JPS5967553A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ１又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ｚｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）を母材トして
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−８ｔは、５ｔ−８ｔの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しておシ、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｌにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０’〜１０＠
Ω−ｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。従って、ａ−８ｔ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有［７ている。

そこで、このようなａ−８ｉ：Ｈに電位保持能を付与す
るため、ホウ素をドープすることによシ抵抗率を約１０
′！Ω−ｍにまで高めることができるが、ホウ素量をそ
のように正確に制御することは容易ではない上に、１０
１２Ω−ｍ程度の抵抗率でもカールソン方式による感光
プロセスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保
持特性もなお不十分である。また、ホウ素と共に微量の
酸素を導入することによシ１０１３０−副程度の高抵抗
化が可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導
電性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問
題が生じる。

またａ−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘って
大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で生
成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に関
して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１力
月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が著
しく低下することが分っている。更に、ａ−８，ｉ：Ｈ
はＡＩやステンレス等の支持体に対して膜付き（接着性
）が悪く、電子写真感光体として実用化する上で問題と
なる。

この対策として、特開昭５５−８７１５４号における如
きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５７号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
高分子化合物からなる接着層をａ−８ｔ：Ｈ層と支持体
との間に設けることが知られている。

しかしながら、これらの場合、接着層の形成とａ−８ｉ
：Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要があシ、そのた
めに新たな製膜装置を用い力ければならず、作業性が不
良となる。

しかも、ａ−８ｉ：Ｈ層を光導電性の良好なものとする
には、その製膜時の基板（支持体）温度を通常約２００
℃又はそれ以上に保持することを要するが、このような
温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができない
。

一方、ａ−８ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８ｔ：Ｈ（以下、ａ−８ｉＮ：Ｈと称すること
がある。）によって光導電層を形成することが、特開昭
５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の各
明細書に記載されている。この公知のａ−８ｉＮ：Ｈ層
は、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗ｆ）Ｄが約
ｌＸｌ０”Ω−ｍに高められ得ると共に、光導電性（感
度）にも優れている。しかしながら、本発明者の検討に
よれば、上記の公知の感光体においては、ａ−８ｉＮ：
Ｈ層への導電性支持体からの不要な電荷の注入が生じ易
いことが分った。

或いは、ａ−８ｉＮ：Ｈ層上に表面被覆層を設けた例も
あるが、表面被覆層は合成樹脂から形成されているにす
ぎないので、耐刷性をはじめ、耐熱性′、繰返し使用時
の電子写真特性の安定性、表面の化学的安定性、機械的
強度等が充分ではないことも分った。しかも上記の表面
被覆層は、ａ−８ｉＮ：Ｈ層へ入射すべき光を吸収若し
くは反射し易いために、光感度も低下させてしまうとい
う欠点がある。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えばＡｔ等の導電性支持体）とこの基
倖上に形成されかつ窒素原子を１〜３０ａｔｏｍｉｃ％
含有する窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコン（例えばａ−８ｉＮ：Ｈ）からなる光導
電層とを有する記録体において、前記光導電層の上側及
び／又は下側に、窒素原子を５０〜９０ａｔｏｍｉｅ％
含有する窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコン（例えばａ−８ｉＮ：Ｈ）層が表面改質
層及び／又は電荷ブロッキング層として形成されている
ことを特徴とする記録体に係るものでちる。

本発明によれば、光導電層は１〜３０ａｔｏｍｉｃ％の
窒素原子を含有し九ａ−８ｉで形成しているので、その
窒素量によって可視及び赤外領域の光に対し優れた感度
を示し、かつ固有抵抗の制御を窒素量及び不純物ドーピ
ング量で任意に行なえるものとなっている。

特に、ホウ素等のドーピングで１ｏ　１００−ｍ以上の
、ＰＤを示すので、光感度と共に電位保持能にも優れた
光導電層となる。

しかも、この光導電層の上側及び／又は下側には、窒素
原子を５０〜９０　ａｔｏｍｉｃ％含有したａ−８ｉ層
を表面改質層及び／又は電荷ブロッキング層として設け
ていることが極めて特徴的である０即ち、上記表面改質
層は耐熱性や表面硬度が高く、５０〜９０　ａｔｏｍｉ
ｃチの窒素量によって可視及び赤外領域の光を効果的に
透過させ得る窓材として機能する。このため、耐刷性、
耐熱性、光感度、繰返し使用時の電子写真特性の安定性
、感光体表面の化学的安定性、機絨的強度、保存中の経
時変化の防止作用等を著しく向上させることができる。

また、電荷ブロッキング層として上記窒素原子含有ａ−
８ｔ層を設けると、５０〜９０ａｔｏｍｉｃ　％の窒素
量によって高抵抗を示し、基体からの不要なキャリアの
注入を防止して感光体の帯電電位の保持能を著しく向上
させることができ、かつ基体との接着性も充分となる。

このブロッキング効果は、不純物ドーピングによって更
に向上する。

加えて、本発明における光導電層、電荷ブロッキング層
（又は表面改質層）は窒素量が異なるａ−８ｔからなっ
ているので、後述する方法等によって窒素供給量を変え
るだけで各層を連続形成でき、作業性や制御性が非常に
良好となる。

以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図〜第５図には、感光体の構造が例示されている。

第１図の感光体は、Ａｔ等の導電性支持体基板１上に、
ａ−８ｉＮ：Ｈ（窒素量１〜３０ａｔｏｍｉｃ％）から
なる光導電層３と、ａ＝ｓｆＮ：Ｈ（窒素量５０〜９０
　ａｔｏｍｉｃ％）からなる表面改質層４とが順次積層
された構造からなっている。

光導電層３は、特に窒素原子含有量を１〜３０　ａ　ｔ
　ｏｍｉ：ｃ％（望ましくは１５〜２５ａｔｏｍｉｃ％
）とすることによって、第６図に示す如く、暗所抵抗率
９Ｄと光照射時の抵抗率９Ｌの比が充分であシ、光感度
（％に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好とな
る。

また、周期表第１１ＴＡ族元素、例えばホウ素を後述の
流量比（Ｂ、　Ｈａ／ＳｉＨ，）　＝１〜５００ｐｐｍ
　テ）”−ピンクすることによって、第７図の如く、固
有抵抗を１ｏ１０Ω−ｍ以上（更には１０′１０−の以
上）とし、高抵抗化できることが分る。この高抵抗化に
よって電荷保持能を向上させることができる。

これによって、光感度、電位保持能共に良好な光導電層
とすることができる。比較のために、第７図中に破線で
ａ−８ｔ：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を示
したが、ａ　Ｓｉ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充分であ
シ、シがも１０１０Ω−ｍ程度でしか安定した高抵抗値
を得ることができない。また、第６図から理解されるよ
うに、ａ−３ｉＮ：Ｈでは窒素量によっても９を制御で
きるし、不純物ドーピングとの組合せで抵抗制御の範囲
を広くとることができる。また、第８図に示す如く、光
導電層３は、窒素含有量の増加に伴なって光学的エネル
ギーギャップ（ａ−８ｉ：Ｈの場合には約１．６５　ｅ
Ｖ　）を太きくシ、入射光に対する吸収特性をコントロ
ールできることが分る。

なお、光導電層３の下部（支持体１との境界側）は周期
表第１ＩＩＡ族又は第ＶＡ族元素、例えばボロン又はリ
ンの高濃度ドーピングによりＰ型又はＮ型化しておくこ
とができる。例えばＰ型化（更にはＰ型化）すれば、正
帯電時の基板からの電子の注入を充分に防ぐことができ
、このためには周期表第１ＴＩ　Ａ族元素（例えばボロ
ン庵流量比Ｂ、Ｈ，／ＳｉＨ，＝１０００〜１００，０
００　ｐｐｍでドープするとよい。Ｎ型化（更に＋ はＮ型化）すると、負帯電時での基板からのホールの注
入が充分に阻止され、このためのリンドープ量は流量比
で表わせばＰＨ３／　ＳｉＨ，〜１０〜１０，０００　
ｐｐｍとするのがよい。

上記表面改質層４は５０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　’ＸＩ
の窒素を含有しているので、第６図から明らかな如く固
有抵抗が犬となっていて表面電位保持性を高め、かつ第
８図に示すように光学的エネルギーギャップが大きく入
射光（特に比較的長波長の光）に対する透過性が充分と
なっている。

第２図の例では、上記表面改質層４と同一組成のａ−８
ｉＮ：Ｈ（窒素彊−５０〜９０ａｔｏｍｉｃ％）を電荷
ブロッキング層２として光導電層３下に形成した。

このブロッキング層２は、窒素原子含有琶を５０〜９０
　ａｔｏｍｉｃ％としているので、第６図の如く固有抵
抗を１０′３Ｑ　＝　ｃｍ以上にでき、感光体の帯電電
位保持能を向上させることができる。ブロッキング効果
を高める点では、周期表第ＶＡ族元素（例えばリン）の
ドーピングによってａ−８ｉＮ：Ｈ層２をＮ型（更には
＋ Ｎ型）化したり、或いは周期表第１’ＩＩＡ族元素（例
えばボロン）のドーピングによってａ−８ｉＮ：Ｈ層２
をＰ型化（更にはＰＨ化）するとよい。

第３図は、上記のａ−８ｉＮ：Ｈ層４及び２を夫々、表
面改質層及び電荷ブロッキング層として設けた例を示す
が、このような３層構造によって、上記した表面改質効
果及びブロッキング効果を共に発揮できる優れた感光体
となる。第４図及び第５図は、上記と同様の不純物ドー
ピングによシブロッキング層２をＮ型化又はＰ型化した
ものであり、更にブロッキング効果が向上したものとな
っている。

上記した感光体の各層の、厚みについても適切な範囲が
あり、光導電層３は２〜８０μｍ（望ましくは５〜３０
μｍ）、ブロッキング層２は１００Ｘ〜１μｍ（望まし
くは４００〜５０００Ａ）、表面改質層４は１ｏｏ〜５
０００Ｘ（望ましくは４００〜２０００　Ｘ）とするの
がよい。光導電層３の厚みが２μｍ未満であると帯電電
位が充分でなく、また８０μｍを越えることは実用上不
適当であり、製膜にも時間がかかる。ブロッキング層２
も１ｏｏＸ未満であるとブロッキング効果がなく、また
１μｍを越えると電荷輸送能が不良となる。

また、表面改質層４も１００Ｘ未満であると効果がなく
、逆に５０００１を越えると光感度が低下し、残留電位
が増える等、不適当となる。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。

このため、水素含有量は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　
（更には１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％　）とするのが
望ましい。特に、光導電層３中の水素含有量は、ダング
リングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上
させるために必須不可欠であって、通常は１〜４０ａｔ
ｏｍｉｃチであり、３．５〜２０　ａｔｏｍｉｃ％であ
るのがより望ましい。また、ドーピング不純物として、
ボロン以外にもＡｔ、　Ｇａ、　ＩｎＸＴｔ等周期表第
１ＩｒＡ族元素を使用でき、リン以外にもＡｓ、Ｓｂ、
　Ｂｉ等の周期表第ＶＡ族元素をドープできる。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
たＨの代シに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ
−８ｉＮ：ＦＸａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆとすることもできる
。この場合のフッ索蛍は０．０１〜２０　ａｔｏｍｉｃ
　％がよく、０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％がより望まし
い。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装置）を第９図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るよう罠なっている。基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生ぜしめられる。なお、図中の２０．２１．２２．２
３．２５．２７．２８．２９．３０．３７．３８．４ｏ
は各パルプ、３２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物
の供給源、３３はＮＨ３又はＮ２等の窒素の供給源、３
４はＡｒ又はＨ２等のキャリアガス供給源、３５は不純
物ガス（例えばＢ、Ｈ６又はＰＨ，）供給源である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
Ａｔ基板１の表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置
し、真空［１２内のガス圧が１６’Ｔｏｒｒとなるよう
ｅとバルブ３７を調節して排気し、かつ基板１を所定温
度、例えば３０〜４００　℃に加熱保持する。次いで、
高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ，又
はガス状シリコン化合物、及びＮＨ８又はＮ、を適当量
希釈した混合ガス、Ｂ、Ｈ，等を適宜真空槽１２内に導
入し、例えば０．０１〜１０　Ｔｏ　ｒ　ｒの反応圧下
で高周波電源１６にょシ高周波電圧（例えば１３．５６
ＭＨ２）を印加する。これによって、上記各反応ガスを
グロー放電分解し、ａ−８ＩＮ：Ｈ，水素を含むａ−８
ｉＮ：Ｈ、ａ−８ｉＮ：Ｈを上記の層２．３．４として
基板上に順次堆積させる。この際、シリコン化合物と窒
素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整することによ
って、所望の組成比及び光学的エネルギーギヤンブを有
するａ−８ｉ　１−ｘＮｘ　：Ｈを析出させることがで
き、また析出する膜の電気的特性にさほど影響を与える
ことなく、１０００Ａ／ｍｉｎ以上の速度で堆積させる
ことが可能である。

このようにして、本発明によるａ−５ｉＮ：）（／ａ　
−８ｉＮ：Ｈ／ａ−８ｉＮ：Ｈからなる感光体は、使用
する反応ガスの流量を変えるだけで同一装置により順次
各層を製膜することによって作成できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
ちるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）によっても上記感光体の製造が可能
である。

使用する反応ガスは、ＳｉＨ４以外にもＳ　ｉ、ＨいＳ
ｉＦ、、５ｉＨＦ、、又はその誘導体ガスが使用可能で
ある。

第１０図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７
８４１３号の蒸着法によ）作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。

ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２を有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜ＨＹ”
Ｔｏｒｒの高真空状態とし、当該ペルジャー４１内には
基板１を配置してこれをヒーター４５によ）温度１５０
〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱すると
共に、直流電源４６により基板１に０〜−ＩＯＫＶ、好
ましくは−１〜−６ＫＶの直流負畦圧を印加し、その出
口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接続
して設けた水素ガス放電管４７よシの活性水素及び水素
イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と対
向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あればア
ルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッ
ターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速
度比が例えば１　：　１０−’とガる蒸発速度で同時に
蒸発させ、かつペルジャー４１内へ、放電管５０によシ
活性化されたＮＨ，ガスを導入し、これにより必要あれ
ばアルミニウムを所定量含有するａ−８ｉＮ：Ｈ層３と
２及び／又は４（第１図〜第５図参照）を形成する。

上記の放電管４７．５０の構造を例えば放電管４７につ
いて示すと、第１１図の如く、ガス入口６１を有する筒
状の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を
一端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製
の放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に
設けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６
６とよ構成シ、前記一方の電極部材６２と他方の電極部
材６６との間に直流又は交流の電圧が印加されることに
より、ガス人口６１ヲ介して供給された例えば水素ガス
が放電空間６３においてグロー放電を生じ、とれにより
電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子よ
構成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口６
５よシ排出される。この図示の例の放電空間部材６４は
二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し
、６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。６９は一方
の電極部材６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス
放電管４７における電極間距離は１０〜１５αであシ、
印加電圧は６０ｏ■、放電空間６３の圧力は１ｏ−２Ｔ
ｏｒｒ程度とされる。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンで洗浄し、０．１％ＮａＯＨ水沼液
、０．１％ＨＮＯ３水溶液でエツチングしたＡ１基板を
第９図のグロー放電装置内にセントし、反応槽内を１０
　Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温度を２００
℃に加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０．５Ｔｏｒ
ｒの背圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚ　１電力密
度０．０４　Ｗ／ｒ：Ａの高周波電力を印加し、１５分
間の予備放電を行った。そして光４電層、電荷プロンキ
ング層、表面改質層の形成に当っては、ＳｉＨいＮ１、
及び必要あればＢ、Ｈ６を放電分解し、各ａ　−８ｉＮ
：Ｈ層を形成した。

このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーターＳＰ−４２８ｍ（川口電機（株）製）に装着し、
帯電器放電極に対する印カｌｌｌ電圧を６に′ｖとし、
５秒間帯電操作を行ない、この帯電操作直後における感
光体表面の帯電電位をＶｏ　（Ｖ）とし、この帯電電位
を　／２に減衰せしめるために必要な照射光量を半減露
光量Ｅ　１／２　（ｔｕｘ−ｓｅｃ）とした。

表面電位の光減衰曲線はある有限の電位でフラットとな
り、完全にゼロとならない場合があるが、この電位を残
留電位ＶＲ，（、Ｙ））と称する。

また、画質については、感光体をドラム状に作成し、２
０℃、６０チＲＨで電子４貞複写機Ｕ　−Ｂｉｘ　Ｖ（
小西六写真工業（株）製）に装着し、絵出しを行ない、
初期画質（１０００コピ一時）及び多数回使用時の画質
（２０万枚コピ一時）を次の如くに評価した。

画像濃度　１．０以上　　◎（画質が非常に良好）０．
６〜１．０　　０（画質が良好） ０．６未満　　Δ（画像にボケが発生）本発明による各
感光体を比較例と共に第１２図に示したが、光導電層（
感光層）に不純物をドープし、窒素量をコントロールし
た場合には著しく特性が向上する。この感光層をはじめ
、ブロッキング層、表面改質層の組成や厚みを適切に選
べば結果が良好となることも分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図、第３図、第４図、第５図は感光体の五個の各断面
図、 第６図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｉ（の抵抗変化を示
すグラフ、 第７図は不純物ドーピングによるａ−８ｔ　（Ｎ）：Ｈ
の抵抗変化を示すグラフ、 第８図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、 第９図はグロー放電装置の概略断面図、第１０図は真空
蒸着装置の概略断面図、第１１図はガス放電管の断面図
、 第１２図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 １−−−−一支持体基板 ２−−−−−−ｓ−８ｉＮ：Ｈ層（ブロッキング層）３
−−−−−ａ−８ｉＮ：Ｈ層（光導電層又は感光層）４
−−−−−−ａ−８ｉＮ：Ｈ層（表面改質層）である。 代理人弁理士　逢　坂　　宏 第　１　口 第２日 第５０ ａ−Ｓノ１−ｘＮｘ：Ｈ 第７日 ＰＨ％Ｈ４゜Ａ／、Ｂ″％８イ７Ｍ 第９０ 第１０日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体と、この基体上に形成されかつ窒素原子を１〜
   ３０　ａｔｏｍｉｃ％含有する窒素原子含有アモルファ
   ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電層
   とを有する記録体において、前記光２ｉ３−電層の上側
   及び／又は下側に、窒素原子を５０〜９０ａｔｏｍｉｅ
   ｓ含有する窒素原子含有アモルファス水素化及び／又は
   フッ累代シリコン層が表面改質層及び／又は電荷ブロッ
   キング層として形成されていることを特徴とする記録体
   。 ２、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５ａｔｏｍｉ
   ｃ％である、特許請求の範囲の第１項に記載した記録体
   。 ３、光導電層の固有抵抗が、周期表第１ｒｔＡ族元素の
   ドーピングによってｏ　１０Ω−ｃｎｒ以上となってい
   る、特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載した記録
   体。 ４、光導電層の固有抵抗が、周期表第ｍＡ族元素のドー
   ピングによって１０′１０−ｍ以上となっている、特許
   請求の範囲の第３項に記載した記録体。 ５、光導電層の厚みが２〜８０μｍ１電荷ブロツキング
   層の厚みが１００Ａ〜１μｍ１表面改質層の厚みが１０
   ０〜５０００　Ａである、特許請求の範囲の第１項〜第
   ４項のいずれか１項に記載した記録体。 ６、光導電層の厚みが５〜３０μｍ１電荷ブロツキング
   層の厚みが４００〜５０００　Ａ　Ｘ　　表面改質層の
   厚みが４００〜２０００　Ａである、特許請求の範囲の
   第５項に記載した記録体。