JP2001267591A - 光通信用光学ユニットのシールド構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構造で廉価な光学ユニットのシールド
構造を提供すること。 【解決手段】 Ｓｉ基板１上に配設された導波路型受光
素子３及び増幅用集積回路４は、金属板を塑性加工して
形成されると共に接地電位に接続された凸型キャップ６
によって覆われてシールドされ又、モールド樹脂１７に
よってモールドされており、これによって、外来ノイズ
の影響を受けることなく、光ファイバ５から受信した光
信号を電気信号に変換して、増幅用集積回路４へ出力す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の技術分野】本発明は、光信号の送信あるいは
受信に用いられる光通信用光学ユニットのシールド構造
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ファイバを用いた音声通信やデ
ータ通信の分野において、低価格な光モジュールが求め
られている。Ｓｉ基板上に光半導体素子を実装し、Ｓｉ
基板に設けられたＶ溝にファイバを実装することで、光
半導体素子とファイバを光学的結合を実現する光モジュ
ールが開発されている。更に、この光学系ユニットをリ
ードフレーム上に実装し、更に全体をモールド樹脂で覆
ことで低コスト化を実現するモジュールが盛んに開発が
行われている。このような光モジュール構造は、Electr
onic Components & Technology Conference 1999、Cars
ten Schwantes，”Surface mount type LD module with
receptacle structure”（講演番号Ｓ３１Ｐ１０）に
示されている。

【０００３】受光素子を前記光モジュールに適用した場
合に次のような問題点がある。即ち、低いレベルの信号
光を受光した時、受光素子にはμＡオーダの電流が流れ
る。この際、モジュール外部に有る電気部品や他の電気
機器から電磁放射（ノイズ）があると、受光素子に流れ
る電流に電磁波に相当するノイズが重畳され、正常なデ
ータ受信ができなくなる。そのため、受光素子を用いた
光モジュールを外部からの電磁波に対して充分にシール
ドする必要がある。

【０００４】ところで、データ通信の分野で、一つの筐
体内に送信機能と受信機能を持たせた光トランシーバが
開発されている。特に、オプトコム（９８年４月号、Ｐ
６０）に示されるような小型の２芯アレイ端末（例え
ば、ＩＥＣ ８７４-１６に規定のＭＴフェルール）に対
応したレセプタクル対応小型光トランシーバでは、送受
信用ファイバ間隔が０．７５ｍｍと狭いため、「９９年
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会講
演集、高橋他「ＳＦＦ光トランシーバ用光素子実装方法
の検討」（講演番号Ｃ−３−２８）」に示されるよう送
信用発光素子及び受信用受光素子を近接して並べる必要
がある。

【０００５】レーザダイオードには数十ｍＡ幅のパルス
電流を流して信号光を生成するため、パルス電流の立上
り／立下り時に様々な周波数成分を有する電磁波を発生
する。受光素子はこの電磁波を受けるため、受光素子に
流れる電流に電磁波に相当するノイズが重畳され、場合
によっては正常な動作ができなくなるという問題点があ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記問題を解決するた
めにシールド構造を採用しているが、前記シールド構造
として、受光用光学ユニットのパッケージに、メタライ
ズ処理したセラミック製のものや金属製のものを用いて
いるため、構造が複雑になり又、光トランシーバの低価
格化の妨げになっていた。

【０００７】一方、実開昭６１−１３４０５５号公報、
特開平６３−１４２８９８号公報、特開平３−７１１０
１号公報、特開平７−１６９９９０号公報、特公平１−
３７０００号公報にも光通信用光学ユニットのシールド
構造が記載されている。しかしながら、実開昭６１−１
３４０５５号公報に記載されたシェル１３は、金属製で
はあるが如何なる態様で形成されたものなのか記載され
ていない。仮に、シェル１３を金属材料を削り加工によ
って形成するとすれば高価になるという問題がある。ま
た、シェル１３にはレンズ１４が設けられると共にセラ
ミック基板７に密着するように配設されており、容易な
モールド化を考慮した構成とはなっていない。

【０００８】また、特開平６３−１４２８９８号公報に
記載された発明においても、セラミックパッケージ２を
使用しているため高価になるという問題があり又、容易
なモールド化を考慮した構成とはなっていない。さら
に、特開平３−７１１０１号公報、特開平７−１６９９
９０号公報、特公平１−３７０００号公報についても、
前記同様の問題があった。

【０００９】本発明は、簡単な構造で廉価な光通信用光
学ユニットのシールド構造を提供することを課題として
いる。また、本発明は、モールド化が容易な光通信用光
学ユニットのシールド構造を提供することを課題として
いる。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板
と、前記基板上に配設された光半導体素子と、金属板を
塑性加工して形成され前記光半導体素子を覆うと共に基
準電位に接続されたカバー部材とを備えて成ることを特
徴とする光通信用光学ユニットのシールド構造が提供さ
れる。光半導体素子は、金属板を塑性加工して形成され
基準電位に接続されたカバー部材によってシールドされ
る。

【００１１】ここで、前記基板に設けられた複数の凸部
を備え、前記カバー部材は前記凸部上に固定されている
ように構成してもよい。また、前記凸部はバンプによっ
て構成され、前記カバー部材は導電性接着剤によって前
記バンプに固定されているように構成してもよい。さら
に、前記カバー部材と基板との間には前記バンプによっ
て隙間が形成され、前記光半導体素子、カバー部材及び
基板はモールドされているように構成してもよい。

【００１２】また、本発明によれば、基板と、前記基板
上に配設された光半導体素子と、前記基板に設けられた
複数の凸部と、金属面を有し、前記光半導体素子を覆う
と共に基準電位に接続され、前記基板との間に所定の隙
間を介して前記凸部に固定されたカバー部材とを備え、
前記光半導体素子、カバー部材及び基板はモールドされ
ていることを特徴とする光通信用光学ユニットのシール
ド構造が提供される。光半導体素子は、カバー部材によ
ってシールドされ、カバー部材及び基板とともにモール
ドされる。

【００１３】また、本発明によれば、基板と、前記基板
上に配設された受光用光半導体素子と、前記基板に設け
られた複数の凸部と、金属板を塑性加工して形成され、
前記受光用光半導体素子を覆うと共に基準電位に接続さ
れ、前記基板との間に所定の隙間を介して前記凸部に固
定された第１のカバー部材と、前記基板上に配設された
発光用光半導体素子と、金属板を塑性加工して形成さ
れ、前記発光用光半導体素子を覆うと共に前記基準電位
に接続され、前記基板との間に所定の隙間を介して前記
凸部に固定された第２のカバー部材とを備えて成ること
を特徴とする光通信用光学ユニットのシールド構造が提
供される。受光用半導体素子は第１のカバー部材でシー
ルドされ又、発光用半導体素子は第２のカバー部材でシ
ールドされる。

【００１４】また、本発明によれば、光ファイバと、前
記光ファイバを支持する基板と、表面入射型受光素子
と、前記表面入射型受光素子が前記光ファイバに対面す
るように取付けられた保持部材と、金属板を塑性加工し
て形成され、前記表面入射型受光素子を覆うと共に基準
電位に接続され、前記基板と保持部材に固定されたカバ
ー部材とを備えて成ることを特徴とする光通信用光学ユ
ニットのシールド構造が提供される。表面入射型受光素
子は、金属板を塑性加工して形成され、前記表面入射型
受光素子を覆うと共に基準電位に接続され、前記基板と
保持部材に固定されたカバー部材によりシールドされ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る光学ユニットのシールド構造を示す平面図であ
り、光通信モジュールの一種である増幅器内蔵の受光モ
ジュールの例を示している。また、図２は、図１の正断
面図であり、図１と同一部分には同一符号を付してい
る。尚、図１においては、モールド樹脂１７の上部を取
り除いた状態を示している。

【００１６】図１及び図２において、受光モジュール
は、基板としてのＳｉ基板１、リードフレーム２、光半
導体素子としての導波路型受光素子３、増幅回路を構成
する増幅用集積回路（ＬＳＩ；Large scale Integratio
n Ciruit）４、光ファイバ５、シールド部材として機能
するカバー部材としての凸型キャップ６、Ａｕによって
形成された凸部としての複数のバンプ７、モールド樹脂
１７から構成されている。導波路型受光素子３及び増幅
用集積回路４はリードフレーム２上に装着されている。
Ｓｉ基板１には、光ファイバ５を実装するＶ溝１６が設
けられ又、受光素子３との距離を決めるための、スリッ
ト２６が設けられている。なお、Ｓｉ基板１の所定の位
置にＡｕにより形成された複数のバンプ７が設けられて
いる。Ａｕバンプ７の形成方法としては公知の方法が使
用できるが、例えば、香山著”ＶＬＳＩパッケージング
技術(下)”（日経ＢＰ社、１９９７年）８５ページに示
されるような、Ａｕメッキを用いる方法が使用できる。

【００１７】Ｓｉ基板１はリードフレーム２上にハンダ
等を用いて実装され、リードフレーム２には、導波路型
受光素子３に逆バイスを供給する端子１１、出力信号端
子１０及び増幅用ＬＳＩ給電端子９が設けられており、
導波路型受光素子３及び増幅用ＬＳＩ４の各電極はＳｉ
基板１上に設けられたパターンを介して各端子とワイヤ
８で接続されている。

【００１８】本実施の形態では、Ｓｉ基板１に実装する
光半導体素子として、導波路型受光素子３を用いている
が、発光モジュールを構成する場合には、導波路型受光
素子３の代わりに、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザ
ダイオード（ＬＤ）等の発光素子を使用してもよい。増
幅用ＬＳＩ４は、導波路型受光素子３で変換した信号光
のレベルに相当する電流を必要なレベルまで増幅する。
なお、光半導体素子にＬＤやＬＥＤ等の発光素子を用い
た場合、増幅用ＬＳＩ４はＬＤやＬＥＤに必要なレベル
の電流を供給するための増幅器を使用する。

【００１９】次に、シールド部材としての凸型キャップ
６は、金属板を塑性加工することにより形成されてお
り、導波路型受光素子３や増幅器４と干渉しないよう
に、絞り加工によって深絞りしてあり、中央に凸状部が
形成されると共に周囲に平坦部が形成されている。前記
凸状部内に、導波路型受光素子３や増幅用ＬＳＩ４が収
容されると共に、前記平坦部がバンプ７に固着されるよ
うに構成されている。更に、Ｓｉ基板１への実装時に光
通信用光ファイバ５と干渉しないように、凸型キャップ
６には、光ファイバ５実装用の切欠き２５を設けてい
る。なお、凸型キャップ６は、予めＳｉ基板１上の所定
の位置に設けられたＡｕバンプ７と凸型キャップ６の表
面に塗布された導電性接着剤３０によってＳｉ基板１に
固定される。

【００２０】凸型キャップ６はＡｕバンプ７、Ｓｉ基板
１上に設けられたメタライズ面、及びワイヤ２２を介し
て、基準電位である光通信用伝送装置の接地電位に接続
されている。なお、凸型キャップ６の材質としては、凸
型キャップ６の外側あるいは内側に、導波路型受光素子
３及び増幅器４を覆う領域に導電性メッキを施した樹脂
を使用することも可能である。また、凸型キャップ６の
材質として導電性樹脂を用いることが可能である。Ｓｉ
基板１とリードフレーム２はモールド化され、透湿性の
低い、エポキシ等の樹脂１７で覆われている。また、導
波路型受光素子３と光ファイバ５間は透明性の高い、或
いは信号光波長にて透明性の高い樹脂１５を予め充填
し、モールド樹脂１７が導波路型受光素子３と光ファイ
バ５間の光路を妨げないようにしている。

【００２１】上記構成の光学ユニットにおいては、凸型
キャップ６はＡｕバンプ７とＳｉ基板１上のメタライズ
面、ワイヤボンディング２２及びグランド端子１２を介
して、基準電位である光通信用伝送装置側のグランドと
接続されている。そのため、凸型キャップ６内部にある
導波路型受光素子３及び増幅器４は、シールド部材とし
ての凸型キャップ６によって電磁波(ノイズ)を効果的に
遮蔽することができる。なお、Ａｕバンプ７を用いて凸
型キャップ６とＳｉ基板１を実装すると、凸型キャップ
６とＳｉ基板１の間に隙間ができる。そのため、Ｓｉ基
板１の表面に設けられた導波路型受光素子３の逆バイア
ス電圧印加用等の電極パターンが、凸型キャップ６と電
気的に接触することを防止することが可能になる。

【００２２】以上述べたように第１の実施に形態に係る
光ユニットのシールド構造は、光半導体素子を実装した
Ｓｉ基板に於いて、金属板を塑性加工して形成した安価
な凸型キャップを、光半導体素子を覆うようにして実装
している。その際、凸型キャップはＳｉ基板上に予め形
成したＡｕバンプに導電性接着剤を用いて実装してい
る。この凸型キャップを光通信用伝送装置側の基準電位
としての接地電位に接続することで、光学系ユニット外
で発生する電磁波が光半導体素子へ与える影響を抑制し
ている。更に、光半導体素子が発生する電磁波が光学系
ユニット外に放射するのを抑制している。

【００２３】即ち、導波路型受光素３及び増幅用ＬＳＩ
４を覆うようにして、Ａｕバンプ７と導電性接着剤３０
を用いて凸型キャップ６をＳｉ基板１上に実装してい
る。この凸型キャップ６をＡｕバンプ７、Ｓｉ基板上の
パタ−ン、ワイヤ２２及び端子１２を介して、光通信用
伝送装置側のグランドと接続することで、光学系ユニッ
ト外で発生する電磁波から導波路型受光素子３及び増幅
用ＬＳＩ４を遮断している。したがって、Ｓｉ基板１上
の所定の位置にＡｕバンプ７を設け、その上に凸型キャ
ップ６を実装しているため、構造が単純であり、製造工
程の簡略化が可能になる。また、凸型キャップ６の大き
さを変更することで、導波路型受光素子３だけでなく、
増幅用ＬＳＩ４等までを含めた幅広いシールドが可能に
なる。

【００２４】さらに、凸型キャップ６とＳｉ基板１間に
は、Ａｕバンプ７の高さに相当する隙間が空いている。
そのため、モールド時に、溶融樹脂がこの隙間を通して
容易に凸型キャップ６内に流入するため、凸型キャップ
６に印加される圧力が緩和される。その結果、モールド
樹脂注入時に凸型キャップ６が動いたり剥離することは
なく、凸型キャップ６とＳｉ基板１を一括して容易にモ
ールド化が可能である。さらにまた、凸型キャップ６
は、金属板を塑性加工したものであるため低価格化が可
能である。また、透光性樹脂１５によって導波路型受光
素子３と光ファイバ５を接続しているため、モールド樹
脂１７が導波路型受光素子３と光ファイバ５間の光路を
妨げることを防止することが可能になる。尚、凸型キャ
ップ６は、金属板を塑性加工したものに限られず、導電
性メッキを施した樹脂、即ち、少なくとも光半導体素子
を覆う所定範囲にわたって金属面を有するカバー部材を
使用することが可能である。

【００２５】図３は、本発明の第２の実施の形態に係る
光学ユニットのシールド構造を示す平面図である。図３
において、図１及び図２と同一部分には同一符号を付し
ており、その部分の説明は省略する。尚、図３におい
て、リードフレーム２や端子９〜１２及びモールド樹脂
１７は省略して描いている。本第２の実施の形態におい
ては、従来の技術の欄で述べたような一つの筐体内に送
信機能と受信機能を持たせた光トランシーバ用光学ユニ
ットを採用している。即ち、基板としてのＳｉ基板１
と、Ｓｉ基板１上に配設された受光用光半導体素子とし
ての導波路型受光素子３、Ｓｉ基板１上に被着形成され
た凸部としての複数のバンプ７と、金属板を塑性加工し
て形成され、導波路型受光素子３を覆うと共に基準電位
である光通信用伝送装置の接地側に接続され又、Ｓｉ基
板１との間に形成された所定の隙間を介してバンプ７に
固定され、シールド部材として機能する第１のカバー部
材としての凸型キャップ６ａと、Ｓｉ基板１上に配設さ
れた発光用光半導体素子としての発光素子１８と、金属
板を塑性加工して形成され、発光素子１８を覆うと共に
前記基準電位に接続され、Ｓｉ基板１との間に形成され
た所定の隙間を介してバンプ７に固定され、シールド部
材として機能する第２のカバー部材としての凸型キャッ
プ６ｂとを備えている。以上のように構成した後、前記
第１の実施の形態と同様に、リードフレーム２や端子９
〜１２とともに全体を樹脂でモールドする。なお、凸型
キャップ６ａ及び凸型キャップ６ｂは別体に分離したも
のを示しているが、これらを一体型にしたものでもよ
い。

【００２６】以上のように構成することにより、第１の
実施の形態と同様の効果を奏する。即ち、導波路型受光
素子３や増幅用ＬＳＩ４を、凸型キャップ６ａでシール
ドすることにより、導波路型受光素子３や増幅用ＬＳＩ
４を、光学ユニットの外部で発生する電磁波から遮蔽す
るだけでなく、発光素子１８で発生する電磁波からも遮
蔽することが可能になるため、安定した受信性能を実現
することができる。また、発光素子１８や増幅用ＬＳＩ
１９も凸型キャップ６ｂでシールドすることで、導波路
型受光素子３及び増幅用ＬＳＩ４の電気的シールド効果
をより向上させることができるだけでなく、本トランシ
ーバが外部に向かって放射する電磁波を抑制することが
可能になる。

【００２７】図４は、本発明の第３の実施の形態に係る
光学ユニットのシールド構造を示す正断面図である。図
４において、図１及び図２と同一部分には同一符号を付
しており、その部分の説明は省略する。本第３の実施の
形態は、導波路型受光素子３の代わりに表面入射型受光
素子２０を用いた例である。表面入射型受光素子２０を
保持部材としてのキャリア２１に実装し、光通信用光フ
ァイバ５の端面と向き合うように、キャリア２１を立て
て実装を行っている。光ファイバ５は基板としてのＳｉ
基板１によって支持されている。

【００２８】また、シールド部材として機能するカバー
部材としてのキャップ６を、基板としてのＳｉ基板１と
キャリア２１の複数箇所、例えば２ヶ所で、固定してい
る。Ｓｉ基板１とキャリア２１はリードフレーム２上に
装着されている。キャップ６は、金属板を絞り加工ある
いはプレス加工によって塑性加工することにより、断面
Ｌ字形に形成されている。Ｓｉ基板１とキャリア２１の
高さが異なる場合でも、凸型キャップ６の形状を変更す
ることにより、Ｓｉ基板１に固着されたＡｕバンプ７と
導電性接着剤３０によって、Ｓｉ基板１とキャリア２１
に固着することができる。

【００２９】即ち、本第３の実施の形態は、光ファイバ
５と、光ファイバ５を支持する基板としてのＳｉ基板１
と、表面入射型受光素子２０と、表面入射型受光素子２
０が光ファイバ５に対面するように取付けられたキャリ
ア２１と、金属板を塑性加工して形成され、表面入射型
受光素子２０を覆うと共に基準電位としての光通信用伝
送装置の接地電位に接続され、Ｓｉ基板１とキャリア２
１に固定されたカバー部材６とを備えている。この構造
によっても、廉価で簡単な構造により表面入射型受光素
子２０の電気的なシールドが可能になると共に、モール
ド化が容易になる。

【００３０】図５は、本発明の第４の実施の形態に係る
光学ユニットのシールド構造を示す正断面図である。図
５において、図１及び図２と同一部分には同一符号を付
しており、その部分の説明は省略する。図５では、基板
としてのＳｉ基板１に凸部としての複数のテラス２４を
設け、シールド部材として機能するカバー部材としての
凸型キャップ６をテラス２４にハンダ２３を用いて固定
している。テラス４は、Ｓｉ基板１を加工処理すること
によりＳｉ基板１と一体に形成されている。また、Ｓｉ
基板１は、リードフレーム２上に装着されている。凸型
キャップ６とＳｉ基板１との間には所定間隔の隙間が形
成され、全体がモールド樹脂１７によってモールドされ
ている。

【００３１】即ち、本第４の実施の形態においては、Ｓ
ｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に配設された光半導体素子と
しての導波路型受光素子３と、Ｓｉ基板１に形成された
複数のテラス２４と、金属板を塑性加工して形成され、
導波路型受光素子３を覆うと共に基準電位としての光通
信用電送装置の接地電位に接続され、Ｓｉ基板１との間
に所定の隙間を介してテラス２４に固定されたカバー部
材６とを備えている。この構造によって、導波路型受光
素子３をシールドすることが可能になると共に、モール
ド化が容易になるばかりでなく、Ａｕバンプ７が不必要
になる。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、簡単な構造で廉価な光
学ユニットのシールド構造を提供することが可能にな
る。また、本発明によれば、モールド化が容易な光学ユ
ニットのシールド構造を提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る光学ユニッ
トのシールド構造の平面図である。

【図２】 本発明の第１の実施の形態に係る光学ユニッ
トのシールド構造の正断面図である。

【図３】 本発明の第２の実施の形態に係る光学ユニッ
トのシールド構造の平面図である。

【図４】 本発明の第３の実施の形態に係る光学ユニッ
トのシールド構造の正断面図である。

【図５】 本発明の第４の実施の形態に係る光学ユニッ
トのシールド構造の正断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板としてのＳｉ基板 ２・・・リードフレーム ３・・・光半導体素子としての導波路型受光素子 ４・・・増幅回路としての増幅用集積回路 ５・・・光ファイバ ６・・・カバー部材としての凸型キャップ ７・・・凸部としてのバンプ ８・・・ワイヤボンディング ９・・・ＬＳＩ給電端子 １０・・・信号出力端子 １１・・・受光素子逆バイアス端子 １２・・・接地端子 １５・・・保護用樹脂 １６・・・Ｖ溝 １７・・・モールド樹脂 １８・・・光半導体素子としての発光素子 １９・・・光半導体素子としての受光素子 ２０・・・光半導体素子としての表面入射型受光素子 ２１・・・保持部材としてのキャリア ２２・・・接地用ワイヤボンディング ２３・・・ハンダ層 ２４・・・凸部としてのテラス ２５・・・光ファイバ挿入用切り欠き ２６・・・スリット ３０・・・導電性接着剤

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、前記基板上に配設された光半導
   体素子と、金属板を塑性加工して形成され前記光半導体
   素子を覆うと共に基準電位に接続されたカバー部材とを
   備えて成ることを特徴とする光通信用光学ユニットのシ
   ールド構造。
2. 【請求項２】 前記基板に設けられた複数の凸部を備
   え、前記カバー部材は前記凸部上に固定されていること
   を特徴とする請求項１記載の光通信用光学ユニットのシ
   ールド構造。
3. 【請求項３】 前記凸部はバンプによって構成され、前
   記カバー部材は導電性接着剤によって前記バンプに固定
   されていることを特徴とする請求項２記載の光通信用光
   学ユニットのシールド構造。
4. 【請求項４】 前記カバー部材と基板との間には前記バ
   ンプによって隙間が形成され、前記光半導体素子、カバ
   ー部材及び基板はモールドされていることを特徴とする
   請求項３記載の光通信用光学ユニットのシールド構造。
5. 【請求項５】 基板と、前記基板上に配設された光半導
   体素子と、前記基板に設けられた複数の凸部と、金属面
   を有し、前記光半導体素子を覆うと共に基準電位に接続
   され、前記基板との間に所定の隙間を介して前記凸部に
   固定されたカバー部材とを備え、前記光半導体素子、カ
   バー部材及び基板はモールドされていることを特徴とす
   る光通信用光学ユニットのシールド構造。
6. 【請求項６】 基板と、前記基板上に配設された受光用
   光半導体素子と、前記基板に設けられた複数の凸部と、
   金属板を塑性加工して形成され、前記受光用光半導体素
   子を覆うと共に基準電位に接続され、前記基板との間に
   所定の隙間を介して前記凸部に固定された第１のカバー
   部材と、前記基板上に配設された発光用光半導体素子
   と、金属板を塑性加工して形成され、前記発光用光半導
   体素子を覆うと共に前記基準電位に接続され、前記基板
   との間に所定の隙間を介して前記凸部に固定された第２
   のカバー部材とを備えて成ることを特徴とする光通信用
   光学ユニットのシールド構造。
7. 【請求項７】 光ファイバと、前記光ファイバを支持す
   る基板と、表面入射型受光素子と、前記表面入射型受光
   素子が前記光ファイバに対面するように取付けられた保
   持部材と、金属板を塑性加工して形成され、前記表面入
   射型受光素子を覆うと共に基準電位に接続され、前記基
   板と保持部材に固定されたカバー部材とを備えて成るこ
   とを特徴とする光通信用光学ユニットのシールド構造。