JPS63237208A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS63237208A JPS63237208A JP6810187A JP6810187A JPS63237208A JP S63237208 A JPS63237208 A JP S63237208A JP 6810187 A JP6810187 A JP 6810187A JP 6810187 A JP6810187 A JP 6810187A JP S63237208 A JPS63237208 A JP S63237208A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気特性に優れたＣｏ−Ｃｒ系の垂直磁気
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
高密度磁気記録媒体として、Ｃｏ−Ｃｒ系合金をスパッ
タリングした垂直磁気記録媒体が優れていることが知ら
れている。Ｃｏ−Ｃｒ系合金は六方晶の結晶構造を有し
、スパッタリング法によりそのＣ軸が基板面に垂直に配
向した膜が生成することから垂直磁気記録媒体として優
れている。理想的にはＣ軸が基板面に完全に垂直に配向
していることが望まれるが、現実には配向は完全ではな
く、垂直方向を中心に分布をもつ。この分布はＸ線回折
における（００１．）面のロッキング曲線の形によって
測定することができ、ロッキング曲線の半値巾Δθ、。
タリングした垂直磁気記録媒体が優れていることが知ら
れている。Ｃｏ−Ｃｒ系合金は六方晶の結晶構造を有し
、スパッタリング法によりそのＣ軸が基板面に垂直に配
向した膜が生成することから垂直磁気記録媒体として優
れている。理想的にはＣ軸が基板面に完全に垂直に配向
していることが望まれるが、現実には配向は完全ではな
く、垂直方向を中心に分布をもつ。この分布はＸ線回折
における（００１．）面のロッキング曲線の形によって
測定することができ、ロッキング曲線の半値巾Δθ、。
により判定できる。
Ｃｏ−Ｃｒ膜の垂直配向性を向上させる方法として、Ｃ
ｏ−Ｃｒ膜中に微量の炭素を混入することが行われてい
る。磁化膜中に微量の炭素を混入する方法としては、ス
パッタリンガス中に炭素化合物のガスを混入するかある
いはスパッタリングターゲット中に炭素を混入すること
が一般に行われている。しかし、炭素化合物のガスを混
入する方法では炭素以外に水素又は酸素等の元素が混入
し、垂直磁気特性が損なわれたりするという欠点がある
。又、スパッタリングターゲット中に炭素を混入する方
法では特別に炭素入りのスパッタリングターゲットを作
製する必要があり、又、スパッタリングターゲット上に
炭素のペレット等を置く方法では炭素の混入が均一に行
われ難いという欠点がある。
ｏ−Ｃｒ膜中に微量の炭素を混入することが行われてい
る。磁化膜中に微量の炭素を混入する方法としては、ス
パッタリンガス中に炭素化合物のガスを混入するかある
いはスパッタリングターゲット中に炭素を混入すること
が一般に行われている。しかし、炭素化合物のガスを混
入する方法では炭素以外に水素又は酸素等の元素が混入
し、垂直磁気特性が損なわれたりするという欠点がある
。又、スパッタリングターゲット中に炭素を混入する方
法では特別に炭素入りのスパッタリングターゲットを作
製する必要があり、又、スパッタリングターゲット上に
炭素のペレット等を置く方法では炭素の混入が均一に行
われ難いという欠点がある。
本発明はこのような問題点を解決するもので、炭素又は
金属炭化物を含有する高分子成形物の基板と、該基板上
にスパッタリング法により形成されたＣｏ−Ｃｒ系合金
層とからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体に関す
るものである。
金属炭化物を含有する高分子成形物の基板と、該基板上
にスパッタリング法により形成されたＣｏ−Ｃｒ系合金
層とからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体に関す
るものである。
本発明によれば、磁化膜中に微量の炭素を安定的に混入
することにより、垂直磁気特性に優れた垂直磁気記録媒
体を得ることができる。スパッタリング法はプラズマ雰
囲気中でターゲット原子がスパッタされることにより基
板上に薄膜が形成されるが、その際基板表面も原子の衝
撃を受け、ある程度スパッタされるのと同様な現象が起
こると考えられる。本発明はこの現象を利用するもので
、基板中に混入した炭素又は炭化物がスパッタされるこ
とにより、磁化膜中に炭素が混入されることを特徴とす
る。
することにより、垂直磁気特性に優れた垂直磁気記録媒
体を得ることができる。スパッタリング法はプラズマ雰
囲気中でターゲット原子がスパッタされることにより基
板上に薄膜が形成されるが、その際基板表面も原子の衝
撃を受け、ある程度スパッタされるのと同様な現象が起
こると考えられる。本発明はこの現象を利用するもので
、基板中に混入した炭素又は炭化物がスパッタされるこ
とにより、磁化膜中に炭素が混入されることを特徴とす
る。
本発明で使用される炭素としてはカーボンブラック、グ
ラファイト、また金属炭化物としては、炭化チタン、炭
化ケイ素、炭化アルミニウム、炭化ジルコニウム、炭化
クロム、炭化タングステン、炭化鉄等を挙げることがで
きる。その形状は粉末が最も好ましいが、他の形状であ
ってもかまわない。炭素又は金属炭化物の使用量は、高
分子成形物の基板に対して１〜２０ｗｔ％が好適である
。
ラファイト、また金属炭化物としては、炭化チタン、炭
化ケイ素、炭化アルミニウム、炭化ジルコニウム、炭化
クロム、炭化タングステン、炭化鉄等を挙げることがで
きる。その形状は粉末が最も好ましいが、他の形状であ
ってもかまわない。炭素又は金属炭化物の使用量は、高
分子成形物の基板に対して１〜２０ｗｔ％が好適である
。
本発明で使用される高分子成形物としては、ポリイミド
、ポリエステル等を挙げることができる。
、ポリエステル等を挙げることができる。
本発明のＣｏ−Ｃｒ系合金層としては、従来公知Ｃｏ含
有量が７０〜９０原子％、Ｃｒ含有量が１０〜３０原子
％であるＣｏ−Ｃｒの二元系合金、或いは前記二元系に
ＷＳＲｅ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｎｉ、■、Ｃｕ、Ｍｎ等の
少なくとも１種を１〜１０原子％添加した系を挙げるこ
とができる。
有量が７０〜９０原子％、Ｃｒ含有量が１０〜３０原子
％であるＣｏ−Ｃｒの二元系合金、或いは前記二元系に
ＷＳＲｅ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｎｉ、■、Ｃｕ、Ｍｎ等の
少なくとも１種を１〜１０原子％添加した系を挙げるこ
とができる。
以下に実施例及び比較例を示し、本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
実施例１
ジカルボン酸無水物とジアミンとからなるポリイミドモ
ノマー溶液に平均粒径０．０３μｍのカーボンブラック
粉末を５ｗｔ％混入し、ガラス基板上に流延したのち加
熱してイミド化反応を行い、厚さ約５０μｍのポリイミ
ドフィルムを作成した。
ノマー溶液に平均粒径０．０３μｍのカーボンブラック
粉末を５ｗｔ％混入し、ガラス基板上に流延したのち加
熱してイミド化反応を行い、厚さ約５０μｍのポリイミ
ドフィルムを作成した。
これを基板とし、その表面にＣｏ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有
率２０ｗｔ％）をスパッタし、厚さ約０．３μｍの薄膜
Ａを形成した。
率２０ｗｔ％）をスパッタし、厚さ約０．３μｍの薄膜
Ａを形成した。
スパッタリング条件
装 置 マグネトロン式高周波スパッタリング
装Ｗ（二極平行平板型） ターゲット Ｃｏ−Ｃｒ合金（２２原子％Ｃｒ）直
径６インチ 厚さ５ｍｍ スパッタガス Ａｒ 圧力０．５ Ｐ ａ基板の前
処理 真空中３８０°Ｃで２時間スパッタ電力 １
．５ｋＶ ６０ｍ１ｎスパツタ基板温度 水冷 実施例２ 実施例１で用いたポリイミドモノマー溶液に平均粒径０
．０５μｍの炭化ケイ素粉末を１０ｗｔ％混入し、実施
例１と同様にしてポリイミドフィルムを作成した。これ
を基板とし、実施例１と同様にして厚さ０．３μｍの薄
膜Ｂを作成した。
装Ｗ（二極平行平板型） ターゲット Ｃｏ−Ｃｒ合金（２２原子％Ｃｒ）直
径６インチ 厚さ５ｍｍ スパッタガス Ａｒ 圧力０．５ Ｐ ａ基板の前
処理 真空中３８０°Ｃで２時間スパッタ電力 １
．５ｋＶ ６０ｍ１ｎスパツタ基板温度 水冷 実施例２ 実施例１で用いたポリイミドモノマー溶液に平均粒径０
．０５μｍの炭化ケイ素粉末を１０ｗｔ％混入し、実施
例１と同様にしてポリイミドフィルムを作成した。これ
を基板とし、実施例１と同様にして厚さ０．３μｍの薄
膜Ｂを作成した。
比較例１
炭素粉末を混入しなかった以外は実施例１と同様な方法
により厚さ約０．３μｍの薄膜Ｃを形成した。
により厚さ約０．３μｍの薄膜Ｃを形成した。
実施例１及び比較例１で得られた各磁化膜中の炭素の分
布状態を二次イオン質量分析により分析した。その結果
を第１図に示す。比較例１の炭素を含まない基板の場合
、磁化膜中にはほとんど炭素は存在しない。これに対し
て炭素粉末入り基板の場合、磁化膜中の基板付近には基
板内と同程度の量の炭素が存在し、その量は表面に近づ
くにつれて次第に減少するが、表面付近まで分布してい
ることがわかる。
布状態を二次イオン質量分析により分析した。その結果
を第１図に示す。比較例１の炭素を含まない基板の場合
、磁化膜中にはほとんど炭素は存在しない。これに対し
て炭素粉末入り基板の場合、磁化膜中の基板付近には基
板内と同程度の量の炭素が存在し、その量は表面に近づ
くにつれて次第に減少するが、表面付近まで分布してい
ることがわかる。
Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜は２θ＝４４’付近に（ＯＯ２）
回折を示す。この回折位置におけるロッキング曲線を第
２図〜第４図に示す。、比較例１の炭素を含まない基板
の場合、ロッキング曲線の半値巾Δθ５゜は６．７°と
大きく垂直配向性は悪い。
回折を示す。この回折位置におけるロッキング曲線を第
２図〜第４図に示す。、比較例１の炭素を含まない基板
の場合、ロッキング曲線の半値巾Δθ５゜は６．７°と
大きく垂直配向性は悪い。
これに対して炭素粉末入り基板の場合、実施例１ではΔ
θ、。＝３．２°、実施例２ではΔθ、。＝４．０°と
極めて垂直配向性に優れている。
θ、。＝３．２°、実施例２ではΔθ、。＝４．０°と
極めて垂直配向性に優れている。
本発明によれば垂直磁気特性に優れたＣｏ−Ｃｒ系の垂
直磁気記録媒体を得ることができる。
直磁気記録媒体を得ることができる。
第１図は実施例１、実施例２及び比較例１で得られた各
磁化膜中の炭素の分布状態を二次イオン質量分析法によ
り分析した結果を示す図である。 第２図〜第４図は実施例１、実施例２及び比較例１で得
られた各磁化膜のＸ線回折ロッキング曲線を示すグラフ
図である。 特許出願人 宇部興産株式会社 第１図 Ｑ ＋０ ２０ ３０ ４０ ５０ ６０工・ソチ
ンデａ奇問Ｃり 第 ２ 図
磁化膜中の炭素の分布状態を二次イオン質量分析法によ
り分析した結果を示す図である。 第２図〜第４図は実施例１、実施例２及び比較例１で得
られた各磁化膜のＸ線回折ロッキング曲線を示すグラフ
図である。 特許出願人 宇部興産株式会社 第１図 Ｑ ＋０ ２０ ３０ ４０ ５０ ６０工・ソチ
ンデａ奇問Ｃり 第 ２ 図
Claims (1)
- 炭素又は金属炭化物を含有する高分子成形物の基板と、
該基板上にスパッタリング法により形成されたＣｏ−Ｃ
ｒ系合金層とからなることを特徴とする垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6810187A JPS63237208A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6810187A JPS63237208A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237208A true JPS63237208A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13364011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6810187A Pending JPS63237208A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237208A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141920A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH05210834A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP4531331B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-08-25 | 高橋 研 | 磁性薄膜、その製造方法、その評価方法及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置並びに磁気デバイス |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP6810187A patent/JPS63237208A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141920A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH05210834A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP4531331B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-08-25 | 高橋 研 | 磁性薄膜、その製造方法、その評価方法及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置並びに磁気デバイス |
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