JPH0222561B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0222561B2 JPH0222561B2 JP19396185A JP19396185A JPH0222561B2 JP H0222561 B2 JPH0222561 B2 JP H0222561B2 JP 19396185 A JP19396185 A JP 19396185A JP 19396185 A JP19396185 A JP 19396185A JP H0222561 B2 JPH0222561 B2 JP H0222561B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- terminals
- terminal
- coupler
- microwave
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波集積回路に適する180゜ハイ
ブリツドに関するものである。
ブリツドに関するものである。
（従来の技術）
従来の180゜ハイブリツドの例を第２図に示す。
第２図において１，２，３，４は180゜ハイブリツ
ドの四端子、５，６，７は1/4波長線路、８は結
合線路、９，１０は接地である。この回路は、1/
４波長線路５，６，７が90゜移相器として動作し、
結合線路８が270゜移相器として動作し、全体とし
て180゜ハイブリツドを構成している。ところが、
この180゜ハイブリツドには次の２つの欠点があ
る。
第２図において１，２，３，４は180゜ハイブリツ
ドの四端子、５，６，７は1/4波長線路、８は結
合線路、９，１０は接地である。この回路は、1/
４波長線路５，６，７が90゜移相器として動作し、
結合線路８が270゜移相器として動作し、全体とし
て180゜ハイブリツドを構成している。ところが、
この180゜ハイブリツドには次の２つの欠点があ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
180゜ハイブリツドの内側の点９を接地するた
めに集積回路基板に貫通穴をあける必要があ
る。
めに集積回路基板に貫通穴をあける必要があ
る。
180゜ハイブリツドの４端子１，２，３，４の
端子インピーダンスを50Ωとするには、1/4波
長線路５，６，７の特性インピーダンスおよび
結合線路８の映像インピーダンスを70Ωにする
必要がある。たとえば、基板厚0.15mmのGaAs
基板上にマイクロストリツプ線路で動作周波数
7GHzの180゜ハイブリツドを形成する場合、結
合線路８は結合長４mm、結合間隔1μm以下とな
る。この寸法は通常の光エツチングと金属蒸着
プロセスでは実現が容易でない。
端子インピーダンスを50Ωとするには、1/4波
長線路５，６，７の特性インピーダンスおよび
結合線路８の映像インピーダンスを70Ωにする
必要がある。たとえば、基板厚0.15mmのGaAs
基板上にマイクロストリツプ線路で動作周波数
7GHzの180゜ハイブリツドを形成する場合、結
合線路８は結合長４mm、結合間隔1μm以下とな
る。この寸法は通常の光エツチングと金属蒸着
プロセスでは実現が容易でない。
本発明の目的はこれらの欠点を除去し、マイク
ロ波集積回路に適した180゜ハイブリツドを提供す
ることにある。
ロ波集積回路に適した180゜ハイブリツドを提供す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明マイクロ波180゜ハイブリツドは、270゜移
相器の部分にランゲ結合器を用いることを特徴と
する。従来必要であつた集積回路基板の貫通穴が
不要であり、かつ、集積回路基板上で容易に実現
可能な線路結合間隔で回路を構成したことが従来
の回路と異なる点である。
相器の部分にランゲ結合器を用いることを特徴と
する。従来必要であつた集積回路基板の貫通穴が
不要であり、かつ、集積回路基板上で容易に実現
可能な線路結合間隔で回路を構成したことが従来
の回路と異なる点である。
（作用）
ランゲ結合器を使用して外側端子を接地するの
で集積回路基板の貫通孔が不要となり、従つて集
積回路化に適したハイブリツドが得られる。
で集積回路基板の貫通孔が不要となり、従つて集
積回路化に適したハイブリツドが得られる。
（実施例）
第１図は本発明の実施例であつて、１，２，
３，４は180゜ハイブリツドの４端子、５，６，７
は1/4波長線路、９，１０は接地、１１はランゲ
結合器、１１−１，１１−２，１１−３，１１−
４はランゲ結合器の４つの端子である。この回路
は、1/4波長線路５、６，７が90゜移相器として動
作し、ランゲ結合器１１が270゜移相器として動作
し、全体として180゜ハイブリツドを構成してい
る。
３，４は180゜ハイブリツドの４端子、５，６，７
は1/4波長線路、９，１０は接地、１１はランゲ
結合器、１１−１，１１−２，１１−３，１１−
４はランゲ結合器の４つの端子である。この回路
は、1/4波長線路５、６，７が90゜移相器として動
作し、ランゲ結合器１１が270゜移相器として動作
し、全体として180゜ハイブリツドを構成してい
る。
つぎに動作を説明する。端子１から信号を入力
すると、1/4波長線路５とランゲ結合器１１に信
号電力が二等分される。ランゲ結合器１１の端子
１１−１の入力信号は端子１１−２および端子１
１−３へそれぞれ位相遅延90゜，0゜で伝播するが、
これらの端子１１−２，１１−３は接地されてい
るため、全反射し、全反射によつて180゜の位相回
転が生じるので、反射波の合計の位相遅延はそれ
ぞれ270゜，180゜となる。１１−２からの反射波は
結合線１２−１，１２−３により、位相遅延0゜で
１１−４に伝播され、１１−３からの反射波は位
相遅延90゜で１１−４に伝播されるため、これら
の反射波はいずれも端子１１−４には位相遅延
270゜で伝播され、同相合成される。一方、1/4波
長線路５は90゜移相器であるので、端子２での位
相遅延は90゜である。したがつて、端子１からの
信号は端子２と端子４では270゜−90゜＝180゜の位相
差が生じ、両端子間に逆相分配される。また、端
子３からの信号は1/4波長線路６および７を伝播
して端子２と端子４に同相分配される。すなわ
ち、本回路は180゜ハイブリツドとして動作する。
すると、1/4波長線路５とランゲ結合器１１に信
号電力が二等分される。ランゲ結合器１１の端子
１１−１の入力信号は端子１１−２および端子１
１−３へそれぞれ位相遅延90゜，0゜で伝播するが、
これらの端子１１−２，１１−３は接地されてい
るため、全反射し、全反射によつて180゜の位相回
転が生じるので、反射波の合計の位相遅延はそれ
ぞれ270゜，180゜となる。１１−２からの反射波は
結合線１２−１，１２−３により、位相遅延0゜で
１１−４に伝播され、１１−３からの反射波は位
相遅延90゜で１１−４に伝播されるため、これら
の反射波はいずれも端子１１−４には位相遅延
270゜で伝播され、同相合成される。一方、1/4波
長線路５は90゜移相器であるので、端子２での位
相遅延は90゜である。したがつて、端子１からの
信号は端子２と端子４では270゜−90゜＝180゜の位相
差が生じ、両端子間に逆相分配される。また、端
子３からの信号は1/4波長線路６および７を伝播
して端子２と端子４に同相分配される。すなわ
ち、本回路は180゜ハイブリツドとして動作する。
本発明180゜ハイブリツドの４端子インピーダン
スを50Ωとするには、ランゲ結合器１１の端子１
１−１、端子１１−４間の映像インピーダンスを
約70Ωにする必要がある。たとえば、基板厚
150μmのガリウムひ素基板上にマイクロストリツ
プ回路で動作周波数7GHzの180゜ハイブリツドを
形成する場合、ランゲ結合器の寸法は結合長４
mm、結合間隔64μmとなり、金蒸着プロセスにお
いて特に高い精度を必要としない。また、本発明
180゜ハイブリツドに必要な接地９および１０はい
ずれも回路の外側にあるため、これら接地９およ
び１０を基板の縁に位置することにより、基板に
貫通穴をあける必要がない。したがつて、本発明
によれば、集積回路基板に貫通穴をあけることな
く、通常の精度の金蒸着プロセスで、180゜ハイブ
リツドを構成することが可能である。
スを50Ωとするには、ランゲ結合器１１の端子１
１−１、端子１１−４間の映像インピーダンスを
約70Ωにする必要がある。たとえば、基板厚
150μmのガリウムひ素基板上にマイクロストリツ
プ回路で動作周波数7GHzの180゜ハイブリツドを
形成する場合、ランゲ結合器の寸法は結合長４
mm、結合間隔64μmとなり、金蒸着プロセスにお
いて特に高い精度を必要としない。また、本発明
180゜ハイブリツドに必要な接地９および１０はい
ずれも回路の外側にあるため、これら接地９およ
び１０を基板の縁に位置することにより、基板に
貫通穴をあける必要がない。したがつて、本発明
によれば、集積回路基板に貫通穴をあけることな
く、通常の精度の金蒸着プロセスで、180゜ハイブ
リツドを構成することが可能である。
（効果の説明）
以上説明したように本発明マイクロ波180゜ハイ
ブリツドは特に精度の高い製造プロセスを用いる
ことなく基板上に構成でき、かつ、基板に貫通穴
をあける必要がないため、集積回路化に適してい
る。本発明マイクロ波180゜ハイブリツドをバラン
スミクサや変調器などのマイクロ波集積回路に応
用した場合に製造歩留の向上が期待できる。
ブリツドは特に精度の高い製造プロセスを用いる
ことなく基板上に構成でき、かつ、基板に貫通穴
をあける必要がないため、集積回路化に適してい
る。本発明マイクロ波180゜ハイブリツドをバラン
スミクサや変調器などのマイクロ波集積回路に応
用した場合に製造歩留の向上が期待できる。
第１図は本発明180゜ハイブリツドの実施例、第
２図は従来の180゜ハイブリツドの例である。 １，２，３，４……180゜ハイブリツドの４端
子、５，６，７……1/4波長線路、８……結合線
路、９，１０……接地、１１……ランゲ結合、１
１−１，１１−２，１１−３，１１−４……ラン
ゲ結合器の四端子。
２図は従来の180゜ハイブリツドの例である。 １，２，３，４……180゜ハイブリツドの４端
子、５，６，７……1/4波長線路、８……結合線
路、９，１０……接地、１１……ランゲ結合、１
１−１，１１−２，１１−３，１１−４……ラン
ゲ結合器の四端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ３本の1/4波長線路と結合器が順にループ状
に結合され、各々の結合点を４個の入出力端子と
するマイクロ波180゜ハイブリツドにおいて、 前記結合器が４端子のランゲ結合器であり、 該ランゲ結合器の４端子のうち前記1/4波長線
路に結合しない外側の２端子が接地されることを
特徴とするマイクロ波180゜ハイブリツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396185A JPS6256002A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | マイクロ波１８０゜ハイブリツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396185A JPS6256002A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | マイクロ波１８０゜ハイブリツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256002A JPS6256002A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH0222561B2 true JPH0222561B2 (ja) | 1990-05-21 |
Family
ID=16316640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19396185A Granted JPS6256002A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | マイクロ波１８０゜ハイブリツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256002A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231501A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | １８０度ハイブリッド |
| JPH02190003A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Fujitsu Ltd | 位相反転器 |
| KR100515028B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-09-15 | 국방과학연구소 | 멀티-폴드 랑게 커플러를 사용한 ｍｍｉｃ 위상변위기 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19396185A patent/JPS6256002A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6256002A (ja) | 1987-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |