JPS6256002A - マイクロ波１８０゜ハイブリツド - Google Patents
マイクロ波１８０゜ハイブリツドInfo
- Publication number
- JPS6256002A JPS6256002A JP19396185A JP19396185A JPS6256002A JP S6256002 A JPS6256002 A JP S6256002A JP 19396185 A JP19396185 A JP 19396185A JP 19396185 A JP19396185 A JP 19396185A JP S6256002 A JPS6256002 A JP S6256002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- hybrid
- phase
- coupler
- terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波集積回路に適する１８０°ハイブリ
ッドに関するものである。
ッドに関するものである。
（従来の技術）
従来の１８０’ハイブリッドの例を第２図に示す。
第２図において、１．２．３．４は１８（１’ハイブリ
ッドの四端子、５．６．７は１／４波長線路、８は結合
線路、９．１０は接地である。この回路は、１／４波長
線路５．６．７が９０°移相器として動作し、結合線路
８が２７０°移相器として動作し。
ッドの四端子、５．６．７は１／４波長線路、８は結合
線路、９．１０は接地である。この回路は、１／４波長
線路５．６．７が９０°移相器として動作し、結合線路
８が２７０°移相器として動作し。
全体として１８０°ハイブリッドを構成している。
ところが、この１８０°ハイブリッドには次の２つの欠
点がある。
点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
■１８０°ハイブリッドの内側の点９を接地するために
集積回路基板に貫通穴をあける必要がある。
集積回路基板に貫通穴をあける必要がある。
■１８０’ハイブリッドの４端子１．２，３．４の端子
インピーダンスを５０Ωとするには、１／４波長線路５
，６．７の特性インピーダンスおよび結合線路８の映像
インピーダンスを７０Ωにする必要がある。たとえば、
基板厚０．１５ｍｍのＧａＡｓ基板上にマイクロストリ
ップ線路で動作周波数７ＧＨｚの１８０°ハイブリッド
を形成する場合、結合線路８は結合長４Ｉ、結合間隔１
μｍ以下となる。この寸法は通常の光エッチングと金属
蒸着プロセスでは実現が容易でないつ本発明の目的はこ
ｉｃらの欠点を除去し、マイクロ波集積回路に適した１
８０°ハイブリッドを提供することにある。
インピーダンスを５０Ωとするには、１／４波長線路５
，６．７の特性インピーダンスおよび結合線路８の映像
インピーダンスを７０Ωにする必要がある。たとえば、
基板厚０．１５ｍｍのＧａＡｓ基板上にマイクロストリ
ップ線路で動作周波数７ＧＨｚの１８０°ハイブリッド
を形成する場合、結合線路８は結合長４Ｉ、結合間隔１
μｍ以下となる。この寸法は通常の光エッチングと金属
蒸着プロセスでは実現が容易でないつ本発明の目的はこ
ｉｃらの欠点を除去し、マイクロ波集積回路に適した１
８０°ハイブリッドを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明マイクロ波１８０°ハイブリッドは、２７０゜移
相器の部分にランゲ結合器を用いることを特徴とする。
相器の部分にランゲ結合器を用いることを特徴とする。
従来必要であった集積回路基板の貫通穴が不要であり、
かつ、集積回路基板上で容易に実現可能な線路結合間隔
で回路を構成したことが従来の回路と異なる点である。
かつ、集積回路基板上で容易に実現可能な線路結合間隔
で回路を構成したことが従来の回路と異なる点である。
（作用）
ランゲ結合器を使用して外側端子を接地するので集積回
路基板の貫通孔が不要となり、従って集積回路化に適し
たハイブリッドが得られる。
路基板の貫通孔が不要となり、従って集積回路化に適し
たハイブリッドが得られる。
（実施例）
第１図は本発明の実施例であって、１，２．３．４は１
８０°ハイブリッドの４端子、５．６．７は１／４波長
線路、９，１０は接地、１１はランゲ結合器、１１−１
．１１−２．１１−３．１１−４はランゲ結合器の４つ
の端子である。この回路は、１／４波長線路５．６．７
が９０°移相器として動作し、ランゲ結合器１１が２７
０’移相器として動作し、全体として１８０’ハイブリ
ッドを構成している。
８０°ハイブリッドの４端子、５．６．７は１／４波長
線路、９，１０は接地、１１はランゲ結合器、１１−１
．１１−２．１１−３．１１−４はランゲ結合器の４つ
の端子である。この回路は、１／４波長線路５．６．７
が９０°移相器として動作し、ランゲ結合器１１が２７
０’移相器として動作し、全体として１８０’ハイブリ
ッドを構成している。
つぎに動作を説明する。端子」、から信号を入力すると
、１／４波長線路５とランゲ結合器１１に信号電力が二
等分される。ランゲ結合器１１の端子１１−１の入力信
号は端子１１−２および端子１１−３へそれぞれ位相遅
延９０°、０°で伝播するが、これらの端子１１−２．
１１−３は接地されているため、全反射し、全反射によ
って１８０”の位相回転が生じるので、反射波の合計の
位相遅延はそれぞれ２７０°、１８０゜となる、 １１
−２からの反射波は結合線１２−１ 、１２−３により
、位相遅延０″で１１−４に伝播され、１１−３からの
反射波は位相遅延９０＠で１１−４に伝播されるため、
これらの反射波はいずれも端子１１−４には位相遅延２
７０°で伝播され、同相合成される。一方。
、１／４波長線路５とランゲ結合器１１に信号電力が二
等分される。ランゲ結合器１１の端子１１−１の入力信
号は端子１１−２および端子１１−３へそれぞれ位相遅
延９０°、０°で伝播するが、これらの端子１１−２．
１１−３は接地されているため、全反射し、全反射によ
って１８０”の位相回転が生じるので、反射波の合計の
位相遅延はそれぞれ２７０°、１８０゜となる、 １１
−２からの反射波は結合線１２−１ 、１２−３により
、位相遅延０″で１１−４に伝播され、１１−３からの
反射波は位相遅延９０＠で１１−４に伝播されるため、
これらの反射波はいずれも端子１１−４には位相遅延２
７０°で伝播され、同相合成される。一方。
１／４波長線路５は９０″移相器であるので、端子２で
の位相遅延は９０°である。したがって、端子１からの
信号は端子２と端子４では２７０°−９０ａ＝１８０°
の位相差が生じ、両端子間に逆相分配される。また、端
子３からの信号は１／４波長線路６および７を伝播して
端子２と端子４に同相分配される。すなわち１本回路は
１８０°ハイブリッドとして動作する。
の位相遅延は９０°である。したがって、端子１からの
信号は端子２と端子４では２７０°−９０ａ＝１８０°
の位相差が生じ、両端子間に逆相分配される。また、端
子３からの信号は１／４波長線路６および７を伝播して
端子２と端子４に同相分配される。すなわち１本回路は
１８０°ハイブリッドとして動作する。
本発明１８０°ハイブリッドの４端子インピーダンスを
５０Ωとするには、ランゲ結合器１１の端子１１−１、
端子１１−４間の映像インピーダンスを約７０Ωにする
必要がある。たとえば、基板厚１５０μｍのガリウムひ
素基板上にマイクロストリップ回路で動作周波数７ＧＨ
ｚの１８０°ハイブリッドを形成する場合、ランゲ結合
器の寸法は結合長４ｍ、結合間隔６４μｍとなり、金蒸
着プロセスにおいて特に高い精度を必要としない。また
、本発明１８０°ハイブリッドに必要な接地９および１
０はいづれも回路の外側にあるため、これら接地９およ
び１０を基板の縁に位置することにより、基板に貫通穴
をあける必要がない。したがって、本発明によれば、集
積回路基板に貫通穴をあけることなく、通常の精度の金
蒸着プロセスで、１８０°ハイブリッドを構成すること
が可能である。
５０Ωとするには、ランゲ結合器１１の端子１１−１、
端子１１−４間の映像インピーダンスを約７０Ωにする
必要がある。たとえば、基板厚１５０μｍのガリウムひ
素基板上にマイクロストリップ回路で動作周波数７ＧＨ
ｚの１８０°ハイブリッドを形成する場合、ランゲ結合
器の寸法は結合長４ｍ、結合間隔６４μｍとなり、金蒸
着プロセスにおいて特に高い精度を必要としない。また
、本発明１８０°ハイブリッドに必要な接地９および１
０はいづれも回路の外側にあるため、これら接地９およ
び１０を基板の縁に位置することにより、基板に貫通穴
をあける必要がない。したがって、本発明によれば、集
積回路基板に貫通穴をあけることなく、通常の精度の金
蒸着プロセスで、１８０°ハイブリッドを構成すること
が可能である。
（効果の説明）
以上説明したようしこ本発明マイクロ波１８０”ハイブ
リッドは特に精度の高い製造プロセスを用いることなく
基板上に構成でき、かつ、基板に貫通穴をあける必要が
ないため、集積回路化に適している。本発明マイクロ波
１８０°ハイブリッドをバランスミクサや変調器などの
マイクロ波集積回路に応用した場合に製造歩留の向上が
期待できる６
リッドは特に精度の高い製造プロセスを用いることなく
基板上に構成でき、かつ、基板に貫通穴をあける必要が
ないため、集積回路化に適している。本発明マイクロ波
１８０°ハイブリッドをバランスミクサや変調器などの
マイクロ波集積回路に応用した場合に製造歩留の向上が
期待できる６
第１図は本発明１８００ハイブリッドの実施例、第２図
は従来の１８０”ハイブリッドの例である。 １．２．３．４・・・１８０°ハイブリッドの４端子５
．６．７・・・１／４波長線路 ８・・・結合線路 ９．１０・・・接地 １１・・・ランゲ結合 １１−１．１１．−２．１１−３．１１−４・・・ラン
ゲ結合器の西端子
は従来の１８０”ハイブリッドの例である。 １．２．３．４・・・１８０°ハイブリッドの４端子５
．６．７・・・１／４波長線路 ８・・・結合線路 ９．１０・・・接地 １１・・・ランゲ結合 １１−１．１１．−２．１１−３．１１−４・・・ラン
ゲ結合器の西端子
Claims (1)
- ３本の１／４波長線路と結合器が順にループ状に結合さ
れ、各々の結合点を４個の入出力端子とするマイクロ波
１８０°ハイブリッドにおいて、前記結合器が４端子の
ランゲ結合器であり、該ランゲ結合器の４端子のうち前
記１／４波長線路に結合しない外側の２端子が接地され
ることを特徴とするマイクロ波１８０°ハイブリッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396185A JPS6256002A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | マイクロ波１８０゜ハイブリツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396185A JPS6256002A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | マイクロ波１８０゜ハイブリツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256002A true JPS6256002A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH0222561B2 JPH0222561B2 (ja) | 1990-05-21 |
Family
ID=16316640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19396185A Granted JPS6256002A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | マイクロ波１８０゜ハイブリツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256002A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231501A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | １８０度ハイブリッド |
| US5107223A (en) * | 1989-01-19 | 1992-04-21 | Fujitsu Limited | Phase inverter and push-pull amplifier using the same |
| KR100515028B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-09-15 | 국방과학연구소 | 멀티-폴드 랑게 커플러를 사용한 ｍｍｉｃ 위상변위기 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19396185A patent/JPS6256002A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231501A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | １８０度ハイブリッド |
| US5107223A (en) * | 1989-01-19 | 1992-04-21 | Fujitsu Limited | Phase inverter and push-pull amplifier using the same |
| KR100515028B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-09-15 | 국방과학연구소 | 멀티-폴드 랑게 커플러를 사용한 ｍｍｉｃ 위상변위기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222561B2 (ja) | 1990-05-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |