JPH01241872A - ホトカプラ - Google Patents
ホトカプラInfo
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- JPH01241872A JPH01241872A JP63070559A JP7055988A JPH01241872A JP H01241872 A JPH01241872 A JP H01241872A JP 63070559 A JP63070559 A JP 63070559A JP 7055988 A JP7055988 A JP 7055988A JP H01241872 A JPH01241872 A JP H01241872A
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- JP
- Japan
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- pellet
- light
- layer
- photocoupler
- conductive film
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子と受光素子を含む集積回路とからな
る光結合装置（ホトカプラ）に係９、特に同相需号除去
比（ＣＭＲＪＱを改善したホトカプラに関する。
る光結合装置（ホトカプラ）に係９、特に同相需号除去
比（ＣＭＲＪＱを改善したホトカプラに関する。
従来のホトカプラは、第３図、第４図に示す様に、リー
ド３６に固着された発光素子ペレット３１とリード３４
に固着された受光素子ペレット３３とが間隔をおいて配
置式れ、発光素子ペレット３１からの光を受ける受光素
子ペレット３３との間に透光性のシリコン樹脂３２が充
てんされ、これによシ受光素子ペレット３３に至る光経
路が形成され、その外周を黒色のエポキシ樹脂３５でモ
ールドされているもの（第３図）、または発光素子ペレ
ット４１と受光素子ペレット４２とを透光性のエポキシ
樹脂４７でモールドし、光経路を形成し、さらにその外
周を黒色のエポキシ樹脂４５でモールドしたもの（第４
図）等がある。
ド３６に固着された発光素子ペレット３１とリード３４
に固着された受光素子ペレット３３とが間隔をおいて配
置式れ、発光素子ペレット３１からの光を受ける受光素
子ペレット３３との間に透光性のシリコン樹脂３２が充
てんされ、これによシ受光素子ペレット３３に至る光経
路が形成され、その外周を黒色のエポキシ樹脂３５でモ
ールドされているもの（第３図）、または発光素子ペレ
ット４１と受光素子ペレット４２とを透光性のエポキシ
樹脂４７でモールドし、光経路を形成し、さらにその外
周を黒色のエポキシ樹脂４５でモールドしたもの（第４
図）等がある。
前述した従来のホトカプラは、第３図、第４図に示すよ
うに発光素子ペレットと受光素子ペレットとがある距離
を置いて配置されている為に、この部分で寄生のコンデ
ンサが形成されてしまい、この寄生コンデンサが入力側
から入った電気的ノイズを出力側に伝達してしまい、受
光ＩＣ部の増幅等を施す集積回路素子によシ、さらにノ
イズが増幅される。このため、出力が誤動作するという
不具合が生ずる。
うに発光素子ペレットと受光素子ペレットとがある距離
を置いて配置されている為に、この部分で寄生のコンデ
ンサが形成されてしまい、この寄生コンデンサが入力側
から入った電気的ノイズを出力側に伝達してしまい、受
光ＩＣ部の増幅等を施す集積回路素子によシ、さらにノ
イズが増幅される。このため、出力が誤動作するという
不具合が生ずる。
従って、ホトカプラのＣＭＲＲ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄ
ｅＲｅｊｅｃｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ；同相信号除去比）
を高めることが出来ないという欠点がある。
ｅＲｅｊｅｃｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ；同相信号除去比）
を高めることが出来ないという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決嘔れ、同相信号除去比
を高めるようにしたホトカプラを提供することにある。
を高めるようにしたホトカプラを提供することにある。
本発明の構成は、発光素子ペレットと受光ＩＣペレット
とが離間して配置され几ホトカプラにおいて、前記受光
ＩＣペレットの主面上に、接地された金属層を設け、こ
の金属層に透光性導電フィルムが設けられていることを
特徴とする。
とが離間して配置され几ホトカプラにおいて、前記受光
ＩＣペレットの主面上に、接地された金属層を設け、こ
の金属層に透光性導電フィルムが設けられていることを
特徴とする。
第１図は本発明の実施例のホトカプラの断面図、第２図
は第１図の受光ＩＣペレットを拡大してみた断面図であ
る。これら図において、本実施例のホトカプラは、第２
図に示す様に、受光ＩＣペレット２８の主表面上の２も
目のアルミニウム層２２の主面上に、さらに透光性導電
フィルム２１を電気的に導通させ、密着させる。場らに
、２層目のアルミニウム層２２は、１鳥目のアルミニウ
ム層２５と、スルーホール２３を用いて導通させる。
は第１図の受光ＩＣペレットを拡大してみた断面図であ
る。これら図において、本実施例のホトカプラは、第２
図に示す様に、受光ＩＣペレット２８の主表面上の２も
目のアルミニウム層２２の主面上に、さらに透光性導電
フィルム２１を電気的に導通させ、密着させる。場らに
、２層目のアルミニウム層２２は、１鳥目のアルミニウ
ム層２５と、スルーホール２３を用いて導通させる。
１層目のアルミニウム層２５はボンティンパッド２６に
つながれ、ワイヤ２７を通してグランドリード２９につ
なげる。透光性導電フィルム２１上に、離間して、リー
ド１５に固着された発光素子ペレット１７を配置する。
つながれ、ワイヤ２７を通してグランドリード２９につ
なげる。透光性導電フィルム２１上に、離間して、リー
ド１５に固着された発光素子ペレット１７を配置する。
一部リード２９．１５を露出させて、非透光性の樹脂１
６で覆う。
６で覆う。
本実施例のホトカプラは、発光素子と、その発光素子と
間隔をあけて配置され発光素子からの光を受光する受光
素子とを含むホトカプラにおいて、受光素子の出力であ
る光電流を増幅等の処理を施す集積回路部と、受光ダイ
オードが１チツプ化された受光ＩＣを用い、かつ受光Ｉ
Ｃの集積回路部のアルミニウム配線は、１層目のアルミ
ニウムを用い、さらに集積回路部の少なくとも一部を２
漸目のアルミニウムで覆う構造とし、烙らに受光部及び
その周辺回路部に透光性導電フィルムを装着し、この導
通フィルムは２層目のアルミニウムと電気的に導通して
密着させ、２層目のアルミニウムは接地を位と接続し九
ことを特徴とする。即ち、本実施例では、前述の問題点
を解決する為に、ホトカプラの受光ＩＣブレット２８の
ノイズに敏感な主表面部分１％に受光タ゛イオード部分
をシールドする手段を構じている。シールド力法として
は、ペレット２８上のアルミニウム層を２層とし、ＩＮ
目のアルミニウム層２５でＩＣに必要な配線を施し、２
層目のアルミニウム層２２をすべてグランド電位に接続
する。透光性導電フィルム２１は、ペレット２８の主表
面上に装洒させるが、その部分の２層目のアルミニウム
層２２上には、酸化級。
間隔をあけて配置され発光素子からの光を受光する受光
素子とを含むホトカプラにおいて、受光素子の出力であ
る光電流を増幅等の処理を施す集積回路部と、受光ダイ
オードが１チツプ化された受光ＩＣを用い、かつ受光Ｉ
Ｃの集積回路部のアルミニウム配線は、１層目のアルミ
ニウムを用い、さらに集積回路部の少なくとも一部を２
漸目のアルミニウムで覆う構造とし、烙らに受光部及び
その周辺回路部に透光性導電フィルムを装着し、この導
通フィルムは２層目のアルミニウムと電気的に導通して
密着させ、２層目のアルミニウムは接地を位と接続し九
ことを特徴とする。即ち、本実施例では、前述の問題点
を解決する為に、ホトカプラの受光ＩＣブレット２８の
ノイズに敏感な主表面部分１％に受光タ゛イオード部分
をシールドする手段を構じている。シールド力法として
は、ペレット２８上のアルミニウム層を２層とし、ＩＮ
目のアルミニウム層２５でＩＣに必要な配線を施し、２
層目のアルミニウム層２２をすべてグランド電位に接続
する。透光性導電フィルム２１は、ペレット２８の主表
面上に装洒させるが、その部分の２層目のアルミニウム
層２２上には、酸化級。
窒化膜等のパッシベーション膜を設けず、導電性フィル
ム２１と２層目のアルミニウム鳥２２とが電気的に導通
する構造としておく。以上によシ、受光部”イオード部
の主表面がグランド電位に接続された透光性導電フィル
ム２１で俊われ、シールドされる。
ム２１と２層目のアルミニウム鳥２２とが電気的に導通
する構造としておく。以上によシ、受光部”イオード部
の主表面がグランド電位に接続された透光性導電フィル
ム２１で俊われ、シールドされる。
本実施例に例えば、入力側からのノイズは、発光素子ペ
レット１７と受光ＩＣペレット２８との間に形成される
寄生コンデンサを通して、電気的グランドに到達する為
に、ホトカプラの出力側の誤動作生じず、もってＣＭＲ
Ｒを高めることが可能である。
レット１７と受光ＩＣペレット２８との間に形成される
寄生コンデンサを通して、電気的グランドに到達する為
に、ホトカプラの出力側の誤動作生じず、もってＣＭＲ
Ｒを高めることが可能である。
以上説明したように、本発明は、ホトカプラの受光ＩＣ
ペレット上に導電性フィルムを装着し、電気的グランド
とする構造の為、入力側からの電気的ノイズが、発光素
子ペレットと受光ＩＣペレットの開で形成される寄生コ
ンデンサを通して受光ＩＣペレットの受光部に伝達され
ても、ノイズは導電性フィルムを通シ、グランド電位に
到達するので出力の誤動作は生じず、これによシホトカ
ブラのＣＭＲＲを向上させるという効果がある。
ペレット上に導電性フィルムを装着し、電気的グランド
とする構造の為、入力側からの電気的ノイズが、発光素
子ペレットと受光ＩＣペレットの開で形成される寄生コ
ンデンサを通して受光ＩＣペレットの受光部に伝達され
ても、ノイズは導電性フィルムを通シ、グランド電位に
到達するので出力の誤動作は生じず、これによシホトカ
ブラのＣＭＲＲを向上させるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例のホトカプラを示す断面図、第
２図は第１図のホトカプラの受光ＩＣペレットの断面図
、第３図は従来のホトカプラの一部６− 例を示す断面図、第４図は従来のホトカプラの他側を示
す断面図である。 １５．２９，３４，３６，４３．４６・山・・り一ド、
１７，３１．４１・・・・・・発光素子ベンツ）、１７
゜３５．３２．４７・・・・・・樹脂、３３．４２・・
・・・・受光素子ペレット、２３・・・・・・スルーホ
ール、２８・・・・・・受光ＩＣペレット、２１・・・
・・・透光性導電フィルム、２２．２５・・・・・・ア
ルミニウム〜、２７・・・・・・ワイオ、２６・・・・
・・ポンディングパッド。 代理人 弁理士 内 原 音 第１図
２図は第１図のホトカプラの受光ＩＣペレットの断面図
、第３図は従来のホトカプラの一部６− 例を示す断面図、第４図は従来のホトカプラの他側を示
す断面図である。 １５．２９，３４，３６，４３．４６・山・・り一ド、
１７，３１．４１・・・・・・発光素子ベンツ）、１７
゜３５．３２．４７・・・・・・樹脂、３３．４２・・
・・・・受光素子ペレット、２３・・・・・・スルーホ
ール、２８・・・・・・受光ＩＣペレット、２１・・・
・・・透光性導電フィルム、２２．２５・・・・・・ア
ルミニウム〜、２７・・・・・・ワイオ、２６・・・・
・・ポンディングパッド。 代理人 弁理士 内 原 音 第１図
Claims (1)
- 発光素子ペレットと受光ＩＣペレットとが離間して配
置されたホトカプラにおいて、前記受光ＩＣペレットの
主面上に、接地された金属層を設け、この金属層に透光
性導電フィルムが設けられていることを特徴とするホト
カプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070559A JPH01241872A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070559A JPH01241872A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241872A true JPH01241872A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13435010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070559A Pending JPH01241872A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241872A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040889A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の検査方法 |
| JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63070559A patent/JPH01241872A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040889A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の検査方法 |
| JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
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