KR900016217A - 신규인 테트라아자 포르핀과 그 제조법 및 그것을 사용한 광기록매체와 그 광기록매체의 제조방법 - Google Patents

신규인 테트라아자 포르핀과 그 제조법 및 그것을 사용한 광기록매체와 그 광기록매체의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

신규인 테트라아자 포르핀과 그 제조법 및 그것을 사용한 광기록매체와 그 광기록매체의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 Cl2Si(2,3-Pric)의 전자스펙트럼(피리딘용액)이다.
제2도는 Cl2Si(2,3-Pric)의 IR 스펙트럼(KBr 법)이다.
제3도는 (HO)2Si(2,3-Pric)의 전자 스펙트럼(피리딘 용액)이다.

Claims (32)

  1. 일반식(I)로서 표시되는 신규인 테르라아자포르핀.
    [상기식중, M은 Si, Ge 또는 Sn을 나타내고, Y는 아릴록실기, 알콕실기, 트리알킬실록실기, 트리아릴실록실기, 트리알콕시실록실기, 트리아릴록시실록실기, 트리틸록실기 또는 아실록실기를 나타내는데 2개의 Y는 동일하거나 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리는 유기치환기가 결합하여도 좋은 방향고리를 나타내고, A1,A2,A3및 A4는 동일하거나 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4의 적어도 하나는 질소함유방향고리이다.)
  2. 제1항에 있어서, 일반식(I)에서 M이 Si 또는 Ge인 신규의 테트라아자포르핀.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 일반식(I)에서 2개의 Y가 트리알킬실록실기인 신규의 테트라아자포르핀.
  4. 제1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모두 질소 함유방향고리인 신규의 테트라아자포르핀.
  5. 제1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모우 동일한 질소 함유방향고리인 신규의 테트라아자포르핀.
  6. 제1 내지 5항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및A4로 표시되는 고리가 하기 식들로서 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아포르핀.
  7. 제1 내 지 5항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로서 표시되는 고리가 하기 식들로 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아자포르핀.
  8. 제1 내지 7항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리에 결합한 유기치환기가 하기 치환기된 구성된 군엥서 선택되는 적어도 하나의 기이며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리의 치환가능한 위치가 적어도 1개 치환된 신규의 테트라아자포르핀.
    -R1-OR2-SiR3R4R5-SO2NR6R7-CO·R8-COOR9-O·COR10-CO·NHR11-NR12R13-SR14-SO2R15및 -X1[상기식중, R1∼R15는 수소원자, 알킬기, 치환기를 갖는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X1은 할로겐원자를 나타낸다.]
  9. 일반식 (II)로서, 표시되는 신규인 테트라아자포르핀을 일빈식(III)으로서 표시되는 클로로실란, 일반식(IV)로서 표시되는 실린올, 일반식(V)로서 표시되는 알코올 또는 일반식(VI)으로서 표시되는 화합물과 반응시킴을 특징으로 하는 일반식(I)로서 표시되는 신규인 테트라아자포크핀의 제조법.
    [상기식중, M은 Si, Ge 또는 Sn을 나타내고, Y는 아릴록실기, 알콕실기, 트리알킬실록실기, 트리아릴실록실기, 트리알콕시실록실기, 트리아릴록시실록실기, 트리틸록실기 또는 아니실록실기를 나타내는데 2개의 Y는 동일하거나, 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리는 유기치환기가 결합하여도 좋은 방향고리를 나타내고, A1,A2,A3및 A4는 동일하거나 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4의 적어도 하나는 질소함유방향고리이고, R16및 R17은 각각 알킬기, 아릴기, 알콕실기 또는 아릴옥실기이며, R18은 알킬기 또는 아릴기이고, R19는 알킬기이며. X2는 할로겐원자, 히드록실기 또는 아실록실기이다.)
  10. 제9항에 있어서 일반식 (II) 및 (I)에서 M이 Si 또는 Ge인 신규의 테트라아자포르핀의 제조법.
  11. 제9또는 10항에 있어서, 일반식(III) 및 일반식(VI)에서 R15및 R16이 알킬기이며, 일반식(I)에서 2개의 Y가 트리알킬실록실기인 신규의 테트라아자포르핀의 제조법.
  12. 제9내지 11항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(II) 및 (I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모두 질소 함유방향고리인 신규의 테트라아자포르핀의 제조법.
  13. 제9 내지 11항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(II) 및 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모우 동일한 질소 함유방향고리인 신규의 테트라아자포르핀의 제조법.
  14. 제9 내지 13항중 어느 한항에 있어서, 일반식(II) 및 (I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 하기의 식들로서 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아자포르핀의 유도체.
  15. 제9 내지 13항중 어느 한항에 있어서, 일반식(II) 및 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로서 표시되는 고리가 하기식들로 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아자포르핀의 제조방법.
  16. 제9 내지 15항중 어느 한 항에 있어서, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리를 갖는 유기치환긱 하기 치환기로 구성된 군에서 선택되며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리의 치환가능한 위치가 적어도 1개 치환된 신규의 테트라아자포르핀의 제조법.
    -R1-OR2-SiR3R4R5-SO2NR6R7-CO·R9-COOR9-O·COR10-CO·NHR11-NR12R13-SR14-SO2R15및 -X1[상기식중, R1∼R15는 수소원자, 알킬기, 치환기를 갖는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X1은 할로겐원자를 나타낸다.]
  17. 기판표면에, 일반식(I)로 표시되는 신규인 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층을 형성하고, 레이저 광선의 조사에 의해 기록층을 변화시켜서 정보를 기록하며, 그 변환된 기록층 부분과 레이저광선을 조사하지 않고 변화시키지 않은 기록층 부분과의 광학 농도의 차이에 의해 정보를 판독하는 것을 특징으로 하는 광디스크용의 광기록매체.
    [상기식중, M은 Si, Ge 또는 Sn을 나타내고, Y는 아릴록실기, 알콕실기, 트리알킬실록실기, 트리아릴실록실기, 트리알콕시실록실기, 트리아릴록시실록실기, 트리틸록실기 또는 아실록실기를 나타내는데 2개의 Y는 동일하거나 상이 하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리는 유기치환기가 결합하여도 좋은 방향고리로 나타내고, A1,A2,A3및 A4는 동일하거나 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4의 적어도 하나는 질소 함유 방향고리이다)].
  18. 제17항에 있어서, 일반식(I)에서 M이 Si 또는 Ge 인 신규의 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성되어 있는 광기록매체.
  19. 제17 또는 18항에 있어서, 일반식(I)에서 2개의 Y가 트리알킬실록실기 인 신류의 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성되어 있는 광기록매체.
  20. 제17 내지 19항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모두 질소함유 방향고리인 신규의 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성되어 있는 광기록매체.
  21. 제17내지 19항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모두 동일한 질소 함유 방향고리인 신규의 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성되어 있는 광기록매체.
  22. 제17 내지 21항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 하기 식들로서 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성되어 있는 광기록매체.
  23. 제17 내지 21항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 하기 식들로서 표시되는 질소 함유방향고리로 구성 된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성되어 있는 광기록매체.
  24. 제17 내지 23항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리를 갖는 유기치환기가 하기의 치환기로 구성된 군에서 선택되며, A1,A2,A3및 A4및 R4로 표시되는 방향고리의 치환가능한 위치가 적어도 1개 치환된 신규인 테트라아자포르핀을 주성분으로 하는 기록층이 형성된 광기록매체.
    -R1-OR2-SiR3R4R5-SO2NR6R7-CO·R8-COOR9-O·COR10-CO·NHR11-NR12R13-SR14-SO2R15및 -X1[상기식중, R1∼R15는 수소원자, 알킬기, 치환기를 갖는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X1은 할로겐원자를 나타낸다.]
  25. 일반식(I)으로 표시되는 신규인 테트라아자포르핀을 함유한 유기용매용액을 사용하여 기판표면에 기록층을 형성함을 특징으로 하는 광디스크용의 광기록매체의 제조방법.
    [상기식중, M은 Si, Ge 또는 Sn을 나타내고, Y는 아릴록실기, 알콕실기, 트리알킬실록실기, 트리아릴실록실기, 트리알콕시실록실기, 트리아릴록시실록신기, 트리틸록실기 또는 아실록실기를 나타내는데 2개의 Y는 동일하거나 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리는 유치환기가 결합하여도 종은 방향고리를 나타내고, A1,A2,A3및 A4는 동일하거나 상이하여도 좋으며, A1,A2,A3및 A4의 적 어 도 하나는 질소함유방향고리이다.
  26. 제25항에 있어서, 일반식(I)에서 M이 Si 또는 Ge인 신규의 테트라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제조방법.
  27. 제25 또는 26항에 있어서, 일반식(I)에서 2개의 Y가 트리알킬실록실기인 신규의 테트라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제조방법.
  28. 제25 내지 27항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모두 질소 함유 방향고리인 신규의 테트라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제조방법.
  29. 제25 내지 27항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 모두 동일한 질소 함유방향고리인 신규의 테트라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제조방법.
  30. 제25 내지 29항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 고리가 하기 식들로서 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테르라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제조방법.
  31. 제25 내지 29항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로서 표시되는 고리가 하기 식들로서 표시되는 질소 함유방향고리로 구성된 군에서 선택되는 고리인 신규의 테트라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제조방법.
  32. 제25 내지 31항중 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)에서 A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리를 갖는 유기치환기 X가 하기의 치환기로 구성된 군에서 선택되며, A1,A2,A3및 A4로 표시되는 방향고리의 치환가능한 위치가 적어도 1개 치환된 신규의 테트라아자포르핀을 사용한 광기록매체의 제작방법.
    -R1-OR2-SiR3R4R5-SO2NR6R7-CO·R8-COOR9-O·COR10-CO·NHR11-NR12R13-SR14-SO2R15및 -X1[상기식중, R1∼R15는 수소원자, 알킬기, 치환기를 갖는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X1은 할로겐원자를 나타낸다.]
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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