JP2006222119A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウェハ1の素子形成面に表面保護シート11を貼り付ける。そして、表面保護シート11をウェハ単位で切断する。このとき、ウェハの外側にはみ出す切り残し14が発生する。続いて、ウェハ1の素子形成面とは反対側の面から紫外線照射ランプ15aによって紫外線を照射する。すると、ウェハ1がマスクとなり、切り残し14に形成されている紫外線硬化型粘着材11bだけが硬化する。
【選択図】 図8
Description
本実施の形態1における半導体装置の製造方法について図4から図19を参照しながら説明する。以下の説明では、ウェハの素子形成面上に紫外線硬化性の表面保護テープを貼り付けた後、ウェハの裏面(素子形成面とは反対側の面)を研削する工程(バックグラインド工程)などについて説明する。なお、表面保護テープを貼り付けてウェハの裏面を研削する技術については、例えば、PCT/JP04/010550号、特願2004−36966号および特開2004−146645号公報に記載されている。
このように、ウェハ1をマスクにして紫外線を照射することにより、ウェハ1からはみ出した切り残し14においてだけ紫外線硬化型粘着材11bを硬化させることができる。
前記実施の形態1ではウェハ上にバンプ電極を形成しない例について説明したが、本実施の形態1ではバンプ電極を形成したウェハ(例えばICカードの製造に使用される)を使用して半導体装置を製造する例について図面を参照しながら説明する。
2 ノッチ
3 オリエンテーションフラット
3a 端部
4 表面保護シート
5 研削材
6 基材
7 紫外線硬化型粘着材
10 ステージ
11 表面保護シート
11a 基材
11b 紫外線硬化型粘着材
12 ローラ
13 カッタ
14 切り残し
15 ステージ
15a 紫外線照射ランプ
16 研削材
17 フレーム
18 ダイシングテープ
19 ダイシングテーブル
20 円形刃
21 突き上げピン
22 コレット
23 配線基板
24 ペースト材
25a 絶縁性ペースト
25b 絶縁性ペースト
26 電極パッド
27 接続パッド
28 基板内配線
29 ボンディングワイヤ
30 樹脂
31 バンプ電極
40 一貫処理装置
41 表面保護シート貼付部
42 紫外線照射部
43 ウェハ供給カセット
44 搬送装置
45 チャックテーブル
46 供給リール
47 巻き取りリール
48 回転ローラ
49 カッタ駆動部
50 カッタ
51 搬送装置
52 紫外線照射装置
53 上蓋
54 搬送装置
55 ウェハ収納カセット
60 バンプ電極
61 フィルム基板
62 接着剤
63 インナーリード
64 ソルダレジスト
65 樹脂
66 フィルム基板
67 インナーリード
68 ソルダレジスト
69 アンダーフィル材
C1〜C4 チップ
Claims (15)
- (a)紫外線を照射することにより硬化する粘着材を含む表面保護シートを、半導体ウェハの素子形成面に貼り付ける工程と、
(b)前記表面保護シートを前記半導体ウェハ単位で切断する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面から、紫外線を照射する工程と、
(d)前記(c)工程後、前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を研削する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 前記(d)工程を実施した後の前記半導体ウェハの厚さは100μm未満である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)工程を実施した後の前記半導体ウェハの厚さは90μm未満である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)工程を実施した後の前記半導体ウェハの厚さは70μm未満である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(c)工程は、前記半導体ウェハをマスクにして前記表面保護シートに紫外線を照射する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(c)工程は、前記半導体ウェハ上に貼り付けられた前記表面保護シートには紫外線が照射されず、前記半導体ウェハからはみ出した前記表面保護シートの部分にのみ紫外線が照射される請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハをウェハカセットから取り出した後、前記(a)工程、前記(b)工程および前記(c)工程までを連続して実施し、前記(c)工程を終了した後に前記半導体ウェハを前記ウェハカセットに戻す請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハの素子形成面にはバンプ電極が形成されている請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バンプ電極は金を主成分とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(c)工程で紫外線を照射した領域の前記粘着材が硬化することにより、接着力が紫外線を照射する前に比べて弱くなる請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(d)工程は、砥石を使用して前記半導体ウェハを研削し、
前記(c)工程で紫外線を照射した領域の前記粘着材が硬化することにより、接着力が前記砥石につかない程度に弱まる請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - (a)紫外線を照射することにより硬化する粘着材を含む表面保護シートを、半導体ウェハの素子形成面に貼り付ける工程と、
(b)前記表面保護シートを前記半導体ウェハ単位で切断する工程と、
(c)前記表面保護シートの局所領域に紫外線を照射する工程と、
(d)前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を研削する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 前記局所領域は、前記半導体ウェハの周辺部にある特異領域からはみ出した領域である請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記特異領域は、前記半導体ウェハに形成されたノッチである請求項13記載の半導体装置の製造方法。
- 前記特異領域は、前記半導体ウェハに形成されたオリエンテーションフラットの端部領域である請求項13記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005031590A JP2006222119A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005031590A JP2006222119A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2006222119A true JP2006222119A (ja) | 2006-08-24 |
Family
ID=36984249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005031590A Pending JP2006222119A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006222119A (ja) |
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