JPH02210844A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02210844A JPH02210844A JP1032158A JP3215889A JPH02210844A JP H02210844 A JPH02210844 A JP H02210844A JP 1032158 A JP1032158 A JP 1032158A JP 3215889 A JP3215889 A JP 3215889A JP H02210844 A JPH02210844 A JP H02210844A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置のチップの分割及びグイボンディング工程を
含む半導体装置の製造方法に関し、グイボンディングの
処理を簡素化することを目的とし、 半導体ウェハの回路非形成面に接着剤を塗布する工程と
、搬送皿の上面に形成した粘着剤に上記接着剤を対向さ
せて上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する工程と、上
記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割す
る工程と、上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後に
上記接着剤の付着した上記チップを上記搬送皿から剥離
し、上記接着剤をリードフレームに対向させて該リード
フレーム上に上記チップを載置する工程とを含み構成す
る。
含む半導体装置の製造方法に関し、グイボンディングの
処理を簡素化することを目的とし、 半導体ウェハの回路非形成面に接着剤を塗布する工程と
、搬送皿の上面に形成した粘着剤に上記接着剤を対向さ
せて上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する工程と、上
記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割す
る工程と、上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後に
上記接着剤の付着した上記チップを上記搬送皿から剥離
し、上記接着剤をリードフレームに対向させて該リード
フレーム上に上記チップを載置する工程とを含み構成す
る。
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、半導体装置のチップの分割及びグイボンディング工程
を含む半導体装置の組立方法に関する。
、半導体装置のチップの分割及びグイボンディング工程
を含む半導体装置の組立方法に関する。
半導体ウェハに形成した半導体装置をチップ分割し、こ
のチップをリードフレームに装着する場合には、第3図
に例示するように、紫外線硬化性のある粘着剤50を塗
布した透明の搬送皿51の上に半導体ウェハ52を貼り
付け(第3図(a))、この半導体ウェハ52を複数の
チップ53に分割した後に(第3図(b))、搬送皿5
1の裏から紫外線を照射しく第3図(C))、紫外線硬
化性粘着剤50・を硬化してその粘着性を大幅に劣化さ
せた状態で各チップ53を剥離するようにしている。
のチップをリードフレームに装着する場合には、第3図
に例示するように、紫外線硬化性のある粘着剤50を塗
布した透明の搬送皿51の上に半導体ウェハ52を貼り
付け(第3図(a))、この半導体ウェハ52を複数の
チップ53に分割した後に(第3図(b))、搬送皿5
1の裏から紫外線を照射しく第3図(C))、紫外線硬
化性粘着剤50・を硬化してその粘着性を大幅に劣化さ
せた状態で各チップ53を剥離するようにしている。
そして、チップ53をリードフレーム54に装着する場
合には、第3図(d)に示すように、針材55によって
搬送皿51の裏からチップ53を押し上げながら真空チ
ャフ56を使用してチップ53を持ち上げ、リードフレ
ーム54のステージに滴下した樹脂接着剤や銀ペースト
等の貼着剤57の上にチップ53を置くようにしている
。
合には、第3図(d)に示すように、針材55によって
搬送皿51の裏からチップ53を押し上げながら真空チ
ャフ56を使用してチップ53を持ち上げ、リードフレ
ーム54のステージに滴下した樹脂接着剤や銀ペースト
等の貼着剤57の上にチップ53を置くようにしている
。
しかし、リードフレーム54上に貼着剤57を滴下する
場合には1.その供給量が不均一になり易く、滴下量が
少ない場合にはチップ53が剥がれ易くなり、多い場合
には貼着剤57により周辺が汚染されるといった不都合
がある。
場合には1.その供給量が不均一になり易く、滴下量が
少ない場合にはチップ53が剥がれ易くなり、多い場合
には貼着剤57により周辺が汚染されるといった不都合
がある。
このため、グイボンディングを行う毎に貼着剤57等を
供給したりその滴下量を管理する必要が生じ、グイボン
ディング処理の管理機構を複雑にするといった問題があ
る。
供給したりその滴下量を管理する必要が生じ、グイボン
ディング処理の管理機構を複雑にするといった問題があ
る。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、グイボンディングの処理を簡素化できる半導体装置
の製造方法を堤供することを目的とする。
て、グイボンディングの処理を簡素化できる半導体装置
の製造方法を堤供することを目的とする。
上記した課題は、半導体ウェハ1の回路非形成面に接着
剤4を塗布する工程と、搬送皿6の上面に形成した粘着
剤5に上記接着剤4を対向させて上記半導体ウェハ1を
該搬送皿6に載置する工程と、上記搬送皿6上の上記半
導体ウェハ1を複数のチップ8に分割する工程と、上記
搬送皿6上の上記粘着剤5を硬化させた後に上記接着剤
4が付着した上記チップ8を上記搬送皿6から剥離し、
上記接着剤4をリードフレーム11のステージ等の半導
体チップ載置基体に対向させて該半導体チップ載置基体
上に上記チップ8を載置する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法により解決する。
剤4を塗布する工程と、搬送皿6の上面に形成した粘着
剤5に上記接着剤4を対向させて上記半導体ウェハ1を
該搬送皿6に載置する工程と、上記搬送皿6上の上記半
導体ウェハ1を複数のチップ8に分割する工程と、上記
搬送皿6上の上記粘着剤5を硬化させた後に上記接着剤
4が付着した上記チップ8を上記搬送皿6から剥離し、
上記接着剤4をリードフレーム11のステージ等の半導
体チップ載置基体に対向させて該半導体チップ載置基体
上に上記チップ8を載置する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法により解決する。
本発明によれば、回路非形成面に接着剤4を塗布した半
導体ウェハ1を、搬送皿6上面の貼着剤5に載置し、こ
の状態でチップ分割を行った後に、粘着剤5を硬化させ
て接着剤の付いたチップ8を搬送皿6から剥離し、この
後に、チップ8をそのリードフレーム11上に載置して
接着剤4が粘着するようにしたので、チップ8をリード
フレーム11に載置するだけで簡単にグイボンディング
することが可能になり、チップの組立時間の短縮が図れ
ることになる。
導体ウェハ1を、搬送皿6上面の貼着剤5に載置し、こ
の状態でチップ分割を行った後に、粘着剤5を硬化させ
て接着剤の付いたチップ8を搬送皿6から剥離し、この
後に、チップ8をそのリードフレーム11上に載置して
接着剤4が粘着するようにしたので、チップ8をリード
フレーム11に載置するだけで簡単にグイボンディング
することが可能になり、チップの組立時間の短縮が図れ
ることになる。
しかも、粘着剤5を硬化した状態においても、その裏面
の接着剤4によりチップが搬送皿6に貼り付いているた
めに、チップ8のズレを確実に防止することができ、チ
ップの組立作業を円滑に行えることになる。
の接着剤4によりチップが搬送皿6に貼り付いているた
めに、チップ8のズレを確実に防止することができ、チ
ップの組立作業を円滑に行えることになる。
第12図は、本発明の一実施例の工程を示す斜視図と断
面図であって、まず、半導体ウェハ1のうち半導体回路
を形成した表側の面を保護するために、半導体ウェハ1
をスピナー2の載置台3に吸着固定し、その表側の面に
フォトレジストのような保護剤を塗布する。そしてこの
後に、半導体ウェハ1を裏返しにしてスピナー2の載置
台3に再び固定する。
面図であって、まず、半導体ウェハ1のうち半導体回路
を形成した表側の面を保護するために、半導体ウェハ1
をスピナー2の載置台3に吸着固定し、その表側の面に
フォトレジストのような保護剤を塗布する。そしてこの
後に、半導体ウェハ1を裏返しにしてスピナー2の載置
台3に再び固定する。
この状態において、第1図(8)に示すように、スピナ
ー2から露出した半導体ウェハlの裏面にエポキシ樹脂
等よりなる接着剤4を滴下しながらスピナー2を回転さ
せると、半導体ウェハlの惠面金域には遠心力により接
着剤4が一様に塗布されることになる。
ー2から露出した半導体ウェハlの裏面にエポキシ樹脂
等よりなる接着剤4を滴下しながらスピナー2を回転さ
せると、半導体ウェハlの惠面金域には遠心力により接
着剤4が一様に塗布されることになる。
次に、第1図(b)に示すように、紫外線の照射によっ
て硬化する粘着剤5を上面に塗布した搬送皿6を使用し
てこの上に半導体ウェハ1を載置し、第2図(a) 、
(b)に示すようにして搬送皿6の粘着剤5形成面と
半導体ウェハ1の接着剤4形成面を合わせる。ここで用
いる搬送皿6は、ポリエチレンのような紫外線透過性の
材料により形成されており、その上面の半導体ウェハ1
を囲む領域に、紫外線硬化性粘着剤5を介してフレーム
7を取付けたものである。紫外線硬化性粘着剤5には、
例えばプレポリマーとしてエポキシアクリレート、七ツ
マ−として2エチルへキシルアルキレート、光開始剤と
してベンジル、増感剤としてジ−n−ブチルアミン等を
混合したものを用いる。
て硬化する粘着剤5を上面に塗布した搬送皿6を使用し
てこの上に半導体ウェハ1を載置し、第2図(a) 、
(b)に示すようにして搬送皿6の粘着剤5形成面と
半導体ウェハ1の接着剤4形成面を合わせる。ここで用
いる搬送皿6は、ポリエチレンのような紫外線透過性の
材料により形成されており、その上面の半導体ウェハ1
を囲む領域に、紫外線硬化性粘着剤5を介してフレーム
7を取付けたものである。紫外線硬化性粘着剤5には、
例えばプレポリマーとしてエポキシアクリレート、七ツ
マ−として2エチルへキシルアルキレート、光開始剤と
してベンジル、増感剤としてジ−n−ブチルアミン等を
混合したものを用いる。
この後で、図示しないダイシングソーによって半導体ウ
ェハlに切り込みを入れ、第2図(c)に示すようなチ
ップ分割を行う、この状態では、搬送皿6上の粘着剤5
及び接着剤4は粘着性を保持しているために複数のチッ
プ8はその配列を維持している。
ェハlに切り込みを入れ、第2図(c)に示すようなチ
ップ分割を行う、この状態では、搬送皿6上の粘着剤5
及び接着剤4は粘着性を保持しているために複数のチッ
プ8はその配列を維持している。
この段階でプロービングを行う、即ち、チップ8の選別
を行って不良チップ8にマークを付ける。
を行って不良チップ8にマークを付ける。
以上のような工程を終えた後に、チップ8のボンディン
グを行う場所に搬送皿6を搬送してこれを所定位置に固
定し、第2図(d)に示すようにその裏側から紫外光を
照射すると、搬送皿6上面に形成した紫外線硬化性の粘
着剤5は搬送皿6を透過した紫外、光によって硬イ(す
るためにその粘着性がなくなる上に、その表面の平坦性
が悪いため、チップ8裏面の接着剤4は粘着剤5から剥
がれ易い状態となる。
グを行う場所に搬送皿6を搬送してこれを所定位置に固
定し、第2図(d)に示すようにその裏側から紫外光を
照射すると、搬送皿6上面に形成した紫外線硬化性の粘
着剤5は搬送皿6を透過した紫外、光によって硬イ(す
るためにその粘着性がなくなる上に、その表面の平坦性
が悪いため、チップ8裏面の接着剤4は粘着剤5から剥
がれ易い状態となる。
そこで、第2図(e)に示すように、下方から搬送皿6
に針10を貫通させてそのチップ8を持ち上げるととも
に、真空チャック9を用いて半導体チップ8を引き上げ
ると、そのチップ8は搬送皿6から離脱する。
に針10を貫通させてそのチップ8を持ち上げるととも
に、真空チャック9を用いて半導体チップ8を引き上げ
ると、そのチップ8は搬送皿6から離脱する。
そして、チップ8を吸着した状態で真空チャック9をリ
ードフレーム11中央のステージの上方まで移動させ、
第2図(f)に示すようにチップ8をそのステージに載
置した後に真空チャック9の吸引を解くと、チップ8の
裏側の面には接着剤4が全面に塗布されているため、リ
ードフレームll上にチップ8が貼り付いた状態となる
。そこで、エポキシ樹脂性の接着剤4を熱硬化させると
チップ8はリードフレーム11に強固に固定されること
になる。
ードフレーム11中央のステージの上方まで移動させ、
第2図(f)に示すようにチップ8をそのステージに載
置した後に真空チャック9の吸引を解くと、チップ8の
裏側の面には接着剤4が全面に塗布されているため、リ
ードフレームll上にチップ8が貼り付いた状態となる
。そこで、エポキシ樹脂性の接着剤4を熱硬化させると
チップ8はリードフレーム11に強固に固定されること
になる。
なお、上記した実施例では接着剤4にエポキシ樹脂系の
材料を使用したが、その他の合成樹脂、合成ゴム等より
なる材料を使用することもできる。
材料を使用したが、その他の合成樹脂、合成ゴム等より
なる材料を使用することもできる。
また、搬送皿6の材料を、紫外光を透過するポリオキシ
メチレン、ポリ塩化ビニル等により構成することもでき
る。
メチレン、ポリ塩化ビニル等により構成することもでき
る。
〔発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、裏側の面に接着剤を
塗布した半導体ウェハを、搬送皿上面の粘着剤に載置し
、この状態でチップ分割を行った後に、粘着剤を硬化さ
せて接着剤の付いたチップを剥離し、この後にリードフ
レームのような半導体チップ載置基体に接着剤が接合す
るようにチップをs!置するようにしたので、チップを
リードフレームに載置することにより簡単にグイボンデ
ィングすることが可能にダリ、チップの組立時間を短縮
することができる。
塗布した半導体ウェハを、搬送皿上面の粘着剤に載置し
、この状態でチップ分割を行った後に、粘着剤を硬化さ
せて接着剤の付いたチップを剥離し、この後にリードフ
レームのような半導体チップ載置基体に接着剤が接合す
るようにチップをs!置するようにしたので、チップを
リードフレームに載置することにより簡単にグイボンデ
ィングすることが可能にダリ、チップの組立時間を短縮
することができる。
しかも、搬送皿上の粘着剤を硬化した状態においても、
チップ裏面の接着剤によりチップが搬送皿に貼り付いて
いるために、チップのズレを確実に防止することができ
、チップの組立作業を円滑に行うことができる。
チップ裏面の接着剤によりチップが搬送皿に貼り付いて
いるために、チップのズレを確実に防止することができ
、チップの組立作業を円滑に行うことができる。
第1図は、本発明の一実施例の工程を示す斜視図、
第2図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図、
第3図は、従来方法の一例を示す断面図である。
(符号の説明)
1・・・半導体ウェハ、
2・・・スピナ−
3・・・載置台、
4・・・接着剤、
5・・・紫外線硬化性粘着剤、
6・・・搬送皿、
8・・・チップ、
9・・・真空チャック、
10・・・針、
11・・・リードフレーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハの回路非形成面に接着剤を塗布する工程と
、 搬送皿の上面に形成した粘着剤に上記接着剤を対向させ
て上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する、工程と、 上記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割
する工程と、 上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後に上記接着剤
が付着した上記チップを上記搬送皿から剥離し、上記接
着剤を半導体チップ載置基体に対向させて該半導体チッ
プ載置基体上に上記チップを載置する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3215889A JP2680104B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3215889A JP2680104B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02210844A true JPH02210844A (ja) | 1990-08-22 |
JP2680104B2 JP2680104B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=12351123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3215889A Expired - Lifetime JP2680104B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2680104B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04247640A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
EP1680803A2 (en) * | 2003-11-05 | 2006-07-19 | California Institute of Technology | Method for integrating pre-fabricated chip structures into functional electronic systems |
JP2007311727A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子の製造方法および半導体パッケージの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244751A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP3215889A patent/JP2680104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244751A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04247640A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
EP1680803A2 (en) * | 2003-11-05 | 2006-07-19 | California Institute of Technology | Method for integrating pre-fabricated chip structures into functional electronic systems |
EP1680803A4 (en) * | 2003-11-05 | 2009-12-23 | California Inst Of Techn | METHOD OF INTEGRATING PREFABRICATED CHU STRUCTURES IN FUNCTIONAL ELECTRONIC SYSTEMS |
JP2007311727A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子の製造方法および半導体パッケージの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2680104B2 (ja) | 1997-11-19 |
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