JPH0582059U - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPH0582059U JPH0582059U JP2110992U JP2110992U JPH0582059U JP H0582059 U JPH0582059 U JP H0582059U JP 2110992 U JP2110992 U JP 2110992U JP 2110992 U JP2110992 U JP 2110992U JP H0582059 U JPH0582059 U JP H0582059U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一次・二次間に生じる雑音を防ぐ。
【構成】 受光側リードフレーム14の裏面に、受光領
域12aと信号処理回路部12bとがワンチツプ化され
た受光素子12を搭載し、受光側リードフレーム14
に、表からの光を受光素子12の受光領域12aのみに
絞る入光窓18を形成し、発光素子11を受光側リード
フレーム14の表側に配置する。
域12aと信号処理回路部12bとがワンチツプ化され
た受光素子12を搭載し、受光側リードフレーム14
に、表からの光を受光素子12の受光領域12aのみに
絞る入光窓18を形成し、発光素子11を受光側リード
フレーム14の表側に配置する。
Description
【0001】
本考案は、発光素子と受光素子とが光学的に結合され一体化されてなる光結合 装置に関する。
【0002】
一般に光結合装置は、図5の如く、一方において発光側リードフレーム3上に 発光素子1を搭載し、他方において受光側リードフレーム4上に受光素子2を夫 々搭載する。
【0003】 なお、前記受光素子2として、その受光領域外に、一旦光電変換した信号を処 理する増幅回路、コンパレータ回路や出力回路等を一体的に設けたICチツプを 用いる場合がある。この場合、受光領域と、その他の増幅回路コンパレータ回路 や出力回路等とは、受光素子2内に併置される。
【0004】 そして、発光側と受光側の両リードフレーム3,4を対向配置した後、透光性 樹脂を用いて一次モールド体5を形成し、さらに遮光性樹脂を用いて二次モール ド体6を形成していた。
【0005】
従来の光結合装置では、発光素子1から放射された光を直接受光素子2に入射 させていたが、そうすると、増幅回路、コンパレータ回路、出力回路などのパタ ーンにも、発光素子1から放射された光があたり、雑音の原因になつている。
【0006】 また、一次側の発光素子1と二次側の受光素子2の間隔が狭いことから、一次 側の影響で二次側に雑音がのる場合がある。
【0007】 これら雑音をできるだけ少なくするため、ダミーの受光素子2を用いて、これ と比較することによつて誤動作を防いだり、増幅回路、コンパレータ回路、出力 回路などのパターン上をシールドしたりする方法が用いられていた。
【0008】 しかしながら、部品点数が増大し、コストの上昇および故障率の増大を招いて いた。
【0009】 本考案は、上記課題に鑑み、部品点数を増大せずに、光結合装置の一次・二次 間に生じる雑音による誤動作の影響を軽減し得る光結合装置の提供を目的とする 。
【0010】
本考案請求項1による課題解決手段は、図1〜4の如く、発光側リードフレー ム13に発光素子11が搭載され、受光側リードフレーム14に受光素子12が 搭載され、これらが光学的に結合するよう対向配置され、前記受光素子12は、 受光領域12aと、該受光領域12aからの電気信号を処理する信号処理回路部 12bとが併置されてなる光結合装置において、前記受光側リードフレーム14 に、表側から照射された光を受光素子12に入光させる入光窓18が形成され、 前記受光素子12は、前記受光領域12aを入光窓18に対向させるよう受光側 リードフレーム14の裏面に搭載され、前記発光素子11は、該受光側リードフ レーム14の表側に配置されたものである。
【0011】 本考案請求項2による課題解決手段は、受光素子11はワンチツプに形成され たものである。
【0012】
上記請求項1,2による課題解決手段において、発光素子11の発光時に、受 光側リードフレーム14の入光窓18を通じて、光を受光素子12に入光させる 。
【0013】 この際、信号処理回路部12bの方向へ向かつた光を、受光リードフレーム1 4の入光窓18の周囲で遮断する。
【0014】
図1は本考案の一実施例を示す光結合装置の断面図、図2は要部拡大図、図3 はリードフレームの配置を示す内部平面図、図4はリードフレームの要部拡大図 である。
【0015】 図1中、11は発光素子、12は受光素子としてワンチツプに形成された受光 ICチツプ、12aは受光ICチツプ12の受光領域、12bは受光領域12a からの電気信号を処理するための従来と同様の増幅回路、コンパレータ回路や出 力回路等の信号処理回路部(IC)、13は発光側リードフレーム、14は受光 側リードフレーム、15は各素子11,12とリードフレーム13,14との間 の接続を行う金線等のボンデイングワイヤ、16は前記素子11,12を全て含 めて透光性樹脂によりモールドする一次モールド体、17は一次モールド体16 の周囲を遮光性樹脂によりモールドする二次モールド体である。
【0016】 ここで、特に前記受光側リードフレーム14の搭載用ヘツダ部14aの中央部 には、図1〜4の如く、表側から照射された光を受光素子12に入光させる入光 窓18が形成されている。該入光窓18は、前記増幅回路、コンパレータ回路や 出力回路等の信号処理回路部12bを回避して、受光領域12aのみ形成されて いる。
【0017】 そして、本実施例の光結合装置では、図1,2の如く、前記受光素子12は、 受光側リードフレーム14のヘツダ部14aの裏面側に搭載される。そうすると 、前記増幅回路、コンパレータ回路や出力回路等の信号処理回路部12bも、受 光側リードフレーム14の裏面側に搭載され、表側から照射された光を前記ヘツ ダ部14aに遮断されることになる。これに伴い、前記受光素子12の受光領域 12aは、裏側のみならず表側にも形成される。
【0018】 なお、実際の製造工程においては、複数のデバイス分について、タイバーやク レードルにて連結された一枚のリードフレームに素子12を同時に搭載し、また ボンデイングも同時に行つておく。
【0019】 この状態で、受光側リードフレーム14の表側を、発光側リードフレーム13 に対向させる。
【0020】 しかる後、透光性樹脂を用いて一次モールド体16が形成され、さらに遮光性 樹脂を用いて二次モールド体17が形成される。
【0021】 その後、リードフレーム13,14を各デバイスごとに分断し、個別の光結合 装置を得る。
【0022】 上記構成の光結合装置において、発光素子11に電流を流して発光させると、 その光は、透光性の一次モールド体16を通過し、さらに受光側リードフレーム 14の入光窓18を通つて受光素子12の受光領域12aに入光する。
【0023】 この際、受光領域12a以外への光は、受光側リードフレーム14のヘツダ部 14aにて遮断されるため、信号処理回路部12bに光が進入するのを防止でき る。
【0024】 なお、本考案は、上記実施例に限定されるものではなく、本考案の範囲内で上 記実施例に多くの修正および変更を加え得ることは勿論である。
【0025】
以上の説明から明らかな通り、本考案請求項1,2によると、受光素子を受光 側リードフレームの裏面に搭載し、受光側リードフレームの入光窓を受光領域と 同等かそれより小とし、発光素子を受光側リードフレームの表側に配置している ので、発光素子からの光が受光素子の信号処理回路部に進入するのを防止できる 。したがつて、光結合装置の一次・二次間に生じる雑音による誤動作の影響が少 なくなり、瞬時同相除去電圧の機能を向上することができるといつた優れた効果 がある。
【図1】本考案の一実施例を示す光結合装置の断面図
【図2】光結合装置の要部拡大図
【図3】リードフレームの配置を示す内部平面図
【図4】リードフレームの要部拡大図
【図5】従来の光結合装置の断面図
11 発光素子 12 受光素子 12a 受光領域 12b 信号処理回路部 13 発光側リードフレーム 14 受光側リードフレーム 18 入光窓
Claims (2)
- 【請求項1】 発光側リードフレームに発光素子が搭載
され、受光側リードフレームに受光素子が搭載され、こ
れらが光学的に結合するよう対向配置され、前記受光素
子は、受光領域と、該受光領域からの電気信号を処理す
る信号処理回路部とが併置されてなる光結合装置におい
て、前記受光側リードフレームに、表側から照射された
光を受光素子に入光させる入光窓が形成され、前記受光
素子は、前記受光領域を入光窓に対向させるよう受光側
リードフレームの裏面に搭載され、前記発光素子は、該
受光側リードフレームの表側に配置されたことを特徴と
する光結合装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の受光素子はワンチツプに
形成されたことを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992021109U JP2576400Y2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992021109U JP2576400Y2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 光結合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582059U true JPH0582059U (ja) | 1993-11-05 |
JP2576400Y2 JP2576400Y2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12045719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992021109U Expired - Lifetime JP2576400Y2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 光結合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2576400Y2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
JP2016039287A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社東芝 | 光結合型絶縁装置 |
JP2016171235A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5482990A (en) * | 1977-12-14 | 1979-07-02 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture of photo coupler |
JPS5832514A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属の連続押出方法 |
JPH03195066A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Matsushita Electric Works Ltd | フォトリレーのカプリング方法 |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP1992021109U patent/JP2576400Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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JP2016171235A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
US10204891B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2576400Y2 (ja) | 1998-07-09 |
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