ン，キノリン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミ
ン，トリプロピルアミン，トリブチルアミン，トリペン
チルアミン，トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在
下行うのが好ましい。
一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフインの反
応混合物からの単離，精製は、反応混合物をクロマトグ
ラフイー法により分離した後、再結晶法により精製する
などの方法によつて行うことができる。
応混合物からの単離，精製は、反応混合物をクロマトグ
ラフイー法により分離した後、再結晶法により精製する
などの方法によつて行うことができる。
一般式（II）で表わされるテトラアザポルフインは、
一般式（VII） ［式中Ｍ並びにＡ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、一
般式（Ｉ）におけると同意義であり、Ｚはハロゲン原子
を示し２個のＺは同一でも相違してもよい］で表わされ
るテトラアザポルフインを加熱下加水分解反応をさせる
ことにより得ることができる。この場合、反応温度は50
〜150℃が好ましく、反応時間は30分〜30時間が好まし
い。このためには、ピリジン／水，ピリジン／アンモニ
ア水，メタノール／アンモニア水，エタノール／アンモ
ニア水，プロパノール／アンモニア水などの混合溶媒中
で反応させるのが好ましい。一般式（VII）で表わされ
るテトラアザポルフインは、一般式（VIII） 又は、一般式（IX） ［ただし、一般式（VIII）及び一般式（IX）中Ａで表わ
される環は、有機置換基が結合してもよい芳香環又は含
窒素芳香環を示す］で表わされる化合物１モルに対し
て、一般式（Ｘ） MZp （Ｘ） ［式中Ｚはハロゲン原子であり,pは金属ＭへのＺの結合
数を示す正の整数であり、ＭはSi,Ge又はSnを示す］で
表わされる金属ハロゲン化物を0.1モル以上の比で共存
させ加熱反応させることにより得ることができる。この
場合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応時間は30
分〜10時間が好ましい。この反応は、溶媒なしで反応さ
せてもよいし、また溶媒として尿素，テトラリン，キノ
リン,1−クロロナフタレン,1−ブロモナフタレン，トリ
メチルベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼ
ン等を使用してもよい。また、この反応は、アミン類の
存在下で行つてもよく、使用するアミンとしては、トリ
エチルアミン，トリプロピルアミン，トリブチルアミ
ン，トリペンチルアミン，トリヘキシルアミン等があ
る。上記金属ハロゲン化物としては、SiCl4,SiBr4,Si
I4,GeCl4,GeBr4,SnCl2,SnI2等がある。
一般式（VII） ［式中Ｍ並びにＡ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、一
般式（Ｉ）におけると同意義であり、Ｚはハロゲン原子
を示し２個のＺは同一でも相違してもよい］で表わされ
るテトラアザポルフインを加熱下加水分解反応をさせる
ことにより得ることができる。この場合、反応温度は50
〜150℃が好ましく、反応時間は30分〜30時間が好まし
い。このためには、ピリジン／水，ピリジン／アンモニ
ア水，メタノール／アンモニア水，エタノール／アンモ
ニア水，プロパノール／アンモニア水などの混合溶媒中
で反応させるのが好ましい。一般式（VII）で表わされ
るテトラアザポルフインは、一般式（VIII） 又は、一般式（IX） ［ただし、一般式（VIII）及び一般式（IX）中Ａで表わ
される環は、有機置換基が結合してもよい芳香環又は含
窒素芳香環を示す］で表わされる化合物１モルに対し
て、一般式（Ｘ） MZp （Ｘ） ［式中Ｚはハロゲン原子であり,pは金属ＭへのＺの結合
数を示す正の整数であり、ＭはSi,Ge又はSnを示す］で
表わされる金属ハロゲン化物を0.1モル以上の比で共存
させ加熱反応させることにより得ることができる。この
場合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応時間は30
分〜10時間が好ましい。この反応は、溶媒なしで反応さ
せてもよいし、また溶媒として尿素，テトラリン，キノ
リン,1−クロロナフタレン,1−ブロモナフタレン，トリ
メチルベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼ
ン等を使用してもよい。また、この反応は、アミン類の
存在下で行つてもよく、使用するアミンとしては、トリ
エチルアミン，トリプロピルアミン，トリブチルアミ
ン，トリペンチルアミン，トリヘキシルアミン等があ
る。上記金属ハロゲン化物としては、SiCl4,SiBr4,Si
I4,GeCl4,GeBr4,SnCl2,SnI2等がある。
一般式（VIII）で表わされる化合物は、一般式（IX）
で表わされる化合物をメタノール中、触媒としてナトリ
ウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みながら
１〜10時間加熱還流することによつて得ることができ
る。
で表わされる化合物をメタノール中、触媒としてナトリ
ウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みながら
１〜10時間加熱還流することによつて得ることができ
る。
一般式（IX）で表わされる化合物は、文献［リービツ
ヒス・アナーレン・デア・ヘミー（Liebigs Ann.Che
m.）333頁（1981年），ヘミツシエ・ベリヒテ（Chem.Be
r.）第108巻,875頁（1975年），ジヤーナル・オブ・オ
ーガニツク・ケミストリー（J.Org.Chem.）第37巻,4136
頁（1972年），キム・ゲテロツイクル・ソエデイン（Kh
im.Geterotsikl.Soedin）273頁（1972年），ジヤーナル
・オブ・ヘテロサイクリツク・ケミストリー（J.Hetero
cycl.Chem.）第７巻,1403頁（1970年），ヘテロサイク
ルズ（Heterocycles）第20巻,489頁（1983年），シンセ
テイク・コミユニケーシヨン（Synth.Commun.）第16巻,
157頁（1986年），ブリテン・ケミカル・ソサイエテイ
・オブ・ジヤパン（Bull.Chem.Soc.Jpn.）第47巻,1291
頁（1974年），ジヤーナル・オブ・ヘテロサイクリツク
・ケミストリー（J.Heterocycl.Chem.）第11巻,79頁（1
974年），ジヤーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ
（J.Chem.Soc.）4092頁（1962年），ジヤーナル・オブ
・ケミカル・ソサイエテイ（J.Chem.Soc.），（Ｃ）,26
13頁（1967年）など］記載の方法を参考にして合成さ
れ、また一部の化合物はAldrich Chemical社などから市
販品として得ることもできる。
ヒス・アナーレン・デア・ヘミー（Liebigs Ann.Che
m.）333頁（1981年），ヘミツシエ・ベリヒテ（Chem.Be
r.）第108巻,875頁（1975年），ジヤーナル・オブ・オ
ーガニツク・ケミストリー（J.Org.Chem.）第37巻,4136
頁（1972年），キム・ゲテロツイクル・ソエデイン（Kh
im.Geterotsikl.Soedin）273頁（1972年），ジヤーナル
・オブ・ヘテロサイクリツク・ケミストリー（J.Hetero
cycl.Chem.）第７巻,1403頁（1970年），ヘテロサイク
ルズ（Heterocycles）第20巻,489頁（1983年），シンセ
テイク・コミユニケーシヨン（Synth.Commun.）第16巻,
157頁（1986年），ブリテン・ケミカル・ソサイエテイ
・オブ・ジヤパン（Bull.Chem.Soc.Jpn.）第47巻,1291
頁（1974年），ジヤーナル・オブ・ヘテロサイクリツク
・ケミストリー（J.Heterocycl.Chem.）第11巻,79頁（1
974年），ジヤーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ
（J.Chem.Soc.）4092頁（1962年），ジヤーナル・オブ
・ケミカル・ソサイエテイ（J.Chem.Soc.），（Ｃ）,26
13頁（1967年）など］記載の方法を参考にして合成さ
れ、また一部の化合物はAldrich Chemical社などから市
販品として得ることもできる。
前記第２の発明において、一般式（II），一般式
（Ｉ），一般式（VII）及び一般式（Ｘ）中ＭがSi又はG
eであるテトラアザポルフインの製造法が好ましい。
（Ｉ），一般式（VII）及び一般式（Ｘ）中ＭがSi又はG
eであるテトラアザポルフインの製造法が好ましい。
前記第２の発明において、一般式（III）及び一般式
（IV）中Ｒ15及びＲ16がアルキル基であり、一般式
（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロキシル基で
ある、テトラアザポルフインの製造法が好ましい。
（IV）中Ｒ15及びＲ16がアルキル基であり、一般式
（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロキシル基で
ある、テトラアザポルフインの製造法が好ましい。
前記第２の発明において、一般式（II），一般式
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環がすべて含窒素芳香環であり、一般式（VIII）及び
一般式（IX）中、Ａで表わされる環が含窒素芳香環であ
る。
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環がすべて含窒素芳香環であり、一般式（VIII）及び
一般式（IX）中、Ａで表わされる環が含窒素芳香環であ
る。
前記第２の発明において、一般式（II），一般式
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環がすべて同一の含窒素芳香環であり、一般式（VII
I）及び一般式（IX）中Ａで表わされる環が単一の含窒
素芳香環である一般式（VIII）又は一般式（IX）を用い
たテトラアザポルフインの製造法が好ましい。
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環がすべて同一の含窒素芳香環であり、一般式（VII
I）及び一般式（IX）中Ａで表わされる環が単一の含窒
素芳香環である一般式（VIII）又は一般式（IX）を用い
たテトラアザポルフインの製造法が好ましい。
前記第２の発明において、一般式（II），一般式
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環が、以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択さ
れる環であり、一般式（VIII）及び一般式（IX）中Ａで
表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より
選択される環である一般式（VIII）又は一般式（IX）を
用いる。
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環が、以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択さ
れる環であり、一般式（VIII）及び一般式（IX）中Ａで
表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より
選択される環である一般式（VIII）又は一般式（IX）を
用いる。
前記第２の発明において、一般式（II），一般式
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択され
る環であり、一般式（VIII）及び一般式（IX）中Ａで表
わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選
択される環である一般式（VIII）又は一般式（IX）を用
いた、 テトラアザポルフインの製造法が好ましい。
（Ｉ），一般式（VII）中Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされ
る環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択され
る環であり、一般式（VIII）及び一般式（IX）中Ａで表
わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選
択される環である一般式（VIII）又は一般式（IX）を用
いた、 テトラアザポルフインの製造法が好ましい。
前記第２の発明において、一般式（II），一般式
（Ｉ），一般式（VII），一般式（VIII）及び一般式（I
X）中Ａ1,A2,A3,A4及びＡで表わされる芳香環に結合し
た有機置換基が、以下の置換基からなる群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1は、１つ以上の置換基を有していてもよい
アルキル基又はアリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、それ
ぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有していて
もよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインの製造法が好ましい。
（Ｉ），一般式（VII），一般式（VIII）及び一般式（I
X）中Ａ1,A2,A3,A4及びＡで表わされる芳香環に結合し
た有機置換基が、以下の置換基からなる群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1は、１つ以上の置換基を有していてもよい
アルキル基又はアリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、それ
ぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有していて
もよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインの製造法が好ましい。
仮に請求項17の発明を第３の発明と呼ぶことにする。
すなわち、第３の発明は、基板表面に、一般式（Ｉ） で表わされる新規なテトラアザポルフインを主成分とす
る記録層を形成し、レーザー光線の照射により記録層を
変化させて情報を記録し、該変化させられた記録部分と
レーザー光線を照射されず変化させられなかつた記録層
部分との光学濃度の差により情報を読みだすことを特徴
とする光デイスク用の光記録媒体に関する。
すなわち、第３の発明は、基板表面に、一般式（Ｉ） で表わされる新規なテトラアザポルフインを主成分とす
る記録層を形成し、レーザー光線の照射により記録層を
変化させて情報を記録し、該変化させられた記録部分と
レーザー光線を照射されず変化させられなかつた記録層
部分との光学濃度の差により情報を読みだすことを特徴
とする光デイスク用の光記録媒体に関する。
本発明に係る光記録媒体は、基板上に本発明の一般式
（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフインを主成分とす
る記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や保
護層などの他の層を設けることができる。
（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフインを主成分とす
る記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や保
護層などの他の層を設けることができる。
使用される基板材料は、当業者には既知のものであ
り、使用されるレーザー光に対して透明または不透明の
いずれでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き
込み，読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透
明でなければならない。一方、基板と反対側すなわち記
録層側から書き込み，読出しを行う場合は、使用するレ
ーザー光に対して透明である必要はない。基板材料とし
ては、ガラス，石英，マイカ，セラミツク，板状または
箔状の金属などの無機材料のほか、紙，ポリカーボネー
ト，ポリエステル，酢酸セルロース，ニトロセルロー
ス，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，
塩化ビニリデン共重合体，ポリアミド，ポリスチレン，
ポリメチルメタクリレート及びメチルメタクリレート共
重合体等の有機高分子材料の板が挙げられるが、これら
に限定されない。記録時に熱損失が少なく、感度をあげ
るという意味で低熱伝導率の有機高分子からなる支持体
が望ましく、基板には必要に応じて凹凸で形成される案
内溝を設けても良い。
り、使用されるレーザー光に対して透明または不透明の
いずれでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き
込み，読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透
明でなければならない。一方、基板と反対側すなわち記
録層側から書き込み，読出しを行う場合は、使用するレ
ーザー光に対して透明である必要はない。基板材料とし
ては、ガラス，石英，マイカ，セラミツク，板状または
箔状の金属などの無機材料のほか、紙，ポリカーボネー
ト，ポリエステル，酢酸セルロース，ニトロセルロー
ス，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，
塩化ビニリデン共重合体，ポリアミド，ポリスチレン，
ポリメチルメタクリレート及びメチルメタクリレート共
重合体等の有機高分子材料の板が挙げられるが、これら
に限定されない。記録時に熱損失が少なく、感度をあげ
るという意味で低熱伝導率の有機高分子からなる支持体
が望ましく、基板には必要に応じて凹凸で形成される案
内溝を設けても良い。
また、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。
前記一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであるテトラ
アザポルフインを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。
アザポルフインを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。
前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシ
ロキシル基であるテトラアザポルフインを主成分とする
記録層が形成されている光記録媒体が好ましい。
ロキシル基であるテトラアザポルフインを主成分とする
記録層が形成されている光記録媒体が好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環がすべて含窒素芳香環である。
れる環がすべて含窒素芳香環である。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフインを主成分とする記録層が形成されている光記録
媒体が好ましい。
れる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフインを主成分とする記録層が形成されている光記録
媒体が好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が、 で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である。
れる環が、 で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフインを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。
れる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフインを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる芳香環に結合した有機置換基が、以下の置換基から
なる群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1〜Ｒ15は、水素原子，アルキル基，置換基
を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1はハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。
れる芳香環に結合した有機置換基が、以下の置換基から
なる群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1〜Ｒ15は、水素原子，アルキル基，置換基
を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1はハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。
仮に請求項25の発明を第４の発明と呼ぶことにする。
すなわち第４の発明は、一般式（Ｉ）で表わされる新規
なテトラアザポルフインを主として有機溶媒に溶解した
溶液を用いて基板表面に記録層を形成することを特徴と
する光デイスク用の光記録媒体の製造方法に関する。
すなわち第４の発明は、一般式（Ｉ）で表わされる新規
なテトラアザポルフインを主として有機溶媒に溶解した
溶液を用いて基板表面に記録層を形成することを特徴と
する光デイスク用の光記録媒体の製造方法に関する。
上記有機溶媒としては、一般式（Ｉ）で表わされるテ
トラアザポルフインを溶解する前記芳香族系，ハロゲン
系，エーテル系，ケトン系，飽和炭化水素系及び脂環式
炭化水素系等の溶媒の中から選択され、単一でも混合さ
れた溶媒でもよい。ただし、使用する基板を浸さない溶
媒を用いるのが好ましい。
トラアザポルフインを溶解する前記芳香族系，ハロゲン
系，エーテル系，ケトン系，飽和炭化水素系及び脂環式
炭化水素系等の溶媒の中から選択され、単一でも混合さ
れた溶媒でもよい。ただし、使用する基板を浸さない溶
媒を用いるのが好ましい。
一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフインを有
機溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法とし
ては、塗布法，印刷法，浸漬法がある。具体的には、色
素を上記溶媒に溶解し、スプレー，ローラーコーテイン
グ，スピンコーテイング，デイツピング等で行う。な
お、記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダ
ー等の結着材，安定剤等を添加することもできる。ポリ
マーバインダーとしては、ポリイミド樹脂，ポリアミド
樹脂，ポリスチレン樹脂，エポキシ樹脂，シリコーン樹
脂，フツ素樹脂，アクリル樹脂，ポリイソプレン，ポリ
ブタジエン，ポリビニルブチラール，ポリエステル等を
挙げることができるが、これらに限定されない。
機溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法とし
ては、塗布法，印刷法，浸漬法がある。具体的には、色
素を上記溶媒に溶解し、スプレー，ローラーコーテイン
グ，スピンコーテイング，デイツピング等で行う。な
お、記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダ
ー等の結着材，安定剤等を添加することもできる。ポリ
マーバインダーとしては、ポリイミド樹脂，ポリアミド
樹脂，ポリスチレン樹脂，エポキシ樹脂，シリコーン樹
脂，フツ素樹脂，アクリル樹脂，ポリイソプレン，ポリ
ブタジエン，ポリビニルブチラール，ポリエステル等を
挙げることができるが、これらに限定されない。
該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせ
で用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造
でも、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜厚は
50〜10000Åの範囲が好ましく、特に100〜5000Åの範囲
が好ましい。
で用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造
でも、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜厚は
50〜10000Åの範囲が好ましく、特に100〜5000Åの範囲
が好ましい。
また、記録された情報を光学的に再生する時、反射光
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側から書き込み，読み出し
を行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射
率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すな
わち記録層側から書き込み，読み出しを行う場合は、基
板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けること
もできる。この高反射率の金属としては、Al,Cr,Au,Pt,
Snなどが用いられる。これらの膜は、真空蒸着，スパツ
タリング，プラズマ蒸着などの公知の薄膜形成技術で形
成することができ、その膜厚は100〜10000Åの範囲で選
ばれる。
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側から書き込み，読み出し
を行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射
率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すな
わち記録層側から書き込み，読み出しを行う場合は、基
板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けること
もできる。この高反射率の金属としては、Al,Cr,Au,Pt,
Snなどが用いられる。これらの膜は、真空蒸着，スパツ
タリング，プラズマ蒸着などの公知の薄膜形成技術で形
成することができ、その膜厚は100〜10000Åの範囲で選
ばれる。
ただし、該テトラアザポルフインは、それ自身の反射
率が高く、金属反射層を設ける必要はない。
率が高く、金属反射層を設ける必要はない。
また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基
板上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらの
ポリマーとしては、ポリエステル，ポリ塩化ビニルなど
の市販のポリマーが適用可能である。
板上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらの
ポリマーとしては、ポリエステル，ポリ塩化ビニルなど
の市販のポリマーが適用可能である。
さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性，
保護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増
加を目的とする層を設けることもできる。このような保
護層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン，
ポリ塩化ビニル，塩化ビニリデンとアクリロニトリル共
重合体，ポリ酢酸ビニル，ポリイミド，ポリメチルメタ
クリレート，ポリスチレン，ポリイソプレン，ポリブタ
ジエン，ポリウレタン，ポリビニルブチラール，フツ素
ゴム，ポリエステル，エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，
酢酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたはブ
レンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル，
帯電防止剤，架橋剤などを存在させることは、膜性能の
強化の点で好ましい。また、保護層は２層に重ねること
もできる。上述した保護層用の材料は、適当な溶剤に溶
解して塗布するか、薄いフイルムとしてラミネートする
方法が適用可能である。このような保護層の膜厚は0.1
〜10μｍの厚みに設けるが、好ましくは0.2〜２μｍで
用いられる。
保護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増
加を目的とする層を設けることもできる。このような保
護層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン，
ポリ塩化ビニル，塩化ビニリデンとアクリロニトリル共
重合体，ポリ酢酸ビニル，ポリイミド，ポリメチルメタ
クリレート，ポリスチレン，ポリイソプレン，ポリブタ
ジエン，ポリウレタン，ポリビニルブチラール，フツ素
ゴム，ポリエステル，エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，
酢酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたはブ
レンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル，
帯電防止剤，架橋剤などを存在させることは、膜性能の
強化の点で好ましい。また、保護層は２層に重ねること
もできる。上述した保護層用の材料は、適当な溶剤に溶
解して塗布するか、薄いフイルムとしてラミネートする
方法が適用可能である。このような保護層の膜厚は0.1
〜10μｍの厚みに設けるが、好ましくは0.2〜２μｍで
用いられる。
前記一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであるテトラ
アザポルフインを用いた光記録媒体の製造方法が好まし
い。
アザポルフインを用いた光記録媒体の製造方法が好まし
い。
前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシ
ロキシル基であるテトラアザポルフインを用いた光記録
媒体の製造方法が好ましい。
ロキシル基であるテトラアザポルフインを用いた光記録
媒体の製造方法が好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環がすべて含窒素芳香環である。
れる環がすべて含窒素芳香環である。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフインを用いた光記録媒体の製造方法が好ましい。
れる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフインを用いた光記録媒体の製造方法が好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が で表わされる。
れる環が で表わされる。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフインを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。
れる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフインを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。
前記一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で表わさ
れる芳香環に結合した有機置換基が、以下の置換基から
なる群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1は、１つ以上の置換基を有していてもよい
アルキル基又はアリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、それ
ぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有していて
もよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインを用いた光記録媒体の製造方法が好まし
い。
れる芳香環に結合した有機置換基が、以下の置換基から
なる群より選択され −Ｒ1 −OR2 −SiR3Ｒ4Ｒ5 −SO2NR6Ｒ7 −CO・Ｒ8 −COOR9 −Ｏ・COR10 −CO・NHR11 −NR12Ｒ13 −SR14 −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1は、１つ以上の置換基を有していてもよい
アルキル基又はアリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、それ
ぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有していて
もよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハロ
ゲン原子を示す）、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる芳香
環の置換可能な位置に少なくとも１個置換されたテトラ
アザポルフインを用いた光記録媒体の製造方法が好まし
い。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、
これらに制限されるものではない。
これらに制限されるものではない。
実施例１ ［例示化合物（３）の合成］ 2,3−ジシアノピリジン2.5g（19.4mmol），四塩化ケ
イ素4.5ml（38.8mmol），モリブデン酸アンモニウム39m
g、及び尿素19.4gを約230〜240℃で約３時間反応させ
た。放冷後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で
30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗
浄した。さらに、この固体をメタノール中、約50℃で30
分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノ
ールで洗浄することにより、青色の固体が定量的に得ら
れた。ピリジン溶液中で、この青色固体の電子スペクト
ル（第１図）を測定すると、642nmに吸引ピークが観測
され、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,M＝Siであり、
Ａ1,A2,A3及びＡ4はすべて である。）［以後、Cl2Si（2,3-Pric）］と略す。）が
明らかに生成しているものと考えられる。また、このCl
2Si（2,3-Pric）のIRスペクトルを第２図に示す。この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められる
が、このCl2Si（2,3-Pric）は、これ以上精製せずに次
の反応に用いた。
イ素4.5ml（38.8mmol），モリブデン酸アンモニウム39m
g、及び尿素19.4gを約230〜240℃で約３時間反応させ
た。放冷後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で
30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗
浄した。さらに、この固体をメタノール中、約50℃で30
分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノ
ールで洗浄することにより、青色の固体が定量的に得ら
れた。ピリジン溶液中で、この青色固体の電子スペクト
ル（第１図）を測定すると、642nmに吸引ピークが観測
され、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,M＝Siであり、
Ａ1,A2,A3及びＡ4はすべて である。）［以後、Cl2Si（2,3-Pric）］と略す。）が
明らかに生成しているものと考えられる。また、このCl
2Si（2,3-Pric）のIRスペクトルを第２図に示す。この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められる
が、このCl2Si（2,3-Pric）は、これ以上精製せずに次
の反応に用いた。
Cl2Si（2,3-Pric）19g（30.9mmol）をエタノール57ml
中に加え、これにアンモニア水57ml、さらに水224mlを
添加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を
吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥す
ると、青色の固体が11g得られた。この青色固体は、ピ
リジン溶液中で電子スペクトル（第３図）を測定する
と、640nmに吸収ピークが観測されたことから、一般式
（II）（ただし、式中Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4
は、すべて である。）［以後、（HO）2Si（2,3-Pric）と略す。］
と考えられる。また、この（HO）2Si（2,3-Pric）のIR
スペクトルを第４図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、この（HO）2Si（2,3
-Pric）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
中に加え、これにアンモニア水57ml、さらに水224mlを
添加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を
吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥す
ると、青色の固体が11g得られた。この青色固体は、ピ
リジン溶液中で電子スペクトル（第３図）を測定する
と、640nmに吸収ピークが観測されたことから、一般式
（II）（ただし、式中Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4
は、すべて である。）［以後、（HO）2Si（2,3-Pric）と略す。］
と考えられる。また、この（HO）2Si（2,3-Pric）のIR
スペクトルを第４図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、この（HO）2Si（2,3
-Pric）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
（HO）2Si（2,3-Pric）3g（5.2mmol）の無水ピリジン
240ml懸濁液に窒素雰囲気下、トリプロピルクロロシラ
ン7.2ml（32.9mmol）を加え、約６時間還流した。放冷
後反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した沈
殿にクロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なものだ
けろ過することにより取り出した。そしてこれをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーにより精製し、ヘキサン
／クロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、紫
色の結晶が24mg得られた。この紫白の結晶は、下記の分
析結果より例示化合物（３）であることを確認した。
240ml懸濁液に窒素雰囲気下、トリプロピルクロロシラ
ン7.2ml（32.9mmol）を加え、約６時間還流した。放冷
後反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した沈
殿にクロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なものだ
けろ過することにより取り出した。そしてこれをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーにより精製し、ヘキサン
／クロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、紫
色の結晶が24mg得られた。この紫白の結晶は、下記の分
析結果より例示化合物（３）であることを確認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 61.99 6.11 18.86 分析値（％） 62.05 6.17 18.79 （３） NMRスペクトル（NMRスペクトルを第５図に示
す。
す。
この図は2,3−ピリジン環の縮環方向の違いにより生
じる数種類の異性体の混合物のスペクトルである。）:C
DCl3 δ値 10.19〜9.90（4H,m） 9.79〜9.74（4H,m） 8.34〜8.25（4H,m） −0.33（18H,t,J＝7.33Hz） −1.19（12H,sextet-like m） −2.51（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第６図に示
す。
じる数種類の異性体の混合物のスペクトルである。）:C
DCl3 δ値 10.19〜9.90（4H,m） 9.79〜9.74（4H,m） 8.34〜8.25（4H,m） −0.33（18H,t,J＝7.33Hz） −1.19（12H,sextet-like m） −2.51（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第６図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第７図に示す。
実施例２ ［例示化合物（１）の合成。］ 実施例１と同様に合成した（HO）2Si（2,3-Pric）5g
（8.7mmol）の無水ピリジン400ml懸濁液に窒素雰囲気
下、トリヘキシルクロロシラン20ml（55mmol）を加え、
６時間還流した。放冷後、反応溶媒のピリジンを減圧
下，留去した。析出した沈殿にクロロホルムを加え、ク
ロロホルムに可溶なものだけろ過することにより取り出
した。そしてこれをシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーにより精製し、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から
再結晶することにより、紫の結晶が26mg得られた。この
紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（１）で
あることを確認した。
（8.7mmol）の無水ピリジン400ml懸濁液に窒素雰囲気
下、トリヘキシルクロロシラン20ml（55mmol）を加え、
６時間還流した。放冷後、反応溶媒のピリジンを減圧
下，留去した。析出した沈殿にクロロホルムを加え、ク
ロロホルムに可溶なものだけろ過することにより取り出
した。そしてこれをシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーにより精製し、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒から
再結晶することにより、紫の結晶が26mg得られた。この
紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（１）で
あることを確認した。
（１） 融点 230〜232℃,240〜243℃,248〜252℃。
［この例示化合物（１）は、３つの温度範囲で融点が
観測された。これは、例示化合物（１）の2,3−ピリジ
ン環における縮環方向の違いにより生じる数種類の異性
体の混合物であることに起因しているものと考えられ
る。］ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 67.20 7.93 14.70 分析値（％） 67.31 7.89 14.66 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第８図に示
す。この図は例示化合物（１）の2,3−ピリジン環にお
ける縮環方向の違いにより生じる数種類の異性体の混合
物のスペクトルである。）:CDCl3 δ値 10.16〜9.91（4H,m） 9.79〜9.73（4H,m） 8.33〜8.24（4H,m） 0.77（12H,sextet-like m） 0.65（18H,t,J＝7.63Hz） 0.28（12H,quintet,J＝7.63Hz） 0.00（12H,quintet,J＝7.63Hz） −1.32（12H,quintet-like m） −2.52（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第９図に示
す。
観測された。これは、例示化合物（１）の2,3−ピリジ
ン環における縮環方向の違いにより生じる数種類の異性
体の混合物であることに起因しているものと考えられ
る。］ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 67.20 7.93 14.70 分析値（％） 67.31 7.89 14.66 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第８図に示
す。この図は例示化合物（１）の2,3−ピリジン環にお
ける縮環方向の違いにより生じる数種類の異性体の混合
物のスペクトルである。）:CDCl3 δ値 10.16〜9.91（4H,m） 9.79〜9.73（4H,m） 8.33〜8.24（4H,m） 0.77（12H,sextet-like m） 0.65（18H,t,J＝7.63Hz） 0.28（12H,quintet,J＝7.63Hz） 0.00（12H,quintet,J＝7.63Hz） −1.32（12H,quintet-like m） −2.52（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第９図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第10図に示す。
試験例１ ガラス基板上に例示化合物（３）のクロロホルム（0.
3 重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合
物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜の膜側及
びその反対側であるガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルを、それぞれ第11図，第12図及び第13図に
示す。650nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を
示すことがわかつた。
3 重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合
物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜の膜側及
びその反対側であるガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルを、それぞれ第11図，第12図及び第13図に
示す。650nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を
示すことがわかつた。
試験例２ ガラス基板上に例示化合物（１）のクロロホルム（0.
3 重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合
物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜の膜側及
びその反対側であるガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルを、それぞれ第14図，第15図及び第16図に
示す。650nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を
示すことがわかつた。
3 重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合
物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜の膜側及
びその反対側であるガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルを、それぞれ第14図，第15図及び第16図に
示す。650nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を
示すことがわかつた。
実施例３ ［例示化合物（152）の合成］ 3,4−ジシアノピリジン2.5g（19.4mmol），四塩化ケ
イ素4.5ml（38.8mmol），モリブデン酸アンモニウム39m
g、及び尿素19.4gを約230〜240℃で約３時間反応させ
た。放冷後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で
30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗
浄した。さらに、この固体をメタノール中、約50℃で30
分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノ
ールで洗浄することにより、緑色の固体が定量的に得ら
れた。ピリジン溶液中で、この緑色固体の電子スペクト
ル（第17図）を測定すると、662〜671nmに吸収ピークが
観測され、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,M＝Siであ
り、Ａ1,A2,A3及びＡ4は である。）［以後、Cl2Si（3,4-Pric）］と略す。）が
明らかに生成しているものと考えられる。また、このCl
2Si（3,4-Pric）のIRスペクトルを第18図に示す。この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められる
が、このCl2Si（3,4-Pric）は、これ以上精製せずに次
の反応に用いた。
イ素4.5ml（38.8mmol），モリブデン酸アンモニウム39m
g、及び尿素19.4gを約230〜240℃で約３時間反応させ
た。放冷後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で
30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗
浄した。さらに、この固体をメタノール中、約50℃で30
分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノ
ールで洗浄することにより、緑色の固体が定量的に得ら
れた。ピリジン溶液中で、この緑色固体の電子スペクト
ル（第17図）を測定すると、662〜671nmに吸収ピークが
観測され、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,M＝Siであ
り、Ａ1,A2,A3及びＡ4は である。）［以後、Cl2Si（3,4-Pric）］と略す。）が
明らかに生成しているものと考えられる。また、このCl
2Si（3,4-Pric）のIRスペクトルを第18図に示す。この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められる
が、このCl2Si（3,4-Pric）は、これ以上精製せずに次
の反応に用いた。
Cl2Si（3,4-Pric）18g（29.2mmol）をエタノール57ml
中に加え、これにアンモニア水57ml、さらに水224mlを
添加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を
吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥す
ると、緑色の固体が10g得られた。この緑色固体は、ピ
リジン溶液中での電子スペクトル（第19図）により、66
2〜672nmに吸収ピークが観測されたことから、一般式
（II）（ただし、Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、（HO）2Si（3,4-Pric）と略す。］
と考えられる。また、この（HO）2Si（3,4-Pric）のIR
スペクトルを第20図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、この（HO）2Si（3,4
-Pric）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
中に加え、これにアンモニア水57ml、さらに水224mlを
添加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を
吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥す
ると、緑色の固体が10g得られた。この緑色固体は、ピ
リジン溶液中での電子スペクトル（第19図）により、66
2〜672nmに吸収ピークが観測されたことから、一般式
（II）（ただし、Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、（HO）2Si（3,4-Pric）と略す。］
と考えられる。また、この（HO）2Si（3,4-Pric）のIR
スペクトルを第20図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、この（HO）2Si（3,4
-Pric）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
（HO）2Si（3,4-Pric）4.5g（7.8mmol）の無水ピリジ
ン360ml懸濁液に窒素雰囲気下、トリブチルクロロシラ
ン13.2ml（49.3mmol）を加え、約６時間還流した。放冷
後、反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した
沈殿にクロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なもの
だけろ過することにより取り出した。そしてこれをシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーにより精製し、ヘキサ
ン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、
紫色の結晶が50mg得られた。この紫色の結晶は、下記の
分析結果より例示化合物（152）であることを確認し
た。
ン360ml懸濁液に窒素雰囲気下、トリブチルクロロシラ
ン13.2ml（49.3mmol）を加え、約６時間還流した。放冷
後、反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した
沈殿にクロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なもの
だけろ過することにより取り出した。そしてこれをシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーにより精製し、ヘキサ
ン／クロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、
紫色の結晶が50mg得られた。この紫色の結晶は、下記の
分析結果より例示化合物（152）であることを確認し
た。
（１） 融点 289〜290℃,297℃以上 ［使用した融点測定装置は、測定の上限が300℃であ
るため、300℃以上の測定は行なつていないが、少なく
ともこの例示化合物（152）は、２つ以上の温度範囲で
融点が観測される。これは、例示化合物（152）が3,4−
ピリジン環における縮環方向の違いにより生じる異性体
の混合物であるため生じているものと考えられる。］ （２） 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 64.02 6.82 17.24 分析値（％） 64.17 6.88 17.19 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第21図に示
す。この図は3,4−ピリジン環における縮環方向の違い
により生じる数種類の異性体の混合物のスペクトルであ
る。）:CDCl3 δ値 10.96〜10.93（4H,m） 9.65〜9.59（4H,m） 9.51〜9.44（4H,m） 0.08（30H,m） −1.32（12H,quintet-like m） −2.45（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第22図に示
す。
るため、300℃以上の測定は行なつていないが、少なく
ともこの例示化合物（152）は、２つ以上の温度範囲で
融点が観測される。これは、例示化合物（152）が3,4−
ピリジン環における縮環方向の違いにより生じる異性体
の混合物であるため生じているものと考えられる。］ （２） 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 64.02 6.82 17.24 分析値（％） 64.17 6.88 17.19 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第21図に示
す。この図は3,4−ピリジン環における縮環方向の違い
により生じる数種類の異性体の混合物のスペクトルであ
る。）:CDCl3 δ値 10.96〜10.93（4H,m） 9.65〜9.59（4H,m） 9.51〜9.44（4H,m） 0.08（30H,m） −1.32（12H,quintet-like m） −2.45（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第22図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第23図に示す。
試験例３ ガラス基板上に例示化合物（152）のクロロホルム
（0.3 重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクト
ルを、それぞれ第24図及び第25図 は、スピンコート膜側から測定、 は、ガラス基板側から測定）に示す。670nm付近で高い
光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつた。
（0.3 重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクト
ルを、それぞれ第24図及び第25図 は、スピンコート膜側から測定、 は、ガラス基板側から測定）に示す。670nm付近で高い
光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつた。
実施例４ ［例示化合物（302）の合成］ 2,3−ジシアノピラジン1.3g（10mmol），四塩化ケイ
素11.5ml（100mmol），モリブデン酸アンモニウム20mg
及び尿素10g約230〜240℃で約２時間反応させた。放冷
後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で30分間か
くはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。
さらに、この固体をメタノール中、約50℃で30分間かく
はんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗
浄することにより、緑色の固体が定量的に得られた。こ
の緑色の固体は、ピリジン溶液中で、電子スペクトル
（第26図）を測定すると、630nmに吸収ピークが観測さ
れたことから、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,M＝Si
であり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、Cl2Si（Prac）］と略す。であるも
のと考えられる。また、このCl2Si（Prac）のIRスペク
トルを第27図に示す。このスペクトルから、尿素等の不
純物の存在が認められるが、このCl2Si（Prac）は、こ
れ以上精製せずに次の反応に用いた。
素11.5ml（100mmol），モリブデン酸アンモニウム20mg
及び尿素10g約230〜240℃で約２時間反応させた。放冷
後、固化した反応混合物に水を加え、約50℃で30分間か
くはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。
さらに、この固体をメタノール中、約50℃で30分間かく
はんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗
浄することにより、緑色の固体が定量的に得られた。こ
の緑色の固体は、ピリジン溶液中で、電子スペクトル
（第26図）を測定すると、630nmに吸収ピークが観測さ
れたことから、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,M＝Si
であり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、Cl2Si（Prac）］と略す。であるも
のと考えられる。また、このCl2Si（Prac）のIRスペク
トルを第27図に示す。このスペクトルから、尿素等の不
純物の存在が認められるが、このCl2Si（Prac）は、こ
れ以上精製せずに次の反応に用いた。
Cl2Si（Prac）9.4g（15.9mmol）をエタノール50ml中
に加え、これにアンモニア水50ml、さらに水200mlを添
加し、約18時間かくはん還流した。放冷後、この反応混
合物を吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧
乾燥すると、緑色の固体が6g得られた。この緑色固体
は、ピリジン溶液中の電子スペクトル（第28図）を測定
すると、629nmに吸収ピークが観測されたことから、一
般式（II）（ただし、Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4
は、 である。）［以後、（HO）2Si（Prac）と略す。］であ
ると考えられる。また、この（HO）2Si（Prac）のIRス
ペクトルを第29図に示す。このスペクトルから、尿素等
の不純物の存在が認められるが、この（HO）2Si（Pra
c）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
に加え、これにアンモニア水50ml、さらに水200mlを添
加し、約18時間かくはん還流した。放冷後、この反応混
合物を吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧
乾燥すると、緑色の固体が6g得られた。この緑色固体
は、ピリジン溶液中の電子スペクトル（第28図）を測定
すると、629nmに吸収ピークが観測されたことから、一
般式（II）（ただし、Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4
は、 である。）［以後、（HO）2Si（Prac）と略す。］であ
ると考えられる。また、この（HO）2Si（Prac）のIRス
ペクトルを第29図に示す。このスペクトルから、尿素等
の不純物の存在が認められるが、この（HO）2Si（Pra
c）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
（HO）2Si（Prac）400mg（0.69mmol）の無水ピリジン
40ml懸濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン2.
5ml（10.4mmol）ついでトリブチルクロロシラン2.8ml
（10.4mmol）を加え、約７時間還流した。放冷後、反応
溶媒のピリジンを減圧下留去し、これにヘキサンを加
え、析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄した。この
沈殿をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラムクロマト
グラフイーにより精製した。さらにヘキサン／クロロホ
ルム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の結晶が
5mg得られた。この紫色の結晶は、下記の分析結果より
例示化合物（302）であることを確認した。
40ml懸濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン2.
5ml（10.4mmol）ついでトリブチルクロロシラン2.8ml
（10.4mmol）を加え、約７時間還流した。放冷後、反応
溶媒のピリジンを減圧下留去し、これにヘキサンを加
え、析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄した。この
沈殿をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラムクロマト
グラフイーにより精製した。さらにヘキサン／クロロホ
ルム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の結晶が
5mg得られた。この紫色の結晶は、下記の分析結果より
例示化合物（302）であることを確認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 58.86 6.38 22.89 分析値（％） 58.79 6.30 22.95 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第30図に示
す）:CDCl3 δ値 9.74（8H,br−ｓ） 0.03（30H,br−ｓ） −1.26〜−1.39（12H,m） −2.51（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第31図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.74（8H,br−ｓ） 0.03（30H,br−ｓ） −1.26〜−1.39（12H,m） −2.51（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第31図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第32図に示す。
実施例５ ［例示化合物（301）の合成。］ 実施例４と同様に合成した（HO）2Si（Prac）400mg
（0.69mmol）の無水ピリジン40ml懸濁液に、窒素雰囲気
下、無水トリブチルアミン2.5ml（10.4mmol）ついでト
リヘキシルクロロシラン3.8ml（10.4mmol）を加え、約
７時間還流した。放冷後、反応溶媒のピリジンを減圧
下、留去し、これにヘキサンを加え、析出した沈殿ろ過
し、ヘキサンで洗浄した。この沈殿をクロロホルムに溶
解し、シリカゲルカラムクロマトグラフイーにより精製
した。さらにヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結
晶することにより、紫色の結晶が3mg得られた。この紫
色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（301）で
あることを確認した。
（0.69mmol）の無水ピリジン40ml懸濁液に、窒素雰囲気
下、無水トリブチルアミン2.5ml（10.4mmol）ついでト
リヘキシルクロロシラン3.8ml（10.4mmol）を加え、約
７時間還流した。放冷後、反応溶媒のピリジンを減圧
下、留去し、これにヘキサンを加え、析出した沈殿ろ過
し、ヘキサンで洗浄した。この沈殿をクロロホルムに溶
解し、シリカゲルカラムクロマトグラフイーにより精製
した。さらにヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結
晶することにより、紫色の結晶が3mg得られた。この紫
色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（301）で
あることを確認した。
（１） 軟化点 270〜275℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 62.79 7.55 19.53 分析値（％） 62.69 7.51 19.58 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第33図に示
す）:CDCl3 δ値 9.72（8H,s） 0.80〜0.62（30H,m） 0.28〜0.22（12H,m） 0.02〜−0.05（12H,br−ｓ） −1.32〜−2.56（12H,m） −2.50〜−1.33（12H,m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第34図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.72（8H,s） 0.80〜0.62（30H,m） 0.28〜0.22（12H,m） 0.02〜−0.05（12H,br−ｓ） −1.32〜−2.56（12H,m） −2.50〜−1.33（12H,m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第34図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第35図に示す。
試験例４ ガラス基板上に例示化合物（302）のクロロホルム
（0.3重量パーセント）溶解をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペク
トルを、それぞれ第36図及び第37図 は、スピンコート膜側から測定、 は、ガラス基板側から測定）に示す。640nm付近で高い
光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつた。
（0.3重量パーセント）溶解をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペク
トルを、それぞれ第36図及び第37図 は、スピンコート膜側から測定、 は、ガラス基板側から測定）に示す。640nm付近で高い
光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつた。
試験例５ ガラス基板上に例示化合物（301）のクロロホルム
（0.3重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクト
ルを、それぞれ第38図及び第39図 は、スピンコート膜側から測定、 は、ガラス基板側から測定）に示す。640nm付近で高い
光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつた。
（0.3重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクト
ルを、それぞれ第38図及び第39図 は、スピンコート膜側から測定、 は、ガラス基板側から測定）に示す。640nm付近で高い
光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつた。
実施例６ ［例示化合物（1312）の合成］ 窒素雰囲気下，無水メタノール72mlに金属ナトリウム
123mg（5.4mmol）を加えて調製したナトリウムメトキシ
ドのメタノール溶液に2,3−ジシアノキノキザリン5g（2
7.8mmol）を加え、よくかくはんしながら室温下，無水
アンモニアガスを約１時間ゆつくりとバブルした。さら
に無水アンモニアガスをバブルしながら約３時間還流し
た。この懸濁液を熱ろ過し、得られた固体をメタノール
で十分に洗浄し、減圧乾燥すると一般式（VIII）（ただ
し、Ａは である。）が淡灰色固体として4.9g得られた。この一般
式（VIII）（ただし、Ａは、 である。）のIRスペクトルを第40図に示す。一般式（VI
II）（ただし、Ａは、 である。）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
123mg（5.4mmol）を加えて調製したナトリウムメトキシ
ドのメタノール溶液に2,3−ジシアノキノキザリン5g（2
7.8mmol）を加え、よくかくはんしながら室温下，無水
アンモニアガスを約１時間ゆつくりとバブルした。さら
に無水アンモニアガスをバブルしながら約３時間還流し
た。この懸濁液を熱ろ過し、得られた固体をメタノール
で十分に洗浄し、減圧乾燥すると一般式（VIII）（ただ
し、Ａは である。）が淡灰色固体として4.9g得られた。この一般
式（VIII）（ただし、Ａは、 である。）のIRスペクトルを第40図に示す。一般式（VI
II）（ただし、Ａは、 である。）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
窒素雰囲気下、一般式（VIII）（ただし、Ａは、 である）5g（25.2mmol）の無水キノリン108ml懸濁液に
四塩化ケイ素10ml（90mmol）を加え、約３時間還流し
た。放冷後、メタノール300ml中に注ぎ出し、放置し
た。この反応混合物をろ過しメタノールで十分に洗浄し
た後、減圧乾燥すると、黒色の固体が定量的に得られ
た。この黒色固体は、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,
M＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）（以後、Cl2SiQcと略す。）であると考えら
れるが、これ以上精製せずに次の反応に用いた。Cl2SiQ
のIRスペクトルを第41図に示す。
四塩化ケイ素10ml（90mmol）を加え、約３時間還流し
た。放冷後、メタノール300ml中に注ぎ出し、放置し
た。この反応混合物をろ過しメタノールで十分に洗浄し
た後、減圧乾燥すると、黒色の固体が定量的に得られ
た。この黒色固体は、一般式（VII）（ただし、Ｚ＝Cl,
M＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）（以後、Cl2SiQcと略す。）であると考えら
れるが、これ以上精製せずに次の反応に用いた。Cl2SiQ
のIRスペクトルを第41図に示す。
Cl2SiQc9.5g（11.6mmol）をエタノール123ml中に加
え、これにアンモニア水123ml及び水475mlを添加し、約
５時間かくはん還流した。放冷後、この反応混合物を吸
収ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥する
と、黒色固体が7.3g得られた。この黒色固体は、一般式
（II）（ただし、Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、（HO）2SiQcと略す。］と考えられ
るが、これ以上精製せずに次の反応に用いた。（HO）2S
iQcのIRスペクトルを第42図に示す。
え、これにアンモニア水123ml及び水475mlを添加し、約
５時間かくはん還流した。放冷後、この反応混合物を吸
収ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥する
と、黒色固体が7.3g得られた。この黒色固体は、一般式
（II）（ただし、Ｍ＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、（HO）2SiQcと略す。］と考えられ
るが、これ以上精製せずに次の反応に用いた。（HO）2S
iQcのIRスペクトルを第42図に示す。
（HO）2SiQc1g（1.3mmol）の無水β−ピコリン141ml
懸濁液に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン3.8ml（1
6.1mmol）ついでトリエチルクロロシラン2.7ml（16.1mm
ol）を加え約２時間還流した。放冷後、反応混合物をエ
タノール／水（1/1）600ml中へ注ぎ、よくかきまぜた
後、放置した。析出した沈殿をろ過し、水，メタノー
ル，ヘキサンで洗浄した。テトラヒドロフランを用い
て、この沈殿のうち溶けるものだけ溶かし出し、これを
アルミナカラムクロマトグラフイーにより精製した。さ
らに、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶す
ることにより、濃緑色結晶が22mg得られた。この濃緑色
の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（1312）であ
ることを確認した。
懸濁液に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン3.8ml（1
6.1mmol）ついでトリエチルクロロシラン2.7ml（16.1mm
ol）を加え約２時間還流した。放冷後、反応混合物をエ
タノール／水（1/1）600ml中へ注ぎ、よくかきまぜた
後、放置した。析出した沈殿をろ過し、水，メタノー
ル，ヘキサンで洗浄した。テトラヒドロフランを用い
て、この沈殿のうち溶けるものだけ溶かし出し、これを
アルミナカラムクロマトグラフイーにより精製した。さ
らに、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶す
ることにより、濃緑色結晶が22mg得られた。この濃緑色
の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（1312）であ
ることを確認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 61.75 4.58 22.17 分析値（％） 61.81 4.63 22.13 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第43図に示
す）:CDCl3 δ値 9.15（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） 8.35（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） −1.33（18H,t,J＝7.94Hz） −2.26（12H,q,J＝7.94Hz） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第44図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.15（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） 8.35（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） −1.33（18H,t,J＝7.94Hz） −2.26（12H,q,J＝7.94Hz） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第44図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第45図に示す。
実施例７ ［例示化合物（1311）の合成］ 実施例６と同様に合成した（HO）2SiQc1g（1.3mmol）
の無水β−ピコリン141ml懸濁液に窒素雰囲気下、無水
トリブチルアミン3.8ml（16.1mmol）、ついでトリプロ
ピルクロロシラン3.5ml（16.1mmol）を加え、約２時間
還流した。放冷後、反応混合物を実施例６と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶が47mg得られた。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果より例示化合物（1311）であること
を確認した。
の無水β−ピコリン141ml懸濁液に窒素雰囲気下、無水
トリブチルアミン3.8ml（16.1mmol）、ついでトリプロ
ピルクロロシラン3.5ml（16.1mmol）を加え、約２時間
還流した。放冷後、反応混合物を実施例６と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶が47mg得られた。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果より例示化合物（1311）であること
を確認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 63.59 5.34 20.46 分析値（％） 63.65 5.28 20.35 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第46図に示
す）:CDCl3 δ値 9.16（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） 8.35（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） −0.40（18H,t,J＝7.33Hz） −0.95（12H,sextet-like m） −2.24（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第47図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.16（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） 8.35（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） −0.40（18H,t,J＝7.33Hz） −0.95（12H,sextet-like m） −2.24（12H,t-like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第47図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第48図に示す。
実施例８ ［例示化合物（1310）の合成］ 実施例６と同様に合成した（HO）2SiQc1g（1.3mmol）
の無水β−ピコリン141ml懸濁液に窒素雰囲気下、無水
トリブチルアミン3.8ml（16.1mmol）、ついでトリブチ
ルクロロシラン4.3ml（16.1mmol）を加え、約２時間還
流した。放冷後、反応混合物を実施例６と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶を48mg得た。この濃緑色結晶は、
下記の分析結果より例示化合物（1310）であることを確
認した。
の無水β−ピコリン141ml懸濁液に窒素雰囲気下、無水
トリブチルアミン3.8ml（16.1mmol）、ついでトリブチ
ルクロロシラン4.3ml（16.1mmol）を加え、約２時間還
流した。放冷後、反応混合物を実施例６と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶を48mg得た。この濃緑色結晶は、
下記の分析結果より例示化合物（1310）であることを確
認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 65.16 5.98 19.00 分析値（％） 65.13 5.88 19.07 （３） NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第49図に示
す）:CDCl3 δ値 9.16（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） 8.34（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） −0.03（12H,quintet−like m） −0.21（18H,t,J＝7.17Hz） −1.07（12H,quintet−like m） −2.23（12H,t−like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第50図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.16（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） 8.34（8H,dd,J＝6.56,3.51Hz） −0.03（12H,quintet−like m） −0.21（18H,t,J＝7.17Hz） −1.07（12H,quintet−like m） −2.23（12H,t−like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第50図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第51図に示す。
実施例９ ［例示化合物（1309）の合成］ 実施例６と同様に合成した（HO）2SiQc1g（1.3mmol）
の無水β−ピコリン141ml懸濁液に無水トリブチルアミ
ン3.8ml（16.1mmol）、ついでトリヘキシルクロロシラ
ン5.9ml（16.1mmol）を加え、約２時間還流した。放冷
後、反応混合物を実施例６と同様に処理し、クロロホル
ム−メタノール混合溶媒から再結晶することにより濃緑
色結晶が10mg得た。この濃緑色結晶は、下記の分析結果
より例示化合物（1309）であることを確認した。
の無水β−ピコリン141ml懸濁液に無水トリブチルアミ
ン3.8ml（16.1mmol）、ついでトリヘキシルクロロシラ
ン5.9ml（16.1mmol）を加え、約２時間還流した。放冷
後、反応混合物を実施例６と同様に処理し、クロロホル
ム−メタノール混合溶媒から再結晶することにより濃緑
色結晶が10mg得た。この濃緑色結晶は、下記の分析結果
より例示化合物（1309）であることを確認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 67.72 7.03 16.63 分析値（％） 67.79 6.95 16.59 （３） NMRスペクトル（NMRスペクトルを第52図に示
す）:CDCl3 δ値 9.17（8H,dd,J＝6.71,3.36Hz） 8.34（8H,dd,J＝6.71,3.36Hz） 0.46（12H,quintet−like m） 0.25（18H,t,J＝7.18Hz） −0.02（24H,t−like m） −1.03〜−1.17（12H,m） −2.23（12H,t−like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第53図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.17（8H,dd,J＝6.71,3.36Hz） 8.34（8H,dd,J＝6.71,3.36Hz） 0.46（12H,quintet−like m） 0.25（18H,t,J＝7.18Hz） −0.02（24H,t−like m） −1.03〜−1.17（12H,m） −2.23（12H,t−like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第53図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第54図に示す。
実施例10 ［例示化合物（1462）の合成］ 実施例６と同様に合成した（HO）2SiQc1g（1.3mmol）
のキノリン40ml懸濁液にトリクロヘキシルシラノール0.
76g（2.6mmol）を加え、約７時間還流した。放冷後、反
応混合物を実施例６と同様に処理した結果、濃緑色結晶
として例示化合物（1462）を得た。この例示化合物（14
62）の電子スペクトル（CHCl3）を第55図に示す。
のキノリン40ml懸濁液にトリクロヘキシルシラノール0.
76g（2.6mmol）を加え、約７時間還流した。放冷後、反
応混合物を実施例６と同様に処理した結果、濃緑色結晶
として例示化合物（1462）を得た。この例示化合物（14
62）の電子スペクトル（CHCl3）を第55図に示す。
試験例６ 例示化合物（1309）を種々の溶媒に溶かし、電子スペ
クトルを測定した。第56図，第57図，第58図，第59図，
第60図及び第61図にそれぞれクロロホルム中，テトラヒ
ドロフラン中，アセトン中，トルエン中，シクロヘキサ
ン中及び四塩化炭素中の電子スペクトルを示したが、溶
媒の種類の違いによる吸収波形の変化及び溶液の濃度の
違いによる吸収波形の変化は、まつたく観測されなかつ
た。
クトルを測定した。第56図，第57図，第58図，第59図，
第60図及び第61図にそれぞれクロロホルム中，テトラヒ
ドロフラン中，アセトン中，トルエン中，シクロヘキサ
ン中及び四塩化炭素中の電子スペクトルを示したが、溶
媒の種類の違いによる吸収波形の変化及び溶液の濃度の
違いによる吸収波形の変化は、まつたく観測されなかつ
た。
試験例７ 例示化合物（1312），（1311）及び（1310）のクロロ
ホルム（0.3重量パーセント）溶液を調製した。これら
の溶液をそれぞれスピンコート法でガラス基板に塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。これ
らの化合物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜
の膜側及びその反対側であるガラス基板側から測定した
５°正反射スペクトルをそれぞれ次のように示す。
ホルム（0.3重量パーセント）溶液を調製した。これら
の溶液をそれぞれスピンコート法でガラス基板に塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。これ
らの化合物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜
の膜側及びその反対側であるガラス基板側から測定した
５°正反射スペクトルをそれぞれ次のように示す。
740nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかつた。
ことがわかつた。
試験例８ ガラス基板上に例示化合物（1309）のクロロホルム
（0.5重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペク
トルをそれぞれ第71図及び第72図に示した。740nm付近
で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつ
た。
（0.5重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射スペク
トルをそれぞれ第71図及び第72図に示した。740nm付近
で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すことがわかつ
た。
実施例11 ［例示化合物（1346）の合成］ 2,3−ジシアノ−６−メチルキノキザリン5g（25.7mmo
l），四塩化ケイ素5.9ml（51.4mmol），モリブデン酸ア
ンモニウム52mg及び尿素26gを230〜240℃で約３時間反
応させた。放冷後、固化した反応混合物に水を加え、約
50℃で30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、
水で洗浄した。さらに、この固体をメタノール中、約50
℃で30分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、
メタノールで洗浄することにより、一般式（VII）（た
だし、Ｚ＝Cl,M＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、Cl2SiQC（CH3）4と略す。］と考え
られる茶色の固体が定量的に得られた。このCl2SiQc（C
H3）4のIRスペクトルを第73図に示す。このスペクトル
から尿素等の不純物の存在が認められるが、このCl2SiQ
c（CH3）4は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
l），四塩化ケイ素5.9ml（51.4mmol），モリブデン酸ア
ンモニウム52mg及び尿素26gを230〜240℃で約３時間反
応させた。放冷後、固化した反応混合物に水を加え、約
50℃で30分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、
水で洗浄した。さらに、この固体をメタノール中、約50
℃で30分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、
メタノールで洗浄することにより、一般式（VII）（た
だし、Ｚ＝Cl,M＝Siであり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、Cl2SiQC（CH3）4と略す。］と考え
られる茶色の固体が定量的に得られた。このCl2SiQc（C
H3）4のIRスペクトルを第73図に示す。このスペクトル
から尿素等の不純物の存在が認められるが、このCl2SiQ
c（CH3）4は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
Cl2SiQc（CH3）417.6g（20.1mmol）をエタノール76ml
中に加え、これにアンモニア水76ml、さらに水300mlを
添加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を
吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥す
ると茶色の固体として、一般式（II）（ただし、Ｍ＝Si
であり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、（HO）2SiQc（CH3）4と略す。］と
考えられる固体が12g得られた。この（HO）2SiQc（C
H3）4のIRスペクトルを第74図に示す。このスペクトル
から、尿素等の不純物の存在が認められるが、この（H
O）2SiQc（CH3）4は、これ以上精製せずに次の反応に用
いた。
中に加え、これにアンモニア水76ml、さらに水300mlを
添加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を
吸引ろ過し、水，メタノールで洗浄した後、減圧乾燥す
ると茶色の固体として、一般式（II）（ただし、Ｍ＝Si
であり、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、 である。）［以後、（HO）2SiQc（CH3）4と略す。］と
考えられる固体が12g得られた。この（HO）2SiQc（C
H3）4のIRスペクトルを第74図に示す。このスペクトル
から、尿素等の不純物の存在が認められるが、この（H
O）2SiQc（CH3）4は、これ以上精製せずに次の反応に用
いた。
（HO）2SiQc（CH3）412g（14.3mmol）の無水β−ピコ
リン400ml懸濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチルア
ミン19.2ml（80.6mmol）、ついでトリブチルクロロシラ
ン21.5ml（80.5mmol）を加え、約６時間還流した。放冷
後、反応溶媒のβ−ピコリンを減圧下留去し、これにメ
タノール／水の混合溶媒を加え、析出した沈殿を吸引ろ
過し、水，メタノール及びヘキサンで洗浄した。この沈
殿をクロロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマト
グラフイーにより精製した。さらにヘキサン／クロロホ
ルム混合溶媒から再結晶することにより、緑色の結晶が
8mg得られた。この緑色の結晶は、下記の分析結果より
例示化合物（1346）であることを確認した。
リン400ml懸濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチルア
ミン19.2ml（80.6mmol）、ついでトリブチルクロロシラ
ン21.5ml（80.5mmol）を加え、約６時間還流した。放冷
後、反応溶媒のβ−ピコリンを減圧下留去し、これにメ
タノール／水の混合溶媒を加え、析出した沈殿を吸引ろ
過し、水，メタノール及びヘキサンで洗浄した。この沈
殿をクロロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマト
グラフイーにより精製した。さらにヘキサン／クロロホ
ルム混合溶媒から再結晶することにより、緑色の結晶が
8mg得られた。この緑色の結晶は、下記の分析結果より
例示化合物（1346）であることを確認した。
（１） 融点＞300℃ （２） 元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 66.09 6.36 18.14 分析値（％） 66.18 6.31 18.07 （３） NMRスペトトル値（NMRスペクトルを第75図に示
す）:CDCl3 δ値 9.02（4H,d,J＝8.85Hz） 8.89（4H,br−ｓ） 8.15（4H,dd,J＝8.85,1.22Hz） 2.96（12H,s） −0.02（12H,sextet−like m） −0.20（18H,t,J＝7.33Hz） −1.09（12H,quintet−like m） −2.25（12H,t−like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第76図に示
す。
す）:CDCl3 δ値 9.02（4H,d,J＝8.85Hz） 8.89（4H,br−ｓ） 8.15（4H,dd,J＝8.85,1.22Hz） 2.96（12H,s） −0.02（12H,sextet−like m） −0.20（18H,t,J＝7.33Hz） −1.09（12H,quintet−like m） −2.25（12H,t−like m） （４） 電子スペクトル（CHCl3溶液）を第76図に示
す。
（５） IRスペクトル（KBr法）を第77図に示す。
試験例９ ガラス基板上に例示化合物（1346）のクロロホルム
（0.3重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜の膜
側及びその反対側であるガラス基板側から測定した５°
正反射スペクトルを、それぞれ第78図，第79図及び第80
図に示す。740nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射
率を示すことがわかつた。
（0.3重量パーセント）溶液をスピンコート法で塗布
し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の有機膜の透過スペクトル，スピンコート膜の膜
側及びその反対側であるガラス基板側から測定した５°
正反射スペクトルを、それぞれ第78図，第79図及び第80
図に示す。740nm付近で高い光の吸収能力及び高い反射
率を示すことがわかつた。
実施例12〜865 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P
基板上に、実施例１〜11で合成または、実施例１〜11に
準じて合成した例示テトラアザポルフインと有機溶媒と
からなる溶液をスピンコート法で塗布し、約80℃で約15
分間乾燥し、記録層を形成した。この記録層の厚さは、
DEKTAK3030（Sloan社製）によつて測定した。このよう
にして作成した光記録媒体を、記録層を上にしてターン
テーブルに乗せ、1800rpmの速度で回転させながら、ア
ルゴンイオンレーザー，色素レーザーなどを組み合わせ
て種々の発振波長に調整したレーザー光を光学ヘツドを
介して光記録媒体の下側つまり基板側からレーザービー
ムがポリメチルメタクリレート基板を通して記録層に集
光するように制御しながら、中心から半径40〜60mmの間
で2MHzのパルス記号の記録を行つた。次に同じ装置を用
いて出力を弱めたレーザー光により記録した信号の再生
を行い、そのときのキヤリヤー／ノイズ（C/N）を測定
した。
基板上に、実施例１〜11で合成または、実施例１〜11に
準じて合成した例示テトラアザポルフインと有機溶媒と
からなる溶液をスピンコート法で塗布し、約80℃で約15
分間乾燥し、記録層を形成した。この記録層の厚さは、
DEKTAK3030（Sloan社製）によつて測定した。このよう
にして作成した光記録媒体を、記録層を上にしてターン
テーブルに乗せ、1800rpmの速度で回転させながら、ア
ルゴンイオンレーザー，色素レーザーなどを組み合わせ
て種々の発振波長に調整したレーザー光を光学ヘツドを
介して光記録媒体の下側つまり基板側からレーザービー
ムがポリメチルメタクリレート基板を通して記録層に集
光するように制御しながら、中心から半径40〜60mmの間
で2MHzのパルス記号の記録を行つた。次に同じ装置を用
いて出力を弱めたレーザー光により記録した信号の再生
を行い、そのときのキヤリヤー／ノイズ（C/N）を測定
した。
得られた結果を第２表にまとめて示すが、例示したテ
トラアザポルフインは高いC/Nを示すことがわかつた。
トラアザポルフインは高いC/Nを示すことがわかつた。
比較例１ 文献〔ツエーナル・オブシエ・キミ（Zhurnal Obshch
ei Khimii），第42巻696頁,1972年〕記載の方法により
合成したバナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシア
ニンをクロロホルム溶液中で電子スペクトルを測定した
図を第81図に、ベンゼン溶液中で測定したものを第82図
に示したようにこの化合物では、溶媒の種類及び濃度が
変化すると吸収波形が変化し、高濃度になるほど800nm
付近の吸収が低下し720〜730nmの吸収が大きくなること
が観測された。
ei Khimii），第42巻696頁,1972年〕記載の方法により
合成したバナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシア
ニンをクロロホルム溶液中で電子スペクトルを測定した
図を第81図に、ベンゼン溶液中で測定したものを第82図
に示したようにこの化合物では、溶媒の種類及び濃度が
変化すると吸収波形が変化し、高濃度になるほど800nm
付近の吸収が低下し720〜730nmの吸収が大きくなること
が観測された。
バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニン。
比較例２ ガラス板上に、比較例１で用いたバナジル−テトラ
（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンを試験例９と同様にし
て有機膜を形成し、この透過スペクトル（第83図）及び
膜側から測定した５°正反射スペクトル（第84図）を測
定した。600〜850nmの波長域であまり高い光の吸収能力
及び反射率（20％以下）を示さなかつた。
（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンを試験例９と同様にし
て有機膜を形成し、この透過スペクトル（第83図）及び
膜側から測定した５°正反射スペクトル（第84図）を測
定した。600〜850nmの波長域であまり高い光の吸収能力
及び反射率（20％以下）を示さなかつた。
比較例３〜７ 厚さ1.2mm、直径130mmのポリメチルメタクリレート2P
基板上にバナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシア
ニンを用いて、実施例12〜865と同様にして形成した光
記録媒体のC/Nを測定した。得られた結果を第３表にま
とめて示すが、比較例２に示したようにバナジル−テト
ラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンは、600〜850nmいず
れの波長範囲でも低反射率（＜20％）であり、そのため
C/N値は本測定条件では小さな値しか得られなかつた。
基板上にバナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシア
ニンを用いて、実施例12〜865と同様にして形成した光
記録媒体のC/Nを測定した。得られた結果を第３表にま
とめて示すが、比較例２に示したようにバナジル−テト
ラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンは、600〜850nmいず
れの波長範囲でも低反射率（＜20％）であり、そのため
C/N値は本測定条件では小さな値しか得られなかつた。
比較例８ 米国特許第4,725,525号明細書における代表的化合物
ビス（トリヘキシルシロキシ）シリコーン−ナフタロシ
アニンのトルエン溶液（0.6重量パーセント）をガラス
基板上にスピンコート法で塗布 し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクトル
（実線は膜側から、点線は基板側から測定）を第85図及
び第86図にそれぞれ示す。本化合物は、反射極大を810n
m付近に示すが、780nm以下の波長域では20％以下の反射
率しか示さなかつた。
ビス（トリヘキシルシロキシ）シリコーン−ナフタロシ
アニンのトルエン溶液（0.6重量パーセント）をガラス
基板上にスピンコート法で塗布 し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。この
化合物の膜の透過スペクトル及び５°正反射スペクトル
（実線は膜側から、点線は基板側から測定）を第85図及
び第86図にそれぞれ示す。本化合物は、反射極大を810n
m付近に示すが、780nm以下の波長域では20％以下の反射
率しか示さなかつた。
比較例９〜13 厚さ1.2mm、直径130mmのポリメチルメタクレート2P基
板上に米国特許第4,725,525号明細書の代表的化合物ビ
ス（トリヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシアニ
ンを用いて、実施例12〜865と同様にして形成した光記
録媒体のC/Nを測定した。得られた結果を第４表にまと
めて示すが、比較例８に示したように、この化合物は78
0nm以下の波長域では低反射率であるために、低いC/N値
を示した。
板上に米国特許第4,725,525号明細書の代表的化合物ビ
ス（トリヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシアニ
ンを用いて、実施例12〜865と同様にして形成した光記
録媒体のC/Nを測定した。得られた結果を第４表にまと
めて示すが、比較例８に示したように、この化合物は78
0nm以下の波長域では低反射率であるために、低いC/N値
を示した。
実験No.866〜1310 実施例１〜11で合成または、実施例１〜11に準じて合
成した例示テトラアザポルフインを有機溶媒に溶解して
調整した溶液を、回転塗布法によつて、厚さ1.2mmのガ
ラス板上に塗布し、記録層を形成した。このようにして
形成された記録媒体にアルゴンイオンレーザーなどを用
いて種々の発振波長に調整したレーザー光をガラス基板
側から照射して記録特性を評価した。記録・再生はビー
ム径1.6μｍで行つた。
成した例示テトラアザポルフインを有機溶媒に溶解して
調整した溶液を、回転塗布法によつて、厚さ1.2mmのガ
ラス板上に塗布し、記録層を形成した。このようにして
形成された記録媒体にアルゴンイオンレーザーなどを用
いて種々の発振波長に調整したレーザー光をガラス基板
側から照射して記録特性を評価した。記録・再生はビー
ム径1.6μｍで行つた。
再生光に対する安定性を評価するために、再生初期の
反射率（Ｒ0）に対して0.5mW再生光により106回再生後
の反射率（Ｒ）の比R/R0を測定した。結果を第５表にま
とめて示すが、例示したテトラアザポルフインは、再生
光に対して高い安定性を示すことがわかつた。
反射率（Ｒ0）に対して0.5mW再生光により106回再生後
の反射率（Ｒ）の比R/R0を測定した。結果を第５表にま
とめて示すが、例示したテトラアザポルフインは、再生
光に対して高い安定性を示すことがわかつた。
比較例14〜19 シアニン系色素（日本感光色素研究所製）を有機溶媒
に溶解し、実施例866〜1310と同様に記録層を形成した
後、実施例866〜1310と同様にして再生光に対する安定
性を評価した。結果を第６表にまとめて示すが、シアニ
ン系色素は、再生光に対する安定性が極めて悪かつた。
に溶解し、実施例866〜1310と同様に記録層を形成した
後、実施例866〜1310と同様にして再生光に対する安定
性を評価した。結果を第６表にまとめて示すが、シアニ
ン系色素は、再生光に対する安定性が極めて悪かつた。
実験No.1311〜1362 実施例１〜11で合成または実施例１〜11に準じて合成
した例示テトラアザポルフインとバインダーポリマーを
有機溶媒に溶解して調整した溶液を回転塗布法によつ
て、厚さ1.2mmのガラス板上に塗布し記録層を形成し
た。このようにして形成した記録媒体を実験No.866〜13
10と同様にして再生光に対する安定性を評価した。結果
を第７表にまとめて示すが例示したテトラアザポルフイ
ンとバインダーにより形成された記録層は高い安定性を
示すことがわかつた。
した例示テトラアザポルフインとバインダーポリマーを
有機溶媒に溶解して調整した溶液を回転塗布法によつ
て、厚さ1.2mmのガラス板上に塗布し記録層を形成し
た。このようにして形成した記録媒体を実験No.866〜13
10と同様にして再生光に対する安定性を評価した。結果
を第７表にまとめて示すが例示したテトラアザポルフイ
ンとバインダーにより形成された記録層は高い安定性を
示すことがわかつた。
〔発明の効果〕 発明によつて、新規なテトラアザポルフインが提供さ
れ、この化合物は、光学記録媒体の記録層材料，光電変
換材料，液晶表示材料等に有用である。
れ、この化合物は、光学記録媒体の記録層材料，光電変
換材料，液晶表示材料等に有用である。
特に800nm以下の波長領域のレーザー光線を記録・読
み出しに使用する光学記録媒体、とりわけ追記型の光学
記録媒体の記録層材料として有用である。
み出しに使用する光学記録媒体、とりわけ追記型の光学
記録媒体の記録層材料として有用である。
米国特許第4,719,615号及び第4,780,867号明細書で使
用される書き換え型光ディスク用記録時，読み出し時及
び消去時に有効な光吸収色素としても有用である。
用される書き換え型光ディスク用記録時，読み出し時及
び消去時に有効な光吸収色素としても有用である。
第１図は、Cl2Si（2,3-Pric）の電子スペクトル（ピリ
ジン溶液）であり、第２図は、Cl2Si（2,3-Pric）のIR
スペクトル（KBr法）であり、第３図は、（HO）2Si（2,
3-Pric）の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第
４図は、、（HO）2Si（2,3-Pric）のIRスペクトル（KBr
法）であり、第５図は、例示化合物（３）のNMRスペク
トルであり、第６図は、例示化合物（３）の電子スペク
トル（クロロホルム溶液）であり、第７図は、例示化合
物（３）のIRスペクトル（KBr法）であり、第８図は、
例示化合物（１）のNMRスペクトルであり、第９図は、
例示化合物（１）の電子スペクトル（クロロホルム溶
液）であり、第10図は、例示化合物（１）のIRスペクト
ル（KBr法）であり、第11図は、例示化合物（３）のス
ピンコート膜の透過スペクトルであり、第12図は、例示
化合物（３）のスピンコート膜の膜側から測定した５°
正反射スペクトルであり、第13図は、例示化合物（３）
のスピンコート膜のガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルであり、第14図は、例示化合物（１）のス
ピンコート膜の透過スペクトルであり、第15図は、例示
化合物（１）のスピンコート膜の膜側から測定した５°
正反射スペクトルであり、第16図は、例示化合物（１）
のスピンコート膜のガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルであり、第17図は、Cl2Si（3,4-Pric）の
電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第18図は、Cl
2Si（3,4-Pric）のIRスペクトル（KBr法）であり、第19
図は、（HO）2SI（3,4-Pric）の電子スペクトル（ピリ
ジン溶液）であり、第20図は、（HO）2Si（3,4-Pric）
のIRスペクトル（KBr法）であり、第21図は、例示化合
物（152）のNMRスペクトルであり、第22図は、例示化合
物（152）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であ
り、第23図は、例示化合物（152）のIRスペクトル（KBr
法）であり、第24図は、例示化合物（152）のスピンコ
ート膜の透過スペクトルであり、第25図は、例示化合物
（152）のスピンコート膜の膜側（実線）及びガラス基
板側（点線）から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第26図は、Cl2Si（Prac）の電子スペクトル（ピリ
ジン溶液）であり、第27図は、Cl2Si（Prac）のIRスペ
クトル（KBr法）であり、第28図は、（HO）2Si（Prac）
の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第29図は、
（HO）2Si（Prac）のIRスペクトル（KBr法）であり、第
30図は、例示化合物（302）のNMRスペクトルであり、第
31図は、例示化合物（302）の電子スペクトル（クロロ
ホルム溶液）であり、第32図は、例示化合物（302）のI
Rスペクトル（KBr法）であり、第33図は、例示化合物
（301）のNMRスペクトルであり、第34図は、例示化合物
（301）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であ
り、第35図は、例示化合物（301）のIRスペクトル（KBr
法）であり、第36図は、例示化合物（302）のスピンコ
ート膜の透過スペクトルであり、第37図は、例示化合物
（302）のスピンコート膜の膜側（実線）及びガラス基
板側（点線）から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第38図は、例示化合物（301）のスピンコート膜の
透過スペクトルであり、第39図は、例示化合物（301）
のスピンコート膜の膜側（実線）及びガラス基板側（点
線）から測定した５°正反射スペクトルであり、第40図
は、一般式（VIII）（ただしＡは である）のIRスペクトル（KBr法）であり、第41図は、C
l2SiQcのIRスペクトル（KBr法）であり、第42図は、（H
O）2SiQcのIRスペクトル（KBr法）であり、第43図は、
例示化合物（1312）のNMRスペクトルであり、第44図
は、例示化合物（1312）の電子スペクトル（クロロホル
ム溶液）であり、第45図は、例示化合物（1312）のIRス
ペクトル（KBr法）であり、第46図は、例示化合物（131
1）のNMRスペクトルであり、第47図は、例示化合物（13
11）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第
48図は、例示化合物（1311）のIRスペクトル（KBr法）
であり、第49図は、例示化合物（1310）のNMRスペクト
ルであり、第50図は、例示化合物（1310）の電子スペク
トルであり、第51図は、例示化合物（1310）のIRスペク
トル（KBr法）であり、第52図は、例示化合物（1309）N
MRスペクトルであり、第53図は、例示化合物（1309）の
電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第54図
は、例示化合物（1309）のIRスペクトル（KBr法）であ
り、第55図は、例示化合物（1462）の電子スペクトル
（クロロホルム溶液）であり、第56図は、クロロホルム
中における例示化合物（1309）の電子スペクトルであ
り、第57図は、テトラヒドロフラン中における例示化合
物（1309）の電子スペクトルであり、第58図は、アセト
ン中における例示化合物（1309）の電子スペクトルであ
り、第59図は、トルエン中における例示化合物（1309）
の電子スペクトルであり、第60図は、シクロヘキサン中
における例示化合物（1309）の電子スペクトルであり、
第61図は、四塩化炭素中における例示化合物（1309）の
電子スペクトルであり、第62図は、例示化合物（1312）
のスピンコート膜の透過スペクトルであり、第63図は、
例示化合物（1312）のスピンコート膜の膜側から測定し
た５°正反射スペクトルであり、第64図は、例示化合物
（1312）のスピンコート膜のガラス基板側から測定した
５°正反射スペクトルであり、第65図は、例示化合物
（1311）のスピンコート膜の透過スペクトルであり、第
66図は、例示化合物（1311）のスピンコート膜の膜側か
ら測定した５°正反射スペクトルであり、第67図は、例
示化合物（1311）のスピンコート膜のガラス基板側から
測定した５°正反射スペクトルであり、第68図は、例示
化合物（1310）のスピンコート膜の透過スペクトルであ
り、第69図は、例示化合物（1310）のスピンコート膜の
膜側から測定した５°正反射スペクトルであり、第70図
は、例示化合物（1310）のスピンコート膜のガラス基板
側から測定した５°正反射スペクトルであり、第71図
は、例示化合物（1309）のスピンコート膜の透過スペク
トルであり、第72図は、例示化合物（1309）のスピンコ
ート膜の膜側から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第73図は、Cl2SiQc（CH3）4のIRスペクトル（KBr
法）であり、第74図は、（HO）2SiQc（CH3）4のIRスペ
クトル（KBr法）であり、第75図は、例示化合物（134
6）のNMRスペクトルであり、第76図は、例示化合物（13
46）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第
77図は、例示化合物（1346）のIRスペクトル（KBr法）
であり、第78図は、例示化合物（1346）のスピンコート
膜の透過スペクトルであり、第79図は、例示化合物（13
46）のスピンコート膜の膜側から測定した５°正反射ス
ペクトルであり、第80図は、例示化合物（1346）のスピ
ンコート膜のガラス基板側から測定した５°正反射スペ
クトルであり、第81図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチ
ル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子ス
ペクトルで（ａ）は2.37×10-6Ｍ濃度、（ｂ）は1.89×
10-5Ｍ濃度であり、第82図は、バナジル−テトラ（ｔ−
ブチル）ナフタロシアニンのベンゼン溶液中（9.5×10
-6Ｍ濃度）での電子スペクトルであり、第83図は、バナ
ジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピン
コート膜の透過スペクトルであり、第84図は、バナジル
−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコー
ト膜の５°正反射スペクトルであり、第85図は、ビス
（トリヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシアニン
のスピンコート膜の透過スペクトルであり、第86図は、
ビス（トリヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシア
ニンのスピンコート膜の反射スペクトルである（実線は
膜側から、点線は基板側から測定したものである。）
ジン溶液）であり、第２図は、Cl2Si（2,3-Pric）のIR
スペクトル（KBr法）であり、第３図は、（HO）2Si（2,
3-Pric）の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第
４図は、、（HO）2Si（2,3-Pric）のIRスペクトル（KBr
法）であり、第５図は、例示化合物（３）のNMRスペク
トルであり、第６図は、例示化合物（３）の電子スペク
トル（クロロホルム溶液）であり、第７図は、例示化合
物（３）のIRスペクトル（KBr法）であり、第８図は、
例示化合物（１）のNMRスペクトルであり、第９図は、
例示化合物（１）の電子スペクトル（クロロホルム溶
液）であり、第10図は、例示化合物（１）のIRスペクト
ル（KBr法）であり、第11図は、例示化合物（３）のス
ピンコート膜の透過スペクトルであり、第12図は、例示
化合物（３）のスピンコート膜の膜側から測定した５°
正反射スペクトルであり、第13図は、例示化合物（３）
のスピンコート膜のガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルであり、第14図は、例示化合物（１）のス
ピンコート膜の透過スペクトルであり、第15図は、例示
化合物（１）のスピンコート膜の膜側から測定した５°
正反射スペクトルであり、第16図は、例示化合物（１）
のスピンコート膜のガラス基板側から測定した５°正反
射スペクトルであり、第17図は、Cl2Si（3,4-Pric）の
電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第18図は、Cl
2Si（3,4-Pric）のIRスペクトル（KBr法）であり、第19
図は、（HO）2SI（3,4-Pric）の電子スペクトル（ピリ
ジン溶液）であり、第20図は、（HO）2Si（3,4-Pric）
のIRスペクトル（KBr法）であり、第21図は、例示化合
物（152）のNMRスペクトルであり、第22図は、例示化合
物（152）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であ
り、第23図は、例示化合物（152）のIRスペクトル（KBr
法）であり、第24図は、例示化合物（152）のスピンコ
ート膜の透過スペクトルであり、第25図は、例示化合物
（152）のスピンコート膜の膜側（実線）及びガラス基
板側（点線）から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第26図は、Cl2Si（Prac）の電子スペクトル（ピリ
ジン溶液）であり、第27図は、Cl2Si（Prac）のIRスペ
クトル（KBr法）であり、第28図は、（HO）2Si（Prac）
の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第29図は、
（HO）2Si（Prac）のIRスペクトル（KBr法）であり、第
30図は、例示化合物（302）のNMRスペクトルであり、第
31図は、例示化合物（302）の電子スペクトル（クロロ
ホルム溶液）であり、第32図は、例示化合物（302）のI
Rスペクトル（KBr法）であり、第33図は、例示化合物
（301）のNMRスペクトルであり、第34図は、例示化合物
（301）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であ
り、第35図は、例示化合物（301）のIRスペクトル（KBr
法）であり、第36図は、例示化合物（302）のスピンコ
ート膜の透過スペクトルであり、第37図は、例示化合物
（302）のスピンコート膜の膜側（実線）及びガラス基
板側（点線）から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第38図は、例示化合物（301）のスピンコート膜の
透過スペクトルであり、第39図は、例示化合物（301）
のスピンコート膜の膜側（実線）及びガラス基板側（点
線）から測定した５°正反射スペクトルであり、第40図
は、一般式（VIII）（ただしＡは である）のIRスペクトル（KBr法）であり、第41図は、C
l2SiQcのIRスペクトル（KBr法）であり、第42図は、（H
O）2SiQcのIRスペクトル（KBr法）であり、第43図は、
例示化合物（1312）のNMRスペクトルであり、第44図
は、例示化合物（1312）の電子スペクトル（クロロホル
ム溶液）であり、第45図は、例示化合物（1312）のIRス
ペクトル（KBr法）であり、第46図は、例示化合物（131
1）のNMRスペクトルであり、第47図は、例示化合物（13
11）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第
48図は、例示化合物（1311）のIRスペクトル（KBr法）
であり、第49図は、例示化合物（1310）のNMRスペクト
ルであり、第50図は、例示化合物（1310）の電子スペク
トルであり、第51図は、例示化合物（1310）のIRスペク
トル（KBr法）であり、第52図は、例示化合物（1309）N
MRスペクトルであり、第53図は、例示化合物（1309）の
電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第54図
は、例示化合物（1309）のIRスペクトル（KBr法）であ
り、第55図は、例示化合物（1462）の電子スペクトル
（クロロホルム溶液）であり、第56図は、クロロホルム
中における例示化合物（1309）の電子スペクトルであ
り、第57図は、テトラヒドロフラン中における例示化合
物（1309）の電子スペクトルであり、第58図は、アセト
ン中における例示化合物（1309）の電子スペクトルであ
り、第59図は、トルエン中における例示化合物（1309）
の電子スペクトルであり、第60図は、シクロヘキサン中
における例示化合物（1309）の電子スペクトルであり、
第61図は、四塩化炭素中における例示化合物（1309）の
電子スペクトルであり、第62図は、例示化合物（1312）
のスピンコート膜の透過スペクトルであり、第63図は、
例示化合物（1312）のスピンコート膜の膜側から測定し
た５°正反射スペクトルであり、第64図は、例示化合物
（1312）のスピンコート膜のガラス基板側から測定した
５°正反射スペクトルであり、第65図は、例示化合物
（1311）のスピンコート膜の透過スペクトルであり、第
66図は、例示化合物（1311）のスピンコート膜の膜側か
ら測定した５°正反射スペクトルであり、第67図は、例
示化合物（1311）のスピンコート膜のガラス基板側から
測定した５°正反射スペクトルであり、第68図は、例示
化合物（1310）のスピンコート膜の透過スペクトルであ
り、第69図は、例示化合物（1310）のスピンコート膜の
膜側から測定した５°正反射スペクトルであり、第70図
は、例示化合物（1310）のスピンコート膜のガラス基板
側から測定した５°正反射スペクトルであり、第71図
は、例示化合物（1309）のスピンコート膜の透過スペク
トルであり、第72図は、例示化合物（1309）のスピンコ
ート膜の膜側から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第73図は、Cl2SiQc（CH3）4のIRスペクトル（KBr
法）であり、第74図は、（HO）2SiQc（CH3）4のIRスペ
クトル（KBr法）であり、第75図は、例示化合物（134
6）のNMRスペクトルであり、第76図は、例示化合物（13
46）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第
77図は、例示化合物（1346）のIRスペクトル（KBr法）
であり、第78図は、例示化合物（1346）のスピンコート
膜の透過スペクトルであり、第79図は、例示化合物（13
46）のスピンコート膜の膜側から測定した５°正反射ス
ペクトルであり、第80図は、例示化合物（1346）のスピ
ンコート膜のガラス基板側から測定した５°正反射スペ
クトルであり、第81図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチ
ル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子ス
ペクトルで（ａ）は2.37×10-6Ｍ濃度、（ｂ）は1.89×
10-5Ｍ濃度であり、第82図は、バナジル−テトラ（ｔ−
ブチル）ナフタロシアニンのベンゼン溶液中（9.5×10
-6Ｍ濃度）での電子スペクトルであり、第83図は、バナ
ジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピン
コート膜の透過スペクトルであり、第84図は、バナジル
−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコー
ト膜の５°正反射スペクトルであり、第85図は、ビス
（トリヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシアニン
のスピンコート膜の透過スペクトルであり、第86図は、
ビス（トリヘキシルシロキシ）シリコン−ナフタロシア
ニンのスピンコート膜の反射スペクトルである（実線は
膜側から、点線は基板側から測定したものである。）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭63−214572 (32)優先日 昭63(1988)８月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−277969 (32)優先日 昭63(1988)11月２日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−280558 (32)優先日 昭63(1988)11月７日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−280559 (32)優先日 昭63(1988)11月７日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−280560 (32)優先日 昭63(1988)11月７日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願昭63−308545 (32)優先日 昭63(1988)12月６日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17151 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17152 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17153 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17154 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17155 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17156 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17157 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17158 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平1−17159 (32)優先日 平１(1989)１月26日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 片寄 光雄 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立 化成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 萩原 秀雄 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立 化成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 秋元 孝幸 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立 化成工業株式会社茨城研究所内 (56)参考文献 特開 平１−130983（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−117963（ＪＰ，Ａ)
Claims (20)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 〔式中Ｍは、Si,Ge又はSnを示し、Ｙはアリールオキシ
ル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基、ト
リアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキシル
基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキシ
ル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相
違してもよく、Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は、全
て、それぞれ独立に以下の群から選択される含窒素芳香
環を示し、 さらに、Ａ1,A2,A3及びＡ4は、以下の群から選択される
１つ以上の有機置換基を有していてもよい。 −Ｒ1， −OR2， −SiR3Ｒ4Ｒ5， −SO2NR6Ｒ7， −COR8， −COOR9， −OCOR10， −CONHR11， −NR12Ｒ13， −SR14， −SO2Ｒ15及び −Ｘ1 （式中、Ｒ1は、１つ以上の置換基を有していてもよい
アルキル基又は、アリール基を示し、Ｒ2〜Ｒ15は、そ
れぞれ独立に、水素原子、１つ以上の置換基を有してい
てもよいアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ1は、ハ
ロゲン原子を示す）〕。 - 【請求項２】一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeである
請求項１記載の新規なテトラアザポルフィン。 - 【請求項３】一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアル
キルシロキシル基である請求項１又は２記載のテトラア
ザポルフィン。 - 【請求項４】一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で
表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環である請求
項1,2又は３記載の新規なテトラアザポルフィン。 - 【請求項５】一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4で
表わされる環が、 で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である請求項1,2,3又は４記載の新規なテトラアザポル
フィン。 - 【請求項６】一般式（II） 〔式中Ｍ並びにＡ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環は一般
式（Ｉ）におけると同意義〕で表わされる新規なテトラ
アザポルフィンを一般式（III） （Ｒ16）3SiCl （III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） （Ｒ17）3SiOH （IV） 〔式（III）及び（VI）中Ｒ16及びＲ17はそれぞれ、ア
ルキル基、アリール基、アルコキシル基又はアリールオ
キシル基である〕で表わされるシラノール、一般式
（Ｖ） Ｒ18OH （Ｖ） 〔式中Ｒ18は、アルキル基又はアリール基である〕で表
わされるアルコール又は一般式（VI） Ｒ19CO・Ｘ2 （VI） 〔式中Ｒ19はアルキル基、Ｘ2はハロゲン原子、ヒドロ
キシル基又はアシロキシル基である〕で表わされる化合
物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表わさ
れる新規なテトラアザポルフィンの製造法。 - 【請求項７】一般式（II）及び一般式（Ｉ）においてＭ
がSi又はGeである請求項６記載の新規なテトラアザポル
フィンの製造法。 - 【請求項８】一般式（III）及び一般式（IV）において
Ｒ15及びＲ16がアルキル基であり、一般式（Ｉ）におい
て２個のＹがトリアルキルシロキシル基である請求項６
又は７記載の新規なテトラアザポルフィンの製造法。 - 【請求項９】一般式（II）及び一般式（Ｉ）においてＡ
1,A2,A3及びＡ4で表わされる環がすべて同一の含窒素芳
香環である請求項6,7又は８記載の新規なテトラアザポ
ルフィンの製造法。 - 【請求項１０】一般式（II）及び一般式（Ｉ）において
Ａ1,A2,A3及びＡ4で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である請求項6,7,8又は９記載の新規なテトラアザポル
フィンの製造法。 - 【請求項１１】基板表面に、一般式（Ｉ）で表わされる
新規なテトラアザポルフィンを主成分とする記録層を形
成し、レーザー光線の照射により記録層を変化させて情
報を記録し、該変化させられた記録層部分とレーザー光
線を照射されず変化させられなかった記録層部分との光
学濃度の差により情報を読み出すことを特徴とする光デ
ィスク用の光記録媒体。 - 【請求項１２】一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであ
る新規なテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が
形成されている請求項11記載の光記録媒体。 - 【請求項１３】一般式（Ｉ）において２個のＹがトリア
ルキルシロキシル基である新規なテトラアザポルフィン
を主成分とする記録層が形成されている請求項11又は12
記載の光記録媒体。 - 【請求項１４】一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4
で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環である新
規なテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形成
されている請求項11,12又は13記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4
で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である新規なテトラアザポルフィンを主成分とする記録
層が形成されている請求項11,12,13又は14記載の光記録
媒体。 - 【請求項１６】一般式（Ｉ）で表わされる新規なテトラ
アザポルフィンを含有する有機溶媒溶液を用いて基板表
面に記録層を形成することを特徴とする光ディスク用の
光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】一般式（Ｉ）においてＭがSi又はGeであ
る新規なテトラアザポルフィンを用いた請求項16記載の
光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】一般式（Ｉ）において２個のＹがトリア
ルキルシロキシル基である新規なテトラアザポルフィン
を用いた請求項16又は17記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１９】一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4
で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環である新
規なテトラアザポルフィンを用いた請求項16,17又は18
記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】一般式（Ｉ）においてＡ1,A2,A3及びＡ4
で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
である新規なテトラアザポルフィンを用いた請求項16,1
7,18又は19記載の光記録媒体の製造方法。
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