JPH10242083A - ダイシング方法 - Google Patents

ダイシング方法

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JPH10242083A
JPH10242083A JP4203397A JP4203397A JPH10242083A JP H10242083 A JPH10242083 A JP H10242083A JP 4203397 A JP4203397 A JP 4203397A JP 4203397 A JP4203397 A JP 4203397A JP H10242083 A JPH10242083 A JP H10242083A
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dicing
ultraviolet
semiconductor wafer
frame
tape
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Takashi Mori
俊 森
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウェーハをダイシングして形成される個
々のチップの細かな欠け(チッピング)を減少させるこ
とにより、チップの品質の向上を図る。 【解決手段】半導体ウェーハをフレームに保持するため
のテープとして紫外線硬化型ダイシング用テープを使用
し、ダイシング前に、当該紫外線硬化型ダイシング用テ
ープに僅かに紫外線を照射して粘着力を若干低下させる
ことにより、柔軟性を低下させて半導体ウェーハの保持
状態を安定化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
ダイシング方法に関するもので、詳しくは、半導体ウェ
ーハを保持するためのテープとして紫外線硬化型ダイシ
ング用テープを使用し、この紫外線硬化型ダイシング用
テープに対してダイシング前に紫外線を僅かに照射する
ことにより、ダイシングにより形成されるチップの品質
の向上を図ったダイシング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハWのダイシングを行う図
5に示したダイシング装置20においては、半導体ウェ
ーハ10を粘着テープ11を介して保持したフレーム1
2は、カセット21内に25枚程収容されて、カセット
載置領域22に載置される。そして、カセット21内に
収容されたフレーム12は、ウェーハ搬出入手段23に
よってフレーム領域24まで搬出され、その後、第一の
搬送手段25の旋回動によってチャックテーブル26ま
で搬送され、吸引保持される。
【0003】チャックテーブル26に吸引保持された半
導体ウェーハ10は、チャックテーブル26の移動によ
ってアライメント手段27の直下に位置付けされると、
半導体ウェーハ10の面に形成されたIC等の半導体チ
ップを区画するストリートと称する切削ラインと、該ス
トリートを切削するブレード28との位置合わせを行う
ためのパターンマッチング等の画像処理がアライメント
手段27によって行われ、アライメントが遂行される。
【0004】上記アライメントがなされると、チャック
テーブル26は、ブレード28が挿着された切削領域ま
で移動し、該切削領域においてチャックテーブル26に
保持されたフレーム12に保持された半導体ウェーハ1
0のストリートは、ブレード28により切削されて、ダ
イシングが遂行される。
【0005】ダイシングが完了すると、チャックテーブ
ル26は、ダイシング前に半導体ウェーハ10が第一の
搬送手段25によって搬送された位置まで戻る。そし
て、チャックテーブル26の吸引力が解除され、半導体
ウェーハ10を保持したフレーム12は、第二の搬送手
段29によって吸着され、洗浄兼スピン乾燥領域30ま
で搬送されて、洗浄、スピン乾燥が行われる。
【0006】洗浄兼スピン乾燥領域30において半導体
ウェーハ10の洗浄、スピン乾燥が行われた後、半導体
ウェーハ10は、第一の搬送手段25の旋回動によって
フレーム領域24まで搬送され、ウェーハ搬出入手段2
3によってカセット21内の所定場所に搬入されて一連
のダイシング作業が終了する。
【0007】このようにダイシングが行われると、半導
体ウェーハ10は個々のチップに分割されるが、各チッ
プは依然として粘着テープ11を介してフレーム12に
保持されているため、粘着テープ11の粘着力によって
バラバラにならず、半導体ウェーハ10全体としてダイ
シング前の形状が維持されている。従って、ダイシング
後は、個々のチップを粘着テープ11から剥離させてピ
ックアップする工程が必要となる。
【0008】個々のチップの粘着テープ11からの剥離
を容易とするための一つの手法として、粘着テープに紫
外線硬化型ダイシング用テープを用いる手法が周知とな
っている。この手法によれば、ダイシング後に紫外線硬
化型ダイシング用テープに紫外線(UV)を十分に照射
することにより、接着力を充分に低下させることがで
き、接着力の低下により、次の工程で遂行されるチップ
のピックアップ作業も円滑に行うことができるのであ
る。
【0009】上記紫外線の照射をダイシングの一連の工
程で連続して行う場合は、ダイシング装置20におい
て、紫外線照射ユニット31aまたは31bを設けるこ
とによって、生産性を向上させることができる。
【0010】紫外線照射ユニット31aを配設させた場
合には、洗浄兼スピン乾燥領域30において洗浄及びス
ピン乾燥を終了したダイシング済の半導体ウェーハ10
を、第一の搬送手段25を用いてチャックテーブル26
からフレーム領域24に旋回させる過程において、紫外
線照射ユニット31aの直上に半導体ウェーハ10を位
置付けて紫外線の照射を行うことができる。
【0011】一方、紫外線照射ユニット31bを配設さ
せた場合には、ダイシング済の半導体ウェーハ10を紫
外線照射ユニット31bの上部に搬送するための手段、
例えば、図6に示すような紫外線照射用搬送手段40を
設けることが必要となる。
【0012】この紫外線搬送手段40は、カセット載置
領域22に載置したカセット21の開口部側の近傍から
紫外線照射ユニット31bの近傍にかけて設けた基部4
2と、基部42をPQ方向に摺動する搬送部43と、垂
直方向に上下する上下動部44と、上下動部44の先端
に設けた吸着部45とから構成されている。
【0013】第一の搬送手段25の旋回動により洗浄及
びスピン乾燥領域30から搬送されてフレーム領域24
に載置されたフレーム12は、上下動部44が降下する
ことによって吸着部45によって吸着される。そして、
吸着状態を維持したまま、上下動部44を若干上昇さ
せ、搬送部43をP方向に移動させて紫外線照射ユニッ
ト31bの直上に位置付け、必要であれば上下動部44
若干降下させることによって、紫外線硬化型ダイシング
用テープ11に紫外線が充分に照射され、接着力が弱ま
る。
【0014】紫外線の照射後は、搬送部43をQ方向に
摺動させると共に、上下動部44を降下させ、吸着部4
5による吸着を解除して再びフレーム領域24にフレー
ム12を載置する。そして、ダイシング後の半導体ウェ
ーハ10を粘着力の弱まった紫外線硬化型ダイシング用
テープ11により保持したフレーム12は、搬出入手段
23によって、カセット21内に収容される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来例のよう
に、粘着テープとして紫外線硬化型ダイシング用テープ
を用いた場合でも、ダイシング時には紫外線の照射が未
だ行われていないため、半導体ウェーハは、紫外線硬化
型ダイシング用テープの強力な粘着力により保持されて
いる。
【0016】また、紫外線硬化型ダイシング用テープ
は、粘着力の低下に伴って柔軟性も低下し、硬化すると
いう性質を有しており、紫外線照射前の粘着力が強力な
ときは、柔軟性も高くなっている。従って、この柔軟性
が原因となって、ダイシング時の半導体ウェーハの保持
状態が不安定になるという問題がある。
【0017】この不安定な保持状態は、ストリートの切
削時に、図7に示すチップ50のように細かな欠け(チ
ッピング)51が生ずる原因となっており、このチッピ
ング51は、チップ50がICパッケージにパッケージ
ングされる際に割れの原因となったり、パッケージング
後の電流のオン/オフの断続によってクラックが生じた
りする原因となったりするものである。
【0018】従って、従来のダイシングにおいては、半
導体ウェーハを安定的に保持することによりチッピング
を減少させ、チップの品質の向上を図ることに解決しな
ければならない課題を有している。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明は、少なくとも、半導体ウェーハ
を紫外線硬化型ダイシング用テープを介してフレームに
配設する工程と、半導体ウェーハをダイシングする前
に、紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに
照射する工程と、該紫外線硬化型ダイシング用テープの
接着剤が僅かに硬化した状態でダイシングを遂行するダ
イシング工程とを含むダイシング方法、及び、少なくと
も、半導体ウェーハを紫外線硬化型ダイシング用テープ
を介してフレームに配設する工程と、該フレームに配設
された半導体ウェーハをカセットに収納し、ダイシング
装置のカセット載置領域に載置する工程と、フレームに
配設された半導体ウェーハをカセットから搬出し、ダイ
シングを遂行するまでの間に紫外線硬化型ダイシング用
テープに紫外線を僅かに照射する工程と、該紫外線硬化
型ダイシング用テープの粘着性が僅かに硬化した状態で
ダイシングを遂行するダイシング工程とを含むダイシン
グ方法を提供するものである。
【0020】また、ダイシング工程が終了した後に、紫
外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を充分照射して
接着力を充分低下させる工程を含むこと、紫外線を僅か
に照射する工程では、JIS Z0237に準ずる接着
力が、略1200g/25mmに低下するようにしたこ
と、を付加的要件として含むものである。
【0021】半導体ウェーハをダイシングする前に、紫
外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに照射す
る工程を含むことにより、紫外線硬化型ダイシング用テ
ープの接着力が低下し、これに伴い柔軟性も低下して硬
化するので、切削時に半導体ウェーハのテープと接着し
ている面(裏面)の溝周辺に生じる細かな欠け(チッピ
ング)が生じることがなく、チップの品質を向上させる
ことができる。
【0022】また、紫外線硬化型ダイシング用テープ
は、僅かに硬化しているため、ダイシングによるビビリ
振動も少なく、半導体ウェーハの表面に形成される切削
溝の周辺にもチッピングが生じにくく、チップの品質を
より向上させることができる。
【0023】更に、フレームに配設された半導体ウェー
ハをカセットから搬出し、ダイシングを遂行するまでの
間に紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに
照射する工程を含むことにより、一連の工程内において
紫外線の僅かな照射を効率的に行うことができる。
【0024】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図1に示すフローチャートを参照して詳細に説明す
る。なお、本発明に係るダイシング方法の実施に当たっ
ては、従来の技術で説明したダイシング装置20がその
まま使用できるので、図5及び図6を参照して説明する
こととする。
【0025】ダイシングしようとする半導体ウェーハ1
0は、図2に示すように、紫外線硬化型ダイシング用テ
ープ11を介しフレーム12に配設し(ステップST
1)、このフレーム12は、カセット21に25枚程収
容されてカセット載置領域22に載置される(ステップ
ST2)。そして、カセット載置領域22に載置された
カセット21に収容されたフレーム12は、ウェーハ搬
出入手段23によってフレーム領域24まで搬出される
(ステップST3)。
【0026】次に、半導体ウェーハ10を保持したフレ
ーム12は、第一の搬送手段25に吸着され、第一の搬
送手段25が旋回動することによりチャックテーブル2
6まで搬送されて吸引保持されるが、紫外線照射ユニッ
ト31aを配設させた場合は、フレーム12は第一の搬
送手段25の旋回時、即ち、フレーム12をカセット2
1から搬出後、チャックテーブル26に搬送するまでの
間に、紫外線照射ユニット31aの上部に位置づけら
れ、このときに紫外線の照射を受けることができる(ス
テップST4)。
【0027】紫外線硬化型ダイシング用テープ11は、
紫外線を充分照射することによって、例えばJIS規格
JIS Z0237に準ずる接着力測定で2400g/
25mmの接着力が30g/25mmまで低下するもの
であり、それに伴って柔軟性も低下する性質を有してい
る。
【0028】従って、ここで僅かに紫外線を照射するこ
とにより、紫外線硬化型ダイシング用テープ11の接着
力をJIS規格JIS Z0237に準ずる接着力測定
で略1200g/25mmに若干低下させると共に、柔
軟性も低下して適宜に硬化され、半導体ウェーハ10の
保持状態が安定化される。
【0029】このように紫外線の照射を行った後、半導
体ウェーハ10を保持したフレーム12は、第一の搬送
手段25の旋回動によりチャックテーブル26に搬送さ
れて吸引保持される(ステップST5)。そして、半導
体ウェーハ10は、チャックテーブル26の移動によっ
てアライメント手段27の直下に位置付けられ、パター
ンマッチング等の画像処理によってストリートが検出さ
れ、切削ブレード28との精密位置合わせ(アライメン
ト)が遂行される。このアライメントが行われた半導体
ウェーハ10は、チャックテーブル26の移動によって
切削ブレード28の作用を受け、ストリートが切削され
ダイシングされる(ステップST6)。
【0030】このようにして全てのストリートが切削さ
れた半導体ウェーハ10は、図3に示したように、矩形
状に分割されて、個々のチップとなる。
【0031】また、紫外線照射ユニット31bを配設さ
せた場合は、第一の搬送手段25による搬送の過程では
半導体ウェーハ10に紫外線を照射することができない
ため、従来同様紫外線照射用搬送手段を設ける必要があ
る。なお、この紫外線照射用搬送手段としては、従来の
技術で示した紫外線照射用搬送手段40をそのまま使用
できるため、図6を参照して説明する。
【0032】紫外線照射ユニット31bにより半導体ウ
ェーハ10を保持する紫外線硬化型ダイシング用テープ
11に紫外線を照射するためには、先ず、ウェーハ搬出
入手段23によってカセット21から取り出されてフレ
ーム領域24に載置された半導体ウェーハ10の直上に
吸着部45を移動させ、上下動部44を下降させて吸着
部45によって半導体ウェーハ10を吸着保持し、上下
動部44を上昇させる。
【0033】そして半導体ウェーハ10を吸着保持した
まま搬送部43をP方向に摺動させて、半導体ウェーハ
10が紫外線照射ユニット31bの直上に位置付けされ
ると、半導体ウェーハ10を保持する紫外線硬化型ダイ
シング用テープ11に紫外線が僅かに照射される(ステ
ップST4)。紫外線の照射後は再び搬送部43をQ方
向に摺動させてフレーム領域24の直上にフレーム12
を位置づけし、上下動部44を下降させると共に、吸着
部45による吸着を解いて、フレーム12をフレーム領
域24に載置する。
【0034】その後は前記したのと同様に第一の搬送手
段25の旋回によってフレーム12がチャックテーブル
26に吸引保持され(ステップST5)、前記同様の手
順によってダイシングが遂行される(ステップST
6)。
【0035】ダイシングが完了すると、チャックテーブ
ル26は、ダイシング前に第一の搬送手段25によって
半導体ウェーハ10が搬送されてきた位置まで戻る。そ
して、チャックテーブル26の吸引力が解除され、半導
体ウェーハ10を保持したフレーム12は、第二の搬送
手段29によって洗浄兼スピン乾燥領域30まで搬送さ
れ、洗浄、乾燥される。
【0036】なお、半導体ウェーハ10が個々のチップ
に分割された後も、各チップは依然として紫外線硬化型
ダイシング用テープ11を介してフレーム12に保持さ
れているため、紫外線硬化型ダイシング用テープ11の
粘着力によってバラバラにならず、半導体ウェーハ10
全体としてダイシング前の形状が維持されている。従っ
て、個々のチップを紫外線硬化型ダイシング用テープ1
1から剥離させてピックアップする前に紫外線硬化型ダ
イシング用テープ11に紫外線を十分に照射することに
より、接着力が充分に低下し、チップのピックアップを
円滑に行うことができる(ステップST7)。なお、こ
こでの紫外線の照射は、従来例と同様の手法により行う
ことができる。
【0037】紫外線の照射後は、接着力の低下した紫外
線硬化型ダイシング用テープ11を介して半導体ウェー
ハ10を保持したフレーム12を、搬出入手段23によ
りカセット21の所定の位置に収容する(ステップST
8)。
【0038】以上のようにダイシングを行って形成され
た個々のチップは、切削前に僅かに紫外線を照射して柔
軟性を硬化させ、半導体ウェーハ10の保持状態を安定
化させてから切削したため、図4に示すチップ13のよ
うに、図7に示した従来のダイシング方法によって形成
されたチップ50と比較すると、紫外線硬化型ダイシン
グ用テープ11と接着されていた面(裏面)において、
チッピングが減少する。
【0039】また、半導体ウェーハ10の保持状態を安
定化させたため、ダイシング時のビビリ振動が少なく、
半導体ウェーハ10の表面に形成される切削溝の周辺に
もチッピングが生じにくくなる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るダイ
シング方法は、半導体ウェーハをダイシングする前に、
紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに照射
する工程を含むことにより、紫外線硬化型ダイシング用
テープの接着力が僅かに低下し、これに伴い柔軟性も低
下して硬化するので、切削時に半導体ウェーハのテープ
と接着している面(裏面)の溝周辺に生じる細かな欠け
(チッピング)が生じることがなく、チップの品質を向
上させることができる。従って、チップがパッケージン
グされる際に、割れたり、ON/OFFによる電流の断
続によるクラックが生じたりすることがなくなる。
【0041】更に、フレームに配設された半導体ウェー
ハをカセットから搬出し、ダイシングを遂行するまでの
間に紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに
照射する工程を含むことにより、一連の工程内において
紫外線の僅かな照射を効率的に行うことができ、チップ
の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るダイシング方法の実施の形態の一
例を示したフローチャート図である。
【図2】同ダイシング方法による切削の対象となる半導
体ウェーハの保持状態を示す説明図である。
【図3】同ダイシング方法による切削後の半導体ウェー
ハの状態を示す説明図である。
【図4】同ダイシング方法による切削して形成されたチ
ップの状態を示す説明図である。
【図5】一般的に使用されている半導体ウェーハを切削
するためのダイシング装置を示す斜視図である。
【図6】一般的に使用されている半導体ウェーハを切削
するためのダイシング装置に備えた紫外線照射ユニット
及び紫外線照射用搬送手段を示す要部のみの斜視図であ
る。
【図7】従来のダイシング方法により切削して形成され
たチップの状態を示す説明図である。
【符号の説明】
10:半導体ウェーハ 11:紫外線硬化型ダイシング
用テープ 12:フレーム 13:チップ 14:チッピング 20:ダイシング装置 21:カセット 22:カセッ
ト載置領域 23:搬出入手段 24:フレーム領域 25:第一の
搬送手段 26:チャックテーブル 27:アライメント手段 2
8:ブレード 29:第二の搬送手段 30:洗浄及びスピン乾燥領域 31a、31b:紫外線照射ユニット 40:紫外線照射用搬送手段 42:基部 43:搬送部 44:上下動部 45:吸着部 50:チップ 51:チッピング

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも、半導体ウェーハを紫外線硬化
    型ダイシング用テープを介してフレームに配設する工程
    と、前記半導体ウェーハをダイシングする前に、前記紫
    外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに照射す
    る工程と、該紫外線硬化型ダイシング用テープの粘着性
    が僅かに硬化した状態でダイシングを遂行するダイシン
    グ工程とを含むダイシング方法。
  2. 【請求項2】少なくとも、半導体ウェーハを紫外線硬化
    型ダイシング用テープを介してフレームに配設する工程
    と、該フレームに配設された半導体ウェーハをカセット
    に収納し、ダイシング装置のカセット載置領域に載置す
    る工程と、前記フレームに配設された半導体ウェーハを
    前記カセットから搬出し、ダイシングを遂行するまでの
    間に前記紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅
    かに照射する工程と、該紫外線硬化型ダイシング用テー
    プの粘着性が僅かに硬化した状態でダイシングを遂行す
    るダイシング工程とを含むダイシング方法。
  3. 【請求項3】ダイシング工程が終了した後に、紫外線硬
    化型ダイシング用テープに紫外線を充分照射して接着力
    を充分低下させる工程を含む請求項1または2に記載の
    ダイシング方法。
  4. 【請求項4】紫外線を僅かに照射する工程では、JIS
    Z0237に準ずる接着力が、略1200g/25m
    mに低下するようにしたことを特徴とする請求項1、
    2、または3に記載のダイシング方法。
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